TW202343554A - 晶圓的處理方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種晶圓的處理方法，其能消除保護薄片從晶圓的外周剝離、晶圓的外周因切割手段而損傷等問題。[解決手段] 一種晶圓的處理方法，所述晶圓在正面形成有多個元件被分割預定線劃分之元件區域與圍繞該元件區域之外周剩餘區域，所述晶圓的處理方法包含：薄片配設步驟，其配設覆蓋晶圓的正面整面之大小的保護薄片；薄片切斷步驟，其切斷從晶圓的外周突出之保護薄片；以及晶圓處理步驟，其將晶圓的背面進行處理，並且，該薄片切斷步驟係對與晶圓的外周對應之區域的保護薄片照射雷射光線而切斷從晶圓的外周突出之保護薄片。

Description

晶圓的處理方法
本發明係關於一種晶圓的處理方法，所述晶圓在正面形成有多個元件被分割預定線劃分之元件區域與圍繞該元件區域之外周剩餘區域。
在正面形成有IC（Integrated Circuit，積體電路）、LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）等多個元件被分割預定線劃分之元件區域與圍繞該元件區域之外周剩餘區域之晶圓係在背面被研削而形成為所期望的厚度後，藉由切割裝置、雷射加工裝置而對分割預定線施以加工，被分割成一個個元件晶片並被利用於行動電話、個人電腦等電子機器。
又，已提案有稱作先切割後研削（Dicing Before Grinding，DBG）之技術，其係在形成於晶圓的正面之分割預定線形成深度與晶圓的完工厚度相當之半槽，之後，在晶圓的正面配設保護薄片並研削晶圓的背面，使該半槽在晶圓的背面露出，藉此將晶圓分割成一個個元件晶片。
然後，在研削晶圓的背面時，應防止晶圓的正面被研削裝置的卡盤台保持而損傷或元件晶片因先切割後研削而散開，為了預先保護晶圓的正面而配設保護薄片（例如參照專利文獻1、2）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-246098號公報 [專利文獻2]日本特開2010-027780號公報
[發明所欲解決的課題] 上述專利文獻1、2所記載之技術中所使用之保護薄片一般而言被設定成稍大於晶圓的正面，並以覆蓋晶圓之方式被配設。因此，在將該保護薄片配設於晶圓的正面後，會藉由切斷器等切割手段而沿著晶圓的外周切斷該保護薄片的外周區域。但是，因會發生該保護薄片被該切割手段的切割刀刃捲入而從晶圓的外周剝離、該切割刀刃損傷晶圓的外周等問題，故需要改善。
本發明係鑑於上述事實而完成，其主要技術課題係提供一種晶圓的處理方法，其能消除保護薄片從晶圓的外周剝離、晶圓的外周因切割手段而損傷等問題。
[解決課題的技術手段] 為了解決上述主要課題，根據本發明，提供一種晶圓的處理方法，所述晶圓在正面形成有多個元件被分割預定線劃分之元件區域與圍繞該元件區域之外周剩餘區域，所述晶圓的處理方法包含：薄片配設步驟，其配設覆蓋晶圓的正面整面之大小的保護薄片；薄片切斷步驟，其切斷從晶圓的外周突出之保護薄片；以及晶圓處理步驟，其將晶圓的背面進行處理，並且該薄片切斷步驟係對與晶圓的外周對應之區域的保護薄片照射雷射光線而切斷從晶圓的外周突出之保護薄片。
