KR20170098686A - 광경화성 조성물 및 전자 부품의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

고온 하에 노출되어도, 발포, 박리 및 변색이 발생하기 어려운 경화물막을 얻을 수 있고, 또한 백색 안료가 사용되어 있음으로써, 광의 반사율이 높은 경화물막을 얻을 수 있는 광경화성 조성물을 제공한다. 본 발명에 관한 광경화성 조성물은 카르복실기를 갖지 않고, 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖고, 또한 2000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 광경화성 화합물과, 에틸렌성 불포화 결합을 1개 이상 갖는 반응성 희석제와, 티올기를 1개 이상 갖는 티올기 함유 화합물과, 백색 안료와, 광중합 개시제를 포함하고, 열경화성 화합물을 포함하지 않거나, 또는 열경화성 화합물을 5중량% 이하로 포함한다.

Description

광경화성 조성물 및 전자 부품의 제조 방법 {PHOTOCURABLE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC COMPONENT}

본 발명은 광의 조사에 의해 경화되어 사용되는 광경화성 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 광경화성 조성물을 사용하는 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.

프린트 배선판을 고온의 땜납으로부터 보호하기 위한 보호막으로서, 솔더 레지스트막이 널리 사용되고 있다.

또한, 다양한 전자 부품에 있어서, 프린트 배선판의 상면에 발광 다이오드(이하, LED로 간략함) 칩이 탑재되어 있다. LED로부터 발해진 광 중, 상기 프린트 배선판의 상면측에 도달한 광도 이용하기 위해, 프린트 배선판의 상면에 백색 솔더 레지스트막이 형성되어 있는 경우가 있다. 백색 솔더 레지스트막은 백색 안료를 포함한다. 이와 같은 백색 솔더 레지스트막을 형성한 경우에는 LED 칩의 표면으로부터 프린트 배선판과는 반대측에 직접 조사되는 광뿐만 아니라, 프린트 배선판의 상면측에 도달하고, 백색 솔더 레지스트막에 의해 반사된 반사광도 이용할 수 있다. 따라서, LED로부터 발생한 광의 이용 효율을 높일 수 있다.

또한, 솔더 레지스트막 용도 이외에도, 다양한 광반사 용도에 있어서, 백색 안료를 포함하는 경화물막이 사용되고 있다.

상기 백색 솔더 레지스트막을 형성하기 위한 재료의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는 에폭시 수지와 가수분해성 알콕시실란의 탈알코올 반응에 의해 얻어진 알콕시기 함유 실란 변성 에폭시 수지를 함유하고, 또한 불포화기 함유 폴리카르복실산 수지와, 희석제와, 광중합 개시제와, 경화 밀착성 부여제를 더 함유하는 레지스트 재료가 개시되어 있다.

하기의 특허문헌 2에는 방향환을 갖지 않는 카르복실기 함유 수지와, 광중합 개시제와, 에폭시 화합물과, 루틸형 산화티타늄과, 희석제를 함유하는 백색 솔더 레지스트 재료가 개시되어 있다.

하기의 특허문헌 3에는 백색 잉크층과 언더코트층을 포함하는 2층의 LED용 솔더 레지스트막을 형성하기 위한 조성물이 개시되어 있다. 상기 백색 잉크층을 형성하기 위한 조성물은, (A1) 우레탄아크릴레이트 수지 또는 우레탄아크릴레이트 수지와 에폭시아크릴레이트 수지의 혼합물인 광중합 반응성 중합체, (A2) 상기 광중합 반응성 중합체 (A1) 100질량부에 대해 100 내지 170질량부의 백색 안료 및 (A3) 상기 광중합 반응성 중합체 (A1) 100질량부에 대해 10 내지 50질량부의 광중합 개시제를 포함한다. 상기 언더코트층을 형성하기 위한 조성물은, (B1) 에폭시아크릴레이트 수지인 광중합 반응성 중합체, (B2) 상기 광중합 반응성 중합체 (B1) 100질량부에 대해 200 내지 300질량부의 충전재 및 (B3) 상기 광중합 반응성 중합체 (B1) 100질량부에 대해 10 내지 50질량부의 광중합 개시제를 포함한다.

하기의 특허문헌 4에는 (A) 1분자 중에 2개 이상의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 활성 에너지선 경화성 수지, (B) 아실포스핀계 광중합 개시제, (C) 벤조일옥심계 광중합 개시제, (D) 산화티타늄 및 (E) 반응성 희석제를 포함하는 백색 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2007-249148호 공보 일본 특허 공개 제2007-322546호 공보 일본 특허 공개 제2013-194057호 공보 일본 특허 공개 제2014-043523호 공보

특허문헌 1, 2에 기재된 재료에서는 레지스트막을 형성하기 위해, 포토리소그래피에 있어서의 노광 공정 및 현상 공정 등의 많은 공정이 필요하다. 이로 인해, 공정수가 많아, 전자 부품 등의 제조 효율이 나쁘다.

또한, 특허문헌 1, 2에 기재된 재료에서는 산 또는 알칼리 등의 약액을 사용한 현상을 행하기 때문에, 환경 부하가 크다. 또한, 현상에 의해 제거되는 레지스트층 부분을 형성하기 위해, 여분의 레지스트 재료를 사용해야만 한다. 또한, 현상에 의해 제거된 레지스트층 부분은 폐기물이 된다. 이로 인해, 폐기물의 양이 많으므로 환경 부하가 크다.

특허문헌 3에서는 백색 잉크층과 언더코트층을 포함하는 2층의 LED용 솔더 레지스트막을 형성하고 있다. 이 경우는, 백색 잉크층을 형성하기 위한 조성물과, 언더코트층을 형성하기 위한 조성물을 별도로 준비하고, 또한 이들 2개의 조성물을 별도로 도포하는 작업이 필요하다. 이로 인해, 전자 부품 등의 제조 효율이 나쁘고, 전자 부품의 제조 비용도 높아진다.

또한, 특허문헌 1 내지 4에 기재한 바와 같은 종래의 재료에서는 레지스트막이 고온에 노출되었을 때에, 발포 및 박리가 발생하는 경우가 있다. 또한, 레지스트막의 내열성이 낮고, 고온 하에 노출된 레지스트막이 변색되는 경우가 있다.

