TW202412095A - 貼合晶圓的加工方法及加工裝置 - Google Patents

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關家一馬
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Abstract

[課題]提供一種晶圓的加工方法，其可解決去除倒角部耗時、生產性不佳之問題，且可解決會損傷另一側的晶圓之問題。[解決手段]貼合晶圓的加工方法包含：改質層形成步驟，其將對第一晶圓具有穿透性之波長的雷射光束的聚光點從第一晶圓的背面定位於去除倒角部之內部並進行照射而環狀地形成多個改質層；以及研削步驟，其將第二晶圓側保持於第二卡盤台，研削並薄化第一晶圓的背面。在改質層形成步驟中，雷射光束的聚光點被設定成從晶圓的內側朝向外側逐漸地接近接合層，藉此下階梯狀地形成多個環狀的改質層。

Description

貼合晶圓的加工方法及加工裝置
本發明係關於一種貼合晶圓的加工方法及加工裝置。
在正面形成有藉由交叉之多條分割預定線所劃分之IC、LSI等多個元件之晶圓係藉由切割裝置而被分割成一個個元件晶片，經分割之元件晶片被利用於行動電話、個人電腦等電子設備。
又，為了使元件的集積度提升，在將形成圖案後的晶圓進行貼合後，有時會研削並薄化一側的晶圓。
然而，若研削並薄化一側的晶圓，則形成於晶圓的外周之倒角部會變成如刀刃般的銳利形狀，而有導致操作員受傷或裂痕從該刀刃進展至晶圓的內部而損傷元件之問題。
於是，提案有一種技術，其將切割刀片或研削磨石直接定位於將要研削背面之晶圓的外周並去除該倒角部而抑制刀刃的產生（例如，參照專利文獻1、2）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-225976號公報 [專利文獻2]日本特開2016-96295號公報
[發明所欲解決的課題] 在專利文獻1、2所揭示之技術中，除了有由切割刀片、研削磨石所進行之倒角部的去除會耗費大量時間、生產性不佳之問題以外，還有會損傷貼合晶圓的另一側的晶圓之問題。
因此，本發明之目的係提供一種貼合晶圓的加工方法及加工裝置，其可解決去除倒角部耗時、生產性不佳之問題，且可解決損傷貼合晶圓的另一側的晶圓之問題。
[解決課題的技術手段] 若根據本發明的一態樣，則提供一種貼合晶圓的加工方法，該貼合晶圓係藉由接合層將第一晶圓的正面與第二晶圓的正面或背面貼合所形成，所述第一晶圓在該正面具有形成有多個元件之元件區域與圍繞該元件區域之在外周緣形成有倒角部之外周剩餘區域，所述貼合晶圓的加工方法具備：聚光點設定步驟，其將對該第一晶圓具有穿透性之波長的雷射光束分支成多條雷射光束，並將經分支之各雷射光束的聚光點設定於不同位置；改質層形成步驟，其以第一卡盤台保持該第二晶圓側，將經分支之該雷射光束的聚光點從該第一晶圓的背面定位於相對於該倒角部呈徑向內側的該第一晶圓的內部並照射該雷射光束而環狀地形成多個改質層；以及研削步驟，其在實施該改質層形成步驟後，以第二卡盤台保持該第二晶圓側，研削並薄化該第一晶圓的背面，並且，在該改質層形成步驟中，以從該第一晶圓的內側朝向外側逐漸地接近接合層之方式，下階梯狀地形成多個雷射光束的聚光點，將藉由該多個聚光點所形成之該多個改質層連結而成之面形成圓錐台的側面。
較佳為，裂痕從形成於圓錐台的側面之改質層朝向接合層進展，在該研削步驟中，藉由該第一晶圓的該背面的研削而去除改質層，藉由該裂痕而從第一晶圓去除倒角部。較佳為，該裂痕朝向該接合層的外側進展。