該保護薄片可為藉由加熱而壓接之熱壓接薄片，亦可為與晶圓的外周剩餘區域對應而形成有黏著層之黏著薄片。又，該薄片配設步驟可在晶圓的正面配設藉由加熱而壓接之熱壓接薄片或與晶圓的外周剩餘區域對應而形成有黏著層之黏著薄片，並配設將熱壓接薄片或黏著薄片的凹凸進行吸收之柔軟層，更進一步配設將該柔軟層進行平坦化之平坦化薄片而形成該保護薄片。再者，晶圓處理步驟可為執行將晶圓的背面進行研削或研磨之加工之步驟。
[發明功效] 本發明的晶圓的處理方法因係一種晶圓的處理方法，所述晶圓在正面形成有多個元件被分割預定線劃分之元件區域與圍繞該元件區域之外周剩餘區域，所述晶圓的處理方法包含：薄片配設步驟，其配設覆蓋晶圓的正面整面之大小的保護薄片；薄片切斷步驟，其切斷從晶圓的外周突出之保護薄片；以及晶圓處理步驟，其將晶圓的背面進行處理，並且，該薄片切斷步驟係對與晶圓的外周對應之區域的保護薄片照射雷射光線而切斷從晶圓的外周突出之保護薄片，故會消除保護薄片從晶圓的外周剝離、晶圓的外周損傷之問題。
以下，針對根據本發明所構成之晶圓的處理方法之實施方式，一邊參照圖式一邊詳細地進行說明。
圖1中表示藉由本實施方式的晶圓的處理方法所加工之晶圓10。晶圓10係半導體（例如矽（Si））的圓形的晶圓，其在正面10a形成有多個元件12被分割預定線14劃分之元件區域16a與圍繞此元件區域16a之外周剩餘區域16b。此外，在圖1中，為了方便說明，以兩點鏈線表示區分元件區域16a與外周剩餘區域16b之交界L，但並未實際形成於晶圓10的正面10a。
在實施本發明的晶圓的處理方法時，準備上述之晶圓10，並實施薄片配設步驟，所述薄片配設步驟係配設覆蓋晶圓10的正面10a整面之大小的保護薄片。該保護薄片例如被設定成大於晶圓10的直徑300mm之尺寸，例如為直徑310mm的圓形的薄片。作為保護薄片，例如可採用可藉由加熱而壓接之熱壓接薄片T1。
若已將上述的晶圓10如圖1（a）所示般將正面10a朝向上方並載置於作業台2的上表面2a並藉由蠟等而固定，則將熱壓接薄片T1載置於晶圓10的正面10a。
作為熱壓接薄片T1，例如可選自聚烯烴系薄片或聚酯系薄片。作為該聚烯烴系薄片，例如可選自聚乙烯薄片、聚丙烯薄片、聚苯乙烯薄片中任一者，作為該聚酯系薄片，例如可選自聚對苯二甲酸乙二酯薄片、聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate）薄片中任一者。
若已將熱壓接薄片T1載置於晶圓10的正面10a，則將圖1（b）所示之圓柱狀的加熱輥3定位於已載置熱壓接薄片T1之晶圓10的上方。加熱輥3能往箭號R1所示之方向旋轉，且被構成為往箭號R2所示之方向移動自如。在加熱輥3內建有電熱器及溫度感測器（皆未圖示），藉由適當的控制裝置而調整加熱輥3的外周面3a的溫度。在加熱輥3的外周面3a塗布有氟樹脂。
如上所述，若已定位加熱輥3，則運作加熱輥3的電熱器，將外周面3a調整成熱壓接薄片T1會軟化且發揮黏著力之溫度。選擇聚烯烴系薄片的聚乙烯薄片（PE）作為熱壓接薄片T1之情形，在120～140℃的範圍調整該加熱時的溫度。此外，將熱壓接薄片T1進行熱壓接之加熱時的溫度係依據所採用之薄片的材料而適當調整，並被設定成會因加熱而軟化並發揮黏著力之溫度。
接著，一邊以加熱輥3將熱壓接薄片T1往下方按壓， 一邊將加熱輥3往箭號R1所示之方向旋轉且往箭號R2所示之方向移動，熱壓接薄片T1係與晶圓10的正面10a密接，並壓接於晶圓10的正面10a。此外，加熱輥3的外周面3a因塗布有氟樹脂，故即使熱壓接薄片T1產生黏著力，熱壓接薄片T1亦不會被加熱輥3捲入。藉由以上動作，而薄片配設步驟結束。此外，熱壓接薄片T1因尺寸大於晶圓10，故如圖1（c）所示，熱壓接薄片T1的外周T1a會從晶圓10的外周10c往外方向突出。