본 발명의 목적은 고온 하에 노출되어도, 발포, 박리 및 변색이 발생하기 어려운 경화물막을 얻을 수 있고, 또한 백색 안료가 사용되어 있음으로써, 광의 반사율이 높은 경화물막을 얻을 수 있는 광경화성 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 상기 광경화성 조성물을 사용하는 전자 부품의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 카르복실기를 갖지 않고, 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖고, 또한 2000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 광경화성 화합물과, 에틸렌성 불포화 결합을 1개 이상 갖는 반응성 희석제와, 티올기를 1개 이상 갖는 티올기 함유 화합물과, 백색 안료와, 광중합 개시제를 포함하고, 열경화성 화합물을 포함하지 않거나, 또는 열경화성 화합물을 5중량% 이하로 포함하는 광경화성 조성물이 제공된다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는 상기 광경화성 화합물과 상기 반응성 희석제의 합계 100중량부에 대해, 상기 티올기 함유 화합물의 함유량이 0.2중량부 이상, 20중량부 이하이다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는 상기 반응성 희석제가 (메트)아크릴로일기를 1개 이상 갖는다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는 광경화성 조성물 100중량% 중, 상기 광경화성 화합물의 함유량이 5중량% 이상, 30중량% 이하이다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는 광경화성 조성물 100중량% 중, 상기 백색 안료의 함유량이 30중량% 이상이다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는 상기 광경화성 화합물이 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 또는 방향족 골격을 갖는 에폭시(메트)아크릴레이트이다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는 상기 광경화성 화합물이 에폭시(메트)아크릴레이트이다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는 광경화성 조성물은 광조사에 의해 경화되어 사용되고, 또한 현상을 행하지 않고 레지스트막을 형성하기 위해 사용된다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물은, 바람직하게는 도포 대상 부재의 표면 위에 부분적으로 또한 복수의 개소에 도포하여 사용된다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물은, 바람직하게는 열경화제의 작용에 의해 열경화시켜 사용되지 않는다.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 전자 부품 본체의 표면 위에 상술한 광경화성 조성물을 도포하여, 조성물층을 형성하는 공정과, 상기 조성물층에 광을 조사하여, 경화물막을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 경화물막을 형성하기 위해, 상기 조성물층을 현상하지 않는 전자 부품의 제조 방법이 제공된다.

본 발명에 관한 전자 부품의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는 상기 전자 부품 본체의 표면 위에 부분적으로 또한 복수의 개소에 상기 광경화성 조성물을 도포한다.

본 발명에 관한 전자 부품의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는 상기 경화물막을 형성하기 위해, 열경화제의 작용에 의해 상기 조성물층을 열경화시키지 않는다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물은 카르복실기를 갖지 않고, 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖고, 또한 2000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 광경화성 화합물과, 에틸렌성 불포화 결합을 1개 이상 갖는 반응성 희석제와, 티올기를 1개 이상 갖는 티올기 함유 화합물과, 백색 안료와, 광중합 개시제를 포함하고, 열경화성 화합물을 포함하지 않거나, 또는 열경화성 화합물을 5중량% 이하로 포함하므로, 고온 하에 노출되어도, 발포, 박리 및 변색이 발생하기 어려운 경화물막을 얻을 수 있고, 또한 백색 안료가 사용되어 있음으로써, 광의 반사율이 높은 경화물막을 얻을 수 있다.

도 1의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 광경화성 조성물을 사용하여, 전자 부품을 제조하는 방법의 일례를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (e)는 종래의 현상형 레지스트 조성물을 사용하여, 전자 부품을 제조하는 방법의 일례를 설명하기 위한 단면도이다.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.

[비현상형 레지스트 광경화성 조성물]

본 발명에 관한 비현상형 레지스트 광경화성 조성물(이하, 광경화성 조성물이라고 약기하는 경우가 있음)은 광의 조사에 의해 경화되어 사용되고, 또한 현상을 행하지 않고 레지스트막을 형성하기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 본 발명에 관한 광경화성 조성물은 비현상형 레지스트 광경화성 조성물인 것이 바람직하다. 본 발명에 관한 광경화성 조성물을 사용하여, 레지스트막을 형성하기 위해 현상이 행해지지 않는 경우에는, 광경화성 조성물은 레지스트막을 형성하기 위해 현상을 행하는 현상형 레지스트 조성물과는 상이하다. 본 발명에 관한 광경화성 조성물에서는 현상을 행하지 않아도, 양호한 레지스트막을 얻을 수 있는 조성이 채용되어 있다.

본 발명에 관한 광경화성 조성물은, (A) 카르복실기를 갖지 않고, 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖고, 또한 2000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 광경화성 화합물과, (B) 에틸렌성 불포화 결합을 1개 이상 갖는 반응성 희석제와, (C) 티올기를 1개 이상 갖는 티올기 함유 화합물과, (D) 백색 안료와, (E) 광중합 개시제를 포함한다. 본 발명에 관한 광경화성 조성물은 (F) 열경화성 화합물을 포함하지 않거나, 또는 (F) 열경화성 화합물을 5중량% 이하로 포함한다.

본 발명에서는 상기의 구성이 채용되어 있으므로, 현상을 행하지 않아도, 도포 대상 부재에 대한 경화물막(레지스트막 등)의 밀착성을 높일 수 있다. 예를 들어, 기판 등의 전자 부품 본체와 경화물막(레지스트막 등)의 밀착성을 높일 수 있고, 경화물막(레지스트막 등)의 박리를 억제할 수 있다. 또한, 본 발명에 관한 광경화성 조성물은 (D) 백색 안료를 포함하므로, 백색의 경화물막(레지스트막 등)을 형성할 수 있고, 광의 반사율이 높은 경화물막(레지스트막 등)을 얻을 수 있다. 경화물막(레지스트막 등)이 백색인 것에 의해, 경화물막(레지스트막 등)의 광의 반사율을 높일 수 있다. 또한, 본 발명에서는 상기의 구성이 채용되어 있으므로, 고온 하에 노출되어도, 발포, 박리 및 변색이 발생하기 어려운 경화물막(레지스트막 등)을 얻을 수 있다. 이로 인해, 경화물막(레지스트막 등)을 구비하는 전자 부품 등의 신뢰성을 높일 수 있다.

또한, 본 발명에서는 포토리소그래피에 있어서의 노광 공정 및 현상 공정 등의 많은 공정을 행하지 않아도, 양호한 경화물막(레지스트막 등)을 형성할 수 있다. 노광 공정 및 현상 공정을 행하지 않는 경우에는, 폐기물의 양을 적게 할 수 있어, 환경 부하를 저감할 수 있다. 또한, 전자 부품 등의 제조 비용도 낮게 할 수 있다.

