CN103280197B - 一种阵列基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板和显示面板，用于解决现有阵列基板中由于驱动电路所在区域内的TFT元件的密度大，导致框胶区域下侧光透过率降低，框胶固化效果差的问题。本发明实施例的阵列基板包括有效显示区域及布设于所述有效显示区域外围的驱动电路，该驱动电路包括至少一个与所述有效显示区域的信号线连接的开关器件，该开关器件包括用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构；其中，通道结构具有至少一个透光部。由于本发明实施例阵列基板中的驱动电路包含的至少一个开关器件的通道结构具有至少一个透光部，从而增强了该开关器件的光透过率。

Description

一种阵列基板和显示面板

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，特别涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

液晶显示装置（LCD，Liquid Crystal Display）具有功耗低、辐射低及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示装置、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中，低温多晶硅液晶显示装置（LTPS LCD，LowTemperature Poly Silicon Liquid Crystal Display）是液晶显示装置中的主流产品。

参见图1所示，其为现有的显示面板（panel）的结构示意图，显示面板包括：有效显示区域（AA，Active Area）a、分布于该有效显示区域a四周的驱动电路所在区域b、及分布于有效显示区域a的外围且位于驱动电路所在区域b上的框胶区域c；其中，有效显示区域a包括由多条栅线（Gate line）及多条数据线（Data line）围设而成的多个像素单元，每个像素单元中的像素电极通过与其连接的一个TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）开关进行控制，从而显示图像；驱动电路所在区域b中也包括多个TFT元件，每个TFT元件与一条不同的栅线或数据线连接，通过TFT元件的控制，将驱动电压加载至对应的栅线或数据线，以实现对栅线或数据线的驱动。

在显示面板的制作工艺中，先制作显示面板的阵列基板和彩膜（ColorFilter，CF）基板，然后将液晶滴注在一基板上，并将框胶涂布于另一基板上，再将两个基板进行真空贴合，并经紫外、高温等固化工艺对框胶进行固化，最后进行切割，以形成显示面板。

高PPI（Pixels per inch，每英寸所拥有的像素数目）、窄边框是LTPS LCD的发展趋势，这就需要进一步降低显示面板中分布于有效显示区域四周的驱动电路所在区域所占用的空间，从而使得驱动电路所在区域内的TFT元件的密度增大，由于TFT元件中的源、漏电极及栅极一般采用遮光的金属材料，因此，TFT元件的光透过率较低，从而导致框胶（seal胶）区域下侧光透过率降低，框胶固化效果差，进而影响显示面板的可靠性。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板和显示面板，用于解决现有阵列基板中由于驱动电路所在区域内的TFT元件的密度增大，导致框胶（seal胶）区域下侧光透过率降低，框胶固化效果差的问题。

本发明实施例提供的一种阵列基板，所述阵列基板包括有效显示区域及布设于所述有效显示区域外围的驱动电路，该驱动电路包括至少一个与所述有效显示区域的信号线连接的开关器件，所述开关器件包括：用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构；

其中，所述通道结构具有至少一个透光部。

优选的，所述透光部为贯穿所述通道结构的厚度方向的通孔；或者

所述透光部为位于所述通道结构的边缘且贯穿所述通道结构的厚度方向的开槽。

优选的，所述开关器件为薄膜晶体管TFT元件，所述TFT元件的源电极及漏电极用于为信号提供传输通道；所述源电极和/或所述漏电极具有至少一个透光部。

优选的，所述源电极及所述漏电极还分别具有用于与所述TFT元件的有源层连接的接触孔；

所述透光部设置于所述源电极或所述漏电极中除所述接触孔所在区域之外的区域。

优选的，所述驱动电路包含的每个开关器件的通道结构均具有至少一个透光部。

本发明实施例提供的一种显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的框胶，所述框胶的位置为：位于所述阵列基板的有效显示区域的外围，且位于所述阵列基板的驱动电路所在区域；所述驱动电路包括至少一个与所述有效显示区域中的信号线连接的开关器件，所述开关器件包括：用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构；

