KR20190119665A - 포토마스크 구조 및 coa형 어레이 기판 - Google Patents

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KR20190119665A
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우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

포토마스크 구조 및 COA형 어레이 기판을 공개한다. 상기 포토마스크 구조는 중심 차광부(1), 중심 차광부를 둘러싸며 중심 차광부의 외부 윤곽 형상과 일치하는 바깥둘레 차광부(3), 및 바깥둘레 차광부와 중심 차광부 사이에 개재되는 고리형 중공 슬릿(5)을 포함하며, 노광 광선이 중공 슬릿을 지나면서 회절이 발생하여 역전파 굴절 산란 및 에너지 강도의 점진적인 변화가 발생하므로, 네거티브형 포토레지스트를 결합하면 최종적으로 획득되는 컬러필터층의 비아홀의 경사도가 완만해질 수 있으며, 이에 따라 화소전극과 금속 재질의 신호라인 간의 전기 접속 품질이 개선되며, 디스플레이 불량을 방지할 수 있다.

Description

포토마스크 구조 및 COA형 어레이 기판
본 발명은 액정 디스플레이 소자 제조 분야에 관한 것으로서, 특히 포토마스크 구조 및 COA형 어레이 기판에 관한 것이다.
디스플레이 기술이 부단히 발전함에 따라, 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)는 고화질, 절전, 얇은 몸체, 작은 부피, 무방사 등의 장점을 지님으로 인해, 핸드폰, TV, 개인용 정보 단말기(PDA), 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터 등 각종 소비형 전자제품에 광범위하게 응용되면서, 평판 디스플레이 장치 중의 주류가 되었다.
시중의 기존 액정 디스플레이는 대부분 백라이트형 액정 디스플레이이며, 이는 액정 디스플레이 패널 및 백라이트 모듈(backlight module)을 포함한다. 종래의 액정 디스플레이 패널은 컬러필터 기판(Color Filter, CF), 박막 트랜지스터 어레이 기판(Thin Film Transistor Array Substrate, TFT Array Substrate), 및 두 기판 사이에 배치되는 액정층(Liquid Crystal Layer)으로 구성되며, 그 작동 원리는 두 장의 기판에 구동 전압을 인가하는 방식을 통해 액정층의 액정 분자의 회전을 제어하고, 백라이트 모듈의 광선을 굴절시켜 화면을 발생시키는 것이다.
현재, 액정 디스플레이 패널의 개구율을 높이고, 기생 커패시턴스 효과를 낮추기 위하여, 갈수록 많은 액정 디스플레이 패널 제품들은 컬러필터를 집적하여 어레이 기판의 일측에 설치하는 방식인 COA(Color Filter On Array) 기술을 채택하고 있다. 컬러필터와 블랙 매트릭스를 컬러필터 기판에 설치하는 종래 기술과 비교하여, COA형 어레이 기판은 셀을 조립 시의 편차를 고려할 필요가 없기 때문에, 블랙 매트릭스가 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 유닛 등 차광이 필요한 구조를 차단할 수 있다는 전제 하에, 블랙 매트릭스의 폭을 적당히 감소시킬 수 있어 개구율이 향상된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 COA형 어레이 기판은, 그 박막 트랜지스터(T10)의 어레이 상에 보호층(100), 컬러필터층(200), 화소전극(300) 및 블랙 매트릭스(미도시)가 순차적으로 적층되고, 컬러필터층(200)에 비아홀(201)이 개설되어, 화소전극(300)과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속을 구현한다. 실제 생산 과정에서, 마스크(Mask) 패턴에 네거티브형 포토레지스트를 결합하여 컬러필터층(200) 내의 비아홀(201)을 제작한다. 네거티브형 포토레지스트는 광이 조사되는 영역은 현상액에 의해 제거되지 않고, 광이 조사되지 않은 영역은 현상액에 의해 제거되도록 하는 특성이 있으며, 이는 포지티브형 포토레지스트의 특성과 정반대이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 컬러필터층(200) 내의 비아홀(201)을 제작하기 위한 포토마스크에 적용되는 패턴은 솔리드 원형 차광 영역(900) 및 차광 영역(900) 바깥 둘레에 위치하는 중공 투광 영역(901)이며, 솔리드 원형 차광 영역(900)은 컬러필터층(200) 내의 비아홀(201)의 위치에 대응된다. 그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 종래의 포토마스크를 사용하여 컬러필터층(200) 내의 비아홀(201)을 제작할 경우 비아홀(201) 부위의 컬러필터층(200)의 두께 및 경사도(Taper)를 제어하기 쉽지 않아, 경사도가 비교적 가파르며, 비아홀(201) 내의 화소전극(300)에 끊어짐이 발생하여 화소전극(300)과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속 불량을 일으키기 쉬우며, 이에 따라 제품의 디스플레이 불량이 나타날 수 있다. 양호한 전기적 접속을 보장하기 위해서는 크기가 더욱 큰 비아홀(201)을 제작할 필요가 있는데, 이는 의심할 여지 없이 화소의 개구율을 저하시킬 수 있으며, 또한 비아홀(201)이 너무 클 경우, 가스가 셀 조립 과정 후 진동으로 인하여 밖으로 누설되어 액정층으로 확산됨으로써 기포(Bubble)가 발생하고 검은 덩어리를 형성하게 되면서 디스플레이 효과에 영향을 미칠 수 있다.
본 발명의 목적은 컬러필터층의 비아홀의 경사도를 완만하게 함으로써 화소전극과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속 품질을 개선하여, 디스플레이 불량 발생을 방지할 수 있는 포토마스크 구조를 제공하고자 하는데 있다.
본 발명의 목적은 또한 컬러필터층의 비아홀의 경사도를 완만하게 함으로써 화소전극과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속 품질을 개선하여, 디스플레이 불량 발생을 방지할 수 있는 COA형 어레이 기판을 제공하고자 하는데 있다.
상술한 목적을 구현하기 위하여, 본 발명은 포토마스크 구조를 제공하며, 이는 중심 차광부, 중심 차광부를 둘러싸며 중심 차광부의 외부 윤곽 형상과 일치하는 바깥둘레 차광부, 및 바깥둘레 차광부와 중심 차광부 사이에 개재되는 고리형 중공 슬릿을 포함한다.
선택적으로, 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 원형이고, 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 원고리형이며, 중공 슬릿은 이에 대응하는 원고리형이다.
선택적으로, 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정사각형이고, 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정사각형 모양의 고리형이며, 중공 슬릿은 이에 대응하는 정사각형 모양의 고리형이다.
선택적으로, 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정육각형이고, 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정육각형 모양의 고리형이며, 중공 슬릿은 이에 대응하는 정육각형 모양의 고리형이다.
선택적으로, 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정팔각형이고, 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정팔각형 모양의 고리형이며, 중공 슬릿은 이에 대응하는 정팔각형 모양의 고리형이다.
중공 슬릿의 폭은 2.0㎛보다 작거나 같다.
바깥둘레 차광부의 폭은 0.5㎛보다 크고 1.0㎛보다 작거나 같다.
중심 차광부와 바깥둘레 차광부의 재질은 크롬이다.
본 발명은 COA형 어레이 기판을 더 제공하며, 이는 어레이형으로 배열된 박막 트랜지스터, 및 아래에서 위로 박막 트랜지스터에 순차적으로 적층되는 보호층, 컬러필터층, 화소전극과 블랙 매트릭스를 포함하며; 컬러필터층에 비아홀이 개설되고, 화소전극은 비아홀을 통해 박막 트랜지스터의 드레인과 접속되며;
비아홀은 포토마스크 구조를 갖는 포토마스크로 제작되어, 경사도가 완만하며, 화소전극과 금속 재질인 신호라인 간의 전기 접속 품질이 개선될 수 있어, 디스플레이 불량 발생을 방지할 수 있다.
본 발명은 포토마스크 구조를 더 제공하며, 이는 중심 차광부, 중심 차광부를 둘러싸며 중심 차광부의 외부 윤곽 형상과 일치하는 바깥둘레 차광부, 및 바깥둘레 차광부와 중심 차광부 사이에 개재되는 고리형 중공 슬릿을 포함하며;
중공 슬릿의 폭은 2.0㎛보다 작거나 같고;
중심 차광부와 바깥둘레 차광부의 재질은 크롬이다.
본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다: 본 발명이 제공하는 포토마스크 구조는 바깥둘레 차광부와 중심 차광부 사이에 고리형 중공 슬릿이 설치되어, 노광 광선이 중공 슬릿을 지나면서 회절이 발생하여 역전파 굴절 산란 및 에너지 강도의 점진적인 변화가 발생하므로, 네거티브형 포토레지스트를 결합하면 최종적으로 획득되는 컬러필터층의 비아홀의 경사도가 완만해질 수 있으며, 이에 따라 화소전극과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속 품질이 개선되고, 디스플레이 불량을 방지할 수 있다. 본 발명이 제공하는 COA형 어레이 기판은 그 컬러필터층의 비아홀이 포토마스크 구조를 갖는 포토마스크로 제작되어, 경사도가 완만하며, 화소전극과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속 품질이 개선될 수 있어 디스플레이 불량을 방지할 수 있다.
본 발명의 특징 및 기술 내용을 보다 구체적으로 이해할 수 있도록, 이하 본 발명에 관한 상세한 설명과 첨부도면을 참조하기 바라며, 다만 첨부도면은 참고 및 설명용으로 제공되는 것일 뿐, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다.
도면 중
도 1은 종래의 COA형 어레이 기판의 단면 구도 설명도이다.
도 2는 종래의 컬러필터층 비아홀을 제작하기 위한 포토마스크에 적용되는 패턴의 설명도이다.
도 3은 종래의 포토마스크를 사용하여 컬러필터층의 비아홀을 제작하는 과정에서 비아홀의 가파른 경사도를 초래하는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 포토마스크 구조의 제1 실시예의 설명도이다.
도 5는 본 발명의 포토마스크 구조의 제2 실시예의 설명도이다.
도 6은 본 발명의 포토마스크 구조의 제3 실시예의 설명도이다.
도 7은 본 발명의 포토마스크 구조의 제4 실시예의 설명도이다.
도 8은 본 발명의 포토마스크 구조를 갖는 포토마스크로 컬러필터층의 비아홀을 제작하여 비아홀의 경사도가 완만해진 상태를 나타낸 설명도이다.
도 9는 본 발명의 COA형 어레이 기판의 단면 구조 설명도이다.
본 분야의 기술자가 본 발명의 기술방안 및 그 효과를 더욱 잘 이해할 수 있도록, 이하 첨부도면과 구체적인 실시방식을 결합하여 본 발명의 기술방안에 대해 좀 더 상세히 설명한다.
도 4 내지 도 7을 동시에 참조하면, 본 발명은 COA형 어레이 기판 내의 컬러필터층의 비아홀을 제작하기 위한 포토마스크 구조를 제공하며, 포토마스크 구조는 중심 차광부(1), 중심 차광부(1)를 둘러싸며 중심 차광부(1)의 외부 윤곽 형상과 일치하는 바깥둘레 차광부(3), 및 바깥둘레 차광부(3)와 중심 차광부(1) 사이에 개재되는 고리형 중공 슬릿(5)을 포함한다.
본 발명의 포토마스크는 네거티브형 포토레지스트를 결합하여 사용하며, 중심 차광부(1), 중공 슬릿(5) 및 바깥둘레 차광부(3)가 공동으로 구성하는 패턴은 최종적으로 획득되는 컬러필터층 비아홀의 위치에 대응된다.
빛의 회절 원리에 따르면, 광선이 슬릿, 또는 작은 구멍 등의 장애물을 관통한 후 각기 다른 정도의 굴절 산란 전파가 발생하여, 명암 줄무늬와 같은 회절 패턴이 나타나며, 또한 명암 줄무늬의 경계가 선명하지 않고, 명암이 서로 섞여있는 상태를 띰과 동시에, 광선의 에너지 강도 역시 점차 변하게 된다. 본 발명은 바깥둘레 차광부(3)와 중심 차광부(1) 사이에 고리형 중공 슬릿(5)을 설치하여, 노광 광선이 중공 슬릿(5)을 지나면서 회절이 발생하고, 역전파되는 굴절 산란 및 에너지 강도의 점진적인 변화가 발생하는 것이지, 도 2에 도시된 바와 같이 종래의 포토마스크를 지난 후 여전히 직선을 따라 전파되는 것이 아니다. 노광 후, 광선이 조사되지 않은 영역은 현상액에 의해 제거되고, 광선이 조사되는 영역은 현상액에 의해 제거되지 않음으로써, 최종적으로 획득되는 컬러필터층의 비아홀의 경사도가 도 8에 도시된 바와 같이 완만해지며, 이에 따라 화소전극과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속 품질이 개선되어 디스플레이 불량 발생을 방지할 수 있다.
구체적으로, 중심 차광부(1)와 바깥둘레 차광부(3)의 재질은 크롬(Cr)이다.
도 4는 본 발명의 포토마스크 구조의 제1 실시예로서, 제1 실시예에서, 중심 차광부(1)의 외부 윤곽 형상은 정팔각형이며, 바깥둘레 차광부(3)는 이에 대응하는 정팔각형 모양의 고리형이고, 중공 슬릿(5)은 이에 대응하는 정팔각형 모양의 고리형이다.
중심 차광부(1)의 외부 윤곽으로부터 바깥둘레 차광부(3)의 내부 윤곽까지의 수직 거리를 중공 슬릿(5)의 폭으로 규정하고, 중공 슬릿(5)의 폭을 B로 표기하면, B의 최적의 취득값은: B≤2.0㎛이다.
B>2.0㎛이면, 컬러필터층의 비아홀 내에 포토레지스트가 잔류하여 에칭의 잔류물을 야기하고, 노광 광선의 회절 효과에 영향을 미칠 수 있다.
바깥둘레 차광부(3)의 내부 윤곽과 외부 윤곽 사이의 수직 거리를 바깥둘레 차광부(3)의 폭으로 규정하고, 바깥둘레 차광부(3)의 폭을 A라 표기하면, A의 최적의 취득값은: 0.5㎛<A≤1.0㎛이다.
바깥둘레 차광부(3)의 폭(A)의 최적의 취득값 범위 내에서, 최종적으로 획득되는 컬러필터층의 비아홀의 경사도가 현저히 개선되며; A≤0.5㎛이면, 최종적으로 획득되는 컬러필터층의 비아홀의 경사도가 수직에 가까워 회절효과가 나타날 수 없다.
중심 차광부(1)의 크기는 상이한 컬러필터층 비아홀의 구체적인 크기에 따라 결정할 수 있다.
도 5는 본 발명의 포토마스크 구조의 제2 실시예로서, 제2 실시예에서, 중심 차광부(1)의 외부 윤곽 형상은 원형이며, 바깥둘레 차광부(3)는 이에 대응하는 원고리형이고, 중공 슬릿(5)은 이에 대응하는 원고리형이다. 바깥둘레 차광부(3)의 폭(A), 및 중공 슬릿(5)의 폭(B)의 취득값은 실시예 1과 동일하므로, 여기서는 중복 설명을 생략한다.
도 6은 본 발명의 포토마스크 구조의 제3 실시예로서, 제3 실시예에서, 중심 차광부(1)의 외부 윤곽 형상은 정사각형이며, 바깥둘레 차광부(3)는 이에 대응하는 정사각형 모양의 고리형이고, 중공 슬릿(5)은 이에 대응하는 정사각형 모양의 고리형이다. 바깥둘레 차광부(3)의 폭(A), 및 중공 슬릿(5)의 폭(B)의 취득값은 실시예 1과 동일하므로, 여기서는 중복 설명을 생략한다.
도 7은 본 발명의 포토마스크 구조의 제4 실시예로서, 제4 실시예에서, 중심 차광부(1)의 외부 윤곽 형상은 정육각형이며, 바깥둘레 차광부(3)는 이에 대응하는 정육각형 모양의 고리형이고, 중공 슬릿(5)은 이에 대응하는 정육각형 모양의 고리형이다. 바깥둘레 차광부(3)의 폭(A), 및 중공 슬릿(5)의 폭(B)의 취득값은 실시예 1과 동일하므로, 여기서는 중복 설명을 생략한다.
물론, 본 발명의 포토마스크 구조는 이상의 4개의 실시예로만 한정되는 것은 아니며, 중심 차광부(1)는 정오각형, 정칠각형, 정십각형 등 변의 개수가 다른 정다각형 형상을 선택할 수도 있고, 바깥둘레 차광부(3) 및 중공 슬릿(5)은 대응되는 정다각형 형식의 고리형이며, 이는 노광 장치, 에칭 장치의 정밀도와 관계가 있다. 노광 장치와 에칭 장치의 정밀도가 높다면, 변의 개수가 비교적 적은 정다각형 형상을 선택할 수 있고, 반대로, 노광 장치와 에칭 장치의 정밀도가 낮은 경우, 변의 개수가 비교적 많은 정다각형 형상을 선택할 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명은 COA형 어레이 기판을 더 제공하며, 이는 어레이형으로 배열된 박막 트랜지스터(T), 및 아래에서 위로 박막 트랜지스터(T) 상에 순차적으로 적층되는 보호층(10), 컬러필터층(20), 화소전극(30), 및 블랙 매트릭스(미도시)를 포함한다. 컬러필터층(20)에 비아홀(21)이 개설되고, 화소전극(30)은 비아홀(21)을 통해 박막 트랜지스터(T)의 드레인과 접속된다.
비아홀(21)은 상술한 포토마스크 구조를 갖는 포토마스크로 제작되며, 경사도가 완만하므로, 비아홀(21) 내부의 화소전극(30)이 쉽게 끊어지지 않아, 금속 재질인 신호라인과의 사이의 전기적인 접속 품질이 개선되어 디스플레이 불량의 발생을 방지할 수 있다.