광의 조사에 의해 경화시키는 일반적인 광경화성 조성물에서는 양호한 경화된 경화물막을 형성하기 위해서는, 광의 조사 시간을 길게 할 필요가 있다. 한편, 경화물막의 형성 효율을 높이기 위해서는, 광의 조사 시간은 짧은 것이 바람직하다. 그러나, 광의 조사 시간을 짧게 하면, 경화물막이 고온에 노출되었을 때에, 발포 및 박리가 발생하는 경우가 있고, 또한 경화물막의 내열성이 낮아, 고온 하에 노출된 경화물막이 변색되는 경우가 있다. 이에 대해, 본 발명에서는 상기의 구성이 채용되어 있으므로, 광의 조사 시간을 짧게 해도, 고온 하에 노출되어도, 발포, 박리 및 변색이 발생되기 어려운 경화물을 얻을 수 있다.

상기 광경화성 조성물은 광의 조사에 의해 경화시키기 위해, (F) 열경화성 화합물을 포함하고 있지 않아도 되고, 열경화제를 포함하고 있지 않아도 된다. 상기 광경화성 조성물은 열경화제의 작용에 의해 열경화시켜 사용되지 않는 것이 바람직하다. 상기 경화물막(레지스트막 등)을 형성하기 위해, 도포 대상 부재의 표면 위에 배치된 조성물층(레지스트층 등)을 열경화시키지 않아도 된다. 상기 경화물막(레지스트막 등)을 형성하기 위해, 도포 대상 부재의 표면 위에 배치된 조성물층(레지스트층 등)을 가열하지 않아도 된다. 단, 상기 조성물층(레지스트층 등)에서는 저온에서의 가열이 행해져도 된다. 상기 경화물막(레지스트막 등)을 형성하기 위해, 상기 조성물층(레지스트층 등)을, 280℃ 이상으로 가열하지 않는 것이 바람직하고, 180℃ 이상으로 가열하지 않는 것이 보다 바람직하고, 60℃ 이상으로 가열하지 않는 것이 더욱 바람직하다. 상기 조성물층(레지스트층 등)을 가열하는 온도가 낮을수록, 전자 부품 본체 등의 도포 대상 부재의 열 열화를 억제할 수 있다.

이하, 상기 광경화성 조성물에 포함되는 각 성분을 설명한다.

((A) 카르복실기를 갖지 않고, 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖고, 또한 2000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 광경화성 화합물)

상기 광경화성 조성물에 포함되는 (A) 광경화성 화합물은 카르복실기를 갖지 않고, 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖고, 또한 2000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는다. (A) 광경화성 화합물의 사용에 의해, 도포 대상 부재에 대한 경화물막의 밀착성이 효과적으로 높아진다. 특히 (D) 백색 안료의 함유량이 많은 경우에, (A) 광경화성 화합물을 사용하고 있지 않으면, 경화물막의 밀착성이 낮아지기 쉬운 경향이 있다. (A) 광경화성 화합물을 사용함으로써, (D) 백색 안료의 함유량이 많아도, 경화물막의 밀착성을 높일 수 있다. 또한, (A) 광경화성 화합물이 카르복실기를 갖지 않음으로써, 경화물막에 있어서의 카르복실기에 의한 악영향을 방지할 수 있고, 예를 들어 경화물막의 변색을 억제할 수 있다. (A) 광경화성 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

(A) 광경화성 화합물에 있어서의 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기로서는, 비닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있다. 효과적으로 반응을 진행시켜, 발포, 박리 및 변색을 보다 한층 억제하는 관점에서는, (메트)아크릴로일기가 바람직하다. (A) 광경화성 화합물은 (메트)아크릴로일기를 갖는 것이 바람직하다.

도포 대상 부재에 대한 경화물막의 밀착성을 높이는 관점에서는, (A) 광경화성 화합물은 (A1) 에폭시(메트)아크릴레이트인 것이 바람직하다. 경화물막의 경도를 높이는 관점에서는, (A1) 에폭시(메트)아크릴레이트는 2관능의 에폭시(메트)아크릴레이트와, 3관능 이상의 에폭시(메트)아크릴레이트를 포함하는 것이 바람직하다. 2관능의 에폭시(메트)아크릴레이트는 (메트)아크릴로일기를 2개 갖는 것이 바람직하다. 3관능 이상의 에폭시(메트)아크릴레이트는 (메트)아크릴로일기를 3개 이상 갖는 것이 바람직하다.

(A1) 에폭시(메트)아크릴레이트는 (메트)아크릴산과 에폭시 화합물을 반응시켜 얻어진다. (A1) 에폭시(메트)아크릴레이트는 에폭시기를 (메트)아크릴로일기로 변환함으로써 얻을 수 있다. 상기 광경화성 조성물은 광의 조사에 의해 경화시키므로, (A1) 에폭시(메트)아크릴레이트는 에폭시기를 갖지 않은 것이 바람직하다.

(A1) 에폭시(메트)아크릴레이트로서는, 비스페놀형 에폭시(메트)아크릴레이트(예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시(메트)아크릴레이트, 비스페놀 F형 에폭시(메트)아크릴레이트, 비스페놀 S형 에폭시(메트)아크릴레이트), 크레졸 노볼락형 에폭시(메트)아크릴레이트, 아민 변성 비스페놀형 에폭시(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 비스페놀형 에폭시(메트)아크릴레이트, 카르복실산 무수물 변성 에폭시(메트)아크릴레이트 및 페놀 노볼락형 에폭시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

2관능의 에폭시(메트)아크릴레이트의 시판품으로서는, 카야라드(KAYARAD) R-381(닛폰 가야쿠사제, 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트), 에베크릴(EBECRYL)3701 및 에베크릴3708(다이셀ㆍ올넥스사제, 변성 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트) 등을 들 수 있다. 또한, 3관능 이상의 에폭시(메트)아크릴레이트의 시판품으로서는, 에베크릴3603(다이셀ㆍ올넥스사제, 노볼락 에폭시아크릴레이트) 등을 들 수 있다. 또한, 2관능의 에폭시(메트)아크릴레이트의 수산기를 변성시켜, (메트)아크릴로일기를 도입함으로써, 3관능 이상의 에폭시(메트)아크릴레이트를 얻어도 된다.

「(메트)아크릴로일기」는 아크릴로일기와 메타크릴로일기를 나타낸다. 「(메트)아크릴」은 아크릴과 메타크릴을 나타낸다. 「(메트)아크릴레이트」는 아크릴레이트와 메타크릴레이트를 나타낸다.

(A) 광경화성 화합물의 중량 평균 분자량은 2000 이상이다. (A) 광경화성 화합물의 중량 평균 분자량이 2000 미만이면, 경화물막의 밀착성이 나빠지거나, 리플로우 후의 발포나 변색이 발생하는 경향이 있다. (A) 광경화성 화합물의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 20000 이하이다.

(A) 광경화성 화합물 및 (B) 반응성 희석제에 있어서의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산에서의 중량 평균 분자량이고, 하기의 측정 장치 및 측정 조건으로 측정할 수 있다.

