KR20190098059A - 분할 장치 - Google Patents

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KR20190098059A
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heater
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wafer
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KR1020190014896A
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아츠시 우에키
다카유키 마사다
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 테이프 확장으로 웨이퍼를 분할하는 장치에 있어서, 테이프를 열수축시켰을 때에 칩 간격을 균등하게 유지하는 것을 목적으로 한다.
워크 세트(WS)의 테이프(T)를 확장시켜 웨이퍼(W)를 분할하는 장치이며, 워크 세트(WS)의 테이프(T)를 유지하는 테이블(30)과, 테이블(30) 외측에서 워크 세트(WS)의 링 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지부(4)와, Z축 방향으로 테이블(30)과 프레임 유지부(4)를 접근 또는 이격시키는 승강 수단(43)과, 테이프(T)의 웨이퍼(W) 외주와 프레임(F) 내주 사이의 링형 영역(Td)을 열수축시키는 히터(50)와, 히터 주회(周回) 수단(51)과, 테이프(T)의 링형 영역(Td)을 융기시켜 히터(50)에 근접시키는 핀(46)과, 핀 승강 수단(47)을 구비하고, 핀(46)은, 테이블(30)의 흡인면 중심으로 둘레 방향으로 미리 정해진 각도 두고 배치되며, 주회하는 히터(50)가 핀(46) 바로 위에 위치하여 테이프(T)를 열수축할 때에, 테이프(T)로부터 핀(46)을 약간 분리시키도록 핀 승강 수단(47)을 제어하는 분할 장치(1).

Description

분할 장치{DIVIDING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 분할 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 경우에는, 예컨대, 웨이퍼에 투과성을 갖는 레이저 빔을 웨이퍼 내부에 조사하여 개질층을 형성하고, 그 후, 상기 개질층에 외력을 가함으로써 웨이퍼를 칩으로 분할하고 있다.
예컨대, 개질층을 형성한 웨이퍼를 웨이퍼보다 대직경의 테이프에 접착하고, 또한, 테이프의 점착면의 외주부를 원형의 개구를 구비하는 링 프레임에 접착하여, 웨이퍼를 테이프를 통해 링 프레임에 지지된 상태로 한다. 그 후, 테이프를 확장함으로써 테이프에 접착된 웨이퍼의 개질층에 외력(테이프의 확장력)을 가하여, 개질층을 기점으로 하여 웨이퍼를 칩으로 분할하고 있다.
웨이퍼를 테이프의 확장에 의해 칩으로 분할한 후, 칩 사이의 간격을 유지시키기 위해서, 테이프에 가해지고 있는 텐션을 해제하여 테이프의 웨이퍼 외주와 링 프레임 내주 사이의 링형의 영역을 산 모양으로 이완시켜 융기시키고, 회전하는 히터 등으로 상기 영역에 열을 가하여 상기 영역을 열수축시키고 있다. 그리고, 인접하는 각 칩의 간격을 테이프 확장 후의 등간격의 크기로 유지할 수 있다.
그러나, 링형의 영역의 테이프를 이완시킨 융기 부분이 쓰러져 버리는 경우가 있고, 이 경우 히터로부터의 열이 상기 이완시킨 부분에 전해지지 않는 경우가 있다. 그 대책으로서, 밀어올림 핀으로 테이프의 상기 영역을 하방으로부터 밀어 융기시켜, 히터로부터의 열을 전해지기 쉽게 하는 기술이 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2015-216151호 공보
그러나, 상기 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 핀으로 테이프의 이완시킨 부분을 융기시킨 상태에서 열수축을 행해 가면, 열수축한 테이프의 상기 영역은 핀의 선단 형상을 따라 융기한 형상으로 형성되어 버려, 테이프의 이완시킨 부분이 불균일하게 열수축됨으로써 열수축 후의 테이프 상에 있어서 각 칩 간격이 균등하게 되지 않는다고 하는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 테이프를 확장시켜, 분할 기점을 기점으로 웨이퍼를 분할하는 분할 장치에 있어서는, 테이프를 열수축시켰을 때에 칩 간격을 균등하게 유지한다고 하는 과제가 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은 링 프레임의 개구부를 막아 접착한 열수축성의 테이프를 통해 분할 기점이 형성되고 상기 개구부에 위치된 웨이퍼를 지지한 워크 세트의 상기 테이프를 확장시켜, 상기 분할 기점을 기점으로 웨이퍼를 분할하는 분할 장치로서, 상기 워크 세트의 상기 테이프를 흡인 유지하는 흡인면을 갖는 테이블과, 상기 테이블의 외측에서 상기 워크 세트의 상기 링 프레임을 유지하는 링 프레임 유지부와, 상기 흡인면에 대해 직교하는 Z축 방향으로 상기 테이블과 상기 링 프레임 유지부를 상대적으로 접근 또는 이격시키는 승강 수단과, 상기 테이프의 상기 웨이퍼 외주와 상기 링 프레임 내주 사이의 링형의 영역을 가열하여 수축시키는 히터와, 상기 히터를 상기 흡인면의 중심을 축으로 주회(周回)시키는 주회 수단과, 상기 테이프의 상기 링형의 영역을 밀어 융기시켜 상기 히터에 상기 테이프를 근접시키는 핀과, 상기 핀을 상기 Z축 방향으로 승강시키는 핀 승강 수단과, 상기 핀 승강 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 핀은, 상기 흡인면의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 미리 정해진 각도를 두고 복수개 배치되며, 상기 제어 수단은, 상기 주회 수단에 의해 주회하는 상기 히터가, 상기 핀 바로 위에 위치하여 상기 테이프를 열수축시킬 때에, 상기 테이프로부터 상기 핀을 약간 분리시키도록 상기 핀 승강 수단을 제어하는 분할 장치이다.
상기 핀은, 상기 흡인면의 중심선을 기준으로 하여 대칭으로 복수개 배치되면 바람직하다.
상기 핀은, 상기 흡인면의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 등각도를 두고 복수개 배치되면 바람직하다.
