KR20200015584A - 밀봉용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치 - Google Patents

밀봉용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치 Download PDF

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다카유키 마츠자키
히사토 다카하시
츠요시 가미무라
하루유키 요시이
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Abstract

밀봉용 액상 수지 조성물은, (A) 지방족 에폭시 화합물, (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물, (C) 질소 함유 복소환 화합물 및 (D) 무기 충전제를 포함하고, 상기 (D) 무기 충전제의 함유율이 77질량％ 이상이다.

Description

밀봉용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치
본 발명은, 밀봉용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치에 관한 것이다.
근년, 전자 부품 장치의 저비용화, 소형화, 박형화, 경량화, 고성능화 및 고기능화를 도모하기 위해서, 소자의 배선의 미세화, 다층화, 다핀화 및 패키지의 소형 박형화에 의한 고밀도 실장화가 진행되고 있다. 이에 따라서, IC(Integrated Circuit) 등의 소자와 거의 동일한 사이즈의 전자 부품 장치, 즉, CSP(Chip Size Package)가 널리 사용되고 있다.
그 중에서, 웨이퍼 단계에서 수지 밀봉을 행하는 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지가 주목받고 있다. 이 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지에서는, 웨이퍼 단계에서, 고형의 에폭시 수지 조성물을 사용한 컴프레션 성형(압축 성형) 또는 액상의 에폭시 수지 조성물을 사용한 인쇄 성형에 의해, 다수의 소자를 한번에 밀봉하여 개편화한다. 그 때문에, 소자를 개편화하고 나서 밀봉하는 방법에 비해 대폭적인 생산성의 향상이 가능해진다. 그러나, 밀봉한 실리콘 웨이퍼가 휘기 쉽고, 이 휨이 그 후의 반송, 연삭, 검사 및 개편화의 각 공정에서 문제가 되고 있으며, 디바이스에 따라서는 소자 특성에 변동이 발생하는 문제가 일어나는 경우가 있다.
한편, 종래부터 전자 부품 장치의 소자 밀봉의 분야에서는, 생산성, 비용 등의 면에서 수지 밀봉이 주류가 되고, 에폭시 수지 조성물이 널리 사용되고 있다. 이 이유로서는, 에폭시 수지가 전기 특성, 내습성, 내열성, 기계 특성, 인서트품과의 접착성 등의 여러 특성에 균형이 잡혀 있기 때문이다. 실리콘 웨이퍼의 휨은, 이 에폭시 수지 조성물의 경화 수축, 실리콘 웨이퍼와 에폭시 수지 조성물의 열팽창 계수의 미스매치 등에 의해 발생하는 응력에서 유래하는 것이라고 생각된다. 실리콘 웨이퍼의 휨은, 패키지의 신뢰성을 저하시킬 우려가 있다. 그 때문에, 이러한 용도에 사용하는 에폭시 수지 조성물에는 저응력화가 요구된다. 에폭시 수지 조성물을 저응력화하기 위해서는, 무기 충전제를 고충전하여 열팽창 계수를 작게 하고, 또한 가요화제, 가요성 수지 등을 사용하여 탄성률을 작게 하는 것이 유효하게 되어 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에서는, 액상 비스페놀형 에폭시 수지, 실리콘 고무 미립자, 실리콘 변성 에폭시 수지, 방향족 아민 경화제, 무기 충전제 및 유기 용제를 함유한 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다.
또한, 특허문헌 2에는, 액상 에폭시 수지, 방향족 아민 경화제, 고형 실리콘 중합체의 코어와 유기 중합체의 셸을 포함하는 코어 셸 실리콘 중합체의 미립자, 무기 충전제 및 유기 용제를 함유한 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다.
이와 같이, 종래 기술에는, 밀봉한 실리콘 웨이퍼의 휨을 저감시키기 위한 압축 성형용 액상 수지 조성물로서, 적어도 액상 에폭시 수지, 경화제, 고무 미립자 및 무기 충전제를 포함하는 액상 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 3에는, 에폭시 수지, 산무수물 경화제 및 무기 필러를 포함하는 액상 몰드제가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2007-23272호 공보 일본 특허 공개 제2008-150555호 공보 일본 특허 공개 제2014-152314호 공보
실리콘 고무 미립자 및 실리콘 변성 에폭시 수지를 사용한 특허문헌 1 또는 코어 셸 실리콘 중합체의 미립자를 사용한 특허문헌 2의 경우에는, 에폭시 수지 경화물의 탄성률을 낮추어, 저응력화를 도모할 수 있다. 그러나, 한층 더 얇은 실리콘 웨이퍼 또는 12인치 사이즈 혹은 그보다도 대형의 실리콘 웨이퍼의 휨을 충분히 작게 할 수 없는 문제가 발생하는 경우가 있다. 또한, 산무수물 경화제를 사용한 특허문헌 3의 경우, 조성물의 점도를 낮게 억제할 수 있고, 무기 필러를 다량으로 충전함으로써 에폭시 수지 경화물의 선팽창 계수를 낮출 수 있다. 그러나, 에폭시 수지 경화물의 탄성률이 높고, 대형의 실리콘 웨이퍼의 휨을 충분히 작게 할 수 없는 경우가 있다. 더 한층의 비용 절감 및 패키지의 박형화를 도모하기 위해서, 실리콘 웨이퍼는 금후 점점 직경이 크게, 두께는 얇아지게 되는 경향이 있어, 이들 실리콘 웨이퍼의 휨을 작게 할 필요가 있다.