本發明的薄片配設步驟並不受限於上述之實施方式。例如，作為保護晶圓10的正面10a之保護薄片，亦可採用圖2所示之黏著薄片T2以代替上述之熱壓接薄片T1。圖示的黏著薄片T2例如為聚烯烴的薄片，並在成為黏貼面之下表面T2a側且與晶圓10的外周剩餘區域16b對應之區域形成有已塗布糊劑之環狀的黏著層T2c。在黏著薄片T2的下表面T2a中，在與晶圓10的元件區域16a對應之中央的區域（黏著層T2c的內側）及黏著薄片T2的上表面T2b未形成黏著層。如圖2（b）所示，藉由將此種黏著薄片T2載置於晶圓10的正面10a並黏貼，亦實現薄片配設步驟。與上述之實施方式同樣地，黏著薄片T2被形成為大於晶圓10例如直徑310mm，如圖2（c）所示，黏著薄片T2的黏著層T2c的外周側成為從晶圓10的外周10c往外方向突出。
再者，本發明的薄片配設步驟中，作為保護薄片，並不受限於僅採用熱壓接薄片T1、黏著薄片T2。例如，如上述般已在晶圓10的正面10a配設熱壓接薄片T1或黏著薄片T2之情形，如圖3（a）所例示（圖3（a）表示已配設熱壓接薄片T1作為保護薄片之例子），有起因於晶圓10的正面10a的凹凸而產生凹凸T1b之情形。於是，在圖3所示之實施方式中，在黏貼上述的熱壓接薄片T1後，應對熱壓接薄片T1的上表面形成吸收圖示的凹凸T1b之柔軟層，例如，供給具有黏度之液狀樹脂22。將該液狀樹脂22從圖示的液狀樹脂供給手段20的噴嘴21滴下預定量。若已滴下該液狀樹脂22，則如圖3（b）所示，應將該柔軟層的表面進行平坦化，而在該柔軟層的上表面鋪設平坦化薄片T3。該平坦化薄片T3的材質雖未被特別限定，但為比上述的熱壓接薄片T1硬質且均勻厚度的透明的樹脂的薄片，例如為聚丙烯（PP）薄片。形成該柔軟層之液狀樹脂22係藉由紫外線而硬化之樹脂的情形，在配設上述的平坦化薄片T3後，隔著平坦化薄片T3對液狀樹脂22照射紫外線而使其硬化。此結果，如圖3（c）、（d）所示，在晶圓10的正面10a形成由熱壓接薄片T1、作為柔軟層的液狀樹脂22以及平坦化薄片T3這三層所構成之保護薄片，薄片配設步驟結束。如此包含柔軟層與平坦化薄片T3之保護薄片亦如圖3（d）所示，熱壓接薄片T1的外周T1a、層積於其之液狀樹脂22、平坦化薄片T3的外周區域成為從晶圓10的外周10c往外方向突出。
此外，在上述說明中，雖已說明將藉由加熱而壓接之熱壓接薄片T1黏貼於晶圓10的正面10a，並於其上配設柔軟層（液狀樹脂22）與平坦化薄片T3之例子，但本發明並不受限於此，亦可在配設上述之黏著薄片T2以代替熱壓接薄片T1之後，同樣地配設作為柔軟層的液狀樹脂22、平坦化薄片T3而作為保護薄片。又，在上述之實施方式中，作為柔軟層，雖已表示供給會藉由紫外線而硬化之液狀樹脂22之例子，但只要為可吸收凹凸T1b之樹脂則不受限此，例如亦可為會藉由時間經過或溫度下降而硬化之液狀樹脂。
如上述，藉由在黏貼於晶圓10的正面10a之熱壓接薄片T1或黏著薄片T2上隔著柔軟層具備平坦化薄片T3，而即使為在已將熱壓接薄片T1或黏著薄片T2等柔軟的薄片黏貼於晶圓10的正面10a之情形中產生凹凸之情形，亦可穩定地支撐晶圓10的正面10a側，並可避免在後述之晶圓處理步驟中之該凹凸的影響。