其中，所述驱动电路的与所述框胶位置对应的区域中，至少有一个开关器件的通道结构具有至少一个透光部。

优选的，所述透光部为贯穿所述通道结构的厚度方向的通孔；或者

所述透光部为位于所述通道结构的边缘且贯穿所述通道结构的厚度方向的开槽。

优选的，所述开关器件为薄膜晶体管TFT元件，所述TFT元件的源电极及漏电极用于为信号提供传输通道；所述源电极和/或所述漏电极具有至少一个透光部。

优选的，所述源电极及所述漏电极还分别具有用于与所述TFT元件的有源层连接的接触孔；

所述透光部设置于所述源电极或所述漏电极中除所述接触孔所在区域之外的区域。

优选的，所述驱动电路的与所述框胶的位置对应的区域中的每个开关器件的通道结构均具有至少一个透光部。

本发明实施例的阵列基板中的驱动电路包括至少一个与有效显示区域的信号线连接的开关器件，该开关器件进一步包括用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构，其中，该通道结构具有至少一个透光部，使外部光线能够通过该透光部射出，从而增强了该开关器件的光透过率，且不影响该开关器件的特性。

附图说明

图1为现有技术中显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例开关器件的第一种结构的俯视示意图；

图3为图2中的A-A方向的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例开关器件的第二种结构的俯视示意图；

图5为图4中的B-B方向的剖面结构示意图。

具体实施方式

本发明实施例的阵列基板中的驱动电路包含至少一个与有效显示区域的信号线连接的开关器件，该开关器件包括用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构，其中，该通道结构具有至少一个透光部，使外部光线能够通过该透光部射出，从而增强了该开关器件的光透过率，且不影响该开关器件的特性。

下面结合附图对本发明实施例作进一步详细描述。

本发明实施例提供的阵列基板，包括有效显示区域及布设于该有效显示区域外围的驱动电路，该驱动电路包括至少一个与有效显示区域中的信号线连接的开关器件，该开关器件包括：用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构，其中，该通道结构具有至少一个透光部。

本发明实施例中，阵列基板的有效显示区域中的信号线可以是栅线或数据线等。

作为一种实现形式，本发明实施例中，透光部可以为贯穿该通道结构的厚度方向的通孔；

作为另一种实现形式，本发明实施例中，透光部可以为位于该通道结构的边缘且贯穿该通道结构的厚度方向的开槽；

作为再一种实现形式，本发明实施例中，透光部采用透光材料。

进一步，本发明实施例中，透光部横截面的形状，可以是三角形、多边形（如四边形、五边形等）、圆形、曲线形等形状，本实施例中不对透光部横截面的形状和大小进行限定，本领域技术人员所熟知的形状均可应用于本发明实施例，可根据需要设定透光部横截面的形状和大小。

由于通道结构用于为信号提供传输通道，一般采用金属材料，而由于金属材料一般不透光，从而使外部光线无法透过开关器件的通道结构，而本发明实施例中由于通道结构具有至少一个透光部，使得外部光线能够通过该透光部射出，从而提高了开关器件的光透过率。

进一步，本发明实施例中，开关器件可以为场效应晶体管、（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）CMOS晶体管或TFT元件等。

优选的，本发明实施例的开关器件为TFT元件。

优选的，本发明实施例中，驱动电路包含的每个开关器件的通道结构均具有至少一个透光部。

下面以TFT元件为例，对本发明实施例的开关器件进行详细说明。

本发明实施例中，若开关器件为TFT元件，该TFT元件中的源电极和漏电极用于为信号提供传输通道，即通道结构包括源电极及漏电极；其中，该TFT元件中源电极和/或漏电极具有至少一个透光部。

进一步，TFT元件中源电极及漏电极还分别具有用于与该TFT元件的有源层（也称为Poly硅层）连接的接触孔；

优选的，透光部设置于该源电极或该漏电极中除接触孔所在区域之外的区域。

本发明实施例中，TFT元件的源电极和漏电极的材料一般为钼Mo、铝Al、铌Nb及锑Ti等金属中的一种或由至少两种金属形成的合金，由于金属材料一般不透光，从而使外部光线无法透过TFT元件的源电极及漏电极，而本发明实施例中由于TFT元件的源电极和/或漏电极具有至少一个透光部，使得外部光线能够通过该透光部射出，从而提高了TFT元件的光透过率。