실리콘 웨이퍼의 휨의 문제는, SiC(실리콘 카바이드) 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, GaAs(비소화갈륨) 웨이퍼 등의 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼 전반에 발생할 수 있는 문제라고 생각된다.
본 발명의 일 형태는, 이러한 상황을 감안하여 이루어진 것이며, 반도체 웨이퍼의 휨의 발생을 억제 가능한 밀봉용 액상 수지 조성물 및 이것을 사용한 전자 부품 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태는 이하에 관한 것이다.
<1> (A) 지방족 에폭시 화합물, (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물, (C) 질소 함유 복소환 화합물 및 (D) 무기 충전제를 포함하고, 상기 (D) 무기 충전제의 함유율이 77질량％ 이상인 밀봉용 액상 수지 조성물.
<2> 상기 (A) 지방족 에폭시 화합물이, 하기 일반식 (I)로 표시되는 화합물을 포함하는, <1>에 기재된 밀봉용 액상 수지 조성물.
Figure pct00001
[식 중, n은 1 내지 15의 정수이다.]
<3> 상기 (A) 지방족 에폭시 화합물의 수 평균 분자량이 200 내지 10000인, <1> 또는 <2>에 기재된 밀봉용 액상 수지 조성물.
<4> 상기 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물이, N,N-디글리시딜오르토톨루이딘 및 N,N-비스(2,3-에폭시프로필)-4-(2,3-에폭시프로폭시)아닐린 중 적어도 한쪽을 포함하는, <1> 내지 <3> 중 어느 한 항에 기재된 밀봉용 액상 수지 조성물.
<5> (E) 커플링제를 포함하는, <1> 내지 <4> 중 어느 한 항에 기재된 밀봉용 액상 수지 조성물.
<6> <1> 내지 <5> 중 어느 한 항에 기재된 밀봉용 액상 수지 조성물에 의해 밀봉된 소자를 구비한 전자 부품 장치.
본 발명의 일 형태에 의하면, 반도체 웨이퍼의 휨의 발생을 억제 가능한 밀봉용 액상 수지 조성물 및 이것을 사용한 전자 부품 장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시 형태에 있어서, 그의 구성 요소(요소 스텝 등도 포함함)는 특별히 명시한 경우를 제외하고, 필수적이지는 않다. 수치 및 그 범위에 대해서도 마찬가지이며, 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
본 개시에 있어서 「내지」를 사용하여 나타난 수치 범위에는, 「내지」의 전후에 기재되는 수치가 각각 최솟값 및 최대값으로서 포함된다.
본 개시 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위로 기재된 상한값 또는 하한값은, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또한, 본 개시 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다.
본 개시에 있어서 각 성분은 해당하는 물질을 복수종 포함하고 있어도 된다. 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수종 존재하는 경우, 각 성분의 함유율 또는 함유량은, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 당해 복수종의 물질의 합계의 함유율 또는 함유량을 의미한다.
본 개시에 있어서 각 성분에 해당하는 입자는 복수종 포함하고 있어도 된다. 조성물 중에 각 성분에 해당하는 입자가 복수종 존재하는 경우, 각 성분의 입자 직경은, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 당해 복수종의 입자의 혼합물에 관한 값을 의미한다.
본 개시에 있어서 「층」 또는 「막」이라는 단어에는, 당해 층 또는 막이 존재하는 영역을 관찰하였을 때, 당해 영역의 전체에 형성되어 있는 경우뿐 아니라, 당해 영역의 일부에만 형성되어 있는 경우도 포함된다.
<밀봉용 액상 수지 조성물>
본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물은, (A) 지방족 에폭시 화합물, (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물, (C) 질소 함유 복소환 화합물 및 (D) 무기 충전제를 포함하고, 상기 (D) 무기 충전제의 함유율이 77질량％ 이상이다. 본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물은, 필요에 따라서 상기 성분 이외의 기타 성분을 포함해도 된다. 본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물에 의하면, 반도체 웨이퍼의 휨의 발생이 억제 가능해진다.
이하, 밀봉용 액상 수지 조성물을 구성하는 각 성분에 대하여 설명한다.
-(A) 지방족 에폭시 화합물-
밀봉용 액상 수지 조성물은, (A) 지방족 에폭시 화합물을 포함한다.
본 개시에 있어서, (A) 지방족 에폭시 화합물이란, 분자 내에 에폭시기를 적어도 1개 갖고, 게다가 에폭시기 이외의 환상 구조를 분자 중에 갖지 않는 지방족 화합물을 말한다. 밀봉용 액상 수지 조성물이 (A) 지방족 에폭시 화합물을 포함함으로써, 밀봉용 액상 수지 조성물을 반도체 웨이퍼에 도포하여 경화시키는 양태에서 사용해도, 반도체 웨이퍼의 휨의 발생이 보다 효율적으로 억제되는 경향이 있다.