결론적으로, 본 발명의 포토마스크 구조는 바깥둘레 차광부와 중심 차광부 사이에 고리형 중공 슬릿을 설치하여, 노광 광선이 중공 슬릿을 지나면서 회절이 발생하여, 역전파 굴절 산란 및 에너지 강도의 점진적인 변화가 발생하므로, 네거티브형 포토레지스트와 결합하면, 최종적으로 획득되는 컬러필터층의 비아홀의 경사도가 완만해질 수 있으며, 이에 따라 화소전극과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속 품질이 개선되어 디스플레이 불량을 방지할 수 있다. 본 발명의 COA형 어레이 기판은 컬러필터층 비아홀이 상술한 포토마스크 구조를 갖는 포토마스크로 제작되어, 경사도가 완만하며, 화소전극과 금속 재질인 신호라인 간의 전기적인 접속 품질이 개선될 수 있어, 디스플레이 불량을 방지할 수 있다.
이상으로, 본 분야의 보통 기술자에게 있어서, 본 발명의 기술방안과 기술구상에 따라 기타 각종 상응하는 변경과 변형을 실시할 수 있으며, 이러한 변경과 변형은 모두 본 발명에 첨부되는 청구항의 보호범위에 속함이 마땅하다.

Claims (15)

  1. 포토마스크 구조에 있어서,
    중심 차광부, 상기 중심 차광부를 둘러싸며 중심 차광부의 외부 윤곽 형상과 일치하는 바깥둘레 차광부, 및 상기 바깥둘레 차광부와 중심 차광부 사이에 개재되는 고리형 중공 슬릿을 포함하는
    포토마스크 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 원형이고, 상기 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 원고리형이며, 상기 중공 슬릿은 이에 대응하는 원고리형인
    포토마스크 구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정사각형이고, 상기 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정사각형 모양의 고리형이며, 상기 중공 슬릿은 이에 대응하는 정사각형 모양의 고리형인
    포토마스크 구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정육각형이고, 상기 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정육각형 모양의 고리형이며, 상기 중공 슬릿은 이에 대응하는 정육각형 모양의 고리형인
    포토마스크 구조.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정팔각형이고, 상기 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정팔각형 모양의 고리형이며, 상기 중공 슬릿은 이에 대응하는 정팔각형 모양의 고리형인
    포토마스크 구조.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 중공 슬릿의 폭은 2.0㎛보다 작거나 같은
    포토마스크 구조.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 바깥둘레 차광부의 폭은 0.5㎛보다 크고 1.0㎛보다 작거나 같은
    포토마스크 구조.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 중심 차광부와 바깥둘레 차광부의 재질은 크롬인
    포토마스크 구조.
  9. COA형 어레이 기판에 있어서,
    어레이형으로 배열된 박막 트랜지스터, 및 아래에서 위로 상기 박막 트랜지스터에 순차적으로 적층되는 보호층, 컬러필터층, 화소전극과 블랙 매트릭스를 포함하며; 상기 컬러필터층에 비아홀이 개설되고, 상기 화소전극은 상기 비아홀을 통해 박막 트랜지스터의 드레인과 접속되며;
    상기 비아홀은 제1항에 따른 상기 포토마스크 구조를 갖는 포토마스크로 제작되어, 경사도가 완만한
    COA형 어레이 기판.
  10. 포토마스크 구조에 있어서,
    중심 차광부, 상기 중심 차광부를 둘러싸며 중심 차광부의 외부 윤곽 형상과 일치하는 바깥둘레 차광부, 및 상기 바깥둘레 차광부와 중심 차광부 사이에 개재되는 고리형 중공 슬릿을 포함하며;
    상기 중공 슬릿의 폭은 2.0㎛보다 작거나 같고;
    상기 중심 차광부와 바깥둘레 차광부의 재질은 크롬인
    포토마스크 구조.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 원형이고, 상기 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 원고리형이며, 상기 중공 슬릿은 이에 대응하는 원고리형인
    포토마스크 구조.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정사각형이고, 상기 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정사각형 모양의 고리형이며, 상기 중공 슬릿은 이에 대응하는 정사각형 모양의 고리형인
    포토마스크 구조.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정육각형이고, 상기 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정육각형 모양의 고리형이며, 상기 중공 슬릿은 이에 대응하는 정육각형 모양의 고리형인
    포토마스크 구조.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 중심 차광부의 외부 윤곽 형상은 정팔각형이고, 상기 바깥둘레 차광부는 이에 대응하는 정팔각형 모양의 고리형이며, 상기 중공 슬릿은 이에 대응하는 정팔각형 모양의 고리형인
    포토마스크 구조.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 바깥둘레 차광부의 폭은 0.5㎛보다 크고 1.0㎛보다 작거나 같은
    포토마스크 구조.
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