KR20170045287A - 도포 재료, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 그 제조 방법 - Google Patents

도포 재료, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170045287A
KR20170045287A KR1020177007932A KR20177007932A KR20170045287A KR 20170045287 A KR20170045287 A KR 20170045287A KR 1020177007932 A KR1020177007932 A KR 1020177007932A KR 20177007932 A KR20177007932 A KR 20177007932A KR 20170045287 A KR20170045287 A KR 20170045287A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solvent
pattern
coating material
enemy
surface tension
Prior art date
Application number
KR1020177007932A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101981408B1 (ko
Inventor
겐이치 우메다
후미히코 모치즈키
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20170045287A publication Critical patent/KR20170045287A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101981408B1 publication Critical patent/KR101981408B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C09D11/36—Inkjet printing inks based on non-aqueous solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D201/00—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
    • H01L21/471—Inorganic layers
    • H01L21/473—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

도포 재료는, 타적의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴을 형성하기 위한 것으로서, 원료와 용해도 파라미터 SP값이 20.3MPa1/2 이하인 양용매인 2종류의 용매 A, 및 B를 함유하여 구성되며, 용매 A가, 용매 B보다 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높으며, 용매 체적 함유율로서 20% 이상 50% 이하 함유되어 있다. 패턴 형성 방법은, 이 도포 재료를 이용하여, 상술한 패턴을 형성한다. 전자 디바이스의 제조 방법은, 전자 디바이스의 적어도 한층을, 이 패턴 형성 방법을 이용하여 성막된 패턴에 의하여 제작한다.

Description

도포 재료, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 그 제조 방법{COATING MATERIAL, PATTERN FORMATION METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은, 도포 재료, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 그 제조 방법에 관한 것으로, 자세하게는, 프린티드 일렉트로닉스 분야에 관한 잉크젯 프로세스에 있어서 커피 스테인 형상이 발생하지 않는 양호한 단면 패턴이 얻어지는 도포 재료, 이 도포 재료를 잉크젯용 잉크로서 이용한 패턴 형성 방법, 및 이 패턴 형성 방법을 이용하여 성막된 패턴에 의하여 제작된 기능층을 갖는 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 액체 프로세스 등의 획기적인 자원 절약·에너지 절약 기술에 의하여, 트랜지스터 등 전자 디바이스나 에너지 디바이스를 제작하는 연구 개발이 다양한 연구 기관에서 가속되고 있다. 이들 기술은, "프린티드 일렉트로닉스"라고 총칭되고 있으며, 차세대의 반도체 제작 프로세스 기술로서 큰 기대를 모으고 있다.
프로세스로서 잉크젯을 이용했을 때에, 에지 부분에 "커피 스테인"이라고 불리는 현상, 즉 배선이나 전극의 주위나 단(端)이 융기되는 현상이 있다. 이들은 전극에 한정된 이야기가 아니며, 반도체 재료나 절연 재료에 있어서도 이와 같은 형상이 발생되는 것은 전자 디바이스에 있어서의 신뢰성의 관계상 바람직하지 않다.
커피 스테인 형상의 발생 요인으로서는, 일반적으로 표면 장력의 농도 의존성에서 유래하는 마란고니 대류의 발생이 원인이라고 일컬어지고 있다. 일반적인 용액에서는, 표면 장력의 관계와 농도가 비례하는 관계에 있기 때문에, 건조에 의한 농도 상승이 일어나기 쉬운 액적의 단부의 표면 장력이 증대한다. 이로써, 액적 내에서 표면 장력의 구배가 발생하여, 액 전체가 단부로 끌어당겨지듯이 젖음 확산된다. 이로 인하여, 단부에 용질(溶質)이 집중되어, 에지가 융기하는 패턴 형상이 된다(특허문헌 1 참조).
이로 인하여, 특허문헌 1에 개시된 배선 패턴에서는, 젖음성 변화층에 대한 에너지의 부여에 의하여 저표면 에너지부로부터 변화하여 액체에 대한 젖음성이 향상된 고표면 에너지부 상에 도전성 액체에 의하여 형성된 도전 패턴층의 평면에서 본 형상을, 모서리부에 모따기가 실시된 라운드 형상의 단부를 갖는 직사각형의 배선 형상으로 하고 있다.
이렇게 하여, 특허문헌 1에 개시된 기술에서는, 배선 패턴의 형성 프로세스에 있어서, 증발 속도가 느린 패턴 중앙으로부터 증발 속도가 빠른 패턴 주변부로 도포된 잉크의 흐름이 발생하여 잉크가 젖음 확산될 때, 도전 패턴층의 평면에서 본 직사각형의 배선 형상의 단부에 있어서의 증발 속도가 보다 높은 모서리부, 특히 뾰족한 직각의 모서리부의 잉크가 흘러, 특히, 모서리부의 막두께가 두꺼워져, 모서리부에 볼록 형상의 막두께 피크(볼록 형상 융기), 이른바 "융기"가 형성되는 것을 방지하고 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2008-066567호
그러나, 특허문헌 1에 개시된 기술은, 도전 패턴층의 평면에서 본 직사각형의 배선 형상의 단부를 라운드 형상으로 함으로써, 평면에서 본 직사각형의 배선 형상의 단부의 뾰족한 모서리부에 있어서의 에지의 융기의 집중을 방지할 수 있지만, 이 평면에서 본 직사각형의 배선 형상에는, 라운드 형상이더라도 에지는 존재하고 있기 때문에, 낮아도 에지의 융기는 발생하고 있어, 에지의 융기 자체를 방지할 수 없다는 과제가 있다.
또, 프린티드 일렉트로닉스 분야에 있어서, 스핀 코트나 슬릿 코트 등의 일반적인 도포 프로세스에서 이용되는 용액은, 표면 장력의 관계와 농도가 비례하는 관계에 있는 용액 구성을 이용하는 경우가 많기 때문에, 일반적으로 "젖는다"라는 용액 구성을 이용한 경우, 에지 부분의 융기는 피할 수 없는 과제가 된다.
또, 이상과 같은 과제를 해결하기 위하여, 표면 장력과 농도 의존성의 관계를 가능한 한 줄이도록 계면활성제 등이 첨가되는 케이스가 있지만, 이와 같은 경우, 계면활성제 자신이 전기 물성에 영향을 미칠 우려가 있다는 문제가 있기 때문에, 프린티드 일렉트로닉스 분야에 있어서, 도포 재료에 첨가제를 첨가하는 것은 바람직하지 않다.
또한, 이와 같은 에지의 융기 형상을 제어하기 위하여, 도포 프로세스를 고안함으로써 해결하고 있는 예도 있지만, 필연적으로 공정의 증가나 복잡화를 초래한다는 문제가 있어, 공정 삭감이 요구되고 있는 관계상, 가능한 한 새로운 프로세스를 부여하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명은, 상기 종래 기술의 문제나 과제의 실정을 감안하여, 프린티드 일렉트로닉스 분야에 있어서 이용되며, 패턴의 에지의 융기를 억제시켜 양호한 단면 패턴을 얻을 수 있는 도포 재료, 이 도포 재료를 이용한 패턴 형성 방법, 및 이 패턴 형성 방법을 이용하여 성막된 패턴에 의하여 제작된 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여, 예의 연구를 거듭한 결과, 도포 재료의 용액의 용매를 2성분 이상으로 구성하고, 액적 건조 시의 표면 장력과 농도 의존의 관계를 반비례의 관계가 되게 함으로써, 에지 부분의 융기를 억제시켜 양호한 단면 패턴을 얻을 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이른 것이다.