若已如上述般實施薄片配設步驟，則對晶圓10實施以下所說明之薄片切斷步驟、晶圓處理步驟。此外，在以下所說明之步驟中，說明選擇熱壓接薄片T1作為保護薄片並將已實施由熱壓接所進行之薄片配設步驟之晶圓10（參照圖1（b））進行處理的態樣。
圖4中表示適合實施薄片切斷步驟的雷射加工裝置30。雷射加工裝置30係包含以下構件所構成：基台30a；保持手段31，其配置於該基台30a上且用於保持被加工物；移動手段36，其使該保持手段31在X軸方向及與該X軸方向正交之Y軸方向移動；雷射光線照射手段40；以及攝像手段5，其用於執行對準。
如圖4所示，保持手段31具備：矩形狀的X軸方向可動板32，其在X軸方向移動自如地搭載於基台30a；矩形狀的Y軸方向可動板33，其在Y軸方向移動自如地搭載於X軸方向可動板32；以及保持台34，其配設於Y軸方向可動板33上，並藉由在內部具備脈衝馬達而被構成為能旋轉。保持台34的上表面34a係藉由具有透氣性之構件所構成，並與省略圖示之吸引手段連接。
移動手段36具備：X軸移動手段37，其使保持台34在X軸方向移動；以及Y軸移動手段38，其使保持台34在Y軸方向移動。X軸移動手段37係將馬達37a的旋轉運動透過滾珠螺桿37b而轉換成直線運動並傳遞至X軸方向可動板32，並使X軸方向可動板32沿著沿X軸方向配設於基台30a上之一對導軌30b、30b而在X軸方向移動。Y軸移動手段38係將馬達38a的旋轉運動透過滾珠螺桿38b而轉換成直線運動並傳遞至Y軸方向可動板33，使Y軸方向可動板33沿著沿Y軸方向配設於X軸方向可動板32上之一對導軌35、35而在Y軸方向移動。
雷射加工裝置30具備由垂直壁部39a及水平壁部39b所構成之框體39，所述垂直壁部39a立設於基台30a上的X軸移動手段37及Y軸移動手段38的側方，所述水平壁部39b係從垂直壁部39a的上端部往水平方向延伸。在該框體39的水平壁部39b的內部容納有構成上述的雷射光線照射手段40之光學系統以及攝像手段5。
在圖5（a）揭示表示雷射光線照射手段40的光學系統的概要之方塊圖。雷射光線照射手段40具備：振盪器43，其振盪因應所期望的雷射加工條件之脈衝雷射光線LB；X軸電流掃描器（X-axis galvano scanner）44，其將振盪器43所振盪之脈衝雷射光線LB在X軸方向擺動；Y軸電流掃描器45，其將脈衝雷射光線LB往Y軸方向擺動；以及聚光器41，其包含fθ透鏡42，所述fθ透鏡42將在X軸方向及Y軸方向擺動之脈衝雷射光線LB照射至被保持於保持台34之被加工物的所期望的位置。
X軸電流掃描器44及Y軸電流掃描器45係具有省略圖示之反射鏡及調整該反射鏡的反射角度之角度調整致動器之習知的構成。fθ透鏡42係以與晶圓10對應之尺寸所構成，並將藉由控制X軸電流掃描器44及Y軸電流掃描器45而在X軸方向及Y軸方向搖動之脈衝雷射光線LB垂直地對保持台34的上表面34a進行照射。X軸電流掃描器44、Y軸電流掃描器45被控制手段46控制。
上述之控制手段係藉由電腦所構成，並具備：中央運算處理裝置（CPU），其遵循控制程式而進行運算處理；唯讀記憶體（ROM），其儲存控制程式等；能讀寫的隨機存取記憶體（RAM），其用於暫時地儲存所檢測出之檢測值、運算結果等；以及輸入介面與輸出介面（省略詳細圖示）。該控制手段除了上述的雷射光線照射手段40以外，更連接有攝像手段5、顯示手段6、X軸移動手段37、Y軸移動手段38等，並控制各運作部。
本實施方式的雷射加工裝置30大致具備如同上述的構成，以下針對使用此雷射加工裝置30所實施之薄片切斷步驟進行說明。
在實施薄片切斷步驟時，將上述之晶圓10的背面10b朝向上方且將熱壓接薄片T1朝向下方而載置於保持台34的上表面34a，運作上述的吸引手段而在上表面34a生成負壓並進行吸引保持。接著，運作移動手段36，將晶圓10與保持台34一起定位於攝像手段5的下方並進行拍攝，檢測晶圓10、熱壓接薄片T1的位置並記憶於上述的控制手段。
接著，運作移動手段36，將晶圓10定位於雷射光線照射手段40的聚光器41的下方。根據藉由攝像手段5而檢測出之晶圓10、熱壓接薄片T1的形狀的資訊，運作雷射光線照射手段40的振盪器43、X軸電流掃描器44、Y軸電流掃描器45，如圖5（b）所示，將從聚光器41照射之雷射光線LB的聚光點定位於熱壓接薄片T1，且在與晶圓10的外周10c對應之熱壓接薄片T1上的環狀的區域使對熱壓接薄片T1具有吸收性之波長的雷射光線LB一邊往箭號R3所示之方向移動一邊進行照射，而環狀地切斷從晶圓10的外周10c突出之熱壓接薄片T1的外周T1a。
此外，從雷射光線照射手段40的振盪器43照射之雷射光線LB例如被設定成如同以下的雷射加工條件。 波長                         ：355nm 重複頻率                 ：10kHz 平均輸出                 ：3W 光點直徑                 ：10μm 加工進給速度         ：100mm／s
此外，在上述之實施方式中，雖表示使用具備fθ透鏡42之雷射光線照射手段40而實施薄片切斷步驟之例子，但本發明並不受限於此。例如，亦可具備圖6（a）所示之雷射光線照射手段40’以代替上述的雷射光線照射手段40。該雷射光線照射手段40’具備振盪器43’，所述振盪器43’具備與上述之雷射光線照射手段40所具備之振盪器43同樣的功能，從該振盪器43’照射之雷射光線LB能被轉換光路之反射鏡47反射，且被導向具備聚光透鏡42’之聚光器41’，並照射至保持台34上。根據藉由上述的攝像手段5所檢測出之關於晶圓10的外周10c、熱壓接薄片T1的形狀之資料，運作移動手段36的X軸移動手段37及Y軸移動手段38，如圖6（b）所示，將聚光器41’定位於與晶圓10的外周10c對應之熱壓接薄片T1的環狀的區域。然後，一邊將從雷射光線照射手段40’照射之雷射光線LB的聚光點定位於熱壓接薄片T1並進行照射，一邊使保持台34藉由省略圖示之旋轉驅動手段而往箭號R4所示之方向旋轉，切斷從晶圓10的外周10c往外突出之熱壓接薄片T1的外周T1a，薄片切斷步驟結束。
此外，在上述之實施方式中，雖已說明在實施薄片切斷步驟時，將晶圓10的背面10b朝向上方且將熱壓接薄片T1側朝向下方而載置於保持台34並進行吸引保持以實施雷射加工，但本發明並不受限於此。例如，亦可將晶圓10的背面10b側朝向下方且將熱壓接薄片T1側朝向上方而載置於保持台34並進行吸引保持，從熱壓接薄片T1側對與晶圓10的外周10c對應之區域的熱壓接薄片T1照射雷射光線LB而切斷熱壓接薄片T1外周T1a。
藉由實施上述之薄片切斷步驟而切斷熱壓接薄片T1的外周T1a，如圖7所示，可藉由將該外周T1a往箭號R5的方向拉起而容易地去除，熱壓接薄片T1被加工成沿著晶圓10的外周10c之形狀。
此外，上述之薄片切斷步驟雖說明選擇熱壓接薄片T1作為保護材的例子，但本發明不受限於此。例如，在選擇黏著薄片T2作為保護薄片之情形，即使為配設吸收熱壓接薄片T1或吸收黏著薄片T2的凹凸之柔軟層（液狀樹脂22）作為保護薄片並配設將該柔軟層進行平坦化之平坦化薄片T3而形成保護薄片之情形，亦能藉由與上述同樣的順序而實施薄片切斷步驟。
如上述，若已實施薄片切斷步驟，則實施將晶圓10的背面10b進行處理之晶圓處理步驟。在實施晶圓處理步驟時，將晶圓10搬送至例如圖8（a）所示之研削裝置50（僅表示局部）。如圖8（a）所示，研削裝置50具備卡盤台51與研削手段52。卡盤台51具備省略圖示之旋轉驅動手段，上表面係以具有透氣性之構件所形成且與省略圖示之吸引手段連接。研削手段52具備：旋轉主軸52a，其藉由未圖示之旋轉驅動機構而旋轉；輪安裝件52b，其裝設於旋轉主軸52a的下端；以及研削輪52c，其安裝於輪安裝件52b，並在下表面環狀地配設有多個研削磨石52d。
若已將晶圓10搬送至研削裝置50，則將晶圓10的背面10b朝向上方而載置於卡盤台51並進行吸引保持。接著，使研削手段52的旋轉主軸52a往圖8（a）中以箭號R6所示之方向以例如6000rpm進行旋轉，同時使卡盤台51往以箭號R7所示之方向以例如300rpm進行旋轉。然後，藉由省略圖示之研削水供給手段而將研削水供給至晶圓10的背面10b上，同時使研削磨石52d接觸晶圓10的背面10b，將研削輪52c以例如1μm／秒鐘的研削進給速度朝向以箭號R8所示之方向（下方）進行研削進給。此時，可一邊藉由未圖示之接觸式的測量量規而測量晶圓10的研削量一邊進行研削，將晶圓10研削至成為完工厚度為止。然後，若晶圓10已成為預定的完工厚度，則停止研削裝置50的運作，研削晶圓10的背面10b之晶圓處理步驟結束，而本實施方式中之晶圓的處理方法結束。
此外，若在實施上述之晶圓的處理方法中之薄片配設步驟前，將晶圓10搬送至省略圖示之切割裝置，並預先在形成於晶圓10的正面10a之分割預定線14形成深度與晶圓10的完工厚度相當之半槽100，則藉由在上述之晶圓處理步驟中研削晶圓10的背面10b，而可如圖8（b）所示般使半槽100在晶圓10的背面10b露出，而將晶圓10分割成一個個元件晶片12’。
在上述之實施方式中，雖已針對在晶圓處理步驟中將晶圓10搬送至研削裝置50並將晶圓10的背面10b進行研削之實施方式進行說明，但本發明並不受限於此，亦可為搬送至省略圖示之研磨裝置並研磨晶圓10的背面10b之步驟。
根據本實施方式的晶圓的處理方法，在薄片切斷步驟中，對與晶圓10的外周10c對應之區域的保護薄片照射雷射光線LB而切斷從晶圓10的外周10c突出之保護薄片，藉此，消除該保護薄片從晶圓10的外周10c剝離、晶圓的外周10c受損之問題。
2:作業台 2a:上表面 3:加熱輥 3a:外周面 5:攝像手段 6:顯示手段 10:晶圓 10a:正面 10b:背面 10c:外周 12:元件 12’:元件晶片 14:分割預定線 16a:元件區域 16b:外周剩餘區域 20:液狀樹脂供給手段 21:噴嘴 22:液狀樹脂（柔軟層） 30:雷射加工裝置 30a:基台 31:保持手段 32:X軸方向可動板 33:Y軸方向可動板 34:保持台 36:移動手段 37:X軸移動手段 38:Y軸移動手段 39:框體 40:雷射光線照射手段 41:聚光器 42:fθ透鏡 43:振盪器 44:X軸電流掃描器 45:Y軸電流掃描器 40’:雷射光線照射手段 41’:聚光器 42’:聚光透鏡 43’:振盪器 47:反射鏡 50:研削裝置 51:卡盤台 52:研削手段 52a:旋轉主軸 52c:研削輪 52d:研削磨石 T1:熱壓接薄片 T1a:外周 T1b:凹凸 T2:黏著薄片 T2a:下表面 T2b:上表面 T2c:黏著層 T3:平坦化薄片