측정 장치: 일본 워터스사제 「워터스(Waters) GPC 시스템(워터스 2690+워터스 2414(RI))」

측정 조건 칼럼: 쇼덱스(Shodex) GPC LF-G×1개, 쇼덱스 GPC LF-804×2개

이동상: THF 1.0mL/분

샘플 농도: 5㎎/mL

검출기: 시차 굴절률 검출기(RID)

표준 물질: 폴리스티렌(도소(TOSOH)사제, 분자량: 620 내지 590000)

발포, 박리 및 변색을 효과적으로 억제하는 관점에서는, (A) 광경화성 화합물은 지환식 골격을 갖는 화합물이 아닌 것이 바람직하고, 지환식 골격을 갖는 에폭시(메트)아크릴레이트가 아닌 것이 바람직하다. 발포, 박리 및 변색을 보다 한층 억제하는 관점에서는, (A) 광경화성 화합물은 방향족 골격을 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 방향족 골격을 갖는 에폭시(메트)아크릴레이트를 포함하는 것이 바람직하다.

발포, 박리 및 변색을 효과적으로 억제하는 관점에서는, (A) 광경화성 화합물은 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 또는 방향족 골격을 갖는 에폭시(메트)아크릴레이트인 것이 바람직하고, 우레탄(메트)아크릴레이트, 또는 방향족 골격을 갖는 에폭시(메트)아크릴레이트인 것이 보다 바람직하다.

(A1) 에폭시(메트)아크릴레이트는 특별히 한정되지 않지만, 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 비스페놀 S형 에폭시 화합물, 페놀 노볼락형 에폭시 화합물, 크레졸 노볼락형 에폭시 화합물, 또는 지방족 에폭시 화합물 등의 에폭시 화합물과, (메트)아크릴산을 반응시킴으로써 얻어진다.

(A1) 에폭시(메트)아크릴레이트는 수산기를 갖는 에폭시(메트)아크릴레이트의 수산기를 변성시킨 에폭시(메트)아크릴레이트여도 된다. 이 경우에는 가교도를 높이고, 경도를 높일 수 있다. 변성에 사용할 수 있는 화합물로서는, 실란 커플링제 및 이소시아네이트기를 갖는 단량체 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 비닐기, (메트)아크릴로일기, 스티릴기, 머캅토기, 에폭시기, 아미노기, 술피드기, 우레이도기 및 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 광반응성이 있으므로, 비닐기, (메트)아크릴로일기, 스티릴기, 또는 머캅토기를 갖는 화합물이 바람직하다. 이소시아네이트기를 갖는 단량체로서는, 비닐기, (메트)아크릴로일기, 스티릴기, 또는 머캅토기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.

상기 광경화성 조성물 100중량% 중, (A) 광경화성 화합물 및 (A1) 에폭시(메트)아크릴레이트의 함유량은 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 10중량% 이상, 바람직하게는 40중량% 이하, 보다 바람직하게는 30중량% 이하이다. (A) 광경화성 화합물 및 (A1) 에폭시(메트)아크릴레이트의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화물막의 밀착성이 효과적으로 높아진다. 또한, 경화물막의 밀착성을 효과적으로 높이는 관점에서, 상기 광경화성 조성물 100중량% 중, 중량 평균 분자량이 2000 이상인 2관능의 에폭시(메트)아크릴레이트와, 중량 평균 분자량이 2000 이상인 3관능 이상의 에폭시(메트)아크릴레이트의 합계의 함유량은, 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 10중량% 이상, 바람직하게는 40중량% 이하, 보다 바람직하게는 30중량% 이하이다.

((B) 에틸렌성 불포화 결합을 1개 이상 갖는 반응성 희석제)

(B) 반응성 희석제는 에틸렌성 불포화 결합을 1개 이상 갖는다. (A) 광경화성 화합물과 함께 (B) 반응성 희석제를 사용함으로써, (D) 백색 안료의 함유량이 많아도, 경화물막의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있고, 또한 광경화성 조성물의 점도를 최적의 범위로 제어하는 것이 용이하다. (B) 반응성 희석제에는 중량 평균 분자량이 2000 이상인 (A) 광경화성 화합물은 포함되지 않는다. (B) 반응성 희석제의 중량 평균 분자량은 일반적으로 2000 미만이고, 바람직하게는 800 이하, 보다 바람직하게는 600 이하이다. (B) 반응성 희석제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

(B) 반응성 희석제에 있어서의 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 기로서는, 비닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있다. 효과적으로 반응을 진행시켜, 발포, 박리 및 변색을 보다 한층 억제하는 관점에서는 (메트)아크릴로일기가 바람직하다. (B) 반응성 희석제는 (메트)아크릴로일기를 갖는 것이 바람직하다.

(B) 반응성 희석제로서는, 특별히 한정되지 않고, 다가 알코올의 (메트)아크릴산 부가물, 다가 알코올의 알킬렌옥사이드 변성물의 (메트)아크릴산 부가물, 우레탄(메트)아크릴레이트 및 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 다가 알코올로서는, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 시클로헥산디메탄올, 트리시클로데칸디메탄올, 비스페놀 A의 알킬렌옥시드 부가물 및 펜타에리트리톨 등을 들 수 있다.

(B) 반응성 희석제는 (B1) 에틸렌성 불포화 결합을 1개 갖는 화합물이어도 된다. 경화물막의 밀착성을 보다 한층 높이는 관점에서는, (B) 반응성 희석제는 (B1) 에틸렌성 불포화 결합을 1개 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

(B) 반응성 희석제는 에틸렌성 불포화 결합을 2개 갖는 화합물을 포함하고 있어도 되고, (B2) 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖는 화합물을 포함하고 있어도 된다. 경화물막의 밀착성을 더욱 한층 높이는 관점에서는, (B) 반응성 희석제는 (B2) 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

경화물막의 밀착성을 보다 한층 높이는 관점에서는, (B) 반응성 희석제는 지환식 화합물을 포함하거나, 또는 방향환 또는 수산기를 포함하는 것이 바람직하다. 단관능의 성분이 바람직하지만, 2관능 등의 다관능의 복수 성분이 포함되어 있어도 된다.

상기 광경화성 조성물 100중량% 중, (B) 반응성 희석제 및 (B2) 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖는 화합물의 함유량은 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 10중량% 이상, 바람직하게는 50중량% 이하, 보다 바람직하게는 40중량% 이하이다. (B) 반응성 희석제 및 (B2) 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖는 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화물막의 밀착성이 효과적으로 높아진다.

((C) 티올기를 1개 이상 갖는 티올기 함유 화합물)

(C) 티올기를 1개 이상 갖는 티올기 함유 화합물의 사용에 의해, 고온 하에 노출되어도, 발포 및 박리가 발생하기 어려운 경화물막을 얻을 수 있고, 또한 내열성이 높은 경화물막을 얻을 수 있을 수 있다. (C) 티올기 함유 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

(C) 티올기 함유 화합물로서는, 머캅토아세트산메틸, 3-머캅토프로피온산메틸, 3-머캅토프로피온산4-메톡시부틸, 3-머캅토프로피온산2-에틸헥실, 3-머캅토프로피온산n-옥틸, 3-머캅토프로피온산스테아릴, 1,4-비스(3-머캅토프로피오닐옥시)부탄, 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 트리메틸올에탄트리스(3-머캅토프로피오네이트), 트리메틸올에탄트리스(3-머캅토부티레이트), 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-머캅토부티레이트), 트리스[2-(3-머캅토프로피오닐옥시)에틸]이소시아누레이트, 트리스[2-(3-머캅토부티릴옥시)에틸]이소시아누레이트 등의 머캅토카르복실산에스테르 화합물; 에틸머캅탄, 1,2-디머캅토에탄, 1,3-디머캅토프로판, tert-부틸머캅탄, n-도데칸티올, tert-도데칸티올 등의 머캅토알칸 화합물; 2-머캅토에탄올, 4-머캅토-1-부탄올 등의 머캅토알코올 화합물; 티오페놀, 벤질티올, m-톨루엔티올, p-톨루엔티올, 2-나프탈렌티올, 2-피리딜티올, 2-머캅토벤조이미다졸, 2-머캅토벤조티아졸 등의 방향환 함유 머캅탄 화합물; (γ-머캅토프로필)트리메톡시실란 및 (γ-머캅토프로필)트리에톡시실란 등의 실란 함유 티올 화합물 등을 들 수 있다.

(C) 티올기 함유 화합물은 머캅토카르복실산에스테르 화합물인 것이 바람직하고, 2급 티올 화합물인 것이 보다 바람직하다. 머캅토카르복실산에스테르 화합물을 사용하면, 머캅토카르복실산에스테르 화합물이 광경화 시에 가교 구조에 도입되므로, 경화 후의 휘발 성분을 억제할 수 있고, 발포를 보다 한층 억제할 수 있다. 2급 티올 화합물을 사용하면, 티올기 함유 화합물 독특의 악취를 억제할 수 있다.

(C) 티올기 함유 화합물의 구체예로서는, SC 유기 화학사제의 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트)(TMMP), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토프로피오네이트)(PEMP), 트리스-[(3-머캅토프로피오닐옥시)-에틸]-이소시아누레이트(TEMPIC), 테트라에틸렌글리콜비스(3-머캅토프로피오네이트)(EGMP-4), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트)(DPMP) 등의 1급 다관능 티올, 쇼와 덴코사제의 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트)(카렌즈 MT PE1), 1,3,5-트리스(3-머캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H, 3H, 5H)-트리온(카렌즈 MT NR1), 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄(카렌즈 MT BD1) 등의 2급 다관능 티올, SC 유기 화학사제의(β-머캅토프로피온산(BMPA), 메틸-3-머캅토프로피오네이트(MPM), 2-에틸헥실-3-머캅토프로피오네이트(EHMP), n-옥틸-3-머캅토프로피오네이트(NOMP), 메톡시부틸-3-머캅토프로피오네이트(MBMP), 스테아릴-3-머캅토프로피오네이트(STMP) 등의 단관능 티올 등을 들 수 있다.

상기 광경화성 조성물 100중량% 중, (C) 티올기 함유 화합물의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량% 이상, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다. (C) 티올기 함유 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화물막에 있어서의 발포, 박리 및 변색이 보다 한층 억제된다. 또한, (C) 티올기 함유 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 보존 중에 겔화가 진행되기 어렵다. (C) 티올기 함유 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 경화성이 보다 한층 높아진다.

(A) 광경화성 화합물과 (B) 반응성 희석제의 합계 100중량부에 대해, (C) 티올기 함유 화합물의 함유량은 바람직하게는 0.2중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상, 바람직하게는 20중량부 이하, 보다 바람직하게는 10중량부 이하, 더욱 바람직하게는 6중량부 이하이다. (C) 티올기 함유 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화물막에 있어서의 발포, 박리 및 변색이 보다 한층 억제된다. 또한, (C) 티올기 함유 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 보존 중에 겔화가 진행되기 어렵다. (C) 티올기 함유 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 경화성이 보다 한층 높아진다.

((D) 백색 안료)

상기 광경화성 조성물이 (D) 백색 안료를 포함함으로써, 광의 반사율이 높은 경화물막을 형성할 수 있다. (D) 백색 안료의 사용에 의해, (D) 백색 안료 이외의 충전재만을 사용한 경우와 비교하여, 광의 반사율이 높은 경화물막이 얻어진다. (D) 백색 안료는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

(D) 백색 안료로서는, 알루미나, 산화티타늄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화안티몬 및 산화마그네슘 등을 들 수 있다.

경화물막의 광의 반사율을 보다 한층 높이는 관점에서는, (D) 백색 안료는 산화티타늄, 산화아연 또는 산화지르코늄인 것이 바람직하다. 이 바람직한 백색 안료를 사용하는 경우에, 산화티타늄, 산화아연 및 산화지르코늄 중에서, 1종 또는 2종 이상의 백색 안료를 사용할 수 있다. (D) 백색 안료는 산화티타늄 또는 산화아연인 것이 바람직하고, 산화티타늄인 것이 바람직하고, 산화아연인 것이 바람직하다. (D) 백색 안료는 산화지르코늄이어도 된다.

상기 산화티타늄은 루틸형 산화티타늄인 것이 바람직하다. 루틸형 산화티타늄의 사용에 의해, 경화물막의 내열성이 보다 한층 높아지고, 경화물막의 변색이 보다 한층 억제된다.

상기 산화티타늄은 알루미늄 산화물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티타늄(알루미늄 산화물에 의한 표면 처리물인 루틸형 산화티타늄)인 것이 바람직하다. 상기 알루미늄 산화물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티타늄의 사용에 의해, 경화물막의 내열성이 보다 한층 높아진다.

상기 알루미늄 산화물에 의해 표면 처리된 루틸형 산화티타늄으로서는, 예를 들어 루틸 염소법 산화티타늄인 이시하라 산교사제 「CR-90-2」, 루틸 염소법 산화티타늄인 이시하라 산교사제 「CR-58」, 루틸 염소법 산화티타늄인 듀퐁사제 「R-900」, 및 루틸 황산법 산화티타늄인 이시하라 산교사제 「R-630」 등을 들 수 있다.

상기 산화아연은 표면 처리된 산화아연인 것이 바람직하다. 성형체의 가공성 및 성형체의 광의 반사율을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 산화아연은 규소, 알루미늄 또는 지르코니아를 포함하는 재료에 의해 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 규소를 포함하는 재료에 의해 표면 처리되어 있는 것이 보다 바람직하다. 상기 산화아연은 상기의 재료에 의한 표면 처리물인 것이 바람직하다. 상기 규소를 포함하는 재료는 실리콘 화합물인 것이 바람직하다.

상기 산화지르코늄은 표면 처리된 산화지르코늄인 것이 바람직하다. 경화물막의 광의 반사율을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 산화지르코늄은 규소, 알루미늄 또는 지르코니아를 포함하는 재료에 의해 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 규소를 포함하는 재료에 의해 표면 처리되어 있는 것이 보다 바람직하다. 상기 규소를 포함하는 재료는 실리콘 화합물인 것이 바람직하다.

상기 표면 처리의 방법은 특별히 한정되지 않는다. 표면 처리의 방법으로서, 건식법, 습식법, 인테그럴 블렌드법, 및 다른 공지 관용의 표면 처리 방법을 사용할 수 있다.

(D) 백색 안료의 평균 입경은 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 바람직하게는 40㎛ 이하이다. 상기 평균 입경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화물막의 광의 반사율을 보다 한층 높일 수 있다.

상기 광경화성 조성물 100중량% 중, (D) 백색 안료의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 바람직하게는 70중량% 이하, 보다 바람직하게는 60중량% 이하이다. (D) 백색 안료의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화물막의 광의 반사율이 보다 한층 높아지고, 상기 경화물막의 밀착성이 보다 한층 높아진다. 상기 광경화성 조성물 100중량% 중, (D) 백색 안료의 함유량은 50중량% 이상이어도 된다.

본 발명에서는 특정한 조성이 채용되어 있으므로, (D) 백색 안료의 함유량이 많아도, 경화물막의 밀착성을 높일 수 있다. 예를 들어, 상기 광경화성 조성물 100중량% 중, (D) 백색 안료의 함유량이 50중량% 이상이라도, 경화물막의 밀착성이 충분히 높아진다.

((E) 광중합 개시제)

상기 광경화성 조성물은 (E) 광중합 개시제를 포함하므로, 광의 조사에 의해 광경화성 조성물을 경화시킬 수 있다. (E) 광중합 개시제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

(E) 광중합 개시제로서는, 아실포스핀옥사이드, 할로메틸화트리아진, 할로메틸화옥사디아졸, 이미다졸, 벤조인, 벤조인알킬에테르, 안트라퀴논, 벤즈안트론, 벤조페논, 아세토페논, 티오크산톤, 벤조산에스테르, 아크리딘, 페나진, 티타노센, α-아미노알킬페논, 옥심 및 이들의 유도체를 들 수 있다.

벤조페논계 광중합 개시제로서는, o-벤조일벤조산메틸 및 미힐러(Michler's)케톤 등을 들 수 있다. 벤조페논계 광중합 개시제의 시판품으로서는, EAB(호도가야 가가쿠사제) 등을 들 수 있다.

아세토페논계 광중합 개시제의 시판품으로서는, 다로큐어1173, 다로큐어2959, 이르가큐어184, 이르가큐어907 및 이르가큐어369(시바 스페셜티케미컬즈사제) 등을 들 수 있다.

벤조인계 광중합 개시제의 시판품으로서는, 이르가큐어651(시바 스페셜티케미컬즈사제) 등을 들 수 있다.

아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제의 시판품으로서는, 루시린(Lucirin) TPO(바스프(BASF)사제) 및 이르가큐어819(시바 스페셜티케미컬즈사제) 등을 들 수 있다.

티오크산톤계 광중합 개시제의 시판품으로서는, 이소프로필티오크산톤 및 디에틸티오크산톤 등을 들 수 있다.

알킬페논계 광중합 개시제의 시판품으로서는, 다로큐어1173, 다로큐어2959, 이르가큐어184, 이르가큐어907, 이르가큐어369, 이르가큐어651(바스프사제) 및 에사큐어1001M(람베르티(Lamberti)사제) 등을 들 수 있다.

발포, 박리 및 변색을 보다 한층 억제하는 관점에서는, (E) 광중합 개시제는 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하고, 아세토페논계 광중합 개시제와, 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제의 양쪽을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제와, 비스아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제의 양쪽을 포함하는 것도 보다 바람직하다.

(A) 광경화성 화합물과 (B) 반응성 희석제의 합계 100중량부에 대해, (E) 광중합 개시제의 함유량은 바람직하게는 1중량부 이상, 보다 바람직하게는 3중량부 이상, 바람직하게는 20중량부 이하, 보다 바람직하게는 15중량부 이하이다. (E) 광중합 개시제의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 광경화성 조성물을 양호하게 광경화시킬 수 있다.

((F) 열경화성 화합물)

상기 광경화성 조성물은 (F) 열경화성 화합물을 포함하지 않거나, 또는 (F) 열경화성 화합물을 5중량% 이하로 포함한다. 본 발명에서는, (F) 열경화성 화합물을 사용하는 경우에는 (F) 열경화성 화합물의 사용량을 적게 한다. (F) 열경화성 화합물의 함유량이 5중량% 이하인 조성물과, (F) 열경화성 화합물의 함유량이, 예를 들어 10중량% 이상인 조성물에서는 경화물의 기본 물성이 일반적으로 상이하다. (F) 열경화성 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

(F) 열경화성 화합물로서는, 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.

상기 광경화성 조성물은 에폭시 화합물을 포함하지 않거나, 또는 에폭시 화합물을 5중량% 이하로 포함하는 것이 바람직하다.

발포, 박리 및 변색을 보다 한층 억제하는 관점에서는, 광경화성 조성물 100중량% 중, (F) 열경화성 화합물의 함유량은 적을수록 좋다. 광경화성 조성물 100중량% 중, (F) 열경화성 화합물의 함유량은 바람직하게는 3중량% 이하, 보다 바람직하게는 1중량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5중량% 이하, 특히 바람직하게는 0중량%(미사용)이다.

(다른 성분)

상기 광경화성 조성물은 상술한 성분 이외에, 안정화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 광경화성 조성물이 안정화제를 포함함으로써, (C) 티올기 함유 화합물을 사용하고 있어도, 보관 중인 겔화 및 점도 변화가 보다 한층 억제된다. 구체적으로는, 안정화제로서, 예를 들어 일본 특허 공개 평5-155987호 공보, 일본 특허 공개 제2012-17448호 공보 등에 기재된 화합물을 사용할 수 있다.

상기 광경화성 조성물은 상술한 성분 이외에, 용제, 백색 안료 이외의 무기 필러, 유기 필러, 착색제, 중합 금지제, 연쇄 이동제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 소포제, 레벨링제, 계면 활성제, 슬립제, 안티 블로킹제, 왁스, 마스킹제, 탈취제, 방향제, 방부제, 항균제, 대전 방지제 및 밀착성 부여제 등을 포함하고 있어도 된다. 상기 밀착성 부여제로서는, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.

[전자 부품 및 전자 부품의 제조 방법]

본 발명에 관한 전자 부품의 제조 방법은 전자 부품 본체의 표면 위에, 상기 광경화성 조성물을 도포하여, 조성물층을 형성하는 공정과, 상기 조성물층에 광을 조사하여, 경화물막을 형성하는 공정을 구비한다. 본 발명에 관한 전자 부품의 제조 방법에서는 상기 경화물막을 형성하기 위해, 상기 조성물층을 현상하지 않는 것이 바람직하다. 상기 조성물층이 레지스트층인 것이 바람직하고, 상기 경화물막이 레지스트막인 것이 바람직하다.

상기 광경화성 조성물은 현상을 행하지 않고 경화물막을 형성하기 위해 적합하게 사용되므로, 전자 부품 본체의 표면 위에, 부분적으로 또한 복수의 개소에, 상기 광경화성 조성물을 도포하는 것이 바람직하다.

전자 부품 본체의 열 열화를 방지하는 관점에서는, 상기 경화물막을 형성하기 위해, 열경화제의 작용에 의해 상기 조성물층을 열경화시키지 않는 것이 바람직하다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 전자 부품의 제조 방법을 설명한다. 이하에 설명하는 실시 형태에서는, 상기 조성물층이 레지스트층이고, 상기 경화물막이 레지스트막이다. 레지스트막을 형성하기 위해, 비현상형 레지스트 광경화성 조성물이 사용되고 있다.

우선, 도 1의 (a)에 나타낸 바와 같이, 도포 대상 부재(11)를 준비한다. 도포 대상 부재(11)는 전자 부품 본체이다. 도포 대상 부재(11)로서, 기판(11A)이 사용되어 있고, 기판(11A)의 표면 위에 복수의 전극(11B)이 배치되어 있다.

이어서, 도 1의 (b)에 나타낸 바와 같이, 도포 대상 부재(11)의 표면 위에, 비현상형 레지스트 광경화성 조성물을 도포하여, 레지스트층(12)(조성물층)을 형성한다. 도 1의 (b)에서는 도포 대상 부재(11)의 표면 위에, 부분적으로 또한 복수의 개소에, 상기 비현상형 레지스트 광경화성 조성물을 도포하여, 복수의 레지스트층(12)을 형성하고 있다. 구체적으로는, 기판(11A)의 표면 위의 복수의 전극(11B) 사이에 복수의 레지스트층(12)을 형성하고 있다. 레지스트층(12)은, 예를 들어 레지스트 패턴이다. 예를 들어, 레지스트층(12)은 종래의 현상형 레지스트 조성물을 사용하는 것을 상정했을 때에, 현상 후에 잔존시켜 형성되는 레지스트층 부분에 대응하는 위치에만 형성되어 있다. 레지스트층(12)은 종래의 현상형 레지스트 조성물을 사용하여, 현상에 의해 제거되는 레지스트층 부분에 대응하는 위치에 형성되어 있지 않다.

비현상형 레지스트 광경화성 조성물의 도포 방법은, 예를 들어 디스펜서에 의한 도포 방법, 스크린 인쇄에 의한 도포 방법 및 잉크젯 장치에 의한 도포 방법 등을 들 수 있다. 제조 효율이 우수한 점에서, 스크린 인쇄가 바람직하다. 비현상형 레지스트 광경화성 조성물을 패턴 인쇄하는 것이 바람직하다.

이어서, 레지스트층(12)에 광을 조사한다. 예를 들어, 레지스트층(12)의 도포 대상 부재(11)측과는 반대측으로부터, 레지스트층(12)에 광을 조사한다. 이 결과, 도 1의 (c)에 나타낸 바와 같이, 레지스트층(12)이 광경화하여, 레지스트막(2)(경화물막)이 형성된다. 이 결과, 도포 대상 부재(11)(전자 부품 본체)의 표면 위에, 레지스트막(2)이 형성된 전자 부품(1)이 얻어진다.

또한, 도 1의 (a) 내지 (c)를 사용하여 설명한 레지스트막을 구비하는 전자 부품의 제조 방법은 일례이고, 전자 부품의 제조 방법은 적절히 변경할 수 있다. 전자 부품의 제조 시에, 레지스트막을 형성하기 위해 현상은 행하지 않는 것이 바람직하다.

또한, 종래, 현상형 레지스트 조성물이 사용되는 경우가 많았다. 네거티브형의 현상형 레지스트 조성물을 사용하는 경우에는, 도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 기판(111A)과, 기판(111A)의 표면 위에 배치된 전극(111B)을 갖는 도포 대상 부재(111)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 도포 대상 부재(111)의 표면 위에, 전체에 레지스트층(112)을 형성한다. 이어서, 도 2의 (c)에 나타낸 바와 같이, 마스크(113)를 통해, 전극(111B) 위의 레지스트층(112)에만 광을 조사한다. 그 후, 도 2의 (d)에 나타낸 바와 같이, 현상하여, 전극(111B) 사이에 위치하는 레지스트층(112)을 부분적으로 제거한다. 레지스트층(112)을 부분적으로 제거한 후, 잔존하고 있는 레지스트층(112)을 열경화시킨다. 이 결과, 도 2의 (e)에 나타낸 바와 같이, 도포 대상 부재(111)(전자 부품 본체)의 표면 위에, 레지스트막(102)이 형성된 전자 부품(101)을 얻는다.

이와 같이, 현상형 레지스트 조성물을 사용하는 경우에는, 레지스트막의 형성 효율 및 전자 부품의 제조 효율이 나쁘다. 또한, 현상을 행할 필요가 있다.

이에 대해, 본 발명에 관한 광경화성 조성물을 사용함으로써, 경화물막(레지스트막 등)의 형성 효율 및 전자 부품의 제조 효율을 높일 수 있다. 또한, 현상을 행할 필요가 없다.

또한, 본 발명에서는 전자 부품으로서, 상기 경화물막을 광반사층으로서 구비하는 반사판을 제작해도 된다.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예만으로 한정되지 않는다.

[합성예 1]

에폭시메타크릴레이트 A의 합성:

교반기, 온도계 및 냉각관을 구비한 4구의 플라스크에, 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 가가쿠사제 「JER1009」) 400중량부, 메타크릴산 10중량부 및 메토퀴논 0.1중량부를 넣고, 100℃로 승온한 후, 트리페닐포스핀 1.2중량부를 가하였다. 100℃에서 20시간 반응을 행함으로써, 에폭시메타크릴레이트 화합물을 얻었다. 얻어진 에폭시메타크릴레이트 화합물을 에폭시메타크릴레이트 A라고 칭한다.

(실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 4)

(1) 비현상형 레지스트 광경화성 조성물의 제조

이하의 표 1 내지 3에 나타내는 배합 성분을 이하의 표 1 내지 3에 나타내는 배합량으로 배합하여, 비현상형 레지스트 광경화성 조성물을 제조하였다.

(2) 전자 부품의 제작

100㎜×100㎜×두께 0.8㎜의 FR-4에 구리박을 적층한 기판을 준비했다. 이 기판 위에, MD-4S-UFF(3M사제, 번수: 1000)로 버프 처리 후, 스크린 인쇄법에 의해, 400메쉬의 폴리에스테르 바이어스제의 판을 사용하여, 마스크 패턴으로 비현상형 레지스트 광경화성 조성물을 인쇄하여, 레지스트층을 형성하였다. 인쇄 후, 자외선 조사 장치를 사용하여, 레지스트층에 파장 365㎚의 자외선을, 조사 에너지가 1500mJ/㎠가 되도록 500㎽/㎠의 자외선 조도로, 벨트 컨베이어식 노광기에 흘림으로써, 측정 샘플로서의 레지스트막을 얻었다. 얻어진 레지스트막의 두께는 20㎛였다. 실시예 1 내지 17, 비교예 1 내지 3에서는 경화시키기 위해 고온에서의 가열은 행하지 않았다.

(참고예 1)

비교예 4에서는 열경화성 화합물의 함유량이 지나치게 많으므로, 경화시키기 위해, 고온으로 가열할 필요가 있고, 또한 장시간 가열할 필요가 있어, 레지스트막의 형성 효율이 나빴다. 또한, 가열 작업 및 가열 설비가 필요했다. 경화를 충분히 진행시키기 위해, 150℃에서 2시간 가열할 필요가 있었다. 경화를 충분히 진행시킨 결과를 참고예 1로서 나타낸다.

(평가)

(1) 내리플로우성(발포 및 박리)

얻어진 전자 부품을 270℃의 리플로우로를 3회 통과시켜, 고온 하에 노출하였다. 리플로우로를 3회 통과한 후에, 방치 후(리플로우 후)의 평가 샘플에 있어서의 발포의 유무 및 박리의 유무를 확인하였다.

[내리플로우성(발포)의 판정 기준]

○: 레지스트막에 있어서의 발포 없음

×: 레지스트막에 있어서의 발포 있음

[내리플로우성(박리)의 판정 기준]

○: 레지스트막의 박리 없음

×: 레지스트막의 박리 있음

(2) 색차, 반사율(ΔE)

(2-1) 리플로우 전

얻어진 광경화성 조성물을 지지 부재 위에 두께 20㎛로 도포하였다. 도포 후의 광경화성 조성물에 대해, 파장 365㎚의 자외선을, 적산광량이 1500mJ/㎠가 되도록 조사하여 경화물을 얻었다. 색채 색도계를 사용하여, 방치 전(노광 직후, 리플로우 전)의 L^*a^*b^* 표색계에 있어서의 색차 b^*을 측정하였다.

(2-2) 리플로우 후

얻어진 경화물을 270℃의 리플로우로를 3회 통과시켜, 고온 하에 노출하였다. 리플로우로를 3회 통과한 후에, 색채 색도계를 사용하여, 방치 후(리플로우 후)의 L^*a^*b^* 표색계에 있어서의 L^*, a^*, b^*을 측정하고, 리플로우 전후의 색차 ΔE를 하기 식에 의해 구하였다.

ΔE= {(L^* _후-L^* _전)²+(a^* _후-a^* _전)²+(b^* _후-b^* _전)²}^{1 /2}

조성 및 결과를 하기의 표 1 내지 3에 나타낸다.

1 : 전자 부품
2 : 레지스트막(경화물막)
11 : 도포 대상 부재(전자 부품 본체)
11A : 기판
11B : 전극
12 : 레지스트층(조성물막)

Claims (13)

1. 카르복실기를 갖지 않고, 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 갖고, 또한 2000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 광경화성 화합물과,
   에틸렌성 불포화 결합을 1개 이상 갖는 반응성 희석제와,
   티올기를 1개 이상 갖는 티올기 함유 화합물과,
   백색 안료와,
   광중합 개시제를 포함하고,
   열경화성 화합물을 포함하지 않거나, 또는 열경화성 화합물을 5중량% 이하로 포함하는 광경화성 조성물.
2. 제1항에 있어서, 상기 광경화성 화합물과 상기 반응성 희석제의 합계 100중량부에 대해, 상기 티올기 함유 화합물의 함유량이 0.2중량부 이상, 20중량부 이하인 광경화성 조성물.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반응성 희석제가 (메트)아크릴로일기를 1개 이상 갖는 광경화성 조성물.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 광경화성 조성물 100중량% 중, 상기 광경화성 화합물의 함유량이 5중량% 이상, 30중량% 이하인 광경화성 조성물.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 광경화성 조성물 100중량% 중, 상기 백색 안료의 함유량이 30중량% 이상인 광경화성 조성물.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광경화성 화합물이 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 또는 방향족 골격을 갖는 에폭시(메트)아크릴레이트인 광경화성 조성물.
7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광경화성 화합물이 에폭시(메트)아크릴레이트인 광경화성 조성물.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 광조사에 의해 경화되어 사용되고, 또한 현상을 행하지 않고 레지스트막을 형성하기 위해 사용되는 광경화성 조성물.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 도포 대상 부재의 표면 위에 부분적으로 또한 복수의 개소에 도포하여 사용되는 광경화성 조성물.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 열경화제의 작용에 의해 열경화시켜 사용되지 않는 광경화성 조성물.
11. 전자 부품 본체의 표면 위에 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 광경화성 조성물을 도포하여, 조성물층을 형성하는 공정과,
    상기 조성물층에 광을 조사하여, 경화물막을 형성하는 공정을 구비하고,
    상기 경화물막을 형성하기 위해, 상기 조성물층을 현상하지 않는 전자 부품의 제조 방법.
12. 제11항에 있어서, 전자 부품 본체의 표면 위에 부분적으로 또한 복수의 개소에 상기 광경화성 조성물을 도포하는 전자 부품의 제조 방법.
13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 경화물막을 형성하기 위해, 열경화제의 작용에 의해 상기 조성물층을 열경화시키지 않는 전자 부품의 제조 방법.

Images