즉, 본 발명의 제1 양태에 관한 도포 재료는, 타적(打滴)의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴을 형성하기 위한 도포 재료로서, 원료와 용해도 파라미터 SP값이 20.3MPa1/2 이하인 양용매인 2종류의 용매 A, 및 B를 함유하여 구성되며, 용매 A가, 용매 B보다 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높으며, 용매 체적 함유율로서 20% 이상 50% 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 용매 A가, 용매 B보다, 표면 장력이 1.17배 이상 높고, 또한 증기압이 1.57배 이상 높은 것이 바람직하다.
또, 용매 A의 20℃에 있어서의 표면 장력이 27mN/m 이상이고, 또한 증기압이 1.1kPa 이상이며, 용매 B의 20℃에 있어서의 표면 장력이 23mN/m 이하이고, 또한 0.7kPa 이하인 것이 바람직하다.
또, 용매 A가, 용매 체적 함유율로서 35% 이상 50% 이하 함유되어 있는 것이 바람직하다.
또, 원료가 실라제인 화합물로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
또, 잉크젯용 도포 재료인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 제2 양태에 관한 패턴 형성 방법은, 상기 제1 양태에 관한 도포 재료를 이용하여, 타적의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 타적의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴이, 타적의 중심으로부터 20% 이내에 있어서, 타적의 중심을 통과하고, 이 중심의 양측에 에지를 갖는 타적의 단면 프로파일의 최댓값을 갖는 패턴인 것이 바람직하다.
또, 타적의 단면 프로파일의 양측의 에지 부분이 둥글게 되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제3 양태에 관한 전자 디바이스의 제조 방법은, 전자 디바이스의 적어도 한층이, 본 발명의 제2 양태에 관한 패턴 형성 방법에 의하여 제작되는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 전자 디바이스의 적어도 한층이, 절연층, 보호층, 층간 절연층 중 적어도 한층인 것이 바람직하다.
또, 전자 디바이스가 박막 트랜지스터인 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 프린티드 일렉트로닉스 분야에 있어서 이용되며, 용액의 용매를 2성분 이상으로 구성시키고, 액적 건조 시의 표면 장력과 농도 의존의 관계를 반비례의 관계가 되게 함으로써, 패턴의 에지의 융기를 억제시켜 양호한 단면 패턴을 얻을 수 있는 도포 재료, 이 도포 재료를 이용한 패턴 형성 방법, 및 이 패턴 형성 방법을 이용하여 성막된 패턴에 의하여 제작된 전자 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 도포 재료를 이용한 패턴 형성 방법에 있어서 형성되는 타적의 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명법에 의하여 제조되는 전자 디바이스의 일 실시형태인 트랜지스터의 일 실시예의 단면 모식도이다.
도 3에 있어서, (A), (B) 및 (C)는, 실시예 1의 도포 재료를 이용하여 형성된 잉크젯 타적 패턴상(像)을 나타내는 모식도, 이 타적 패턴상의 단면 프로파일을 나타내는 그래프 및 실시예 1의 도포 재료를 이용하여 형성된 스핀 코트막의 도면 대용 사진이다.
도 4에 있어서, (A), (B) 및 (C)는, 비교예 1의 도포 재료를 이용하여 형성된 잉크젯 타적 패턴상을 나타내는 모식도, 이 타적 패턴상의 단면 프로파일을 나타내는 그래프 및 비교예 1의 도포 재료를 이용하여 형성된 스핀 코트막의 도면 대용 사진이다.
이하에, 본 발명에 관한 도포 재료, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 그 제조 방법을 그 적합 실시형태에 근거하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
(도포 재료)
본 발명에 관한 도포 재료는, 타적의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴을 형성하기 위한 것으로, 원료와, 용해도 파라미터 SP값이 20.3MPa1/2 이하인 양용매인 2종류의 용매 A, 및 B를 함유하여 구성되며, 용매 A가, 용매 B보다 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높으며, 용매 체적 함유율로서 20% 이상 50% 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 관한 도포 재료는, 프린티드 일렉트로닉스 분야에 있어서, 박막 트랜지스터 등 전자 디바이스 등의 기능층을 적층할 때에, 이 기능층을 구성하는 소정의 패턴을 형성하는 데에 이용되는 액상의 도포 재료, 특히, 잉크젯용 도포 재료인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 전자 디바이스는, 프린티드 일렉트로닉스 기술이 적용되는 전자 디바이스이면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 박막 트랜지스터, 태양 전지, RFID, 온도 모니터, 가스 센서, 생체 센서, 압력 센서, 적외선 센서, 유기 EL 조명, 표시 디바이스 등을 들 수 있다.
또, 기능막으로서는, 전자 디바이스 등의 적어도 한층을 구성하는 기능막이면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 절연층, 보호층, 층간 절연층, 가스 배리어층, 광학 박막 등을 들 수 있다.
(타적 패턴)
먼저, 본 발명에 관한 도포 재료에 의하여 형성되는 타적의 패턴에 대하여, 도 1을 참조하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 도포 재료를 이용한 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 형성되는 타적의 패턴 형상의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 있어서 형성되는 타적(10)은, 기판(12) 상에 형성된 볼록 형상의 패턴, 바람직하게는 잉크젯에 의하여 기판(12) 상에 타적된 잉크 액적에 의하여 형성된 볼록 형상의 패턴을 갖는다. 이 타적(10)의 패턴의 상면은, 타적(10)의 바닥면, 즉 기판(12)의 표면에 수직인 방향으로 타적(10)의 중심(14)을 취할 때, 타적(10)의 중심으로부터 20% 이내의 영역(20) 내에 최고점을 갖는 볼록 형상의 패턴 형상이다.
구체적으로는, 타적(10)의 패턴은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 이 타적(10)을, 그 중심(16)을 통과하고, 그 바닥면, 즉 기판(12)의 표면에 수직인 평면으로 절단한 단면 프로파일(18)에 있어서, 타적(10)의 중심으로부터 20% 이내의 영역(20) 내에 최고점을 갖는 볼록 형상의 패턴 형상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서는, 타적(10)의 패턴의 상면, 예를 들면 타적(10)의 단면 프로파일(18)은, 타적(10)의 중심으로부터 20% 이내의 영역(20) 내에 최고점을 갖고 있으면, 어떠한 패턴 형상이어도 되고, 어떠한 프로파일이어도 되며, 에지(16)의 부분이, 각져 있어도 되지만, 둥글게 되어 있는, 예를 들면 타적(10)의 중심(14)의 양측에 존재하는 타적(10)의 양 에지(16)로부터 그 중심(14)을 향하여 위로 볼록한 곡면 형상을 갖는 것이 바람직하고, 도 1에 나타내는 예와 같이, 타적(10)의 볼록 형상의 패턴의 상면, 및 단면 프로파일(18)이, 중심(14)의 양측에 존재하는 타적(10)의 에지(16)로부터 그 중심(14)을 향하여 위로 볼록한 곡면 형상을 가지며, 타적(10)의 중심(14)으로부터 20% 이내의 영역(20) 내인 중심(14)에 최고점을 갖는 것이 가장 바람직하다.
여기에서, 타적(10)의 패턴은, 특별히 제한적이지 않지만, 잉크젯 방식에 의하여 형성되는 패턴인 것이 바람직한데, 잉크젯 방식에 의한 패턴이면 어떠한 것이어도 되며, 예를 들면 1개의 잉크젯 노즐로부터 토출된 단일의 잉크 액적에 의한 원 형상의 패턴이어도 되고, 또 선 형상의 패턴이어도 되며, 또 복수 개의 잉크젯 노즐로부터 토출된 복수의 잉크 액적에 의하여 형성된 원 형상 또는 타원 형상 등의 폐곡선(閉曲線) 형상의 패턴이어도 되고, 또 선 형상의 패턴이어도 된다.
