CN109974598A - 基板检查装置及基板检查方法 - Google Patents

基板检查装置及基板检查方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109974598A
CN109974598A CN201811433244.3A CN201811433244A CN109974598A CN 109974598 A CN109974598 A CN 109974598A CN 201811433244 A CN201811433244 A CN 201811433244A CN 109974598 A CN109974598 A CN 109974598A
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
coating film
substrate
light
processor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811433244.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109974598B (zh
Inventor
洪映周
洪德和
金玟奎
崔桢熏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koh Young Technology Inc
Original Assignee
Koh Young Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koh Young Technology Inc filed Critical Koh Young Technology Inc
Priority to CN202110505263.8A priority Critical patent/CN113324487B/zh
Publication of CN109974598A publication Critical patent/CN109974598A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109974598B publication Critical patent/CN109974598B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0658—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of emissivity or reradiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0683—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating measurement during deposition or removal of the layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本公开的基板检查装置可以包括：第一光源，其朝向混合有荧光染料的基板的涂覆膜照射紫外线；第一光传感器，其捕获从所述紫外线照射的所述涂覆膜发生的荧光并获得所述基板的二维图像；处理器，其基于所述二维图像，导出所述基板的多个区域中的一个区域；第二光源，其朝向所述一个区域照射激光；及第二光传感器，其获得借助于所述激光而从所述一个区域发生的光干涉数据；所述处理器可以基于所述光干涉数据，导出关于所述一个区域的涂覆膜的厚度。