(A) 지방족 에폭시 화합물로서는, 공지 내지 관용의 지방족 에폭시 화합물을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
(A) 지방족 에폭시 화합물의 구체예로서는, 알킬알코올글리시딜에테르[부틸글리시딜에테르, 2-에틸헥실글리시딜에테르 등], 알케닐알코올글리시딜에테르[비닐글리시딜에테르, 알릴글리시딜에테르 등] 등의 분자 내에 에폭시기를 1개 갖는 단관능 지방족 에폭시 화합물; 알킬렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리(알킬렌글리콜)디글리시딜에테르, 알케닐렌글리콜디글리시딜에테르 등의 분자 내에 에폭시기를 2개 갖는 2관능 지방족 에폭시 화합물; 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3관능 이상의 알코올의 폴리글리시딜에테르[트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨(트리 또는 테트라)글리시딜에테르, 디펜타에리트리톨(트리, 테트라, 펜타 또는 헥사)글리시딜에테르 등] 등의 분자 내에 에폭시기를 3개 이상 갖는 다관능 지방족 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
그 중에서도, (A) 지방족 에폭시 화합물로서는, 반도체 웨리퍼 상에 경화물을 형성한 경우의 반도체 웨이퍼의 휨이 한층 더 효율적으로 억제되는 점에서, 2관능 지방족 에폭시 화합물이 바람직하다.
2관능 지방족 에폭시 화합물로서는, 보다 구체적으로는, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 1,3-프로판디올디글리시딜에테르, 2-메틸-1,3-프로판디올디글리시딜에테르, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올디글리시딜에테르, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르(테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르), 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 3-메틸-2,4-펜탄디올디글리시딜에테르, 2,4-펜탄디올디글리시딜에테르, 1,5-펜탄디올디글리시딜에테르(펜타메틸렌글리콜디글리시딜에테르), 3-메틸-1,5-펜탄디올디글리시딜에테르, 2-메틸-2,4-펜탄디올디글리시딜에테르, 2,4-디에틸-1,5-펜탄디올디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르(헥사메틸렌글리콜디글리시딜에테르), 1,7-헵탄디올디글리시딜에테르, 3,5-헵탄디올디글리시딜에테르, 1,8-옥탄디올디글리시딜에테르, 2-메틸-1,8-옥탄디올디글리시딜에테르, 1,9-노난디올디글리시딜에테르 등의 알킬렌글리콜디글리시딜에테르(알칸디올디글리시딜에테르); 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 트리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 테트라에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리(에틸렌글리콜/프로필렌글리콜)디글리시딜에테르, 디테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 트리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디펜타메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 트리펜타메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리펜타메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디헥사메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 트리헥사메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리헥사메틸렌글리콜디글리시딜에테르 등의 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르(올리고알킬렌글리콜디글리시딜에테르도 포함됨) 등을 들 수 있다.
특히 반도체 웨이퍼의 휨이 고도로 억제되는 점에서, 어떤 양태에서는, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 바람직하고, 알킬렌글리콜(알킬렌옥시) 단위의 수가 1 내지 20인 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르(특히, 알킬렌글리콜 단위의 수가 1 내지 20이며 알킬렌글리콜 단위 중의 탄소 원자의 수가 2 내지 4인 알킬렌글리콜디글리시딜에테르)가 보다 바람직하다.
또한, 기타 형태로서는, 알킬렌글리콜(알킬렌옥시) 단위의 수가 2 내지 20인 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르(특히, 알킬렌글리콜 단위의 수가 2 내지 20이며 알킬렌글리콜 단위 중의 탄소 원자의 수가 2 내지 4인 알킬렌글리콜디글리시딜에테르)여도 된다.
(A) 지방족 에폭시 화합물의 분자량(중합체의 경우에는, 용출 용매에 테트라히드로푸란을 사용한 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의한 표준 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량)은 특별히 한정되지 않고, 200 내지 10000인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 200 내지 1200이며, 더욱 바람직하게는 200 내지 1000이며, 특히 바람직하게는 300 내지 900이다. (A) 지방족 에폭시 화합물의 분자량(또는 수 평균 분자량)을 상기 범위로 함으로써, 반도체 웨이퍼의 휨이 보다 효율적으로 억제되는 경향이 있다.
보다 구체적으로는, (A) 지방족 에폭시 화합물로서, 하기 일반식 (I)로 표시되는 화합물(테트라메틸렌글리콜의 디글리시딜에테르 또는 폴리테트라메틸렌글리콜의 디글리시딜에테르)이 바람직하게 예시된다. 이러한 화합물을 사용함으로써, 반도체 웨이퍼의 휨이 보다 효율적으로 억제되는 경향이 있다.
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식 중, n은 1 내지 15의 정수이다.
밀봉용 액상 수지 조성물에 있어서 (A) 지방족 에폭시 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한, 일반식 (I)로 표시되는 화합물로서는, 상품명 「에포고세 PT(일반 그레이드)」(욧카이치 고세이 가부시키가이샤, 폴리테트라메틸렌글리콜의 디글리시딜에테르, 수 평균 분자량 700 내지 800) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.