또, 본 발명에 있어서의 타적의 단면의 절단 방법은, 타적의 어떠한 패턴에 있어서도, 예를 들면 폐곡선 형상의 패턴에 있어서도, 선 형상의 패턴에 있어서도, 즉, 타적의 중심을 통과하고, 그 바닥면에 수직인 평면으로 절단하는 것이면, 어떠한 단면이어도 된다. 즉, 타적의 프로파일은, 어떠한 단면에 있어서의 프로파일이어도 된다.
또한, 본 발명에 있어서의 단면 프로파일은 광간섭형 표면 조도계 Veeco사제 Wyko의 장치를 이용하여 측정하는 것이 가능하다. 백색 LED 및 녹색 LED(535nm) 광원의 광간섭법으로 얻어진 단면을 측정함으로써, 검출할 수 있다.
(용매)
본 발명에 있어서는, 이상과 같은 타적 패턴을 형성하기 위한 도포 재료는, 그 용액의 용매를 표면 장력 및 증기압이 다른 2종류의 용매 A 및 용매 B로 구성할 필요가 있다.
2종류의 용매 A 및 용매 B는, 도포 재료의 원료를 용해하기 쉬운 양용매이고, 용해도 파라미터(SP값)가 20.3MPa1/2 이하인 용매이며, 바람직하게는 14.1 이상 20.3 이하인 용매이다.
여기에서, 2종류의 용매 A 및 용매 B의 SP값을, 20.3MPa1/2 이하에 한정하는 이유는, SP값이 20.3MPa1/2 초과이면, 용해성이 저하되기 때문이다.
이와 같은 용매로서는, 예를 들면 펜테인(14.3), 헥세인(14.9), 헵테인(15.1), 옥테인(15.6), 및 도데케인(16.2) 등의 지방족 탄화 수소, 메틸사이클로헥세인(16.0), 사이클로헥세인(16.8), 및 사이클로펜테인(17.8) 등의 지환식 탄화 수소, 큐멘(16.8), 프로필벤젠(17.6), 에틸벤젠(18.0), p-자일렌(18.0), 메시틸렌(18.0), 톨루엔(18.2), 및 벤젠(18.8) 등의 방향족 탄화 수소, 염화 아이소뷰틸(16.6), 염화 아이소프로필(16.6), 1-클로로프로페인(17.4), 클로로폼(19.0), 및 클로로벤젠(19.4) 등의 할로젠화 탄화 수소, 다이아이소프로필에터(14.1), 다이에틸에터(15.1), 다이뷰틸에터(16.0), 다이프로필에터(16.0), 및 에틸렌글라이콜다이메틸에터(17.0) 등의 에터, 아세톤(20.3), MEK(9.3), 사이클로헥산온(20.3), 다이아이소뷰틸케톤(16.0), 메틸아이소뷰틸케톤(17.2), 및 다이에틸케톤(18.0) 등의 케톤과, 이들 유기 용매의 2 이상의 혼합 용매를 들 수 있다. 또한, 상기 유기 용매명의 뒤의 괄호 내의 숫자는 SP값(단위: MPa1/2)을 나타낸다.
이와 같은 유기 용매의 SP값은, 예를 들면 "폴리머 핸드북(Polymer Handbook)", 제4판 VII-675페이지~VII-711페이지에 기재된 방법[특히, 676페이지의 (B3)식 및 (B8)식]에 의하여 구할 수 있다. 또, 유기 용매의 SP값으로서, 그 문헌의 표 1(VII-683페이지), 표 7~표 8(VII-688페이지~VII-711페이지)의 값을 채용할 수 있다. 유기 용매가 복수의 용매의 혼합 용매인 경우의 SP값은, 공지의 방법에 의하여 구할 수 있다. 예를 들면, 혼합 용매의 SP값은, 가성성이 성립된다고 하고, 각 용매의 SP값과 체적분율의 곱의 총합으로 하여 구할 수 있다.
본 발명에 있어서, 양용매란, 용질이 되는 원료를 용해하기 쉬운 용매, 바람직하게는 상식적인 온도의 전체 범위에 걸쳐, 원료와 무제한으로 혼합되는 용매이며, 예를 들면 원료의 액체의 SP값과 그 SP값의 차가 10MPa1/2 이하인 용매가 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기와 같은 SP값을 갖는 양용매 중에서, 표면 장력 및 증기압이 다른 2종의 용매 A와 용매 B를 이용할 필요가 있다.
이와 같은 2종류의 용매 A 및 용매 B에 있어서, 한쪽의 용매인, 예를 들면 용매 A가, 다른 한쪽의 용매인, 예를 들면 용매 B보다, 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높을 필요가 있다. 또한, 용매 A가, 용매 B보다, 표면 장력이 1.17배 이상 높고, 또한 증기압이 1.57배 이상 높은 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 표면 장력이 1.25배 이상 높고, 또한 증기압이 1.8배 이상 높은 것이 좋다. 또한 용매 A의 20℃에 있어서의 표면 장력이 27mN/m 이상이고, 또한 증기압이 1.1kPa 이상이며, 용매 B의 20℃에 있어서의 표면 장력이 23mN/m 이하이고, 또한 0.7kPa 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 용매 B에 대한 용매 A의 표면 장력 및 증기압의 비율의 상한값은, 특별히 제한적이지 않지만, 각각 예를 들면, 6배 이하 및 10배 이하인 것이 바람직하다.
또, 용매 A의 20℃에 있어서의 표면 장력 및 증기압의 상한값은, 특별히 제한적이지 않지만, 각각 예를 들면, 90mN/m 이하 및 100kPa 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 용매 B의 20℃에 있어서의 표면 장력 및 증기압의 하한값도, 특별히 제한적이지 않지만, 각각 예를 들면, 15mN/m 이상 및 0.1kPa 이상인 것이 보다 바람직하다.
또, 본 발명에서는, 도포 재료의 용액의 용매로서, 주(主)용매, 예를 들면 용매 B에 더하여, 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높은 용매 A를 용액에 첨가할 필요가 있다. 그 이유는, 이하와 같다.
2성분 이상의 용매를 이용한 경우, 용액의 표면 장력은, 그 성분 구성비를 가미한 가중 평균이 되어, 모든 용매가 동일한 휘발 속도로 건조된 경우에는, 종래 기술과 마찬가지로, 타적의 중앙 부분보다 에지 부분이 빨리 건조되어, 그 결과, 에지 부분에 있어서 농도 상승이 발생하여, 표면 장력이 증대되기 때문에, 표면 장력과 농도 의존성의 관계는 비례한다. 그 결과, 타적의 에지 부분이 융기되어, 커피 스테인 현상을 억제할 수 없게 되는 것이라고 생각된다.
그러나, 각각의 용매의 휘발 속도는 증기압이 다른 것에 의하여 상이한 경우가 대부분이다.
이로 인하여, 건조 과정에 있어서, 표면 장력이 높고 또한 휘발성이 높은 용매 A의 효과의 영향이 커진 경우에는, 표면 장력의 농도 의존성의 관계는 반비례의 형태가 된다. 즉, 타적의 건조는 타적의 중앙 부분보다 에지 부분 쪽이 빠르기 때문에, 에지 부분의 용액에 있어서, 용액의 농도는 높아지지만, 표면 장력이 높고 또한 휘발성이 높은 용매 A가, 표면 장력이 낮고 또한 휘발성이 낮은 용매 B보다 빨리 증발되므로, 에지 부분의 용매에서는, 용매 A의 비율이 낮아져, 표면 장력이 낮고 또한 휘발성이 낮은 용매 B의 비율이 높아진다. 그 결과, 에지 부분에서는, 중앙 부분에 비하여 용매의 표면 장력은 낮아진다. 이로 인하여, 농도가 높아지는 액적 단부에 있어서 표면 장력이 작아지고, 액적 중앙부에 있어서 표면 장력이 커진다. 이로써 에지 부분의 융기를 억제하여, 커피 스테인 현상을 억제하는 것이 가능해진다.