본 발명에 따른 분할 장치는, 워크 세트의 테이프를 흡인 유지하는 흡인면을 갖는 테이블과, 테이블의 외측에서 워크 세트의 링 프레임을 유지하는 링 프레임 유지부와, 흡인면에 대해 직교하는 Z축 방향으로 테이블과 링 프레임 유지부를 상대적으로 접근 또는 이격시키는 승강 수단과, 테이프의 웨이퍼 외주와 링 프레임 내주 사이의 링형의 영역을 가열하여 수축시키는 히터와, 히터를 흡인면의 중심을 축으로 주회시키는 주회 수단과, 테이프의 링형의 영역을 밀어 융기시켜 히터에 테이프를 근접시키는 핀과, 핀을 Z축 방향으로 승강시키는 핀 승강 수단과, 핀 승강 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 핀은, 흡인면의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 미리 정해진 각도를 두고 복수개 배치되어 있으며, 제어 수단은, 주회 수단에 의해 주회하는 히터가, 핀 바로 위에 위치하여 테이프를 열수축시킬 때에, 테이프로부터 핀을 약간 분리시키도록 핀 승강 수단을 제어하기 때문에, 테이프를 열수축시키고 있을 때에, 핀에 의해 테이프의 링형의 영역은 쓰러지지 않도록 융기되어 있기 때문에 히터로부터의 열이 전해지기 쉽게 되어 있고, 또한, 핀 바로 위에 히터가 위치할 때에는, 핀이 테이프로부터 약간 분리됨으로써 열수축에 의해 핀의 형태가 테이프에 전사되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 테이프의 링형의 영역을 균일하게 열수축시킬 수 있고, 칩끼리의 간격이 테이프 상에서 균등한 간격으로 유지된 상태를 유지할 수 있다.
핀이, 테이블의 흡인면의 중심선을 기준으로 하여 대칭으로 복수개 배치됨으로써, 테이프를 열수축시킬 때에, 테이프의 링형의 영역의 쓰러지기 쉬운 개소를 선택적으로 핀에 의해 융기시켜 쓰러지지 않도록 할 수 있다. 그리고, 주회 수단에 의해 주회하는 히터가 핀 바로 위에 히터가 위치할 때에, 제어 수단에 의한 핀 승강 수단의 제어하에서, 핀이 테이프로부터 약간 분리됨으로써 열수축에 의해 핀의 형태가 테이프에 전사되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 테이프의 링형의 영역을 균일하게 열수축시킬 수 있고, 칩끼리의 간격이 테이프 상에서 균등한 간격으로 유지된 상태를 유지할 수 있다.
핀이, 테이블의 흡인면의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 등각도를 두고 복수개 배치됨으로써, 주회 수단에 의해 주회하는 히터가 핀 바로 위에 히터가 위치할 때에, 제어 수단에 의한 핀 승강 수단의 제어하에서, 핀이 테이프로부터 약간 분리됨으로써 열수축에 의해 핀의 형태가 테이프에 전사되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 테이프의 링형의 영역을 균일하게 열수축시킬 수 있고, 칩끼리의 간격이 테이프 상에서 균등한 간격으로 유지된 상태를 유지할 수 있다.
도 1은 분할 장치의 구조의 일례를 도시한 사시도이다.
도 2는 분할 장치에, 워크 세트를 세트한 상태를 도시한 단면도이다.
도 3은 분할 장치에 의해 테이프를 확장함으로써, 웨이퍼를 분할 기점을 따라 분할하고 있는 상태를 도시한 단면도이다.
도 4는 확장된 테이프를 테이블의 흡인면으로 흡인 유지하고 있는 상태를 도시한 단면도이다.
도 5는 테이프의 링형의 영역을 산 모양으로 이완시켜 융기부가 형성된 상태를 도시한 단면도이다.
도 6은 핀이 테이프의 링형의 영역의 융기부를 밀어 융기시켜 히터에 근접시키고, 또한, 히터가 원점 위치에 위치된 상태에서, 히터에 의한 테이프의 융기부의 열수축이 개시되는 상태를 도시한 단면도이다.
도 7은 주회하는 히터가 핀 바로 위에 오기 전에 테이프의 융기부를 열수축하고 있는 상태를 설명하는 설명도이다.
도 8은 주회하는 히터가 핀 바로 위에 위치하여 테이프의 융기부를 열수축할 때에, 제어 수단에 의한 핀 승강 수단의 제어하에서 테이프로부터 핀이 약간 분리되는 상태를 설명하는 설명도이다.
도 9는 주회하는 히터가 핀 바로 위를 통과할 때에 핀이 약간 테이프로부터 분리됨으로써, 테이프가 핀의 선단 형상을 따른 융기된 형상이 되지 않고 열수축되는 상태를 설명하는 설명도이다.
도 10은 주회하는 히터가 핀 바로 위를 통과한 후에 테이프의 융기부를 열수축하고 있는 상태를 설명하는 설명도이다.
도 11은 테이프의 링형의 영역의 전체 둘레가 열수축에 의해 플랫한 상태가 된 경우의 설명도이다.
도 12는 테이프의 연장 방향을 고려하여 핀이 테이블의 흡인면의 중심선을 기준으로 하여 대칭으로 복수개 배치되어 있는 경우를 설명하는 평면도이다.
도 13은 테이프의 링형의 영역을 산 모양으로 이완시켜 형성된 융기부가 흡인면의 중심측으로 쓰러진 상태를 도시한 단면도이다.
도 14는 흡인면의 중심측으로 쓰러진 융기부를 핀으로 하방으로부터 밀어 융기시킨 상태를 도시한 단면도이다.
도 15는 테이프의 링형의 영역을 산 모양으로 이완시켜 형성된 융기부가 핀에 지지되지 않아도 쓰러지지 않는 상태를 도시한 단면도이다.
도 1에 도시된 웨이퍼(W)는, 예컨대, 모재가 실리콘으로 이루어지는 원형 형상의 반도체 웨이퍼이고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에는 복수개의 분할 예정 라인이 각각 직교하도록 설정되어 있다. 그리고, 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수개의 격자형의 영역에는, 도시하지 않은 디바이스가 각각 형성되어 있다.
웨이퍼(W)는, 웨이퍼(W)에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔이 분할 예정 라인을 따라 조사되어, 웨이퍼(W) 내부의 미리 정해진 깊이의 위치에 분할 기점(M)[개질층(M)]이 분할 예정 라인을 따라 연속적으로 형성되어 있다.
한편, 분할 기점(M)[개질층(M)]은, 레이저 빔의 조사에 의해 웨이퍼(W)의 내부가 개질되어 주위보다 강도가 저하된 영역이다. 분할 기점(M)으로부터는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 또는 이면(Wb)에 각각 크랙이 신장하고 있어도 좋다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 웨이퍼(W)의 분할 기점(M)으로서 개질층을 예시하지만, 분할 기점(M)은, 웨이퍼(W)의 강도를 분할 예정 라인을 따라 저하시켜 분할 시의 기점이 되면 되고, 예컨대, 레이저 가공홈, 절삭홈, 또는 스크라이브 라인 등이어도 좋다.
웨이퍼(W)는 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것이 아니다.