Description

基板检查装置及基板检查方法
技术领域
本公开涉及基板检查装置及基板检查方法。
背景技术
在基板的处理工序中，为了保护基板上的元件，可以涂覆基板。可以将这种涂覆称为保形涂覆(conformal coating)。为了确认借助于涂覆而生成的基板上的涂覆膜是否均匀涂覆成既定厚度，可以执行保形涂覆膜的厚度检查。
为了涂覆膜的厚度检查，可以执行二维(2Dimensional)照片拍摄检查。二维照片拍摄检查用于获得关于对象体的二维图像并检查对象体，可以包括二维荧光照片拍摄检查。但是，二维照片拍摄检查只能进行对涂覆膜厚度的定性的检查，无法测量涂覆膜的准确的厚度数值。另外，二维照片拍摄检查在涂覆膜薄时(例：约30μm)，厚度测量会很困难。
另外，为了涂覆膜的厚度检查，可以利用共聚焦显微镜(confocal microscope)。但是，借助于共聚焦显微镜的测量，存在需要大量时间的问题。另外，为了涂覆膜的厚度检查，可以进行利用OCT(Optical Coherence Tomography，光学相干断层扫描)的测量。但是，基于OCT的测量，全部提高深度方向分辨能力与测量深度范围存在制约，在基板上元件的电极部位，发生因OCT使用的光而导致的饱和(saturation)现象，会对准确的测量造成妨碍。
发明内容
本公开用于解决上述问题，提供一种用于测量基板的涂覆膜厚度的技术。
作为本公开的一个方面，可以提出一种基板检查装置。本公开一个方面的基板检查装置可以包括：第一光源，其朝向混合有荧光染料的基板的涂覆膜照射紫外线；第一光传感器，其捕获从所述紫外线照射的所述涂覆膜发生的荧光并获得所述基板的二维图像；处理器，其基于所述二维图像，导出所述基板的多个区域中的一个区域；第二光源，其朝向所述一个区域照射激光；及第二光传感器，其获得借助于所述激光而从所述一个区域发生的光干涉数据；所述处理器可以基于所述光干涉数据，导出关于所述一个区域的涂覆膜的厚度。
在一个实施例中，所述处理器可以基于所述二维图像，导出关于所述多个区域各个的涂覆膜的涂覆量，将所述多个区域中涂覆量为预先设置量以下的区域决定为所述一个区域。
在一个实施例中，所述基板检查装置可以还包括存储器，其存储由使用者预先设置的关于关心区域的信息；所述处理器可以基于关于所述关心区域的信息，决定所述一个区域。
在一个实施例中，所述关心区域可以是所述基板上包括元件的电极的区域。
在一个实施例中，所述处理器可以基于所述二维图像，将所述基板中判断为有缺陷的区域决定为所述一个区域。
在一个实施例中，所述存储器可以还存储显示所述基板上所述元件的排列的元件排列信息，所述处理器可以利用所述元件排列信息，导出包括所述电极的区域。
在一个实施例中，从所述涂覆膜的表面反射的反射光可以被用作基准光。
在一个实施例中，所述处理器可以基于所述光干涉数据，获得显示与所述涂覆膜的深度方向对应的沿第一轴方向的剖面的剖面图像，以所述剖面图像上的边界线为基础，决定关于所述一个区域的涂覆膜的所述厚度。
在一个实施例中，所述涂覆膜的表面对所述激光的反射率，可以根据混合有所述荧光染料的所述涂覆膜的荧光染料混合率而决定，所述荧光染料混合率可以设置为使得所述反射率超过预先设置的基准值的值。
在一个实施例中，所述涂覆膜可以借助于在丙烯酸、乌拉坦、聚氨酯、硅、环氧、UV(Ultra Violet)固化物质及IR(Infra Red)固化物质中选择的至少一种物质而形成。
在一个实施例中，所述涂覆膜的表面可以以曲面形成。
作为本公开的一个方面，可以提出一种基板检查方法。本公开一个方面的基板检查方法可以包括：朝向混合有荧光染料的基板的涂覆膜照射紫外线的步骤；捕获从所述紫外线照射的所述涂覆膜发生的荧光并获得所述基板的二维图像的步骤；基于所述二维图像，导出所述基板的多个区域中的一个区域的步骤；朝向所述一个区域照射激光，获得借助于所述激光而从所述一个区域发生的光干涉数据的步骤；及基于所述光干涉数据，导出关于所述一个区域的涂覆膜的厚度的步骤。
在一个实施例中，导出一个区域的步骤可以包括：基于所述二维图像，导出关于所述多个区域各个的涂覆膜的涂覆量的步骤；及将所述多个区域中涂覆量为预先设置量以下的区域决定为所述一个区域的步骤。
在一个实施例中，导出一个区域的步骤可以包括：基于由使用者预先设置的关于关心区域的信息，决定所述一个区域的步骤。
在一个实施例中，关心区域可以为所述基板上包括元件的电极的区域。
在一个实施例中，导出一个区域的步骤可以包括：基于所述二维图像，将所述基板中判断为有缺陷的区域决定为所述一个区域的步骤。
在一个实施例中，包括电极的区域可以基于显示所述基板上所述元件的排列的元件排列信息导出。
在一个实施例中，从涂覆膜的表面反射的反射光可以被用作基准光。
在一个实施例中，导出关于一个区域的涂覆膜的厚度的步骤可以包括：基于所述光干涉数据，获得显示与所述涂覆膜的深度方向对应的沿第一轴方向的剖面的剖面图像的步骤；及以所述剖面图像上的边界线为基础，决定关于所述一个区域的涂覆膜的所述厚度的步骤。
在一个实施例中，所述涂覆膜的表面对激光的反射率可以根据混合有所述荧光染料的所述涂覆膜的荧光染料混合率决定，所述荧光染料混合率可以设置为使得所述反射率超过预先设置的基准值的值。
在一个实施例中，涂覆膜可以借助于在丙烯酸、乌拉坦、聚氨酯、硅、环氧、UV(Ultra Violet)固化物质及IR(Infra Red)固化物质中选择的至少一种物质而形成。
在一个实施例中，涂覆膜的表面可以以曲面形成。
根据本公开的多样实施例，基板检查装置即使在涂覆膜为预定厚度(例：约30μm)以下的较薄情况下，也能够进行准确的厚度测量。
根据本公开的多样实施例，基板检查装置可以通过特定区域取样，缩短基板整体的涂覆膜厚度测量需要的时间。
附图说明
图1是显示本公开的基板检查装置运转过程的一个实施例的图。
图2是显示本公开的多样实施例的检查装置的框图的图。
图3是显示本公开一个实施例的检查装置根据元件排列而导出OCT测量对象区域的过程的图。
图4是显示本公开一个实施例的检查装置根据缺陷区域而导出OCT测量对象区域的过程的图。
图5是显示本公开一个实施例的检查装置追加测量导出的OCT测量对象区域的周边区域的过程的图。
图6是显示本公开一个实施例的第一OCT部分的图。
图7是显示本公开一个实施例的第二OCT部分的图。
图8是显示本公开一个实施例的剖面图像及在剖面图像上显示的边界线的图。
图9是显示本公开一个实施例的第一OCT部分及第二OCT部分的测量范围的图。
图10是显示借助于本公开的检查装置而可以执行的基板检查方法的一个实施例的图。
具体实施方式
本文中记载的多样实施例是出于明确地说明本公开的技术思想的目的而举例的，并非要将其限定为特定的实施形态。本公开的技术思想包括从本文中记载的各实施例的多样变更(modifications)、等同物(equivalents)、替代物(alternatives)及各实施例的全部或一部分选择性地组合的实施例。另外，本公开技术思想的权利范围不限定于以下提示的多样实施例或对其的具体说明。
包括技术性或科学性术语在内，只要未不同地定义，本文中使用的术语，可以具有本公开所属领域的普通技术人员一般理解的意义。
本文中使用的诸如“包括”、“可以包括”、“具备”、“可以具备”、“具有”、“可以具有”等的表达，意味着存在成为对象的特征(例：功能、运转或构成要素等)，不排除其他追加的特征的存在。即，这种表达应理解为包含将包括其他实施例的可能性的开放型术语(open-ended terms)。
本文中使用的单数型的表达，只要在文理上未表示不同，则可以包括复数型的意义，这也同样适用于权利要求项记载的单数型表达。
本文中使用的“第一”、“第二”或“第一个”、“第二个”等表达，只要在文理上未表示不同，在指称多个同种对象方面，用于将一个对象区别于另一对象，并非限定相应对象间的顺序或重要度。
本文中使用的“A、B及C”、“A、B或C”、“A、B、和/或C”或“A、B及C中至少一个”、“A、B或C中至少一个”、“A、B和/或C中至少一个”等表达，可以意味着各个罗列的项目或罗列的项目的所有可能组合。例如，“A或B中至少一个”可以全部指称(1)至少一个A、(2)至少一个B、(3)至少一个A及至少一个B。
本文中使用的“基于～”字样的表达，用于记述对包含相应表达的语句或文章中记述的，对决定、判断的行为或动作施加影响的一个以上因子，该表达不排除对相应决定、判断的行为或动作施加影响的追加因子。
本文中使用的某构成要素(例：第一构成要素)“连接于”或“接续于”另一构成要素(例：第二构成要素)的表达，不仅是所述某构成要素直接连接或接续于所述另一构成要素，而且可以意味着以新的另一构成要素(例：第三构成要素)为媒介而连接或接续。
本文中使用的表达“构成得～(configured to)”，根据文理，可以具有“设置得～的”、“具有～能力的”、“变更得～”、“形成得～的”、“可以进行～的”等含义。相应表达不限于“在硬件上特别地设计的”的含义，例如，所谓构成得执行特定运转的处理器，可以意味着通过运行软件而能够执行其特定运转的通用处理器(generic-purpose processor)。
为了说明本公开的多样实施例，可以定义具有相互直交的X轴、Y轴及Z轴的直角坐标系。本文中使用的直角坐标系的“X轴方向”、“Y轴方向”、“Z轴方向”等表达，只要在相应说明中未特别不同地定义，则可以意味着直角坐标系的各轴伸展的两侧方向。另外，加于各轴方向前面的+符号，可以意味着向相应轴方向伸展的两侧方向中作为某一个方向的正方向，加于各轴方向前面的-符号，可以意味着向相应轴方向伸展的两侧方向中作为剩余一个方向的负方向。
在本公开中，基板(substrate)作为贴装半导体芯片等元件的板乃至容器，可以执行元件与元件间的电气信号的连接通路的作用。基板可以为了集成电路制作等而使用，可以以硅等材料生成。例如基板可以为印刷电路板(PCB，Printed Circuit Board)，根据实施例，可以称为晶片(wafer)等。
在本公开中，涂覆膜可以是借助于旨在保护基板上的元件的涂覆而在基板上生成的薄膜。当涂覆膜厚时，膜可能破裂，还会对基板的运转造成影响，因而需要将涂覆膜涂覆得相对薄且均匀，从而防止涂覆膜破裂。在一个实施例中，涂覆膜可以借助于在丙烯酸、乌拉坦、聚氨酯、硅、环氧、UV(Ultra Violet，紫外线)固化物质圾IR(Infra Red，红外线)固化物质中选择的至少一种物质而形成。借助于上述物质而形成的涂覆膜，与此外的涂覆膜相比，可以提高后述涂覆膜表面的反射率和/或涂覆膜的后方散射率。
在本公开中，OCT(Optical Coherence Tomography)可以是利用光的干涉现象来捕获对象体内的图像的影像技术。利用OCT，可以获得从对象体的表面到深度方向的显示对象体内部的图像。一般以干涉仪为基础，根据使用的光的波长，对对象体的深度方向分辨能力会不同。与作为另一光学技术的共聚焦显微镜(confocal microscope)相比，可以更深入渗透对象体并获得图像。
下面参照附图，说明本公开的多样实施例。在附图及对附图的说明中，对相同或实质上同等的(substantially equivalent)构成要素，可以赋予相同的附图标记。另外，在以下多样实施例的说明中，可以省略重复记述相同或对应的构成要素，但这不意味着相应构成要素不包含于该实施例。
图1是显示本公开的基板检查装置运转过程的一个实施例的图。本公开的基板检查装置可以借助于多样实施例的检查装置10而体现。本公开的多样实施例的检查装置10可以测量在基板上涂覆的涂覆膜的厚度。在一个实施例中，检查装置10可以针对基板全体区域，执行利用了荧光染料的照片拍摄检查，根据预定基准导出特定区域，针对导出的区域，追加执行基于OCT的厚度测量。
检查装置10首先可以对基板2执行利用了荧光染料的照片拍摄检查。照片拍摄检查可以是荧光照片拍摄检查。为了该检查，在基板2上涂覆的涂覆膜中，可以预先混合有荧光染料。检查装置10的第一光源130可以朝向基板的涂覆膜照射紫外线。照射的紫外线可以激发涂覆膜中混合的荧光染料而产生荧光。检查装置10的第一光传感器140可以捕获该荧光，获得关于基板涂覆膜的二维图像。二维图像根据实施例，可以是二维荧光图像。
检查装置10可以以照片拍摄检查的结果为基础，根据预定基准，导出基板2上的一个或其以上的区域3。在一个实施例中，检查装置10可以从二维图像导出在基板2的各区域涂覆的涂覆膜的涂覆量，可以根据导出的涂覆量，导出既定区域3。另外，在一个实施例中，二维图像可以显示在基板2上贴装的元件、根据多样工序而发生的基板上预定的特性(feature)或缺陷(defect)，检查装置10也可以以此为基础，导出既定区域3。
之后，检查装置10针对导出的区域3，可以追加执行利用OCT的厚度测量。检查装置10的OCT部分170可以获得关于导出的区域3的光干涉数据，以获得的光干涉数据为基础，追加测量在基板上相应区域3涂覆的涂覆膜的厚度。
在一个实施例中，检查装置10可以从二维图像导出需在基板2上利用涂覆膜保护的重要区域。需利用涂覆膜保护的重要区域，例如可以为包括部件的电极部分的区域，该重要区域可以对比预先在存储器中存储的信息与二维图像而导出。检查装置10可以对导出的重要区域，追加执行利用OCT的厚度测量。
在一个实施例中，检查装置10可以针对由使用者预先设置的关心区域，执行利用OCT部分170的厚度测量。检查装置10的存储器可以存储由使用者预先设置的关于关心区域的信息，检查装置10的处理器可以基于该信息，将与关心区域相应的区域，决定为将借助于OCT而执行厚度测量的对象区域。在一个实施例中，关心区域可以是包括前述部件至元件的电极部分的区域。在一个实施例中，导出与关心区域相应的部分的过程，可以利用基板的二维图像执行。
在本公开中，光干涉数据在基于OCT方式的对象体测量中，可以意味着从照射的光从对象体反射的测量光与照射的光从基准反射镜等反射的基准光相互干涉而生成的干涉光而获得的数据。根据测量光与基准光的特性(光路、波长等)差异，会发生干涉现象，光传感器可以捕获该干涉现象，获得光干涉数据。另外，可以以光干涉数据为基础，生成显示涂覆膜的沿深度方向的剖面的剖面图像。光干涉数据也可以称为干涉信号。
根据本公开的多样实施例，检查装置10能够利用OCT部分170，测量涂覆膜的准确的厚度。另外，检查装置10也能够测量薄的涂覆膜，例如厚度约30μm以下的涂覆膜的厚度。
根据本公开的多样实施例，检查装置10通过基板2的二维图像，导出关于基板2各个区域的涂覆膜的涂覆量，根据预定基准对特定区域进行取样，通过OCT部分170，追加执行特定区域的厚度测量，从而不同于二维拍摄检查，可以在实现准确的厚度测量的同时，与利用OCT测量基板整体的涂覆膜厚度相比，可以缩短测量时间。
图2是显示本公开多样实施例的检查装置10框图的图。上述本公开的基板检查装置可以显示为图示的检查装置10。根据一个实施例，检查装置10可以包括第一光源130、第一光传感器140、第二光源150、第二光传感器160、处理器110和/或存储器120。在某实施例中，检查装置10的这些构成要素中至少一个可以省略，或其他构成要素可以追加于检查装置10。在某实施例中，追加或替代(in alternative to)地，一部分的构成要素可以统合体现，或以单数或多个个体而体现。
检查装置10内、外部的构成要素中至少一部分的构成要素可以通过总线、GPIO(general purpose input/output，通用输入/输出)、SPI(serial peripheral interface，串行外围接口)或MIPI(mobile industry processor interface，移动行业处理器接口)等相互连接，收发数据和/或信号。
第一光源130可以朝向混合有荧光染料的基板2的涂覆膜照射紫外线。第一光源130可以设置得朝向基板照射紫外线，第一光源130相对于基板的相对位置、紫外线的照射角度、紫外线的亮度等可以分别多样地构成(configured)。在一个实施例中，检查装置10可以包括多个第一光源130。
第一光传感器140可以捕获借助于照射的紫外线而从基板2的涂覆膜发生的荧光。具体而言，如果涂覆膜内的荧光染料被照射的紫外线激发，则发生荧光，第一光传感器140可以捕获该荧光，获得关于基板2的涂覆膜的二维图像。在一个实施例中，检查装置10可以包括多个第一光传感器140。第一光传感器140可以借助于CCD(Charged Coupled Device，电荷耦合装置)或CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补型金属氧化物半导体)而体现。
处理器110可以驱动软件(例：程序)，控制与处理器110连接的检查装置10的至少一个构成要素。另外，处理器110可以执行与本公开相关的多样演算、处理、数据生成、加工等的运转。另外，处理器110可以将数据等从存储器120载入，或存储于存储器120。
处理器110可以基于借助于第一光传感器140而获得的二维图像，导出基板2的多个区域中的一个区域。一个区域可以根据预定基准而导出。基板2可以区分为多个区域。多个区域作为将基板2表面虚拟区分的区域，可以是根据预定基准而预先区分的区域。
在一个实施例中，处理器110可以导出关于基板2多个区域各个的涂覆膜的涂覆量，可以基于涂覆量，导出上述的一个区域。具体而言，处理器110可以从获得的二维图像，获得关于基板2多个区域各个的亮度(luminance)信息。在本公开中，亮度可以意味着某一光源或使光反射的一个表面具有的每单位面积的光度，即单位面积发散的光量。所谓关于一个区域的亮度信息，可以是代表由该区域而发生的荧光具有的亮度的信息。处理器110可以基于获得的亮度信息，导出在基板2多个区域分别涂覆的涂覆膜的涂覆量。基板2的涂覆膜可以根据基板2上存在的元件、基板2上预定的特征或缺陷或者涂覆膜均匀分布的程度而具有凹凸、弯曲等特征。根据基板2的凹凸、弯曲等特征，在涂覆膜的各区域涂覆的荧光染料的量会不同。如果照射紫外线，则根据荧光染料的量，涂覆膜的各区域中的亮度会不同地出现。处理器110可以利用各区域的亮度，导出各区域中的涂覆膜的涂覆量。处理器110可以导出基板2多个区域中的涂覆膜的涂覆量为预先设置量以下的区域(例：第一区域)。预先设置量可以根据设计者的意图而确定，关于此的信息可以已存储于存储器120。
处理器110可以控制OCT部分170，测量导出的一个区域(例：第一区域)的涂覆膜的厚度。处理器110可以获得由从导出的一个区域(例：第一区域)发生的干涉光决定的光干涉数据(例：第一光干涉数据)。处理器110可以利用获得的光干涉数据(例：第一光干涉数据)，导出关于导出的一个区域(例：第一区域)的涂覆膜的厚度。
OCT部分170可以包括第二光源150和/或第二光传感器160。具体而言，处理器110可以控制第二光源150及第二光传感器160，执行上述的运转。OCT部分170可以以后述多样类型体现。
第二光源150可以朝向基板2的涂覆膜照射激光。第二光源150的配置、相对于基板的相对位置等可以分别多样地构成(configured)，特别是可以根据OCT部分170为何种类型而不同地体现。在一个实施例中，第二光源150可以使用能够在短时间内变换波长的激光，由此，可以获得与各不相同波长对应的光干涉数据。在一个实施例中，检查装置10也可以包括多个第二光源150。第二光源150被处理器110控制，可以朝向上述导出的一个区域(例：第一区域等)照射激光。
第二光传感器160可以捕获借助于激光而从涂覆膜发生的干涉光。具体而言，当利用后述第一OCT部分时，第二光传感器160可以捕获激光被基准反射镜反射的反射光(基准光)及根据从涂覆膜反射的测量光而发生的干涉光。利用捕获这种干涉光而获得的光干涉数据，可以生成关于基准反射镜面的剖面图像。另外，根据实施例，当利用后述第二OCT部分时，第二光传感器160可以捕获借助于激光在涂覆膜表面反射的反射光及从涂覆膜透过至预定深度后向后方散射的散射光而发生的干涉光。其中，在涂覆膜表面反射的反射光可以发挥基准光的作用，散射光可以发挥测量光的作用。利用捕获这种干涉光而获得的光干涉数据，可以生成以涂覆膜面为基准的剖面图像。在一个实施例中，检查装置10可以包括多个第二光传感器160。第二光传感器160可以借助于CCD或CMOS而体现。第二光传感器160被处理器110控制，可以获得由借助于所述激光而从上述导出的一个区域(例：第一区域等)发生的干涉光而决定的光干涉数据(例：第一光干涉数据等)。
存储器120可以存储多样数据。存储器120中存储的数据，作为借助于检查装置10的至少一个构成要素而获得或处理或使用的数据，可以包括软件(例：程序)。存储器120可以包括易失性和/或非易失性存储器。存储器120可以存储从第一光传感器140及第二光传感器160获得的数据。另外，存储器120可以存储从二维图像导出的基板2各区域的亮度信息、和/或借助于处理器110而导出的涂覆膜厚度信息等。另外，存储器120可以预先存储元件排列信息1000、元件密集度信息2000、关于基板上预定的特征、缺陷区域的信息、基板上电极位置信息3000、由使用者预先设置的关于关心区域的信息等。
在本公开中，元件排列信息1000可以是显示在基板2上配置的元件的排列的信息。元件排列信息1000可以显示出在基板2上，元件贴装于基板2的位置、方向、占有的大小等信息。元件排列信息1000可以成为调整所述的亮度信息或在基板中对预定区域进行特定的基础。在一个实施例中，检查装置10可以基于元件排列信息及二维图像，导出关于基板多个区域各个的涂覆膜的涂覆量。
在本公开中，元件密集度信息2000可以是显示基板2上的元件密集的程度的信息。元件密集度信息2000可以针对基板2上的各个区域，考虑每单位面积的元件、元件的电极、焊料球、金属线、引线框等对象所占的面积比率，显示出元件等在各区域密集的程度。元件密集度信息2000可以以元件排列信息1000为基础导出。
在本公开中，程序作为在存储器中存储的软件，可以包括用于控制检查装置的资源的操作系统、应用程序和/或向应用程序提供多样功能而以便应用程序能够利用检查装置的资源的中间件等。
在一个实施例中，检查装置10可以还包括通信接口(图中未示出)。通信接口可以执行检查装置10与其他服务器或检查装置10与其他外部电子装置间的无线或有线通信。例如，通信接口可以执行基于LTE(long-term evolution，长期演进)、LTE-A(LTE Advance，高级长期演进)、CDMA(code division multiple access,码分多址)、WCDMA(wideband CDMA，宽带码分多址)、WiBro(Wireless Broadband，无线宽带)、WiFi(wireless fidelity，无线保真)、蓝牙(Bluetooth)、NFC(near field communication，近场通讯)、GPS(GlobalPositioning System，全球定位系统)或GNSS(global navigation satellite system，全球导航卫星系统)等方式的无线通信。例如，通信接口可以执行基于USB(universal serialbus，通用串行总线)、HDMI(high definition multimedia interface，高清多媒体接口)、RS-232(recommended standard232)或POTS(plain old telephone service，普通老式电话业务)等方式的有线通信。
在一个实施例中，处理器110可以控制通信接口，从服务器获得信息。从服务器获得的信息可以存储于存储器120。在一个实施例中，从服务器获得的信息可以包括前述的元件排列信息1000、元件密集度信息2000、关于基板上既定特征、缺陷区域的信息、基板上电极位置信息3000、由使用者预先设置的关于关心区域的信息等。
在一个实施例中，检查装置10可以还包括输入装置(图中未示出)。输入装置可以是从外部接受输入用于传递给检查装置10至少一个构成要素的数据的装置。输入装置可以从使用者接受输入关于使用者的关心区域的信息。例如，输入装置可以包括鼠标、键盘、触摸板等。
在一个实施例中，检查装置10可以还包括输出装置(图中未示出)。输出装置可以是将检查装置10的检查结果、运转状态等多样数据以视觉的形态提供给使用者的装置。例如，输出装置可以包括显示装置、投影仪、全息图等。
在一个实施例中，检查装置10可以成为多样形态的装置。例如，检查装置可以是便携通信装置、计算机装置、便携多媒体装置、可穿戴装置或上述装置中的一种或其以上组合的装置。本公开的检查装置不限于前述的装置。
本公开的检查装置10的多样实施例可以相互组合。各实施例可以根据可能的全部情形而组合，组合而成的检查装置10的实施例也属于本公开的范围。另外，前述的本公开的检查装置10的内/外部构成要素可以根据实施例而追加、变更、替代或删除。另外，前述的检查装置10的内/外部构成要素可以以硬件组件体现。
图3是显示本公开一个实施例的检查装置10根据元件排列而导出OCT测量对象区域的过程的图。在一个实施例中，处理器110可以导出通过二维图像而导出的涂覆量为预先设置量以下的区域(例：第一区域)和元件的排列相同或类似的区域(例：第二区域)，控制OCT部分170，导出关于该区域(例：第二区域)的厚度。换句话说，处理器110可以基于元件排列信息1000，导出元件的排列相同或类似的区域，针对该区域，执行利用OCT的厚度测量。
元件排列相同或类似的区域，涂覆的涂覆膜的厚度值会类似。当某一区域在通过二维图像的检查中，被判断为涂覆量为预先设置量以下时，元件排列与该区域相同或类似的区域，会具有类似的涂覆膜涂覆量。因此，为了提高全体涂覆膜厚度检查的准确度，检查装置10可以还在本实施例中执行相同的运转。
处理器110如前所述，可以导出通过二维图像而获得的涂覆量为预先设置量以下的区域(例：第一区域)3。在一个实施例中，处理器110可以利用OCT部分170，测量关于该区域3的厚度。
处理器110可以在此基础上，导出元件排列与所导出区域3相同的基板2上的一个区域4。相应区域(例：第二区域)4可以在通过二维图像而导出的涂覆量超过预先设置量的区域(即，并非第一区域的区域)中选择。处理器110可以以前述的元件排列信息1000为基础，导出相应区域4。
处理器110可以利用OCT部分170，导出关于追加导出的相应区域4的厚度。处理器110可以控制第二光源150及第二光传感器160，获得借助于从相应区域4反射的激光而生成的光干涉数据(例：第二光干涉数据)。处理器110可以基于获得的光干涉数据，输出关于在相应区域4涂覆的涂覆膜的厚度。在本公开中，所谓处理器110控制第二光源150及第二光传感器160并获得一个区域的光干涉数据，可以意味着第二光源150朝向相应一个区域照射激光，第二光传感器160获得由从相应一个区域发生的干涉光决定的光干涉数据。
在一个实施例中，处理器110可以导出元件排列与曾借助于二维图像而导出的区域3类似的区域4，针对该区域4也执行利用OCT的厚度测量。其中，元件排列是否类似，可以基于关于两区域3、4的元件排列信息1000而判断。处理器110可以基于元件在该区域3、4占有的面积、元件的配置、种类、形态、元件的电极位置等，算出两个区域的元件排列类似度，根据算出的类似度，决定两个区域的元件排列是否类似。
在一个实施例中，处理器110可以根据基板2上的元件排列及元件密集的程度，调整上述的亮度信息，基于调整的亮度信息，导出相应区域的涂覆膜涂覆量。具体而言，处理器110可以从存储器120获得代表基板2上元件的排列的元件排列信息1000。处理器110可以基于前述的元件排列信息1000，导出关于基板2上各区域的元件密集度信息2000。处理器110可以基于元件密集度信息2000，调整从二维图像导出的亮度信息。在基板2上元件密集度高的区域，荧光染料的涂覆会不够均匀。在元件密集度高的，即，元件密集的区域，由于荧光染料的积累，亮度会测量得高。处理器110可以考虑由元件密集度导致的亮度失真，调整获得的亮度信息。在这种调整中，可以使用代表元件密集度与亮度之间关系的积累的信息，该信息可以进行数据库化并存储于存储器120。处理器110可以以调整的亮度信息为基础，导出关于基板2上各个区域的涂覆量。
图4是显示本公开一个实施例的检查装置10根据缺陷区域导出OCT测量对象区域的过程的图。在一个实施例中，处理器110可以导出基于元件排列信息1000和/或二维图像而判断为基板2上有缺陷的区域(例：第三区域)5，控制OCT部分170，导出关于该区域(例：第三区域)的厚度。
基板2或涂覆膜的预定缺陷，例如有裂纹(crack)、剥离、凹凸、弯曲等的部分，会在通过二维照片拍摄检查的涂覆量测量中存在错误。因此，基于元件排列信息1000和/或二维图像而判断为有预定缺陷处的区域5，可以利用OCT部分170，追加执行涂覆膜厚度测量。
处理器110可以基于从存储器120获得的元件排列信息1000和/或二维图像，决定基板2上判断为有预定缺陷的区域5。二维图像可以是拍摄实际基板2及涂覆膜的形态的照片。元件排列信息1000可以根据预定规格(specification)，显示出基板2具有的形态及预想的涂覆膜的涂覆形态。处理器110可以对比元件排列信息1000和二维图像，决定现在基板2及涂覆膜具有超出预定规格的特征的区域。即，处理器110可以将相应特征判断为缺陷。处理器110可以导出该缺陷存在的区域5。
处理器110可以利用OCT部分170，导出关于导出的区域5的厚度。处理器110可以控制第二光源150及第二光传感器160，获得借助于从相应区域5反射的激光而生成的光干涉数据(例：第三光干涉数据)。处理器110可以基于获得的光干涉数据(例：第三光干涉数据)，导出关于在相应区域5涂覆的涂覆膜的厚度。
在一个实施例中，基于缺陷区域的追加测量对象区域的导出，可以与前述基于二维图像追加测量对象区域的导出独立地执行。
另外，在一个实施例中，处理器110可以基于代表基板2上元件具有的电极的位置的电极位置信息3000，导出包括电极部分的区域(例：第四区域)，控制OCT部分170，执行对该区域(例：第四区域)的追加厚度测量。在本公开中，电极位置信息3000可以显示出在基板2上元件具有的电极的位置。例如元件分别可以具有用于连接元件与基板上的细微配线的电极部分。该电极也可以称为元件或芯片的引脚。电极位置信息3000可以代表元件的电极在基板2上位于哪个部分。一般而言，元件的电极部分随着元件引脚的密集而会存在荧光染料的凝聚现象，因此，基于二维图像的厚度测量会不够准确。因此，元件的电极所在的部分，执行利用OCT的追加厚度测量，可以提高全体厚度测量过程的准确度。
处理器110可以基于从存储器120获得的电极位置信息3000，获知基板2上元件的电极位于何处。处理器110可以导出电极所在的基板2上的区域(例：第四区域)。在一个实施例中，相应区域(例：第四区域)可以在通过二维图像而获得的涂覆量超过预先设置量的区域(即，并非第一区域的区域)中选择。
处理器110可以利用OCT部分170，导出关于导出的区域(例：第四区域)的厚度。处理器110可以控制第二光源150及第二光传感器160，获得借助于从相应区域(例：第四区域)反射的激光而生成的光干涉数据(例：第四光干涉数据)。处理器110可以基于获得的光干涉数据(例：第四光干涉数据)，导出在相应区域(例：第四区域)涂覆的涂覆膜的厚度。
图5是显示本公开一个实施例的检查装置10追加测量导出的OCT测量对象区域的周边区域的过程的图。在根据本公开的多样实施例而导出的基板2上的区域，即在利用OCT而追加执行厚度测量的区域7，检查装置10也可以针对该区域7的邻接区域8，利用OCT，执行追加厚度测量。
导出的相应区域7是在涂覆膜厚度测量的准确度方面，可以继二维照片拍摄检查之后，追加执行利用OCT的厚度测量之处。相应区域7的邻接区域可以与基板2或涂覆膜相关联，具有与相应区域7类似的特性。因此，为了保障全体厚度测量过程的准确性，可以针对邻接区域，执行利用OCT的追加厚度测量。
其中，邻接区域可以意味着在将基板2划分为多个区域时，与相应区域7邻接配置的区域。在一个实施例中，邻接区域可以意味着多个区域中与相应区域7边界线相接的区域。在一个实施例中，邻接区域可以意味着多个区域中，以相应区域7的中心为基准，位于既定半径内的区域。在一个实施例中，当将与基板的横向、纵向对应的轴分别称为X轴、Y轴时，邻接区域可以是位于相应区域7的+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向、-Y轴方向并与相应区域7共享边界线的区域。在一个实施例中，邻接区域可以包括多个区域中与相应区域7共享顶点并位于对角线上的区域。
在一个实施例中，处理器110可以基于借助于二维图像而导出的涂覆量及借助于OCT部分170而测量的厚度值，再次执行利用OCT的厚度测量。根据实施例，可以导出可从涂覆量导出的相应区域涂覆膜的定性的厚度值与借助于OCT而测量的厚度值的差异值，当该差异值为预先定义的值以上时，可以针对相应区域，再次执行利用OCT的厚度测量。另外，根据实施例，基于导出的涂覆量及厚度值，当两个值不满足预定基准时，可以再次执行厚度测量。其中，在基于已测量的涂覆量与厚度之间的关系性来看，预定基准可以是判断为导出的涂覆量或厚度中至少一个的值被测量错误时使用的基准。即，当考虑到涂覆量及厚度值时，如果判断为测量有错误，则可以再次执行测量。另外，在一个实施例中，处理器110可以基于借助于二维图像而导出的一个区域的涂覆量及借助于OCT部分170而测量的该区域的厚度值，针对相应区域的邻接区域，控制OCT部分170，再次测量厚度。
图6是显示本公开一个实施例的第一OCT部分的图。前述的OCT部分170可以根据实施例而以第一OCT部分或第二OCT部分体现。
第一OCT部分除第二光源及第二光传感器外，可以还包括基准反射镜172及光束分离器171。光束分离器171可以调整从第二光源150照射的激光的光路，基准反射镜172可以反射从光束分离器171传递的激光，生成基准光。第一OCT部分可以用于从激光被基板2涂覆膜反射的测量光与激光被基准反射镜172反射的基准光进行干涉而形成的干涉光获得光干涉数据。
具体而言，第二光源150可以照射激光。在一个实施例中，第二光源150可以朝向光束分离器171直接照射激光。在一个实施例中，第二光源150可以通过光纤174，将激光传递给凸透镜173，透过凸透镜173的激光可以朝向光束分离器171传递。
光束分离器171可以调整光路，以便使从第二光源150接受传递的激光的一部分穿过，并朝向基板2的涂覆膜，另外，可以调整光路，以便使激光的另一部分反射，并朝向基准反射镜172。
调整光路而使得朝向基板2涂覆膜的激光的一部分，可以在基板2的涂覆膜中反射。如前所述，激光既可以从涂覆膜的表面反射，也可以根据激光的波长，从涂覆膜表面透过至预定深度后，向后方散射。可以将该反射光乃至散射的光称为测量光。测量光朝向光束分离器171前进，可以被光束分离器171传递到第二光传感器160。
调整光路而使得朝向基准反射镜172的激光的另一部分，可以被基准反射镜172反射。该反射光可以称为基准光。基准光可以透过光束分离器171而传递到第二光传感器160。
第二光传感器160可以捕获借助于测量光及基准光而形成的干涉光。第二光传感器160可以捕获该干涉光，获得光干涉数据(例：第一光干涉数据)。处理器110可以从第二光传感器160获得该光干涉数据，以此为基础，生成关于涂覆膜的剖面图像，导出在基板2的相应区域涂覆的涂覆膜的厚度。
图7是显示本公开一个实施例的第二OCT部分的图。第二OCT部分可以包括第二光源150和/或第二光传感器160。第二OCT部分可以不需要基准反射镜172及光束分离器171。第二OCT部分可以用于从激光被基板2涂覆膜表面反射的反射光与激光穿过涂覆膜并从涂覆膜与涂覆相应涂覆膜的基板2之间的界面向后方散射的散射光进行干涉而形成的干涉光，获得光干涉数据。其中，在涂覆膜表面反射的反射光可以发挥前述的基准光的作用，散射光可以发挥测量光的作用。
具体而言，第二光源150可以朝向基板2的涂覆膜照射激光。此时，激光可以沿第一方向照射。第一方向可以是与从基板的法线方向倾斜预定角度的直线对应的方向。根据实施例，第一方向也可以与基板的法线方向相同。与基板的法线方向对应的轴可以称为Z轴。所谓Z轴方向，可以是与涂覆膜的深度方向对应的方向。如前所述，第二光源150既可以直接照射激光，也可以经光纤174和/或凸透镜173而照射激光。
激光可以在涂覆膜的表面反射。具体而言，激光可以在图示的第一面反射。另外，激光可以穿过涂覆膜，在涂覆膜与涂覆涂覆膜的基板之间的界面向后方散射。具体而言，激光可以在图示的第二面向后方散射。上述反射光及散射光形成干涉光，该干涉光可以向上述的第一方向的反方向行进。即，照射的激光与上述的干涉光可以沿同轴行进，且向相互相反方向行进。第二光传感器可以捕获向第一方向的反方向行进的干涉光。第二光传感器160可以从捕获的干涉光获得光干涉数据(例：第一光干涉数据)。处理器110可以从第二光传感器160获得该光干涉数据，以此为基础，生成剖面图像，导出在基板2的相应区域涂覆的涂覆膜的厚度。
在基于第二OCT部分的厚度测量中，上述的反射光与散射光可以分别执行前述的第一OCT部分的基准光及反射光的作用。即，涂覆膜表面本身可以执行前述的第一OCT部分的基准反射镜172作用。
在一个实施例中，当涂覆膜表面的反射率为预定基准值以上时，可以使用与第二OCT部分相同类型的OCT部分。预定基准值可以是涂覆膜表面执行基准反射镜172作用所需的最小限度的反射率。在一个实施例中，可以调整照射的激光的照射角度，以便涂覆膜表面的反射率达到基准值以上。在一个实施例中，可以针对涂覆膜表面与基板平行的区域照射激光，以便涂覆膜表面的反射率达到基准值以上。在本公开的基于第二OCT部分的厚度测量中，涂覆膜表面的反射率可以意味着从涂覆膜表面反射而生成的反射光与照射于涂覆膜的激光之间的比率。
在一个实施例中，涂覆膜表面的反射率可以根据相应涂覆膜的荧光染料混合率而决定。在一个实施例，混合有荧光染料的涂覆膜与此外的基板相比，涂覆膜表面的反射率可以更高。涂覆膜的荧光染料混合率越高，涂覆膜表面的反射率也会越高。即，如果使用混合有荧光染料的涂覆膜，则涂覆膜表面的反射率升高，因此，可以容易地执行基于第二OCT部分的厚度测量。在一个实施例中，涂覆膜的荧光染料混合率可以设置为使得涂覆膜表面的反射率超过预先设置的基准值的值。根据实施例，该基准值既可以是涂覆膜表面执行基准反射镜172的作用所需的最小限度的反射率，也可以是根据实施者的意图而任意设置的值。
另外，在一个实施例中，涂覆膜的后方散射率也可以根据相应涂覆膜的荧光染料混合率而决定。在一个实施例中，混合有荧光染料的涂覆膜与此外的基板相比，涂覆膜的后方散射率会更高。在本公开的基于第二OCT部分的厚度测量中，涂覆膜的后方散射率可以意味着向后方散射的上述的散射光与向涂覆膜照射的激光之间的比率。涂覆膜的荧光染料混合率越高，涂覆膜的后方散射率也会越高。即，如果使用混合有荧光染料的涂覆膜，则涂覆膜的后方散射率提高，因此，可以容易地执行基于第二OCT部分的厚度测量。在一个实施例中，涂覆膜的荧光染料混合率可以设置为使得涂覆膜的后方散射率超过预先设置的基准值的值。
在一个实施例中，涂覆膜的表面可以以曲面形成。在一个实施例中，涂覆膜的表面可以以相对于基板凸出的曲面、凹陷的曲面或具有任意(arbitrary)形状的曲面形成。在一个实施例中，当涂覆膜的表面为曲面时，与涂覆膜的表面为平面的情形相比，可以容易地执行基于第二OCT部分的厚度测量。
在一个实施例中，第二OCT部分可以不在基板2的涂覆膜上配置窗玻璃等追加的构成要素。本公开的第二OCT部分可以将被涂覆膜表面反射的反射光用作与基准光相同的用途而获得光干涉数据，因而不需要追加用于基准光生成所需的另外的窗玻璃等要素。
图8是显示本公开一个实施例的剖面图像及在剖面图像上显示的边界线的图。处理器110可以从获得的光干涉数据，导出在预定区域涂覆的涂覆膜的厚度。处理器110可以从光干涉数据生成剖面图像，利用剖面图像上的信息，导出涂覆膜的厚度。
在本公开中，剖面图像可以意味着在基于OCT方式的对象体测量中，以二维图像显示的沿对象体(涂覆膜)深度方向的剖面。剖面图像可以基于测量的光干涉数据而生成。剖面图像可以具有同空气与涂覆膜、涂覆膜与基板之间的界面对应的边界线(边界条纹)。
具体而言，处理器110可以利用第二光传感器160拍摄的光干涉数据，获得如图所示的剖面图像。剖面图像可以是针对基板2及涂覆膜，显示向–Z轴方向，即显示向深度方向的剖面的图像。即，剖面图像可以显示从涂覆膜表面向深度方向穿过的涂覆膜和基板的内部。
图示的剖面图像8010可以是借助于前述的第一OCT部分而能够获得的剖面图像。剖面图像8010可以具有一个或其以上的边界线8050。边界线8050分别可以是空气与涂覆膜之间的界面，换句话说，与涂覆膜表面对应的边界线，或同涂覆膜与相应涂覆膜涂覆的基板2至电极之间的界面对应的边界线。处理器110可以利用与各个界面对应的边界线之间的间隔，导出涂覆膜的厚度。
具体而言，当使用第一OCT部分时，可以获得以基准反射镜面为基准的剖面图像8010。处理器110可以从图示的剖面图像8010，决定代表空气与涂覆膜之间的界面的边界线。另外，处理器110可以从剖面图像8010，决定代表涂覆膜与相应涂覆膜涂覆的基板2之间的界面的边界线。处理器110可以在剖面图像8010上导出决定的两条边界线之间的纵向距离，将该纵向距离决定为涂覆膜的厚度。在一个实施例中，处理器110可以在导出的纵向距离中应用预定的换算系数(scaling factor)，将导出的值决定为涂覆膜的厚度。
在一个实施例中，处理器110为了从在剖面图像8010上显示的多个边界线8050，区分代表空气与涂覆膜之间的界面的边界线及代表涂覆膜与基板2之间的界面的边界线，可以使用预定的区分(segmentation)算法。另外，处理器110可以利用进行数据库化并在存储器120中存储的代表空气、涂覆膜、基板之间界面与剖面图像的边界线的关系的积累的信息，执行上述的边界线区分。在一个实施例中，处理器110可以首先决定从剖面图像8010的纵向或横向中哪个方向开始感知边界线(边界条纹)后，从决定的方向感知边界线。在一个实施例中，处理器110可以区分感知的边界线因多重反射而发生的重复的边界线，排除在厚度测量导出之外。
另一方面，当使用第二OCT部分时，可以获得以涂覆膜面为基准的剖面图像8020。剖面图像8020可以具有一个或其以上的边界线8040。边界线8040之一可以是同涂覆膜与相应涂覆膜涂覆的基板2乃至电极之间的界面对应的边界线。处理器110可以利用相应边界线8040与剖面图像8020的上边8030之间的间隔，导出涂覆膜的厚度。
具体而言，当使用第二OCT部分时，处理器110可以感知代表涂覆膜与相应涂覆膜涂覆的基板2之间的界面的边界线8040。处理器110可以将从剖面图像8020的上边向深度方向首次出现的边界线决定为相应边界线8040。另外，就第二OCT部分而言，由于利用从涂覆膜表面反射的反射光生成光干涉数据，因而剖面图像可以以涂覆膜的表面为原点，显示出从涂覆膜表面向–Z轴方向，即向深度方向的剖面。因此，借助于第二OCT部分而获得的剖面图像8020的上边8030可以与涂覆膜的表面对应。处理器110可以导出感知的边界线8040及剖面图像8020的上边8030之间的纵向距离，将该纵向距离决定为涂覆膜的厚度。在一个实施例中，处理器110可以在导出的纵向距离中应用预定的换算系数，将导出的值决定为涂覆膜的厚度。
在一个实施例中，利用OCT的基板涂覆膜厚度测量也可以通过真空或其他介质执行。即，OCT部分170的激光照射及反射光的移动，也可以通过并非空气的真空或其他介质实现。
图9是显示本公开一个实施例的第一OCT部分及第二OCT部分的测量范围的图。图示的剖面图像9010可以是借助于第一OCT部分而获得的剖面图像。相应剖面图像9010可以具有代表空气与涂覆膜之间界面的边界线及代表涂覆膜与基板(PCB)之间界面的边界线。另外，图示的剖面图像9020可以是借助于第二OCT部分而获得的剖面图像。相应剖面图像9020可以具有代表涂覆膜与基板(PCB)之间界面的边界线。
在一个实施例中，剖面图像9010可以大于剖面图像9020。即，剖面图像9010可以比剖面图像9020的数据量更多。这是因为，就基于第二OCT部分的测量而言，不同于第一OCT部分，将从涂覆膜的表面反射的反射光用作基准光，因而深度方向(-Z轴方向)测量范围限制于从涂覆膜的表面开始。
在图示的剖面图9030中，就利用第一OCT部分的涂覆膜厚度测量而言，为了获得有意义的测量结果，会需要全部考虑到因在基板2贴装的元件导致的高度差的测量范围9040。但是，就利用第二OCT部分的涂覆膜厚度测量而言，仅利用与涂覆膜的最大预想厚度相应的测量范围9050，便可以获得有意义的厚度测量结果。即，检查装置10根据OCT部分170的类型，可以减小涂覆膜厚度测量所需的深度方向的测量范围，可以减小测量结果的处理所需的演算容量及存储所需的存储器。
另外，就利用第二OCT部分的涂覆膜厚度测量而言，由于不使用基准反射镜172，因而可以减小因反射光的饱和现象导致的测量出错可能性。照射光的光输出如果超过既定量，则反射光的光量也增多，光干涉数据乃至在剖面图像上出现的干涉信号会饱和。如果达到饱和状态，则与因测量对象而发生的干涉信号无关地出现干涉信号，会妨碍准确的测量。这种饱和现象在使用高反射率的基准反射镜172的第一OCT部分的情况下，会更容易发生。第二OCT部分排除了基准反射镜的使用，从而可以减小因饱和现象导致的测量错误。
图10是显示借助于本公开的检查装置10而可以执行的基板检查方法的一个实施例的图。在图示的流程图中，依次说明了本公开的方法或算法的各步骤，但各步骤除依次执行外，也可以按照本公开可任意组合的顺序执行。基于本流程图的说明不将对方法或算法施加变化或修订的情形排除在外，并不意味着任意步骤是必须的或优选的。在一个实施例中，至少一部分步骤可以并列地、反复地或试探性地执行。在一个实施例中，至少一部分步骤可以省略，或可以追加其他步骤。
本公开的检查装置10在执行基板检查方面，可以执行本公开多样实施例的基板检查方法。本公开一个实施例的基板检查方法可以包括：朝向基板的涂覆膜照射紫外线的步骤S100；获得基板的二维图像的步骤S200；基于二维图像而导出基板的多个区域中的一个区域的步骤S300；朝向一个区域照射激光并获得从一个区域发生的光干涉数据的步骤S400；和/或基于光干涉数据而导出关于一个区域的涂覆膜的厚度的步骤S500。
在步骤S100中，检查装置10的第一光源130可以朝向混合有荧光染料的基板2的涂覆膜照射紫外线。在步骤S200中，检查装置10的第一光传感器140可以捕获从紫外线照射的涂覆膜发生的荧光并获得基板的二维图像。在步骤S300中，检查装置10的处理器110可以基于二维图像，导出基板的多个区域中的一个区域。在步骤S400中，第二光源150可以朝向导出的一个区域照射激光，第二光传感器160可以获得借助于激光而从一个区域发生的光干涉数据(例：第一光干涉数据等)。其中，光干涉数据可以是由借助于第一OCT部分而形成的基准光与测量光的干涉光，或借助于第二OCT部分而形成的反射光(基准光作用)与散射光(测量光作用)的干涉光决定的。在步骤S500中，处理器110可以基于光干涉数据，导出在基板2的一个区域涂覆的涂覆膜的厚度。在本公开中，涂覆量可以根据多样实施例，基于二维图像而导出。另外，厚度可以根据多样实施例，利用OCT部分170进行测量。
在一个实施例中，导出一个区域的步骤S300可以包括：处理器110基于基板2的二维图像，导出关于多个区域各自的涂覆膜的涂覆量的步骤；和/或将多个区域中涂覆量为预先设置量以下的区域决定为上述的一个区域的步骤。
在一个实施例中，导出一个区域的步骤S300可以包括：处理器110基于由使用者预先设置的关于关心区域的信息，决定上述的一个区域的步骤。
在一个实施例中，关心区域可以是基板上包括元件的电极的区域。
在一个实施例中，导出一个区域的步骤S300可以包括：处理器110基于二维图像，将基板中判断为有缺陷的区域决定为上述的一个区域的步骤。
在一个实施例中，包括电极的区域可以基于在基板上显示元件排列的元件排列信息，借助于处理器110而导出。
在一个实施例中，从涂覆膜表面反射的反射光可以被用作基准光。在一个实施例中，第二OCT部分的第二光源150可以沿第一方向，朝向基板2的涂覆膜照射激光。另外，第二OCT部分的第二光传感器160可以捕获沿第一方向的反方向行进的干涉光。
在一个实施例中，干涉光可以是激光从涂覆膜表面反射的反射光及穿过涂覆膜并从涂覆膜与基板之间的界面散射的散射光进行干涉而发生的干涉光。干涉光可以是从多个区域导出的上述的一个区域发生的干涉光。
在一个实施例中，导出关于一个区域的涂覆膜的厚度的步骤S500可以包括：处理器110基于上述的光干涉数据(例：第一光干涉数据等)，获得显示沿与涂覆膜深度方向对应的第一轴(例：Z轴)方向的剖面的剖面图像的步骤；和/或以剖面图像上的边界线为基础，决定关于在上述一个区域涂覆的涂覆膜的厚度的步骤。
本公开的多样实施例可以在机器(machine)可读存储介质(machine-readablestorage medium)中体现为软件。软件可以是用于体现本公开多样实施例的软件。软件可以由本公开所属技术领域的程序员从本公开多样实施例推论。例如，软件可以是包括机器可读命令(例：代码或代码片段)的程序。机器作为可根据从存储介质读取的命令进行运转的装置，例如可以为计算机。在一个实施例中，机器可以是本公开实施例的检查装置10。在一个实施例中，机器的处理器可以运行读取的命令，机器的构成要素可以执行与相应命令相应的功能。在一个实施例中，处理器可以是本公开实施例的处理器110。存储介质可以意味着机器可读的存储数据的所有种类的记录介质(recording medium)。存储介质例如可以包括ROM(只读存储器)、RAM(随机存取存储器)、CD-ROM(只读光盘驱动器)、磁带、软盘、光数据存储装置等。在一个实施例中，存储介质可以为存储器120。在一个实施例中，存储介质也可以体现为在通过以网络连接的计算机系统等中分布的形态。软件可以在计算机系统等中分布存储、运行。存储介质可以为非暂时性(non-transitory)存储介质。非暂时性存储介质意味着与数据半永久性或临时性存储无关地现实存在的介质(tangible medium)，不包括暂时性(transitory)传播的信号(signal)。
以上根据多样实施例，说明了本公开的技术思想，本公开的技术思想包括在本公开所属技术领域的普通技术人员可理解的范围内可实现的多样置换、变形及变更。另外，这种置换、变形及变更应理解为可以包含于附带的权利要求书内。