그 결과, 본 발명의 도포 용액을 이용하여 형성한 패턴에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 타적의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 가지게 되어, 커피 스테인 현상을 억제할 수 있게 된다.
또, 용매 B에 대한 용매 A의 표면 장력 및 증기압의 비율과, 용매 A의 표면 장력 및 증기압의 값 및 용매 B의 표면 장력 및 증기압의 값을 상술한 소정 범위에 한정하는 이유는, 상술한 바와 같은, 타적 내의 용액의 표면 장력의 농도 의존성의 관계를, 에지 부분의 융기를 억제하기에 적절한 반비례의 관계로 함에 있어서 바람직하기 때문이다.
또, 본 발명에서는, 도포 재료의 용액의 용매로서 2종류의 용매 A 및 용매 B를 이용하는 경우에, 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높은 용매 A가, 용액 중에 있어서의 용매 체적 함유율로서 20% 이상 50% 이하 함유되어 있을 필요가 있다.
그 이유는, 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높은 용매 A의 용매 체적 함유율이 20%~50%의 범위 내에 들어가 있으면, 도 1에 나타내는 바와 같이, 타적(10)의 중심(14)으로부터 20% 이내의 영역 내에 최고점을 갖는, 본 발명에서 규정되는 패턴 형상을 갖는 타적(10)의 패턴을 형성할 수 있고, 커피 스테인 현상을 억제할 수 있지만, 20% 미만, 또는 50% 초과에서는, 커피 스테인 현상을 억제할 수 없어, 본 발명에서 규정되는 패턴 형상을 갖는 타적 패턴을 형성할 수 없게 되기 때문이다.
또한, 본 발명에서는, 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높은 용매 A의 용매 체적 함유율은, 35% 이상 50% 이하 함유되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 타적(10)의 중심(14)으로부터 20% 이내의 영역 내에 최고점을 가질 뿐만 아니라, 에지(16)의 부분도 둥그스름한 볼록 형상의 타적 패턴을 형성할 수 있다.
(원료)
본 발명에 관한 도포 재료의 원료로서는, 타적 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한적이지 않지만, 박막 트랜지스터 등 전자 디바이스 등의 기능층을 구성하는 소정의 타적 패턴을 형성하기 위한 것인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 예를 들면, 실라제인 화합물, 폴리스타이렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 등을 들 수 있다.
(실라제인 화합물)
실라제인 화합물이란, 그 구조 내에 규소와 질소의 결합(-SiN-)을 가진 화합물이며, 절연층, 보호층, 층간 절연층 등의 기능막이 되는 실리콘옥사이드막(이하 SiO2막이라고도 함)이나 실리콘옥시나이트라이드막(이하, SiON막이라고도 함)이나 실리콘나이트라이드막(이하 SiN막이라고도 함)을 형성할 때의 출발 원료가 되는 화합물이다.
또한, 이와 같은 SiO2막, SiON막, SiN막은, 다양한 용도로 적합하게 이용할 수 있다. 예를 들면, 트랜지스터의 게이트 절연막, 층간 절연막, 가스 배리어막, 광학 박막 등을 들 수 있다.
실라제인 화합물로서는, 저분자 화합물이어도 되고, 고분자 화합물(소정의 반복 단위를 갖는 폴리머)이어도 된다. 저분자계의 실라제인 화합물로서는, 헥사메틸다이실라제인, 헥사페닐다이실라제인, 다이메틸아미노트라이메틸실레인, 트라이실라제인, 사이클로트라이실라제인, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸사이클로트라이실라제인 등을 들 수 있다.
고분자계의 실라제인 화합물(폴리실라제인 화합물)의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 일본 공개특허공보 평8-112879호에 기재된 하기의 일반식 (1)로 나타나는 단위로 이루어지는 주골격을 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pct00001
상기 일반식에 있어서, R1, R2, 및 R3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 사이클로알킬기, 아릴기, 알킬실릴기, 알킬아미노기, 또는 알콕시기를 나타낸다.
폴리실라제인으로서는, 절연 특성이 보다 우수한 점에서, R1, R2, 및 R3 모두가 수소 원자인 퍼하이드로폴리실라제인(이하, "PHPS"라고도 칭함)인 것이 바람직하다.
퍼하이드로폴리실라제인은, 직쇄 구조와 6원환 및 8원환을 중심으로 하는 환 구조가 존재하는 구조로 추정되고 있다. 그 분자량은 수평균 분자량(Mn)으로 약 600~2000 정도(폴리스타이렌 환산)이며, 액체 또는 고체의 물질일 수 있다(분자량에 따라 다르다). 당해 퍼하이드로폴리실라제인은, 시판품을 사용해도 되고, 당해 시판품으로서는, 아쿠아미카 NN120, NN120-20, NN110, NAX120, NAX120-20, NAX110, NL120A, NL120-20, NL110A, NL150A, NP110, NP140(AZ 일렉트로닉 머티리얼즈 가부시키가이샤제) 등을 들 수 있다.
폴리실라제인의 다른 예로서는, 상기 일반식으로 나타나는 폴리실라제인에 규소 알콕사이드를 반응시켜 얻어지는 규소 알콕사이드 부가 폴리실라제인(예를 들면, 일본 공개특허공보 평5-238827호), 글리시돌을 반응시켜 얻어지는 글리시돌 부가 폴리실라제인(예를 들면, 일본 공개특허공보 평6-122852호), 알코올을 반응시켜 얻어지는 알코올 부가 폴리실라제인(예를 들면, 일본 공개특허공보 평6-240208호), 금속 카복실산염을 반응시켜 얻어지는 금속 카복실산염 부가 폴리실라제인(예를 들면, 일본 공개특허공보 평6-299118호), 금속을 포함하는 아세틸아세토네이트 착체를 반응시켜 얻어지는 아세틸아세토네이트 착체 부가 폴리실라제인(예를 들면, 일본 공개특허공보 평6-306329호), 금속 미립자를 첨가하여 얻어지는 금속 미립자 첨가 폴리실라제인(예를 들면, 일본 공개특허공보 평7-196986호) 등을 들 수 있다.
폴리실라제인 화합물의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 폴리스타이렌 환산 평균 분자량이 1,000~20,000의 범위에 있는 것이 바람직하고, 1,000~10,000의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. 이들 폴리실라제인 화합물은 2종류 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
본 발명의 도포 재료 중에 있어서의 실라제인 화합물과 용매(용매 A 및 용매 B)의 질량비(실라제인 화합물의 질량/용매(용매 A 및 용매 B)의 질량)는 특별히 제한되지 않으며, 형성되는 기능막(도막)의 두께에 따라 적절히 최적인 질량비가 선택되는데, 타적성이 우수한 점에서, 0.01~0.50이 바람직하고, 0.05~0.20이 보다 바람직하다.
본 발명의 도포 재료는, 필요에 따라 기타 첨가제 성분을 함유할 수도 있다. 그와 같은 성분으로서, 예를 들면, 점도 조정제, 가교 촉진제 등을 들 수 있다.
본 발명의 도포 재료는, 기본적으로 이상과 같이 구성된다.