优选的，本发明实施例的TFT元件为顶栅型TFT、底栅型TFT或双栅型TFT。

作为一种实现形式，TFT元件的源电极和/或漏电极的透光部可以为：位于该源电极和/或漏电极的除接触孔所在区域之外的区域内的通孔（该通孔为贯穿该源电极和/或漏电极的厚度方向的孔）。

下面结合附图对本实施例中的透光部进行说明，参见图2和图3所示，其中，图2为TFT元件的俯视示意图，图3为图2的A-A方向剖面结构示意图，该TFT元件依次包括位于衬底基板11上的缓冲层（buffer）12，位于缓冲层12上的有源层13，位于有源层13上的栅绝缘层14（Gate Insulation，GI），位于栅绝缘层14上的栅电极15，位于栅电极15上的绝缘层16，位于绝缘层16上且分别位于栅电极15两侧的源电极17和漏电极18，位于源电极17和漏电极18上的有机膜层19及位于有机膜19上的钝化层20；

其中，接触孔位于栅绝缘层和绝缘层中且贯穿该栅绝缘层和绝缘层的厚度方向，参见图2中的M1~M4，源电极通过接触孔M1和M2与有源层连接；漏电极通过接触孔M3和M4与有源层连接；

本实施例中，TFT元件的源电极17的除接触孔所在区域之外的区域内包括一个通孔N1，及该TFT元件的漏电极18的除接触孔所在区域之外的区域内包括一个通孔N2，由于通孔N1和N2分别贯穿该TFT元件的源电极17和漏电极18的厚度方向，使入射到该TFT元件的光线，能够经由该TFT元件的源电极17和漏电极18的除接触孔所在区域之外的区域内的通孔N1和N2射出，提高了该TFT元件的光透过率。

当然，本实施例中，可以在TFT元件的源电极17的除接触孔所在区域之外的区域内设置多个通孔，和/或在该TFT元件的漏电极18的除接触孔所在区域之外的区域内设置多个通孔，以进一步提高该TFT元件的光透过率。

本实施例中，TFT元件中源电极或漏电极中与有源层接触的部分的电阻阻值一般在200Ω/□以上，远远大于源电极或漏电极中其他部分的电阻阻值（一般为0.08Ω/□），因此，源电极和/或漏电极的除接触孔所在区域之外的区域中由于具有透光部而造成的电阻阻值的损失很小，可以忽略不计，因此，本实施例中的透光部不会影响TFT元件的特性。

本实施例中，不对TFT元件的源电极17和漏电极18的除接触孔所在区域之外的区域内的透光部的数量进行限制，透光部的数量及其在除接触孔所在区域之外的区域内的位置可根据需要设定。

本实施例中，位于TFT元件的源电极和/或漏电极的除接触孔所在区域之外的区域内的通孔横截面的形状，可以是三角形、多边形（如四边形、五边形等）、圆形、曲线形等形状，本实施例中不对通孔横截面的形状和大小进行限定，本领域技术人员所熟知的形状均可应用于本发明实施例，可根据需要设定通孔横截面的形状和大小。

本实施例中，TFT元件的栅电极、源电极及漏电极为金属材料，常用的金属材料包括钼Mo、铝Al、铌Nb及锑Ti或由至少两种金属形成的合金；

TFT元件的缓冲层、栅绝缘层、绝缘层、有机膜层及钝化层为绝缘材料，常用的绝缘材料包括氮化硅（SiN_x）、氧化硅（SiO₂）等；

TFT元件的有源层可以采用非晶硅或多晶硅（poly silicon）材料制作。

优选的，本实施例中，TFT元件的有源层采用多晶硅材料，由于多晶硅为半透明态，对紫外光吸收不明显，可进一步增强紫外光的透射，有利于框胶的紫外固化。

需要说明的是，本实施例中以图2所示的TFT元件的结构为例，对其透光部进行了说明，其他结构的TFT元件的透光部的结构及位置与其类似，此处不再一一列举。

作为另一种实现形式，TFT元件的源电极和/或漏电极中的透光部可以为：位于该源电极和/或漏电极的除接触孔所在区域之外的区域边缘且贯穿该源电极和/或漏电极的厚度方向的开槽。

