KR20190124867A - 반도체 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 배치되며 상기 투명 전극층과 사이에 복수의 에어갭을 가지는 반사 전극 구조체를 포함하며, 상기 반사 전극 구조체는, 상기 투명 전극층 상에 배치되며 각각 상기 에어갭을 형성하되 상기 에어갭의 일부 측면들이 오픈되도록 구성된 복수의 절연 패턴을 가지는 투광성 절연층 - 상기 복수의 절연 패턴 사이의 영역에 의해 상기 투명 전극층의 콘택 영역이 정의됨 - 과, 상기 복수의 절연 패턴 상에 배치되어 상기 에어갭의 오픈된 일부 측면들을 덮으며 상기 투명 전극층의 콘택 영역에 접속되는 반사 전극층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.

Description

반도체 발광소자{Semiconductor light emitting device}
본 발명의 기술적 사상은 반도체 발광소자에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 종래의 광원에 비해 긴 수명, 낮은 소비전력, 빠른 응답 속도, 환경 친화성 등의 장점을 갖는 차세대 광원으로 알려져 있으며, 조명 장치, 디스플레이 장치의 백라이트 등 다양한 제품에서 중요한 광원으로 주목받고 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하려는 과제는, 반사 구조체의 반사율을 높임으로써 광속을 개선한 반도체 발광소자를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 배치되며 상기 투명 전극층과 사이에 복수의 에어갭(airgap)을 갖는 반사 전극 구조체를 포함하며, 상기 반사 전극 구조체는, 상기 투명 전극층 상에 배치되며 각각 상기 에어갭을 형성하되 상기 에어갭의 일부 측면들이 오픈되도록 구성된 복수의 절연 패턴을 갖는 투광성 절연층 - 상기 복수의 절연 패턴 사이의 영역에 의해 상기 투명 전극층의 콘택 영역이 정의됨 - 과, 상기 복수의 절연 패턴 상에 배치되어 상기 에어갭의 오픈된 일부 측면들을 덮으며 상기 투명 전극층의 콘택 영역에 접속되는 반사 전극층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층과 사이에 에어갭이 형성되도록 상기 투명 전극층 상에 배치되는 복수의 절연 패턴을 포함하는 투광성 절연층 - 상기 복수의 절연 패턴 사이의 영역에 의해 상기 투명 전극층의 콘택 영역이 정의됨 - 과, 상기 복수의 절연 패턴을 덮도록 상기 투명 전극층 상에 배치되며 상기 투명 전극층의 콘택 영역에 접속되는 반사 전극층과, 상기 반사 전극층 상에 배치되며 상기 반사 전극층에 연결되는 적어도 하나의 개구를 갖는 제1 절연층과, 상기 제1 절연층 상에 배치되며 상기 적어도 하나의 개구를 통하여 상기 반사 전극층에 접속되는 연결 전극을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 순차적으로 배치되며 상기 투명 전극층에 연결되는 복수의 개구를 갖는 베이스 절연층 및 투광성 절연층과, 상기 투광성 절연층 상에 배치되며 상기 복수의 개구를 통해 상기 투명 전극층에 접속되는 반사 전극층을 포함하며, 상기 투광성 절연층은 상기 복수의 개구로부터 상기 베이스 절연층보다 더 멀리 이격되고, 이로써 상기 투광성 절연층과 상기 투명 전극층 사이에 에어갭이 제공되는 반도체 발광소자를 제공한다.
전향성 반사기(Omni Directional Reflector, ODR)인 반사 구조체에 저굴절률 요소인 에어갭(airgap)을 도입하여 반사율을 향상시킬 수 있다. 일 실시예에서, 에어갭을 위한 희생층의 일부 측면을 개방시켜 대부분의 희생층을 제거함으로써 반사 구조체의 에어갭을 확장시킬 수 있다. 그 결과, 최종적인 반도체 발광소자의 광추출효율을 크게 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
도 2는 도 1의 'A'로 표시된 부분에 해당하는 영역의 상부 평면도이다.
도 3는 도 2의 'B'로 표시된 부분에 해당하는 영역의 개략 사시도이다.
도 4는 도 2의 I-I'선을 따라 절개하여 본 측단면도이다.
도 5는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절개하여 본 측단면도이다.
도 6은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절개하여 본 측단면도이다.
도 7은 반사 전극 구조체의 구조에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 실시예에 따른 반사 전극 구조체에서 에어갭 및 투광성 절연층의 두께 변화에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 9, 도 11, 도 13, 도 15 및 도 16은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 측단면도들이다.
도 10, 도 12 및 도 14는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 상부 평면도들이다.
도 17 및 도 18은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이다.
도 19은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 패키지에 적용한 일 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
도 1를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)는, 기판(101), 발광 구조물(110), 투명 전극층(120) 및 반사 전극 구조체(RS)를 포함한다. 본 실시예에 채용된 반사 전극 구조체(RS)는 에어갭(130A), 투광성 절연층(140) 및 반사 전극(150)을 포함할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)는, 제1 절연층(161), 제1 연결 전극(170n), 제2 연결 전극(170p), 제2 절연층(162), 제1 전극 패드(180n) 및 제2 전극 패드(180p)를 더 포함할 수 있다.
상기 기판(101)은 제1 면(101A) 및 상기 제1 면(101A)에 대향하는 제2면(101B)을 가질 수 있다. 상기 기판(101)은 반도체 성장용 기판일 수 있으며, 사파이어, Si, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN 등과 같이 절연성, 도전성, 반도체 물질을 이용할 수 있다. 상기 사파이어는 전기적으로 절연성을 가지며 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체일 수 있으며, 질화물 반도체 성장용 기판으로 이용될 수 있다.
명세서 전체에 걸쳐서, "제1 면" 및 "제2 면" 등의 용어는 구성요소에 있어 상대적인 위치를 구별하기 위해 사용되는 것으로써, 이들 용어들에 의하여 본 발명의 기술적 사상이 한정되는 것이 아니다. 따라서, 이들 "제1 면" 및 "제2 면"과 같은 용어는 다른 용어, 예를 들어 "상면" 및 "하면" 등과 같은 용어로 대체되어 명세서의 구성요소들을 설명하기 위하여 사용될 수도 있다.
상기 발광 구조물(110)은 상기 기판(101)의 상기 제1 면(101A) 상에 배치될 수 있다.
일 예에서, 상기 기판(101)의 제1 면(101A)에는 요철 구조(P)가 형성될 수 있으며, 이러한 요철 구조(P)는 상기 발광 구조물(110)을 구성하는 반도체 층들의 결정성과 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 본 실시예에서는 상기 기판(101)의 상기 제1 면(101A)의 요철 구조는 돔 형상의 볼록한 형태를 가지는 것으로 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 요철 구조(P)는 사각형, 삼각형 등의 다양한 형태로 형성될 수 있다.
특정 예에서, 상기 기판(101)은 실시 형태에 따라서 추후 제거될 수도 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(110)을 성장시키기 위한 성장용 기판으로 제공된 후 분리 공정을 거쳐 제거될 수 있다. 상기 기판(101)의 분리는 레이저 리프트 오프(LLO), 케미컬 리프트 오프(CLO) 등의 방식을 통해 상기 발광 구조물(110)과 분리될 수 있다.
상기 기판(101)의 제1 면(101A)에는 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(101) 상에 성장되는 반도체층의 격자 결함 완화를 위한 것으로, 질화물 등으로 이루어진 언도프 반도체층으로 이루어질 수 있다. 상기 버퍼층은 언도프 GaN, AlN, InGaN 등이 적용될 수 있으며, 500℃ 내지 600℃의 저온에서 수십 내지 수백 Å의 두께로 성장시켜 형성할 수 있다. 여기서, 언도프라 함은 반도체층에 불순물 도핑 공정을 따로 거치지 않은 것을 의미한다. 다만, 이러한 버퍼층은 필수적인 요소는 아니며 실시 형태에 따라 생략될 수도 있다.
본 실시예에 채용된 발광 구조물(110)은 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(115) 및 제2 도전형 반도체층(117)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 n형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있으며, n형 질화물 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(117)은 p형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있으며, p형 질화물 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들(112, 117)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1임)을 만족하는 질화물 반도체일 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들(112, 117)은 위치가 바뀔 수도 있다.
상기 활성층(115)은 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들(112, 117) 사이에 개재될 수 있다. 상기 활성층(115)은 상기 반도체 발광소자(100)의 동작 시에 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 도전형 반도체층들(112, 117)이 질화물 반도체인 경우, 상기 활성층(115)은 GaN의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 InGaN계 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 활성층(115)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(Multiple QuantumWells, MQW) 구조, 예를 들어 InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니므로 상기 활성층(115)은 단일 양자우물 구조(Single QuantumWell, SQW)가 사용될 수도 있다.
상기 발광 구조물(110)은, 상기 제2 도전형 반도체층(117), 상기 활성층(115) 및 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 일부가 식각된 리세스된 영역(ME)과, 상기 리세스 영역(ME) 주위의 메사 영역(MS)을 포함할 수 있다. 상기 메사 영역(MS)은 하부에서 상부로 갈수록 점점 좁아질 수 있다. 따라서, 상기 메사 영역(MS)은 경사진 측면을 가질 수 있다.
상기 리세스 영역(ME)의 상면의 일부는 제1 콘택 영역(CT1)으로 정의될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 리세스 영역(ME)는 제1 콘택 영역(CT1)을 제공하는 제1 리세스 영역(ME1)과 반도체 발광소자(100)의 외곽을 따라 위치한 제2 리세스 영역(ME2)을 구분될 수 있다.
도1에 도시된 바와 같이, 상기 메사 영역(MS)의 상면, 즉 상기 발광 구조물(110)의 제2 도전형 반도체층(117) 상면에는 상기 투명 전극층(120)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 전극층(120)은 ITO(Indium Tin Oxide), ZITO(Zinc-doped Indium Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide), GIO(Gallium Indium Oxide), ZTO(Zinc TinOxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide), GZO(Gallium-doped Zinc Oxide), In4Sn3O12 및 Zn(1-x)MgxO(Zinc Magnesium Oxide, 0≤x≤1)로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투명 전극층(120)의 두께는 이에 한정되지 않으나, 1∼5㎚ 범위일 수 있다.
상기 투명 전극층(120) 상에는 반사 전극 구조체(RS)가 배치된다. 본 실시예에 채용된 반사 전극 구조체(RS)는, 상기 투명 전극층(120) 상에 배치된 투광성 절연층(140)과, 상기 투광성 절연층(140) 상에 배치되며 상기 투명 전극층(120)의 콘택 영역에 접속되는 반사 전극층(150)을 포함하며, 상기 투명 전극층(120)과 사이에 복수의 에어갭(130A)을 갖도록 구성될 수 있다.
본 실시예에 채용된 반사 전극 구조체(RS)는 에어갭(130A)과 투광성 절연층(140)을 갖는 저굴절률 영역과 그 위에 배치된 반사 전극층(150)으로 구성된 전향성 반사기(Omni Directional Reflector, ODR)로 작용할 수 있다. 특히, 저굴절률 영역은 굴절률이 약 1인 에어갭(130A)과, 낮은 굴절률(예, SiO2의 굴절률보다 낮은 굴절률)을 갖는 투광성 절연층(140)로 구성될 수 있다. 이러한 구조에서, 저굴절률 영역의 굴절률에 따라 전반사(TIR) 특성이 결정되며, GaN의 굴절률인 2.4보다 낮은 굴절률을 가질수록 임계각이 줄어들어 전반사 특성이 향상될 수 있다.
이와 같이, 반사 전극 구조체(RS)에 의한 반사율을 극대화시킴으로써, 활성층(115)으로부터 방출되는 광의 추출 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 투광성 절연층(140)은, NaF, Na3AlF6, LiF, MgF2, CaF2 및 BaF2로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 전극층(150)은 Ag, Cr, Ni, Ti, Al, Rh, Ru, Pd, Au, Cu 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특정 예에서, 상기 투광성 절연층(140)은, MgF2를 포함하며,상기 반사 전극층(150)은 Ag를 포함할 수 있다.
본 실시예에 채용된 투광성 절연층(140)은 상기 에어갭(130A)을 형성하도록 구성된 복수의 절연 패턴(140P)을 갖는다. 복수의 절연 패턴(140P)은 각각 상기 에어갭(130A)을 형성하되 상기 에어갭(130A)의 일부 측면들이 오픈되도록 구성될 수 있다. 상기 반사 전극층(150)은 상기 에어갭(130A)의 오픈된 일부 측면들을 덮을 수 있다. 에어갭(130A)를 갖는 반사 전극 구조체(RS)는 도 3 내지 도 6을 참조하여 후술하기로 한다.
상기 복수의 절연 패턴(140P) 사이에는 상기 투명 전극층(120)의 일부 영역이 노출될 수 있으며, 상기 투명 전극층(120)의 노출 영역은 콘택 영역(CL)으로 제공된다. 상기 반사 전극층(150)은 상기 투명 전극층(120)의 콘택 영역(CL)에 전기적으로 접속될 수 있다.
본 실시예에 채용되는 절연 패턴(140P)은 사각형상인 평면을 가질 수 있다. 절연 패턴(140P)이 사각형상으로 구성될 경우에 에어갭(130A)을 구비한 반사 구조체(RS)의 상세한 구조는 도2 내지 도6을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 도 1의 'A'로 표시된 부분에 해당하는 영역의 상부 평면도로서, 반사 전극층(150) 상에 위치한 구성 요소들을 제거된 평면을 나타내며, 도 3는 도 2의 'B'로 표시된 부분에 해당하는 영역의 개략 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 반사 전극층(150)은 사각형상인 절연 패턴(140P)에 대응하여 실질적으로 사각형상 구조로 볼록하게 돌출된 형태를 갖는다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 투명 전극층(120)의 콘택 영역(CL)은 복수의 절연 패턴(140P) 사이의 영역으로 정의될 수 있다.
본 실시예와 같이, 복수의 절연 패턴(140P)은 실질적으로 동일한 사각형상을 갖도록 행과 열을 따라 배열되므로, 상기 투명 전극층(120)의 제1 및 제2 콘택 영역(CL1,CL2)은 적어도 2개의 절연 패턴을 따라 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 또한, 본 실시예에 채용된 콘택 영역(CL)은 행방향으로 연장된 복수의 제1 콘택 영역(CL1)과, 열방향으로 연장된 복수의 제2 콘택 영역(CL2)을 포함하며, 제1 및 제2 콘택 영역(CL1,CL2)은 서로 교차하도록 형성될 수 있다.
도 4는 도 2의 I-I'선을 따라 절개하여 본 측단면도이며, 도 5는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절개하여 본 측단면도이고, 도 6은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절개하여 본 측단면도이다.
우선, 도 3 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 채용된 절연 패턴(140P)은 투명 전극층(120) 상에 형성되어 에어갭(130A)을 정의하지만, 에어갭(130A)의 일부 측면들은 오픈되도록 구성된다. 이러한 오픈된 측면들은 에어갭(130A)을 위한 희생층을 제거하는 경로로 사용될 수 있다(도 15 참조).
절연 패턴(140P)에 의해 덮이지 않은 에어갭(130A)의 오픈된 측면들은 일 방향을 따라 서로 마주하도록 위치할 수 있다. 이러한 배열에서는 희생층 제거 과정이 원활하게 수행될 수 있다. 절연 패턴(140P)에 의해 덮이지 않은 에어갭(130A)의 측면들은 반사 전극층(150)에 의해 덮일 수 있다.
본 실시예와 같이, 사각형상인 절연 패턴(140P)을 채용한 경우에, 에어갭(130A)의 마주하는 두 측면들은 절연 패턴(140P)이 아니라, 반사 전극층(150)에 의해 정의될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 에어갭(130A)의 두 측면들은 절연 패턴(140P)에 의해 덮이지 않고, 절연 패턴(140P) 상에 형성되는 반사 전극층(150)에 의해 덮일 수 있다.
한편, 도 3 및 도 4를 참조하면, 에어갭(130A)의 다른 측면들은 절연 패턴(140P)이 연장된 부분(140S)에 의해 덮일 수 있으며, 이러한 연장된 부분(140S)은 에어갭(130A)을 제공하는 절연 패턴(140P)의 지지부 역할을 할 수 있다. 상기 에어갭(130A)의 상기 다른 측면들은 오픈된 일부 측면들의 배열 방향과 다른 방향을 따라 위치할 수 있다. 이와 같이, 상기 에어갭(130A)의 상기 다른 측면들에 제공되는 절연 패턴(140P)의 지지부가 서로 마주하게 위치하므로 에어갭(130A)을 더욱 안정적으로 유지할 수 있다.
본 실시예와 같이, 사각형상인 절연 패턴(140P)을 채용한 경우에, 에어갭(130A)의 마주하는 다른 두 측면들은 절연 패턴(140P)에 의해 정의될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 에어갭(130A)의 다른 두 측면들은 절연 패턴(140P)에 의해 덮일 수 있다.
도 3 내지 도 5을 참조하면, 반사 전극층(150)은 절연 패턴(140P) 상에 형성되며, 투명 전극층(120)의 제1 콘택 영역(CL1) 및 제2 콘택 영역(CL2)과 접속될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 반사 전극층(150)은 투명 전극층(120)과 투광성 절연층(140)의 실질적으로 전체 영역을 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 반사 전극층(150)은 앞서 설명한 바와 같이, 절연 패턴(140P)에 의해 정의되지 않은 에어갭(130A)의 두 측면을 정의함으로써 최종 에어갭(130A)의 형상을 완성할 수 있다.
다른 측면에서 사각형상인 절연 패턴(140P)에 의해 구현되는 에어갭(130A)은 4개의 측면을 갖는 각뿔대(prismoid)와 같은 실질적으로 육면체 구조로 설명될 수 있다. 상기 육면체 구조인 에어갭(130A)의 상면 및 마주하는 두 측면은 상기 투광성 절연층(140)(즉, 절연 패턴)에 의해 덮여지며, 마주하는 다른 두 측면은 상기 반사 전극층(150)에 덮여질 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 투명 전극층(120)의 제2 콘택 영역(CL2)은 사각형인 절연 패턴(140P) 사이의 영역을 따라 연장되는 라인 형상을 가지며, 반사 전극층(150)이 라인형상인 제2 콘택 영역(CL2)에 따라 접속될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 콘택은 도트형상(예, 원형)의 콘택 영역보다 충분히 넓은 면적을 접속되어 원활한 전류 주입을 보장할 수 있다. 제1 콘택 영역(CL1)도 라인 형상을 가지므로 제2 콘택 영역(CL2)과 유사한 콘택 구조를 보장할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 절연층(161)은 상기 반사 전극층(150)과 발광 구조물(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(161)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 제1 콘택 영역(CT1)을 노출시키는 제1 개구(OPa) 및 상기 반사 전극층(150)의 제2 콘택 영역(CT2)을 노출시키는 제2 개구(OPb)를 구비할 수 있다. 상기 제1 개구(OPa)는 상기 제1 리세스 영역(ME1)에 위치하고, 상기 제2 개구(OPb)는 상기 메사 영역(M)에 위치할 수 있다.
상기 제1 연결 전극(170n)은 상기 제1 절연층(161) 상에 배치되며 상기 제1 개구(OPa)를 통해 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 상기 제1 콘택 영역(CT1) 상으로 연장되어 상기 제1 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 전극(170n)은 상기 제1 도전형 반도체층(112)의 상기 제1 콘택 영역(CT1)과 접속될 수 있다.
상기 제2 연결 전극(170p)은 상기 제1 절연층(161) 상에 배치되며 상기 제2 개구(OPb)를 통해 상기 반사 전극층(150)의 상기 제2 콘택 영역(CT2) 상으로 연장되어 상기 반사 전극층(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제2 연결 전극(170p)은 상기 반사 전극층(150)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(117)과 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 제1 연결 전극(170n) 및 제2 연결 전극(170p)은 Al, Au,W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti, Cr 등의 물질 및 그 합금 중 하나 이상을 포함한 물질을 포함할 수 있다. 제1 연결 전극(170n) 및 제2 연결 전극(170p)은 동일한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 제1 절연층(161) 상에 제1 연결 전극(170n)의 일부 영역과 제2 연결 전극(170p)의 일부 영역이 오픈되도록 제2 절연층(162)이 배치될 수 있다. 상기 제1 연결 전극(170n)의 일부 영역 상에 제1 전극 패드(180n)가 배치되며, 상기 제2 연결 전극(170p)의 일부 영역 상에 제2 전극 패드(180p)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극 패드들(180n,180p)은 UBM(under bumpmetallurgy)일 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 및 제2 전극 패드들(180n,180p)의 개수와 배치 구조는 다양하게 변형될 수 있다.
추가적으로, 상기 제1 및 제2 전극 패드(180n,180p) 상에 각각 제1 및 제2 도전성 범프를 배치할 수 있다. 예를 들어, 도전성 범프는 Sn 또는 Au-Sn과 같은 금속 또는 합금을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 채용된 반사 전극 구조체(RS)는 ODR 구조로서, 이중층 구조의 저굴절률 영역과 반사 전극층을 포함한다. 여기서, 이중층 구조는 에어갭(130A)과 투광성 절연층(140)으로 구성되며, 특히 에어갭(130A)은 굴절률이 1이므로 전반사 특성이 극대화하여 반사율을 높일 수 있다. 또한, 지지 구조인 투광성 절연층(140)도 SiO2보다 낮은 굴절률을 갖는 유전체를 포함하여 전체적으로 반사율을 향상시킬 수 있다. 구체적인 반사율 개선 효과에 대해서 도 7 및 도 8을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
반사 전극 구조체의 구성을 표1과 같이 달리 구성하여 반사율을 측정하였다. 아래의 반사 전극 구조체 샘플들은 p형 GaN층과 ITO인 투명 전극층 상에 배치된 것으로 이해할 수 있으며, 각 샘플에서의 동일한 층들은 서로 동일한 두께로 구현하였다(예, 실시예의 MgF2의 두께와 비교예3의 MgF2 두께는 서로 동일함).
구분 실시예 비교예1 비교예2 비교예3
구조 Air/MgF2/Ag Ag SiO2/Ag SiO2/MgF2/Ag
반사율(%) 97.1 95.4 96.5 96.7
도 7은 반사 전극 구조체의 구조에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 7을 참조하면, 비교예1의 경우에는 Ag층은 ITO에 의한 광흡수로 인해 Ag 자체의 반사율(95.9%)보다 낮게 나타났으며, ODR 구조를 취한 비교예1 및 2의 경우에는 각각 96.5%, 96.7%로 다소 개선되었으며, 본 실시예에 따른 반사 구조체에서는 가장 높은 97.1%의 반사율을 나타냈다. 앞서 설명한 바와 같이, 에어갭(130A)은 가장 낮은 굴절률(n=1)을 가지므로, 전반사 특성이 극대화하여 실질적인 반사율을 높인 결과로 이해할 수 있다.
앞선 실시예에 따른 반사 전극 구조체(Air/MgF2/Ag)에서, 에어갭과 투광성 절연층(MgF2)의 총 두께는 600㎚로 일정하게 유지하면서 두께 비율을 달리하여 반사율을 측정하였다.
도 8은 본 실시예에 따른 반사 전극 구조체에서 에어갭 및 투광성 절연층의 두께 변화에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 8을 참조하면, 투광성 절연층에 대한 에어갭의 두께 비율이 0.5 이상 범위에서 반사율은 97% 이상으로 개선되고, 두께 비율이 증가함에 따라 다소 반사율이 향상되다가, 대략 1.3 범위를 지나면서 97% 이하로 감소하는 것으로 나타났다.
본 실시예에서는, 투광성 절연층에 대한 에어갭의 두께 비율이 0.5 내지 1.3일 경우에, 반사 전극 구조체가 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인할 수 있었다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 제조방법의 일 예에 대하여 도 9 내지 도 16을 참조하여 설명하기로 한다.
도 9, 도 11, 도 13, 도 15 및 도 16은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 측단면도들이며, 도 10, 도 12 및 도 14는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 상부 평면도들이다.
도 9를 참조하면, 기판(105) 상에 발광 구조물(110) 및 투명 전극층(120)을 형성하고, 투명 전극층 상에 희생층을 형성한다.
상기 발광 구조물(110)은 유기 금속 화학 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 수소화 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE), 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 등과 같은 공정을 이용하여 상술된 복수의 층들(112,115,117)로 형성될 수 있다. 추가적으로, 상기 발광 구조물(110) 상에 투명 전극층(120)을 형성할 수 있다. 도 9에 도시된 발광 구조물(110)은, 제2 도전형 반도체층(117), 활성층(115) 및 제1 도전형 반도체층(112)의 일부를 식각된 리세스 영역(ME)과 그 주위의 메사 영역(ME)이 형성된 도 1에 도시된 발광 구조물일 수 있다. 수 있다.
희생층(130)은 에어갭을 확보하기 위해서 제공되는 임시 물질층으로서, 후속 공정에서 형성될 투광성 절연층(도13의 140)과 높은 에칭 선택비를 갖는 물질을 선택할 수 있다. 예를 들어, 희생층(130)은 SiO2일 수 있으며, 이에 한정되지 않으며, 상기 희생층(130)은 SiN, TiO2, HfO, NbO2 또는 TaO2을 포함할 수도 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 희생층(130)을 패터닝하여, 원하는 에어갭에 대응되는 희생 패턴(130P)을 형성할 수 있다.
본 패터닝은 포토리소그래피 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 제1 및 제2 트랜치 라인(TL1,TL2)을 형성함으로써 원하는 형상의 희생 패턴(130P)을 형성할 수 있다. 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 희생 패턴(130P)의 단면은 사다리꼴이며, 평면은 사각형상을 가지며, 전체적으로는 각뿔대 구조와 같은 실질적으로 육면체 구조를 가질 수 있다. 후속 공정에서는, 이러한 희생 패턴(130P)의 형상에 대응되는 형상의 에어갭을 형성할 수 있다(도 15a 및 도 15b 참조).
제1 및 제2 트렌치 라인(TL1,TL2), 즉 희생 패턴(130P) 사이에서의 영역을 따라 투명 전극층(120)의 일부 영역이 노출될 수 있다. 투명 전극층(120)의 노출된 영역은 후속 공정에서 반사 전극층(150)과의 콘택 영역으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 트렌치 라인(TL2)의 노출 영역은 대부분 실질적인 콘택 영역으로 제공될 수 있으나, 제1 트렌치 라인(TL1)의 노출 영역은 부분적으로 절연 패턴의 지지부(도 13의 140S)에 점유되므로 실질적인 콘택 영역은 좁아질 수 있다.
따라서, 제1 트렌치 라인(TL1)에서도 충분한 면적의 콘택 영역을 확보하기 위해서, 본 실시예와 같이, 제1 트렌치 라인(TL1)의 폭(d1)은 제2 트렌치(TL2)의 폭(d2)보다 넓게 형성할 수 있다. 물론, 이에 한정되지 않으며 제1 및 제2 트렌치 라인(TL1,TL2)는 실질적으로 동일한 폭으로 설계될 수도 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 복수의 희생 패턴(130P) 상에 각각 복수의 절연 패턴(140P)을 형성한다.
복수의 절연 패턴(140P)을 형성하는 공정은 포토리소그래피 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 복수의 절연 패턴(140P)은 각각 희생 패턴(130P)에 대응되도록 배치될 수 있다.
구체적으로, 도 13a에 도시된 바와 같이, 각 절연 패턴(140P)은 일 방향으로 위치한 희생 패턴(130P)의 두 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 절연 패턴(140P)은 희생 패턴(130P)의 두 측면을 따라 투명 전극층(120)에 접합도록 연장된 부분(140S)을 갖는다. 이러한 연장된 부분(140S)은 희생 패턴(130P)이 제거된 후에도 에어갭이 유지되도록 지지부로서 작용할 수 있다.
도 13b에 도시된 바와 같이, 각 절연 패턴(140P)은 다른 방향으로 위치한 희생 패턴(130P)의 다른 두 측면을 오픈되도록 형성될 수 있다. 오픈된 두 측면은 희생 패턴(130P)의 에칭 경로(EP)를 제공할 수 있으며, 마주하는 두 면을 통해서 희생 패턴(130P)은 효과적으로 제거될 수 있다. 또한, 효과적인 희생 패턴(130P)의 제거를 위해서, 절연 패턴(140P)은 오픈된 두 측면에 인접한 상면의 모서리 영역(130e)이 부분적으로 노출되도록 형성될 수 있다. 이러한 과정에서, 절연 패턴(140P) 사이에 투명 전극층(120)의 제1 콘택 영역(CL1)이 제공될 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 복수의 절연 패턴(140P)의 아래에 위치한 희생 패턴들(130P)을 제거한다.
본 제거공정은 선택비를 갖는 웨트 에칭 공정으로 수행될 수 있다. 복수의 절연 패턴(140P)은 유지하면서 희생 패턴들만을 선택적으로 제거할 수 있다. 본 에칭 공정에서 희생 패턴(130P)의 오픈된 두 측면은 서로 마주하는 에칭 경로(EP)를 제공하므로, 희생 패턴(130P)을 효과적으로 제거할 수 있다. 상대적으로 크면서 마주하는 두 에칭 경로(EP)를 통해 제공되므로 상대적으로 빠른 시간에 희생 패턴(130P)은 실질적으로 완전히 제거되어 에어갭(130A)을 제공할 수 있다(도 15b 참조). 에어갭(130A)이 형성된 후에도, 절연 패턴(140P)의 연장된 부분(140S)은 투명 전극층(120)과 접하는 지지부로서 작용하여 에어갭(130A)을 안정적으로 유지할 수 있다(도 15a 참조). 이러한 과정에서, 절연 패턴(140P) 사이에 투명 전극층(120)의 제2 콘택 영역(CL2)이 제공될 수 있다.
이어, 도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 절연 패턴(140P) 상에 투명 전극층(120)의 제1 및 제2 콘택 영역(CL1,CL2)에 접속되는 반사 전극층(150)을 형성한다. 상기 반사 전극층(150)은 도 16b에 도시된 바와 같이 에어갭(130A)의 오픈된 일부 측면들을 덮도록 형성될 수 있다. 이와 같이, 에어갭(130A)의 마주하는 두 측면은 반사 전극층(150)에 의해 정의되며(도 16b 참조), 에어갭(130A)의 마주하는 다른 두 측면은 절연 패턴(140P)에 의해 정의될 수 있다(도 16a 참조).
다음으로, 도 1에 도시된 다른 구성들, 즉 제1 절연층(161), 제1 연결 전극(170n) 및 제2 연결 전극(170p)과, 제2 절연층(162), 제1 전극 패드(180n) 및 제2 전극 패드(180p)를 형성한 공정을 수행함으로써 원하는 반도체 발광소자(100)를 제조할 수 있다.
도 17 및 도 18은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이며, 본 실시예에 따른 반도체 발광소자(100') 중 도시된 영역은, 각각 도 4 및 도 3에 도시된 영역들에 대응되는 영역으로 이해될 수 있다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 베이스 절연층(130P')이 잔류하고(이로 인해, 에어갭 형태도 상이함), 콘택 영역이 홀 형상인 개구(H)에 의해 형성되는 점과 반사 전극층(150)과 투광성 절연층(140) 사이에 접합용 전극층(151)이 도입되는 점만을 제외하고 앞선 실시예와 유사한 것으로 이해할 수 있다.
본 실시예의 구성요소에 대한 설명은 특별히 반대되는 설명이 없는 한, 도1 내지 도5에 도시된 반도체 발광소자(100)의 동일하거나 유사한 구성요소에 대한 설명을 참조할 수 있다. 도 17에는 도 1에 도시되어 설명된, 제1 절연층(161), 제1 연결 전극(170n), 제2 연결 전극(170p), 제2 절연층(162), 제1 전극 패드(180n) 및 제2 전극 패드(180p)가 도시되지 않았으나, 도 1에 도시된 상기한 구성요소들이 본 실시예에도 결합될 수 있으며, 반대되는 설명이 없는 한, 관련 설명이 참조될 수 있다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 발광소자(100')는 투명 전극층(120) 상에 순차적으로 형성된 베이스 절연층(130P') 및 투광성 절연층(140)을 포함한다.
베이스 절연층(130P')과 투광성 절연층(140)은 투명 전극층(120)의 콘택 영역에 연결되는 복수의 개구(H)를 갖는다. 반사 전극층(150)은 상기 투광성 절연층(140) 상에 배치되며, 상기 복수의 개구(H)를 통해 상기 투명 전극층(120)의 콘택 영역에 접속될 수 있다. 복수의 개구(H)는 도 18에 도시된 바와 같이, 홀 형상을 가질 수 있다. 물론, 이에 한정되지 않으며, 복수의 개구(H)는 라인 형상 또는 다른 임의의 형상을 가질 수 있다.
상기 투광성 절연층(140)은 상기 복수의 개구(H)로부터 상기 베이스 절연층(130P')보다 더 멀리 이격되고, 이로써 상기 투광성 절연층(140)과 상기 투명 전극층(120) 사이에 에어갭(130A)이 제공될 수 있다.
본 실시예에서도, 적어도 에어갭(130A')이 제공된 영역에서 반사율은 크게 향상될 수 있다. 다른 영역에서도 베이스 절연층과 투광성 절연층(140)을 서로 다르면서 낮은 굴절률을 갖는 유전체로 형성함으로써, 비교적 높은 반사율을 기대할 수 있다. 특정 예에서, 상기 베이스 절연층(130P')은 SiO2를 포함하며, 상기 투광성 절연층(140)은 MgF2를 포함할 수 있다.
복수의 개구(H)는 반사 전극층과 투명 전극층의 콘택 영역을 제공할 뿐만 아니라, 희생층(잔류한 형태가 베이스 절연층(130P')임)을 제거하는 웨트 에칭 경로로 사용될 수 있다. 바람직하게, 희생층이 실질적으로 완전히 제거되어 베이스 절연층(130P")이 잔류하지 않을 수 있으나, 홀 구조인 개구(H)만으로는 도 1에 도시된 실시예에서와 같이 원활한 에칭이 이루어지지 않을 수 있다. 따라서, 도 17에 도시된 바와 같이, 개구(H) 주위에만 에어갭(130A')이 부분적으로 형성되고, 베이스 절연층(130P')이 잔류할 수 있다. 이러한 베이스 절연층(130P')은 에어갭(130A')을 지지하는 구조물의 역할을 할 수 있다.
본 실시예에 따른 반사 구조체의 제조공정은 앞선 실시예와 달리, 1회의 포토리소그래피 공정만을 추가하여 구현할 수 있다. 즉, 베이스 절연층(130P')에 해당하는 희생층과 투광성 절연층(140)을 순차적으로 증착한 후에 한번에 개구 형성공정과, 이어 웨트에칭 공정을 적용하여 원하는 에어갭(130A')을 형성할 수 있다.
상기 복수의 개구(H)는 사각 격자 형태로 배열되며 원형인 단면을 가지는 것으로 예시하고 있으나, 육방 조밀 격자와 같은 다른 형태의 배열을 갖거나 다각형, 라인형 또는 링 형상과 같은 다른 형상의 단면을 가질 수도 있다.
추가적으로, 상기 투광성 절연층(140)과 상기 반사 전극층(150) 사이에 접합용 전극층(151)이 배치될 수 있다. 상기 접합용 전극층(151)은 상기 반사 전극층(150)과 상기 투광성 절연층(140) 사이의 접착 특성을 개선할 수 있다. 상기 접합용 전극층(151)은 투명 전극층(120)과 유사한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 접합용 전극층(151)은, ITO, ZITO, ZIO, GIO, ZTO, FTO, AZO, GZO, In4Sn3O12, Zn(1-x)MgxO(0≤x≤1) 또는 그 조합을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 상기 접합용 전극층(151)은 상기 투광성 절연층(140) 상면에만 형성되는 것으로 예시되어 있으나, 상기 복수의 개구(H)을 통하여 상기 투명 전극층(120)과 접촉될 수 있다.