(패턴 형성 방법)
본 발명의 패턴 형성 방법은, 상술한 본 발명의 도포 재료를 이용하여, 도 1에 나타내는 바와 같은 타적(10)의 중심으로부터 20% 이내의 영역(20) 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴을 형성하는 방법이다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서는, 용매로서, 원료에 대하여 양용매이며, 또한 표면 장력 및 증기압이 모두 높은 용매 A와, 모두 낮은 용매 B의 2종류의 용매를 이용하고 있기 때문에, 형성된 타적 패턴은, 도 1에 나타내는 바와 같은 타적(10)의 중심으로부터 20% 이내의 영역(20) 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 도포 재료의 타적의 방법은, 특별히 제한적이지 않지만, 잉크젯 방식을 이용함으로써, 예를 들면 잉크젯 노즐로부터 본 발명의 도포 재료의 액적을 기판(12) 상에 토출하여 타적(10)을 형성할 수 있으면, 어떠한 방법이어도 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 있어서 형성되는 타적(10)의 패턴은, 타적(10)의 중심으로부터 20% 이내의 영역(20) 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴이면, 1개 이상의 잉크젯 노즐로부터 토출된 1 이상의 잉크 액적에 의하여 형성된 원 형상 또는 타원 형상 등의 폐곡선 형상의 패턴이어도 되고, 선 형상의 패턴이어도 된다.
또, 본 발명에 있어서, 잉크젯 노즐로부터 본 발명의 도포 재료의 액적을 토출하여 기판(12) 상에 타적(10)의 패턴을 형성할 때에는, 고정된 기판(12)에 대하여 복수의 잉크젯 노즐을 장착한 캐리지를 이동시켜도 되고, 기판(12)을 간헐 반송시킴과 함께 캐리지를 이동시켜도 되며, 캐리지를 고정해 두고, 기판(12)을 반송시켜도 된다.
본 발명의 도포 재료가 타적되어 타적의 패턴이 형성되는 기판, 그 형상, 구조, 크기에는, 특별히 제한적이지 않고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 기판의 구조는 단층 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다.
기판의 재질로서는 특별히 한정은 없으며, 예를 들면 유리, 알루미나, YSZ(이트륨 안정화 지르코늄) 등의 무기 재료, 수지 재료나, 그 복합 재료 등을 이용할 수 있다. 그 중에서도, 경량인 점, 가요성을 갖는 점에서 수지 기판이나 그 복합 재료가 바람직하다.
패턴 형성 후의 타적(10)의 패턴의 두께는, 기판(12) 상에 형성된 타적(10)의 패턴에 실시되는 후처리에 적합하도록, 예를 들면 자외선 조사 및/또는 가열 처리 시에 효율적으로 경화(전화(轉化))할 수 있도록 얇은 것이 바람직하다. 이로 인하여, 타적 패턴의 두께는 1.0μm 이하가 바람직하고, 0.5μm 이하가 보다 바람직하다. 한편, 타적 패턴의 두께에 하한은 없지만, 성막성의 점에서, 0.05μm 이상이 바람직하고, 0.1μm 이상이 보다 바람직하다.
또, 기판으로서 가요성 기판을 이용하여, 본 발명의 도포 재료로서 실라제인 화합물을 포함하는 도포 재료를 이용할 때에는, 본 발명의 도포 재료에 의한 타적 패턴 형성 후에 SiO2막, SiON막, SiN막으로 전화할 때에 발생하는 체적 수축에 의한 기판의 휨을 억제하기 위하여, 기판의 양면에 본 발명의 도포 재료의 타적 패턴을 형성해도 된다.
본 발명의 패턴 형성 방법은, 기본적으로 이상과 같이 구성된다.
(전자 디바이스의 제조 방법)
본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법은, 전자 디바이스를 구성하는 적어도 1층을, 상술한 본 발명의 패턴 형성 방법을 이용하여 형성된 타적 패턴에 의하여 기능막으로서 제작하는 방법이다.
이하에서는, 전자 디바이스로서, 박막 트랜지스터를 대표예로 하고, 기능막으로서 박막 트랜지스터의 게이트 절연막을 대표예로 하며, 게이트 산화막으로서 실라제인 화합물을 원료로 하는 본 발명의 도포 재료에 의하여 형성되는 SiON막을 형성하는 예를 대표예로서 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것은 물론이다.
도 2는, 본 발명의 전자 디바이스의 1 실시형태인 박막 트랜지스터의 일 실시예의 단면 모식도이다.
도 2에 있어서, 박막 트랜지스터(50)는, 기판(52)과, 기판(52) 상에 배치된 게이트 전극(54)과, 게이트 전극(54) 상에 배치된 게이트 절연막(56)과, 게이트 절연막(56) 상에 배치된 산화물 반도체층(58)과, 산화물 반도체층(58) 상에 배치된 소스 전극(60) 및 드레인 전극(62)을 적어도 구비한다.
이 게이트 절연막(56)은, 실라제인 화합물을 원료로 하고, 원료에 대하여 양용매이며, 또한 표면 장력 및 증기압이 모두 다른 2종류의 용매를 포함하는 본 발명의 도포 재료를 이용하여 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 형성된 타적 패턴을 갖는 SiON막으로 형성된 것이다.
박막 트랜지스터(50)는, 보텀 게이트형의 박막 트랜지스터이다. 이하에서는, 보텀 게이트형의 박막 트랜지스터에 대해서만 상세하게 설명하지만, 탑 게이트형의 박막 트랜지스터의 게이트 절연막에 본 발명법에 의한 SiON막을 적용해도 된다. 게이트 절연막(56)은 산화물 반도체층(58)에 인접하여 배치되어, SiON막을 사용하면, 산화물 반도체층(58)과의 계면 특성이 보다 향상되고, 박막 트랜지스터로서의 성능이 보다 향상된다.
또한, 산화 공정이 실시된 SiON막을 사용하는 경우는, 산화 공정이 실시된 표면을 산화물 반도체층(58)측에 배치하는 것이 바람직하다.
또, 도 2에 있어서는, 산화물 반도체층을 이용한 산화물 박막 트랜지스터의 양태에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명법에 의한 SiON막은 유기 반도체 재료를 포함하는 유기 반도체층을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막으로서도 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명법에 의한 전자 디바이스로서 박막 트랜지스터(50)를 제조할 때에는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 먼저, 기판(52) 상에, 공지의 방법에 의하여, 예를 들면 전극 재료를 진공 증착 또는 스퍼터링하는 등에 의하여, 게이트 전극(54)을 형성한다.
다음으로, 형성된 게이트 전극(54) 상에, 본 발명의 도포 재료를 이용하여 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 에지의 융기가 없는 타적 패턴을 형성한 후, 전화 처리를 행하여, SiON막을 게이트 절연막(56)으로서 형성한다.
그 후, 게이트 절연막(56) 상에, 공지의 방법에 의하여 산화물 반도체층(58)을 형성하고, 형성된 산화물 반도체층(58) 상에 각각 게이트 전극(54)과 동일하게 하여, 패턴화되어 분리된 소스 전극(60) 및 드레인 전극(62)을 형성한다.
이렇게 하여, 본 발명법에 의하여 박막 트랜지스터(50)를 제조할 수 있다.
이하, 기판, 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극에 대하여 상세하게 설명한다.
<기판>
기판은, 후술하는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극 등을 지지하는 역할을 한다. 기판의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 상술한 기판 등도 들 수 있다.
<게이트 전극>
게이트 전극의 재료로서는, 예를 들면 금(Au), 은, 알루미늄, 구리, 크로뮴, 니켈, 코발트, 타이타늄, 백금, 마그네슘, 칼슘, 바륨, 나트륨 등의 금속; In2O3, SnO2, ITO 등의 도전성의 산화물; 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리싸이오펜, 폴리아세틸렌, 폴리다이아세틸렌 등의 도전성 고분자; 실리콘, 저마늄, 갈륨 비소 등의 반도체; 풀러렌, 카본 나노튜브, 그라파이트 등의 탄소 재료 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 금속인 것이 바람직하고, 은, 알루미늄인 것이 보다 바람직하다.
게이트 전극의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 10nm 이상 1000nm 이하가 바람직하고, 50nm 이상 500nm 이하가 보다 바람직하다.
게이트 전극을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 기판 상에, 전극 재료를 진공 증착 또는 스퍼터링하는 방법, 전극 형성용 조성물을 도포 또는 인쇄하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 전극을 패터닝하는 경우, 패터닝하는 방법으로서는, 예를 들면 포트리소그래피법; 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 볼록판 인쇄 등의 인쇄법; 마스크 증착법 등을 들 수 있다.
<게이트 절연막>
게이트 절연막은, 상술한 SiO2막, SiON막, SiN막으로 형성된다.
여기에서, 절연막을 형성할 때에는, 실라제인 화합물을 원료로 하고, 원료에 대하여 양용매이며, 또한 표면 장력 및 증기압이 모두 다른 2종류의 용매를 포함하는 본 발명의 도포 재료를 이용하여 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 에지의 융기가 없는 타적 패턴을 형성한 후, 형성된 타적 패턴을, 건조 후, 혹은 건조시키지 않고, 타적 패턴에 대하여, 전화 처리를 실시한다.
비산화성 분위기하에서, 자외선을 조사하는, 및/또는 타적 패턴을 가열하는(가열 처리를 실시하는) 전화 처리(전화 공정)를 행한다. 이와 같은 처리를 실시함으로써, 실라제인 화합물로부터 원하는 SiON막, SiN막으로의 전화가 진행된다. 이렇게 하여, 에지의 융기가 없는 패턴 형상을 갖는 SiON막, SiN막을 게이트 절연막으로서 형성할 수 있다.
산화성 분위기하에서, 자외선을 조사하는, 및/또는 타적 패턴을 가열하는(가열 처리를 실시하는) 전화 처리(전화 공정)를 행한다. 이와 같은 처리를 실시함으로써, 실라제인 화합물로부터 원하는 SiO2막으로의 전화가 진행된다. 이렇게 하여, 에지의 융기가 없는 패턴 형상을 갖는 SiO2막을 게이트 절연막으로서 형성할 수 있다.
게이트 절연막의 막두께는, 특별히 제한되지 않지만, 70~1000nm인 것이 바람직하다.
또한, 도 2에 있어서는, 게이트 절연막이 SiON막인 양태를 나타내지만, 그 양태에는 한정되지 않으며, 예를 들면 본 발명의 도포 재료를 이용하여 본 발명의 패턴 형성 방법에 의하여 에지의 융기가 없는 타적 패턴 형상을 갖는 것이면, SiON막과 다른 게이트 절연막을 적층한 적층 절연막이어도 된다. 그 경우, 산화물 반도체층과 접하고 있는 부분이 본 발명의 SiON막인 것이 바람직하다.
상기 다른 게이트 절연막으로서는, 예를 들면 절연 재료로서 폴리머를 포함하는 폴리머 절연막을 들 수 있다. 예로서, 바이닐계 고분자, 스타이렌계 고분자, 아크릴계 고분자, 에폭시계 고분자, 에스터계 고분자, 페놀계 고분자, 이미드계 고분자, 및 사이클로알켄(Cycloalkene)으로 구성된 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 폴리머를 포함하는 폴리머 절연막인 것이 바람직하다.
더 상세하게는, 폴리머 절연막으로서는, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리바이닐 클로라이드(PVC), 폴리바이닐알코올(PVA), 폴리바이닐페놀(PVP), 폴리바이닐피롤리돈, 폴리스타이렌(PS), 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴산 메틸(PMMA), 폴리아크릴로나이트릴(PAN), 폴리카보네이트(PC), 폴리테레프탈산 에틸렌(PET), 파릴렌, 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리이미드(PI), 폴리벤조사이클로뷰텐(BCB), 폴리사이클로펜텐(CyPe), 및 폴리실세스퀴옥세인으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 폴리머를 포함하는 폴리머 절연막인 것도 바람직하다.
<산화물 반도체층>
산화물 반도체층은, 활성층(채널)으로서 기능하는 것이며, 예를 들면 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 아연(Zn) 등 중 1종 또는 2종 이상의 혼합물의 산화물로 이루어진다. 이와 같은 산화물로서는, 예를 들면 산화 인듐 갈륨 아연(IGZO, InGaZnO)을 들 수 있다. 산화 인듐 갈륨 아연 이외에도, In-Al-Zn-O계, In-Sn-Zn-O계, In-Zn-O계, In-Sn-O계, Zn-O계, Sn-O계 등을 이용해도 된다.
산화물 반도체층의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 5~300nm가 바람직하다.
산화물 반도체층을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 공지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 스핀 코트, 잉크젯, 디스펜서, 스크린 인쇄, 볼록판 인쇄 또는 오목판 인쇄 등을 이용할 수 있다. 또, 스퍼터링법이나, 증착법 등의 기상법을 채용할 수도 있다.
<소스 전극, 드레인 전극>
소스 전극 및 드레인 전극의 재료의 구체예는, 상술한 게이트 전극과 동일하다.
소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 게이트 전극과 게이트 절연막과 산화물 반도체층이 형성된 기판 상에, 전극 재료를 진공 증착 또는 스퍼터링하는 방법, 전극 형성용 조성물을 도포 또는 인쇄하는 방법 등을 들 수 있다. 패터닝 방법의 구체예는, 상술한 게이트 전극과 동일하다.
소스 전극 및 드레인 전극의 채널 길이는 특별히 제한되지 않지만, 0.01~1000μm인 것이 바람직하다.
소스 전극 및 드레인 전극의 채널 폭은 특별히 제한되지 않지만, 0.01~5000μm인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자 디바이스의 제조 방법은, 기본적으로 이상과 같이 구성된다.
실시예
이하, 실시예에 의하여, 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 I)
먼저, AZ-EM사제 폴리실라제인 용액(120 시리즈: 다이뷰틸에터 용매 및 110 시리즈: 자일렌 용매)을 원료로서 이용하고, 각종 용매를 용매 A 및 용매 B로 하여 체적비 1:1로 혼합시켜, 실시예 1~2 및 비교예 1~8의 혼합 용액을 얻었다. 이들 실시예 1~2 및 비교예 1~8의 혼합 용액을 표 1에 나타낸다. 표 1에 나타내는 증기압, 표면 장력의 값은, 20℃에 있어서의 값이다.
[표 1]
Figure pct00002
얻어진 실시예 1~2 및 비교예 1~8의 혼합 용액을 실리콘 기판 상에 스핀 코트함으로써, 젖음성의 확인을 실시했다.
고르고 균일하게 도포되어 있는 경우를 A, 도포 표면에 불균일이 있는 경우를 B라고 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1에 나타내는 결과로부터 명확한 바와 같이, 용매 B가 다이뷰틸에터일 때에, 용매 A가 각각 톨루엔, 클로로벤젠이며, 용매 A와 용매 B의 표면 장력비가 1.17 이상, 증기압비가 1.57 이상인 실시예 1 및 2에 있어서, 도 3(C)에 나타내는 바와 같이 스핀 코트막이 양호하지 않은 B 평가인 것이 확인되었다.
한편, 용매 B가 다이뷰틸에터, 자일렌일 때에, 용매 A와 용매 B의 표면 장력비가 1.17 미만인 용매 A를 이용한 비교예 1~4 및 7~8, 또한 용매 A와 용매 B의 증기압비가 1.57 미만인 용매 A를 이용한 비교예 1 및 5~6, 따라서, 비교예 1~8에 있어서, 도 4(C)에 나타내는 바와 같이, 스핀 코트막이 양호한 A 평가인 것이 확인되었다.
또, FUJIFILM DIMATIX사제 잉크젯 장치 DMP2830을 이용하여, 실시예 1~2 및 비교예 1~8의 혼합 용액을 토출하고, 토출된 타적의 패턴 형상, 즉 단면 프로파일을 확인했다. 또한, 단면 프로파일은, Veeco사제 Wyko로 광간섭상을 측정함으로써 확인했다.