下面结合附图对本实施例中的透光部进行说明，参见图4和图5所示，其中，图4为TFT元件的俯视示意图，图5为图4的B-B方向剖面结构示意图，该TFT元件依次包括位于衬底基板11上的缓冲层（buffer）12，位于缓冲层12上的有源层13，位于有源层13上的栅绝缘层14（Gate Insulation，GI），位于栅绝缘层14上的栅电极15，位于栅电极15上的绝缘层16，位于绝缘层16上且分别位于栅电极15两侧的源电极17和漏电极18，位于源电极17和漏电极18上的有机膜层19及位于有机膜19上的钝化层10；

其中，接触孔为位于栅绝缘层和绝缘层中且贯穿该栅绝缘层和绝缘层的厚度方向，参见图4中的M1~M4，源电极通过接触孔M1和M2与有源层连接；漏电极通过接触孔M3和M4与有源层连接；

本实施例中，TFT元件的源电极17的除接触孔所在区域之外的区域边缘包括两个开槽K1和K2，及该TFT元件的漏电极18的除接触孔所在区域之外的区域边缘包括两个开槽K3和K4，使入射到该TFT元件的光线，能够经由该TFT元件的源电极17和漏电极18的除接触孔所在区域之外的区域边缘的开槽K1~K4射出，提高了该TFT元件的光透过率。

当然，本实施例中，可以在TFT元件的源电极17的除接触孔所在区域之外的区域边缘设置多个开槽，和/或在该TFT元件的漏电极18的除接触孔所在区域之外的区域边缘设置多个开槽，以进一步提高该TFT元件的光透过率。

本实施例中，TFT元件中源电极或漏电极中与有源层接触的部分的电阻阻值一般在200Ω/□以上，远远大于源电极或漏电极中其他部分的电阻阻值（一般为0.08Ω/□），因此，源电极和/或漏电极的除接触孔所在区域之外的区域中由于金属宽度的减小而造成的电阻阻值的损失很小，可以忽略不计，因此，本实施例中的透光部不会影响TFT元件的特性。

本实施例中，不对TFT元件的源电极17和漏电极18的除接触孔所在区域之外的区域边缘的开槽数量进行限制，开槽数量及其在除接触孔所在区域之外的区域边缘的位置可根据需要设定。

本实施例中，位于TFT元件的源电极和/或漏电极的除接触孔所在区域之外的区域边缘的开槽的形状，可以是三角形、多边形（如四边形、五边形等）、圆形、曲线形等形状，本实施例中不对开槽的形状和大小进行限定，本领域技术人员所熟知的形状均可应用于本实施例，可根据需要设定开槽的形状和大小。

优选的，本实施例中，TFT元件的有源层采用多晶硅材料，由于多晶硅为半透明态，对紫外光吸收不明显，可进一步增强紫外光的透射，有利于框胶的紫外固化。

需要说明的是，本实施例中仅以图4所示的TFT元件的结构为例，对其透光部进行了说明，其他结构的TFT元件的透光部的结构及位置与其类似，此处不再一一列举。

需要说明的是，若本发明实施例的TFT元件的源电极和漏电极的除接触孔所在区域之外的区域均至少包含一个透光部，则该至少两个透光部可以均为设置于除接触孔所在区域之外的区域内的通孔，或者该至少两个透光部均为设置于除接触孔所在区域之外的区域边缘的开槽，或者一部分透光部为设置于除接触孔所在区域之外的区域内的通孔，另一部分透光部为设置于除接触孔所在区域之外的区域边缘的开槽；另外，每个透光部截面的形状和大小可以都相同，或者每个透光部截面的形状和大小都不相同；或者一部分透光部截面的形状和大小相同，另一部分透光部截面的形状和大小不相同。