若根據本發明的另一態樣，則提供一種加工裝置，其加工晶圓，並具備：卡盤台，其具備旋轉驅動機構並保持晶圓；雷射光束照射單元，其照射對被保持於該卡盤台之該晶圓具有穿透性之波長的雷射光束；X軸進給機構，其將該卡盤台與該雷射光束照射單元相對地在X軸方向進行加工進給；Y軸進給機構，其將該卡盤台與該雷射光束照射單元相對地在Y軸方向進行加工進給；以及控制器，並且，該雷射光束照射單元包含聚光點形成單元，所述聚光點形成單元能下階梯狀地形成多個雷射光束的聚光點，該控制器配設記憶應加工之晶圓的X座標Y座標之座標記憶部，並根據記憶於該座標記憶部之座標而控制該X軸進給機構、該Y軸進給機構及該卡盤台的旋轉驅動機構。
[發明功效] 若根據本發明的貼合晶圓的加工方法，則相較於使用切割刀片或研削磨石直接去除倒角部之情形，除了縮短加工時間而生產性上升以外，亦解決損傷另一側的晶圓之問題。
若根據本發明的加工裝置，則相較於使用切割刀片或研削磨石直接去除倒角部之情形，除了可縮短加工時間而生產性上升以外，亦可解決損傷另一側的晶圓之問題。
以下，針對本發明實施方式的貼合晶圓的加工方法及適合實施該貼合晶圓的加工方法之加工裝置，一邊參照附加圖式一邊詳細地進行說明。
圖1中表示本實施方式的加工裝置1的整體立體圖。加工裝置1係對如圖示般的將第一晶圓10與第二晶圓12層積而成之貼合晶圓W實施雷射加工之裝置。加工裝置1具備：保持單元3，其包含卡盤台35，所述卡盤台35具備省略圖示之旋轉驅動機構並保持貼合晶圓W；雷射光束照射單元7，其照射對被保持於卡盤台35之第一晶圓10具有穿透性之波長的雷射光束；X軸進給機構4a，其將卡盤台35與雷射光束照射單元7相對地在X軸方向進行加工進給；Y軸進給機構4b，其將卡盤台35與雷射光束照射單元7相對地在與該X軸方向正交之Y軸方向進行加工進給；以及控制器100，其控制各運作部。
加工裝置1配設於基台2上，除了上述構成之外，還具備：攝像單元6，其拍攝被保持於卡盤台35之貼合晶圓W並執行對準；X軸進給機構4a，其使卡盤台35在X軸方向移動；Y軸進給機構4b，其使卡盤台35在Y軸方向移動；以及框體5，其由垂直壁部5a及水平壁部5b所構成，所述垂直壁部5a立設於基台2上的X軸進給機構4a、Y軸進給機構4b的側方，所述水平壁部5b從垂直壁部5a的上端部往水平方向延伸。
保持單元3係包含卡盤台35之保持貼合晶圓W之手段，所述卡盤台35將以X座標及Y座標所界定之XY平面作為保持面，如圖1所示，所述保持單元3具備：矩形狀的X軸方向可動板31，其在X軸方向移動自如地搭載於基台2；矩形狀的Y軸方向可動板32，其在Y軸方向移動自如地搭載於X軸方向可動板31；圓筒狀的支柱33，其被固定於Y軸方向可動板32的上表面；以及矩形狀的蓋板34，其被固定於支柱33的上端。卡盤台35被配設成通過形成於蓋板34上之長孔而往上方延伸，並被構成為能藉由容納於支柱33內之省略圖示之旋轉驅動機構而旋轉。卡盤台35的保持面係由具有通氣性之多孔材料的吸附卡盤36所形成，並藉由通過支柱33之流路而連接於未圖示之吸引手段。
X軸進給機構4a將馬達42的旋轉運動透過滾珠螺桿43轉換成直線運動而傳遞至X軸方向可動板31，並使X軸方向可動板31沿著一對導軌2A、2A在X軸方向移動，所述一對導軌2A、2A沿著X軸方向被配設於基台2上。Y軸進給機構4b將馬達45的旋轉運動透過滾珠螺桿44轉換成直線運動而傳遞至Y軸方向可動板32，並使Y軸方向可動板32沿著一對導軌31a、31a在Y軸方向移動，所述一對導軌31a、31a沿著Y軸方向被配設於X軸方向可動板31上。藉由具備此種構成，可使卡盤台35移動至X座標、Y座標的任意的位置。
在框體5的水平壁部5b的內部容納有構成上述的雷射光束照射單元7之光學系統及攝像單元6。在水平壁部5b的前端部下表面側配設有聚光器71，所述聚光器71構成該雷射光束照射單元7的一部分，並聚光雷射光束而照射至貼合晶圓W。攝像單元6係拍攝被保持於保持單元3之貼合晶圓W並檢測貼合晶圓W的位置、朝向、應照射雷射光束之雷射加工位置等之攝影機，並配設於相對於前述聚光器71在由圖中箭號X所示之X軸方向相鄰之位置。
圖2中表示有表示上述之雷射光束照射單元7的光學系統的概略之方塊圖。雷射光束照射單元7具備：雷射振盪器72，其射出雷射光束LB；衰減器73，其調整雷射振盪器72所射出之雷射光束LB的輸出；以及聚光點形成單元74，其將已通過衰減器73之雷射光束LB進行分支，並在被保持於卡盤台35之貼合晶圓W的內部下階梯狀地形成多個聚光點。
本實施方式的聚光點形成單元74例如如圖2所示，具備：第一1／2波片75a、第一分束器76a、第二1／2波片75b、第二分束器76b、第三1／2波片75c、第三分束器76c、第一擴束器77a、第二擴束器77b、第三擴束器77c、第一反射鏡78a、第二反射鏡78b、第三反射鏡78c、第四反射鏡78d及第四分束器79。
已通過上述之衰減器73之雷射光束LB係透過第一1／2波片75a而被引導至第一分束器76a，藉由適當調整該第一1／2波片75a的旋轉角度而從第一分束器76a分支相對於上述之雷射光束LB成為1／4的光量之第一分支雷射光束LB1（s偏光），並將其引導至第一擴束器77a。又，未被第一分束器76a分支之殘留的雷射光束（p偏光）係透過第二1／2波片75b而被引導至第二分束器76b，藉由適當調整該第二1／2波片75b的旋轉角度而從第二分束器76b分支相對於上述之雷射光束LB成為1／4的光量之第二分支雷射光束LB2（s偏光），並將其引導至第二擴束器77b。再者，未被第二分束器76b分支之殘留的雷射光束（p偏光）係透過第三1／2波片75c而被引導至第三分束器76c，藉由適當調整第三1／2波片75c的旋轉角度而從第三分束器76c分支相對於上述之雷射光束LB成為1／4的光量之第三分支雷射光束LB3（s偏光），並將其引導至第三擴束器77c。未被第三分束器76c分支之殘留的雷射光束（p偏光）成為相對於上述之雷射光束LB成為1／4的光量之第四分支雷射光束LB4（p偏光），並被引導至第四反射鏡78d。如上述，第一～第四分支雷射光束LB1～LB4相對於上述之雷射光束LB分別以1／4的光量被分支。
第一分支雷射光束LB1為s偏光，因此在藉由第一擴束器77a而調整光束直徑後，會被第一反射鏡78a反射且被引導至第四分束器79並進行反射而被引導至聚光器71的聚光透鏡71a。又，第二分支雷射光束LB2亦為s偏光，在藉由第二擴束器77b而調整光束直徑後，會被第二反射鏡78b反射且被引導至第四分束器79並進行反射而被引導至聚光器71的聚光透鏡71a。再者，第三分支雷射光束LB3亦為s偏光，在藉由第三擴束器77c而調整光束直徑後，會被第三反射鏡78c反射且被引導至第四分束器79並進行反射而被引導至聚光器71的聚光透鏡71a。然後，被第四反射鏡78d反射之第四分支雷射光束LB4為p偏光，會直接穿過第四分束器79而被引導至聚光器71的聚光透鏡71a。藉由第一～三擴束器77a～77c，而以成為LB1＞LB2＞LB3＞LB4之方式適當調整各光束直徑的大小，且調整第一～四反射鏡78a～78d的角度，藉此與第一～第四分支雷射光束LB1～LB4對應之聚光點P1～P4係如圖2所示被形成於上下方向及水平方向的不同位置，並從聚光點P4朝向聚光點P1被形成為往圖中左側下階梯狀。
此外，為了方便說明，上述之聚光點形成單元74表示將已通過衰減器73之雷射光束LB分支成第一～第四分支雷射光束LB1～LB4而形成四個聚光點之例子（分支數四），但本發明不受限於此，藉由增設1／2波板、分束器、擴束器、反射鏡等，而能以形成更多的分支雷射光束之方式進行設定，並可將因應分支數之聚光點形成為下階梯狀。
控制器100係藉由電腦所構成，並具備：中央處理單元（CPU），其依據控制程式而進行運算處理；唯讀記憶體（ROM），其儲存控制程式等；能存取的隨機存取記憶體（RAM），其用於暫時地儲存運算結果等；以及輸入介面與輸出介面（省略詳細圖示）。控制器100配設有記憶貼合晶圓W的加工位置的X座標Y座標之座標記憶部102，且連接X軸進給機構4a、Y軸進給機構4b及省略圖示之卡盤台35的旋轉驅動機構，並根據記憶於座標記憶部102之X座標Y座標的資訊而進行控制。
本實施方式的加工裝置1大致具備如同上述的構成，以下針對本實施方式的加工方法進行說明。
本實施方式所實施之晶圓的加工方法的被加工物例如係圖3（a）圖3（b）所示之貼合晶圓W。貼合晶圓W例如係直徑為300mm的晶圓，且係貼合第一晶圓10與第二晶圓12之貼合晶圓。第一晶圓10例如係在矽基板的內部形成有氧化膜層之SOi晶圓，如圖所示，在正面10a形成有藉由交叉之多條分割預定線L所劃分之多個元件D。第一晶圓10的正面10a具備：元件區域10A，其靠近形成有上述之多個元件D之中心；以及外周剩餘區域10B，其圍繞元件區域10A。再者，如由圖3（b）所理解，在外周剩餘區域10B的外周端部形成有被形成為曲面狀之環狀的倒角部10C。此外，在圖3（a）中，雖記載區分元件區域10A與外周剩餘區域10B之區分線16，但區分線16係為了方便說明所記載，並非實際附在第一晶圓10的正面10a。本實施方式的第二晶圓12具備與第一晶圓10大致相同的構成，省略詳細說明。如由圖3（a）及圖3（b）所理解，貼合晶圓W係反轉第一晶圓10將正面10a朝向下方，並將第一晶圓10的正面10a與第二晶圓12的正面12a隔著由適當的接著劑所致之接合層20所形成。此外，藉由本發明的晶圓的加工方法所加工之貼合晶圓W不受限於上述之將第一晶圓10的正面10a與第二晶圓12的正面12a接合之貼合晶圓或層積晶圓，亦可為將第一晶圓10的正面10a與第二晶圓12的背面12b接合之貼合晶圓。
在實施本實施方式的晶圓的加工方法時，將上述的貼合晶圓W搬送至根據圖1所說明之加工裝置1，將構成貼合晶圓W之第一晶圓10的背面10b朝向上方，將第二晶圓12的背面12b側朝向下方並載置於卡盤台35，運作上述之吸引手段而吸引保持貼合晶圓W。接著，運作X軸進給機構4a、Y軸進給機構4b，將貼合晶圓W定位於攝像單元6的正下方，從貼合晶圓W的上表面（第一晶圓10的背面10b）側進行拍攝，如圖4所示，例如從貼合晶圓W的外緣的座標界定中心C的X座標Y座標（x0,y0）。然後，如上述，控制器100的座標記憶部102因記憶有應藉由雷射光束而加工之貼合晶圓W的加工位置18X座標Y座標，故藉由界定貼合晶圓W的中心C的X座標Y座標，而定位上述之雷射光束LB1～LB4的聚光點P1～P4，並界定形成改質層之加工位置18的卡盤台35上的X座標Y座標。加工位置18係在上述之外周剩餘區域10B內（雖省略圖示，但為上述之區分線16的外側），並被設定成在直徑方向觀看時比被形成為曲面之倒角部10C更內側，例如被設定於從中心C離半徑149.5mm的位置。此外，在圖示中，雖為了方便說明而以一條環狀的虛線表示定位聚光點P4之加工位置18，但如上述，本實施方式的雷射光束照射單元7下階梯狀地形成多個聚光點P1～P4，因此亦可以與各聚光點P1～P4對應之方式界定加工位置18的X座標Y座標。
若已如上述般界定加工位置18，則藉由控制器100而運作X軸進給機構4a及Y軸進給機構4b，如圖5（a）所示，將貼合晶圓W的加工位置18定位於雷射光束照射單元7的聚光器71的正下方。接著，運作上述之雷射光束照射單元7而照射第一～第四分支雷射光束LB1～LB4，如圖5（b）所示，以從第一晶圓10的內側朝向外側逐漸接近接合層20之方式，定位被形成為下階梯狀之多個聚光點P1～P4，並使卡盤台35往由箭號R1所示之方向（參照圖5（a））旋轉。在本實施方式中，藉由使卡盤台35旋轉兩次，而對同一處照射兩次雷射光束。藉由如上述般實施改質層形成步驟，而如圖5（c）所示，在沿著構成貼合晶圓W之第一晶圓10的外周剩餘區域10B中之加工位置18之內部以成為圓錐台的側面形狀之方式形成改質層S1～S4，並形成連結各改質層S1～S4之裂痕11。藉由本實施方式，而變得能將第一～第四分支雷射光束LB1～LB4避開倒角部10C從內側進行照射，迴避在被形成為曲面之倒角部10C中之亂反射，而可高精度地形成改質層。上述之藉由第一～第四分支雷射光束LB1～LB4所形成之各聚光點P1～P4的間隔例如被設定為水平方向觀看時為10μm，上下方向觀看時為1～10μm的範圍。