圖1（a）係表示薄片配設步驟的實施態樣之立體圖，圖1（b）係表示在薄片配設步驟中進行熱壓接之態樣之立體圖，圖1（c）係將藉由薄片配設步驟所形成之晶圓的外周部進行放大之剖面圖。 圖2（a）係表示薄片配設步驟的另一實施態樣之立體圖，圖2（b）係藉由（a）而配設有黏著薄片之晶圓的立體圖，圖2（c）係藉由薄片配設步驟所形成之晶圓的外周部的局部放大剖面圖。 圖3（a）係表示在薄片配設步驟的又另一實施態樣中形成柔軟層之態樣之立體圖，圖3（b）係表示在圖3（a）所示之柔軟層配設平坦化薄片之態樣之立體圖，圖3（c）係配設有平坦化薄片之晶圓的立體圖，圖3（d）係藉由圖3（c）所形成之晶圓的外周部的局部放大剖面圖。 圖4係雷射加工裝置的整體立體圖。 圖5（a）係表示配設於圖4所示之雷射加工裝置之雷射光線照射手段的光學系統之方塊圖，圖5（b）係表示藉由圖5（a）所示之雷射光線照射手段而實施薄片切斷步驟之態樣之立體圖。 圖6（a）係表示雷射光線照射手段的另一實施態樣的光學系統之方塊圖，圖6（b）係表示藉由圖6（a）所示之雷射光線照射手段而實施薄片切斷步驟之態樣之立體圖。 圖7係表示去除藉由薄片切斷步驟所切斷之保護薄片的外周之態樣之立體圖。 圖8（a）係表示晶圓處理步驟的實施態樣之立體圖，圖8（b）係表示晶圓藉由晶圓處理步驟而被分割成一個個元件晶片之狀態之立體圖。
10:晶圓
10b:背面
10c:外周
34:保持台
40:雷射光線照射手段
41:聚光器
42:fθ透鏡
43:振盪器
44:X軸電流掃描器
45:Y軸電流掃描器
46:控制手段
T1:熱壓接薄片
T1a:外周
LB:脈衝雷射光線
R3:箭號

Claims (5)

  1. 一種晶圓的處理方法，該晶圓在正面形成有多個元件被分割預定線劃分之元件區域與圍繞該元件區域之外周剩餘區域，該晶圓的處理方法包含： 薄片配設步驟，其配設覆蓋該晶圓的該正面整面之大小的保護薄片； 薄片切斷步驟，其切斷從該晶圓的外周突出之該保護薄片；以及 晶圓處理步驟，其將該晶圓的背面進行處理， 該薄片切斷步驟係對與該晶圓的該外周對應之區域的該保護薄片照射雷射光線而切斷從該晶圓的該外周突出之該保護薄片。
  2. 如請求項1之晶圓的處理方法，其中，該保護薄片係藉由加熱而壓接之熱壓接薄片。
  3. 如請求項1之晶圓的處理方法，其中，該保護薄片係與該晶圓的該外周剩餘區域對應而形成有黏著層之黏著薄片。
  4. 如請求項1之晶圓的處理方法，其中，該薄片配設步驟係在該晶圓的該正面配設藉由加熱而壓接之熱壓接薄片或與該晶圓的該外周剩餘區域對應而形成有黏著層之黏著薄片，並配設將該熱壓接薄片或該黏著薄片的凹凸進行吸收之柔軟層，更進一步配設將該柔軟層進行平坦化之平坦化薄片而形成該保護薄片。
  5. 如請求項1之晶圓的處理方法，其中，該晶圓處理步驟係執行將該晶圓的該背面進行研削或研磨之加工之步驟。
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