웨이퍼(W)는, 웨이퍼(W)보다 대직경의 테이프(T)가 이면(Wb)에 접착되고, 테이프(T)의 점착면의 외주부가 원형의 개구부를 구비하는 링 프레임(F)에 접착됨으로써, 표면(Wa)이 상방으로 노출된 상태로 테이프(T)를 통해 링 프레임(F)에 지지된 상태, 즉, 워크 세트(WS)가 된다. 한편, 워크 세트(WS)는 웨이퍼(W)의 이면(Wb)이 상방으로 노출된 상태로 되어 있어도 좋다. 테이프(T)는, 기계적 외력에 대해 적당한 신축성 및 가열 수축성을 구비하는 수지로 구성되어 있고, 테이프(T)의 웨이퍼(W) 외주와 링 프레임(F) 내주 사이의 링형의 영역(Td)은 상방으로 노출되어 있다. 링 프레임(F)의 개구부의 중심과 웨이퍼(W)의 중심은 대략 합치하고 있다.
도 1에 도시된 분할 장치(1)는, 워크 세트(WS)의 테이프(T)를 흡인 유지하는 흡인면(300a)을 갖는 테이블(30)을 중앙에 구비하고 있다. 외형이 원형 형상인 테이블(30)은, 그 하방에 배치된 복수개의 지지 기둥(32)에 의해 지지되어 있고, 다공성 부재 등으로 이루어지고 워크 세트(WS)의 테이프(T)를 흡착하는 흡착부(300)와, 흡착부(300)를 지지하는 프레임(301)을 구비한다. 테이블(30)의 직경은, 웨이퍼(W)의 직경보다 크고, 또한, 후술하는 배치 테이블(40)의 원형 개구(400)보다 작게 되어 있다. 그리고, 흡착부(300)의 노출면인 흡인면(300a)은, 수평면으로 되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 프레임(301)의 바닥부 중앙에는, 흡인 구멍이 두께 방향으로 관통 형성되어 있고, 상기 흡인 구멍에는, 진공 발생 장치로 이루어지는 흡인원(39)에 연통(連通)되는 흡인로(301a)가 접속되어 있다. 흡인로(301a) 상에는, 흡인로(301a)를 흡인원(39)에 연통하는 상태와 대기에 개방된 상태로 전환 가능한 솔레노이드 밸브(39a)가 배치되어 있다.
프레임(301)의 상면의 외주 에지에는, 전체 둘레에 걸쳐 복수개의 롤러(301b)가 부착되어 있다. 롤러(301b)는, 테이프(T)를 확장할 때에 테이프(T)의 하면에 구름 접촉함으로써, 테이프(T)와 프레임(301)의 상면의 외주 에지 사이에 발생하는 마찰 저항을 경감시켜, 확장력을 테이프(T)에 균등하게 작용시키는 역할을 수행한다.
도 1, 2에 도시된 바와 같이, 테이블(30) 주위에는, 테이블(30)의 외측에서 워크 세트(WS)의 링 프레임(F)을 유지하는 링 프레임 유지부(4)가 배치되어 있다.
링 프레임 유지부(4)는, 배치 테이블(40)의 수평의 유지면(40a) 상에 링 프레임(F)이 배치되면, 커버 플레이트(41)로 상방으로부터 링 프레임(F)을 유지면(40a)과의 사이에 끼워 넣도록 하여 테이블(30)의 외측에 있어서 유지면(40a)으로 링 프레임(F)을 유지할 수 있다.
배치 테이블(40)은, 예컨대, 평면에서 보아 직사각형 형상의 외형을 구비하고, 그 중앙에 테이블(30)보다 대직경의 원형 개구(400)가 형성되어 있다. 이 원형 개구(400)의 중심과 테이블(30)의 중심은 대략 합치하고 있다.
배치 테이블(40)의 4모퉁이는, 테이블(30)의 흡인면(300a)에 대해 직교하는 Z축 방향으로 배치 테이블(40)을 승강시키는 4개의 승강 수단(43)에 의해 각각 지지되어 있다.
4개의 승강 수단(43)은, 모터의 회전을 볼 나사에 의해 Z축 방향에 있어서의 직선 운동으로 변환하여, 볼 나사에 의해 배치 테이블(40)을 승강시키는 전동 실린더이다. 한편, 승강 수단(43)은, 실린더 내에의 공기의 공급과 배출에 의해 Z축 방향으로 피스톤을 상하 이동시켜 배치 테이블(40)을 승강시키는 에어 실린더 등이어도 좋다.
커버 플레이트(41)는, 중앙에 테이블(30)보다 대직경의 원형 개구(410)를 갖는 직사각형 판형으로 형성되어 있다. 링 프레임(F)이 배치된 배치 테이블(40) 상에 커버 플레이트(41)가 배치되면, 커버 플레이트(41)와 배치 테이블(40)에 의해 링 프레임(F)이 유지되고, 커버 플레이트(41)의 원형 개구(410)로부터 웨이퍼(W)와, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)이 상방으로 노출된다. 한편, 커버 플레이트(41)는, 배치 테이블(40)에 배치된 상태에서, 예컨대, 도시하지 않은 클램프부에 의해 배치 테이블(40)에 고정된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 커버 플레이트(41)의 상방에는, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)을 가열하여 수축시키는 히터(50)와, 히터(50)를 테이블(30)의 흡인면(300a)의 중심을 축으로 주회시키는 주회 수단(51)이 배치되어 있다.
주회 수단(51)은, 예컨대, Z축 방향의 축심 주위로 회전 가능한 회전축(510)과, 회전축(510)에 연결되어 회전축(510)을 회전 구동하는 모터(511)와, 회전축(510)의 하단에 그 중심이 접속된 장판형의 히터 지지부(512)를 구비하고 있다. 회전축(510)의 축심선 상에는, 테이블(30)의 흡인면(300a)의 회전 중심이 위치하고 있다.
히터(50)는, 예컨대, 원적외선 히터이고, 히터 지지부(512)의 길이 방향의 양단에, 둘레 방향으로 180도 두고 2개 배치되어 있다. 한편, 히터(50)의 배치 개수는 2개에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 히터 지지부(512)를 십자 형상으로 하여 4개의 히터(50)를 배치하는 것으로 해도 좋고, 히터(50)는 원적외선 히터에 한정되는 것이 아니다. 커버 플레이트(41)와 배치 테이블(40)에 의해 링 프레임(F)이 유지된 상태가 되면, 각 히터(50)는 테이프(T)의 링형의 영역(Td)의 상방에 각각 위치된다. 히터(50)는, 예컨대, 금속 재료에 흡수되기 어려운 3 ㎛∼25 ㎛에 피크 파형의 원적외선을 하방에 위치하는 테이프(T)의 링형의 영역(Td)에 스폿 조사함으로써, 장치 각부의 가열을 억제하고 테이프(T)의 조사 개소만을 적절히 가열하는 것이 가능하다.
분할 장치(1)는, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)을 밀어 융기시켜 히터(50)에 테이프(T)를 근접시키는 핀(46)과, 핀(46)을 Z축 방향으로 승강시키는 핀 승강 수단(47)과, 핀 승강 수단(47)을 제어하는 제어 수단(9)을 구비하고 있다.
도 1에 확대되어 도시된 핀 승강 수단(47)은, 예컨대, 전동 실린더이고, 배치 테이블(40)의 내주면(40c)(도 2 참조)에 고정되어 있다. 핀 승강 수단(47)은, 예컨대, 외장통(470)을 구비하고 있고, 핀(46)은, 외장통(470)의 상단측에 도시하지 않은 베어링 등을 통해 삽입 관통되어 있다. Z축 방향으로 연장되며 테이프(T)의 링형의 영역(Td)에 하방으로부터 대향하는 핀(46)은, 예컨대, 그 선단(460)이 테이프(T)에 상처 등을 입히지 않도록 구면(球面)형으로 모따기되어 있고, 그 하단측에는, 핀 승강 수단(47)의 볼 나사(471)가 나사 결합되는 나사 샤프트(461)가 형성되어 있다.
핀 승강 수단(47)은, 볼 나사(471)에 연결된 모터(472)가 볼 나사(471)를 회전 구동함으로써, 볼 나사(471)의 회전 운동을 핀(46)의 Z축 방향에 있어서의 직선 운동으로 변환시켜, 핀(46)을 승강시킨다.
본 실시형태에 있어서는, 예컨대, 핀(46) 및 핀 승강 수단(47)은, 테이블(30)의 외주측에 6개, 즉, 테이블(30)과 동일한 중심에서 둘레 방향으로 60도씩 등간격을 두고 배치되어 있으나, 핀(46) 및 핀 승강 수단(47)의 배치 개수는 이것에 한정되는 것이 아니다.
CPU 및 메모리 등의 기억 소자로 구성되는 제어 수단(9)은, 각 배선에 의해, 주회 수단(51)의 모터(511), 각 승강 수단(43), 각 핀 승강 수단(47)의 모터(472) 등에 전기적으로 접속되어 있고, 제어 수단(9)의 제어하에서, 주회 수단(51)에 의한 히터(50)의 주회 동작이나, 승강 수단(43)에 의한 배치 테이블(40)의 승강 동작, 및 핀 승강 수단(47)에 의한 핀(46)의 승강 동작 등이 제어된다.
주회 수단(51)의 모터(511)는, 예컨대 서보 모터이고, 모터(511)의 회전수를 검출하는 도시하지 않은 로터리 인코더가 접속되어 있다. 그리고, 이 로터리 인코더는, 서보 증폭기로서도 작용하는 제어 수단(9)으로부터 모터(511)에 대해 동작 신호가 공급된 후, 인코더 신호[모터(511)의 회전수]를 제어 수단(9)에 대해 출력한다. 제어 수단(9)은, 로터리 인코더로부터 제어 수단(9)에 대해 출력되는 인코더 신호에 의해, 주회 수단(51)에 의한 각 히터(50)의 주회 속도를 피드백 제어하고, 또한, 주회하는 각 히터(50)의 위치를 축차 인식할 수 있다.
핀 승강 수단(47)의 모터(472)는, 예컨대 서보 모터이고, 모터(472)의 회전수를 검출하는 도시하지 않은 로터리 인코더가 접속되어 있다. 그리고, 이 로터리 인코더는, 제어 수단(9)으로부터 모터(472)에 대해 동작 신호가 공급된 후, 인코더 신호[모터(472)의 회전수]를 제어 수단(9)에 대해 출력한다. 제어 수단(9)은, 상기 인코더 신호에 의해, 핀 승강 수단(47)에 의한 핀(46)의 승강량[테이프(T)의 밀어올림량]을 피드백 제어할 수 있다.
제어 수단(9)에 의한 히터(50)의 주회 속도 제어 및 히터(50)의 위치 인식 및 핀 승강 수단(47)의 동작 제어는, 서보 모터를 이용한 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 핀 승강 수단(47)의 모터(472)는, 펄스 모터(스테핑 모터)이고, 제어 수단(9)은, 도시하지 않은 펄스 발진기로부터 모터(472)에 송출되는 펄스 신호수로, 핀 승강 수단(47)에 의한 핀(46)의 승강량[테이프(T)의 밀어올림량]을 제어할 수 있다.
이하에, 전술한 분할 장치(1)를 이용하여 워크 세트(WS)의 테이프(T)를 확장시켜, 분할 기점(M)을 기점으로 웨이퍼(W)를 분할하는 경우의 분할 장치(1)의 동작에 대해 설명한다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 워크 세트(WS)의 웨이퍼(W)가 테이블(30)의 흡인면(300a) 상에 테이프(T)를 하측으로 향하게 하여 배치되고, 웨이퍼(W)의 중심과 흡인면(300a)의 중심이 대략 합치된 상태가 된다. 그리고, 솔레노이드 밸브(39a)가 개방된 상태에서 흡인원(39)이 작동함으로써, 흡인원(39)에 의해 만들어진 흡인력이 흡인면(300a)에 전달되고, 테이블(30)이 흡인면(300a) 상에서 웨이퍼(W)를 테이프(T)를 통해 흡인 유지한다.
동시에, 배치 테이블(40)의 유지면(40a)에 워크 세트(WS)의 링 프레임(F)이 배치된다. 계속해서, 커버 플레이트(41)로 상방으로부터 링 프레임(F)을 유지면(40a)과의 사이에 끼워 넣도록 하여, 테이블(30)의 외측에 있어서 유지면(40a)으로 링 프레임(F)을 유지한 후, 도시하지 않은 클램프부에 의해 커버 플레이트(41)가 배치 테이블(40)에 고정된다. 이 상태에 있어서는, 배치 테이블(40)의 유지면(40a)과 테이블(30)의 흡인면(300a)은 대략 동일한 높이 위치이다.
계속해서, 도 3에 도시된 바와 같이, 솔레노이드 밸브(39a)가 폐쇄되어 테이프(T)의 확장을 저해하지 않도록 흡인면(300a)에의 흡인력의 전달이 정지된 상태에서, 승강 수단(43)이 링 프레임(F)을 유지한 상태의 배치 테이블(40)을 미리 정해진 높이 위치까지 하강시킴으로써, 배치 테이블(40)의 유지면(40a)이 테이블(30)의 흡인면(300a)보다 하방의 높이 위치에 상대적으로 위치되고, 커버 플레이트(41)의 원형 개구(410)로부터 테이블(30)이 상방으로 돌출된다. 그리고, 링 프레임 유지부(4)에 대해 테이블(30)이 상대적으로 밀어 올려짐으로써 테이프(T)가 직경 방향으로 확장되고, 확장력이 테이프(T)를 통해 웨이퍼(W)에 대해 부여되어, 분할 예정 라인을 따라 형성된 분할 기점(M)을 기점으로 웨이퍼(W)가 개개의 칩으로 분할된다. 테이프(T)는, 인접하는 칩이 완전히 이격될 때까지 잡아 늘여지고, 복수개의 칩 사이에 미리 정해진 간격이 형성된다.
한편, 예컨대, 웨이퍼(W)가, 분할 장치(1)에 반입되기 전에 이미 분할 기점(M)을 기점으로 칩으로 분할되어 있는 것인 경우에는, 분할 장치(1)에 있어서 테이프(T)의 확장에 의해 복수개의 칩 사이에 미리 정해진 간격이 형성된다.
그 후, 도 4에 도시된 바와 같이, 다시, 솔레노이드 밸브(39a)가 개방되어 흡인면(300a)에 흡인력이 전달됨으로써, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)보다 내측의 영역[웨이퍼(W)에 대응하는 영역]이 흡인면(300a)으로 흡인 유지되어, 후술하는 테이프(T)의 확장의 해제에 의한 이완이 링형의 영역(Td)보다 내측의 영역에서 발생하지 않도록(확장 후의 칩 간격을 유지하도록) 세트된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 승강 수단(43)이 링 프레임 유지부(4)를 상승시켜 테이프(T)의 확장이 해제되면, 테이프(T)가 느슨해져서 테이프(T)의 흡인면(300a)으로 흡인되어 있지 않은 링형의 영역(Td)이 잉여분으로서 산 모양으로 이완하여, 원환형의 융기부(Tf)가 형성된다.
이 융기부(Tf)를 포함하는 테이프(T)의 링형의 영역(Td)이 복수개의 히터(50)에 의해 열수축된다. 이 경우, 히터(50)는, 원적외선의 조사 범위가 지나치게 넓어지면 웨이퍼(W)에 손상을 주어 버리기 때문에, 테이프(T)의 융기부(Tf)에 원적외선을 스폿 조사하여 국소적으로 가열하는 것이 바람직하다.
그리고, 융기부(Tf)가 열수축 중에 쓰러져 버림으로써 히터(50)로부터의 열이 전해지기 어렵게 되어 버리는 것을 방지하기 위해서, 도 6에 도시된 바와 같이, 각 핀(46)에 의해 테이프(T)의 링형의 영역(Td)의 융기부(Tf)를 밀어 올림으로써, 융기부(Tf)를 원적외선의 조사 위치에 맞추도록 하고, 또한, 히터(50)에 근접시킨다. 즉, 제어 수단(9)이 핀 승강 수단(47)의 모터(472)에 송출하는 동작 신호를 제어함으로써, 모터(472)를 미리 정해진 회전수분만큼 정회전시키고, 핀 승강 수단(47)에 의해 상승하는 핀(46)이 링형의 영역(Td)의 융기부(Tf)를 밀어 융기시켜 히터(50)에 융기부(Tf)를 근접시킨 후, 미리 정해진 높이 위치에서 정지시킨다.
예컨대, 주회 수단(51)이 제어 수단(9)의 제어하에서 미리 정해진 각도만큼 히터(50)를 주회시켜, 6개의 핀(46) 중 어느 2개의 상방에 2개의 히터(50)를 각각 위치시킨다. 이 히터(50)가 위치된 위치가, 열수축 개시 위치(원점 위치)가 된다.
그 후, 제어 수단(9)으로부터 주회 수단(51)의 모터(511)에 미리 정해진 양의 동작 신호가 공급되어, 모터(511)가 +Z 방향에서 보아 반시계 방향으로 회전축(510)을 미리 정해진 회전 속도로 회전시키고, 이에 따라, 히터 지지부(512)도 반시계 방향으로 회전한다. 그리고, 히터(50)가 회전축(510)을 축으로 반시계 방향으로 미리 정해진 회전 속도로 융기부(Tf) 상을 주회한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 주회하는 2개의 히터(50)(한쪽만 도시)로부터 테이프(T)의 융기부(Tf)를 향해 원적외선이 정밀도 좋게 스폿 조사된다. 따라서, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)의 융기부(Tf)와 그 부근만이 가열되어, 웨이퍼(W)에 손상을 주지 않고, 융기부(Tf)와 그 부근만이 효율적으로 가열 수축되어 간다. 그리고, 가열 수축된 융기부(Tf)는 플랫한 상태로 되돌아간다.
제어 수단(9)은, 주회 수단(51)에 의한 각 히터(50)의 주회 속도를 제어하고, 또한, 히터(50)의 주회 궤도 상에 있어서의 위치를 축차 파악하고 있기 때문에, 각 히터(50)가 원점 위치로부터 회전축(510)을 중심으로 하여 60도 반시계 방향으로 이동하여, 도 7에 도시된 상태로부터 도 8, 9에 도시된 바와 같이 핀(46) 바로 위에 위치하는 상태가 되었을 때에, 제어 수단(9)에 의한 제어하에서, 핀 승강 수단(47)의 모터(472)에 대해, 모터(472)를 역회전시켜 핀(46)을 약간 -Z 방향으로 강하시키는 미리 정해진 양의 동작 신호가 공급된다. 그 결과, 테이프(T)의 융기부(Tf)로부터 핀(46)이 약간 분리되면서 또는 분리된 상태에서, 핀(46) 바로 위를 히터(50)가 융기부(Tf)를 가열 수축하면서 통과해 간다. 그리고, 도 10에 도시된 바와 같이 핀(46)의 형태가 테이프(T)에 전사되어 버리지 않고, 다른 이미 가열 수축된 융기부(Tf)와 균등하게 융기부(Tf)가 가열 수축되어 플랫한 상태로 되돌아간다.
한편, 제어 수단(9)으로부터 모터(472)를 역회전시키는 동작 신호가 송출되고, 상기 동작 신호를 모터(472)가 수취하여 동작하기까지의 사이의 타임 래그를 고려하여, 제어 수단(9)에 의한 상기 핀 승강 수단(47)을 통한 핀(46)의 하강 동작 제어는, 히터(50)가 원점 위치로부터 회전축(510)을 중심으로 하여 60도 반시계 방향으로 이동하기 조금 전의 시점[예컨대, 히터(50)가 59도 이동한 시점]으로부터 개시되어도 좋다.
또한, 2개의 히터(50)가, 원점 위치로부터 회전축(510)을 중심으로 하여 120도 및 180도 반시계 방향으로 이동하여 각각 핀(46) 바로 위에 위치하는 상태가 되었을 때에, 제어 수단(9)에 의한 동일한 핀 승강 수단(47)의 제어가 행해짐으로써, 테이프(T)의 융기부(Tf)가 전체 둘레에 걸쳐 가열 수축되어, 도 11에 도시된 바와 같이, 테이프(T)의 링형의 영역(Td) 전체 둘레가 플랫한 상태가 된다.
그 후, 솔레노이드 밸브(39a)가 폐쇄되어 흡인면(300a)에의 흡인력의 전달이 정지되어도, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)의 융기부(Tf)만이 열수축되어 있고, 상기 링형의 영역(Td)보다 내측의 칩이 접착되어 있는 영역에 열수축은 없기 때문에, 개개의 칩의 간격은 웨이퍼(W)가 분할된 시점의 균등한 간격으로 유지되어 있다.
그 후, 커버 플레이트(41)가 배치 테이블(40) 상으로부터 분리되고, 워크 세트(WS)가 분할 장치(1)로부터 반출 가능한 상태가 된다.
본 발명에 따른 분할 장치(1)는, 워크 세트(WS)의 테이프(T)를 흡인 유지하는 흡인면(300a)을 갖는 테이블(30)과, 테이블(30)의 외측에서 워크 세트(WS)의 링 프레임(F)을 유지하는 링 프레임 유지부(4)와, 흡인면(300a)에 대해 직교하는 Z축 방향으로 테이블(30)과 링 프레임 유지부(4)를 상대적으로 접근 또는 이격시키는 승강 수단(43)과, 테이프(T)의 웨이퍼(W) 외주와 링 프레임(F) 내주 사이의 링형의 영역(Td)을 가열하여 수축시키는 히터(50)와, 히터(50)를 흡인면(300a)의 중심을 축으로 주회시키는 주회 수단(51)과, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)을 밀어 융기시켜 히터(50)에 테이프(T)를 근접시키는 핀(46)과, 핀(46)을 Z축 방향으로 승강시키는 핀 승강 수단(47)과, 핀 승강 수단(47)을 제어하는 제어 수단(9)을 구비하고, 핀(46)은, 흡인면(300a)의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 미리 정해진 각도를 두고 복수개 배치되어 있는, 즉, 본 실시형태에 있어서는, 테이블(30)의 흡인면(300a)의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 등각도(예컨대, 60도)를 두고 복수개(예컨대, 6개) 배치되어 있고, 제어 수단(9)은, 주회 수단(51)에 의해 주회하는 히터(50)가, 핀(46) 바로 위에 위치하여 테이프(T)를 열수축시킬 때에, 테이프(T)로부터 핀(46)을 약간 분리시키도록 핀 승강 수단(47)을 제어한다. 그 때문에, 테이프(T)를 열수축시키고 있을 때에, 핀(46)에 의해 테이프(T)의 링형의 영역(Td)의 융기부(Tf)가 쓰러지지 않도록 융기되어 있기 때문에 히터(50)로부터의 열이 전해지기 쉽게 되어 있고, 또한, 핀(46) 바로 위에 히터(50)가 위치할 때에는 핀(46)을 테이프(T)로부터 약간 분리시킴으로써 열수축에 의해 핀(46)의 형태가 테이프(T)에 전사되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)을 균일하게 열수축시켜 플랫한 상태로 할 수 있고, 칩끼리의 간격이 테이프(T) 상에서 미리 정해진 균등한 간격으로 유지된 상태를 유지할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 분할 장치(1)는 본 실시형태에 한정되지 않고, 또한, 첨부 도면에 도시되어 있는 분할 장치(1)의 각 구성 등에 대해서도, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서 적절히 변경 가능하다.
예컨대, 링 프레임 유지부(4)는 링 프레임(F)을 유지 가능하면 되고, 커버 플레이트(41) 대신에, 에어 액추에이터 등으로 구동하는 클램프부를 배치 테이블(40)의 사방에 설치하여, 링 프레임(F)의 사방을 유지하는 구성으로 해도 좋다.
예컨대, 본 실시형태에 있어서는, 2개의 히터(50)를 테이프(T)의 링형의 영역(Td)에서 각각 대략 180도 회전시킴으로써, 테이프(T)의 융기부(Tf)를 전체 둘레에 걸쳐 가열 수축하여 링형의 영역(Td) 전체 둘레를 플랫한 상태로 하고 있으나, 테이프(T)의 열수축률 등에 따라, 2개의 히터(50)를 테이프(T)의 링형의 영역(Td)에서 360도 또는 540도(180도의 정수배) 회전시켜, 테이프(T)의 융기부(Tf)를 전체 둘레에 걸쳐 가열 수축하여 링형의 영역(Td) 전체 둘레를 플랫한 상태로 해도 좋다. 이 경우에는, 테이프(T)의 융기부(Tf)를 하방으로부터 융기시키는 각 핀(46) 바로 위를 2회, 3회로 히터(50)가 통과하여, 융기부(Tf)가 테이프(T)의 열수축률에 따라 단계적으로 열수축되어 간다.
그 때문에, 테이프(T)의 열수축률에 따라, 제어 수단(9)에 의한 핀 승강 수단(47)의 제어하에서, 히터(50)가 핀(46) 바로 위에 위치할 때의 핀(46)의 하강량을 히터(50)가 통과하는 회마다 변경시키는, 즉, 핀 승강 수단(47)에 의해 핀(46)을 스텝 이송하는 것으로 해도 좋다. 핀(46)을 스텝 이송하는 경우의 핀(46)의 하강량은, 테이프(T)의 열수축률에 의해 결정되고, 열수축률이 큰 경우에는, 핀(46)의 하강량도 커진다. 예컨대, 각 핀(46)의 상방을 1회째로 히터(50)가 통과할 때의 테이프(T)의 열수축률이 큰 경우에는, 핀(46)은 크게 하강하고, 각 핀(46)의 상방을 2회째로 히터(50)가 통과할 때의 테이프(T)의 열수축률이 작아지고 있는 경우에는, 그에 비례하여 핀(46)의 하강량도 1회째의 하강량보다 작아진다.
상기 실시형태에 있어서는, 핀(46)이 테이블(30)의 흡인면(300a)의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 60도씩 등간격을 두고 6개 배치되어 있으나, 예컨대, 도 12에 도시된 바와 같이, 핀(46)은, 테이블(30)의 흡인면(300a)의 중심선(b1-b2)을 기준으로 하여 대칭으로 복수개 배치되어 있어도 좋다.