實施上述之改質層形成步驟的雷射加工時的雷射加工條件例如被設定成如下述。 波長：1342nm 反覆頻率：60kHz 輸出：2.4W 分支數：4 卡盤台旋轉速度：107.3deg／s（圓周速度280mm／s）
若已如上述般實施改質層形成步驟，則將貼合晶圓W搬送至圖6（a）所示之研削裝置60（僅表示一部分）。如圖6（a）所示，研削裝置60具備研削單元62，所述研削單元62用於將被吸引保持於卡盤台61上之貼合晶圓W進行研削並薄化。研削單元62具備：旋轉主軸63，其藉由未圖示之旋轉驅動機構而旋轉；輪安裝件64，其裝設於旋轉主軸63的下端；以及研削輪65，其被安裝於輪安裝件64的下表面，並且，在研削輪65的下表面環狀地配設有多個研削磨石66。
若將已實施上述之改質層形成步驟之貼合晶圓W搬送至研削裝置60並將第二晶圓12側載置於卡盤台61而進行吸引保持，則一邊使研削單元62的旋轉主軸63例如以6000rpm往圖6（a）中由箭號R2所示之方向旋轉，一邊使卡盤台61例如以300rpm往由箭號R3所示之方向旋轉。然後，一邊藉由未圖示之研削水供給單元而將研削水供給至貼合晶圓W的第一晶圓10的背面10b上，一邊使研削磨石66接觸第一晶圓10的背面10b，並將研削輪65例如以1μm／秒鐘的研削進給速度往由箭號R4所示之方向進行研削進給。此時，可一邊藉由未圖示之接觸式的測量量規而測量第一晶圓10的厚度，一邊進行研削，如圖6（b）所示，藉由將第一晶圓10的背面10b進行預定量研削而去除上述之改質層S1～S4，第一晶圓10的倒角部10C因裂痕11而飛散並被去除。若已去除倒角部10C，則停止研削單元62，經過省略說明之清洗、乾燥步驟等，而研削貼合晶圓W之研削步驟結束，並且本實施方式的晶圓的加工方法結束。
如上述，藉由使用本實施方式的加工裝置1實施改質層形成步驟，而多個聚光點P1～P4被設定成下階梯狀，並在構成貼合晶圓W之第一晶圓10的內部，在圓錐台的側面上形成改質層S1～S4，裂痕11以連接該改質層S1～S4之間之方式進展，該裂痕11一邊朝向上述之接合層20延伸，一邊進展至接合層20的外側。藉由對此種貼合晶圓W實施上述的研削步驟，而藉由裂痕11而去除倒角部10C，因此相較於使用切割刀片或研削磨石之倒角部的去除，除了縮短加工時間、生產性向上以外，亦解決損傷另一側的晶圓亦即第二晶圓之問題。
此外，在上述之實施方式中，藉由組合多個1／2波板、分束器、擴束器及反射鏡等而實現構成雷射光束照射單元7之聚光點形成單元74，但本發明不受限於此。例如，亦可取代圖2所示之聚光點形成單元74而配設空間光調變器（LCOS，Liquid Crystal On Silicon），射入已從雷射振盪器72射出之雷射光束LB，將該雷射光束LB分支成多條，以從晶圓的內側朝向外側逐漸接近接合層之方式下階梯狀地形成多個經分支之各雷射光束的聚光點，並對應多個該聚光點將改質層形成圓錐台形狀。
又，在上述之實施方式中，將貼合晶圓W以殘留第一晶圓10的倒角部10C之狀態搬送至研削裝置60並實施研削步驟，藉由研削時的破碎力而將形成於改質層S1～S4之裂痕11作為起點去除倒角部10C，但本發明不受限於此，亦可在搬入研削裝置60之前，藉由施加外力而去除倒角部10C。
1:加工裝置 2:基台 3:保持單元 35:卡盤台 4a:X軸進給機構 4b:Y軸進給機構 5:框體 6:攝像單元 7:雷射光束照射單元 71:聚光器 72:雷射振盪器 73:衰減器 74:聚光點形成單元 75a:第一1／2波片 75b:第二1／2波片 75c:第三1／2波片 76a:第一分束器 76b:第二分束器 76c:第三分束器 77a:第一擴束器 77b:第二擴束器 77c:第三擴束器 78a:第一反射鏡 78b:第二反射鏡 78c:第三反射鏡 78d:第四反射鏡 79:第四分束器 10:第一晶圓 12:第二晶圓 16:區分線 20:接合層 60:研削裝置 61:卡盤台 62:研削單元 63:旋轉主軸 64:輪安裝件 65:研削輪 66:研削磨石 100:控制器 102:座標記憶部 W:貼合晶圓（層積晶圓）
圖1係加工裝置的整體立體圖。 圖2係表示裝設於圖1所示之加工裝置之雷射光束照射單元的光學系統之方塊圖。 圖3（a）係被加工物亦即晶圓的立體圖，圖3（b）係放大圖3（a）所示之晶圓的一部分之側視圖。 圖4係藉由攝像單元所拍攝之晶圓的俯視圖。 圖5（a）係表示改質層形成步驟的實施態樣之立體圖，圖5（b）係表示在改質層形成步驟中形成聚光點之位置之概念圖，圖5（c）係表示在改質層形成步驟中所形成之改質層及裂痕之概念圖。 圖6（a）係表示研削步驟的實施態樣之立體圖，圖6（b）係放大表示藉由研削步驟所薄化之晶圓的一部分之側視圖。
7:雷射光束照射單元
71:聚光器
71a:聚光透鏡
72:雷射振盪器
73:衰減器
74:聚光點形成單元
75a:第一1/2波片
75b:第二1/2波片
75c:第三1/2波片
76a:第一分束器
76b:第二分束器
76c:第三分束器
77a:第一擴束器
77b:第二擴束器
77c:第三擴束器
78a:第一反射鏡
78b:第二反射鏡
78c:第三反射鏡
78d:第四反射鏡
79:第四分束器
100:控制器
102:座標記憶部
LB:雷射光束
LB1:第一分支雷射光束
LB2:第二分支雷射光束
LB3:第三分支雷射光束
LB4:第四分支雷射光束
P1~P4:聚光點

Claims (4)

  1. 一種貼合晶圓的加工方法，該貼合晶圓係藉由接合層將第一晶圓的正面與第二晶圓的正面或背面貼合所形成，該第一晶圓在該正面具有形成有多個元件之元件區域與圍繞該元件區域之在外周緣形成有倒角部之外周剩餘區域， 該貼合晶圓的加工方法具備： 聚光點設定步驟，其將對該第一晶圓具有穿透性之波長的雷射光束分支成多條雷射光束，並將經分支之各雷射光束的聚光點設定於不同位置； 改質層形成步驟，其以第一卡盤台保持該第二晶圓側，將經分支之該雷射光束的該聚光點從該第一晶圓的背面定位於相對於該倒角部呈徑向內側的該第一晶圓的內部並照射該雷射光束，而環狀地形成多個改質層；以及 研削步驟，其在實施該改質層形成步驟後，以第二卡盤台保持該第二晶圓側，研削並薄化該第一晶圓的該背面， 在該改質層形成步驟中，以從該第一晶圓的內側朝向外側逐漸地接近該接合層之方式，下階梯狀地形成多個該雷射光束的該聚光點，將藉由多個該聚光點所形成之該多個改質層連結而成之面形成圓錐台的側面。
  2. 如請求項1之貼合晶圓的加工方法，其中， 裂痕從該多個改質層朝向該接合層進展，在該研削步驟中，藉由該第一晶圓的該背面的研削而去除該改質層，藉由該裂痕而從該第一晶圓去除該倒角部。
  3. 如請求項2之貼合晶圓的加工方法，其中， 該裂痕朝向該接合層的徑向外側進展。
  4. 一種加工裝置，其加工晶圓，並具備： 卡盤台，其具備旋轉驅動機構並保持該晶圓； 雷射光束照射單元，其照射對被保持於該卡盤台之該晶圓具有穿透性之波長的雷射光束； X軸進給機構，其將該卡盤台與該雷射光束照射單元相對地在X軸方向進行加工進給； Y軸進給機構，其將該卡盤台與該雷射光束照射單元相對地在Y軸方向進行加工進給；以及 控制器， 該雷射光束照射單元包含聚光點形成單元，該聚光點形成單元能下階梯狀地形成多個該雷射光束的聚光點， 該控制器配設記憶應加工之該晶圓的X座標Y座標之座標記憶部，並根據記憶於該座標記憶部之座標而控制該X軸進給機構、該Y軸進給機構及該卡盤台的旋轉驅動機構。
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