타적 패턴의 중앙부로부터 20% 이내의 영역에 있어서 최댓값을 취하는 경우를 A, 중앙부로부터 20% 이외의 영역에 있어서 최댓값을 취하는 경우를 B라고 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1에 나타내는 결과로부터 명확한 바와 같이, 스핀 코트에 있어서 막이 양호하게 형성되지 않았던 용액 구성인 실시예 1~2에 있어서, 도 3(A) 및 (B)에 나타내는 바와 같이, 형성된 잉크젯 패턴상에 있어서, 중심으로부터 20%의 영역에 있어서 최곳값을 갖고, 에지로부터 중심을 향하여 매끄러운 볼록 형상의 양호한 A 평가의 단면 프로파일이 얻어지는 것이 확인되었다.
한편, 스핀 코트막이 양호했던 비교예 1~8에 있어서, 도 4(A) 및 (B)에 나타내는 바와 같이, 형성된 잉크젯 패턴상에 있어서, 에지에 있어서 커피 스테인 현상의 발생에 의한 융기가 있다는 문제가 있는 B 평가의 단면 프로파일이 얻어지는 것이 확인되었다.
표 1의 결과로부터, 실시예 1 및 2의 젖음 확산되지 않는 용액 구성이 양호한 단면 프로파일을 갖는 잉크젯 패턴 형성에 적합하다는 것이 확인되었다.
(실시예 II)
다음으로, 실시예 1의 원료, 용매 A 및 용매 B의 조합에 있어서, 용매 A인 톨루엔과 용매 B인 다이뷰틸에터의 체적 함유율을 변화시킴으로써, 스핀 코트막의 젖음성 및 잉크젯 패턴상의 패턴 형상, 특히 그 에지 형상의 변화를 확인했다.
스핀 코트막의 젖음성의 평가는, 실시예 I과 동일하게 평가했다.
또, 잉크젯 패턴상의 패턴 형상은, 단면 프로파일에 있어서의 최댓값이, 타적 패턴의 중앙 부분(중심으로부터 20%의 영역 내)에 있고, 에지 부분이 둥글게 되어 있는 경우를 AA, 타적 패턴의 중앙 부분에 있으며, 에지 부분이 각져 있는 경우를 A, 타적 패턴의 에지 부분에 있는 경우를 B라고 평가했다. 또한, 단면 프로파일은, Veeco사제 Wyko로 광간섭상을 측정함으로써 확인했다.
그 결과를 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Figure pct00003
표 2에 나타내는 결과로부터 명확한 바와 같이, 용매 A인 톨루엔의 체적 함유율이 20% 이상~50% 이하의 영역에 들어가는 실시예 11~17에 있어서, 불균일이 없는 양호한 스핀 코트막이 형성되지 않아 B 평가이며, 패턴 형상은, 타적 패턴의 중앙 부분(중심으로부터 20%의 영역 내)에 프로파일의 최댓값을 취하여, 커피 스테인 현상을 억제할 수 있는 A 또는 AA 평가인 것을 확인할 수 있었다.
한편, 용매 A인 톨루엔의 체적 함유율이 50% 초과인 비교예 11 및 20% 미만인 비교예 12~15에서는, 불균일이 없는 양호한 스핀 코트막을 형성할 수 있어 A 평가이며, 패턴 형상은, 타적 패턴의 중앙 부분(중심으로부터 20%의 영역 내)에 프로파일의 최댓값을 취할 수 없어, 커피 스테인 현상이 억제되어 있지 않은 B 평가인 것을 확인할 수 있었다.
또, 특히, 용매 A인 톨루엔의 체적 함유율이 35% 이상~50% 이하의 영역에 들어가는 실시예 11~14에 있어서, 패턴 형상은, 타적 패턴의 중앙 부분(중심으로부터 20%의 영역 내)에 프로파일의 최댓값을 취함과 함께, 에지 부분도 둥그스름하여, 양호한 형상을 얻을 수 있는 AA 평가라고 하는 것이 확인되었다.
(실시예 III)
다음으로, 와코 준야쿠제 폴리스타이렌(Mw=300)을 원료로서 이용하여, 각종 용매를 용매 A 및 용매 B로 하여 체적비 1:1로 혼합시켜, 실시예 21~22 및 비교예 21~22의 혼합 용액을 얻었다. 이들 실시예 21~22 및 비교예 21~22의 혼합 용액을 표 3에 나타낸다. 표 3에 나타내는 증기압, 표면 장력의 값은, 20℃에 있어서의 값이다.
[표 3]
Figure pct00004
얻어진 실시예 21~22 및 비교예 21~22의 혼합 용액을 실리콘 기판 상에 스핀 코트함으로써, 젖음성의 확인을 실시했다.
스핀 코트막의 젖음성의 평가는, 실시예 I과 동일하게 행했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
표 3에 나타내는 결과로부터 명확한 바와 같이, 용매 B가 다이뷰틸에터일 때에, 용매 A가 각각 톨루엔, 클로로벤젠이며, 용매 A와 용매 B의 표면 장력비가 1.17 이상, 증기압비가 1.57 이상인 실시예 21 및 22에 있어서, 스핀 코트막이 양호하지 않은 B 평가인 것이 확인되었다.
한편, 용매 A가 톨루엔일 때에, 용매 A와 용매 B의 표면 장력비가 1.17 미만인 용매 B를 이용한 비교예 21~22, 또한 용매 A와 용매 B의 증기압비가 1.57 미만인 용매 B를 이용한 비교예 21, 따라서, 비교예 21~22에 있어서, 스핀 코트막이 양호한 A 평가인 것이 확인되었다.
또, 실시예 I과 동일하게, FUJIFILM DIMATIX사제 잉크젯 장치 DMP2830을 이용하여 실시예 21~22 및 비교예 21~22의 혼합 용액을 토출하고, 토출된 타적의 패턴 형상, 즉 단면 프로파일을 확인했다. 또한, 단면 프로파일은, Veeco사제 Wyko로 광간섭상을 측정함으로써 확인했다.
타적의 패턴 형상(단면 프로파일)의 평가는, 실시예 I과 동일하게 행했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
표 3에 나타내는 결과로부터 명확한 바와 같이, 스핀 코트에 있어서 막이 양호하게 형성되지 않았던 용액 구성인 실시예 21~22에 있어서, 형성된 잉크젯 패턴상에 있어서, 중심으로부터 20%의 영역에 있어서 최곳값을 갖고, 에지로부터 중심을 향하여 매끄러운 볼록 형상의 양호한 A 평가의 단면 프로파일이 얻어지는 것이 확인되었다.
한편, 스핀 코트막이 양호했던 비교예 21~22에 있어서, 형성된 잉크젯 패턴상에 있어서, 에지에 있어서 커피 스테인 현상의 발생에 의한 융기가 있다는 문제가 있는 B 평가의 단면 프로파일이 얻어지는 것이 확인되었다.
표 3의 결과로부터, 실시예 21 및 22의 젖음 확산되지 않는 용액 구성이 양호한 단면 프로파일을 갖는 잉크젯 패턴 형성에 적합하다는 것이 확인되었다.
이상의 결과로부터, 본 발명의 효과는 명확하다.
10 타적
12 기판
14 중심
16 에지
18 단면 프로파일
20 중심으로부터 20% 이내의 영역
50 박막 트랜지스터
52 기판
54 게이트 전극
56 게이트 절연막
58 산화물 반도체층
60 소스 전극
62 드레인 전극

Claims (12)

  1. 타적의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴을 형성하기 위한 도포 재료로서,
    원료와, 용해도 파라미터 SP값이 20.3MPa1/2 이하인 양용매인 2종류의 용매 A, 및 B를 함유하여 구성되며,
    용매 A가, 용매 B보다 표면 장력이 높고 또한 증기압이 높으며, 용매 체적 함유율로서 20% 이상 50% 이하 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 재료.
  2. 청구항 1에 있어서,
    용매 A가, 용매 B보다, 표면 장력이 1.17배 이상 높고, 또한 증기압이 1.57배 이상 높은 도포 재료.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    용매 A의 20℃에 있어서의 표면 장력이 27mN/m 이상이고, 또한 증기압이 1.1kPa 이상이며,
    용매 B의 20℃에 있어서의 표면 장력이 23mN/m 이하이고, 또한 0.7kPa 이하인 도포 재료.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    용매 A가, 용매 체적 함유율로서 35% 이상 50% 이하 함유되어 있는 도포 재료.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    원료가 실라제인 화합물로 구성되어 있는 도포 재료.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    잉크젯용 도포 재료인 도포 재료.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 도포 재료를 이용하여, 타적의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    타적의 중심으로부터 20% 이내의 영역 내에 타적의 최고점을 갖는 패턴이, 타적의 중심으로부터 20% 이내에 있어서, 타적의 중심을 통과하고, 이 중심의 양측에 에지를 갖는 타적의 단면 프로파일의 최댓값을 갖는 패턴인, 패턴 형성 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    타적의 단면 프로파일의 양측의 에지 부분이 둥글게 되어 있는 패턴 형성 방법.
  10. 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
    전자 디바이스의 적어도 한층이, 청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 기재된 패턴 형성 방법에 의하여 제작되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    전자 디바이스의 적어도 한층이, 절연층, 보호층, 층간 절연층 중 적어도 한층인 전자 디바이스의 제조 방법.
  12. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
    상기 전자 디바이스가, 박막 트랜지스터인 전자 디바이스의 제조 방법.
KR1020177007932A 2014-09-26 2015-08-27 도포 재료, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 그 제조 방법 KR101981408B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-197000 2014-09-26
JP2014197000 2014-09-26
PCT/JP2015/074271 WO2016047362A1 (ja) 2014-09-26 2015-08-27 塗布材料、パターン形成方法および電子デバイスのその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170045287A true KR20170045287A (ko) 2017-04-26
KR101981408B1 KR101981408B1 (ko) 2019-05-22

Family

ID=55580891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177007932A KR101981408B1 (ko) 2014-09-26 2015-08-27 도포 재료, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 그 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6385449B2 (ko)
KR (1) KR101981408B1 (ko)
TW (1) TWI664675B (ko)
WO (1) WO2016047362A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170014946A (ko) * 2015-07-31 2017-02-08 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막
JP2020111651A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 凸版印刷株式会社 塗布剤、印刷物及び印刷物の製造方法
KR20220066130A (ko) * 2019-12-17 2022-05-23 코니카 미놀타 가부시키가이샤 전자 디바이스 밀봉층 형성용의 잉크 조성물, 전자 디바이스 밀봉층 형성 방법 및 전자 디바이스 밀봉층

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208774A (ja) * 1999-01-18 2000-07-28 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ、電気光学装置およびそれらの製造方法
JP2008066567A (ja) 2006-09-08 2008-03-21 Ricoh Co Ltd 配線パターンとこれを用いた電子素子、有機半導体素子、積層配線パターンおよび積層配線基板
JP2014051637A (ja) * 2012-09-10 2014-03-20 Tokyo Institute Of Technology シリカ複合材料、コーティング組成物、及びシリカ複合膜の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09125006A (ja) * 1995-10-30 1997-05-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポリシラザン系塗布液及びそれを用いたセラミックス被膜の形成方法
JPH1191039A (ja) * 1997-09-19 1999-04-06 Teijin Ltd 医療用離形フィルム
TW447143B (en) * 1999-03-30 2001-07-21 Seiko Epson Corp Method of manufacturing solar cell
DE60009046T2 (de) * 1999-12-16 2005-01-20 Asahi Glass Co., Ltd. Polysilanzan-zusammensetzung, gegossener, beschichteter gegenstand und vernetzter gegenstand
JP2001279134A (ja) * 2000-03-31 2001-10-10 Seiko Epson Corp 吐出組成物及び機能膜作製法
JP4836061B2 (ja) * 2005-05-26 2011-12-14 株式会社豊田自動織機 塗料組成物、塗料組成物の調製方法、塗料組成物を用いた透明性保護膜の製造方法および透明性保護膜を有する有機ガラス
JP5480510B2 (ja) * 2008-03-31 2014-04-23 住友化学株式会社 有機半導体組成物、並びに有機薄膜及びこれを備える有機薄膜素子
JP2010180301A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Canon Chemicals Inc 変性ポリシラザン及びコーティング液
CN104737073B (zh) * 2012-10-17 2019-03-08 三菱瓦斯化学株式会社 抗蚀剂组合物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208774A (ja) * 1999-01-18 2000-07-28 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ、電気光学装置およびそれらの製造方法
JP2008066567A (ja) 2006-09-08 2008-03-21 Ricoh Co Ltd 配線パターンとこれを用いた電子素子、有機半導体素子、積層配線パターンおよび積層配線基板
JP2014051637A (ja) * 2012-09-10 2014-03-20 Tokyo Institute Of Technology シリカ複合材料、コーティング組成物、及びシリカ複合膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6385449B2 (ja) 2018-09-05
TW201612975A (en) 2016-04-01
WO2016047362A1 (ja) 2016-03-31
JPWO2016047362A1 (ja) 2017-07-06
KR101981408B1 (ko) 2019-05-22
TWI664675B (zh) 2019-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101255537B1 (ko) 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR101981408B1 (ko) 도포 재료, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 그 제조 방법
US8067265B2 (en) Electric devices and methods of manufaturing the same
CN101023529B (zh) 形成溶液处理器件的方法
TW200541388A (en) Molecular electronic device fabrication methods and structures
CN105932037B (zh) 一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置
US20170288172A1 (en) Thin Film Packaging Structure, Method For Fabrication Thereof And Display Device
JP2004127897A (ja) 組成物とこれを用いた有機導電性膜及びその製造方法、該有機導電性膜を備えた有機ｅｌ素子及びその製造方法、該有機導電性膜を備えた半導体素子及びその製造方法、電子装置並びに電子機器
WO2014205898A1 (zh) 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置
US20180197927A1 (en) Organic electronic devices with fluoropolymer bank structures
Can et al. High‐viscosity copper paste patterning and application to thin‐film transistors using electrohydrodynamic jet printing
CN1951162B (zh) 元件配置基板及其制备方法
US20050069713A1 (en) Capillary coating method
US20090032812A1 (en) Microelectronic device
WO2016121230A1 (ja) 酸化物保護膜の製造方法、酸化物保護膜、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス
US9217093B1 (en) Palladium ink compositions
JP2019528201A (ja) 電子デバイスの保護
KR20160011244A (ko) 다층 박막의 제조 방법, 이로 인해 형성된 다층 박막, 이를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법 및 이를 통해 제조된 유기 박막 트랜지스터
US20120114910A1 (en) Flexible gas barrier film, method for preparing the same, and flexible display device using the same
WO2013172143A1 (ja) 半導体デバイス、表示装置、電子機器、及び、半導体デバイスの製造方法
JP2015162667A (ja) 金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス
CN111834551A (zh) 显示面板、显示装置以及显示面板的成型方法
US8765224B2 (en) Controlling printed ink line widths using fluoropolymer templates
CN112289949A (zh) 封装结构及其制备方法、显示装置
WO2015119001A1 (ja) シリコンオキシナイトライド膜およびその製造方法、トランジスタ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant