KR20180012262A - 투명 도전성 필름 - Google Patents

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Abstract

투명 도전성 필름은, 투명 기재와, 수지 및 무기 입자를 함유하는 굴절률 조정층과, 무기 원자를 함유하는 밀착층과, 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하고, 밀착층은 굴절률 조정층과 접촉하고 있고, 굴절률 조정층의, 밀착층과 접촉하는 측의 계면 근방 영역에 있어서의, 탄소 원자수에 대한 무기 원자수의 비가 0.05 미만이다.

Description

투명 도전성 필름{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}
본 발명은, 투명 도전성 필름, 상세하게는, 터치 패널용 필름 등에 사용되는 투명 도전성 필름에 관한 것이다.
종래부터, 화상 표시 장치는, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 등으로 이루어지는 투명 배선층이 형성된 터치 패널용 필름을 구비하는 것이 알려져 있다. 터치 패널용 필름은, 일반적으로, ITO 층 등을 투명 기재에 적층한 투명 도전성 필름에 있어서, ITO 층을 배선 패턴으로 패터닝함으로써 제조된다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 에는, 투명 기판의 일방면에 자외선 경화 수지층, 투명 무기 산화물층, 투명 도전층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 터치 패널용 필름으로서, 자외선 경화 수지층은, 유기 성분 및 무기 산화물을 모두 함유하여 이루어지고, 적어도 투명 무기 산화물층과 접촉하는 표면으로부터 깊이 10 ㎚ 이내의 영역에 있어서의, 당해 층의 유기 성분 중의 유기 원소수 A 에 대한 무기 산화물 중의 무기 원소수 B/A 가, 원소수 비로 0.05 이상 0.35 이하인 터치 패널용 필름이 개시되어 있다.
이 터치 패널은, 굴절률을 조정하기 위해 무기 산화물을 함유하는 자외선 경화 수지층과, 그 위에 적층되는 투명 무기 산화물층의 밀착성을 향상시키고 있다.
일본 공개특허공보 2010-211790호
최근, 화상 표시 장치의 대형화 및 박막화의 요구에 수반하여, 투명 도전성 필름의 대형화 및 박막화의 요구도 높아지고 있다. 그런데, 투명 도전성 필름의 ITO 층을 대형화나 박막화하면, ITO 층 전체 또는 일부의 전기 저항이 증가하고, 그 결과, 터치 패널의 감도 등의 여러 기능이 저하된다는 문제가 발생한다. 따라서, ITO 층의 비저항값의 저감 (저저항화) 이 요구되고 있다.
또, 화상 표시 장치의 사용 용도가 확대될 때, 종래의 내구성 기준 (예를 들어, 60 ℃ 90 ％ 의 가습 환경) 보다 가혹한 환경하에서의 내구성이 요구되고 있다. 그 중에서도, 투명 도전성 필름을 구성하는 각 층의 층간 밀착력은, 화상 표시 장치의 동작 불량에 직접 기여하는 점에서, 특히 고내구화의 요망 (대표적으로는, 85 ℃ 85 ％ 환경에 있어서의 150 시간 이상의 밀착 내구성) 이 크다. 일반적으로, 층간 밀착력은 각 층의 접촉 면적이 클수록 향상되기 때문에, 투명 도전성 필름을 구성하는 각 층 혹은 어느 층의 표면 조도가 클수록, 밀착력의 면에서 유리하다. 그러나, 그러한 투명 도전성 필름은, 투명 도전층 (예를 들어, ITO 층) 의 표면 조도가 커지기 때문에, 결정 전화되기 어려워지고, 저비저항의 투명 도전성 필름을 얻을 수 없다.
특허문헌 1 에서는, 자외선 경화 수지층의 표면 근방에 무기 산화물 입자가 다량으로 존재하여 표면이 조화 (粗化) 되고, 그 위에 형성되는 투명 도전층 (ITO 층 등) 의 표면도 조화되는 경우가 있다. 그 결과, 자외선 경화 수지층과 투명 무기 산화물층의 밀착성은 향상되지만, 투명 도전층의 비저항값이 높아져, 저저항화를 도모할 수 없다.
본 발명의 목적은, 굴절률 조정층의 밀착성 (특히 85 ℃ 85 ％ 환경 노출 후의 밀착성) 이 양호하고, 투명 도전층의 저저항이 우수한 투명 도전성 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명 [1] 은, 투명 기재와, 수지 및 무기 입자를 함유하는 굴절률 조정층과, 무기 원자를 함유하는 밀착층과, 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하고, 상기 밀착층은 상기 굴절률 조정층과 접촉하고 있고, 상기 굴절률 조정층의, 상기 밀착층과 접촉하는 측의 계면 근방 영역에 있어서의, 탄소 원자수에 대한 무기 원자수의 비가 0.05 미만인 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [2] 는, 상기 밀착층이 비화학량론 조성의 무기 산화물을 함유하는 [1] 에 기재된 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [3] 은, 상기 비화학량론 조성의 무기 화합물이 비화학량론 조성의 규소 화합물인 [2] 에 기재된 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [4] 는, 상기 밀착층은 규소 원자를 함유하고, X 선 광 전자 분광법에 의해 구해지는 Si2p 궤도의 결합 에너지가 99.0 eV 이상 103.0 eV 미만인 영역을 포함하는 [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [5] 는, 상기 밀착층과 상기 투명 도전층 사이에, 무기 산화물을 함유하는 광학 조정층을 추가로 구비하는 [1] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [6] 은, 상기 투명 도전층의 표면 저항값이 200 Ω/□ 미만인 [1] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [7] 은, 상기 투명 도전층의 비저항값이 3.7 × 10-4 Ω·㎝ 이하인 [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.
본 발명의 투명 도전성 필름에 의하면, 굴절률 조정층과 그 위에 형성되는 층의 밀착성 (특히 85 ℃ 85 ％ 환경 노출 후의 밀착성) 이 양호하다. 또, 투명 도전층의 비저항값이 저감되어 있기 때문에, 도전성이 우수하다.
도 1 은 본 발명의 투명 도전성 필름의 일 실시형태의 측단면도를 나타낸다.
도 2 는 본 발명의 투명 도전성 필름의 다른 실시형태 (광학 조정층을 구비하지 않는 실시형태) 의 측단면도를 나타낸다.
도 1 에 있어서, 지면 상하 방향은 상하 방향 (두께 방향, 제 1 방향) 으로서, 지면 상측이 상측 (두께 방향 일방측, 제 1 방향 일방측), 지면 하측이 하측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다.
1. 투명 도전성 필름
투명 도전성 필름 (1) 은, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고, 두께 방향과 직교하는 소정 방향 (면 방향) 으로 연장되며, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다. 투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재 등의 일 부품으로서, 요컨대, 화상 표시 장치는 아니다. 즉, 투명 도전성 필름 (1) 은, 화상 표시 장치 등을 제조하기 위한 부품으로서, LCD 모듈 등의 화상 표시 소자를 포함하지 않고, 부품 단독으로 유통되며, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.
구체적으로는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 투명 기재 (2) 와, 굴절률 조정층 (3) 과, 밀착층 (4) 과, 광학 조정층 (5) 과, 투명 도전층 (6) 을 두께 방향으로 순서대로 구비한다. 요컨대, 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 투명 기재 (2) 상에 배치되는 굴절률 조정층 (3) 과, 굴절률 조정층 (3) 상에 배치되는 밀착층 (4) 과, 밀착층 (4) 상에 배치되는 광학 조정층 (5) 과, 광학 조정층 (5) 상에 배치되는 투명 도전층 (6) 을 구비한다.
투명 도전성 필름 (1) 은, 바람직하게는 투명 기재 (2) 와, 굴절률 조정층 (3) 과, 밀착층 (4) 과, 광학 조정층 (5) 과, 투명 도전층 (6) 으로 이루어진다. 이하, 각 층에 대해 상세히 서술한다.
2. 투명 기재
투명 기재 (2) 는, 투명 도전성 필름 (1) 의 최하층으로서, 투명 도전성 필름 (1) 의 기계 강도를 확보하는 기재이다. 투명 기재 (2) 는, 투명 도전층 (6) 을 굴절률 조정층 (3), 밀착층 (4) 및 광학 조정층 (5) 과 함께 지지하고 있다.
투명 기재 (2) 는, 예를 들어, 투명성을 갖는 고분자 필름이다. 고분자 필름의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 예를 들어, 폴리메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로올레핀 폴리머 등의 올레핀 수지, 예를 들어, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지, 노르보르넨 수지 등을 들 수 있다. 이들 고분자 필름은, 단독 사용하거나 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 투명성, 내열성, 기계적 강도 등의 관점에서, 바람직하게는 폴리에스테르 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 PET 를 들 수 있다.
투명 기재 (2) 의 두께는, 기계적 강도, 내찰상성, 투명 도전성 필름 (1) 을 터치 패널용 필름으로 하였을 때의 타점 특성 등의 관점에서, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는 20 ㎛ 이상이며, 또, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 200 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150 ㎛ 이하이다.
또한, 투명 기재 (2) 의 상면 및/또는 하면에는, 필요에 따라, 하드 코트층, 블로킹 방지층, 접착 용이층, 접착제층, 세퍼레이터 등이 형성되어 있어도 된다.
3. 굴절률 조정층
굴절률 조정층 (3) 은, 후술하는 광학 조정층 (5) 과 함께, 투명 도전층 (6) 을 후공정에서 배선 패턴으로 형성한 후, 패턴부와 비패턴부의 상이가 인식되지 않도록 (즉, 배선 패턴의 시인을 억제하도록), 투명 도전성 필름 (1) 의 굴절률을 조정하는 층이다. 또, 굴절률 조정층 (3) 은, 투명 도전층 (6) 의 상면 (즉, 투명 도전성 필름 (1) 의 표면) 에 찰상을 잘 발생하지 않게 하기 (우수한 내찰상성을 얻기) 위한, 찰상 보호층이기도 하다.
굴절률 조정층 (3) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있으며, 예를 들어, 투명 기재 (2) 의 상면 전체면에, 투명 기재 (2) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
굴절률 조정층 (3) 은, 수지 조성물로 형성되는 수지층이다.
수지 조성물은, 수지와, 무기 원자를 함유한다. 무기 원자를 함유함으로써, 굴절률 조정층 (3) 의 굴절률을 바람직한 값으로 조정할 수 있고, 배선 패턴의 시인 억제나 광 투과율 향상을 도모할 수 있다. 무기 원자는, 바람직하게는 무기 입자를 구성하고 있다. 즉, 수지 조성물은, 바람직하게는 수지와, 무기 입자를 함유하고, 보다 바람직하게는 수지와 무기 입자로 이루어진다.
수지로는, 예를 들어, 경화성 수지, 열가소성 수지 (예를 들어, 폴리올레핀 수지) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 경화성 수지를 들 수 있다.
경화성 수지로는, 예를 들어, 활성 에너지선 (구체적으로는, 자외선, 전자선 등) 의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지, 예를 들어, 가열에 의해 경화되는 열경화성 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지는, 예를 들어, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 그러한 관능기로는, 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴로일기 (메타크릴로일기 및/또는 아크릴로일기) 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지로는, 예를 들어, 관능기 함유 (메트) 아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지) 등을 들 수 있다.
또, 활성 에너지선 경화성 수지 이외의 수지로는, 예를 들어, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등을 들 수 있다.
수지는, 단독 사용하거나 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.
수지의 함유 비율은, 수지 및 무기 원자의 합계량에 대하여, 예를 들어, 20 질량％ 이상, 바람직하게는 22 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 25 질량％ 이상이며, 또, 예를 들어, 90 질량％ 이하, 바람직하게는 80 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 70 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 50 질량％ 이하이다.
무기 입자로는, 굴절률 조정층 (3) 이 요구하는 굴절률에 따라 바람직한 재료를 선택할 수 있으며, 예를 들어, 실리카 입자 (중공 나노 실리카 입자를 포함한다), 예를 들어, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화아연, 산화주석 등으로 이루어지는 금속 산화물 입자, 예를 들어, 탄산칼슘 등으로 이루어지는 탄산염 입자 등을 들 수 있다. 이들 무기 입자는, 단독 사용하거나 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는 금속 산화물 입자를 들 수 있고, 고굴절률의 관점에서, 보다 바람직하게는 산화티탄 입자, 산화지르코늄 입자 등의 고굴절률 입자를 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 산화지르코늄 입자 (ZrO2) 를 들 수 있다.
또, 무기 입자는, 굴절률 조정층 (3) 에 있어서의 분산성을 확보하기 위해 화학 수식되어 있어도 된다.
무기 입자의 평균 입자경은, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 15 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 20 ㎚ 이상이며, 또, 예를 들어, 100 ㎚ 이하, 바람직하게는 60 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 40 ㎚ 이하이다. 무기 입자의 평균 입자경을 상기 범위 내로 함으로써, 무기 입자의 침강을 조정하여, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 근방의 입자수를 조정할 수 있다.
본 발명에 있어서, 입자의 평균 입자경은, 벡크만·쿨터사 제조의 쿨터 멀티사이저를 사용하여, 쿨터 카운트법으로 측정할 수 있다.
무기 원자 (특히, 무기 입자) 의 함유 비율은, 수지 및 무기 원자의 합계량에 대하여, 예를 들어, 10 질량％ 이상, 바람직하게는 20 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 50 질량％ 이상이며, 또, 예를 들어, 80 질량％ 이하, 바람직하게는 78 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 75 질량％ 이하이다.
무기 원자의 함유 비율을 상기 하한 이상으로 함으로써, 굴절률을 바람직한 범위로 조정할 수 있다. 또, 무기 원자의 함유 비율을 상기 상한 이하로 함으로써, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 근방의 입자수를 원하는 양 이하로 할 수 있고, 투명 도전층 (6) 의 비저항값을 낮게 할 수 있다.
굴절률 조정층 (3) 의 굴절률은, 무기 원자 (바람직하게는 무기 입자) 에 의해 적절히 조정할 수 있으며, 예를 들어, 1.50 이상이고, 또 1.80 이하이다.
굴절률 조정층 (3) 은, 투명 도전성 필름 (1) 의 광 투과율을 높게 하는 관점에서, 바람직하게는 고굴절률 입자를 함유한다. 무기 입자로서 고굴절률 입자 (바람직하게는 산화지르코늄 입자) 를 함유하는 경우, 굴절률 조정층 (3) 의 굴절률은 1.55 이상, 바람직하게는 1.60 이상, 보다 바람직하게는 1.62 이상이며, 또, 예를 들어, 1.74 이하, 바람직하게는 1.73 이하, 보다 바람직하게는 1.70 이하이다. 상기 범위이면, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 근방에 존재하는 무기 입자수를 소량으로 조정할 수 있어, 탄소 원자수에 대한 무기 원자수의 비를 0.05 미만으로 하기 쉽다.
본 발명에 있어서, 굴절률은 분광 엘립소미터에 의해 측정된다.
굴절률 조정층 (3) 의 두께는, 배선 패턴의 시인 억제, 저저항화의 관점에서, 예를 들어, 30 ㎚ 이상, 바람직하게는 50 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 100 ㎚ 이상이며, 또, 예를 들어, 1000 ㎚ 이하, 바람직하게는 500 ㎚ 이하이다.
굴절률 조정층 (3) 의 두께는, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의한 단면 관찰에 의해 측정된다.
굴절률 조정층 (3) 의 상측 (밀착층 (4) 과 접촉하는 측) 의 계면 근방 영역에 있어서, 즉, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 근방 영역에 있어서, 탄소 원자수 C 에 대한 무기 원자수 I 의 비 (I/C) 는 0.05 미만이며, 바람직하게는 0.04 이하이다. 또, 예를 들어, 0.00 이상이다. 상면 근방 영역에 있어서의 I/C 비를 상기 범위 내로 함으로써, 상면 근방 영역에 무기 원자 (특히, 무기 입자) 의 존재수를 저감시키고, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 및 그 위에 형성되는 투명 도전층 (6) 의 표면을 평활하게 할 수 있다. 따라서, 투명 도전층 (6) 의 비저항값을 저감시킬 수 있다.
상면 근방 영역이란, 상면 (상측의 표면) 으로부터의 두께 방향에 있어서의 영역으로서, 구체적으로는, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 (0 ㎚) 으로부터 하측으로 10 ㎚ 이내에 있어서의 영역이다. 굴절률 조정층 (3) 의 상면 근방 영역의 I/C 비는, X 선 광 전자 분광법에 의해 굴절률 조정층 (3) 의 상면을 측정함으로써 구할 수 있다.
또한, 상면 근방 영역에 있어서의 I/C 비의 산출에 있어서, 산소 원자 등의 비금속 원자는 계산에 포함하지 않는다. 예를 들어, 굴절률 조정층 (3) 이 무기 입자로서 산화지르코늄 입자를 함유하는 경우에는, 상기 비는 탄소 원자수 C 에 대한 지르코늄 원자수 Zr 의 비 (Zr/C) 이고, 무기 입자로서 실리카 입자 (SiO2) 를 함유하는 경우, 상기 비는 탄소 원자수 C 에 대한 규소 원자수 Si 의 비 (Si/C) 이고, 무기 입자로서 산화티탄 입자를 함유하는 경우에는, 상기 비는 탄소 원자수 C 에 대한 티탄 원자수 Ti 의 비 (Ti/C) 등이다. 또, 굴절률 조정층 (3) 이 복수의 무기 입자를 함유하는 경우에는, 상기 비는 각 원자에 대한 비의 합계로서 산출된다.
또, 측정에 있어서, 상면 오염의 영향을 배제하는 관점에서, 굴절률 조정층 (3) 의 상면을 두께 방향으로 약 1 ∼ 2 ㎚ 에칭을 실시한다. 또, 굴절률 조정층 (3) 상에 밀착층 (4) 등의 층이 적층되어 있는 경우에는, X 선 광 전자 분광법으로 뎁스 프로파일 (측정 피치는 SiO2 환산으로 1 ㎚ 마다로 한다) 을 측정하고, 밀착층 (4) 의 종단부를 굴절률 조정층 (3) 의 상면 (0 ㎚) 으로 정의한다. 밀착층 (4) 의 종단부란, 뎁스 프로파일에 있어서, 밀착층 (4) 을 구성하는 무기 원자의 원소 비율이 피크값에 대하여 절반값이 된 깊이 위치를 나타낸다. 밀착층 (4) 과 광학 조정층 (5) 을 구성하는 무기 원자가 동일한 경우에는, 광학 조정층 (5) 을 포함하여, 무기 원자의 원소 비율이 피크값에 대하여 절반값이 된 깊이 위치를 상면 (0 ㎚) 으로 판단한다.
4. 밀착층
밀착층 (4) 은, 굴절률 조정층 (3) 및 후술하는 광학 조정층 (5) 에 밀착되어, 굴절률 조정층 (3) 과 광학 조정층 (5) 을 강고하게 결합시키는 층이다. 밀착층 (4) 의 존재에 의해, 평활한 상면을 갖는 굴절률 조정층 (3) 을 구비하는 경우에도, 85 ℃ 85 ％ 의 환경 노출 후의 박리를 억제할 수 있는 투명 도전성 필름 (1) 을 얻을 수 있다.
밀착층 (4) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 전체면에, 굴절률 조정층 (3) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
밀착층 (4) 은 무기 원자를 함유하며, 바람직하게는 무기물 단체, 무기 화합물 등의 무기물로 형성되고, 더욱 바람직하게는 무기 화합물로 형성되어 있다.
밀착층 (4) 에 함유되는 무기 원자로는, 바람직하게는 규소 원자 (Si) 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 밀착층 (4) 은 규소 단체 또는 규소 화합물로 형성되고, 바람직하게는 투명성의 관점에서, 규소 화합물로 형성되어 있다.
또, 무기 화합물로는, 화학량론 조성의 무기 화합물, 및 비화학량론 조성의 무기 화합물을 들 수 있다.
화학량론 조성의 무기 화합물로는, 예를 들어, 이산화규소 (SiO2), 산화알루미늄 (Al2O3), 산화니오브 (Nb2O5), 산화티탄 (TiO2) 등을 들 수 있다.
비화학량론 조성의 무기 화합물로는, 예를 들어, 규소 질화물 (예를 들어, SiCx, 0.1 ≤ x ＜ 1.0) 등의 무기 질화물, 예를 들어, 규소 탄화물 (예를 들어, SiNx, 0.1 ≤ x ＜ 1.3) 등의 무기 탄화물, 예를 들어, 규소 산화물 (예를 들어, SiOx, 0.1 ≤ x ＜ 2.0) 등의 무기 산화물 등을 들 수 있다.
이들 무기 화합물은 단일 조성이어도 되고, 복수 조성의 혼합물이어도 된다.
밀착층 (4) 은, 바람직하게는 비화학량론 조성의 무기 화합물을 함유하고, 보다 바람직하게는 비화학량 조성의 무기 산화물을 함유한다. 이로써, 밀착층 (4) 의 밀착성을 보다 양호하게 할 수 있다.
또, 밀착층 (4) 은 규소 원자 (특히 규소 화합물) 를 함유하는 경우, 밀착층 (4) 은, 바람직하게는 비화학량론 조성물의 규소 화합물 (예를 들어, 상기한 비화학량론 조성의 규소 탄화물, 규소 탄화물, 규소 산화물 등) 을 함유한다. 보다 바람직하게는 비화학량론 조성의 규소 산화물을 함유한다.
밀착층 (4) 이 규소 원자를 함유하는 경우, 밀착층 (4) 에 있어서의 X 선 광 전자 분광법에 의해 구해지는 Si2p 궤도의 결합 에너지가, 예를 들어, 98.0 eV 이상, 바람직하게는 99.0 eV 이상, 보다 바람직하게는 100.0 eV 이상, 더욱 바람직하게는 102.0 eV 이상이며, 또, 예를 들어, 104.0 eV 미만, 바람직하게는 103.0 eV 미만, 보다 바람직하게는 102.8 eV 이하이다. Si2p 궤도의 결합 에너지가 상기 범위인 밀착층 (4) 을 선택함으로써, 밀착층 (4) 의 밀착성을 보다 양호하게 할 수 있다. 특히 밀착층 (4) 에 있어서의 결합 에너지를 99.0 eV 이상 103.0 eV 미만으로 하면, 밀착층 (4) 이 비화학량론 조성의 무기 화합물 (특히 규소 화합물) 을 함유하게 되기 때문에, 양호한 광 투과율을 유지하면서, 밀착성을 보다 확실하게 향상시킬 수 있다.
밀착층 (4) 에 있어서의 상기 결합 에너지는, 밀착층 (4) 의 상면을 X 선 광 전자 분광법에 의해 측정함으로써 얻어진다.
측정에 있어서, 상면 오염의 영향을 배제하는 관점에서, 밀착층 (4) 의 상면을 두께 방향으로 약 1 ∼ 2 ㎚ 에칭을 실시한다. 또, 밀착층 (4) 상에 광학 조정층 (5) 등의 층이 적층되어 있는 경우에는, X 선 광 전자 분광법으로 뎁스 프로파일 (측정 피치는 SiO2 환산으로 1 ㎚ 마다로 한다) 을 측정하고, 밀착층 (4) 의 종단부로부터 1 ㎚ 이상 상측의 지점 (바람직하게는 1 ㎚ 상측의 지점) 에 있어서의 결합 에너지값을 채용하는 것으로 한다. 또한, 밀착층 (4) 과 광학 조정층 (5) 을 구성하는 무기 원자가 동일한 경우에는, 광학 조정층 (5) 을 포함하여, 무기 원자의 원소 비율이 피크값에 대하여 절반값이 된 깊이 위치를 밀착층 (4) 의 종단부로 한다. 또한, 밀착층 (4) 의 두께가 8 ㎚ 이하인 경우에는, 측정에 대하여 충분한 두께를 확보하는 관점에서, 바람직하게는 밀착층 (4) 상에 광학 조정층 (5) 등을 적층하고, 상기 뎁스 프로파일로 측정한다.
밀착층 (4) 의 굴절률은, 예를 들어, 2.00 미만, 바람직하게는 1.90 이하, 보다 바람직하게는 1.85 이하이며, 또, 예를 들어, 1.50 이상, 바람직하게는 1.55 이상, 보다 바람직하게는 1.60 이상이다. 밀착층 (4) 은, 바람직하게는 후술하는 광학 조정층 (5) 의 굴절률보다 높으며, 밀착층 (4) 의 굴절률과 광학 조정층 (5) 의 굴절률의 차는, 예를 들어, 0.01 이상, 바람직하게는 0.03 이상이며, 또, 예를 들어, 0.50 이하, 바람직하게는 0.40 이하이다. 밀착층 (4) 의 굴절률을 상기 범위 내로 함으로써, 투명 도전성 필름 (1) 에 있어서의 광 투과율 등의 광학 특성을 향상시킬 수 있다.
밀착층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 2 ㎚ 이상이며, 또, 예를 들어, 10 ㎚ 이하, 바람직하게는 8 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎚ 이하이다. 밀착층 (4) 의 두께를 상기 하한 이상으로 함으로써, 밀착층 (4) 의 밀착성이 양호해진다. 한편, 밀착층 (4) 의 두께를 상기 상한 이하로 함으로써, 밀착층 (4) 에 의한 광 흡수를 억제하고, 광 투과율의 저감을 억제할 수 있다.
밀착층 (4) 의 두께는, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의한 단면 관찰에 의해 측정된다.
5. 광학 조정층
광학 조정층 (5) 은, 굴절률 조정층 (3) 과 함께, 투명 도전층 (6) 에 있어서의 배선 패턴의 시인을 억제하면서, 투명 도전성 필름 (1) 에 우수한 투명성을 확보하기 위해, 투명 도전성 필름 (1) 의 광학 물성 (예를 들어, 굴절률) 을 조정하는 층이다.
광학 조정층 (5) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 밀착층 (4) 의 상면 전체면에, 밀착층 (4) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
광학 조정층 (5) 은, 바람직하게는 무기물로 형성되어 있다.
무기물의 조성으로는, 예를 들어, 산화물, 불화물 등을 들 수 있다.
산화물 (무기 산화물) 로는, 예를 들어, 산화규소 (구체적으로는, 이산화규소 (SiO2), 일산화규소 (SiO) 등), 산화알루미늄 (Al2O3), 산화니오브 (Nb2O5), 산화티탄 (TiO2) 등을 들 수 있다.
불화물로는, 예를 들어, 불화나트륨 (NaF), 헥사플루오로알루민산삼나트륨 (Na3AlF6), 불화리튬 (LiF), 불화마그네슘 (MgF2) 등의 불화 알칼리 금속, 예를 들어, 불화칼슘 (CaF2), 불화바륨 (BaF2) 등의 불화 알칼리 토금속, 예를 들어, 불화란탄 (LaF3), 불화세륨 (CeF) 등의 불화 희토류 등을 들 수 있다.
무기물은, 단독 사용하거나 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.
무기물로서, 바람직하게는 밀착층 (4) 과의 밀착성, 저저항화, 배선 패턴의 시인 억제의 관점에서, 무기 산화물을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 이산화규소 (SiO2, 굴절률 1.47) 를 들 수 있다. 특히, 광학 조정층 (5) 은, 무기물로서, 바람직하게는 무기 산화물을 함유하고, 보다 바람직하게는 이산화규소를 함유한다.
광학 조정층 (5) 의 굴절률은, 바람직하게는 굴절률 조정층 (3) 의 굴절률과 상이하며, 광학 조정층 (5) 의 굴절률과 굴절률 조정층 (3) 의 굴절률의 차는, 예를 들어, 0.10 이상, 바람직하게는 0.11 이상이며, 또, 예를 들어, 0.95 이하, 바람직하게는 0.60 이하이다.
보다 바람직하게는 광학 조정층 (5) 의 굴절률은, 굴절률 조정층 (3) 의 굴절률보다 낮다. 즉, 바람직하게는 굴절률 조정층 (3) 을 고굴절률층으로 하고, 광학 조정층 (5) 을 고굴절률층의 굴절률보다 낮은 굴절률을 구비하는 저굴절률층으로 한다. 이로써, 투명 도전성 필름 (1) 의 투명 도전층 (6) 을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하였을 때, 패턴부와 비패턴부에 발생하는 반사율 차나 색상 차를 저감시켜, 배선 패턴의 시인을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
광학 조정층 (5) 의 굴절률은, 예를 들어, 1.60 미만, 바람직하게는 1.55 이하, 보다 바람직하게는 1.50 이하이며, 또, 예를 들어, 1.20 이상, 바람직하게는 1.30 이상, 보다 바람직하게는 1.40 이상이다.
광학 조정층 (5) 의 두께는, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 3 ㎚ 이상이며, 또, 예를 들어, 50 ㎚ 이하, 바람직하게는 20 ㎚ 이하이다.
광학 조정층 (5) 의 두께는, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의한 단면 관찰에 의해 측정된다.
밀착층 (4) 의 두께에 대한 광학 조정층 (5) 의 두께의 비 (광학 조정층 (5)/밀착층 (4)) 는, 저저항화의 관점에서, 예를 들어, 0.5 이상, 바람직하게는 1.0 이상, 보다 바람직하게는 2.0 이상이며, 또, 예를 들어, 100 이하, 바람직하게는 50 이하, 보다 바람직하게는 30 이하, 더욱 바람직하게는 15 이하이다.
굴절률 조정층 (3) 의 두께에 대한 광학 조정층 (5) 의 두께의 비 (광학 조정층 (5)/굴절률 조정층 (3)) 는, 배선 패턴의 시인 억제의 관점에서, 예를 들어, 0.01 이상, 바람직하게는 0.02 이상이며, 또, 예를 들어, 3.00 이하, 바람직하게는 1.00 이하, 보다 바람직하게는 0.50 이하, 더욱 바람직하게는 0.30 이하, 특히 바람직하게는 0.20 이하이다.
6. 투명 도전층
투명 도전층 (6) 은, 후공정에서 배선 패턴으로 형성하여, 패턴부를 형성하기 위한 도전층이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전층 (6) 은, 투명 도전성 필름 (1) 의 최상층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 광학 조정층 (5) 의 상면 전체면에, 광학 조정층 (5) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
투명 도전층 (6) 의 재료로는, 예를 들어, In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 함유하는 금속 산화물을 들 수 있다. 금속 산화물에는, 필요에 따라, 추가로 상기 군에 예시된 금속 원자를 도프하고 있어도 된다.
투명 도전층 (6) 의 재료는, 예를 들어, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 등의 인듐 함유 산화물, 예를 들어, 안티몬주석 복합 산화물 (ATO) 등의 안티몬 함유 산화물 등을 들 수 있고, 바람직하게는 인듐 함유 산화물, 보다 바람직하게는 ITO 를 들 수 있다.
투명 도전층 (6) 의 재료로서 ITO 를 사용하는 경우, 산화주석 (SnO2) 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대하여, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는 3 질량％ 이상이며, 또, 예를 들어, 15 질량％ 이하, 바람직하게는 13 질량％ 이하이다. 산화주석의 함유량을 상기 하한 이상으로 함으로써, ITO 층의 내구성을 보다 더 양호하게 할 수 있다. 산화주석의 함유량을 상기 상한 이하로 함으로써, ITO 층의 결정 전화를 용이하게 하고, 투명성이나 비저항의 안정성을 향상시킬 수 있다.
본 명세서 중에 있어서의「ITO」란, 적어도 인듐 (In) 과 주석 (Sn) 을 함유하는 복합 산화물이면 되며, 이것들 이외의 추가 성분을 함유해도 된다. 추가 성분으로는, 예를 들어, In, Sn 이외의 금속 원소를 들 수 있으며, 구체적으로는, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga 등을 들 수 있다.
투명 도전층 (6) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 15 ㎚ 이상이며, 또, 예를 들어, 45 ㎚ 이하, 바람직하게는 40 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 35 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 30 ㎚ 이하, 특히 바람직하게는 28 ㎚ 이하이다. 투명 도전층 (6) 의 두께를 상기 하한 이상으로 함으로써, 가열 처리할 때에 ITO 층 등의 투명 도전층 (6) 을 보다 균일하게 결정 전화시킬 수 있다. 한편, 투명 도전층 (6) 의 두께를 상기 상한 이하로 함으로써, 투명 도전성 필름 (1) 의 광 투과율이 크게 저하될 우려가 없다.
투명 도전층 (6) 의 두께는, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의한 단면 관찰에 의해 측정된다.
투명 도전층 (6) 은, 결정질 및 비정질 중 어느 것이어도 되고, 또 결정질 및 비정질의 혼합체여도 된다. 투명 도전층 (6) 은, 바람직하게는 결정질로 이루어지고, 보다 구체적으로는 결정질 ITO 층이다. 이로써, 투명 도전층 (6) 의 투명성을 향상시키고, 또, 투명 도전층 (6) 의 비저항값을 보다 더 저감시킬 수 있다.
투명 도전층 (6) 이 결정질막인 것은, 예를 들어, 투명 도전층 (6) 이 ITO 층인 경우에는, 20 ℃ 의 염산 (농도 5 질량％) 에 15 분간 침지시킨 후, 수세·건조시키고, 15 ㎜ 정도 사이의 단자 간 저항을 측정함으로써 판단할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 염산 (20 ℃, 농도 : 5 질량％) 으로의 침지·수세·건조 후, 15 ㎜ 사이의 단자 간 저항이 10 ㏀ 이하인 경우, ITO 층이 결정질인 것으로 한다.
7. 투명 도전성 필름의 제조 방법
이어서, 투명 도전성 필름 (1) 을 제조하는 방법을 설명한다.
투명 도전성 필름 (1) 을 제조하려면, 예를 들어, 투명 기재 (2) 상에 굴절률 조정층 (3), 밀착층 (4), 광학 조정층 (5) 및 투명 도전층 (6) 을 순서대로 형성한다. 이하, 상세히 서술한다.
먼저, 공지 또는 시판되는 투명 기재 (2) 를 준비한다.
그 후, 필요에 따라, 투명 기재 (2) 와 굴절률 조정층 (3) 의 밀착성의 관점에서, 투명 기재 (2) 의 표면에, 예를 들어, 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성, 산화 등의 에칭 처리나 언더코트 처리를 실시할 수 있다. 또, 용제 세정, 초음파 세정 등에 의해 투명 기재 (2) 를 제진, 청정화할 수 있다.
이어서, 투명 기재 (2) 상에 굴절률 조정층 (3) 을 형성한다. 예를 들어, 투명 기재 (2) 에 수지 조성물을 습식 도공함으로써, 투명 기재 (2) 의 상면에 굴절률 조정층 (3) 을 형성한다.
구체적으로는, 수지 조성물을 용매로 희석시킨 희석액을 조제하고, 계속해서, 희석액을 투명 기재 (2) 의 상면에 도포하고, 희석액을 건조시킨다.
용매로는, 예를 들어, 유기 용매, 수계 용매 (구체적으로는, 물) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 유기 용매를 들 수 있다. 유기 용매로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올 화합물, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 (MIBK) 등의 케톤 화합물, 예를 들어, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르 화합물, 예를 들어, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 화합물 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 단독 사용하거나 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는 케톤 화합물을 들 수 있다.
희석액에 있어서의 고형분 농도는, 예를 들어, 1 질량％ 이상 30 질량％ 이하이다.
도포 방법으로는 희석액 및 투명 기재에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 롤러 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 익스트루전 코트법 등을 들 수 있다.
건조 온도는, 예를 들어, 60 ℃ 이상, 바람직하게는 70 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 80 ℃ 이상이며, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는 150 ℃ 이하이다.
건조 시간은, 예를 들어, 0.5 분 이상, 바람직하게는 1 분 이상, 보다 바람직하게는 2 분 이상이며, 예를 들어, 60 분 이하, 바람직하게는 20 분 이하이다. 건조 시간을 상기 범위로 함으로써, 나아가서는, 무기 입자의 입경이나 재료를 적절히 조정함으로써, 수지에 분산되는 무기 입자를 침강시킬 수 있어, 얻어지는 굴절률 조정층 (3) 의 상면 근방에 있어서 무기 입자의 존재량을 저감시킬 수 있다.
상기한 도포 및 건조에 의해, 투명 기재 (2) 의 상면에 수지 조성물을 필름 형상으로 형성한다.
그 후, 수지 조성물의 수지가 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 희석액의 건조 후에 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.
또한, 수지 조성물의 수지로서 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열경화성 수지를 열경화시킬 수 있다.
이어서, 굴절률 조정층 (3) 상에 밀착층 (4) 을 형성한다. 예를 들어, 건식 방법에 의해, 굴절률 조정층 (3) 의 상면에 밀착층 (4) 을 형성한다.
건식 방법으로는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 바람직하게는 스퍼터링법을 들 수 있다. 이 방법에 의해 밀착층 (4) 을 형성함으로써, 고밀도의 밀착층 (4) 을 형성할 수 있기 때문에, 굴절률 조정층 (3) 과 밀착층 (4) 의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
스퍼터링법을 채용하는 경우, 타깃재로는, 밀착층 (4) 을 구성하는 상기 서술한 무기물을 들 수 있다. 예를 들어, 밀착층 (4) 으로서 규소 산화물 (SiOx) 등의 규소 화합물로 이루어지는 층을 형성하는 경우에는, Si 를 사용할 수 있다.
스퍼터 가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다.
또, 밀착층 (4) 이 무기 산화물 (예를 들어, 규소 산화물) 을 함유하는 경우에는, 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용해도 된다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량비는 특별히 한정되지 않지만, 불활성 가스와 반응성 가스의 유량비는, 예를 들어, 100 : 0 ∼ 100 : 3, 바람직하게는 100 : 0.01 ∼ 100 : 3, 보다 바람직하게는 100 : 0.01 ∼ 100 : 1, 더욱 바람직하게는 100 : 0.01 ∼ 100 : 0.5 이다. 유량비를 상기 범위 내로 함으로써, 투명 기재 (2) 로부터 공여되는 반응성 가스에 의해 밀착층 (4) 이 과잉으로 산화되는 것을 억제하여, 밀착성의 저하를 억제할 수 있다.
스퍼터링시의 방전 기압은, 스퍼터링 레이트의 저하 억제, 방전 안정성 등의 관점에서, 예를 들어, 1 ㎩ 이하이고, 바람직하게는 0.1 ㎩ 이상 0.7 ㎩ 이하이다.
또한, 밀착층 (4) 의 형성에 있어서의 건식 방법은, 바람직하게는 냉각하에서 실시한다. 예를 들어, 굴절률 조정층 (3) 을 냉각시키면서, 스퍼터링을 실시한다. 구체적으로는, 굴절률 조정층 (3) 이 적층된 투명 기재 (2) 의 하면 (굴절률 조정층 (3) 이 적층되어 있는 측과 반대측의 표면) 을 냉각 롤 등의 냉각 장치에 접촉시키면서, 스퍼터링을 실시한다.
냉각 온도로는, 예를 들어, 20 ℃ 이하, 바람직하게는 10 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 0 ℃ 미만이며, 또, 예를 들어, -30 ℃ 이상이다.
냉각하에서 실시함으로써, 비화학량론 조성의 무기 화합물을 함유하는 밀착층 (4) 을 형성할 수 있다. 특히, Si 를 타깃으로 하고, 저온에서 스퍼터링 형성함으로써, 비화학량론 조성의 규소 화합물을 함유하는 층, 즉, Si2p 궤도의 결합 에너지가 99.0 eV 이상 103.0 eV 미만인 규소 화합물층을 형성할 수 있다. 따라서, 굴절률 조정층 (3) 과 강고하게 밀착될 수 있는 밀착층 (4) 을 확실하게 형성할 수 있다.
스퍼터링법에 사용하는 전원은, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원 중 어느 것이어도 되고, 또 이것들의 조합이어도 된다.
이어서, 밀착층 (4) 상에 광학 조정층 (5) 을 형성한다. 예를 들어, 건식 방법에 의해, 밀착층 (4) 의 상면에 광학 조정층 (5) 을 형성한다.
광학 조정층 (5) 의 형성시의 건식 방법으로는, 밀착층 (4) 에서 상기 서술한 건식 방법을 들 수 있으며, 바람직하게는 스퍼터링법을 들 수 있다.
스퍼터링법을 채용하는 경우, 타깃재로는, 광학 조정층 (5) 을 구성하는 상기 서술한 무기물을 들 수 있다. 예를 들어, 광학 조정층 (5) 이 이산화규소 (SiO2) 로 이루어지는 층을 형성하는 경우에는, Si 를 들 수 있다.
스퍼터 가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다.
또, 광학 조정층 (5) 이 산화물 (바람직하게는 이산화규소 (SiO2)) 을 함유하는 경우에는, 바람직하게는 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용한다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량비는 특별히 한정되지 않지만, 불활성 가스와 반응성 가스의 유량비는, 예를 들어, 100 : 35 ∼ 100 : 100 이고, 바람직하게는 100 : 40 ∼ 100 : 60 이다. 유량비가 상기 범위 내이면, 가스 배리어성을 갖는 밀착층 (4) 이 존재하여, 투명 기재 (2) 로부터 공여되는 반응성 가스가 적은 환경이어도, 바람직하게 산화물을 얻을 수 있다.
스퍼터링시의 방전 기압은, 스퍼터링 레이트의 저하 억제, 방전 안정성 등의 관점에서, 예를 들어, 1 ㎩ 이하이며, 바람직하게는 0.1 ㎩ 이상 0.7 ㎩ 이하이다.
또한, 광학 조정층 (5) 의 형성에 있어서의 건식 방법은, 냉각하 및 비냉각하 중 어느 쪽에서 실시해도 된다.
스퍼터링법에 사용하는 전원은, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원 중 어느 것이어도 되고, 또 이것들의 조합이어도 된다.
이어서, 광학 조정층 (5) 의 상면에 투명 도전층 (6) 을 형성한다.
투명 도전층 (6) 의 형성으로는, 상기 서술한 건식 방법을 들 수 있고, 바람직하게는 스퍼터링법을 들 수 있다.
스퍼터링법을 채용하는 경우, 타깃재로는, 투명 도전층 (6) 을 구성하는 상기 서술한 금속 산화물을 들 수 있고, 바람직하게는 ITO 를 들 수 있다. ITO 의 산화주석 농도는, ITO 층의 내구성, 결정화 등의 관점에서, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는 3 질량％ 이상이며, 또, 예를 들어, 15 질량％ 이하, 바람직하게는 13 질량％ 이하이다.
스퍼터 가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다. 또, 필요에 따라, 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용할 수 있다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량비는 특별히 한정되지 않지만, 스퍼터 가스 및 반응성 가스의 합계 유량비에 대하여, 예를 들어, 0.1 유량％ 이상 5 유량％ 이하이다.
스퍼터시의 방전 기압은, 스퍼터링 레이트의 저하 억제, 방전 안정성 등의 관점에서, 예를 들어, 1 ㎩ 이하이며, 바람직하게는 0.1 ㎩ 이상 0.7 ㎩ 이하이다.
스퍼터링법에 사용하는 전원은, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원 중 어느 것이어도 되고, 또 이것들의 조합이어도 된다.
또, 원하는 두께의 투명 도전층 (6) 을 형성하기 위해, 타깃재나 스퍼터링의 조건 등을 적절히 설정하여 복수 회 스퍼터링을 실시해도 된다.
이로써, 투명 도전성 필름 (1) 이 얻어진다.
이어서, 필요에 따라, 투명 도전성 필름 (1) 의 투명 도전층 (6) 에 대하여, 결정 전화 처리를 실시한다.
구체적으로는, 투명 도전성 필름 (1) 에 대기하에서 가열 처리를 실시한다.
가열 처리는, 예를 들어, 적외선 히터, 오븐 등을 사용하여 실시할 수 있다.
가열 온도는, 예를 들어, 100 ℃ 이상, 바람직하게는 120 ℃ 이상이며, 또, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는 160 ℃ 이하이다. 가열 온도를 상기 범위 내로 함으로써, 투명 기재 (2) 의 열손상 및 투명 기재 (2) 로부터 발생하는 불순물을 억제하면서, 결정 전화를 확실하게 할 수 있다.
가열 시간은, 가열 온도에 따라 적절히 결정되지만, 예를 들어, 10 분 이상, 바람직하게는 30 분 이상이며, 또, 예를 들어, 5 시간 이하, 바람직하게는 3 시간 이하이다.
이로써, 결정화된 투명 도전층 (6) 을 구비하는 투명 도전성 필름 (1) 이 얻어진다.
이와 같이 하여 얻어지는 투명 도전성 필름 (1) 에 있어서의 투명 도전층 (6) 의 표면 저항값은, 예를 들어, 200 Ω/□ 미만, 바람직하게는 170 Ω/□ 미만, 보다 바람직하게는 150 Ω/□ 미만, 더욱 바람직하게는 145 Ω/□ 이하이며, 또, 예를 들어, 50 Ω/□ 이상이다.
투명 도전성 필름 (1) 에 있어서의 투명 도전층 (6) 의 비저항값은, 예를 들어, 3.7 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 바람직하게는 3.5 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 보다 바람직하게는 3.3 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 더욱 바람직하게는 3.1 × 10-4 Ω·㎝ 이하이며, 또, 예를 들어, 1.1 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 바람직하게는 1.4 × 10-4 Ω·㎝ 이상이다.
표면 저항값은, 투명 도전층 (6) 의 표면을 4 단자법에 의해 측정함으로써 구해지며, 비저항값은, 그 측정된 표면 저항값 및 투명 도전층 (6) 의 두께로부터 산출된다.
투명 도전성 필름 (1) 의 총 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는 20 ㎛ 이상이며, 또, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 150 ㎛ 이하이다.
또한, 필요에 따라, 결정 전화 처리 전 또는 후에, 공지된 에칭 수법에 의해 투명 도전층 (6) 을 스트라이프상 등의 배선 패턴으로 형성해도 된다.
또, 상기 제조 방법에서는, 롤 투 롤 방식으로, 투명 기재 (2) 를 반송시키면서, 그 투명 기재 (2) 의 상면에 굴절률 조정층 (3), 밀착층 (4), 광학 조정층 (5) 및 투명 도전층 (6) 을 순서대로 형성해도 되고, 또, 이들 층의 일부 또는 전부를 배치 방식으로 형성해도 된다.
그리고, 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 굴절률 조정층 (3) 과, 밀착층 (4) 과, 투명 도전층 (6) 을 순서대로 구비하고 있고, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 근방 영역에 있어서의 탄소 원자수에 대한 무기 원자수의 비가 0.05 미만이다. 그 때문에, 상면 근방 영역에 무기 입자의 존재수가 저감되어 있고, 굴절률 조정층 (3) 의 상면 및 그 위에 형성되는 투명 도전층 (6) 의 표면을 평활하게 할 수 있다. 따라서, 투명 도전층 (6) 의 비저항값이 저감되어 있어, 저저항화가 도모되어 있다.
또, 밀착층 (4) 은 상기 굴절률 조정층 (3) 과 접촉하고 있다. 그 때문에, 굴절률 조정층 (3) 은 밀착층 (4) 에 강고하게 밀착되고, 굴절률 조정층 (3) 은 밀착층 (4) 을 개재하여 광학 조정층 (5) 이나 투명 도전층 (6) 과 밀착되어 있다. 따라서, 특히 가혹 조건하에 있어서도, 구체적으로는, 85 ℃ 85 ％ 환경에서 150 시간 이상, 바람직하게는 200 시간 이상, 보다 바람직하게는 240 시간 이상의 노출 후에 있어서도, 수지 함유층 (굴절률 조정층 (3)) 과 무기물층 (광학 조정층 (5) 이나 투명 도전층 (6)) 사이에 발생하기 쉬운 층간 박리를 억제할 수 있다. 그 결과, 투명 도전성 필름 (1) 내의 층간 박리, 나아가서는, 파손을 억제할 수 있다.
따라서, 이 투명 도전성 필름 (1) 에 의하면, 필름의 파손을 억제하면서 양호한 도전 특성을 구비할 수 있기 때문에, 대형이나 박형 터치 패널용 기재로서 사용해도, 터치 패널의 감도 등의 여러 기능의 저하를 억제할 수 있다.
이 투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재에 사용된다. 터치 패널의 형식으로는, 광학 방식, 초음파 방식, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등의 각종 방식을 들 수 있고, 특히 정전 용량 방식의 터치 패널에 바람직하게 사용된다.
(변형예)
도 1 의 실시형태에서는, 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 굴절률 조정층 (3) 과, 밀착층 (4) 과, 광학 조정층 (5) 과, 투명 도전층 (6) 을 구비하고 있지만, 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 굴절률 조정층 (3) 과, 밀착층 (4) 과, 투명 도전층 (6) 으로 구성할 수도 있다.
즉, 도 2 의 투명 도전성 필름 (1) 에서는, 투명 기재 (2) 와, 투명 기재 (2) 상에 배치되는 굴절률 조정층 (3) 과, 굴절률 조정층 (3) 상에 배치되는 밀착층 (4) 과, 밀착층 (4) 상에 배치되는 투명 도전층 (6) 을 구비하고 있고, 광학 조정층 (5) 을 구비하고 있지 않다.
또, 도 1 의 실시형태에 있어서, 굴절률 조정층 (3) 을 투명 기재 (2) 의 상면에 접촉시키고 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도시하지 않지만, 굴절률 조정층 (3) 을 투명 기재 (2) 의 상면에 접촉시키지 않고, 그것들 사이에 다른 층을 개재시킬 수도 있다.
또, 예를 들어, 도시하지 않지만, 광학 조정층 (5) 의 상면 및/또는 하면에, 광학 굴절 조정층 (5) 보다 낮은 굴절률 또는 높은 굴절률을 갖는 굴절률층을 적층시킬 수도 있다.
본 발명에서는, 배선 패턴의 시인 억제 등의 관점에서, 바람직하게는 도 1 의 투명 도전성 필름 (1) 을 들 수 있다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 전혀 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. 또, 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등 해당 기재의 상한값 (「이하」,「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한값 (「이상」,「초과」로서 정의되어 있는 수치) 으로 대체할 수 있다.
실시예 1
(투명 기재)
투명 기재로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (미츠비시 수지사 제조, 상품명「다이아 포일」, 두께 100 ㎛) 을 사용하였다.
(굴절률 조정층의 형성)
산화지르코늄 (ZrO2) 입자 (평균 입경 20 ㎚) 를 메틸에틸케톤에 분산시킨 분산액과 자외선 경화형 아크릴 수지를 혼합하고, 고형분 농도가 5 질량％ 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석시켜, 자외선 경화형 수지 조성물의 희석액을 조제하였다. 또한, 상기 자외선 경화형 수지 조성물은, 자외선 경화형 아크릴 수지와 산화지르코늄 입자의 합계를 100 질량％ 로 한 경우, 그 조성이 자외선 경화형 아크릴 수지 25 질량％, 산화지르코늄 입자 75 질량％ 가 되도록 조정하였다.
이어서, 희석액을 PET 필름의 상면에 건조 후의 두께가 300 ㎚ 가 되도록 도포하고, 80 ℃ 에서 3 분간 가열 건조시켰다. 그 후, 고압 수은 램프로 적산 광량 300 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써, 굴절률 조정층을 형성하였다. 즉, 투명 기재·굴절률 조정층 적층체를 얻었다.
굴절률 조정층의 굴절률은 1.65 이고, 상면 근방의 Zr/C 의 비율은 0.02 였다 (측정 방법은 후술한다).
(밀착층의 형성)
이어서, Ar 을 도입한 기압 0.3 ㎩ 의 진공 분위기에 O2 를 도입하면서, 하기의 조건에서 스퍼터링을 실시하여, 굴절률 조정층의 상면에 밀착층을 형성하였다.
전원 : 교류 중주파 (AC/MF) 전원
타깃 : Si (미츠이 금속 광업사 제조)
가스 유량비 : Ar : O2 ＝ 100 : 0.1
또한, 밀착층의 형성에 있어서, PET 필름의 하면 (굴절률 조정층이 형성된 면과는 반대측의 면) 을 -5 ℃ 의 성막 롤에 접촉시켜, PET 필름을 냉각시키면서 실시하였다.
얻어진 밀착층은, Si2p 궤도의 결합 에너지가 102.2 eV 인 두께 2 ㎚ 의 규소 화합물층이었다. 또한, 밀착층의 굴절률은 1.74 였다.
(광학 조정층의 형성)
이어서, Ar 을 도입한 기압 0.2 ㎩ 의 진공 분위기에 O2 를 도입하면서, 하기의 조건에서 스퍼터링을 실시하여, 밀착층의 상면에 광학 조정층을 형성하였다.
전원 : 교류 중주파 (AC/MF) 전원
타깃 : Si (미츠이 금속 광업사 제조)
가스 유량비 : Ar : O2 ＝ 100 : 41
얻어진 광학 조정층은, 두께 14 ㎚ 의 SiO2 층이었다.
(투명 도전층의 형성)
하기의 조건에서 스퍼터링을 실시하여, 광학 조정층의 상면에 두께 15 ㎚ 의 인듐주석 산화물층으로 이루어지는 제 1 투명 도전층을 형성하였다.
기압 : 0.4 ㎩
가스비 : Ar 및 O2 (유량비 Ar : O2 ＝ 99 : 1)
전원 : 직류 (DC) 전원
타깃 : 산화주석 (10 질량％) 과 산화인듐 (90 질량％) 의 소결체
계속해서, 하기의 조건에서 스퍼터링을 실시하여, 제 1 투명 도전층의 상면에 두께 7 ㎚ 의 인듐주석 산화물층으로 이루어지는 제 2 투명 도전층을 형성하였다.
기압 : 0.3 ㎩
가스비 : Ar 및 O2 (유량비 Ar : O2 ＝ 99 : 1)
전원 : 직류 (DC) 전원
타깃 : 산화주석 (3 질량％) 과 산화인듐 (97 질량％) 의 소결체
가스 유량비 : Ar : O2 ＝ 99 : 1
이와 같이 하여, 제 1 투명 도전층 및 제 2 투명 도전층의 적층체로 이루어지는 비정질 ITO 층 (22 ㎚) 을 광학 조정층의 상면에 형성하였다.
(결정 전화 처리)
이어서, 비정질 ITO 층이 형성된 필름을 140 ℃ 의 오븐 내에서 60 분 가열 처리하여, 투명 도전층으로서 결정질 ITO 층 (두께 22 ㎚) 을 형성하였다. 가열 처리한 투명 도전층은, 20 ℃ 의 염산 (농도 5 질량％) 에 15 분간 침지시킨 후, 수세·건조시키고, 15 ㎜ 정도 사이의 단자 간 저항을 측정하여, ITO 층이 결정질인 것을 확인하였다. 이로써, 실시예 1 의 투명 도전성 필름을 제조하였다 (도 1 참조).
실시예 2
굴절률 조정층의 형성에 있어서, 자외선 경화형 수지 조성물의 조성이 자외선 경화형 아크릴 수지 22 질량％, 산화지르코늄 입자 78 질량％ 가 되도록 조정하고, 상면 근방의 탄소 원자에 대한 지르코늄 원자의 비 (Zr/C) 가 0.04 가 되도록 조정한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 굴절률 조정층 (굴절률 1.67) 을 형성하였다.
또, 밀착층의 형성에 있어서, Ar 과 O2 의 유량비를 Ar : O2 ＝ 100 : 0.3 으로 하고, 밀착층의 두께를 3 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 밀착층 (Si2p 궤도의 결합 에너지는 102.5 eV) 을 형성하였다.
이로써, 실시예 2 의 투명 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 3
밀착층의 형성에 있어서, O2 를 도입하지 않고, 또한 밀착층의 두께를 3 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 밀착층 (Si2p 궤도의 결합 에너지는 101.6 eV) 을 형성하였다.
