KR20190062190A - 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법 - Google Patents

기판 검사 장치 및 기판 검사 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는 기판 검사 장치를 제안한다. 본 개시에 따른 기판 검사 장치는, 기판 상의 일 영역에 도포된 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사하는 광원; 상기 레이저 광이 상기 코팅막의 표면에 의해 반사되어 생성된 기준광 및 상기 레이저 광이 상기 코팅막을 투과하여 산란된 측정광 사이의 간섭에 따른 광간섭 데이터를 획득하는 광 감지기; 및 상기 광간섭 데이터에 기초하여 상기 일 영역에 해당하는 상기 코팅막의 두께를 도출하는 프로세서를 포함할 수 있다.

Description

기판 검사 장치 및 기판 검사 방법{APPARATUS FOR INSPECTING SUBSTRATE AND METHOD THEREOF}
본 개시는 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법에 관한 것이다.
기판의 처리 공정에 있어서, 기판 상의 소자들을 보호하기 위하여 기판이 코팅될 수 있다. 이러한 코팅을 컨포멀 코팅(conformal coating)이라고 할 수 있다. 코팅에 의해 생성된 기판 상의 코팅막이 일정 두께로 고르게 도포되었는지를 확인하기 위하여 컨포멀 코팅막의 두께 검사가 수행될 수 있다.
코팅막의 두께 검사를 위하여, 2차원(2 Dimensional) 형광 사진 촬영 검사가 수행될 수 있다. 그러나 2차원 이미지 촬영 검사는 코팅막 두께에 대한 정성적인 검사만 가능하며, 코팅막의 정확한 두께 수치를 측정하지 못할 수 있다. 또한, 2차원 이미지 촬영 검사는 코팅막이 얇은 경우(예: 약 30 μm), 두께 측정이 어려울 수 있다.
코팅막의 두께 검사를 위하여, OCT(Optical Coherence Tomography)를 이용한 방법이 사용될 수 있다. 그러나, OCT를 이용하여 코팅막의 두께 검사를 수행할 때, 기준 거울에 의한 반사로 인하여 광의 포화(saturation) 현상이 발생하여 두께 측정에 있어 오류를 발생시킬 수 있다. 또한, OCT의 기준 거울, 윈도우 글라스 내지 빔 스플리터 등의 구성요소로 인하여, OCT의 소형화가 어려울 수 있다.
본 개시는, 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판의 코팅막 두께를 측정하기 위한 기술을 제공한다.
본 개시의 한 측면으로서, 기판 검사 장치가 제안될 수 있다. 본 개시의 한 측면에 따른 기판 검사 장치는, 기판 상의 일 영역에 도포된 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사하는 광원; 상기 레이저 광이 상기 코팅막의 표면에 의해 반사되어 생성된 기준광 및 상기 레이저 광이 상기 코팅막을 투과하여 산란된 측정광 사이의 간섭에 따른 광간섭 데이터를 획득하는 광 감지기; 및 상기 광간섭 데이터에 기초하여 상기 일 영역에 해당하는 상기 코팅막의 두께를 도출하는 프로세서를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서는, 상기 광간섭 데이터에 기초하여 상기 코팅막의 깊이 방향으로의 단면을 나타내는 단면 이미지를 획득하고, 상기 단면 이미지 상의 경계선을 기초로 하여, 상기 코팅막의 두께를 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 광원을 이동시키는 이동부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서는, 상기 기준광의 광량에 기초하여 상기 코팅막 표면의 반사율을 도출하고, 상기 반사율이 기 정의된 반사율 미만인 경우, 상기 이동부를 제어하여 상기 광원을 이동시킬 수 있다.
일 실시예에서, 광원은 제1 방향을 따라 상기 코팅막을 향하여 상기 레이저 광을 조사하고, 상기 광 감지기는 상기 제1 방향의 역방향으로 진행하는 상기 기준광 및 측정광을 캡쳐하여 상기 광간섭 데이터를 획득할 수 있다.
일 실시예에서, 광원은 상기 레이저 광이 공기 외의 매개체를 투과하지 않고 직접 상기 코팅막의 상기 표면에 조사되도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 레이저 광에 대한 상기 코팅막의 표면의 반사율은 상기 코팅막에 혼합된 형광 염료의 형광 염료 혼합율에 의해 결정되고, 상기 형광 염료 혼합율은, 상기 반사율이 미리 설정된 기준값을 초과하도록 하는 값으로 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막은 아크릴, 우레탄, 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시, UV(Ultra Violet) 경화 물질 및 IR(Infra Red) 경화 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질에 의해 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막의 표면은 곡면으로 형성될 수 있다.
본 개시의 한 측면으로서, 기판 검사 방법이 제안될 수 있다. 본 개시의 한 측면에 따른 기판 검사 방법은, 기판 상의 일 영역에 도포된 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사하는 단계; 상기 레이저 광이 상기 코팅막의 표면에 의해 반사되어 생성된 기준광 및 상기 레이저 광이 상기 코팅막을 투과하여 산란된 측정광 사이의 간섭에 따른 광간섭 데이터를 획득하는 단계; 및 상기 광간섭 데이터에 기초하여, 상기 일 영역에 해당하는 상기 코팅막의 두께를 도출하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막의 두께를 도출하는 단계는: 상기 광간섭 데이터에 기초하여, 상기 코팅막의 깊이 방향으로의 단면을 나타내는 단면 이미지를 획득하는 단계; 및 상기 단면 이미지 상의 경계선을 기초로 하여, 상기 코팅막의 두께를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 기준광의 광량에 기초하여 상기 코팅막 표면의 반사율을 도출하는 단계; 및 상기 반사율이 기 정의된 반사율 미만인 경우 상기 광원을 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 레이저 광은 제1 방향을 따라 상기 일 영역을 향하여 조사되고, 상기 기준광 및 측정광은 상기 제1 방향의 역방향으로 진행할 수 있다.
일 실시예에서, 레이저 광은 공기 외의 매개체를 투과하지 않고 직접 상기 코팅막의 상기 표면에 조사될 수 있다.
일 실시예에서, 레이저 광에 대한 상기 코팅막의 표면의 반사율은 상기 코팅막에 혼합된 형광 염료의 형광 염료 혼합율에 의해 결정되고, 상기 형광 염료 혼합율은, 상기 반사율이 미리 설정된 기준값을 초과하도록 하는 값으로 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막은 아크릴, 우레탄, 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시, UV(Ultra Violet) 경화 물질 및 IR(Infra Red) 경화 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질에 의해 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막의 표면은 곡면으로 형성될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 의하면, 기판 검사 장치는 코팅막이 소정 두께(예: 약 30μm) 이하로 얇은 경우에도 정확한 두께 측정이 가능하다.
본 개시의 다양한 실시예들에 의하면, 기판 검사 장치는 기준 거울 등의 구성 요소 없이, 코팅막 두께를 측정하여 광의 포화 현상에 따른 측정 오류를 줄일 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 의하면, 기판 검사 장치는 특정 영역 샘플링을 통하여 기판 전체의 코팅막 두께 측정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
도 1은 어느 한 실시예에 따른 기판 검사 장치가 동작하는 과정의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시에 따른 기판 검사 장치가 동작하는 과정의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른 검사 장치(10)의 블록도를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 단면 이미지 및 단면 이미지 상에 나타나는 경계선을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 검사 장치(10)의 깊이 방향 측정 범위를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른, 프로세서(110)가 복수의 경계선에 기초하여 코팅막의 두께를 도출하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 프로세서(110)가 소정의 기준에 따라 일부 경계선들을 제외하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른, 코팅막의 반사율에 기초한 두께 측정 영역의 조정 과정을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검사 장치(10)가 형광 염료를 이용한 사진 촬영 검사를 통해, OCT 파트(170)에 의한 두께 측정을 수행할 영역을 샘플링하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른, 검사 장치(10)가 소자 배열에 따라, OCT 파트(170)에 의한 두께 측정을 수행할 영역을 추가 샘플링하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른, 검사 장치(10)가 결함 영역에 따라, OCT 파트(170)에 의한 두께 측정을 수행할 영역을 추가 샘플링하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검사 장치(10)가 OCT 파트(170)에 의한 두께 측정을 수행할 영역의 인접 영역을 추가 샘플링하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 13은 본 개시에 따른 검사 장치(10)에 의해 수행될 수 있는, 기판 검사 방법의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
본 문서에 기재된 다양한 실시예들은, 본 개시의 기술적 사상을 명확히 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 이를 특정한 실시 형태로 한정하려는 것이 아니다. 본 개시의 기술적 사상은, 본 문서에 기재된 각 실시예의 다양한 변경(modifications), 균등물(equivalents), 대체물(alternatives) 및 각 실시예의 전부 또는 일부로부터 선택적으로 조합된 실시예를 포함한다. 또한 본 개시의 기술적 사상의 권리 범위는 이하에 제시되는 다양한 실시예들이나 이에 대한 구체적 설명으로 한정되지 않는다.
기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서, 본 문서에서 사용되는 용어들은, 달리 정의되지 않는 한, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 의미를 가질 수 있다.
본 문서에서 사용되는 "포함한다", "포함할 수 있다", "구비한다", "구비할 수 있다", "가진다", "가질 수 있다" 등과 같은 표현들은, 대상이 되는 특징(예: 기능, 동작 또는 구성요소 등)이 존재함을 의미하며, 다른 추가적인 특징의 존재를 배제하지 않는다. 즉, 이와 같은 표현들은 다른 실시예를 포함할 가능성을 내포하는 개방형 용어(open-ended terms)로 이해되어야 한다.
본 문서에서 사용되는 단수형의 표현은, 문맥상 다르게 뜻하지 않는 한 복수형의 의미를 포함할 수 있으며, 이는 청구항에 기재된 단수형의 표현에도 마찬가지로 적용된다.
본 문서에서 사용되는 "제1", "제2", 또는 "첫째", "둘째" 등의 표현은, 문맥상 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 동종 대상들을 지칭함에 있어 한 대상을 다른 대상과 구분하기 위해 사용되며, 해당 대상들간의 순서 또는 중요도를 한정하는 것은 아니다.
본 문서에서 사용되는 "A, B, 및 C", "A, B, 또는 C", "A, B, 및/또는 C" 또는 "A, B, 및 C 중 적어도 하나", "A, B, 또는 C 중 적어도 하나", "A, B, 및/또는 C 중 적어도 하나" 등의 표현은, 각각의 나열된 항목 또는 나열된 항목들의 가능한 모든 조합들을 의미할 수 있다. 예를 들어, "A 또는 B 중 적어도 하나"는, (1) 적어도 하나의 A, (2) 적어도 하나의 B, (3) 적어도 하나의 A 및 적어도 하나의 B를 모두 지칭할 수 있다.
본 문서에서 사용되는 "부"라는 표현은, 소프트웨어, 또는 FPGA(field-programmable gate array), ASIC(application specific integrated circuit)과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그러나, "부"는 하드웨어 및 소프트웨어에 한정되는 것은 아니다. "부"는 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 저장되어 있도록 구성될 수도 있고, 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 실행시키도록 구성될 수도 있다. 일 실시예에서, "부"는 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세서, 함수, 속성, 프로시저, 서브루틴, 프로그램 코드의 세그먼트, 드라이버, 펌웨어, 마이크로코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조, 테이블, 어레이 및 변수를 포함할 수 있다.
본 문서에서 사용되는 "~에 기초하여"라는 표현은, 해당 표현이 포함되는 어구 또는 문장에서 기술되는, 결정, 판단의 행위 또는 동작에 영향을 주는 하나 이상의 인자를 기술하는데 사용되고, 이 표현은 해당 결정, 판단의 행위 또는 동작에 영향을 주는 추가적인 인자를 배제하지 않는다.
본 문서에서 사용되는, 어떤 구성요소(예: 제1 구성요소)가 다른 구성요소(예: 제2 구성요소)에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다는 표현은, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 접속되는 것뿐 아니라, 새로운 다른 구성요소(예: 제3 구성요소)를 매개로 하여 연결 또는 접속되는 것을 의미할 수 있다.
본 문서에서 사용된 표현 "~하도록 구성된(configured to)"은 문맥에 따라, "~하도록 설정된", "~하는 능력을 가지는", "~하도록 변경된", "~하도록 만들어진", "~를 할 수 있는" 등의 의미를 가질 수 있다. 해당 표현은, "하드웨어적으로 특별히 설계된"의 의미로 제한되지 않으며, 예를 들어 특정 동작을 수행하도록 구성된 프로세서란, 소프트웨어를 실행함으로써 그 특정 동작을 수행할 수 있는 범용 프로세서(generic-purpose processor)를 의미할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예를 설명하기 위하여, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 가지는 직교 좌표계가 정의될 수 있다. 본 문서에서 사용되는, 직교 좌표계의 "X축 방향", "Y축 방향", "Z축 방향" 등의 표현은, 해당 설명에서 특별히 다르게 정의되지 않는 한, 직교 좌표계의 각 축이 뻗어나가는 양쪽 방향을 의미할 수 있다. 또한, 각 축 방향의 앞에 붙는 + 부호는, 해당 축 방향으로 뻗어나가는 양쪽 방향 중 어느 한 방향인 양의 방향을 의미할 수 있고, 각 축 방향의 앞에 붙는 - 부호는, 해당 축 방향으로 뻗어나가는 양쪽 방향 중 나머지 한 방향인 음의 방향을 의미할 수 있다.
본 개시에서, 기판(substrate)은 반도체 칩 등의 소자를 실장하는 판 내지 용기로서, 소자와 소자 간의 전기적 신호의 연결 통로의 역할 수행할 수 있다. 기판은 집적 회로 제작 등을 위하여 사용될 수 있고, 실리콘 등의 소재로 생성될 수 있다. 예를 들어 기판은 인쇄 회로 기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있으며, 실시예에 따라 웨이퍼(wafer) 등으로 불릴 수 있다.
본 개시에서, 코팅막은 기판 상의 소자들을 보호하기 위한 코팅에 의해, 기판 상에 생성되는 박막일 수 있다. 코팅막이 두꺼운 경우 막이 깨질 수 있고, 기판의 동작에 영향을 줄 수도 있으므로, 코팅막을 상대적으로 얇고 고르게 도포함으로써, 코팅막이 깨지는 것을 방지할 필요가 있다. 일 실시예에서, 코팅막은 아크릴, 우레탄, 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시, UV(Ultra Violet) 경화 물질 및 IR(Infra Red) 경화 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질에 의해 형성될 수 있다. 상술한 물질에 의해 형성된 코팅막은, 그렇지 않은 코팅막에 비하여, 후술할 코팅막 표면의 반사율 및/또는 코팅막의 후방 산란율이 높을 수 있다.
본 개시에서, OCT(Optical Coherence Tomography)는 광의 간섭 현상을 이용하여 대상체 내의 이미지를 캡쳐하는 영상 기술일 수 있다. OCT를 이용하여 대상체의 표면으로부터 깊이 방향으로의 대상체 내부를 나타내는 이미지가 획득될 수 있다. 일반적으로 간섭계를 기반으로 하며, 사용하는 광의 파장에 따라, 대상체에 대한 깊이 방향 분해능이 달라질 수 있다. 다른 광학 기술인 공초점 현미경(confocal microscope)에 비하여 대상체에 더 깊숙이 침투하여 이미지를 획득할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 개시의 다양한 실시예들을 설명한다. 첨부된 도면 및 도면에 대한 설명에서, 동일하거나 실질적으로 동등한(substantially equivalent) 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여될 수 있다. 또한, 이하 다양한 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있으나, 이는 해당 구성요소가 그 실시예에 포함되지 않는 것을 의미하지는 않는다.
도 1은 어느 한 실시예에 따른 기판 검사 장치가 동작하는 과정의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 도시된 실시예에 따른 기판 검사 장치는 기준 거울을 사용하는 타입의 기판 검사 장치일 수 있다. 도시된 실시예에서, 기판 검사 장치는 광원(150), 광 감지기(160), 기준 거울(172) 및/또는 빔 스플리터(171)를 더 포함할 수 있다.
기준 거울을 사용하는 기판 검사 장치에서, 빔 스플리터(171)는 광원(150)으로부터 조사된 레이저 광의 광로를 조정하고, 기준 거울(172)은 빔 스플리터(171)로부터 전달된 레이저 광을 반사하여 기준광을 생성할 수 있다. 도시된 실시예에 따른 기판 검사 장치에서, 레이저 광은 기판(2)의 코팅막에 의해 반사되어 측정광을 생성할 수 있다. 기준광과 측정광의 간섭광으로부터 광간섭 데이터가 획득될 수 있고, 기판 검사 장치는 광간섭 데이터로부터 단면 이미지를 생성하여 코팅막의 두께를 측정할 수 있다.
구체적으로, 광원(150)은 레이저 광을 조사할 수 있다. 일 실시예에서, 광원(150)은 빔 스플리터(171)를 향해 레이저 광을 직접 조사할 수 있다. 일 실시예에서, 광원(150)은 광 섬유(174)를 통해 레이저 광을 볼록 렌즈(173)로 전달하고, 볼록 렌즈(173)를 통과한 레이저 광이 빔 스플리터(171)를 향해 전달될 수 있다.
빔 스플리터(171)는 광원(150)으로부터 전달받은 레이저 광의 일부를 통과시켜 기판(2)의 코팅막을 향하도록 광로를 조정하고, 또한 레이저 광의 다른 일부를 반사시켜 기준 거울(172)을 향하도록 광로를 조정할 수 있다.
기판(2)의 코팅막을 향하도록 광로가 조정된 레이저 광의 일부는, 기판(2)의 코팅막에서 반사될 수 있다. 이 반사광을 측정광이라 할 수 있다. 측정광은 빔 스플리터(171)를 향해 나아가고, 빔 스플리터(171)에 의해 광 감지기(160)로 전달될 수 있다. 기준 거울(172)을 향하도록 광로가 조정된 레이저 광의 다른 일부는 기준 거울(172)에 의해 반사될 수 있다. 이 반사광은 기준광이라 할 수 있다. 기준광은 빔 스플리터(171)를 통과하여 광 감지기(160)로 전달될 수 있다.
광 감지기(160)는 측정광과 기준광이 서로 간섭하여 형성되는 간섭광을 캡쳐하여 광간섭 데이터를 획득할 수 있다. 본 개시에서, 광간섭 데이터는 OCT 방식에 따른 대상체 측정에 있어서, 조사된 광이 대상체로부터 반사된 측정광과, 조사된 광이 기준 거울 등으로부터 반사된 기준광이 서로 간섭되어 생성되는 간섭광으로부터 획득되는 데이터를 의미할 수 있다. 측정광과 기준광의 특성(광로, 파장 등) 차이에 따라 간섭 현상이 발생할 수 있으며, 광 감지기는 이 간섭 현상을 캡쳐하여 광간섭 데이터를 획득할 수 있다. 또한 광간섭 데이터를 기반으로, 코팅막의 깊이 방향으로의 단면을 나타내는 단면 이미지가 생성될 수 있다. 광간섭 데이터는 간섭 신호로 불릴 수도 있다. 기준 거울을 사용하는 기판 검사 장치는, 기준광 및 측정광에 의한 광간섭 데이터를 이용하여 기판(2)에 도포된 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
도 2는 본 개시에 따른 기판 검사 장치가 동작하는 과정의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 본 개시에 따른 기판 검사 장치는 다양한 실시예들에 따른 검사 장치(10)에 의해 구현될 수 있다. 본 개시에 따른 기판 검사 장치는 전술한 것과 같은 기준 거울을 사용하지 않는 타입의 기판 검사 장치일 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른 검사 장치(10)는 OCT를 이용하여 기판(2)의 코팅막 두께를 측정할 수 있다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 전술한 기준 거울이나 소정의 윈도우 글라스 등을 사용하지 않고, 코팅막 표면의 반사광을 이용하여, 코팅막의 두께를 측정할 수 있다.
구체적으로, 본 개시에 따른 검사 장치(10)는 기준 거울(172)이나 빔 스플리터(171) 없이, 광원(150) 및/또는 광 감지기(160)를 포함할 수 있다. 검사 장치(10)의 광원(150)은 기판(2)의 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사할 수 있다. 이 때 제1 방향을 따라 레이저 광이 조사될 수 있다. 제1 방향은 기판의 법선 방향으로부터 소정의 각도로 기울어진 직선에 대응하는 방향일 수 있다. 실시예에 따라 제1 방향은 기판의 법선 방향과 같을 수도 있다. 기판의 법선 방향에 대응되는 축은 z축이라고 할 수 있다. z축 방향이라 함은 코팅막의 깊이 방향에 대응하는 방향일 수 있다. 전술한 바와 같이, 광원(150)이 직접 레이저 광을 조사할 수도 있으나, 광섬유(174) 및/또는 볼록 렌즈(173)를 거쳐서 레이저 광을 조사할 수도 있다.
본 개시에서, x축과 y축은 각각 기판(2)의 표면에 대응되는 평면에 포함되는 축일 수 있다. x축과 y축은 해당 평면 상에서 서로 직교할 수 있다. 또한, x축과 y축 각각은 전술한 z축에 직교할 수 있다.
레이저 광은 코팅막의 표면에서 반사될 수 있다. 구체적으로 레이저 광은 도시된 제1 면에서 반사될 수 있다. 또한 레이저 광은 코팅막을 투과하여 후방 산란될 수 있다. 여기서 코팅막의 표면에서 반사된 반사광은 상술한 기준광의 역할을, 산란광은 상술한 측정광의 역할을 할 수 있다. 즉, 이 경우 기준광은 레이저 광이 코팅막의 표면에 의해 반사되어 생성되고, 측정광은 레이저 광이 코팅막을 투과하여 산란되어 생성될 수 있다. 반사광(즉, 기준광) 및 산란광(즉, 측정광)은 상술한 제1 방향의 역방향으로 진행하고, 간섭광을 형성할 수 있다. 즉, 조사된 레이저 광과 상술한 간섭광(즉, 반사광 및 산란광)은 동축을 따라 진행하되 서로 반대 방향으로 진행할 수 있다. 광 감지기는 제1 방향의 역방향으로 진행하는 간섭광(즉, 반사광 및 산란광)을 캡쳐할 수 있다. 광 감지기(160)는 캡쳐한 간섭광으로부터 광간섭 데이터를 획득할 수 있다. 프로세서(110)는 이 광간섭 데이터를 광 감지기(160)로부터 획득하고, 이를 기초로 단면 이미지를 생성하여, 기판(2)의 해당 영역에 도포된 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 개시에 따른 검사 장치(10)가 코팅막 두께를 측정함에 있어서, 상술한 반사광과 산란광은 각각 전술한 기준 거울을 사용하는 기판 검사 장치의 기준광 및 측정광의 역할을 수행할 수 있다. 다시 말해서, 기판(2)의 코팅막 자체가, 그 반사율에 따라 전술한 기준 거울(172) 역할을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 기판(2)의 코팅막 위에 윈도우 글라스 등 추가적인 구성요소를 배치하지 않을 수 있다. 본 개시에 따른 검사 장치(10)는 코팅막의 표면에 의해 반사된 반사광을 기준광으로 이용해 간섭광을 형성하기 때문에, 윈도우 글라스 등의 요소가 추가로 필요하지 않을 수 있다.
도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른 검사 장치(10)의 블록도를 나타낸 도면이다. 전술한 바와 같이, 검사 장치(10)는 광원(150) 및 광 감지기(160)를 포함할 수 있으며, 추가로 프로세서(110) 및 메모리(120)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)의 이 구성요소들 중 적어도 하나가 생략되거나, 다른 구성요소가 검사 장치(10)에 추가될 수 있다. 추가적으로(additionally) 또는 대체적으로(alternatively), 일부의 구성요소들이 통합되어 구현되거나, 단수 또는 복수의 개체로 구현될 수 있다. 검사 장치(10) 내, 외부의 구성요소들 중 적어도 일부의 구성요소들은 버스, GPIO(general purpose input/output), SPI(serial peripheral interface) 또는 MIPI(mobile industry processor interface) 등을 통해 서로 연결되어, 데이터 및/또는 시그널을 주고 받을 수 있다.
광원(150)은 전술한 바와 같이, 기판(2)의 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사할 수 있다. 광원(150)의 배치, 기판에 대한 상대적 위치 등은 각각 다양하게 구성될(configured) 수 있다. 일 실시예에서, 광원(150)은 전술한 z축 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 광원(150)은, 짧은 시간안에 파장을 가변할 수 있는 레이저를 사용 할 수 있고, 이를 이용해 각기 다른 파장에 대응하는 광간섭 데이터가 획득될 수 있다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 복수의 광원(150)을 포함할 수도 있다.
광 감지기(160)는 레이저 광에 의하여 코팅막으로부터 발생된 간섭광을 캡쳐할 수 있다. 구체적으로 광 감지기(160)는, 레이저 광이 코팅막의 표면에서 반사된 반사광(즉, 기준광) 및 코팅막에서 소정 깊이까지 투과된 후 후방 산란된 산란광(즉, 측정광)에 의해 발생하는 간섭광을 캡쳐할 수 있다. 이러한 간섭광을 캡쳐하여 획득한 광간섭 데이터를 이용해, 코팅막 면을 기준으로 한 단면 이미지가 생성될 수 있다. 일 실시예에서, 광 감지기(160)는 전술한 z축 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 광 감지기(160)는 z축 상에 배치되지 않을 수 있고, 이 경우 소정의 추가 구성요소가 반사광과 산란광의 광로를 광 감지기(160)로 향하도록 조정할 수 있다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 복수의 광 감지기(160)를 포함할 수 있다. 광 감지기(160)는 CCD 또는 CMOS에 의해 구현될 수 있다. 실시예에 따라, 광원(150) 및 광 감지기(160)를 통틀어, 검사 장치(10)의 OCT 파트(170)라고 불릴 수 있다.
프로세서(110)는, 소프트웨어(예: 프로그램)를 구동하여 프로세서(110)에 연결된 검사 장치(10)의 적어도 하나의 구성요소를 제어할 수 있다. 또한 프로세서(110)는 본 개시와 관련된 다양한 연산, 처리, 데이터 생성, 가공 등의 동작을 수행할 수 있다. 또한 프로세서(110)는 데이터 등을 메모리(120)로부터 로드하거나, 메모리(120)에 저장할 수 있다.
프로세서(110)는 광 감지기(160)로부터, 상술한 간섭광에 따른 광간섭 데이터를 획득할 수 있다. 프로세서(110)는 하나 또는 그 이상의 광간섭 데이터에 기초하여, 레이저 광이 조사되었던 기판(2)의 일 영역에 도포된 코팅막의 두께를 도출할 수 있다. 광간섭 데이터로부터 코팅막의 두께를 도출하는 과정은 후술한다.
메모리(120)는, 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(120)에 저장되는 데이터는, 검사 장치(10)의 적어도 하나의 구성요소에 의해 획득되거나, 처리되거나, 사용되는 데이터로서, 소프트웨어(예: 프로그램)을 포함할 수 있다. 메모리(120)는, 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 메모리(120)는 광 감지기(160)로부터 획득되는 하나 또는 그 이상의 광간섭 데이터를 저장할 수 있다. 또한, 메모리(120)는 후술할 소자 배열 정보, 소자 밀집도 정보, 전극 위치 정보를 저장할 수 있다.
본 개시에서, 프로그램은 메모리(120)에 저장되는 소프트웨어로서, 검사 장치(10)의 리소스를 제어하기 위한 운영체제, 어플리케이션 및/또는 어플리케이션이 검사 장치(10)의 리소스들을 활용할 수 있도록 다양한 기능을 어플리케이션에 제공하는 미들 웨어 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 장치(10)는 통신 인터페이스(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 통신 인터페이스는, 검사 장치(10)와 서버 또는 검사 장치(10)와 다른 외부 전자 장치간의 무선 또는 유선 통신을 수행할 수 있다. 예를 들어, 통신 인터페이스는 LTE(long-term evolution), LTE-A(LTE Advance), CDMA(code division multiple access), WCDMA(wideband CDMA), WiBro(Wireless Broadband), WiFi(wireless fidelity), 블루투스(Bluetooth), NFC(near field communication), GPS(Global Positioning System) 또는 GNSS(global navigation satellite system) 등의 방식에 따른 무선 통신을 수행할 수 있다. 예를 들어, 통신 인터페이스는 USB(universal serial bus), HDMI(high definition multimedia interface), RS-232(recommended standard232) 또는 POTS(plain old telephone service) 등의 방식에 따른 유선 통신을 수행할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(110)는 통신 인터페이스를 제어하여 서버로부터 정보를 획득할 수 있다. 서버로부터 획득된 정보는 메모리(120)에 저장될 수 있다. 일 실시예에서, 서버로부터 획득되는 정보는 후술할 소자 배열 정보, 소자 밀집도 정보, 전극 위치 정보 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 장치(10)는 후술할 추가 광원(130) 및 추가 광 감지기(140)를 더 포함할 수 있다. 추가 광원(130) 및 추가 광 감지기(140)는 기판(2)의 코팅막에 대한 2차원 이미지를 획득하여, 코팅막의 두께를 측정하는데 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 검사 장치(10)는 후술할 이동부를 더 포함할 수 있다. 이동부는 상술한 x, y, z축을 따라 광원(150) 내지 OCT 파트(170)를 이동시킬 수 있다.
일 실시예에서, 검사 장치(10)는 입력 장치(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 입력 장치는 외부로부터 검사 장치(10)의 적어도 하나의 구성요소에 전달하기 위한 데이터를 입력 받는 장치일 수 있다. 예를 들어, 입력 장치는 마우스, 키보드, 터치 패드 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 장치(10)는 출력 장치(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 출력 장치는 검사 장치(10)의 검사 결과, 동작 상태 등 다양한 데이터를 사용자에게 시각적 형태로 제공하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 출력 장치는 디스플레이, 프로젝터, 홀로그램 장치 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 장치(10)는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 예를 들어, 검사 장치(10)는 휴대용 통신 장치, 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 웨어러블(wearable) 장치 또는 상술한 장치들 중 하나 또는 그 이상의 조합에 따른 장치일 수 있다. 본 개시의 검사 장치(10)는 전술한 장치들에 한정되지 않는다.
본 개시에 따른 검사 장치(10)의 다양한 실시예들은 서로 조합될 수 있다. 각 실시예들은 경우의 수에 따라 조합될 수 있으며, 조합되어 만들어진 검사 장치(10)의 실시예 역시 본 개시의 범위에 속한다. 또한 전술한 본 개시에 따른 검사 장치(10)의 내/외부 구성 요소들은 실시예에 따라 추가, 변경, 대체 또는 삭제될 수 있다. 또한 전술한 검사 장치(10)의 내/외부 구성 요소들은 하드웨어 컴포넌트로 구현될 수 있다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 단면 이미지 및 단면 이미지 상에 나타나는 경계선을 나타낸 도면이다. 전술한 바와 같이, 프로세서(110)는 획득한 광간섭 데이터로부터, 기판(2)의 소정의 영역에 도포된 코팅막의 두께를 도출할 수 있다. 프로세서(110)는 광간섭 데이터로부터 단면 이미지를 생성하고, 단면 이미지 상의 정보를 이용하여 코팅막의 두께를 도출해 낼 수 있다.
본 개시에서, 단면 이미지는 OCT 방식에 따른 대상체 측정에 있어서, 대상체(코팅막)의 깊이 방향으로의 단면을 2차원 이미지로 나타낸 것을 의미할 수 있다. 단면 이미지는 측정된 광간섭 데이터에 기초하여 생성될 수 있다. 단면 이미지는 공기와 코팅막, 코팅막과 기판 사이의 경계면에 대응되는 경계선(경계 무늬)들을 가질 수 있다.
구체적으로, 프로세서(110)는 광 감지기(160)에 촬상된 광간섭 데이터를 통해 도시된 것과 같은 단면 이미지를 획득할 수 있다. 단면 이미지는, 기판(2) 및 코팅막에 대하여 -z축 방향, 즉 깊이 방향으로의 단면을 나타내는 이미지일 수 있다. 즉, 단면 이미지는 코팅막의 표면으로부터 깊이 방향으로 투과된, 코팅막과 기판의 내부를 나타낼 수 있다.
도시된 단면 이미지(4010)는 전술한 기준 거울을 사용하는 기판 검사 장치에 의해 획득될 수 있는 단면 이미지일 수 있다. 단면 이미지(4010)는 하나 또는 그 이상의 경계선(4050)을 가질 수 있다. 경계선(4050) 각각은 공기와 코팅막 사이의 경계면, 즉 코팅막 표면에 대응되는 경계선이거나, 코팅막과 해당 코팅막이 도포된 기판(2) 내지 전극 사이의 경계면에 대응되는 경계선일 수 있다. 기준 거울을 사용하는 기판 검사 장치는 각각의 경계면에 대응되는 경계선 사이의 간격을 이용하여, 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
구체적으로, 기준 거울을 사용하는 기판 검사 장치의 경우, 기준 거울 면을 기준으로 한 단면 이미지(4010)가 획득될 수 있다. 기판 검사 장치는 도시된 단면 이미지(4010)로부터 공기와 코팅막 사이의 경계면을 나타내는 경계선을 결정할 수 있다. 또한, 기판 검사 장치는 단면 이미지(4010)로부터 코팅막과 해당 코팅막이 도포된 기판(2) 사이의 경계면을 나타내는 경계선을 결정할 수 있다. 기판 검사 장치는 단면 이미지(4010) 상에서, 결정된 두 경계선 사이의 세로 방향 거리를 도출하고, 그 세로 방향 거리를 코팅막의 두께로 결정할 수 있다.
한편, 본 개시에 따른 기판 검사 장치(예: 검사 장치(10))를 사용하는 경우, 코팅막 면을 기준으로 한 단면 이미지(4020)가 획득될 수 있다. 단면 이미지(4020)는 하나 또는 그 이상의 경계선(4040)을 가질 수 있다. 경계선(4040) 중 하나는 코팅막과 해당 코팅막이 도포된 기판(2) 내지 전극 사이의 경계면에 대응되는 경계선일 수 있다. 검사 장치(10)의 프로세서(110)는 해당 경계선(4040)과 단면 이미지(4020)의 윗변(4030) 사이의 간격을 이용하여, 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
본 개시에 따른 검사 장치(10)의 경우, 프로세서(110)는 코팅막과 해당 코팅막이 도포된 기판(2) 사이의 경계면을 나타내는 경계선(4040)을 감지할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(110)는 단면 이미지(4020)의 윗변에서부터 깊이 방향으로 처음 나타나는 경계선을 해당 경계선(4040)으로 결정할 수 있다. 또한 검사 장치(10)의 경우, 코팅막의 표면으로부터 반사된 반사광을 이용하여 광간섭 데이터를 생성하기 때문에, 단면 이미지는 코팅막의 표면을 원점으로 하여, 코팅막 표면에서부터, -z축 방향, 즉 깊이 방향으로의 단면을 나타낼 수 있다. 따라서, 검사 장치(10)에 의해 획득된 단면 이미지(4020)의 윗변(4030)은 코팅막의 표면에 대응될 수 있다. 프로세서(110)는 감지된 경계선(4040) 및 단면 이미지(4020)의 윗변(4030) 사이의 세로 방향 거리를 도출하고, 그 세로 방향 거리를 코팅막의 두께로 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(110)는 도출된 세로 방향 거리에 소정의 스케일링 팩터(scaling factor)를 적용하여 도출된 값을 코팅막의 두께로 결정할 수 있다.
일 실시예에서, OCT를 이용한 기판(2)의 코팅막 두께 측정에 있어서, 레이저 광, 반사광, 산란광 및/또는 간섭광은, 공기가 아닌 진공이나 다른 매개체를 통해서 이동될 수도 있다. 즉, 광원(150)은 레이저 광이 공기 외의 매개체를 투과하지 않고 직접 코팅막의 표면에 조사되도록 배치될 수 있다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 검사 장치(10)의 깊이 방향 측정 범위를 나타낸 도면이다. 도시된 단면 이미지(5010)는 전술한 기준 거울을 사용하는 기판 검사 장치에 의해 획득된 단면 이미지일 수 있다. 해당 단면 이미지(5010)는 공기와 코팅막 사이의 경계면을 나타내는 경계선 및 코팅막과 기판(PCB) 사이의 경계면을 나타내는 경계선을 가질 수 있다. 또한 도시된 단면 이미지(5020)는 본 개시에 따른 기판 검사 장치(예: 검사 장치(10))에 의해 획득된 단면 이미지일 수 있다. 해당 단면 이미지(5020)는 코팅막과 기판(PCB) 사이의 경계면을 나타내는 경계선을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 단면 이미지(5010)가 단면 이미지(5020) 보다 더 클 수 있다. 즉, 단면 이미지(5010)가 단면 이미지(5020) 보다 데이터 량이 더 많을 수 있다. 이는, 검사 장치(10)에 의한 측정의 경우, 기준 거울을 사용하는 경우와 달리, 코팅막의 표면으로부터 반사된 반사광을 기준광으로서 이용하므로, 깊이 방향(-z축 방향) 측정 범위가 코팅막의 표면부터 시작되는 것으로 제한되기 때문일 수 있다.
도시된 단면도(5030)에서, 기준 거울을 사용하는 기판 검사 장치의 경우, 유의미한 측정 결과를 얻기 위하여 기판(2)에 실장된 소자에 의한 높이 차를 모두 고려한 측정 범위(5040)가 필요할 수 있다. 그러나, 검사 장치(10)를 이용한 코팅막 두께 측정의 경우, 코팅막의 최대 예상 두께만큼의 측정 범위(5050)만으로도 유의미한 두께 측정 결과를 얻을 수 있다. 다시 말해서, 검사 장치(10)는 코팅막 두께 측정에 필요한 깊이 방향의 측정 범위를 줄일 수 있어, 측정 결과의 처리에 필요한 연산 용량 및 저장에 필요한 메모리를 줄일 수 있다.
또한 검사 장치(10)를 이용한 코팅막 두께 측정의 경우, 기준 거울을 사용하지 않기 때문에, 반사광의 포화 현상에 따른 측정 오류 발생 가능성을 줄일 수 있다. 조사광의 광출력이 일정량을 초과하면, 반사광의 광량 역시 많아져, 간섭 신호가 포화될 수 있다. 포화 상태가 되면, 측정 대상에 의해 발생하는 간섭 신호와는 무관하게 간섭 신호가 나타나게 되어, 정확한 측정에 방해가 될 수 있다. 이러한 포화 현상은 반사율이 높은 기준 거울을 사용하는 경우에 더 잘 발생할 수 있다. 검사 장치(10)는 기준 거울의 사용을 배제함으로써, 포화 현상에 따른 측정 오류를 줄일 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른, 프로세서(110)가 복수의 경계선에 기초하여 코팅막의 두께를 도출하는 과정을 나타낸 도면이다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 메모리에 저장된 소정의 영역에 대해 미리 획득된 복수 개의 단면 이미지를 이용하여, 해당 영역에 해당하는 코팅막의 두께를 도출할 수 있다. 이를 위하여, 복수 회의 측정을 통해 미리 복수 개의 단면 이미지가 획득되어 메모리에 저장되어 있을 수 있다. 이에 따라 검사 장치(10)는 노이즈에 의한 영향을 최소화하면서 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
전술한 바와 같이, 프로세서(110)는 하나 또는 그 이상의 광간섭 데이터에 기초하여 하나의 단면 이미지를 획득할 수 있다. 기판 검사 장치는 복수 회 측정을 반복하여, 기판의 소정 영역에 대한 복수 개의 단면 이미지(6010)를 획득할 수 있고, 복수 개의 단면 이미지는 메모리에 저장되어 있을 수 있다. 복수 개의 단면 이미지(6010) 각각은 기판(2)의 코팅막의 -z축, 즉 깊이 방향으로의 단면을 나타낼 수 있다. 복수 개의 단면 이미지(6010) 각각은 코팅막과 기판(2) 사이의 경계면을 나타내는 경계선(6020)을 가질 수 있다.
프로세서(110)는 단면 이미지(6010) 각각으로부터 복수의 경계선(6020)을 획득할 수 있다. 프로세서(110)는 복수의 경계선(6020) 중 하나의 경계선을, 코팅막과 해당 코팅막이 도포된 기판(2)의 일 영역 사이의 경계면을 나타내는 경계선(6030)으로 결정할 수 있다. 프로세서(110)는 결정된 경계선을 기초로, 전술한 방식에 따라 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(110)는 복수의 경계선(6020)의 평균값(mean), 중앙값(median) 또는 최빈값(mode)을 도출하고, 평균값, 중앙값 또는 최빈값에 따른 경계선을, 코팅막과 기판(2) 사이의 경계면을 나타내는 경계선(6030)으로 결정할 수 있다. 프로세서는 결정된 경계선(6030)에 기초하여, 해당 경계면의 일 영역에 해당하는 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
본 개시에서, 평균값은 모든 샘플들의 값을 더한 다음에, 샘플들의 총 개수로 나눈 값일 수 있다. 본 개시에서, 중앙값은 모든 샘플들의 값 중 중앙에 있는 값을 의미할 수 있다. 샘플들의 값을 작은 수에서 큰 수로 정렬하고, 샘플들의 개수가 홀수인 경우 한 가운데에 위치된 값을 중앙값으로 하고, 샘플들의 개수가 짝수인 경우 가운데 위치된 두 값의 평균값을 중앙값으로 할 수 있다. 본 개시에서, 최빈값은 샘플들의 값들 중 가장 높은 빈도로 나타나는 값을 의미할 수 있다. 특히, 본 개시에서 경계선들의 평균값, 중앙값 또는 최빈값이란, 해당 단면 이미지에서 해당 경계선들이 가지는 위치 좌표의 평균값, 중앙값 또는 최빈값을 의미할 수 있다. 즉, 단면 이미지를 x, y축으로 된 평면으로 볼 때, 해당 단면 이미지에서의 경계선의 각 점은 x, y좌표값을 가질 수 있다. 복수의 단면 이미지(6010)에서 복수의 경계선(6020)이 각각 가지는 x, y좌표 값들의 평균값, 중앙값 또는 최빈값들이 도출될 수 있고, 이 도출된 좌표값에 따른 경계선이, 상술한 평균값, 중앙값 또는 최빈값에 따른 경계선(6030)일 수 있다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 프로세서(110)가 소정의 기준에 따라 일부 경계선들을 제외하는 과정을 나타낸 도면이다. 일 실시예에서, 프로세서(110)는 상술한 복수의 경계선(6020)의 평균값을 도출하고, 도출된 평균값에서 소정의 비율 이상 벗어난 경계선을 제외한 후, 나머지 경계선만으로 코팅막 두께 도출에 기초가 될 경계선을 결정할 수 있다. 이는 복수의 경계선(6020) 중 일정 범위를 상당히 벗어나는 경계선을 제외함으로써, 명백한 측정 오류에 의한 값을 배제한 코팅막 두께 측정을 수행하기 위함일 수 있다. 이를 통해 보다 정확한 두께 측정이 가능할 수 있다.
구체적으로, 프로세서(110)는 복수의 경계선(6020)에 대한 제1 평균값을 도출할 수 있다. 경계선들의 평균값 도출 과정은 전술한 바와 같이 수행될 수 있다. 프로세서(110)는 복수의 경계선(6020) 중, 도출된 제1 평균값을 기 정의된 비율 이상 벗어난 경계선(7030)을 제외할 수 있다. 즉, 도출된 제1 평균값의 소정 비율에 따른 범위가, 도시된 점선(7020) 사이의 영역이라고 했을 때, 해당 영역 내에 포함되는 경계선들(7010)은 유지되고, 해당 영역을 벗어나는 경계선들(7030)은 추후 처리에서 배제될 수 있다. 프로세서(110)는 기 정의된 비율 이상 벗어난 경계선(7030)을 제외한 나머지 경계선(7010)들의 제2 평균값을 도출할 수 있다. 경계선들의 평균값 도출 과정은 전술한 바와 같이 수행될 수 있다. 프로세서(110)는 도출된 제2 평균값에 따른 경계선을, 코팅막과 기판(2) 사이의 경계면을 나타내는 경계선으로 결정할 수 있다. 프로세서는 결정된 경계선에 기초하여, 해당 경계면의 일 영역에 해당하는 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(110)는 평균값이 아닌, 중앙값 또는 최빈값을 이용하여, 전술한 것과 같은, 소정의 경계선을 배제하는 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어 프로세서(110)는 복수의 경계선(6020)의 제1 중앙값을 도출하고, 제1 중앙값을 소정 비율 벗어난 경계선을 배제하고, 나머지 경계선들의 제2 중앙값에 따른 경계선을, 코팅막 두께 도출에 기초가 될 경계선으로 결정할 수 있다. 최빈값에 대해서도 같다. 일 실시예에서, 평균값, 중앙값, 최빈값이 서로 조합되어 사용될 수도 있다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른, 코팅막의 반사율에 기초한 두께 측정 영역의 조정 과정을 나타낸 도면이다. 일 실시예에서, 코팅막 표면의 반사율이 소정의 기준값 이상일 때, 기준 거울을 사용하지 않는 검사 장치(10)이 사용될 수 있다. 소정의 기준값은 코팅막 표면이 기준 거울(172)의 역할을 수행하는데 필요한 최소한의 반사율일 수 있다. 본 개시의 기준 거울을 사용하지 않는 두께 측정에 있어서, 코팅막 표면의 반사율은, 코팅막 표면으로부터 반사되어 생성되는 반사광(즉, 기준광)과 코팅막에 조사되는 레이저 광 사이의 비율을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 검사 장치(10)는 코팅막의 표면에 의한 반사광(즉, 기준광)의 광량에 기초해 코팅막의 반사율을 도출하고, 반사율에 따라 광원(150) 내지 OCT 파트(170)를 이동시켜 두께 측정을 수행할 수 있다. 기준 거울을 사용하지 않는 검사 장치(10)는, 코팅막의 반사율에 기반하여 광간섭 데이터를 획득하므로, 코팅막의 반사율에 따라 측정 대상 지점을 미세 조정함으로써, 보다 유의미한 측정 결과를 획득할 수 있다.
구체적으로, 광 감지기(160)는 상술한 반사광(즉, 기준광) 및 산란광(즉, 측정광)에 의한 간섭광을 캡쳐할 때, 기준광의 광량을 측정할 수 있다. 프로세서(110)는 측정된 코팅막에 의한 기준광의 광량에 기초하여, 코팅막 표면의 해당 영역에서의 z축 방향으로의 반사율을 도출할 수 있다. z축 방향으로의 반사율이란, 조사된 레이저 광이 +z축 방향으로 반사된 비율을 의미할 수 있다.
프로세서(110)는 도출된 반사율이 기 정의된 반사율 이상인 경우, 해당 기준광에 의해 형성된 하나 또는 그 이상의 광간섭 데이터가 유효한 광간섭 데이터인 것으로 판단하고, 해당 광간섭 데이터를 이용하여 코팅막의 두께를 도출할 수 있다. 기 정의된 반사율은 코팅막이 기준 거울의 역할을 수행하는데 필요한 최소한의 반사율로서, 상술한 소정의 기준값일 수 있다.
프로세서(110)는 도출된 반사율이 기 정의된 반사율 미만인 경우, 레이저 광이 초기 측정 대상 영역(8010)에 인접하는 다른 영역(8020)을 향해 조사되도록, 광원(150) 내지 OCT 파트(170)를 이동시킬 수 있다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 이동부를 더 포함할 수 있다. 이동부는 x축, y축 및/또는 z축 방향으로 광원(150) 내지 OCT 파트(170)를 이동시킬 수 있다. 전술한 바와 같이, x축과 y축은 각각 기판(2)의 표면에 대응되는 평면에 포함되는 축으로서, 해당 평면 상에서 서로 직교할 수 있고, z축은 기판의 법선 방향에 대응되는 축일 수 있다. x축과 y축 각각은 전술한 z축에 직교할 수 있다. 프로세서(110)는 이동부를 제어하여, 레이저 광이 초기 측정 대상 영역(8010)에 인접하는 다른 영역(8020)을 향해 조사되도록, 광원(150) 내지 OCT 파트(170)를 x축 및/또는 y축 방향으로 이동시킬 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(110)는 획득된 하나 또는 그 이상의 캡쳐된 간섭광의 해상도에 기초해서 이동부를 제어하여, 광원(150) 내지 OCT 파트(170)의 z축 상의 위치를 조정할 수 있다. 즉, 이동부는 캡쳐된 간섭광의 해상도에 따라 광원(150) 내지 OCT 파트(170)를 z축 방향으로 이동시킬 수 있다. 간섭광은 상술한 반사광(즉, 기준광)과 산란광(즉, 측정광)에 의한 간섭 현상을 캡쳐한 것이므로, 간섭 현상이 잘 일어나는지는 레이저 광, 반사광, 산란광의 이동 경로에 따른 위상 차이에 따라 결정될 수 있다. 프로세서(110)는 이동부를 제어하여 광원(150) 내지 OCT 파트(170)의 z축 상 위치를 조정함으로써, 더 명확한 간섭광의 간섭 신호를 획득하기 위한 조정을 수행할 수 있다.
도시된 측정 영역의 조정 과정(810)에서, OCT 파트(170)는 이동부에 의해 이동될 수 있다. 이에 따라 OCT 파트(170)에 의한 측정 대상 영역 내지 레이저 광이 조사되는 영역(8010)이 x축 또는 y축으로 이동될 수 있다. 이는 기존의 영역(8010)에서의 코팅막의 반사율이 소정의 기준에 미치지 못했기 때문일 수 있다. 새로운 조사 영역(8020)은, 새로운 조사 영역(8020)에 해당하는 코팅막의 측정 두께가 기존의 영역(8010)에 해당하는 코팅막의 두께로 간주되거나 근사될 수 있는 인접 영역으로 결정될 수 있다. 한 영역에 대한 인접 영역에 대해서는 후술한다. 또한, 새로운 조사 영역(8020)은 기존의 영역(8010)과는 달리, 기준광의 +z축 방향 반사율이 소정의 기준 이상인 영역으로 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 새로운 조사 영역(8020)은 기존의 영역(8010)에 비하여 기준광의 +z축 방향 반사율이 일정 비율 이상 더 높은 영역으로 결정될 수 있다.
이 과정을 단면에서 바라볼 때(820), 광원(150)이 이동부에 의해 이동되어, 기존의 조사 영역(8010)에서 새로운 조사 영역(8020)으로 레이저 광을 조사할 수 있다. 도시된 실시예에서, 기존의 조사 영역(8010)은 코팅막의 +z축 방향으로의 반사율이 소정 기준 미만일 수 있다. 이는 기존의 조사 영역(8010)의 코팅막 표면이, 기판의 법선과 평행하지 않고, 일정 각도 이상으로 기울어진 형태이기 때문일 수 있다. 또한, 캡쳐된 간섭광의 해상도에 기초하여, 이동부는 광원(150) 내지 OCT 파트(170)를 z축 방향으로 이동시킬 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막 표면의 반사율이 기준값 이상이 되도록, 조사되는 레이저 광의 조사 각도가 조정될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅막 표면의 반사율이 기준값 이상이 되도록, 코팅막의 표면이 기판에 평행한 영역에 대해 레이저 광이 조사될 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막 표면의 반사율은 해당 코팅막의 형광 염료 혼합율에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 형광 염료가 혼합된 코팅막은, 그렇지 않은 기판에 비하여 코팅막 표면의 반사율이 높을 수 있다. 코팅막의 형광 염료 혼합율이 높을수록 코팅막 표면의 반사율도 높아질 수 있다. 즉, 형광 염료가 혼합된 코팅막을 사용하면, 코팅막 표면의 반사율이 높아지고, 이에 따라 기준 거울을 사용하지 않는 검사 장치(10)에 의한 두께 측정이 용이하게 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅막의 형광 염료 혼합율은, 코팅막 표면의 반사율이 미리 설정된 기준값을 초과하도록 하는 값으로 설정될 수 있다. 실시예에 따라 이 기준값은, 코팅막 표면이 기준 거울(172)의 역할을 수행하는데 필요한 최소한의 반사율일 수도 있고, 실시자의 의도에 따라 임의로 설정된 값일 수도 있다.
또한 일 실시예에서, 코팅막의 후방 산란율 역시 해당 코팅막의 형광 염료 혼합율에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 형광 염료가 혼합된 코팅막은, 그렇지 않은 기판에 비하여 코팅막의 후방 산란율이 높을 수 있다. 본 개시의 기준 거울을 사용하지 않는 검사 장치(10)에 의한 두께 측정에 있어서, 코팅막의 후방 산란율은, 후방 산란되는 상술한 산란광(즉, 측정광)과 코팅막에 조사되는 레이저 광 사이의 비율을 의미할 수 있다. 코팅막의 형광 염료 혼합율이 높을수록 코팅막의 후방 산란율도 높아질 수 있다. 즉, 형광 염료가 혼합된 코팅막을 사용하면, 코팅막의 후방 산란율이 높아지고, 이에 따라 기준 거울을 사용하지 않는 검사 장치(10)에 의한 두께 측정이 용이하게 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅막의 형광 염료 혼합율은, 코팅막의 후방 산란율이 미리 설정된 기준값을 초과하도록 하는 값으로 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막의 표면은 곡면으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅막의 표면은 기판에 대하여 볼록한 곡면, 오목한 곡면 또는 임의의(arbitrary) 형상을 가진 곡면으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅막의 표면이 곡면인 경우, 코팅막의 표면이 평면인 경우에 비하여 기준 거울을 사용하지 않는 검사 장치(10)에 의한 두께 측정이 용이하게 수행될 수 있다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검사 장치(10)가 형광 염료를 이용한 사진 촬영 검사를 통해, OCT 파트(170)에 의한 두께 측정을 수행할 영역을 샘플링하는 과정을 나타낸 도면이다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 기판 전체 영역에 대하여 형광 염료를 이용한 사진 촬영 검사를 수행하고, 검사 결과에 기초하여 소정의 기준에 따라 특정 영역을 도출하고, 도출된 영역에 대해 OCT에 의한 코팅막 두께 측정을 수행할 수 있다.
검사 장치(10)는 먼저, 기판(2)에 형광 염료를 이용한 사진 촬영 검사를 수행할 수 있다. 사진 촬영 검사는 형광 사진 촬영 검사일 수 있다. 이 검사를 위하여, 기판(2) 상에 도포되는 코팅막에는 미리 형광 염료가 혼합되어 있을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 본 개시에 따른 검사 장치(10)는 추가 광원(130) 및/또는 추가 광 감지기(140)를 더 포함할 수 있다. 검사 장치(10)의 추가 광원(130)은 기판의 코팅막을 향하여 자외선을 조사할 수 있다. 조사된 자외선은 코팅막에 혼합되어 있는 형광 염료를 여기시켜 형광을 발생시킬 수 있다. 검사 장치(10)의 추가 광 감지기(140)는 그 형광을 캡쳐하여, 기판의 코팅막에 대한 2차원 이미지를 획득할 수 있다. 2차원 이미지는 실시예에 따라 2차원 형광 이미지일 수 있다.
검사 장치(10)는 사진 촬영 검사의 결과를 기초로, 소정의 기준에 따라, 기판(2) 상의 하나 또는 그 이상의 영역(3)을 도출할 수 있다. 검사 장치(10)는 2차원 이미지로부터 기판(2)에 도포된 코팅막의 도포량을 도출할 수 있다. 검사 장치(10)는 획득된 2차원 이미지로부터 기판(2)의 복수의 영역 각각에 대한 휘도(luminance) 정보를 획득할 수 있다. 자외선이 조사되면, 형광 염료의 양에 따라 코팅막의 각 영역에서의 휘도가 다르게 나타날 수 있다. 검사 장치(10)는 각 영역의 휘도를 이용하여, 각 영역에서의 코팅막의 도포량을 도출해 낼 수 있다.
이 후, 검사 장치(10)는 도포량에 기초하여 일정 영역(3)을 도출할 수 있다. 예를 들어 도포량이 일정 기준 이하인 영역이 일정 영역(3)으로 도출될 수 있다. 검사 장치(10)는 도출된 영역(3)에 대하여, 전술한 것과 같은, OCT 파트(170)를 이용한 두께 측정을 추가로 수행할 수 있다. 검사 장치(10)의 OCT 파트(170)는 도출된 영역(3)에 대한 광간섭 데이터를 획득하고, 획득된 광간섭 데이터를 기초로 하여, 기판 상 해당 영역(3)에 도포된 코팅막의 두께를 측정할 수 있다.
일 실시예에서, 추가 광원(130)은 기판을 향하여 자외선을 조사하도록 배치될 수 있으며, 추가 광원(130)의 기판에 대한 상대적 위치, 자외선의 조사 각도, 자외선의 밝기 등은 각각 다양하게 구성될(configured) 수 있다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 복수의 추가 광원(130)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 추가 광 감지기(140)는 자외선에 의하여 코팅막으로부터 발생한 형광을 캡쳐할 수 있다. 일 실시예에서, 검사 장치(10)는 복수의 추가 광 감지기(140)를 포함할 수 있다. 추가 광 감지기(140)는 CCD(Charged Coupled Device) 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)에 의해 구현될 수 있다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른, 검사 장치(10)가 소자 배열에 따라, OCT 파트(170)에 의한 두께 측정을 수행할 영역을 추가 샘플링하는 과정을 나타낸 도면이다. 일 실시예에서, 프로세서(110)는 2차원 이미지를 통해 도출된 도포량이 기 설정량 이하인 영역(3)과 소자들의 배열이 동일 또는 유사한 영역(4)을 도출하고, OCT 파트(170)를 제어하여 이 영역(4)에 대한 두께를 도출할 수 있다. 다시 말해서, 프로세서(110)는, 소자 배열 정보(1000)에 기초하여 소자들의 배열이 동일 또는 유사한 영역을 도출해, 그 영역에 대해 OCT를 이용한 두께 측정을 수행할 수 있다. 소자 배열이 동일하거나 유사한 영역은, 도포된 코팅막의 두께 값이 유사할 수 있다. 어느 한 영역과 소자 배열이 동일 또는 유사한 영역은, 유사한 코팅막 두께를 가질 수 있다. 본 개시에서, 소자 배열 정보(1000)는 기판(2) 상에 배치된 소자들의 배열을 나타내는 정보일 수 있다. 소자 배열 정보(1000)는 기판(2) 상에서, 기판(2)에 실장된 소자들의 위치, 방향, 차지하는 크기 등의 정보를 나타낼 수 있다.
먼저, 프로세서(110)는 전술한 바와 같이, 2차원 이미지를 통해 획득한 도포량이 기 설정량 이하인 영역(3)을 도출할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(110)는 OCT 파트(170)를 이용해 이 영역(3)에 대한 두께를 측정할 수 있다. 프로세서(110)는 이에 더하여, 도출된 영역(3)과 소자 배열이 동일한 기판(2) 상의 한 영역(4)을 도출할 수 있다. 해당 영역(4)은, 2차원 이미지를 통해 도출한 도포량이 기 설정량을 초과하는 영역(즉, 제1 영역이 아닌 영역)들 중에서 선택될 수 있다. 프로세서(110)는 전술한 소자 배열 정보(1000)를 기초로 하여 해당 영역(4)을 도출할 수 있다. 프로세서(110)는 OCT 파트(170)를 이용하여, 추가로 도출된 해당 영역(4)에 대한 두께를 도출할 수 있다. 프로세서(110)는 광원(150) 및 광 감지기(160)를 제어하여, 해당 영역(4)으로부터 반사된 레이저 광에 의해 생성되는 광간섭 데이터를 획득할 수 있다. 프로세서(110)는 획득된 광간섭 데이터에 기초하여, 해당 영역(4)에 도포되어 있는 코팅막에 대한 두께를 도출해 낼 수 있다. 본 개시에서, 프로세서(110)가 광원(150) 및 광 감지기(160)를 제어하여 일 영역의 광간섭 데이터를 획득한다는 것은, 광원(150)이 해당 일 영역을 향하여 레이저 광을 조사하고, 광 감지기(160)가 해당 일 영역으로부터 발생된 간섭광에 따른 광간섭 데이터를 획득한다는 것을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(110)는 2차원 이미지에 의해 도출되었던 영역(3)과 소자 배열이 유사한 영역(4)을 도출하여, 그 영역(4)에 대해 OCT를 이용한 두께 측정을 수행할 수도 있다. 여기서 소자 배열이 유사한지 여부는 두 영역(3, 4)에 대한 소자 배열 정보(1000)에 기초하여, 판단될 수 있다. 프로세서(110)는 그 영역(3, 4)들에서 소자들이 차지하는 면적, 소자들의 배치, 종류, 형태, 소자들의 전극 위치 등에 기초하여, 두 영역에 대한 소자 배열의 유사도를 산출하고, 산출된 유사도에 따라 두 영역의 소자 배열이 유사한지 여부를 결정할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(110)는 기판(2) 상의 소자 배열 및 소자들이 밀집되어 있는 정도에 따라 상술한 휘도 정보를 조정하고, 조정된 휘도 정보에 기초하여 해당 영역의 코팅막 도포량을 도출할 수 있다. 구체적으로, 프로세서(110)는 메모리(120)로부터 기판(2) 상 소자들의 배열을 나타내는 소자 배열 정보(1000)를 획득할 수 있다. 프로세서(110)는 전술한 소자 배열 정보(1000)에 기초하여, 기판(2) 상 각 영역에 대한 소자 밀집도 정보(2000)를 도출할 수 있다. 프로세서(110)는 소자 밀집도 정보(2000)에 기초하여, 2차원 이미지로부터 도출된 휘도 정보를 조정할 수 있다. 기판(2)에서 소자 밀집도가 높은 영역에서는 형광 염료의 도포가 고르지 못할 수 있다. 소자 밀집도가 높은, 즉, 소자가 밀집된 영역에서는 형광 염료의 축적으로 인해, 휘도가 높게 측정될 수 있다. 프로세서(110)는 소자 밀집도에 따른 휘도의 왜곡을 고려하여, 획득한 휘도 정보를 조정할 수 있다. 이러한 조정에는 소자 밀집도와 휘도 사이의 관계를 나타내는 축적된 정보가 사용될 수 있으며, 이 정보들은 데이터베이스화되어 메모리(120)에 저장되어 있을 수 있다. 프로세서(110)는 조정된 휘도 정보를 기초로 하여, 기판(2) 상 영역 각각에 대한 도포량을 도출할 수 있다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른, 검사 장치(10)가 결함 영역에 따라, OCT 파트(170)에 의한 두께 측정을 수행할 영역을 추가 샘플링하는 과정을 나타낸 도면이다. 일 실시예에서, 프로세서(110)는 소자 배열 정보(1000) 및 2차원 이미지에 기초하여 기판(2) 상 결함이 있는 것으로 판단되는 영역(5)을 도출하고, OCT 파트(170)를 제어하여 이 영역에 대한 두께를 도출할 수 있다. 기판(2) 또는 코팅막의 소정의 결함, 예를 들어 크랙(crack), 박리, 요철, 굴곡 등이 있는 부분은, 2차원 사진 촬영 검사를 통한 도포량 측정에 오류가 있을 수 있다. 이에 소자 배열 정보(1000) 및/또는 2차원 이미지에 기초하여 소정의 결함이 있는 곳으로 판단된 영역(5)은, OCT 파트(170)를 이용하여 추가로 코팅막 두께 측정이 수행될 수 있다.
프로세서(110)는 메모리(120)로부터 획득되는 소자 배열 정보(1000) 및/또는 2차원 이미지에 기초하여, 기판(2) 상에서 소정의 결함이 있는 것으로 판단되는 영역(5)을 결정할 수 있다. 2차원 이미지는 실제 기판(2) 및 코팅막의 형태를 촬영한 사진일 수 있다. 소자 배열 정보(1000)는 소정의 규격(specification)에 따라 기판(2)이 가지는 형태 및 예상되는 코팅막의 도포 형태를 나타낼 수 있다. 프로세서(110)는 소자 배열 정보(1000)와 2차원 이미지를 대비하여, 현재 기판(2) 및 코팅막이, 소정의 규격을 벗어난 특징을 가지는 영역을 결정할 수 있다. 즉, 프로세서(110)는 해당 특징이 결함이라고 판단할 수 있다. 프로세서(110)는 그 결함이 존재하는 영역(5)을 도출할 수 있다.
프로세서(110)는 OCT 파트(170)를 이용하여, 도출된 영역(5)에 대한 두께를 도출할 수 있다. 프로세서(110)는 광원(150) 및 광 감지기(160)를 제어하여, 해당 영역(5)으로부터 반사된 레이저 광에 의해 생성되는 광간섭 데이터를 획득할 수 있다. 프로세서(110)는 획득된 광간섭 데이터에 기초하여, 해당 영역(5)에 도포되어 있는 코팅막에 대한 두께를 도출해 낼 수 있다.
일 실시예에서, 결함 영역에 기초한 추가 측정 대상 영역의 도출은, 전술한 2차원 이미지에 기초한 추가 측정 대상 영역의 도출과는 독립적으로 수행될 수 있다.
또한 일 실시예에서, 프로세서(110)는 기판(2) 상에서 소자들이 가지는 전극의 위치를 나타내는 전극 위치 정보(3000)에 기초하여, 전극 부분을 포함하는 영역을 도출하고, OCT 파트(170)를 제어하여 이 영역에 대한 추가 두께 측정을 수행할 수 있다. 본 개시에서, 전극 위치 정보(3000)는, 기판(2) 상에서 소자들이 가지는 전극의 위치를 나타낼 수 있다. 예를 들어 소자들은 각각, 소자와 기판 상의 미세한 배선을 연결하기 위한 전극 부분을 가질 수 있다. 이 전극은 소자 또는 칩의 다리라고 불릴 수도 있다. 전극 위치 정보(3000)는 소자의 전극들이 기판(2) 상에서 어느 부분에 위치하는 지를 나타낼 수 있다. 일반적으로 소자의 전극 부분은, 소자 다리의 밀집에 따라 형광 염료의 뭉침 현상이 있을 수 있고, 이에 따라 2차원 이미지에 기초한 두께 측정이 정확하지 않을 수 있다. 이에 따라 소자의 전극이 위치하는 부분은 OCT를 이용한 추가 두께 측정을 수행하여, 전체 두께 측정 과정의 정확도를 높일 수 있다.
프로세서(110)는 메모리(120)로부터 획득한 전극 위치 정보(3000)에 기초하여, 기판(2) 상에서 소자들의 전극이 어디에 위치하는지 알 수 있다. 프로세서(110)는 전극이 위치한 기판(2) 상의 영역을 도출할 수 있다. 일 실시예에서, 해당 영역은, 2차원 이미지를 통해 획득한 도포량이 기 설정량을 초과하는 영역(즉, 제1 영역이 아닌 영역)들 중에서 선택될 수 있다.
프로세서(110)는 OCT 파트(170)를 이용하여, 도출된 영역에 대한 두께를 도출할 수 있다. 프로세서(110)는 광원(150) 및 광 감지기(160)를 제어하여, 해당 영역으로부터 반사된 레이저 광에 의해 생성되는 광간섭 데이터를 획득할 수 있다. 프로세서(110)는 획득된 광간섭 데이터에 기초하여, 해당 영역에 도포되어 있는 코팅막에 대한 두께를 도출해 낼 수 있다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른, 검사 장치(10)가 OCT 파트(170)에 의한 두께 측정을 수행할 영역의 인접 영역을 추가 샘플링하는 과정을 나타낸 도면이다. 본 개시의 다양한 실시예에 따라 도출되는 기판(2) 상의 영역들, 즉 OCT를 이용하여 추가로 두께 측정이 수행되는 영역들(7)에 있어서, 검사 장치(10)는 그 영역(7)의 인접 영역(8)에 대해서도 OCT를 이용해 추가 두께 측정을 수행할 수 있다.
도출된 해당 영역들(7)은, 코팅막 두께 측정의 정확도 측면에서, 2차원 사진 촬영 검사에 이어 추가로, OCT를 이용한 두께 측정이 수행될 수 있는 곳이다. 해당 영역들(7)의 인접 영역들은, 기판(2) 또는 코팅막에 관련하여 해당 영역(7)과 유사한 특성을 가질 수 있다. 이에 따라 전체 두께 측정 과정의 정확성을 담보하기 위하여 인접 영역에 대해, OCT를 이용한 추가 두께 측정이 수행될 수 있다.
여기서 인접 영역은 기판(2)을 복수의 영역으로 구분 지었을 때, 해당 영역(7)에 인접하여 위치된 영역들을 의미할 수 있다. 일 실시예에서, 인접 영역은 복수의 영역 중, 해당 영역(7)과 경계선을 맞대고 있는 영역을 의미할 수 있다. 일 실시예에서, 인접 영역은 복수의 영역 중, 해당 영역(7)의 중심을 기준으로 일정 반경 내에 위치하는 영역을 의미할 수 있다. 일 실시예에서, 기판의 가로 방향, 세로 방향에 대응되는 축을 각각 x축, y축이라고 했을 때, 인접 영역은 해당 영역(7)의 +x축 방향, -x축 방향, +y축 방향, -y축 방향에 위치하고 해당 영역(7)과 경계선을 공유하는 영역일 수 있다. 일 실시예에서, 인접 영역은 복수의 영역 중, 해당 영역(7)과 꼭지점을 공유하고, 대각선에 위치하는 영역을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(110)는 2차원 이미지에 의해 도출된 도포량 및, OCT 파트(170)에 의해 측정된 두께 값에 기초하여 OCT를 이용한 두께 측정을 재 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 도포량으로부터 도출될 수 있는 해당 영역 코팅막의 정성적인 두께 값과, OCT에 의해 측정된 두께 값의 차이 값을 도출하고, 그 차이 값이 기 정의된 값 이상인 경우, 해당 영역에 대하여 OCT를 이용한 두께 측정이 재수행될 수 있다. 또한 실시예에 따라, 도출된 도포량 및 두께 값에 기초하여, 두 값이 소정의 기준을 만족하지 못하는 경우, 두께 측정이 재수행될 수 있다. 여기서 소정의 기준은, 기 축정된 도포량과 두께 사이의 관계성에 기초하여 볼 때, 도출된 도포량 또는 두께 중 적어도 하나의 값이 잘못 측정된 것으로 판단하는데 사용하는 기준일 수 있다. 즉, 도포량 및 두께 값을 고려하였을 때, 측정에 오류가 있다고 판단되면 측정이 재수행될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 프로세서(110)는 2차원 이미지에 의해 도출된 한 영역의 도포량 및, OCT 파트(170)에 의해 측정된 그 영역의 두께 값에 기초하여, 해당 영역의 인접 영역에 대해서, OCT 파트(170)를 제어하여 두께를 재 측정할 수 있다.
도 13은 본 개시에 따른 검사 장치(10)에 의해 수행될 수 있는, 기판 검사 방법의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 도시된 흐름도에서 본 개시에 따른 방법 또는 알고리즘의 각 단계들이 순차적인 순서로 설명되었지만, 각 단계들은 순차적으로 수행되는 것 외에, 본 개시에 의해 임의로 조합될 수 있는 순서에 따라 수행될 수도 있다. 본 흐름도에 따른 설명은, 방법 또는 알고리즘에 변화 또는 수정을 가하는 것을 제외하지 않으며, 임의의 단계가 필수적이거나 바람직하다는 것을 의미하지 않는다. 일 실시예에서, 적어도 일부의 단계가 병렬적, 반복적 또는 휴리스틱하게 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 적어도 일부의 단계가 생략되거나, 다른 단계가 추가될 수 있다.
본 개시에 따른 검사 장치(10)는, 기판 검사를 수행함에 있어서, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 기판 검사 방법을 수행할 수 있다. 본 개시의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법은, 기판 상의 일 영역에 도포된 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사하는 단계(S100), 코팅막의 표면에 의해 반사되어 생성된 기준광 및 코팅막을 투과하여 산란된 측정광 사이의 간섭에 따른 광간섭 데이터를 획득하는 단계(S200), 및/또는 광간섭 데이터에 기초하여, 상기 일 영역에 해당하는 상기 코팅막의 두께를 도출하는 단계(S300)를 포함할 수 있다.
단계 S100에서, 검사 장치(10)의 광원(150)은 기판 상의 일 영역에 도포된 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사할 수 있다. 단계 S200에서, 광 감지기(160)는 레이저 광이 코팅막의 표면에 의해 반사되어 생성된 기준광 및 레이저 광이 코팅막을 투과하여 산란된 측정광 사이의 간섭에 따른 광간섭 데이터를 획득할 수 있다. 단계 S300에서, 프로세서(110)는 광간섭 데이터에 기초하여 상술한 일 영역에 해당하는 코팅막의 두께를 도출할 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막의 두께를 도출하는 단계(S300)는, 프로세서(110)가, 광간섭 데이터에 기초하여, 코팅막의 깊이 방향으로의 단면을 나타내는 단면 이미지를 획득하는 단계 및/또는 단면 이미지 상의 경계선을 기초로 하여, 코팅막의 두께를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 코팅막의 두께를 도출하는 단계(S300)는, 프로세서(110)가 메모리로부터 상기 일 영역에 대하여 미리 획득된 복수 개의 단면 이미지를 획득하는 단계 및/또는 프로세서(110)가 복수 개의 단면 이미지 상의 복수 개의 경계선으로부터 기준 경계선을 결정하고, 기준 경계선에 기초하여 상술한 일 영역에 해당하는 코팅막의 두께를 도출하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 기준 경계선은 상기 복수 개의 경계선에 대한 평균값(mean), 중앙값(median) 및 최빈값(mode) 중 하나에 따른 경계선일 수 있다.
일 실시예에서, 기준 경계선은 상기 복수 개의 경계선 중 미리 설정된 기준을 만족하는 경계선들의 평균값에 따른 경계선일 수 있다.
일 실시예에서, 기판 검사 방법은, 광 감지기(160)가 기준광의 광량에 기초하여 코팅막 표면의 반사율을 도출하는 단계 및/또는 반사율이 기 정의된 반사율 미만인 경우 광원을 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 이동은 상술한 이동부에 의하여 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 레이저 광은 제1 방향을 따라 상술한 일 영역을 향하여 조사되고, 기준광 및 측정광은 제1 방향의 역방향으로 진행하여, 광 감지기에 의해 캡쳐될 수 있다. 일 실시예에서, 레이저 광은 공기 외의 매개체를 투과하지 않고 직접 코팅막의 표면에 조사될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들은 기기(machine)가 읽을 수 있는 저장매체(machine-readable storage medium)에 소프트웨어로 구현될 수 있다. 소프트웨어는 본 개시의 다양한 실시예들을 구현하기 위한 소프트웨어일 수 있다. 소프트웨어는 본 개시가 속하는 기술분야의 프로그래머들에 의해 본 개시의 다양한 실시예들로부터 추론될 수 있다. 예를 들어 소프트웨어는 기기가 읽을 수 있는 명령어(예: 코드 또는 코드 세그먼트)를 포함하는 프로그램일 수 있다. 기기는 저장 매체로부터 호출된 명령어에 따라 동작이 가능한 장치로서, 예를 들어 컴퓨터일 수 있다. 일 실시예에서, 기기는 본 개시의 실시예들에 따른 검사 장치(10)일 수 있다. 일 실시예에서, 기기의 프로세서는 호출된 명령어를 실행하여, 기기의 구성요소들이 해당 명령어에 해당하는 기능을 수행하게 할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서는 본 개시의 실시예들에 따른 프로세서(110)일 수 있다. 저장 매체는 기기에 의해 읽혀질 수 있는, 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록 매체(recording medium)를 의미할 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광 데이터 저장장치 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 저장 매체는 메모리(120)일 수 있다. 일 실시예에서, 저장매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 등에 분산된 형태로서 구현될 수도 있다. 소프트웨어는 컴퓨터 시스템 등에 분산되어 저장되고, 실행될 수 있다. 저장 매체는 비일시적(non-transitory) 저장매체일 수 있다. 비일시적 저장매체는, 데이터가 반영구적 또는 임시적으로 저장되는 것과 무관하게 실재하는 매체(tangible medium)를 의미하며, 일시적(transitory)으로 전파되는 신호(signal)를 포함하지 않는다.
이상 다양한 실시예들에 의해 본 개시의 기술적 사상이 설명되었지만, 본 개시의 기술적 사상은 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 범위에서 이루어질 수 있는 다양한 치환, 변형 및 변경을 포함한다. 또한, 그러한 치환, 변형 및 변경은 첨부된 청구범위 내에 포함될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (17)

  1. 기판 상의 일 영역에 도포된 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사하는 광원;
    상기 레이저 광이 상기 코팅막의 표면에 의해 반사되어 생성된 기준광 및 상기 레이저 광이 상기 코팅막을 투과하여 산란된 측정광 사이의 간섭에 따른 광간섭 데이터를 획득하는 광 감지기; 및
    상기 광간섭 데이터에 기초하여 상기 일 영역에 해당하는 상기 코팅막의 두께를 도출하는 프로세서를 포함하는, 기판 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 광간섭 데이터에 기초하여 상기 코팅막의 깊이 방향으로의 단면을 나타내는 단면 이미지를 획득하고,
    상기 단면 이미지 상의 경계선을 기초로 하여, 상기 코팅막의 두께를 결정하는, 기판 검사 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광원을 이동시키는 이동부를 더 포함하는, 기판 검사 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 기준광의 광량에 기초하여 상기 코팅막 표면의 반사율을 도출하고,
    상기 반사율이 기 정의된 반사율 미만인 경우, 상기 이동부를 제어하여 상기 광원을 이동시키는, 기판 검사 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광원은 제1 방향을 따라 상기 코팅막을 향하여 상기 레이저 광을 조사하고,
    상기 광 감지기는 상기 제1 방향의 역방향으로 진행하는 상기 기준광 및 측정광을 캡쳐하여 상기 광간섭 데이터를 획득하는, 기판 검사 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광원은 상기 레이저 광이 공기 외의 매개체를 투과하지 않고 직접 상기 코팅막의 상기 표면에 조사되도록 배치되는, 기판 검사 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 광에 대한 상기 코팅막의 표면의 반사율은 상기 코팅막에 혼합된 형광 염료의 형광 염료 혼합율에 의해 결정되고,
    상기 형광 염료 혼합율은, 상기 반사율이 미리 설정된 기준값을 초과하도록 하는 값으로 설정되는, 기판 검사 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 코팅막은 아크릴, 우레탄, 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시, UV(Ultra Violet) 경화 물질 및 IR(Infra Red) 경화 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질에 의해 형성되는, 기판 검사 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 코팅막의 표면은 곡면으로 형성되는, 기판 검사 장치.
  10. 기판 상의 일 영역에 도포된 코팅막을 향하여 레이저 광을 조사하는 단계;
    상기 레이저 광이 상기 코팅막의 표면에 의해 반사되어 생성된 기준광 및 상기 레이저 광이 상기 코팅막을 투과하여 산란된 측정광 사이의 간섭에 따른 광간섭 데이터를 획득하는 단계; 및
    상기 광간섭 데이터에 기초하여, 상기 일 영역에 해당하는 상기 코팅막의 두께를 도출하는 단계를 포함하는, 기판 검사 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 코팅막의 두께를 도출하는 단계는:
    상기 광간섭 데이터에 기초하여, 상기 코팅막의 깊이 방향으로의 단면을 나타내는 단면 이미지를 획득하는 단계; 및
    상기 단면 이미지 상의 경계선을 기초로 하여, 상기 코팅막의 두께를 결정하는 단계를 포함하는, 기판 검사 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 기준광의 광량에 기초하여 상기 코팅막 표면의 반사율을 도출하는 단계; 및
    상기 반사율이 기 정의된 반사율 미만인 경우 상기 광원을 이동시키는 단계를 더 포함하는, 기판 검사 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 레이저 광은 제1 방향을 따라 상기 일 영역을 향하여 조사되고, 상기 기준광 및 측정광은 상기 제1 방향의 역방향으로 진행하는, 기판 검사 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 레이저 광은 공기 외의 매개체를 투과하지 않고 직접 상기 코팅막의 상기 표면에 조사되는, 기판 검사 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 레이저 광에 대한 상기 코팅막의 표면의 반사율은 상기 코팅막에 혼합된 형광 염료의 형광 염료 혼합율에 의해 결정되고,
    상기 형광 염료 혼합율은, 상기 반사율이 미리 설정된 기준값을 초과하도록 하는 값으로 설정되는, 기판 검사 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 코팅막은 아크릴, 우레탄, 폴리우레탄, 실리콘, 에폭시, UV(Ultra Violet) 경화 물질 및 IR(Infra Red) 경화 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질에 의해 형성되는, 기판 검사 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 코팅막의 표면은 곡면으로 형성되는, 기판 검사 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102204449B1 (ko) * 2019-10-23 2021-01-18 주식회사 유니아이 광간섭 방식을 이용한 컨포말 코팅 두께 측정 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102138622B1 (ko) * 2017-11-28 2020-07-28 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
EP3489620B1 (en) 2017-11-28 2023-06-07 Koh Young Technology Inc. Apparatus for inspecting substrate and method thereof
EP3489619A1 (en) 2017-11-28 2019-05-29 Koh Young Technology Inc. Apparatus for inspecting substrate and method thereof
KR102320506B1 (ko) * 2020-07-22 2021-11-03 이화다이아몬드공업 주식회사 데미지층의 깊이 및 데미지층 내의 결함의 농도를 측정하는 방법 및 상기 방법을 수행하는 시스템
CN118076883A (zh) * 2021-10-05 2024-05-24 二和金刚石工业株式会社 一种损伤层深度和损伤层内缺陷浓度的测定方法以及执行所述方法的系统
CN114440808A (zh) * 2022-02-24 2022-05-06 广东奥迪威传感科技股份有限公司 超声波测厚方法及装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507747B1 (en) 1998-12-02 2003-01-14 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for concomitant structural and biochemical characterization of tissue
JP2007198771A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Ricoh Co Ltd 膜厚測定方法及び膜厚測定装置
US20080062429A1 (en) 2006-09-12 2008-03-13 Rongguang Liang Low coherence dental oct imaging
JP2013205253A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Chiba Univ 膜厚測定方法および膜厚測定装置
JP2014100230A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Topcon Corp 光画像計測装置
JP2014192734A (ja) 2013-03-27 2014-10-06 Panasonic Corp 基地局装置およびデータ送信方法
WO2014192734A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 新日鐵住金株式会社 膜厚測定方法、膜厚測定装置及び記録媒体
US20150226537A1 (en) 2012-08-29 2015-08-13 Agfa Healthcare Nv System and method for optical coherence tomography and positioning element

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3322962A (en) * 1963-10-01 1967-05-30 Kalle Ag Method and apparatus for continuously measuring applied coatings employing photoelectric means
JPS6211106A (ja) * 1985-03-01 1987-01-20 Agency Of Ind Science & Technol 干渉法膜厚測定装置
JPS61212705A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Fujitsu Ltd 磁気デイスク媒体の膜厚測定方法
JPS649449A (en) * 1987-07-01 1989-01-12 Hitachi Ltd Method and device for measuring photoresist characteristic
EP0396010A3 (en) * 1989-05-05 1991-03-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring growth and etch rates of materials
JPH03252512A (ja) * 1990-03-01 1991-11-11 Sumitomo Light Metal Ind Ltd 油膜または塗膜のオンライン測定法およびその装置
DE69228550T2 (de) * 1991-09-06 1999-08-19 Commw Scient Ind Res Org Messverfahren und -vorrichtung
DE4342904C1 (de) * 1993-03-02 1995-04-27 Duma Masch Anlagenbau Abblasvorrichtung
FR2716531B1 (fr) * 1994-02-18 1996-05-03 Saint Gobain Cinematique Contr Procédé de mesure d'épaisseur d'un matériau transparent.
JP2917861B2 (ja) * 1995-05-15 1999-07-12 ブリヂストンスポーツ株式会社 ゴルフボール塗膜の膜厚測定方法及び装置
KR100437024B1 (ko) * 2001-10-18 2004-06-23 엘지전자 주식회사 박막 검사 방법 및 그 장치
JP4955240B2 (ja) * 2005-09-02 2012-06-20 パナソニック株式会社 膜測定装置およびそれを用いる塗工装置
JP5276875B2 (ja) * 2008-03-31 2013-08-28 富士フイルム株式会社 フィルム欠陥検査方法及び装置
CN101358879A (zh) * 2008-08-27 2009-02-04 中国科学院光电技术研究所 傅立叶域光学相干层析技术中可变插值间隔的插值方法
JP5525739B2 (ja) * 2008-09-16 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
US7708408B1 (en) * 2008-10-10 2010-05-04 Amo Development Llc. Single-arm optical coherence tomography pachymetry system and method
DE102010064593A1 (de) * 2009-05-21 2015-07-30 Koh Young Technology Inc. Formmessgerät und -verfahren
JP2010281580A (ja) 2009-06-02 2010-12-16 Rexxam Co Ltd 基板検査装置、照射装置、及び基板検査方法
DE102011051146B3 (de) * 2011-06-17 2012-10-04 Precitec Optronik Gmbh Prüfverfahren zum Prüfen einer Verbindungsschicht zwischen waferförmigen Proben
JP2013205252A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Chiba Univ 膜厚測定方法、測定装置、膜厚変化測定方法および測定装置
KR101486271B1 (ko) 2013-05-13 2015-01-27 한국표준과학연구원 삼차원 박막 두께 형상 측정 방법
US9581433B2 (en) * 2013-12-11 2017-02-28 Honeywell Asca Inc. Caliper sensor and method using mid-infrared interferometry
EP3213690B1 (en) * 2014-10-27 2020-02-26 FUJIFILM Corporation Light penetration depth evaluation method, performance test method using evaluation method, and optical tomography apparatus
KR20160082076A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 한양대학교 산학협력단 간섭계 기반 단층영상 및 표면형상 동시 획득 장치
JP2016188801A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 東京エレクトロン株式会社 膜厚測定装置および膜厚測定方法
KR20170085279A (ko) 2016-01-14 2017-07-24 주식회사 임펙 엔터프라이즈 전자부품이 실장된 인쇄회로기판의 코팅 검사장치 및 검사방법
KR20160136255A (ko) * 2016-11-09 2016-11-29 (주)우리테크 Pcb 기판의 컨포멀 코팅 두께 및 코팅 영역 검사방법 및 시스템
KR102138622B1 (ko) * 2017-11-28 2020-07-28 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507747B1 (en) 1998-12-02 2003-01-14 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for concomitant structural and biochemical characterization of tissue
JP2007198771A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Ricoh Co Ltd 膜厚測定方法及び膜厚測定装置
US20080062429A1 (en) 2006-09-12 2008-03-13 Rongguang Liang Low coherence dental oct imaging
JP2013205253A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Chiba Univ 膜厚測定方法および膜厚測定装置
US20150226537A1 (en) 2012-08-29 2015-08-13 Agfa Healthcare Nv System and method for optical coherence tomography and positioning element
JP2014100230A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Topcon Corp 光画像計測装置
JP2014192734A (ja) 2013-03-27 2014-10-06 Panasonic Corp 基地局装置およびデータ送信方法
WO2014192734A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 新日鐵住金株式会社 膜厚測定方法、膜厚測定装置及び記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102204449B1 (ko) * 2019-10-23 2021-01-18 주식회사 유니아이 광간섭 방식을 이용한 컨포말 코팅 두께 측정 장치

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