밀봉용 액상 수지 조성물에 포함되는 (A) 지방족 에폭시 화합물의 함유율은 특별히 한정되는 것은 아니며, 밀봉용 액상 수지 조성물에 포함되는 에폭시기를 갖는 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 100질량％)에 대하여, 3질량％ 내지 40질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5질량％ 내지 35질량％이며, 더욱 바람직하게는 10질량％ 내지 30질량％이다. (A) 지방족 에폭시 화합물의 함유량을 3질량％ 이상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼의 휨이 보다 억제되는 경향이 있다. 한편, (A) 지방족 에폭시 화합물의 함유량을 40질량％ 이하로 함으로써, 밀봉용 액상 수지 조성물의 경화성이 보다 향상되고, 경화물의 내열성이 보다 향상되는 경향이 있다.
-(B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물-
밀봉용 액상 수지 조성물은, (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물을 포함한다.
(B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물로서는, 공지 내지 관용의 방향족 에폭시 화합물을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
(B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물의 구체예로서는, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 카테콜, 레조르시놀 등의 페놀류의 글리시딜에테르, p-히드록시벤조산 등의 히드록시카르복실산의 글리시딜에테르에스테르, 벤조산, 프탈산, 테레프탈산 등의 카르복실산의 모노글리시딜에스테르 또는 폴리글리시딜에스테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜톨루이딘, 트리글리시딜-p-아미노페놀, 테트라글리시딜-m-크실릴렌디아민 등의 글리시딜아민형 에폭시 화합물, 나프톨의 글리시딜에스테르, β-히드록시나프토산 등의 글리시딜에테르에스테르 등의 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 페놀, 카테콜, 레조르시놀 등의 페놀류를 노볼락화한 노볼락 화합물을 사용해도 된다.
이들 중에서도, 글리시딜아민형 에폭시 화합물이 바람직하다.
밀봉용 액상 수지 조성물에 포함되는 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물로서는, 25℃에 있어서 30mPa·s 내지 5000mPa·s의 점도를 나타내는 것이 바람직하고, 30mPa·s 내지 1000mPa·s의 점도를 나타내는 것이 보다 바람직하다. (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물의 점도가 이 범위이면, (D) 무기 충전제의 함유율이 77질량％ 이상이어도, 액상 밀봉제에 적합한 조성물을 얻을 수 있다.
본 개시에 있어서, 25℃에 있어서의 점도는, 콘플레이트(직경 48mm, 콘각 1°)를 장착한 회전식 전단 점도계를 사용하여, 10회전/분의 전단 속도로 측정되는 값을 말한다.
보다 구체적으로는, (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물로서, N,N-비스(2,3-에폭시프로필)-4-(2,3-에폭시프로폭시)아닐린 및 N,N-디글리시딜오르토톨루이딘이 바람직하게 예시된다. 이러한 에폭시 화합물을 사용함으로써, 밀봉용 액상 수지 조성물의 경화성이 보다 향상되고, 경화물의 내열성이 보다 향상되는 경향이 있다.
(B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물로서, N,N-비스(2,3-에폭시프로필)-4-(2,3-에폭시프로폭시)아닐린 및 N,N-디글리시딜오르토톨루이딘이 병용되는 경우, N,N-비스(2,3-에폭시프로필)-4-(2,3-에폭시프로폭시)아닐린 및 N,N-디글리시딜오르토톨루이딘의 질량 기준의 함유 비율(N,N-비스(2,3-에폭시프로필)-4-(2,3-에폭시프로폭시)아닐린/N,N-디글리시딜오르토톨루이딘)로서는, 0.5 내지 13.0인 것이 바람직하고, 0.7 내지 8.0인 것이 보다 바람직하고, 1.0 내지 3.5인 것이 더욱 바람직하다.
밀봉용 액상 수지 조성물에 포함되는 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물의 함유율은 특별히 한정되는 것은 아니며, 밀봉용 액상 수지 조성물에 포함되는 에폭시기를 갖는 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 100질량％)에 대하여, 45질량％ 내지 95질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 55질량％ 내지 90질량％이며, 더욱 바람직하게는 65질량％ 내지 85질량％이다. (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물의 함유량을 45질량％ 이상으로 함으로써, 경화성이 향상되는 경향이 있다. 한편, (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물의 함유량을 95질량％ 이하로 함으로써, 반도체 웨이퍼의 휨이 억제되는 경향이 있다.
밀봉용 액상 수지 조성물에 포함되는 (A) 지방족 에폭시 화합물과 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물의 질량 기준의 함유 비율((A) 지방족 에폭시 화합물/(B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물)로서는, 0.05 내지 1.22인 것이 바람직하고, 0.11 내지 0.82인 것이 보다 바람직하고, 0.17 내지 0.54인 것이 더욱 바람직하다.
-(C) 질소 함유 복소환 화합물-
밀봉용 액상 수지 조성물은, (C) 질소 함유 복소환 화합물을 포함한다.