상술된 반도체 발광소자(100,100')는 패키지 형태로 제품화될 수 있다. 이하, 본 실시예에 따른 반도체 발광소자(100,100')를 패키지에 적용한 일 예를 도 19를 참조하여 설명하기로 한다.
도 19는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자를 패지지에 적용한 일 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 19를 참조하면, 반도체 발광소자 패키지(1000)는 광원인 반도체 발광소자(1001), 패키지 본체(1002), 한 쌍의 리드 프레임(1010) 및 봉지부(1005)를 포함할 수 있다. 여기서 반도체 발광소자(1001)는 도 1 및 도 17의 반도체 발광소자(100,100')일 수 있으며, 이에 대한 설명은 생략한다.
상기 반도체 발광소자(1001)는 상기 리드 프레임(1010)에 실장되고, 상기 리드 프레임(1010)과 전기적으로 연결될 수 있다.
한 쌍의 리드 프레임(1010)은 제1 리드 프레임(1012)과 제2 리드 프레임(1014)을 포함할 수 있다. 반도체 발광소자(1001)는 제1 및 제2 솔더 기둥들(도1의 170n, 170p)에 의해 상기 제1 리드 프레임(1012) 및 제2 리드 프레임(1014)과 연결될 수 있다.
패키지 본체(1002)에는 빛의 반사 효율 및 광 추출 효율이 향상되도록 반사컵을 구비할 수 있으며, 이러한 반사컵에는 반도체 발광소자(1001)를 봉지하도록 투광성 물질로 이루어진 봉지부(1005)가 형성될 수 있다. 상기 봉지부(1005)는 형광체나 양자점 등의 파장 변환 물질을 포함할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 투명 전극층; 및
    상기 투명 전극층 상에 배치되며, 상기 투명 전극층과 사이에 복수의 에어갭을 가지는 반사 전극 구조체;를 포함하며,
    상기 반사 전극 구조체는,
    상기 투명 전극층 상에 배치되며, 각각 상기 에어갭을 형성하되 상기 에어갭의 일부 측면들이 오픈되도록 구성된 복수의 절연 패턴을 가지는 투광성 절연층 - 상기 복수의 절연 패턴 사이의 영역에 의해 상기 투명 전극층의 콘택 영역이 정의됨 - 과,
    상기 복수의 절연 패턴 상에 배치되어 상기 에어갭의 오픈된 일부 측면들을 덮으며, 상기 투명 전극층의 콘택 영역에 접속되는 반사 전극층을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에어갭의 일부 측면들은 일 방향을 따라 서로 마주하도록 위치하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 에어갭은 실질적으로 육면체 구조이며,
    상기 육면체 구조의 상면 및 마주하는 두 측면이 상기 투광성 절연층에 의해 덮이며, 상기 육면체 구조의 마주하는 다른 두 측면은 상기 반사 전극층에 의해 덮이는 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 투명 전극층의 콘택 영역은 적어도 2개의 절연 패턴을 따라 연장된 라인 형상을 가지며, 복수의 행과 열로 배열되는 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 에어갭의 두께는 상기 투광성 절연층의 두께에 대비하여 50% 내지 130% 범위인 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 절연층은, NaF, Na3AlF6, LiF, MgF2, CaF2 및 BaF2로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반사 전극층 상에 배치되며, 상기 반사 전극층에 연결되는 적어도 하나의 개구를 가지는 제1 절연층과,
    상기 제1 절연층 상에 배치되며, 상기 적어도 하나의 개구를 통하여 상기 반사 전극층에 접속되는 연결 전극을 더 포함하는 반도체 발광소자.
  8. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 투명 전극층;
    상기 투명 전극층과 사이에 에어갭이 형성되도록 상기 투명 전극층 상에 배치되는 복수의 절연 패턴을 포함하는 투광성 절연층 - 상기 복수의 절연 패턴 사이의 영역에 의해 상기 투명 전극층의 콘택 영역이 정의됨 - ;
    상기 복수의 절연 패턴을 덮도록 상기 투명 전극층 상에 배치되며, 상기 투명 전극층의 콘택 영역에 접속되는 반사 전극층;
    상기 반사 전극층 상에 배치되며, 상기 반사 전극층에 연결되는 적어도 하나의 개구를 가지는 제1 절연층; 및
    상기 제1 절연층 상에 배치되며, 상기 적어도 하나의 개구를 통하여 상기 반사 전극층에 접속되는 연결 전극을 포함하는 반도체 발광소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 절연 패턴 각각은, 상기 투명 전극층에 접하도록 연장된 부분을 가지며, 상기 에어갭의 일부 측면들이 오픈되도록 구성되는 반도체 발광소자.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 절연층 상에 배치되며, 상기 연결 전극의 일부 영역에 연결되는 적어도 하나의 개구를 포함하는 제2 절연층과,
    상기 연결 전극의 상기 일부 영역 상에 배치되는 본딩 전극을 더 포함하는 반도체 발광소자.
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