本发明实施例还提供了一种显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及位于该阵列基板与该彩膜基板之间的框胶，该框胶的位置为：位于阵列基板的有效显示区域的外围，且位于阵列基板的驱动电路所在区域上；该驱动电路包括至少一个与有效显示区域中的信号线连接的开关器件，该开关器件包括：用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构，其中，驱动电路的与框胶位置对应的区域中，至少有一个开关器件的通道结构具有至少一个透光部。

作为一种实现形式，本发明实施例中，透光部可以为贯穿该通道结构的厚度方向的通孔；

作为另一种实现形式，本发明实施例中，透光部可以为位于该通道结构的边缘且贯穿该通道结构的厚度方向的开槽；

作为再一种实现形式，本发明实施例中，透光部采用透光材料。

进一步，开关器件可以为场效应晶体管、CMOS晶体管或TFT元件等。

优选的，本发明实施例的开关器件为TFT元件。

进一步，若该开关器件为TFT元件，TFT元件的源电极及漏电极用于为信号提供传输通道；源电极和/或漏电极具有至少一个透光部。

本发明实施例中，若源电极及漏电极还分别具有用于与TFT元件的有源层连接的接触孔；优选的，透光部设置于所述源电极或所述漏电极中除所述接触孔所在区域之外的区域。

由于本发明实施例显示面板中具有透光部的开关器件与上述阵列基板中具有透光部的开关器件相同，此处不再赘述。

优选的，本发明实施例中，驱动电路的与框胶的位置对应的区域中的每个开关器件的通道结构均具有至少一个透光部。

本发明实施例的显示面板，通过在驱动电路的与框胶位置对应的区域中的至少一个开关器件设置至少一个透光部，由于从背光源射出的光线在射入显示面板的驱动电路中的开关器件时，能够经由该开关器件中的透光部射出，增强了框胶覆盖在驱动电路所在区域的光透过率，进而增强了框胶的固化强度及粘附性，进一步提升了显示面板的可靠性。

本发明实施例还提供了一种包括上述显示面板的显示装置。

进一步，本发明实施例的显示装置可以为液晶显示装置。

优选的，该液晶显示装置可以为低温多晶硅液晶显示装置。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (6)

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括有效显示区域及布设于所述有效显示区域外围的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括至少一个与所述有效显示区域的信号线连接的开关器件，所述开关器件包括：用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构；

其中，所述通道结构具有至少一个透光部；

所述开关器件为薄膜晶体管TFT元件，所述通道结构包括TFT元件的源电极及漏电极；

所述源电极及所述漏电极还分别具有用于与所述TFT元件的有源层连接的接触孔；所述透光部设置于所述源电极或所述漏电极中除所述接触孔所在区域之外的区域。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透光部为贯穿所述源电极或所述漏电极的厚度方向的通孔；或者

所述透光部为位于所述源电极或所述漏电极的除所述接触孔所在区域之外的区域边缘且贯穿所述源电极或所述漏电极的厚度方向的开槽。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路包含的每个开关器件的通道结构均具有至少一个透光部。

4.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的框胶，所述框胶的位置为：位于所述阵列基板的有效显示区域的外围，且位于所述阵列基板的驱动电路所在区域；所述驱动电路包括至少一个与所述有效显示区域中的信号线连接的开关器件，所述开关器件包括：用于为信号提供传输通道且采用不透光材料的通道结构；

其中，所述驱动电路的与所述框胶位置对应的区域中，至少有一个开关器件的通道结构具有至少一个透光部；

所述开关器件为薄膜晶体管TFT元件，所述通道结构包括TFT元件的源电极及漏电极；所述源电极及所述漏电极还分别具有用于与所述TFT元件的有源层连接的接触孔；所述透光部设置于所述源电极或所述漏电极中除所述接触孔所在区域之外的区域。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述透光部为贯穿所述源电极或所述漏电极的厚度方向的通孔；或者

所述透光部为位于所述源电极或所述漏电极的除所述接触孔所在区域之外的区域边缘且贯穿所述源电极或所述漏电极的厚度方向的开槽。

6.如权利要求4或5所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路的与所述框胶的位置对应的区域中的每个开关器件的通道结构均具有至少一个透光部。