웨이퍼(W)는, 웨이퍼(W)보다 대직경의 테이프(T)가 이면(Wb)에 접착되고, 테이프(T)의 점착면의 외주부가 원형의 개구부를 구비하는 링 프레임(F)에 접착됨으로써, 워크 세트(WS)가 된다. 이 워크 세트(WS)의 형성은, 테이프 접착 장치 등에서 행해진다. 테이프 접착 장치에서는, 예컨대, 롤형으로 감긴 테이프 롤로부터, 띠형의 테이프(T)를 미리 정해진 길이만큼 회전 롤러 등에 의해 인출하고, 웨이퍼(W)와 링 프레임(F)에 띠형의 테이프(T)를 접착하며, 그 후, 띠형의 테이프(T)를 링 프레임(F)을 따라 커터 등으로 원형으로 절단하고 있다. 그리고, 띠형의 테이프(T)는, 그 연장 방향(인출되는 방향)과 연장 방향에 직교하는 폭 방향에서 기계적 외력에 대한 신축성, 가열 수축성, 및 확장 후에 있어서의 형상 유지성(이완함으로써 융기했을 때의 쓰러지기 쉬움) 등이 상이한 경우가 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리에는, 결정 방위 등을 나타내는 마크인 노치(N)가, 웨이퍼(W)의 중심을 향해 직경 방향 내측으로 움푹 들어간 상태로 형성되어 있다. 테이프 접착 장치에 있어서, 예컨대, 노치(N)가 나타내는 방향과 테이프(T)의 연장 방향이 동일 방향으로 된 상태로 워크 세트(WS)가 형성됨으로써, 도 1에 도시된 분할 장치(1)에 워크 세트(WS)가 반송되었을 때에, 워크 세트(WS)의 원형의 테이프(T)의 연장 방향이 판단 가능해지고 있다. 한편, 웨이퍼(W)나 테이프(T)의 고체 식별 정보를 나타내는 도시하지 않은 마크(예컨대, 바코드)가, 링 프레임(F)에 형성되어 있음으로써, 원형의 테이프(T)의 연장 방향이 판단 가능하게 되어 있어도 좋다.
도 12에 있어서는, 도 1에 도시된 테이블(30)이 흡인면(300a) 상에서 웨이퍼(W)를 테이프(T)를 통해 흡인 유지하고 있고, 커버 플레이트(41)로 상방으로부터 링 프레임(F)을 유지면(40a)과의 사이에 끼워 넣도록 하여, 테이블(30)의 외측에 있어서 유지면(40a)으로 링 프레임(F)이 유지되어 있다. 그리고, 노치(N)를 이용한 원형의 테이프(T)의 연장 방향의 파악에 의해, 원형의 테이프(T)는, Y축 방향이 테이프(T)의 연장 방향이 되도록, 또한, X축 방향이 테이프(T)의 폭 방향이 되도록 하여 유지 테이블(30) 상에서 흡인 유지되어 있다. 핀(46)은, 이 테이프(T)의 연장 방향을 고려하여, 예컨대, 테이블(30)의 흡인면(300a)의 Y축에 평행한 중심선(b1-b2)을 기준으로 하여 대칭으로 5개씩, 합계 10개 배치되어 있다. 각 핀(46)은 도 1에 도시된 핀 승강 수단(47)에 의해 승강 가능하게 지지되어 있다.
핀(46)은, 예컨대, X축에 평행한 중심선(a1-a2) 상에 중심선(b1-b2)을 기준으로 하여 대칭으로 하나씩 배치되고, 또한, 테이블(30)의 흡인면(300a)의 중심을 중심으로 하여 중심선(a1-a2)으로부터 둘레 방향으로 10도 두고 중심선(b1-b2)을 기준으로 하여 대칭으로 2개씩 배치되며, 또한, 둘레 방향으로 15도 두고 중심선(b1-b2)을 기준으로 하여 대칭으로 2개씩 배치되어 있다. 한편, 핀(46)의 배치 개수 및 둘레 방향에 있어서의 이격 각도는 본 실시형태에 나타내는 예에 한정되는 것은 아니며, 테이프(T)의 연장 방향과 폭 방향으로부터 판단되는 링형의 영역(Td)에서 이완 융기하여 형성된 융기부(Tf)의 쓰러지기 쉬움 등을 고려하여, 실험적, 경험적, 또는 이론적으로 선택된다.
앞서 설명한 것과 마찬가지로, 분할 장치(1)에 있어서, 분할 예정 라인을 따라 형성된 분할 기점(M)(도 1 참조)을 기점으로 웨이퍼(W)가 개개의 칩으로 분할되고, 테이프(T)가 느슨해져서 테이프(T)의 흡인면(300a)으로 흡인되어 있지 않은 링형의 영역(Td)이 잉여분으로서 산 모양으로 이완하여, 도 13에 도시된 원환형의 융기부(Tf)가 형성된다. 도 13은 테이프(T)의 도 12에 도시된 중심선(a1-a2) 단면을 도시하고 있다. 도 12에 도시된 테이프(T)의 폭 방향(X축 방향)에서는, 테이프(T)의 연장 방향(Y축 방향)보다 링형의 영역(Td)에 형성된 융기부(Tf)가, 도 13에 도시된 바와 같이 중심측으로 쓰러지기 쉽다. 따라서, 도 14에 도시된 바와 같이, 각 핀(46)이 핀 승강 수단(47)에 의해 상승하여, 각 핀(46)이 링형의 영역(Td)의 쓰러져 버린 융기부(Tf)를 융기시켜 히터(50)에 근접시킨 후, 미리 정해진 높이 위치에서 정지한다. 도 12에 도시된 바와 같이, 각 핀(46)의 둘레 방향에 있어서의 이격 각도가 중심선(b1-b2)에 근접하는 방향으로 10도, 15도로 커지는 이유는, 링형의 영역(Td)에 있어서, 보다 중심선(b1-b2)에 가까운 측의 융기부(Tf)는, 중심선(a1-a2)에 보다 가까운 측의 융기부(Tf)보다 쓰러지기 어렵기 때문에, 각 핀(46) 사이의 거리가 넓어져도 융기부(Tf)가 쓰러지지 않도록 계속 융기시킬 수 있기 때문이다.
도 15는 테이프(T)의 도 12에 도시된 중심선(b1-b2) 단면을 도시하고 있다. 도 12에 도시된 테이프(T)의 폭 방향(X축 방향)에서는, 테이프(T)의 연장 방향(Y축 방향)보다 링형의 영역(Td)에 형성된 융기부(Tf)가 테이블(30)의 흡인면(300a)의 중심측으로 쓰러지기 어렵다. 그 때문에, 핀(46)으로 융기부(Tf)를 하방으로부터 융기시키지 않아도, 융기부(Tf)는 쓰러지지 않고 융기한 상태를 유지한다.
이와 같이, 핀(46)이, 테이블(30)의 흡인면(300a)의 중심선(b1-b2)을 기준으로 하여 대칭으로 복수개 배치됨으로써, 테이프(T)를 열수축시킬 때에, 테이프(T)의 링형의 영역(Td)의 쓰러지기 쉬운 융기부(Tf)를 선택적으로 핀(46)에 의해 융기시켜 쓰러지지 않도록 할 수 있다.
예컨대, 주회 수단(51)이 제어 수단(9)의 제어하에서 미리 정해진 각도만큼 히터(50)를 주회시켜, 도 12에 도시된 중심선(a1-a2) 상의 2개의 핀(46)의 상방에 2개의 히터(50)를 각각 원점 위치에 위치시킨다. 그 후, 제어 수단(9)으로부터 주회 수단(51)의 모터(511)에 미리 정해진 양의 동작 신호가 공급되어, 도 14에 도시된 바와 같이, 히터 지지부(512)가 반시계 방향으로 회전한다. 그리고, 히터(50)가 회전축(510)을 축으로 반시계 방향으로 미리 정해진 회전 속도로 융기부(Tf) 상을 주회한다.
주회하는 2개의 히터(50)로부터 테이프(T)의 융기부(Tf)를 향해 원적외선이 조사되고, 가열에 의해 수축한 융기부(Tf)는 플랫한 상태로 되돌아간다.
제어 수단(9)은, 주회 수단(51)에 의한 각 히터(50)의 주회 속도를 제어하고, 또한, 히터(50)의 주회 궤도 상에 있어서의 위치를 축차 파악하고 있기 때문에, 각 히터(50)가 원점 위치로부터 회전축(510)을 중심으로 하여 10도 반시계 방향으로 이동하여, 히터(50)가 핀(46) 바로 위에 위치하는 상태가 되었을 때에, 제어 수단(9)에 의한 제어하에서, 핀 승강 수단(47)이 핀(46)을 약간 하강시킨다. 그 때문에, 테이프(T)의 융기부(Tf)로부터 핀(46)이 약간 분리되면서 또는 분리된 상태에서, 핀(46) 바로 위를 히터(50)가 융기부(Tf)를 가열 수축하면서 통과해 간다. 그리고, 핀(46)의 형태가 테이프(T)에 전사되어 버리지 않고, 융기부(Tf)가 가열 수축되어 플랫한 상태로 되돌아간다.
2개의 히터(50)가, 또한 15도 반시계 방향으로 이동하여 각각 핀(46) 바로 위에 위치하는 상태가 되었을 때에, 제어 수단(9)에 의한 동일한 핀 승강 수단(47)의 제어가 행해짐으로써, 테이프(T)의 융기부(Tf)가 마찬가지로 가열 수축된다. 도 15에 도시된 핀(46)으로 밀리지 않고 단독으로 융기하고 있는 융기부(Tf)는, 그대로의 상태로 2개의 히터(50)에 의해 가열 수축된다. 이러한, 제어 수단(9)에 의한 핀 승강 수단(47)의 제어하에서, 핀(46)의 형태가 테이프(T)에 전사되어 버리지 않고, 테이프(T)의 링형의 영역(Td) 전체 둘레를 열수축에 의해 플랫한 상태로 할 수 있다.
1: 분할 장치 30: 테이블
300: 흡착부 300a: 흡인면
301: 프레임 301a: 흡인로
301b: 롤러 32: 지지 기둥
39: 흡인원 4: 링 프레임 유지부
40: 배치 테이블 40a: 유지면
400: 원형 개구 41: 커버 플레이트
410: 원형 개구 43: 승강 수단
46: 핀 47: 핀 승강 수단
471: 볼 나사 472: 모터
50: 히터 51: 주회 수단
510: 회전축 511: 모터
9: 제어 수단 W: 웨이퍼
M: 분할 기점 T: 테이프
Td: 링형의 영역 Tf: 융기부
F: 링 프레임 WS: 워크 세트

Claims (3)

  1. 링 프레임의 개구부를 막아 접착한 열수축성의 테이프를 통해 분할 기점이 형성되고 상기 개구부에 위치된 웨이퍼를 지지한 워크 세트의 상기 테이프를 확장시켜, 상기 분할 기점을 기점으로 웨이퍼를 분할하는 분할 장치로서,
    상기 워크 세트의 상기 테이프를 흡인 유지하는 흡인면을 갖는 테이블과, 상기 테이블의 외측에서 상기 워크 세트의 상기 링 프레임을 유지하는 링 프레임 유지부와, 상기 흡인면에 대해 직교하는 Z축 방향으로 상기 테이블과 상기 링 프레임 유지부를 상대적으로 접근 또는 이격시키는 승강 수단과, 상기 테이프의 상기 웨이퍼 외주와 상기 링 프레임 내주 사이의 링형의 영역을 가열하여 수축시키는 히터와, 상기 히터를 상기 흡인면의 중심을 축으로 주회(周回)시키는 주회 수단과, 상기 테이프의 상기 링형의 영역을 밀어 융기시켜 상기 히터에 상기 테이프를 근접시키는 핀과, 상기 핀을 상기 Z축 방향으로 승강시키는 핀 승강 수단과, 상기 핀 승강 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
    상기 핀은, 상기 흡인면의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 미리 정해진 각도를 두고 복수개 배치되며,
    상기 제어 수단은, 상기 주회 수단에 의해 주회하는 상기 히터가, 상기 핀 바로 위에 위치하여 상기 테이프를 열수축시킬 때에, 상기 테이프로부터 상기 핀을 약간 분리시키도록 상기 핀 승강 수단을 제어하는 것인, 분할 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 핀은, 상기 흡인면의 중심선을 기준으로 하여 대칭으로 복수개 배치되는 것인, 분할 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 핀은, 상기 흡인면의 중심을 중심으로 하여 둘레 방향으로 등각도를 두고 복수개 배치되는 것인, 분할 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112908922A (zh) * 2021-01-28 2021-06-04 蔡德昌 一种重复使用的透明硬质载具与待减薄晶圆片之贴合及剥离工艺

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015216151A (ja) 2014-05-08 2015-12-03 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置及びチップ間隔維持方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP4574251B2 (ja) * 2003-09-17 2010-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5831696B2 (ja) * 2011-09-14 2015-12-09 株式会社東京精密 ダイボンダ
JP5294358B2 (ja) * 2012-01-06 2013-09-18 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ及びこれを使用した半導体装置の製造方法
JP5985245B2 (ja) * 2012-05-15 2016-09-06 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置
JP2014027079A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Azbil Corp ピックアップ方法およびピックアップ装置
JP2014107292A (ja) * 2012-11-22 2014-06-09 Disco Abrasive Syst Ltd チップ間隔維持装置
JP6570942B2 (ja) * 2015-09-18 2019-09-04 株式会社ディスコ 分割装置及びウエーハの分割方法
JP6606191B2 (ja) * 2016-03-31 2019-11-13 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着シート
DE102016110503B4 (de) * 2016-06-07 2019-01-17 Infineon Technologies Ag Wafer-Expander und Verfahren zum Expandieren von Chips eines Wafers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015216151A (ja) 2014-05-08 2015-12-03 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置及びチップ間隔維持方法

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