(C) 질소 함유 복소환 화합물로서는, (A) 지방족 에폭시 화합물 및 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물의 중합을 진행시키는 것이면, 공지 내지 관용의 질소 함유 복소환 화합물을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
(C) 질소 함유 복소환 화합물의 구체예로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]에틸-s-트리아진, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸 등의 이미다졸류, 디아자비시클로운데센(DBU), DBU-페놀염, DBU-옥틸산염, DBU-p-톨루엔술폰산염, DBU-포름산염, DBU-오르토프탈산염, DBU-페놀노볼락 수지염, DBU계 테트라페닐보레이트염, 디아자비시클로노넨(DBN), DBN-페놀노볼락 수지염, 디아자비시클로옥탄, 피라졸, 옥사졸, 티아졸, 이미다졸린, 피라진, 모르폴린, 티아진, 인돌, 이소인돌, 벤즈이미다졸, 퓨린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 신놀린, 프테리딘 등을 들 수 있다. (C) 질소 함유 복소환 화합물은, 에폭시 수지 또는 이소시아네이트 수지와 어덕트화 또는 마이크로 캡슐화된 것을 사용할 수 있다. 이들 중, 반응성 및 보존 안정성의 관점에서 2-페닐-4-메틸이미다졸이 바람직하다.
(C) 질소 함유 복소환 화합물의 배합량은, (A) 지방족 에폭시 화합물과 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물과 필요에 따라서 사용되는 기타 에폭시 화합물의 합계 100질량부에 대하여, 2질량부 내지 20질량부인 것이 바람직하고, 3질량부 내지 12질량부인 것이 보다 바람직하다. (C) 질소 함유 복소환 화합물의 배합량이 2질량부 이상이면, 밀봉용 액상 수지 조성물의 경화 시간이 너무 길어지는 일이 없어, 전자 부품 장치의 생산성이 향상되는 경향이 있다. (C) 질소 함유 복소환 화합물의 배합량이 20질량부 이하이면, 밀봉용 액상 수지 조성물의 보존 안정성이 향상되는 경향이 있다.
또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서 액상 산무수물, 액상 페놀, 방향족 아민 등의 경화제를 병용할 수 있다. 이 경우, 밀봉용 액상 수지 조성물 중의 에폭시 화합물 1당량에 대하여, (C) 질소 함유 복소환 화합물 이외의 경화제가 0.1당량 미만인 것이 바람직하다.
-(D) 무기 충전제-
밀봉용 액상 수지 조성물은, (D) 무기 충전제를 포함한다.
(D) 무기 충전제로서는, 공지 내지 관용의 무기 충전제를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
(D) 무기 충전제로서는, 용융 실리카, 결정 실리카 등의 실리카, 탄산칼슘, 클레이, 알루미나, 질화규소, 탄화규소, 질화붕소, 규산칼슘, 티타늄산칼륨, 질화알루미늄, 베릴리아, 지르코니아, 지르콘, 포스테라이트, 스테아타이트, 스피넬, 멀라이트, 티타니아 등의 분체, 이들을 구상화한 비즈, 유리 섬유 등을 들 수 있다. 또한, 난연 효과가 있는 무기 충전제로서는 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 붕산아연, 몰리브덴산아연 등을 들 수 있다. 이들 (D) 무기 충전제는 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 그 중에서도 선팽창 계수 저감의 관점에서는 용융 실리카가, 고열전도성의 관점에서는 알루미나가 바람직하다. (D) 무기 충전제의 형상은, (D) 무기 충전제의 고충전화 및 밀봉용 액상 수지 조성물의 미세 간극으로의 유동성 및 침투성의 관점에서 구상이 바람직하다.
(D) 무기 충전제의 평균 입경은, 특히 구상 실리카의 경우, 1㎛ 내지 20㎛인 것이 바람직하고, 1.5㎛ 내지 15㎛인 것이 보다 바람직하고, 2㎛ 내지 10㎛인 것이 더욱 바람직하다. 여기서 평균 입경은, 레이저 회절법을 사용하여 측정되는 체적 누적 입도 분포가 50％가 되는 입자 직경을 말한다. (D) 무기 충전제의 평균 입경이 1㎛ 이상이면, (D) 무기 충전제를 밀봉용 액상 수지 조성물에 고농도로 분산하는 것이 용이해지는 경향이 있다. (D) 무기 충전제의 평균 입경이 20㎛ 이하이면, (D) 무기 충전제의 조립 성분이 적어지고, 밀봉용 액상 수지 조성물의 미세 간극으로의 충전 부족 또는 인쇄 시의 줄무늬상의 불량이 억제되고, 표면 평활성이 향상되는 경향이 있다.
(D) 무기 충전제의 함유율은, 밀봉용 액상 수지 조성물의 합계량에 대하여, 77질량％ 이상이다. 무기 충전제의 함유율이 77질량％ 이상이면, 반도체 웨이퍼의 휨의 발생이 억제 가능해진다. 그 이유가 명확하지는 않지만, 무기 충전제의 함유율이 77질량％ 이상이면, 밀봉용 액상 수지 조성물의 열팽창 계수가, 반도체 웨이퍼의 휨의 발생을 억제 가능한 정도까지 작아지기 때문이라고 추정된다.
(D) 무기 충전제의 함유율은, 밀봉용 액상 수지 조성물의 합계량에 대하여, 바람직하게는 77질량％ 내지 93질량％의 범위로, 보다 바람직하게는 77질량％ 내지 91질량％의 범위로 설정된다.
-(E) 커플링제-
밀봉용 액상 수지 조성물은, 수지와 무기 충전제 또는 수지와 전자 부품의 구성 부재의 접착성을 견고하게 하기 위해서, 필요에 따라서 (E) 커플링제를 포함해도 된다. (E) 커플링제로서는, 공지 내지 관용의 (E) 커플링제를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
(E) 커플링제로서는, 1급 아미노기, ２급 아미노기 및 3급 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 갖는 실란 화합물, 에폭시실란, 머캅토실란, 알킬실란, 우레이도실란, 비닐실란 등의 각종 실란계 화합물, 티타늄계 화합물, 알루미늄 킬레이트류, 알루미늄/지르코늄계 화합물 등을 들 수 있다.
(E) 커플링제를 예시하면, 비닐트리클로로실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, γ-아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필메틸디메톡시실란, N-(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민, N-(디메톡시메틸실릴이소프로필)에틸렌디아민, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실란, 비닐트리메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란 등의 실란계 커플링제, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미노에틸-아미노에틸)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트 등의 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 (E) 커플링제는 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
밀봉용 액상 수지 조성물이 (E) 커플링제를 포함하는 경우, (E) 커플링제의 함유율은, (D) 무기 충전제 및 (E) 커플링제의 합계량에 대하여, 0.1질량％ 내지 2.0질량％인 것이 바람직하고, 0.2질량％ 내지 1.5질량％인 것이 보다 바람직하다. (E) 커플링제의 함유율이 0.1질량％ 이상이면, (E) 커플링제에 의한 (D) 무기 충전제의 분산성을 향상시키는 효과가 얻어지기 쉬운 경향이 있다. (E) 커플링제의 함유율이 2.0질량％ 이하이면, 밀봉용 액상 수지 조성물의 경화물 중에 보이드가 발생하기 어려운 경향이 있다.
-(F) 유기 용제-
밀봉용 액상 수지 조성물은, 필요에 따라서 (F) 유기 용제를 포함해도 된다. (F) 유기 용제로서는, 공지 내지 관용의 (F) 유기 용제를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.
밀봉용 액상 수지 조성물이 (F) 유기 용제를 포함하는 경우, (F) 유기 용제의 함유율은, (A) 성분 내지 (F) 성분의 합계량에 대하여, 5질량％ 미만인 것이 바람직하다. (F) 유기 용제의 함유율이 5질량％ 미만이면, 경화 후에 있어서의 막 감소의 발생이 억제되는 경향이 있다.
-기타 성분-
밀봉용 액상 수지 조성물은 필요에 따라서, (A) 성분 내지 (F) 성분 이외의 기타 성분을 포함해도 된다.
밀봉용 액상 수지 조성물에는, (A) 지방족 에폭시 화합물 및 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물 이외의 기타 에폭시 화합물을 포함해도 된다. 기타 에폭시 화합물로서는, (A) 지방족 에폭시 화합물 및 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물 이외의 공지 내지 관용의 에폭시 화합물을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 밀봉용 액상 수지 조성물이 기타 에폭시 화합물을 포함하는 경우, 기타 에폭시 화합물의 함유율은, 밀봉용 액상 수지 조성물에 포함되는 에폭시기를 갖는 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 100질량％)에 대하여, 0질량％ 초과 40질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0질량％ 초과 30질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0질량％ 초과 20질량％ 이하이다.
IC 등의 반도체 소자의 내마이그레이션성, 내습성 및 고온 방치 특성을 향상시키는 관점에서는, 밀봉용 액상 수지 조성물은, 기타 성분으로서 이온 트랩제를 포함하는 것이 바람직하다. 이온 트랩제로서는 특별히 제한은 없고, 공지 내지 관용의 것을 사용할 수 있다. 이온 트랩제로서는, 히드로탈사이트류, 마그네슘, 알루미늄, 티타늄, 지르코늄, 비스무트 등의 원소의 함수 산화물 등을 들 수 있다. 이들 이온 트랩제는 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 구체적으로는 DHT-4A(교와 가가꾸 고교 가부시키가이샤, 상품명), IXE500(도아 고세 가부시키가이샤, 상품명) 등을 들 수 있다. 밀봉용 액상 수지 조성물에 대한 이온 트랩제의 함유율은, 할로겐 이온 등의 음이온 및 나트륨 등의 양이온을 포착할 수 있는 충분량이면 특별히 제한은 없고, 에폭시 화합물 전체량에 대하여 1질량％ 내지 10질량％인 것이 바람직하다.
밀봉용 액상 수지 조성물은, 기타 성분으로서, 경화 촉진제; 염료, 안료, 카본 블랙 등의 착색제; 실리콘 오일; 계면 활성제; 산화 방지제; 인산에스테르; 멜라민, 멜라민 유도체, 트리아진환을 갖는 화합물, 시아누르산 유도체, 이소시아누르산 유도체 등의 질소 함유 화합물; 시클로포스파젠 등의 인질소 함유 화합물; 산화아연, 산화철, 산화몰리브덴, 페로센 등의 금속 화합물; 삼산화안티몬, 사산화안티몬, 오산화안티몬 등의 산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등의 종래 공지된 난연제 등을 필요에 따라서 포함하는 것이 바람직하다.
밀봉용 액상 수지 조성물은, 상기 각종 성분을 균일하게 분산하여 혼합할 수 있는 것이면, 어떠한 방법을 사용하여 조제해도 된다. 밀봉용 액상 수지 조성물을 조제하기 위한 일반적인 방법으로서는, 소정의 배합량의 성분을 칭량하고, 3축 롤, 뇌궤기, 플라네터리 믹서, 하드 믹서, 호모 믹서 등에 의해 분산하여 혼련을 행하는 방법을 들 수 있다. 또한, 각 배합 성분을 예비 분산 및 예비 가열시킨 마스터배치를 사용하는 방법이, 균일 분산성 및 유동성의 점에서 바람직하다.
본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물의 경화 조건은 특별히 한정되지 않는다. 열처리의 온도로서는, 120℃ 내지 200℃인 것이 바람직하고, 130℃ 내지 180℃인 것이 보다 바람직하고, 140℃ 내지 170℃인 것이 더욱 바람직하다. 열처리 시간으로서는, 15분 내지 3시간인 것이 바람직하고, 30분 내지 2시간인 것이 보다 바람직하다.
본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물의 경화물에 관한 DMA법에 의해 측정되는 유리 전이 온도는, 125℃ 이상인 것이 바람직하고, 150℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.
본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물의 경화물에 관한 DMA법에 의해 측정되는 유리 전이 온도 미만의 온도에서의 탄성률은, 20GPa 이하인 것이 바람직하고, 16GPa 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물의 경화물에 관한 유리 전이 온도 미만의 온도에서의 선팽창 계수는, 15ppm/℃ 이하인 것이 바람직하고, 12ppm/℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물의 25℃에 있어서의 점도는, 1000Pa·s 미만인 것이 바람직하고, 800Pa·s 이하인 것이 보다 바람직하고, 500Pa·s 이하인 것이 더욱 바람직하다.
<전자 부품 장치>
본 개시의 전자 부품 장치는, 본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물에 의해 밀봉된 소자를 구비한 것이다.
전자 부품 장치로서는, 리드 프레임, 배선 완료된 테이프 캐리어, 배선판, 유리, 실리콘 웨이퍼 등의 지지 부재에, 반도체 칩, 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 등의 능동 소자, 콘덴서, 저항체, 저항 어레이, 코일, 스위치 등의 수동 소자 등의 전자 부품을 탑재하고, 필요한 부분을 본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물로 밀봉하여 얻어지는 전자 부품 장치를 들 수 있다.
그 중에서도, 본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물은 저휨성 및 고신뢰성이 요구되는 전자 부품 장치에 유효하고, 특히 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지에 적합하다. 본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물을 사용하여 소자를 밀봉하는 방법으로서는, 디스펜스 방식, 주형 방식, 인쇄 방식 등을 들 수 있고, 특히 인쇄 방식이 적합하다.
실시예
본 발명에 대하여 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시예에 있어서, 부 및 ％는 언급이 없는 한, 질량부 및 질량％를 나타낸다.
(실시예 1, 2 및 비교예 1)
표 1에 나타내는 각 재료를, 플라네터리 믹서를 사용하여 2시간 혼합하고, 또한 하드 믹서를 사용하여 진공도가 80Pa 내지 90Pa이며 1시간 교반 탈포하여 밀봉용 액상 수지 조성물을 제조하였다. 표 1에 있어서 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분은 각각, (A) 지방족 에폭시 화합물, (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물, (C) 질소 함유 복소환 화합물 및 (D) 무기 충전제를 의미한다. 또한, 표 1에 기재된 각 성분의 조성 단위는 질량부이다.
제조한 밀봉용 액상 수지 조성물을, 다음 각 시험에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 정리하여 나타낸다.
(점도 및 요변 지수)
Brookfield사의 HB형 점도계를 사용하여, 제조한 밀봉용 액상 수지 조성물에 대하여 25℃, 10회전/분의 조건에서 점도를 측정하였다. 25℃에 있어서의 점도가 1000Pa·s 미만이면, 통상의 컴프레션 몰드 장치를 사용하여 높은 생산성을 얻을 수 있다. 또한, 밀봉용 액상 수지 조성물을 25℃, 1회전/분의 조건에서 측정한 점도의 측정값을 25℃, 10회전/분의 조건에서 측정한 점도의 측정값으로 나눈 값을 요변 지수로 하였다.
(선팽창 계수)
밀봉용 액상 수지 조성물을 150℃, 60분간 가열 경화시킨 경화물에 대하여 브루커 ASX사의 TMA4000SA 시리즈를 사용하여 TMA(Thermomechanical Analysis, 열 기계 분석)법에 의해, 50℃ 내지 70℃와 180℃ 내지 200℃에 있어서 각각 선팽창 계수를 측정하였다. Tg 미만의 온도에서의 선팽창 계수가 12ppm/℃ 이하이면, 반도체 웨이퍼의 휨을 충분히 작게 할 수 있다.
(유리 전이 온도(Tg) 및 탄성률)
밀봉용 액상 수지 조성물을 150℃, 60분간 가열 경화시킨 경화물에 대하여 SII사의 DMS6100을 사용하여 DMA(Dynamic Mechanical Analysis, 동적 점탄성 측정)법에 의해 유리 전이 온도 및 탄성률을 측정하였다. 유리 전이 온도가 140℃ 이상이면, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 얻을 수 있다. 또한, Tg 미만의 온도에서의 탄성률이 20GPa 이하이면, 휨의 작은 반도체 웨이퍼를 얻는 데 적합하다.
(휨)
직경 300mm, 두께 300㎛의 실리콘 웨이퍼에, 금형을 사용하여, 직경 292mm, 두께 300㎛의 밀봉용 액상 수지 조성물층을 형성하고, 150℃에서 60분간 가열 경화시켜 시료로 하였다. 경화 후, 정규를 사용하여, 실리콘 웨이퍼 중심부와 단부의 고저차를 휨으로서 측정하였다.
Figure pct00003
표 1에 있어서, (1) 내지 (12)의 각 재료의 상세한 것은, 이하와 같다. 또한, 표 1에 있어서 「-」는, 해당하는 재료를 사용하지 않은 것을 의미한다.
(1) 욧카이치 고세이 가부시키가이샤, 폴리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르(품명: 에포고세 PT(일반 그레이드), 에폭시 당량 440g/eq, 평균 분자량 880)
(2) 미쓰비시 케미컬 가부시키가이샤, 아미노페놀형 에폭시 화합물(품명: jER 630, 에폭시 당량 95g/eq, 평균 분자량 285, 25℃의 점도: 700mPa·s, 화합물명: N,N-비스(2,3-에폭시프로필)-4-(2,3-에폭시프로폭시)아닐린)
(3) 가부시키가이샤 ADEKA, 톨루이딘형 에폭시 화합물(품명: EP3980S, 에폭시 당량 135g/eq, 평균 분자량 270, 25℃의 점도: 50mPa·s, 화합물명: N,N-디글리시딜오르토톨루이딘)
(4) DIC 가부시키가이샤, 나프탈렌형 에폭시 화합물(품명: HP4032D, 에폭시 당량 140g/eq, 평균 분자량 280)
(5) 시코쿠 가세이 가부시키가이샤, 이미다졸 화합물(품명: 큐어졸 2P4MZ)
(6) 히따찌 가세이 가부시키가이샤, 메틸헥사히드로프탈산무수물(품명: HN2200)
(7) 신닛테츠 스미킨 머티리얼 가부시키가이샤, 구상 실리카(품명: STW7010-20, 평균 입경 10㎛)
(8) 가부시키가이샤 애드마텍스, 구상 실리카(품명: SE2300, 평균 입경 0.6㎛)
(9) 가부시키가이샤 애드마텍스, 구상 실리카(품명: 2umSM-E4, 평균 입경 2㎛)
(10) 신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤, 실란 커플링제(품명: KBM403, 화합물명: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란)
(11) 오리온 엔지니어드 카본즈 가부시키가이샤, 카본 블랙(품명: Special Black 4)
(12) 도레이·다우코닝 가부시키가이샤, 실리콘 오일(품명: SF8421)
또한, 실시예 2 및 비교예 1에 포함되는 전체 실리카 필러의 평균 입경은, 8㎛였다.
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 및 2에서는 점도, 유리 전이 온도, 선팽창 계수 및 탄성률이 실용적인 범위이면서 실리콘 웨이퍼의 휨이 0mm였다. 이에 비해, 종래의 산무수물 경화제를 사용한 비교예 1에서는, 휨이 8mm로 컸다.
상기한 바와 같이, 본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물을 사용함으로써, 한층 더 얇은 실리콘 웨이퍼 또는 12인치 사이즈 혹은 그보다도 대형의 실리콘 웨이퍼에 대해서도 다수의 소자를 일괄하여 밀봉할 수 있다. 나아가, SiC(실리콘 카바이드) 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, GaAs(비소화갈륨) 웨이퍼 등의 화합물 반도체 웨이퍼 등에 본 개시의 밀봉용 액상 수지 조성물을 적용한 경우에도, 반도체 웨이퍼의 휨의 발생을 억제할 수 있다고 생각된다.
2017년 5월 31일에 출원된 일본 특허 출원 제2017-108715호의 개시는, 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 도입된다.
또한, 본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허 출원 및 기술 규격은, 개개의 문헌, 특허 출원 및 기술 규격이 참조에 의해 도입되는 것이 구체적이며 개별적으로 기재된 경우와 동일한 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 도입된다.

Claims (6)

  1. (A) 지방족 에폭시 화합물, (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물, (C) 질소 함유 복소환 화합물 및 (D) 무기 충전제를 포함하고, 상기 (D) 무기 충전제의 함유율이 77질량％ 이상인 밀봉용 액상 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (A) 지방족 에폭시 화합물이, 하기 일반식 (I)로 표시되는 화합물을 포함하는 밀봉용 액상 수지 조성물.
    Figure pct00004

    [식 중, n은 1 내지 15의 정수이다.]
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (A) 지방족 에폭시 화합물의 수 평균 분자량이 200 내지 10000인 밀봉용 액상 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 분자 중에 방향환을 갖는 에폭시 화합물이, N,N-디글리시딜오르토톨루이딘 및 N,N-비스(2,3-에폭시프로필)-4-(2,3-에폭시프로폭시)아닐린 중 적어도 한쪽을 포함하는 밀봉용 액상 수지 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, (E) 커플링제를 포함하는 밀봉용 액상 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 밀봉용 액상 수지 조성물에 의해 밀봉된 소자를 구비한 전자 부품 장치.
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