KR20190118077A - 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20190118077A
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Abstract

본 발명은 반응 공간 내의 압력 변동에 관계 없이 기판이 안정적으로 장착될 수 있는 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 기판 처리 방법은 불활성 기체 공급 단계; 및 소스 기체 공급 단계, 반응 기체 공급 단계 및 반응 기체 활성화 단계를 순차적으로 반복 진행하여 박막을 증착하는 단계를 포함하되, 기판의 중앙부와 서셉터의 중앙부가 서로 이격되어 이격 공간을 형성하고, 상기 기판 상부의 반응 공간과 상기 이격 공간은 적어도 하나의 채널을 통해 서로 연통하고, 상기 불활성 기체 공급 단계 동안 상기 적어도 하나의 채널을 통해 상기 이격 공간에 불활성 기체가 유입되며, 상기 유입된 불활성 기체는 상기 박막 증착 단계 동안 상기 이격 공간과 상기 반응 공간 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 반응기 내의 압력 변동에 따라 기판이 기판 지지 장치로부터 이탈하는 문제를 해결함으로써, 기판 후면에 박막이 증착되는 문제를 방지할 수 있다.

Description

기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate supporting device, substrate processing apparatus including the same and substrate processing method}
본 발명은 기판 지지 장치(예를 들어, 서셉터), 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 피처리 기판의 후면 증착을 방지할 수 있는 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 내의 반응공간에 로딩된 기판 상에 증착 또는 식각 등의 기판 처리가 진행됨에 있어서, 기판 후면에 증착된 박막은 오염입자 발생 등으로 후속 공정에 영향을 주며, 반도체 소자의 수율(yield)과 소자 특성을 저하시킨다. 이러한 문제점을 해결하고자, 종래 기술에서는 ESC(Electrostatic Chuck) 서셉터 등을 도입하여 기판 후면과 서셉터의 밀착도를 향상시키려는 노력이 있어왔다. 그러나 고온에서 공정을 진행할 때 고온으로 인해 기판 또는 기판을 지지하는 서셉터가 변형되는 경우가 발생하며, 변형된 서셉터와 기판 또는 변형된 기판과 서셉터 사이로 공정기체가 침투하여 기판 후면에 원하지 않는 박막이 증착되는 문제가 존재한다. 이를 해결하기 위해, 종래에는 기판의 가장자리부만 서셉터에 접촉하는 ECS(Edge Contact Susceptor) 장치를 도입하였으나, 반응기 내의 압력 변동에 따라 기판이 지정된 위치를 이탈하는 현상이 발생하여 기판 후면에 박막이 증착될 수 있다.
본 발명은, 박막 증착 공정 동안 반응기 내의 압력 변동으로 인해 기판이 기판 지지 장치를 이탈하는 현상을 방지하여 기판의 후면에 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이러한 기판 처리 장치를 이용하는 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들의 일 측면에 따르면, 기판 지지 장치는 내면부(inner portion), 주변부(periphery portion) 및 상기 내면부와 상기 주변부 사이에 형성된 오목부(concave portion)를 포함하는 서셉터 본체; 및 상기 오목부에 배치된 림(rim)을 포함하며, 상기 림 상으로 기판이 안착되는 경우, 상기 림은 기판의 에지 제외 영역 내에서 기판과 접촉하며, 상기 내면부의 상면은 상기 림의 상면보다 아래에 위치하며, 그에 의해 상기 기판의 하면은 상기 내면부와 이격되며, 상기 기판의 하면과 상기 내면부 사이에 제1 공간이 형성되며, 상기 기판 상부에 제2 공간이 형성되며, 상기 서셉터 본체 또는 상기 림 중 적어도 하나에는 함께 또는 단독으로 상기 제1 공간과 상기 제2 공간을 연결하는 하나 이상의 채널이 형성될 수 있다.
상기 기판 지지 장치의 일 예에 따르면, 상기 채널은 상기 림의 내측벽과 외측벽 사이에 형성되며, 상기 채널은 상기 기판 지지 장치의 중심으로부터 제1 거리만큼 이격된 원주를 따라 복수 개 배치될 수 있다. 추가적 실시예에서, 상기 제1 거리는 상기 기판의 반경보다 클 수 있다.
상기 기판 지지 장치의 다른 예에 따르면, 상기 채널은 상기 기판 지지 장치의 중심축에 대해 대칭적으로 배열될 수 있다.
상기 기판 지지 장치의 다른 예에 따르면, 상기 채널은 제1 서브 채널 및 제2 서브 채널을 포함하며, 상기 채널의 제1 서브 채널은 상기 림의 상면에 접하여 상기 제2 공간과 연통하며, 그리고 상기 림을 관통하여 상기 림의 하향 방향으로 연장하도록 형성된 관통 홀이며, 상기 기판은 상기 제1 서브 채널과 접하지 않을 수 있다. 추가적 실시예에서, 상기 채널의 제2 서브 채널은 상기 제1 공간과 연통하며, 상기 제2 서브 채널은 상기 제1 공간을 향하여 폭이 점점 좁아지는 구조를 가질 수 있다. 다른 추가적 실시예에서, 상기 채널의 제2 서브 채널은 상기 제1 공간과 연통하며, 상기 제2 서브 채널은 원주 방향으로 형성될 수 있다.
상기 기판 지지 장치의 다른 예에 따르면, 상기 기판의 에지 제외 영역과 상기 림의 접촉 부분은 상기 기판 지지 장치의 중심으로부터 일정 거리만큼 이격된 원주를 따라 연속적으로 형성되는 링 형상일 수 있다.
상기 기판 지지 장치의 다른 예에 따르면, 상기 채널과 상기 제1 공간이 만나는 부분은 상기 기판의 하면으로부터 이격되어 있을 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들의 다른 측면에 따르면, 기판 처리 장치는 반응기 벽(reactor wall); 기판 지지 장치; 히터 블록(heater block); 기체 유입부(gas inlet unit); 기체 공급부(gas supply unit); 및 배기부(exhaust unit);로 이루어지며, 상기 기판 지지 장치는 서셉터 본체와 림을 포함하며, 상기 서셉터 본체는 내면부, 주변부 및 그 사이에 형성된 오목부를 포함하며, 상기 림은 상기 오목부에 배치되며, 상기 림 상으로 기판이 안착되는 경우, 상기 림은 기판의 에지 제외 영역 내에서 기판과 접촉하며, 상기 반응기 벽과 상기 기판 지지 장치의 주변부는 면 접촉(face contact)으로 반응 공간을 형성하며, 상기 내면부와 상기 기판 사이에 이격 공간이 형성되고, 상기 반응 공간 및 상기 이격 공간은 적어도 하나의 채널을 통해 서로 연통할 수 있다.
상기 기판 처리 장치의 다른 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 채널은 제1 서브 채널 및 제2 서브 채널을 포함하며, 상기 제1 서브 채널은 상기 기판 상부의 상기 반응 공간과 연통하도록 상기 반응기 벽의 표면 또는 내부에 형성되며, 상기 제2 서브 채널은 상기 이격 공간과 연통하도록 상기 서셉터 본체 또는 상기 림 중 적어도 하나의 표면 또는 내부에 형성되며, 상기 제1 서브 채널은 상기 제2 서브 채널을 통해 상기 이격 공간과 연통할 수 있다. 추가적 실시예에서, 상기 제1 서브 채널 및 상기 제2 서브 채널 각각은 관통 홀 또는 그루브를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치의 다른 예에 따르면, 상기 적어도 하나의 채널은 제1 서브 채널 및 제2 서브 채널을 포함하며, 상기 제1 서브 채널은 상기 반응 공간과 연통하도록 상기 림의 표면 또는 내부에 형성되며, 상기 제2 서브 채널은 상기 이격 공간과 연통하도록 상기 서셉터 본체 또는 상기 림 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 제1 서브 채널은 상기 제2 서브 채널을 통해 상기 이격 공간과 연통할 수 있다. 추가적 실시예에서, 상기 제1 서브 채널은 상기 림의 적어도 일부를 관통하는 하나 이상의 제1 관통 홀이며, 상기 하나 이상의 제1 관통 홀은 상기 림의 상면 상에서 제1 반경을 갖는 제1 원주를 따라 서로 이격되어 형성될 수 있으며, 상기 제1 반경은 상기 기판의 반경보다 클 수 있다.
상기 기판 처리 장치의 다른 예에 따르면, 상기 채널은 상기 이격 공간을 향하여 폭이 점점 좁아지는 구조를 가질 수 있다.
상기 기판 처리 장치의 다른 예에 따르면, 박막 증착 공정 전에, 상기 적어도 하나의 채널을 통해 상기 반응 공간으로부터 상기 이격 공간으로 불활성 기체를 유입시키며, 박막 증착 공전 전에 유입된 불활성 기체는 박막 증착 공정 동안 상기 반응 공간과 상기 이격 공간 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들의 다른 측면에 따르면, 기판 처리 방법은 불활성 기체 공급 단계; 및 소스 기체 공급 단계, 반응 기체 공급 단계 및 반응 기체 활성화 단계를 순차적으로 반복 진행하여 박막을 증착하는 단계를 포함하되, 기판의 중앙부와 서셉터의 중앙부가 서로 이격되어 이격 공간을 형성하고, 상기 기판 상부의 반응 공간과 상기 이격 공간은 적어도 하나의 채널을 통해 서로 연통하고, 상기 불활성 기체 공급 단계 동안 상기 적어도 하나의 채널을 통해 상기 이격 공간에 불활성 기체가 유입되며, 상기 유입된 불활성 기체는 상기 박막 증착 단계 동안 상기 이격 공간과 상기 반응 공간 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
상기 기판 처리 방법의 다른 예에 따르면, 상기 이격 공간에 유입되는 불활성 기체의 유량을 제어함으로써, 상기 박막 증착 단계 동안 상기 기판의 후면에 증착되는 막의 두께를 제어할 수 있다.
상기 기판 처리 방법의 다른 예에 따르면, 상기 박막 증착 단계 동안 퍼지 기체를 공급하되, 상기 박막 증착 단계 동안 공급되는 퍼지 기체의 유량은 상기 이격 공간의 압력과 상기 반응 공간의 압력이 동일하도록 조절될 수 있다.
상기 기판 처리 방법의 다른 예에 따르면, 상기 유입된 불활성 기체는 상기 박막 증착 단계 동안 소스 기체 및 반응 기체의 상기 이격 공간으로의 유입을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 지지 장치의 내면부와 기판이 일정 거리만큼 서로 이격되어 이격 공간을 형성하고, 그리고 박막 증착 공정 전에 이러한 이격 공간에 불활성 기체를 유입시킴으로써, 반응 공간과 이격 공간 간의 압력 차이를 최소화하여 안정적인 공정 진행이 가능하다. 또한, 본 발명에 따르면, 반응 공간과 이격 공간의 압력 불균형을 최소화시킴으로써, 기판이 기판 지지 장치에 안정적으로 장착될 수 있게 하며, 공정 기체 침투로 인한 기판의 후면 증착 현상을 방지할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 지지 장치(예를 들어, 서셉터 본체)를 개략적으로 나타낸다.
도 1b는 도 1a의 라인 A-A'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이다.
도 2a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 서셉터 본체와 림이 분리되어 있는 모습을 개략적으로 나타낸다.
도 2b는 도 2a의 서셉터 본체와 림이 결합된 모습을 나타낸다.
도 2c는 도 2b의 라인 B-B'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이다.
도 2d는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따라 기판이 림에 안착된 모습을 나타낸다.
도 2e는 본 발명의 기술적 사상에 의한 추가 실시예들에 따른 림을 도시한다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따른 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 에지 제외 영역(edge exclusion zone)을 포함하는 기판을 개략적으로 나타낸다.
도 5a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따라 하나 이상의 그루브를 포함하는 림을 도시한다.
도 5b는 도 5a의 라인 C-C'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이다.
도 5c는 도 5a 및 도 5b의 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 일부의 확대도이다.
도 6a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따라 하나 이상의 그루브를 포함하는 기판 지지 장치를 도시한다.
도 6b는 도 6a의 라인 D-D'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이다.
도 6c는 도 6a 및 도 6b의 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 일부의 확대도이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따라 관통 홀을 포함하는 기판 지지 장치를 도시한다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따라 관통 홀을 포함하는 기판 지지 장치 및 반응기 벽을 도시한다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따른 기판 지지 장치를 도시한다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 개략적으로 나타낸다.
도 11은 도 5a내지 도 5c의 기판 지지 장치를 이용하여 공정을 수행할 때 기판 후면에 증착된 SiO2 막의 두께를 도시한다.
도 12는 도 11의 공정 수행 시 이용되는 기판을 개략적으로 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 아래의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하며 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 영역 및/또는 부위들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부위들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 특정 순서나 상하, 또는 우열의 의미하지 않으며, 하나의 부재, 영역 또는 부위를 다른 부재, 영역 또는 부위와 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1 부재, 영역 또는 부위는 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2 부재, 영역 또는 부위를 지칭할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 지지 장치를 개략적으로 나타낸다. 도 1b는 도 1a의 라인 A-A'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 기판 지지 장치는 서셉터 본체(13)를 포함할 수 있다. 서셉터 본체(13)는 그 일면에 내면부(1), 주변부(3), 그리고 상기 내면부(1)와 주변부(3) 사이에 형성된 오목부(concave portion)(2)를 포함할 수 있다. 후술되는 바와 같이, 상기 오목부(2)에는 림이 배치될 수 있다.
상기 내면부(1)와 상기 오목부(2)는 제1 단차부(10)를 형성한다. 제1 단차부(10)는 내면부(1)와 오목부(2) 사이에 형성될 수 있다. 상기 주변부(3)와 상기 오목부(2)는 제2 단차부(20)를 형성한다. 제2 단차부(20)는 주변부(3)와 오목부(2) 사이에 형성될 수 있다. 상기 림은 제1 단차부(10)와 제2 단차부(20) 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 서셉터 본체(13)는 연속된 하나의 부품으로 제조되며, 일반적으로 원형 및 디스크 형태이다. 그러나 서셉터 본체(13)의 형태는 이에 제한되지 않으며 피처리 기판의 형태에 상응하는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 피처리 기판이 사각형의 디스플레이 기판인 경우, 서셉터 본체(13)는 이러한 사각형의 기판을 수용할 수 있도록 사각형의 형상을 가질 수 있다.
상기 서셉터 본체(13)는 예를 들어, 150 mm, 200 mm 및 300 mm 의 기판을 포함하는 임의 직경의 반도체 기판을 수용할 수 있는 크기로 조정되고 구성될 수 있다. 또한, 서셉터 본체(13)는 서셉터 본체(13)를 지지하는 히터 블록(미도시)으로부터 기판으로 열을 원활히 전달하기 위해 알루미늄 또는 합금과 같은 금속재질 혹은 열전도율이 높은 재질로 이루어질 수 있다.
상기 내면부(1)는 기판을 로딩하고 지지하기 위해 적어도 한 개의 기판 지지핀 홀(22)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 내면부(1)는 서셉터 본체(13)를 히터 블록(미도시) 상에 고정하기 위해 적어도 하나의 서셉터 본체 고정 지지핀 홀(23)을 포함할 수 있다.
상기 주변부(3)는 반응기의 반응기 벽과 면접촉(face-contact) 및 면실링(face-sealing)하여 반응 공간을 형성하기 위해 평평한 표면을 가질 수 있다. 상기 내면부(1)는 히터 블록(미도시)으로부터 기판으로 열을 균일하게 전달하기 위해 평평한 표면을 가질 수 있다.
한편, 서셉터 본체(13)의 구조는 도 1a 및 도 1b에 도시한 것에 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 오목부(2)는 평평한 것으로 도시되어 있지만, 대안적으로 오목부(2)는 둥근 표면을 가질 수도 있다. 또한, 내면부(1) 역시 오목면을 가질 수 있다. 고온 공정에서 피처리 기판이 변형되는 경우 소정의 곡률을 가질 수 있는데, 내면부(1)의 오목면의 곡률은 이러한 고온 공정에서의 변형된 기판의 곡률과 상응할 수 있고, 그에 따라 기판으로의 균일한 열전달이 달성될 수 있다.
도 2a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 서셉터 본체와 림이 분리되어 있는 모습을 개략적으로 나타낸다. 도 2b는 도 2a의 서셉터 본체와 림이 결합된 모습을 나타낸다. 도 2c는 도 2b의 라인 B-B'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이다. 도 2d는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따라 기판이 림에 안착된 모습을 나타낸다. 도 2e는 본 발명의 기술적 사상에 의한 추가 실시예들에 따른 림을 도시한다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 본 발명에 따른 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 지지 장치는 서셉터 본체(13) 그리고 기판을 지지하기 위한 림(4)을 포함할 수 있다. 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 림(4)은 오목부(2)에 안착될 수 있다. 상기 림(4) 상에는 피처리 기판이 안착될 수 있다.
상기 림(4)은 상기 서셉터 본체(13)의 내면부(1)와 주변부(3) 사이에 배치될 수 있다. 바람직하게는, 상기 림(4)은 상기 내면부로부터 이격되어 배치되어, 고온에서 상기 내면부(1) 또는 림(4)이 수평방향으로 열팽창을 해도 서셉터 본체(13)가 그 형상을 유지할 수 있게 한다. 예를 들어 도 2c에 도시된 바와 같이 상기 제1 단차부(10)와 상기 림(4)은 W 거리만큼 서로 이격되어 위치할 수 있다.
상기 서셉터 본체(13)와 상기 림(4)은 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 서셉터 본체(13)는 기판으로 열을 원활히 전달하기 위해 알루미늄 또는 합금과 같은 금속재질 혹은 열전도율이 높은 재질로 이루어질 수 있다. 상기 림(4)은 절연체를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 림(4)은 예를 들어 고온에서도 기판을 안정적으로 지지하기 위해 열팽창율이 낮은 물질(예를 들어 세라믹)로 이루어질 수 있다.　
상기 림(4)은 직사각형 단면을 갖는 도넛형일 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 예를 들어, 오목부(2)가 둥근 오목면을 가진 경우, 상기 림(4)은 아랫면이 볼록한 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 추가 실시예에 따르면, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 림(4)은 그것의 상부면 안쪽에 상기 내면부를 향한 제3 단차부(S)를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판(5)은 상기 제3 단차부(S)의 안쪽으로 안착될 수 있다. 추가 실시예에서, 상기 제3 단차부(S)는 패드(P)를 더 포함할 수 있으며, 상기 기판(5)은 상기 패드(P) 상에 안착될 수 있다. 상기 패드(P)에는 상기 기판(5)의 에지 부분(예를 들어, 에지 제외 영역(도 4의 Z))이 안착될 수 있다. 상기 제3 단차부(S)는 기판 로딩 시 기판의 슬라이딩 혹은 이탈을 방지할 수 있다.
상기 서셉터 본체(13) 및/또는 상기 림(4)은 예를 들어, 150 mm, 200 mm 및 300 mm 의 기판을 포함하는 임의 직경의 반도체 기판을 수용할 수 있는 크기로 조정되고 구성될 수 있다.
상기 림(4)은 상기 서셉터 본체(13)로부터 탈착 가능할 수 있다. 보다 구체적으로, 림(4)의 외주면과 서셉터 본체(13)의 오목부의 내주면이 기계적으로 결합됨으로써(예를 들어, 상기 외부면과 상기 내주면 사이의 마찰력에 의해) 림(4)이 서셉터 본체(13)에 장착될 수 있다. 추가 실시예에서, 상기 림(4)은 상이한 너비 및/또는 높이의 림으로 교체될 수 있다. 도 2a 내지 도 2c에는 상기 서셉터 본체(13)와 상기 림(4)은 분리형으로 구성되어 있지만, 일체형으로 구성될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 내면부(1)의 높이(즉, 제1 단차부(10)의 높이(a))는 상기 림(4)의 높이(b) 보다 낮게 구성될 수 있다. 즉, 상기 내면부(1)의 상면은 상기 림(4)의 상면보다 아래에 위치할 수 있다. 이러한 구성은, 도 2d에 도시된 바와 같이, 기판(5)이 상기 림(4) 상에 안착되었을 때, 상기 기판(5)의 하면과 상기 내면부(1)가 서로 이격되게 한다.
히팅 블록(도 3의 참조번호 32)으로부터 기판(5)으로의 열복사가 잘 이루어질 수 있도록, 상기 기판(5)과 내면부(1) 사이의 거리(b-a)는 예를 들어 0.1 mm 내지 0.5mm 일 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 거리(b-a)는 약 0.3 mm 일 수 있다.
또한, 서셉터 본체의 주변부(3)의 높이, 즉 제2 단차부(20)의 높이(c)는 상기 림(4)의 높이(b) 보다 낮게 구성될 수 있다. 이로써, 반응기 벽(도 3의 참조번호 39)과 주변부(3)의 접촉면에 공정 기체가 침투하여 생기는 오염원(예를 들어, 오염 입자) 또는 접촉면에 잔류하는 파티클 등이 반응 공간(도 3의 참조번호 R)으로 역류하는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 에지 제외 영역(edge exclusion zone)을 포함하는 기판을 개략적으로 나타낸다.
기판은 가장자리에 에지 제외 영역(Z)을 포함할 수 있고, 에지 제외 영역(Z)은 다이(die; 소자 형성 부위)로 이용되지 않기 때문에 증착의 균일성이 요구되지 않는다는 점에서 기판의 나머지 영역과 구별된다. 통상적으로, 에지 제외 영역(Z)은 기판의 가장자리 부분의 2 mm 내지 3 mm 영역에서 형성된다. 본원에서, 기판(5)의 에지 제외 영역(Z)은 간격 M을 갖는다고 가정한다.
도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따라 도 4의 기판이 림에 안착된 모습을 나타낸다.
본 실시예에서, 서셉터 본체와 림(4)은 열전도율이 상이한 물질로 이루어져 있으며 기판(5)과 내면부(1)는 서로 이격되어 있다. 이로써, 기판(5)은 림(4)과 접촉한 부분과 접촉하지 않은 부분에서 온도가 상이할 수 있다. 증착 공정은 일반적으로 기판(5)의 온도에 민감하기 때문에, 이러한 온도 불균일성은 증착 공정에 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, 도 2d에 도시된 바와 같이, 기판(5)이 상기 림(4)에 안착할 때 상기 림(4)은 상기 에지 제외 영역(Z) 내에서만 상기 기판(5)과 접촉하는 것이 바람직하다. 이로써, 기판(5) 중 에지 제외 영역(Z)을 제외한 영역에서는 온도 균일성이 보장될 수 있기 때문이다.
서셉터 본체(13)와 림(4)을 포함하는 이러한 ECS(Edge Contact Susceptor)의 구체적인 일 실시예는 한국 특허출원 제10-2017-0066979호에 상세히 기술되어 있다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따른 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
본 명세서에서 설명된 기판 처리 장치의 예로서 반도체 또는 디스플레이 기판의 증착 장치를 들 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않음에 유의한다. 기판 처리 장치는 박막 형성을 위한 물질의 퇴적을 수행하는데 필요한 여하의 장치일 수도 있고, 물질의 식각 내지 연마를 위한 원료가 균일하게 공급되는 장치를 지칭할 수도 있다. 이하에서는 편의상 기판 처리 장치가 반도체 증착 장치임을 전제로 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반응기(38), 반응기 벽(39), 서셉터 본체(13) 및 림(4)을 포함하는 기판 지지 장치, 히터 블록(32), 기체 유입부(33), 기체 공급부(34, 35) 및 배기부(31)를 포함한다.
도 3을 참조하면, 기판 지지 장치가 반응기(38) 내에 설치되어 있다. 예시된 실시예에서, 기판 지지 장치는 예를 들어 도 2a 내지 도 2d에 도시된 기판 지지 장치일 수 있다. 서셉터 본체(13)는 내면부(1), 주변부(3), 그리고 그 사이에 형성된 오목부(2)로 형성되며, 림(4)은 상기 오목부(2)에 배치되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 내면부(1)의 상면은 림(4)의 상면보다 아래에 위치하며, 그에 의해 기판(5)의 하면은 상기 내면부(1)와 이격된다. 이에 의해, 상기 기판(5)의 하면과 상기 내면부(1) 사이에 이격 공간(G)이 형성된다.
상기 반응기(38)는 ALD(Atomic Layer Deposition) 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정이 진행되는 반응기이다. 반응기 벽(39)과 기판 지지 장치의 주변부(3)는 면접촉(face-contact) 및 면실링(face-sealing)을 하여 반응 공간(R)을 형성한다. 반응기 벽(39)과 주변부(3)의 접촉면에 공정 기체가 침투하여 생기는 오염원 등이 반응 공간(R)으로 역류하는 것을 방지하기 위해, 상기 림(4)의 높이는 상기 주변부(3) 보다 높은 것이 바람직하다.
기판(5)의 탑재/탈착(loading/unloading)을 위해 서셉터 본체(13)와 히터블록(32)은 상기 히터블록(32))의 일측으로 제공된 장치(미도시)와 연결되어 함께 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 서셉터 본체(13)및 히터블록(32)은 상기 서셉터 본체(13)및 히터블록(32)을 상승/하강시킬 수 있는 장치와 연결되어, 상기 반응기 벽(39)과 상기 서셉터 본체(13) 사이에 기판이 투입될 수 있는 투입구를 형성할 수 있다. 도 3의 경우, 상기 림(4)에는 기판(5)이 탑재되어 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반응기(38)는 상단 배기(upward exhaust) 구조를 가질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
히터 블록(32)은 열선을 포함하며, 상기 서셉터 본체(13) 및 상기 기판(5)에 열을 공급할 수 있다. 상기 기체 공급부(gas supply unit)는 기체 채널(34), 기체 공급 플레이트(35), 기체 흐름 채널(36) 포함할 수 있다. 상기 기체 흐름 채널(36)은 기체 채널(34)과 기체 공급 플레이트(35) 사이에 형성될 수 있다. 기체 유입부(gas inlet unit)(33)를 통해 유입된 공정 기체는 상기 기체 흐름 채널(36)과 기체 공급 플레이트(35)를 통해 반응 공간(R)과 기판(5)으로 공급될 수 있다. 상기 기체 공급 플레이트(35)는 샤워헤드일 수 있으며, 샤워헤드의 베이스는 공정 기체를 분출하도록 (예를 들어, 수직 방향으로) 형성된 복수개의 기체 공급 홀을 포함할 수 있다. 상기 기판(5) 상에 공급된 공정 기체는 기판과의 화학반응 또는 기체 상호간의 화학반응을 한 후, 상기 기판(5) 상에 박막을 증착시키거나 또는 박막을 식각할 수 있다.
배기부는 배기 채널(31), 배기 포트(37)를 포함할 수 있다. 상기 반응 공간(R)에서, 기판과의 화학반응 이후 잔존하는 잔류 기체 또는 미반응 기체는 반응기 벽(39) 내에 형성된 배기 채널부(31), 배기 포트(37)와 배기펌프(미도시)를 통해 외부로 배기될 수 있다. 상기 배기 채널(31)은 상기 반응기 벽(39) 내부에서 상기 반응기 벽(39)을 따라 연속으로 형성될 수 있다. 상기 배기 채널(31) 상부의 일부는 배기 포트(37)와 연결될 수 있다.
상기 기체 채널(34)과 상기 기체 공급 플레이트(35)는 금속재질이며, 스크류 등의 결합수단으로 기계적으로 연결되어 있어 플라즈마 공정시 전극(electrode)의 역할을 할 수 있다. 플라즈마 공정시에는 고주파(RF) 전원은 일측 전극으로서 기능하는 샤워헤드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, RF 전원과 연결된 RF 로드(40)가 상기 반응기 벽(39)을 관통하여 상기 기체 채널(34)과 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 서셉터 본체(13)는 타측 전극으로서 기능할 수 있다. 일부 실시예들에서, 예를 들어 플라즈마 공정 동안 인가된 플라즈마 파워가 주변으로 방전되는 것을 방지하기 위하여, RF 로드(40)와 반응기 벽(39) 사이, 그리고/또는 상기 기체 채널(34)과 상기 반응기 벽(39) 사이에는 절연체(미도시)가 삽입되어 적층구조를 이룰 수 있고 플라즈마 파워의 누설을 방지함으로써 플라즈마 공정의 효율을 높일 수 있다.
상기 반응기의 기체 유입부와 기체 유출부의 구체적인 일 실시예는 한국 특허출원 제10-2016-0152239호에 상세히 기술되어 있다.
이 때, 상기 기체 공급부(35)를 통해 반응 공간(R)으로 유입되는 기체는 기판 처리 과정의 단계에 따라 그 유량의 변동이 발생하고, 이에 따라 압력 변동이 발생한다. 예를 들어, 원자층 증착 공정의 경우, 잦은 기체의 교체로 인하여, 기판 처리 공정 동안, 상기 기판(5)을 기준으로 반응 공간(R)과 이격 공간(G) 사이에 대략 3 Torr 내지 10 Torr의 압력 차이가 발생한다. 이러한 압력 차이로 인하여, 기판(5)은 공정 중에 기판 지지 장치로부터 탈착되거나 또는 본래의 위치를 벗어나게 된다. 이에 따라, 기판(5)과 림(4) 사이에 틈(gap)이 발생하게 되고, 이러한 틈 사이로 공정기체가 침투하여 기판의 뒷면에 원하지 않는 박막이 증착하게 된다. 기판의 뒷면에 증착된 막은 반응기 내의 오염원이 될 뿐만 아니라 이후 후속 공정에서도 장치를 오염시키는 오염원이 되며, 반도체 소자 수율과 소자 특성을 저하시키게 된다. 따라서 반응 공간(R)과 이격 공간(G) 사이의 압력 차이가 발생하는 문제를 해결하는 방법이 요구된다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 반응 공간과 이격 공간을 연결하는 채널을 도입한다. 이러한 채널은 서셉터 본체, 림 또는 반응기 벽 중 적어도 하나의 내부 또는 표면에 형성될 수 있다. 이하에서는, 도 5a 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치에 관하여 설명한다. 또한, 이격 공간에 불활성 기체를 주입하여 이격 공간 내 일정 압력을 유지할 수 있는 기판 지지 장치 및 기판 처리 방법에 관하여 설명한다.
도 5a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따라 하나 이상의 그루브를 포함하는 림을 도시한다.
림(4)의 표면에는 그리고/또는 림(4)의 내측벽(WI)과 외측벽(WO) 사이에는 하나 이상의 채널이 형성될 수 있다. 상기 채널은 제1 서브 채널(50) 및 제2 서브 채널(51)을 포함할 수 있다. 도 5a의 경우, 상기 제1 서브 채널(50)은 그루브(groove)이다. 상기 제1 그루브(50)는 림(4)의 외측벽(WO)에 형성될 수 있다. 상기 제1 그루브(50)는 림(4)의 외측벽(WO)에서 림(4)의 상면(U)에서부터 하면(L)까지 연장할 수 있다. 상기 제1 그루브(50)는 림(4)의 외측벽(WO)의 원주방향을 따라 서로 이격되어 복수 개 배치될 수 있다. 상기 제1 그루브(50)는 림의 중심축 또는 기판 지지 장치의 중심축에 대해 대칭적으로 배열될 수 있다.
또한, 제2 그루브(51)는 서셉터 본체의 오목부와 접하는 표면(즉, 림(4)의 하면)에 형성될 수 있다. 도 5a의 경우, 상기 제2 서브 채널(51)은 그루브(groove)이다. 상기 제2 그루브(51)는 림(4)의 하면에서 림(4)의 외측벽(WO)에서부터 내측벽(WI)까지 연장할 수 있다. 상기 제2 그루브(51)는 림(4)의 하면의 원주방향을 따라 서로 이격되어 복수 개 배치될 수 있다. 상기 제2 그루브(51)는 림의 중심축 또는 기판 지지 장치의 중심축에 대해 대칭적으로 배열될 수 있다. 이와 같은 대칭적 배열로 인해, 후술되는 바와 같이, 반응 공간 내의 기체는 상기 제1 그루브(50) 및 제2 그루브(51)를 통해 이격 공간으로 균일하게 유입될 수 있다. 상기 제1 그루브(50) 및 상기 제2 그루브(51)는 서로 맞물리며 서로 연통할 수 있다.
도 5b는 도 5a의 림이 서셉터 본체에 장착된 모습을 도 5a의 라인 C-C'를 따라 취해진 횡단면도이다.
도 5b를 참조하면, 본 발명에 따른 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 기판 지지 장치는 서셉터 본체(13) 및 그리고 기판을 지지하기 위한 림(4)을 포함할 수 있다. 상기 림(4)은 오목부에 안착될 수 있다. 상기 림(4) 상에는 기판(5)이 안착될 수 있다. 상기 내면부(1)의 상면은 상기 림(4)의 상면보다 아래에 위치할 수 있다. 이러한 구성은 기판(5)이 상기 림(4) 상에 안착되었을 때, 상기 기판(5)의 하면과 상기 내면부(1)가 서로 이격되게 한다. 이에 따라, 기판(5)의 하면과 내면부(1) 사이에 제1 공간(G1)이 형성된다. 상기 기판(5)의 상부에는 제2 공간(R1)이 형성된다.
림(4)의 표면에는 하나 이상의 채널이 형성될 수 있다. 상기 하나 이상의 채널은 함께 또는 단독으로 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1)을 연결할 수 있다.
구체적으로, 상기 채널은 제1 서브 채널(50) 및 제2 서브 채널(51)을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브 채널(50)은 림(4)의 외측벽(WO)에서 림(4)의 상면에서부터 하면까지 연장하며, 제2 공간(R1)과 연통할 수 있다. 상기 제2 서브 채널(51)은 림(4)의 하면에서 림(4)의 외측벽(WO)에서부터 내측벽(WI)까지 연장하며, 제1 공간(G1)과 연통할 수 있다. 상기 제1 서브 채널(50)은 상기 제2 서브 채널(51)과 연통할 수 있다. 상기 제1 서브 채널(50)은 상기 제2 서브 채널(51)을 통해 제1 공간(G1)과 연통할 수 있다. 이로써, 상기 제1 서브 채널(50)은 상기 제2 서브 채널(51)은 함께 상기 제1 공간(G1)과 상기 제2 공간(R1)을 연결하는 역할을 수행한다.
상기 제1 서브 채널(50) 및 상기 제2 서브 채널(51)의 개수 및/또는 각 채널의 폭(width)을 조정함으로써, 상기 제2 공간(R1)으로부터 상기 제1 공간(G1)으로 유입되는 기체의 유량을 조절할 수 있다.
제1 서브 채널(50)의 폭(h1) 및 제2 서브 채널(51)의 폭(h2)은 기판과 내면부 간의 이격 거리 보다 작을 수 있다. 이는 제1 서브 채널(50) 및 제2 서브 채널(51)을 통해 상기 제2 공간(R1)으로부터 제1 공간(G1)으로 유입된 기체가 상기 채널을 통해 다시 제2 공간(R1)으로 방출되기 어렵게 만들기 위함이다. 이로써, 도 10 및 도 11을 참조하여 후술하는 바와 같이, 박막 공정 전에 공급되는 불활성 기체는 상기 채널을 통해 제1 공간(G1)으로 유입되고, 유입된 불활성 기체는 제2 공간(R1)으로 실질적으로 방출되지 않고, 제1 공간(G1)에 남아있을 수 있다. 남아있는 불활성 기체는 박막 증착 단계 동안 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1) 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
도 5c는 도 5a 및 도 5b의 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 일부의 확대도이다.
도 5c를 참조하면, 반응기 벽(39)과 기판 지지 장치의 주변부(3)는 면접촉(face-contact) 및 면실링(face-sealing)을 하여 반응 공간(R)을 형성한다. 기판 지지 장치의 림에 장착된 기판(5)의 하면과 내면부가 서로 이격되며, 이에 따라, 기판(5)의 하면과 내면부 사이에 이격 공간(G)이 형성된다.
림(4)과 서셉터 본체(13) 사이에 그리고 림(4)과 반응기 벽(39) 사이에 하나 이상의 채널이 형성될 수 있다. 상기 채널은 이격 공간(G)과 반응 공간(R)을 연결한다. 본 실시예에서, 상기 채널은 그루브(groove)일 수 있다.
상기 채널은 제1 서브 채널(50) 및 제2 서브 채널(51)을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브 채널(50)은 림(4)과 반응기 벽(39) 사이에 형성되며, 반응 공간(R)과 연통할 수 있다. 상기 제2 서브 채널(51)은 림(4)과 서셉터 본체(13) 사이에 형성되며, 이격 공간(G)과 연통할 수 있다. 반응 공간(R)은 상기 제1 서브 채널(50) 및 상기 제2 서브 채널(51)을 통해 이격 공간(G)과 연통할 수 있다.
도 6a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따라 하나 이상의 그루브를 포함하는 기판 지지 장치를 도시한다. 이 실시예들에 따른 기판 지지 장치는 전술한 실시예들에 따른 기판 지지 장치의 변형일 수 있다. 이하 실시예들간 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도 6b는 도 6a의 라인 D-D'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이며, 림 상에 기판이 안착되어 있다.
도 5a 내지 도 5c의 기판 지지 장치와는 달리, 도 6a 및 도 6b에서, 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1)을 연결하는 하나 이상의 채널은 서셉터 본체(13)에 형성될 수 있다. 상기 채널은 제1 서브 채널(60) 및 제2 서브 채널(61)을 포함할 수 있다. 도 6a 및 도 6b의 경우, 상기 제1 서브 채널(60) 및 상기 제2 서브 채널(61)은 그루브(groove)이다. 상기 제1 서브 채널(60)은 서셉터 본체의 주변부(3)의 내측벽에, 즉 림(4)과 주변부(3) 사이에 형성될 수 있다. 상기 제1 서브 채널(60)은 상기 주변부(3)의 내측벽을 따라 상기 주변부(3)의 상면에서 오목부(2)의 상면까지 연장할 수 있다. 상기 제1 서브 채널(60)은 제2 공간(R1)과 연통할 수 있다. 상기 제1 서브 채널(60)은 주변부(3)의 내측벽에서 원주방향을 따라 서로 이격되어 복수 개 배치될 수 있다. 상기 제1 서브 채널(60)은 기판 지지 장치의 중심축에 대해 대칭적으로 배열될 수 있다.
상기 제2 서브 채널(61)은 서셉터 본체의 오목부(2)의 상면에, 즉 림(4)과 오목부(2) 사이에 형성될 수 있다. 상기 제2 서브 채널(61)은 오목부(2)의 상면 상에서 상기 주변부(3)의 내측벽으로부터 상기 제1 단차부(10)까지 연장할 수 있다. 상기 제2 서브 채널(61)은 오목부(2)의 상면에서 원주방향을 따라 서로 이격되어 복수 개 배치될 수 있다. 상기 제2 서브 채널(61)은 기판 지지 장치의 중심축에 대해 대칭적으로 배열될 수 있다. 상기 제2 서브 채널(61)은 제1 공간(G1)과 연통할 수 있다.
상기 제1 서브 채널(60)과 상기 제2 서브 채널(61)은 서로 맞물릴 수 있다. 상기 제1 서브 채널(60)은 상기 제2 서브 채널(61)을 통해 제1 공간(G1)과 연통할 수 있다. 이로써, 상기 제1 서브 채널(60) 및 상기 제2 서브 채널(61)은 함께 상기 제1 공간(G1)과 상기 제2 공간(R1)을 연결하는 역할을 수행한다.
제1 서브 채널(60)의 폭(h3) 및 제2 서브 채널(61)의 폭(h4)은 기판과 내면부 간의 이격 거리 보다 훨씬 작을 수 있다. 이는 상술한 바와 같이 제1 서브 채널(60) 및 제2 서브 채널(61)을 통해 상기 제2 공간(R1)으로부터 제1 공간(G1)으로 유입된 기체가 상기 채널을 통해 다시 제2 공간(R1)으로 방출되기 어렵게 만들기 위함이다. 이로써, 도 10 및 도 11을 참조하여 후술하는 바와 같이, 기판 처리 공정 전에 제1 공간(G1)으로 유입된 불활성 기체는 박막 공정 동안 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1) 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
도 6c는 도 6a 및 도 6b의 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 일부의 확대도이다.
도 6c를 참조하면, 반응기 벽(39)과 기판 지지 장치의 주변부(3)는 면접촉(face-contact) 및 면실링(face-sealing)을 하여 반응 공간(R)을 형성한다. 기판 지지 장치의 림에 장착된 기판(5)의 하면과 내면부가 서로 이격되며, 이에 따라, 기판(5)의 하면과 내면부 사이에 이격 공간(G)이 형성된다.
림(4)과 서셉터 본체(13) 사이에 그리고 림(4)과 반응기 벽(39) 사이에 하나 이상의 채널이 형성될 수 있다. 상기 채널은 이격 공간(G)과 반응 공간(R)을 연결한다. 본 실시예에서, 상기 채널은 그루브(groove)일 수 있다.
구체적으로, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명한 바와 같이, 림(4)과 서셉터 본체(13) 사이에 제1 서브 채널(60) 및 제2 서브 채널(61)이 형성될 수 있다. 상기 제2 서브 채널(61)은 이격 공간(G)과 연통할 수 있으며, 제1 서브 채널(60)과도 연통할 수 있다. 이에 추가하여, 림(4)과 반응기 벽(39) 사이에 제3 서브 채널(62)이 형성될 수 있다. 특히, 상기 제3 서브 채널(62)은 반응기 벽(39)의 표면에 형성된 그루브일 수 있다. 상기 제3 서브 채널(62)은 반응 공간(R)과 제1 서브 채널(60)과 연통할 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 채널(60), 제2 서브 채널(61) 및 제3 서브 채널(62)은 함께 반응 공간(R)과 이격 공간(G)을 연결할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 서브 채널(60), 제2 서브 채널(61) 및 제3 서브 채널(62)은 그루브(groove)이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따라 관통 홀을 포함하는 기판 지지 장치를 도시한다. 이 실시예들에 따른 기판 지지 장치는 전술한 실시예들에 따른 기판 지지 장치의 변형일 수 있다. 이하 실시예들간 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도 7a는 채널을 포함하는 림의 상면도를 도시한다. 도 7b 내지 도 7e는 각각 도 7a의 기판 지지 장치의 변형 예들을 도시한다. 도 7b 내지 도 7e에서, 림 상에 기판이 안착되어 있다.
도 7a를 참조하면, 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1)을 연결하는 하나 이상의 채널은 림의 내측벽(WI)과 외측벽(WO) 사이에 형성될 수 있다. 상기 채널은 상기 림 상면 상에서 기판 지지 장치의 중심으로부터 제1 거리(이 경우, D1)만큼 이격된 원주를 따라 서로 이격되어 복수 개 배치될 수 있다. 상기 제1 거리(D1)는 기판의 반경보다 큰 것이 바람직하다. 이로써, 림(4) 상에 기판이 안착될 때, 상기 기판이 상기 채널과 접하지 않을 수 있다. 상기 하나 이상의 채널은 기판 지지 장치의 중심축에 대해 대칭적으로 배열될 수 있다. 전술한 기판 지지 장치와는 달리, 도 7a 경우, 상기 하나 이상의 채널은 림의 적어도 일부를 관통하는 관통 홀이다.
도 7b는 도 7a의 기판 지지 장치의 일례를 나타내며, 도 7a의 라인 E-E'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이다.
도 7b를 참조하면, 도 7a의 채널은 림의 내측벽(WI)과 외측벽(WO) 사이에 형성될 수 있다. 상기 채널은 제1 서브 채널(70) 및 제2 서브 채널(71)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 서브 채널(70) 및 제2 서브 채널(71)은 관통 홀이다. 상기 제1 서브 채널(70)은 림의 내측벽(WI)과 외측벽(WO) 사이에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 서브 채널(70)은 상기 림(4)의 상면에 접하여 제2 공간(R1)과 연통하며, 상기 림을 관통하여 림의 하향 방향으로 연장하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 서브 채널(70)은 기판 지지 장치의 중심으로부터 제1 거리(D1)만큼 이격된 원주를 따라 복수 개 배치될 수 있다. 상기 제1 서브 채널(70)은 기판 지지 장치의 중심축에 대해 대칭적으로 배열될 수 있다.
림(4) 상에 기판이 안착될 때, 상기 기판이 상기 제1 서브 채널(70)과 접하지 않도록, 상기 제1 거리(D1)는 기판의 반경보다 큰 것이 바람직하다. 기판(5)과 제1 서브 채널(70)이 접한다면, 제1 서브 채널(70)을 통해 반응 공간(R1)으로부터 유입되는 기체가 곧바로 기판(5)의 후면에 증착될 수 있기 때문이다. 일반적으로, 기판(5)이 상기 림(4)에 안착할 때 상기 림(4)은 기판의 에지 제외 영역 내에서만 상기 기판(5)과 접촉한다. 따라서, 기판과 제1 서브 채널(70)이 접하지 않기 위해서는, 도 7b에 도시된 바와 같이, 림(4)의 내측벽(WI)으로부터 상기 제1 서브 채널(70)까지의 제2 거리(d1)는 에지 제외 영역의 간격 M보다 커야 한다.
추가적 실시예에서, 반응 공간(R1) 내의 공정 기체가 기판(5)의 하부로 침투하는 것을 방지하기 위해, 기판은 제1 서브 채널(70)과 접하지 않을 수 있다. 또한, 반응 공간(R1) 내의 공정 기체가 기판(5)의 후면에 바로 침투하는 것을 방지하기 위해, 기판의 에지 제외 영역과 림의 접촉 부분은 연속적으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판의 에지 제외 영역과 림의 접촉 부분은 기판 지지 장치의 중심으로부터 일정 거리만큼 이격된 원주를 따라 연속적으로 형성될 수 있다. 이러한 접촉 부분은 림의 상면을 따라 일정 두께의 폭을 갖는 링 모양의 접촉면을 형성할 것이다. 이러한 접촉면은 반응 공간(R1) 내의 공정 기체가 기판(5)의 후면에 바로 침투하는 것을 막는 방어벽 역할을 할 것이다.
상기 제2 서브 채널(71)은 상기 제1 서브 채널(70)과 연통하며, 제1 공간(G1)을 향하여 림(4)의 측 방향으로 연장하도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 서브 채널(71)은 상기 림(4)의 내측벽(WI)에 접하여 제1 공간(G1)과 연통하며, 상기 림(4)을 관통하여 림(4)의 측 방향으로 연장하도록 형성될 수 있다. 상기 제1 서브 채널(70)은 제2 서브 채널(71)을 통해 제1 공간(G1)과 연통할 수 있다. 상기 제2 서브 채널(71)은 기판 지지 장치의 중심으로부터 이격된 원주를 따라 복수 개 배치될 수 있다. 변형예에서, 상기 제2 서브 채널(71)은 기판 지지 장치의 중심으로부터 이격된 원주를 따라 원주 방향으로 연속적으로 형성될 수 있다. 이로써, 제1 서브 채널(70) 및 제2 서브 채널(71)을 통해 제1 공간(G1)에 균일하게 기체가 유입될 수 있다.
도 7b의 경우, 상기 제2 서브 채널(71)은 림(4)의 하면을 따라 연장한다. 이에 따라, 제2 서브 채널(71)은 림(4)의 최하단에서 제1 공간(G1)과 접할 수 있다. 변형예에서, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 제2 서브 채널(71)은 림(4)의 하면과 이격되어 형성될 수도 있다. 이 경우, 제1 서브 채널(70)은 림(4)의 적어도 일부를 관통할 수 있다. 상기 제2 서브 채널(71)과 상기 기판(5)이 접하지 않도록, 상기 제2 서브 채널(71)과 제1 공간(G1)이 만나는 부분(도 7c의 X1)은 기판(5)의 하면으로부터 이격되어 있는 것이 바람직하다. 채널을 통해 제1 공간(G1)으로 유입된 기체가 채널을 통해 제2 공간(R1)으로 빠져나가기 어렵도록, 상기 채널의 길이가 길거나 그리고/또는 복잡한 것이 바람직하다. 따라서, 더 긴 채널 길이를 갖는 도 7b의 기판 지지 장치가 도 7c의 기판 지지 장치보다 바람직할 것이다. 추가 변형예에서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 채널을 통해 제1 공간(G1)으로 유입된 기체가 다시 채널로 유입되기 어렵도록, 상기 제2 서브 채널(71)은 제1 공간(G1)을 향하여 폭이 점점 좁아지는(tapering) 구조(도 7d의 X2)를 가질 수 있다.
제1 서브 채널(70)의 폭(h5) 및 제2 서브 채널(71)의 폭(h6)은 기판과 내면부 간의 이격 거리 보다 훨씬 작을 수 있다. 이는 상술한 바와 같이 제1 서브 채널(70) 및 제2 서브 채널(71)을 통해 상기 제2 공간(R1)으로부터 제1 공간(G1)으로 유입된 기체가 상기 채널을 통해 다시 제2 공간(R1)으로 방출되기 어렵게 만들기 위함이다. 이로써, 도 10 및 도 11을 참조하여 후술하는 바와 같이, 기판 처리 공정 전에 제1 공간(G1)으로 유입된 불활성 기체는 박막 증착 단계 동안 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1) 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1 서브 채널(70) 및 상기 제2 서브 채널(71)은 림을 관통하여 형성된 관통 홀로 도시되었지만, 상기 제1 서브 채널(70) 및/또는 상기 제2 서브 채널(71)은 다른 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 채널(70)은 상기 림을 관통하는 관통 홀이고, 상기 제2 서브 채널(71)은 상기 림의 하면에 형성된 그루브일 수 있다.
도 7e는 도 7a의 기판 지지 장치의 일례를 나타내며, 도 7a의 라인 E-E'를 따라 취해진 기판 지지 장치의 횡단면도이다.
도 7e를 참조하면, 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1)을 연결하는 채널은 제1 서브 채널(72) 및 제2 서브 채널(73)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 서브 채널(70) 및 제2 서브 채널(71)은 관통 홀이다. 상기 제1 서브 채널(72)은 림의 내측벽(WI)과 외측벽(WO) 사이에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 서브 채널(72)은 상기 림(4)의 상면에 접하여 제2 공간(R1)과 연통하며, 상기 림을 관통하여 림(4)의 하면까지 연장하도록 형성될 수 있다.
상기 제2 서브 채널(73)은 상기 제1 서브 채널(72)과 연통하며, 상기 서셉터 본체의 오목부를 관통하여 제1 공간(G1)과 연통하는 관통 홀일 수 있다. 전술한 바와 같이, 림(4)은 제1 단차부(10)로부터 W만큼 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 오목부(2)에는 림(4)과 접촉하는 부분(X4)과 림(4)과 접촉하지 않는 부분(X5)이 존재할 수 있다. 림(4)과 접촉하지 않는 부분(X5)은 제1 공간(G1)과 접할 수 있다. 상기 제2 서브 채널(73)은 림(4)과 접촉하는 부분(X4)에서 상기 제1 서브 채널(72)과 연통하며, 상기 서셉터 본체의 오목부를 관통하여 상기 림(4)과 접촉하지 않는 부분(X5)까지 연장하여, 제1 공간(G1)과 연통할 수 있다. 상기 제1 서브 채널(72)과 상기 제2 서브 채널(73)은 함께 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1)을 연결할 수 있다.
전술한 바와 같이, 채널을 통해 제1 공간(G1)으로 유입된 기체가 채널을 통해 제2 공간(R1)으로 빠져나가기 어렵도록, 상기 채널의 길이가 길거나 그리고/또는 복잡한 것이 바람직하다. 따라서, 더 긴 채널 길이를 갖고 채널 구조가 더 복잡한 도 7e의 기판 지지 장치가 도 7b 및 도 7c의 기판 지지 장치보다 바람직할 것이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따라 관통 홀을 포함하는 기판 지지 장치 및 반응기 벽을 도시한다. 이 실시예들에 따른 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치는 전술한 실시예들에 따른 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치의 변형일 수 있다. 이하 실시예들간 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
반응 공간(R)과 이격 공간(G)을 연결하기 위해 서셉터 본체(13) 및 반응기 벽(39)의 표면 및/또는 내부에 하나 이상의 채널이 형성될 수 있다. 상기 채널은 그루브(groove) 또는 관통 홀일 수 있다.
본 실시예에서, 상기 채널은 제1 서브 채널(80) 및 제2 서브 채널(81)을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브 채널(80)은 반응기 벽(39) 내부에 형성될 수 있다. 반응기 벽(39)은 림(4)과 접촉하는 부분(X6)과 림(4)과 접촉하지 않는 부분(X7)을 포함할 수 있다. 상기 림(4)과 접촉하지 않는 부분(X7)은 림(4)의 상부에 위치한다. 상기 제1 서브 채널(80)은 반응기 벽(39) 중 림(4)의 상면 보다 높은 위치에서(즉, 림(4)과 접촉하지 않는 부분(X7)) 상기 반응기 벽(39)을 측방향에서 관통하여 반응 공간(R)과 연통하며, 그리고 상기 반응기 벽(39)을 하향 방향으로 관통하여 주변부(3)의 상면까지 연장할 수 있다.
상기 제2 서브 채널(81)은 서셉터 본체 내부에 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 제2 서브 채널(81)은 서셉터 본체의 주변부(3) 및 오목부(2) 내부에 형성된 관통홀이다. 구체적으로, 상기 제2 서브 채널(81)은 상기 주변부(3)의 상면에 접하여 상기 제1 서브 채널(80)과 연통한다. 또한, 상기 제2 서브 채널(81)은 상기 서셉터 본체의 주변부(3) 및 오목부(2)를 관통하여, 오목부(2) 중 림과 접촉하지 않는 부분(X3)까지 연장할 수 있으며, 이격 공간(G)과 연통할 수 있다. 상기 반응 공간(R)은 상기 제1 서브 채널(80) 및 상기 제2 서브 채널(81)을 통해 이격 공간(G)과 연통할 수 있다.
전술한 바와 같이, 채널을 통해 제1 공간(G1)으로 유입된 기체가 채널을 통해 제2 공간(R1)으로 빠져나가기 어렵도록, 상기 채널의 길이가 길거나 그리고/또는 복잡한 것이 바람직하다. 따라서, 더 긴 채널 길이를 갖고 더 복잡한 채널 구조를 갖는 도 8의 기판 처리 장치가 전술한 기판 처리 장치보다 바람직할 것이다.
본 실시예에서, 상기 제1 서브 채널(80) 및 상기 제2 서브 채널(81)은 반응기 벽 및 서셉터 본체를 관통하여 형성된 관통 홀로 도시되었지만, 상기 제1 서브 채널(80) 및/또는 상기 제2 서브 채널(81)은 다른 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 채널(80)은 상기 반응기 벽(39)을 관통하는 관통 홀이고, 상기 제2 서브 채널(81)은 서셉터 본체의 표면에 형성된 그루브일 수 있다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따른 기판 지지 장치를 도시한다. 이 실시예들에 따른 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치는 전술한 실시예들에 따른 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치의 변형일 수 있다. 이하 실시예들간 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 9의 기판 지지 장치는 전술한 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치와는 달리 제1 공간(G1)과 제2 공간(R1)을 연결하는 채널을 포함하지 않는다. 그 대신에, 기판 후면 증착을 막기 위해 그리고/또는 제2 공간(R1)과의 압력 균형을 위해 제1 공간(G1)에 기체(예를 들어, 불활성 기체)를 공급할 수 있도록 기체 공급부(90)를 포함할 수 있다. 기체 공급부(90)로부터의 기체를 제1 공간(G1)에 공급하는 통로인 기체 공급 채널(92)은 서셉터 본체의 내면부(1)를 관통하여 형성되며, 상기 기체 공급부(90)와 연결될 수 있다. 상기 기체 공급 채널(92)은 제1 공간(G1)에 균일하게 기체를 공급하기 위해 내면부(1)의 중앙 부근에 배치될 수 있다. 또한, 기판 후면 증착을 막기 위해 그리고/또는 제2 공간(R1)과의 압력 균형을 위해 제1 공간(G1) 내의 기체를 배기할 수 있도록 배기 채널(93)을 포함할 수 있다. 상기 배기 채널(93)은 상기 제1 공간(G1)과 연통하도록 서셉터 본체 내에 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 배기 채널(93)은 서셉터 본체의 내면부(1)를 관통하여 형성되어 배기부(91)와 연결될 수 있다. 기체 공급부(90) 및 배기부(91)는 제1 공간(G1)과 제2 공간(G2)의 압력 균형을 유지하기 위해 제1 공간(G1) 내의 기체량을 조절할 수 있다. 이를 위해 기체 공급부(90)와 기체 공급 채널(92)사이, 배기부(91)와 배기 채널(93)사이에 각각 유량 제어기(flow controller, 미도시)가 추가될 수 있고, 상기 유량 제어기는 상기 제 2공간(R1)과 연결된 압력 계측기(pressure gauge)와 실시간으로 통신하면서 제 1공간(G1)에 공급되는 기체의 유량과 제 1공간(G1)내의 압력을 제어할 수 있다.
전술한 개시는 기판 지지 장치(예를 들어, 서셉터) 및 기판 처리 장치의 다수의 예시적인 실시예와 다수의 대표적인 이점을 제공한다. 간결성을 위해, 관련된 특징들의 제한된 개수의 조합들만 설명하였다. 그러나, 임의의 예의 특징이 임의의 다른 예의 특징과 조합될 수 있다는 것이 이해된다. 더욱이, 이들 이점이 비제한적이고 특별한 이점이 임의의 특별한 실시예의 특징이 되지 않거나, 또는 요구되지 않는다는 점이 이해된다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 개략적으로 나타낸다. 이 실시예들에 따른 기판 처리 방법은 전술한 실시예들에 따른 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 특히, 기판 처리 방법은 반응 공간과 이격 공간이 적어도 하나의 채널을 통해 서로 연통된 상태로 진행된다. 이하 실시예들간 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하에서는 설명의 편의를 위해, 도 5c의 기판 처리 장치를 사용한 경우를 예로 든다.
도 10을 참조하면, 기판 처리 방법은 기판 로딩 단계(1000), 불활성 기체 공급 단계(1010), 소스 기체 공급 단계(1020), 반응 기체 공급 단계(1040), 반응 기체 활성화 단계(1050), 기판 탈착 단계(1080)를 포함할 수 있다. 상기 소스 기체 공급 단계(1020), 반응 기체 공급 단계(1040), 반응 기체 활성화 단계(1050)를 순차적으로 반복 진행하여 원하는 두께의 박막을 증착할 수 있다.
구체적으로, 단계 1000에서, 기판 이송 아암(미도시)에 의해 기판(5)을 반응기 내의 기판 지지 장치에 로딩한다. 구체적으로, 기판(5)의 에지 제외 영역(도 4의 Z)이 림(4) 위에 안착되며, 기판(5)의 중앙부와 서셉터 본체의 내면부(1)는 서로 이격되어 이격 공간(G)을 형성할 수 있다. 기판(5)의 로딩을 위해 기판 지지 장치는 상기 기판 지지 장치의 일측으로 제공된 승강 장치(미도시)에 의해 연결되어 하부로 이동되며, 반응기 벽(39)과 기판 지지 장치 사이에 기판이 투입될 수 있는 투입구가 형성될 수 있다. 이러한 투입구를 통해 기판이 기판 처리 장치 내부로 반입될 수 있다. 기판 로딩이 완료되면, 기판 지지 장치는 승강 장치에 의해 상부로 이동하고, 반응기 벽(39)과 면접촉을 하여 반응 공간(R)을 형성할 수 있다.
단계 1010는 박막 공정 전에 수행되는 전처리 공정으로서, 반응 공간(R)으로 불활성 기체를 공급하는 단계이다. 예를 들어, 불활성 기체는 Ar 또는 N2일 수 있다. 반응 공간(R)으로 공급되는 불활성 기체는 적어도 하나의 채널(이 경우, 제1 그루브(50) 및 제2 그루브(51))을 통해 기판 하부 공간인 이격 공간(G)으로 유입될 수 있다. 이 때, 이격 공간(G)의 압력이 원하는 수준까지 도달할 때까지 불활성 기체가 충분히 유입될 수 있다. 예를 들어, 불활성 기체의 유량을 증가/감소시키거나, 또는 불활성 기체 공급 시간을 증가/감소시킬 수 있다. 예를 들어, 불활성 기체 공급 시간은 60 초일 수 있다. 반응 공간(R)으로 공급되는 불활성 기체의 유량을 제어함으로써, 그리고/또는 반응 공간(R)과 이격 공간을 연결하는 채널의 개수, 길이, 형상 등을 변경함으로써, 이격 공간에 유입되는 불활성 기체의 양을 제어할 수 있고, 이에 따라 박막 증착 단계 동안 기판의 후면에 증착되는 막의 두께를 제어할 수 있다. 후술되는 바와 같이, 유입된 불활성 기체는 박막 증착 단계 동안 이격 공간과 반응 공간 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행할 수 있으며, 또한 박막 증착 단계 동안 소스 기체 및 반응 기체의 이격 공간으로의 유입을 방지하는 역할을 수행할 수 있기 때문이다. 또한, 본 단계에서는, 박막 공정이 진행되기 전에 기판이 공정 온도에 도달하도록 기판에 대한 예열(preheating)도 함께 이루어질 수 있다.
단계 1020에서, 반응 공간(R)으로 소스 기체가 공급될 수 있다. 소스 기체는 캐리어 기체(예를 들어, Ar)에 의해 반응기 내로 공급될 수 있다. 본 실시예에서, Si 소스는 실레인(silane) 기를 포함한다. 예를 들어, Si 소스는 TSA, (SiH3)3N; DSO, (SiH3)2; DSMA, (SiH3)2NMe; DSEA, (SiH3)2NEt; DSIPA, (SiH3)2N(iPr); DSTBA, (SiH3)2N(tBu); DEAS, SiH3NEt2; DIPAS, SiH3N(iPr)2; DTBAS, SiH3N(tBu)2; BDEAS, SiH2(NEt2)2; BDMAS, SiH2(NMe2)2; BTBAS, SiH2(NHtBu)2; BITS, SiH2(NHSiMe3)2; BEMAS, SiH2[N(Et)(Me)]2; 중 적어도 하나일 수 있다. 소스 기체의 유량은 원하는 박막 균일도에 맞추어 적절히 조절될 수 있다. 나아가, 단계 1020 동안 퍼지 기체가 공급될 수도 있다. 본 단계 동안 공급되는 소스 기체 및/또는 퍼지 기체의 유량을 조절함으로써, 반응 공간(R) 및 이격 공간(G) 간의 압력 균형이 달성될 수 있다.
단계 1040에서, 반응 기체는 기체 유입부(33) 및 기체 공급부(34, 35)를 통해 반응 공간(R)으로 공급될 수 있다. 반응기체로는 산소를 포함하는 기체가 사용될 수 있으며, O2, N2O 또는 NO2 중 적어도 하나 혹은 그 혼합물일 수 있다. 나아가, 단계 1040 동안 퍼지 기체가 공급될 수도 있다. 본 단계 동안 공급되는 반응 기체 및/또는 퍼지 기체의 유량을 조절함으로써, 반응 공간(R) 및 이격 공간(G) 간의 압력 균형이 달성될 수 있다.
추가적 실시예에서, 기판 처리 방법은 소스 기체 공급 단계(1020) 및 반응 기체 공급 단계(1040) 사이에 퍼지 단계(1030)를 더 포함하여 소스 기체를 퍼지할 수 있다. 또한, 기판 처리 방법은 상기 반응 기체 활성화 단계(1050) 이후에 퍼지 단계(1060)를 더 포함하여, 잔여 기체를 퍼지할 수 있다. 이는 원료들(소스 기체, 반응 기체)이 기체 상태에서 만나지 않게 하기 위해 하나의 원료를 반응기에 공급한 후 여분의 원료를 반응기에서 완전히 제거한 후에 다른 원료를 반응기에 공급하기 위함이다.
퍼지 기체는 참조번호 1030 단계 그리고/또는 참조번호 1060 단계 동안 반응 공간(예를 들어, 도 5c의 R)으로 일시적으로 공급될 수 있다. 선택적인 실시예에서, 퍼지 기체는 소스 기체 공급 단계(1020), 반응 기체 공급 단계(1040) 및 반응 기체 활성화 단계(1050) 동안 반응 공간으로 지속적으로 공급될 수도 있다. 반응 공간(R)에 공급되는 퍼지 기체의 유량은 이격 공간(예를 들어, 도 5c의 G)의 압력과 반응 공간(R)의 압력이 동일할 수 있도록 조절될 수 있다. 이로써, 공정 기간 중에 기판 상부 공간과 기판 후면 공간 간의 압력 차이를 최소화할 수 있으며, 반응 공간 내에서 기판의 이탈을 방지할 수 있고, 기판 후면 증착을 최소화할 수 있다.
반응 기체 활성화 단계(1050)에서 플라즈마가 공급될 수 있다. 플라즈마를 공급함으로써, 높은 밀도의 박막을 얻을 수 있으며, 소스 간의 반응성을 좋게 하여 소스의 선택의 폭이 넓어지고, 그리고 박막의 성질을 좋게 하여 저온에서도 증착할 수 있다.
전처리 단계(1010)로 인해, 단계 1020 내지 단계 1060의 박막 공정이 수행되는 동안, 기판 하부 공간(G)은 유입된 불활성 기체(예를 들어, Ar)로 채워져 있을 수 있다. 따라서, 기판 상부 공간(R)에서 소스 기체 및/또는 반응 기체의 유출입 및 교체로 인하여 압력 변동이 있다 하더라도, 기판 상부 공간(R)과 하부 공간(G) 사이에 압력 차이가 최소화될 수 있으며, 압력 차이로 인한 기판 지지 장치로부터의 기판의 이탈을 방지할 수 있게 되며, 이로써 기판 후면 증착을 최소화할 수 있다. 또한, 박막 공정이 수행되는 동안, 기판 하부 공간(G)이 이미 불활성 기체로 채워져 있기 때문에, 소스 기체 및/또는 반응 기체는 채널을 통해 기판 하부 공간(G)으로 거의 유입되지 않고, 기판 상부 공간(R)에만 공급될 수 있다. 즉, 기판 하부 공간(G)에 유입된 불활성 기체는 박막 공정 동안 소스 기체 및 반응 기체의 기판 하부 공간(G)으로의 유입을 방지할 수 있다. 이로써 기판 후면 증착을 최소화할 수 있다.
기판 상부 공간(R)과 하부 공간(G) 사이에 압력 차이가 최소화하기 위해, 단계 1020 내지 단계 1060의 박막 공정이 수행되는 동안 기판 하부 공간(G1)이 불활성 기체로 채워져 있는 것이 유리하다. 이를 위해, 상술한 바와 같이, 전처리 공정이 수행될 수 있다. 또한, 상기 채널의 길이가 길거나 그리고/또는 복잡할 수 있다. 왜냐하면, 채널 길이가 길수록 그리고/또는 채널이 복잡한 구조를 가질수록 이격 공간(G)으로 유입된 기체가 채널을 통해 반응 공간(R)으로 빠져나가기 어렵기 때문이다. 또한, 채널을 통해 이격 공간(G)으로 유입된 기체가 상부 공간(R)으로 다시 유입되기 어렵도록, 채널은 이격 공간(G)을 향하여 폭이 점점 좁아지는(tapering) 구조(도 7d의 X2)를 가질 수 있다.
원하는 두께의 박막이 달성되지 않은 경우(참조번호 1070에서 '아니오'), 단계 1020 내지 단계 1060이 반복되며, 원하는 두께의 박막이 달성된 경우(참조번호 1070에서 '예'), 박막 증착 공정이 종료되며, 단계 1080에서, 기판(5)을 기판 지지 장치에서 탈착(unloading)한다. 단계 1080에서 기판 탈착 시에는, 기판 지지 장치는 승강 장치에 의해 하강하며, 반응기 벽(39)과 기판 지지 장치 사이에 형성된 공간을 통해 기판 이송 아암(미도시)이 기판(5)을 반응기에서 탈착시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 방법에서, 기체 전처리 단계를 수행하여, ECS(Edge Contact Susceptor)의 하나 이상의 채널(예를 들어, 그루브 또는 관통 홀)을 통해 기판 후면 공간에 불활성 기체를 채우며, 공정 기간 중에 기판 상부 공간과 기판 후면 공간 간의 압력 차이를 최소화할 수 있다. 이로써, 기판 지지 장치에 로딩된 기판이 반응 공간 내의 압력 변동에 관계 없이 안정적으로 장착될 수 있고, 기판 후면 증착을 최소화할 수 있다.
도 11은 도 5a 내지 도 5c의 기판 처리 장치(반응 공간과 이격 공간을 연결하는 그루브가 있는 경우)를 이용하여 도 11의 기판 처리 방법으로 공정하였을 때, 그리고 종래의 기판 처리 장치(반응 공간과 이격 공간을 연결하는 채널이 없는 경우)를 이용하여 도 11의 기판 처리 방법을 공정하였을 때, 기판 후면에 침투된 공정기체에 의해 기판 후면에 증착된 SiO2 막의 두께의 비교를 도시한다. 본 실시예에서, 도 12의 기판 후면의 가장자리(edge)로부터 내부로 1 mm 까지의 영역(Z1)에 증착된 박막의 두께가 측정되었다.
도 11의 가로축은 그루브의 유무를 나타낸다. 그루브가 있는 경우(with groove)는 도 5a 내지 도 5c의 기판 처리 장치를 이용한 경우를 나타낸다. 그루브가 없는 경우(No groove)는 종래의 기판 처리 장치를 이용한 경우를 나타낸다. 그래프의 세로축은 증착된 박막의 두께를 나타낸다.
도 11을 참조하면, 종래의 기판 처리 장치를 이용한 경우에는 측정 영역(도 12의 Z1)에서 555 Å 두께의 박막이 증착되나, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용한 경우에는 166 Å 두께의 박막이 증착됨을 알 수 있다. 이로부터, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용한 경우에는 종래의 기판 처리 장치를 이용한 경우보다 후면 증착이 상당히 감소할 수 있음을 알 수 있다(이 경우, 약 70 % 감소). 이는 박막 공정 전에 기판 후면 공간에 불활성 기체를 채워서, 공정 기간 동안 기판 상부 공간과 기판 후면 공간 간의 압력 차이를 최소화함으로써 반응 공간 내에서 기판의 이탈을 방지하였기 때문이다.
본 명세서에서 표준 실리콘 웨이퍼를 기준으로 예시되었지만 본 명세서에 개시된 기판 지지 장치는 CVD, 물리적 증기 증착(PVD), 에칭, 어닐링, 불순물 확산, 포토리소그래피 등과 같은 처리를 겪게 되는 유리와 같은 다른 종류의 기판들을 지지하는데 사용될 수 있다.
본 발명을 명확하게 이해시키기 위해 첨부한 도면의 각 부위의 형상은 예시적인 것으로 이해하여야 한다. 도시된 형상 외의 다양한 형상으로 변형될 수 있음에 주의하여야 할 것이다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (20)

  1. 내면부(inner portion), 주변부(periphery portion) 및 상기 내면부와 상기 주변부 사이에 형성된 오목부(concave portion)를 포함하는 서셉터 본체; 및
    상기 오목부에 배치된 림(rim)을 포함하며,
    상기 림 상으로 기판이 안착되는 경우, 상기 림은 기판의 에지 제외 영역 내에서 기판과 접촉하며,
    상기 내면부의 상면은 상기 림의 상면보다 아래에 위치하며, 그에 의해 상기 기판의 하면은 상기 내면부와 이격되며,
    상기 기판의 하면과 상기 내면부 사이에 제1 공간이 형성되며,
    상기 기판 상부에 제2 공간이 형성되며,
    상기 서셉터 본체 또는 상기 림 중 적어도 하나에는 함께 또는 단독으로 상기 제1 공간과 상기 제2 공간을 연결하는 하나 이상의 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 채널은 상기 림의 내측벽과 외측벽 사이에 형성되며,
    상기 채널은 상기 기판 지지 장치의 중심으로부터 제1 거리만큼 이격된 원주를 따라 복수 개 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 거리는 상기 기판의 반경보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 채널은 상기 기판 지지 장치의 중심축에 대해 대칭적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 채널은 제1 서브 채널 및 제2 서브 채널을 포함하며,
    상기 채널의 제1 서브 채널은 상기 림의 상면에 접하여 상기 제2 공간과 연통하며, 그리고 상기 림을 관통하여 상기 림의 하향 방향으로 연장하도록 형성된 관통 홀이며,
    상기 기판은 상기 제1 서브 채널과 접하지 않는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 채널의 제2 서브 채널은 상기 제1 공간과 연통하며,
    상기 제2 서브 채널은 상기 제1 공간을 향하여 폭이 점점 좁아지는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 채널의 제2 서브 채널은 상기 제1 공간과 연통하며,
    상기 제2 서브 채널은 원주 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 에지 제외 영역과 상기 림의 접촉 부분은 상기 기판 지지 장치의 중심으로부터 일정 거리만큼 이격된 원주를 따라 연속적으로 형성되는 링 형상인 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 채널과 상기 제1 공간이 만나는 부분은 상기 기판의 하면으로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  10. (a) 반응기 벽(reactor wall);
    (b) 기판 지지 장치;
    (c) 히터 블록(heater block);
    (d) 기체 유입부(gas inlet unit);
    (e) 기체 공급부(gas supply unit); 및
    (f) 배기부(exhaust unit);로 이루어지며,
    상기 기판 지지 장치는 서셉터 본체와 림을 포함하며,
    상기 서셉터 본체는 내면부, 주변부 및 그 사이에 형성된 오목부를 포함하며, 상기 림은 상기 오목부에 배치되며,
    상기 림 상으로 기판이 안착되는 경우, 상기 림은 기판의 에지 제외 영역 내에서 기판과 접촉하며,
    상기 반응기 벽과 상기 기판 지지 장치의 주변부는 면 접촉(face contact)으로 반응 공간을 형성하며,
    상기 내면부와 상기 기판 사이에 이격 공간이 형성되고,
    상기 반응 공간 및 상기 이격 공간은 적어도 하나의 채널을 통해 서로 연통하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 적어도 하나의 채널은 제1 서브 채널 및 제2 서브 채널을 포함하며,
    상기 제1 서브 채널은 상기 기판 상부의 상기 반응 공간과 연통하도록 상기 반응기 벽의 표면 또는 내부에 형성되며,
    상기 제2 서브 채널은 상기 이격 공간과 연통하도록 상기 서셉터 본체 또는 상기 림 중 적어도 하나의 표면 또는 내부에 형성되며,
    상기 제1 서브 채널은 상기 제2 서브 채널을 통해 상기 이격 공간과 연통하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 서브 채널 및 상기 제2 서브 채널 각각은 관통 홀 또는 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 적어도 하나의 채널은 제1 서브 채널 및 제2 서브 채널을 포함하며,
    상기 제1 서브 채널은 상기 반응 공간과 연통하도록 상기 림의 표면 또는 내부에 형성되며,
    상기 제2 서브 채널은 상기 이격 공간과 연통하도록 상기 서셉터 본체 또는 상기 림 중 적어도 하나에 형성되며,
    상기 제1 서브 채널은 상기 제2 서브 채널을 통해 상기 이격 공간과 연통하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 채널은 상기 이격 공간을 향하여 폭이 점점 좁아지는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 서브 채널은 상기 림의 적어도 일부를 관통하는 하나 이상의 제1 관통 홀이며,
    상기 하나 이상의 제1 관통 홀은 상기 림의 상면 상에서 제1 반경을 갖는 제1 원주를 따라 서로 이격되어 형성될 수 있으며,
    상기 제1 반경은 상기 기판의 반경보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 청구항 10에 있어서,
    박막 증착 공정 전에, 상기 적어도 하나의 채널을 통해 상기 반응 공간으로부터 상기 이격 공간으로 불활성 기체를 유입시키며,
    박막 증착 공전 전에 유입된 불활성 기체는 박막 증착 공정 동안 상기 반응 공간과 상기 이격 공간 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 불활성 기체 공급 단계; 및
    소스 기체 공급 단계, 반응 기체 공급 단계 및 반응 기체 활성화 단계를 순차적으로 반복 진행하여 박막을 증착하는 단계를 포함하되,
    기판의 중앙부와 서셉터의 중앙부가 서로 이격되어 이격 공간을 형성하고,
    상기 기판 상부의 반응 공간과 상기 이격 공간은 적어도 하나의 채널을 통해 서로 연통하고,
    상기 불활성 기체 공급 단계 동안 상기 적어도 하나의 채널을 통해 상기 이격 공간에 불활성 기체가 유입되며,
    상기 유입된 불활성 기체는 상기 박막 증착 단계 동안 상기 이격 공간과 상기 반응 공간 간의 압력 불균형을 방지하는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 이격 공간에 유입되는 불활성 기체의 유량을 제어함으로써, 상기 박막 증착 단계 동안 상기 기판의 후면에 증착되는 막의 두께를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 박막 증착 단계 동안 퍼지 기체를 공급하되, 상기 박막 증착 단계 동안 공급되는 퍼지 기체의 유량은 상기 이격 공간의 압력과 상기 반응 공간의 압력이 동일하도록 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 유입된 불활성 기체는 상기 박막 증착 단계 동안 소스 기체 및 반응 기체의 상기 이격 공간으로의 유입을 방지하는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (250)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) * 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758041A (ja) * 1993-08-20 1995-03-03 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
KR20080031515A (ko) * 2004-05-18 2008-04-08 가부시키가이샤 섬코 기상 성장 장치용 서셉터
KR20170030581A (ko) * 2014-07-10 2017-03-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학 기상 증착 반응기에서의 서셉터의 설계
JP6986872B2 (ja) * 2017-06-23 2021-12-22 昭和電工株式会社 ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213772A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
JP2001313329A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Applied Materials Inc 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
CN101477945B (zh) * 2008-12-30 2011-01-19 中微半导体设备(上海)有限公司 防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置
DE102011080635A1 (de) * 2011-08-09 2013-02-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Verbinden von Komponenten und Verbundstruktur
CN106653647A (zh) * 2015-10-29 2017-05-10 沈阳拓荆科技有限公司 一种带有陶瓷衬套的可控温盘面结构
TWI734770B (zh) * 2016-04-24 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 用於防止空間ald處理腔室中之背側沉積的設備

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758041A (ja) * 1993-08-20 1995-03-03 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
KR20080031515A (ko) * 2004-05-18 2008-04-08 가부시키가이샤 섬코 기상 성장 장치용 서셉터
KR20170030581A (ko) * 2014-07-10 2017-03-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학 기상 증착 반응기에서의 서셉터의 설계
JP6986872B2 (ja) * 2017-06-23 2021-12-22 昭和電工株式会社 ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

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Publication number Publication date
KR102600229B1 (ko) 2023-11-10
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