이로써, 실시예 3 의 투명 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 4
밀착층의 형성에 있어서, O2 를 도입하지 않고, 또한 밀착층의 두께를 10 ㎚ 가 되도록 형성한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 밀착층 (Si2p 궤도의 결합 에너지는 98.9 eV) 을 형성하였다.
이로써, 실시예 4 의 투명 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 5
밀착층의 형성에 있어서, Ar 과 O2 의 유량비를 Ar : O2 ＝ 100 : 25 로 하고, 또한 밀착층의 두께를 10 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 밀착층 (Si2p 궤도의 결합 에너지는 103.1 eV) 을 형성하였다.
이로써, 실시예 5 의 투명 도전성 필름을 제조하였다.
비교예 1
굴절률 조정층의 형성에 있어서, 굴절률 조정층의 조성이 자외선 경화형 아크릴 수지 15 질량％, 산화지르코늄 입자 85 질량％ 가 되도록 조정하고, 상면 근방의 탄소 원자에 대한 지르코늄 원자의 비 (Zr/C) 가 0.09 가 되도록 조정하였다. 또, 굴절률 조정층의 두께를 1.1 ㎛ 가 되도록 변경하였다. 이들 변경 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 굴절률 조정층 (굴절률층 1.75) 을 형성하였다.
또, 밀착층의 형성에 있어서, O2 를 도입하지 않고, 또한 밀착층의 두께를 3 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 밀착층 (Si2p 궤도의 결합 에너지는 102.8 eV) 을 형성하였다.
이로써, 비교예 1 의 투명 도전성 필름을 제조하였다.
또한, 실시예 1 과 동일한 방법으로 가열 처리 후의 투명 도전층을 염산에 침지시킨 결과, ITO 층이 완전히 결정질로 전화되지 않은 것을 확인하였다.
비교예 2
밀착층을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 비교예 2 의 투명 도전성 필름을 제조하였다.
(1) 각 층의 두께
굴절률 조정층, 밀착층, 광학 조정층 및 투명 도전층의 두께는, 투과형 전자 현미경 (히타치 제작소 제조,「H-7650」) 을 사용하여 단면 관찰에 의해 측정하였다. 투명 기재의 두께는, 막두께계 (Peacock 사 제조의 디지털 다이얼 게이지 DG-205) 를 사용하여 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(2) 굴절률 조정층, 밀착층 및 광학 조정층의 굴절률
굴절률은, 굴절률 조정층, 밀착층 또는 광학 조정층을 형성한 후, 각각 고속 분광 엘립소미터 (J. A. Woollam 사 제조, M-2000DI) 를 사용하여, 측정 시료로부터의 반사광의 편광 상태의 변화를 측정하고, 취득한 데이터를 해석 소프트 WVASE32 로 계산함으로써 구하였다. 또한, 본 명세서의 굴절률의 수치는 파장 550 ㎚ 에 있어서의 굴절률이다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(3) 굴절률 조정층의 상면 근방에 있어서의 Zr/C 비
투명 기재·굴절률 조정층 적층체에 대하여, X 선 광 전자 분광법 (ESCA : Electron Spectroscopy for Chemical Analysis, 측정 장치 :「Quantum2000」, 알박·파이사 제조) 을 사용하여, 굴절률 조정층의 상면을 두께 1 ㎚ 정도, 표면 오염의 제거를 위해 에칭하였다. 계속해서, 그 에칭 후의 상면에 대하여 C 원자, O 원자 및 Zr 원자의 원소 비율 (atomic％) 을 측정하고, 상면 근방 영역 (두께 0 ∼ 10 ㎚) 에 있어서의 C 원자수에 대한 Zr 원자수의 비를 구하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(4) 밀착층의 Si2p 궤도의 결합 에너지
실시예 1 ∼ 3, 비교예 1 에 있어서는, 각 예의 투명 도전성 필름에 대하여, 하기의 조건에서 X 선 광 전자 분광법 (측정 장치는 상기와 동일) 을 실시하여, 뎁스 프로파일을 취득하고, 밀착층 (밀착층의 종단부로부터 1 ㎚ 상측 영역) 에 있어서의 Si2p 궤도의 결합 에너지를 구하였다.
X 선원 : 모노크롬 AlKα
X Ray setting : 200 ㎛φ, 15 ㎸, 30 W
광 전자 취출각 : 시료 표면에 대하여 45°
대전 중화 조건 : 전자 중화총과 Ar 이온총 (중화 모드) 의 병용
결합 에너지 : C1s 스펙트럼의 C-C 결합 유래의 피크를 285.0 eV 로 보정 (최표면만)
Ar 이온총의 가속 전압 : 1 ㎸
Ar 이온총의 에칭 속도 : 2 ㎚/분 (SiO2 환산)
실시예 4, 5 에 있어서는, 투명 기재·굴절률 조정층 적층체의 굴절률 조정층 상에 밀착층을 형성한 밀착층 적층 필름을 준비하고, 밀착층의 최표면을 2 ㎚ 에칭하여 표면 오염을 제거한 후, X 선 광 전자 분광법 (측정 장치는 상기와 동일) 에 의해 Si2p 궤도의 결합 에너지를 구하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(5) 투명 도전층의 표면 저항값 및 비저항값
투명 도전층의 표면 저항값을 JIS K 7194 (1994년) 에 준하여 4 단자법을 사용하여 측정하였다. 또, 표면 저항값과 투명 도전층의 두께 (㎝ 환산) 를 곱한 값을 비저항값으로 하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(6) 밀착성
투명 도전성 필름을 85 ℃ 85 ％ 의 가습 환경하에 240 시간 노출시킨 후, JIS K 5400 에 준하여, 크로스 컷 박리 테스트 (각 칸 1 ㎜□, 합계 100 칸) 를 실시하여, 하기의 기준으로 밀착성을 평가하였다.
박리가 0 칸인 경우를 ○ 로 평가하였다.
박리가 1 칸 이상 10 칸 이하인 경우를 △ 로 평가하였다.
박리가 11 칸 이상인 경우를 × 로 평가하였다.
또한, 본 명세서에 있어서, 박리란, 1 칸당 0.25 ㎟ 이상 (칸 면적의 1/4 이상) 박리가 있는 경우를 의미한다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(7) 광 투과율
스가 시험기사 제조의 헤이즈미터 (형식 : HGM-2DP) 를 사용하여, 투명 도전성 필름의 전광선 투과율을 측정하였다.
전광선 투과율이 90 ％ 이상인 경우를 ○ 로 평가하였다.
전광선 투과율이 75 ％ 이상 90 ％ 미만인 경우를 △ 로 평가하였다.
전광선 투과율이 75 ％ 미만인 경우를 × 로 평가하였다.
결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00001
또한, 상기 발명은 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공하였지만, 이것은 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 이후에 기재하는 청구의 범위에 포함된다.
산업상 이용가능성
본 발명의 투명 도전성 필름은, 각종 산업 제품에 사용할 수 있으며, 예를 들어, 화상 표시 장치에 장착되는 터치 패널용 필름 등에 바람직하게 사용된다.
1 : 투명 도전성 필름
2 : 투명 기재
3 : 굴절률 조정층
4 : 밀착층
5 : 광학 조정층
6 : 투명 도전층

Claims (7)

  1. 투명 기재와, 수지 및 무기 입자를 함유하는 굴절률 조정층과, 무기 원자를 함유하는 밀착층과, 투명 도전층을 두께 방향으로 순서대로 구비하고,
    상기 밀착층은 상기 굴절률 조정층과 접촉하고 있고,
    상기 굴절률 조정층의, 상기 밀착층과 접촉하는 측의 계면 근방 영역에 있어서의, 탄소 원자수에 대한 무기 원자수의 비가 0.05 미만인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀착층이 비화학량론 조성의 무기 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 비화학량론 조성의 무기 화합물이 비화학량론 조성의 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀착층은 규소 원자를 함유하고,
    X 선 광 전자 분광법에 의해 구해지는 Si2p 궤도의 결합 에너지가 99.0 eV 이상 103.0 eV 미만인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀착층과 상기 투명 도전층 사이에, 무기 산화물을 함유하는 광학 조정층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 도전층의 표면 저항값이 200 Ω/□ 미만인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 도전층의 비저항값이 3.7 × 10-4 Ω·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
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