Claims (22)

1.一种基板检查装置，其中，包括：
第一光源，其朝向混合有荧光染料的基板的涂覆膜照射紫外线；
第一光传感器，其捕获从所述紫外线照射的所述涂覆膜发生的荧光，并获得所述基板的二维图像；
处理器，其基于所述二维图像，导出所述基板的多个区域中的一个区域；
第二光源，其朝向所述一个区域照射激光；及
第二光传感器，其获得借助于所述激光而从所述一个区域发生的光干涉数据，
所述处理器基于所述光干涉数据，导出关于所述一个区域的涂覆膜的厚度。
2.根据权利要求1所述的基板检查装置，其中，
所述处理器基于所述二维图像，导出关于所述多个区域各个的涂覆膜的涂覆量，将所述多个区域中涂覆量为预先设置量以下的区域决定为所述一个区域。
3.根据权利要求1所述的基板检查装置，其中，
还包括存储器，其存储由使用者预先设置的关于关心区域的信息；
所述处理器基于关于所述关心区域的信息，决定所述一个区域。
4.根据权利要求3所述的基板检查装置，其中，
所述关心区域是所述基板上包括元件的电极的区域。
5.根据权利要求1所述的基板检查装置，其中，
所述处理器基于所述二维图像，将所述基板中判断为有缺陷的区域决定为所述一个区域。
6.根据权利要求4所述的基板检查装置，其中，
所述存储器还存储显示所述基板上所述元件的排列的元件排列信息，
所述处理器利用所述元件排列信息，导出包括所述电极的区域。
7.根据权利要求1所述的基板检查装置，其中，
从所述涂覆膜的表面反射的反射光被用作基准光。
8.根据权利要求7所述的基板检查装置，其中，
所述处理器基于所述光干涉数据，获得显示与所述涂覆膜的深度方向对应的沿第一轴方向的剖面的剖面图像，
以所述剖面图像上的边界线为基础，决定关于所述一个区域的涂覆膜的所述厚度。
9.根据权利要求7所述的基板检查装置，其中，
所述涂覆膜的表面对所述激光的反射率，根据混合有所述荧光染料的所述涂覆膜的荧光染料混合率而决定，
所述荧光染料混合率设置为使得所述反射率超过预先设置的基准值的值。
10.根据权利要求7所述的基板检查装置，其中，
所述涂覆膜借助于在丙烯酸、乌拉坦、聚氨酯、硅、环氧、UV(Ultra Violet)固化物质及IR(Infra Red)固化物质中选择的至少一种物质而形成。
11.根据权利要求7所述的基板检查装置，其中，
所述涂覆膜的表面以曲面形成。
12.一种基板检查方法，其中，包括：
朝向混合有荧光染料的基板的涂覆膜照射紫外线的步骤；
捕获从所述紫外线照射的所述涂覆膜发生的荧光并获得所述基板的二维图像的步骤；
基于所述二维图像，导出所述基板的多个区域中的一个区域的步骤；
朝向所述一个区域照射激光，获得借助于所述激光而从所述一个区域发生的光干涉数据的步骤；及
基于所述光干涉数据，导出关于所述一个区域的涂覆膜的厚度的步骤。
13.根据权利要求12所述的基板检查方法，其中，
所述导出一个区域的步骤包括：
基于所述二维图像，导出关于所述多个区域各个的涂覆膜的涂覆量的步骤；及
将所述多个区域中涂覆量为预先设置量以下的区域决定为所述一个区域的步骤。
14.根据权利要求12所述的基板检查方法，其中，
所述导出一个区域的步骤包括：
基于由使用者预先设置的关于关心区域的信息，决定所述一个区域的步骤。
15.根据权利要求14所述的基板检查方法，其中，
所述关心区域为所述基板上包括元件的电极的区域。
16.根据权利要求12所述的基板检查方法，其中，
所述导出一个区域的步骤包括：
基于所述二维图像，将所述基板中判断为有缺陷的区域决定为所述一个区域的步骤。
17.根据权利要求15所述的基板检查方法，其中，
所述包括电极的区域，基于显示所述基板上所述元件的排列的元件排列信息导出。
18.根据权利要求12所述的基板检查方法，其中，
从所述涂覆膜的表面反射的反射光被用作基准光。
19.根据权利要求18所述的基板检查方法，其中，
导出关于所述一个区域的涂覆膜的厚度的步骤包括：
基于所述光干涉数据，获得显示与所述涂覆膜的深度方向对应的沿第一轴方向的剖面的剖面图像的步骤；及
以所述剖面图像上的边界线为基础，决定关于所述一个区域的涂覆膜的所述厚度的步骤。
20.根据权利要求18所述的基板检查方法，其中，
所述涂覆膜的表面对所述激光的反射率根据混合有所述荧光染料的所述涂覆膜的荧光染料混合率决定，
所述荧光染料混合率设置为使得所述反射率超过预先设置的基准值的值。
21.根据权利要求18所述的基板检查方法，其中，
所述涂覆膜借助于在丙烯酸、乌拉坦、聚氨酯、硅、环氧、UV(Ultra Violet)固化物质及IR(Infra Red)固化物质中选择的至少一种物质而形成。
22.根据权利要求18所述的基板检查方法，其中，
所述涂覆膜的表面以曲面形成。
CN201811433244.3A 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置及基板检查方法 Active CN109974598B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110505263.8A CN113324487B (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置及基板检查方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20170160680 2017-11-28
KR10-2017-0160680 2017-11-28
KR1020180136165A KR102138622B1 (ko) 2017-11-28 2018-11-07 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
KR10-2018-0136165 2018-11-07

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110505263.8A Division CN113324487B (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置及基板检查方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109974598A true CN109974598A (zh) 2019-07-05
CN109974598B CN109974598B (zh) 2021-05-28

Family

ID=66844650

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811433244.3A Active CN109974598B (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置及基板检查方法
CN201821979651.XU Active CN209399935U (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置
CN201821975696.XU Active CN209399934U (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置
CN202110505263.8A Active CN113324487B (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置及基板检查方法
CN201811434729.4A Active CN109974599B (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置及基板检查方法

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201821979651.XU Active CN209399935U (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置
CN201821975696.XU Active CN209399934U (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置
CN202110505263.8A Active CN113324487B (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置及基板检查方法
CN201811434729.4A Active CN109974599B (zh) 2017-11-28 2018-11-28 基板检查装置及基板检查方法

Country Status (3)

Country Link
JP (3) JP6734352B6 (zh)
KR (3) KR102195240B1 (zh)
CN (5) CN109974598B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102195240B1 (ko) * 2017-11-28 2020-12-24 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
EP3489620B1 (en) 2017-11-28 2023-06-07 Koh Young Technology Inc. Apparatus for inspecting substrate and method thereof
EP3489619A1 (en) 2017-11-28 2019-05-29 Koh Young Technology Inc. Apparatus for inspecting substrate and method thereof
KR102204449B1 (ko) * 2019-10-23 2021-01-18 주식회사 유니아이 광간섭 방식을 이용한 컨포말 코팅 두께 측정 장치
KR102320506B1 (ko) * 2020-07-22 2021-11-03 이화다이아몬드공업 주식회사 데미지층의 깊이 및 데미지층 내의 결함의 농도를 측정하는 방법 및 상기 방법을 수행하는 시스템
WO2023058784A1 (ko) * 2021-10-05 2023-04-13 이화다이아몬드공업 주식회사 데미지층의 깊이 및 데미지층 내의 결함의 농도를 측정하는 방법 및 상기 방법을 수행하는 시스템
CN114440808A (zh) * 2022-02-24 2022-05-06 广东奥迪威传感科技股份有限公司 超声波测厚方法及装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08309262A (ja) * 1995-05-15 1996-11-26 Bridgestone Sports Co Ltd ゴルフボール塗膜の膜厚測定方法及び装置
US6507747B1 (en) * 1998-12-02 2003-01-14 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for concomitant structural and biochemical characterization of tissue
CN1924517A (zh) * 2005-09-02 2007-03-07 松下电器产业株式会社 膜测定装置及方法、涂敷装置及涂敷方法
JP2007198771A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Ricoh Co Ltd 膜厚測定方法及び膜厚測定装置
US20080062429A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Rongguang Liang Low coherence dental oct imaging
JP2013205253A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Chiba Univ 膜厚測定方法および膜厚測定装置
WO2014192734A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 新日鐵住金株式会社 膜厚測定方法、膜厚測定装置及び記録媒体
CN106017337A (zh) * 2015-03-30 2016-10-12 东京毅力科创株式会社 膜厚测定装置和膜厚测定方法
CN209399935U (zh) * 2017-11-28 2019-09-17 株式会社高永科技 基板检查装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3322962A (en) * 1963-10-01 1967-05-30 Kalle Ag Method and apparatus for continuously measuring applied coatings employing photoelectric means
JPS6211106A (ja) * 1985-03-01 1987-01-20 Agency Of Ind Science & Technol 干渉法膜厚測定装置
JPS61212705A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Fujitsu Ltd 磁気デイスク媒体の膜厚測定方法
JPS649449A (en) * 1987-07-01 1989-01-12 Hitachi Ltd Method and device for measuring photoresist characteristic
EP0396010A3 (en) * 1989-05-05 1991-03-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring growth and etch rates of materials
JPH03252512A (ja) * 1990-03-01 1991-11-11 Sumitomo Light Metal Ind Ltd 油膜または塗膜のオンライン測定法およびその装置
RU94019480A (ru) * 1991-09-06 1996-06-10 Коммонвелт Сайнтифик энд Индастриал Рисерч Организэйшн (AU) Способ и устройство определения измерительного параметра/ов/ объекта
DE4342904C1 (de) * 1993-03-02 1995-04-27 Duma Masch Anlagenbau Abblasvorrichtung
FR2716531B1 (fr) * 1994-02-18 1996-05-03 Saint Gobain Cinematique Contr Procédé de mesure d'épaisseur d'un matériau transparent.
KR100437024B1 (ko) * 2001-10-18 2004-06-23 엘지전자 주식회사 박막 검사 방법 및 그 장치
JP5276875B2 (ja) * 2008-03-31 2013-08-28 富士フイルム株式会社 フィルム欠陥検査方法及び装置
CN101358879A (zh) * 2008-08-27 2009-02-04 中国科学院光电技术研究所 傅立叶域光学相干层析技术中可变插值间隔的插值方法
JP5525739B2 (ja) * 2008-09-16 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
US7708408B1 (en) * 2008-10-10 2010-05-04 Amo Development Llc. Single-arm optical coherence tomography pachymetry system and method
DE102010029091B4 (de) * 2009-05-21 2015-08-20 Koh Young Technology Inc. Formmessgerät und -verfahren
JP2010281580A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Rexxam Co Ltd 基板検査装置、照射装置、及び基板検査方法
DE102011051146B3 (de) * 2011-06-17 2012-10-04 Precitec Optronik Gmbh Prüfverfahren zum Prüfen einer Verbindungsschicht zwischen waferförmigen Proben
JP2013205252A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Chiba Univ 膜厚測定方法、測定装置、膜厚変化測定方法および測定装置
EP2702935A1 (de) 2012-08-29 2014-03-05 Agfa HealthCare N.V. System und Verfahren zur optischen Kohärenztomographie sowie Positionierelement
JP6075755B2 (ja) * 2012-11-19 2017-02-08 株式会社トプコン 光画像計測装置
JP2014192734A (ja) 2013-03-27 2014-10-06 Panasonic Corp 基地局装置およびデータ送信方法
KR101486271B1 (ko) 2013-05-13 2015-01-27 한국표준과학연구원 삼차원 박막 두께 형상 측정 방법
US9581433B2 (en) * 2013-12-11 2017-02-28 Honeywell Asca Inc. Caliper sensor and method using mid-infrared interferometry
JP6378776B2 (ja) * 2014-10-27 2018-08-22 富士フイルム株式会社 光侵入深さ評価方法、その評価方法を用いた性能検査方法および光断層画像撮像装置
KR20160082076A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 한양대학교 산학협력단 간섭계 기반 단층영상 및 표면형상 동시 획득 장치
KR20170085279A (ko) 2016-01-14 2017-07-24 주식회사 임펙 엔터프라이즈 전자부품이 실장된 인쇄회로기판의 코팅 검사장치 및 검사방법
KR20160136255A (ko) * 2016-11-09 2016-11-29 (주)우리테크 Pcb 기판의 컨포멀 코팅 두께 및 코팅 영역 검사방법 및 시스템

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08309262A (ja) * 1995-05-15 1996-11-26 Bridgestone Sports Co Ltd ゴルフボール塗膜の膜厚測定方法及び装置
US6507747B1 (en) * 1998-12-02 2003-01-14 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for concomitant structural and biochemical characterization of tissue
CN1924517A (zh) * 2005-09-02 2007-03-07 松下电器产业株式会社 膜测定装置及方法、涂敷装置及涂敷方法
JP2007198771A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Ricoh Co Ltd 膜厚測定方法及び膜厚測定装置
US20080062429A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Rongguang Liang Low coherence dental oct imaging
JP2013205253A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Chiba Univ 膜厚測定方法および膜厚測定装置
WO2014192734A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 新日鐵住金株式会社 膜厚測定方法、膜厚測定装置及び記録媒体
CN106017337A (zh) * 2015-03-30 2016-10-12 东京毅力科创株式会社 膜厚测定装置和膜厚测定方法
CN209399935U (zh) * 2017-11-28 2019-09-17 株式会社高永科技 基板检查装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019101037A (ja) 2019-06-24
KR20190062189A (ko) 2019-06-05
JP6732858B6 (ja) 2020-08-26
JP2020173269A (ja) 2020-10-22
CN109974598B (zh) 2021-05-28
KR20190062190A (ko) 2019-06-05
CN109974599A (zh) 2019-07-05
KR102138622B1 (ko) 2020-07-28
CN109974599B (zh) 2021-03-16
KR20200092905A (ko) 2020-08-04
CN209399934U (zh) 2019-09-17
JP6734352B2 (ja) 2020-08-05
KR102195240B1 (ko) 2020-12-24
JP6955305B2 (ja) 2021-10-27
JP6732858B2 (ja) 2020-07-29
JP2019101038A (ja) 2019-06-24
KR102275556B1 (ko) 2021-07-09
CN113324487B (zh) 2023-08-25
CN209399935U (zh) 2019-09-17
JP6734352B6 (ja) 2020-09-02
CN113324487A (zh) 2021-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209399935U (zh) 基板检查装置
JP5672240B2 (ja) ウェーハを検査するためのシステム及び方法
CN103630549B (zh) 检测晶片的系统和方法
US20100328435A1 (en) Method and apparatus for 3-dimensional vision and inspection of ball and like protrusions of electronic components
JP5365645B2 (ja) 基板検査装置および基板検査システムならびに基板検査結果の確認用画面の表示方法
TW201100779A (en) System and method for inspecting a wafer (3)
CN104837302B (zh) 品质管理系统以及内部检查装置
CN108351202A (zh) 形状测定装置和形状测定方法
EP3489620B1 (en) Apparatus for inspecting substrate and method thereof
CN101506616A (zh) 检查装置以及检查方法
JP6746744B1 (ja) 検査装置及び検査方法
JP6542173B2 (ja) 角度測定装置およびその作動方法並びに角度測定プログラム
US11543238B2 (en) Apparatus for inspecting substrate and method thereof
KR101028335B1 (ko) 와이어 검사 장치
TWI263801B (en) Detection method for warpage of semiconductor packages
KR20210071899A (ko) 검사를 위한 장치, 방법 및 명령을 기록한 기록 매체
CN117940920A (zh) 一种电子元件认证系统
JP2006058213A (ja) 電子部品の端子検査方法およびその方法を用いた検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 15 / F, 14 / F, No.53, Jiashan digital 2 Road, Jinchuan District, Seoul, Korea

Applicant after: Gaoying Technology Co.,Ltd.

Address before: 15 / F, 14 / F, No.53, Jiashan digital 2 Road, Jinchuan District, Seoul, Korea

Applicant before: KOH YOUNG TECHNOLOGY Inc.

CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Han Guoshouershi

Applicant after: Gaoying Technology Co.,Ltd.

Address before: 15 / F, 14 / F, No.53, Jiashan digital 2 Road, Jinchuan District, Seoul, Korea

Applicant before: Gaoying Technology Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant