KR20170021744A - 웨이퍼 가공용 접착재, 웨이퍼 적층체 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

웨이퍼 가공용 접착재, 웨이퍼 적층체 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 Download PDF

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쇼헤이 다가미
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

[해결하려고 하는 과제] 웨이퍼와 지지체를 박리할 때 오염원으로 되는 미립자의 발생을 억제하고, 내열성이 있고, 가접착이 용이하며, 또한 고단차 기판에서도 균일한 막 두께로 형성하는 것이 가능하며, TSV 형성, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높고, 또한 CVD라는 웨이퍼 열 프로세스 내성이 우수하고, 박리 도 용이하며, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼 가공용 접착재, 상기 접착재에 의해 웨이퍼와 지지체가 접합되어 있는 웨이퍼 적층체, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단] 웨이퍼와 지지체를 일시적으로 접착하기 위한 실리콘계 접착제를 함유하는 접착재로서, 대전 방지제를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 접착재를 제공한다.

Description

웨이퍼 가공용 접착재, 웨이퍼 적층체 및 박형 웨이퍼의 제조 방법{WAFER PROCESSING BONDING ARRANGEMENT, WAFER LAMINATE, AND THIN WAFER MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 미립자의 발생을 억제하면서, 박형 웨이퍼를 효율적으로 얻는 것을 가능하게 하는 웨이퍼 가공용 접착재, 웨이퍼 적층체, 및 박형 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
3차원의 반도체 실장(實裝)은, 한층 더 고밀도, 대용량화를 실현하기 위해 필수로 되고 있다. 3차원 실장 기술이란, 1개의 반도체칩을 박형화하고, 또한 이것을 실리콘 관통 전극(TSV: through silicon via)에 의해 결선(結線)하면서 다층으로 적층해 가는 반도체 제작 기술이다. 이를 실현하기 위해서는, 반도체 회로를 형성한 기판을 비회로 형성면[이면(裏面)이라고도 함] 연삭에 의해 박형화하고, 또한 이면에 TSV를 포함하는 전극 형성을 행하는 공정이 필요하다. 종래, 실리콘 기판의 이면 연삭 공정에서는, 연삭면의 반대측에 이면 보호 테이프를 붙여, 연삭 시의 웨이퍼 파손을 방지하고 있다. 그러나, 이 테이프는 유기 수지 필름을 기재(基材)에 사용하고 있어, 유연성이 있는 반면, 강도나 내열성이 불충분하여, TSV 형성 공정이나 이면에서의 배선층 형성 공정을 행하는 데에는 적합하지 않는다.
그래서, 반도체 기판을 실리콘, 유리 등의 지지체에 접착층을 통하여 접합함으로써, 이면 연삭, TSV나 이면 전극 형성의 공정에 충분히 견딜 수 있는 시스템이 제안되어 있다. 이 때 중요한 것이, 기판을 지지체에 접합할 때의 접착층이다. 이것은 기판을 지지체에 간극없이 접합할 수 있고, 나중의 공정에 견딜 만큼의 충분한 내구성(耐久性)이 필요하고, 또한 마지막에 박형 웨이퍼를 지지체로부터 간편하게 박리할 수 있는 것이 필요하다. 그리고, 이와 같이 마지막에 박리하므로, 본 명세서에서는, 이 접착층을 가접착층(또는 가접착재층)이라고 하기로 한다.
지금까지 공지의 가접착층과 그 박리 방법으로서는, 광 흡수성 물질을 포함하는 접착재에 고강도의 광을 조사(照射)하여, 접착재층을 분해함으로써 지지체로부터 접착재층을 박리하는 기술(특허 문헌 1), 및 열용융성 탄화수소계 화합물을 접착재에 사용하고, 가열 용융 상태에서 접합·박리를 행하는 기술(특허 문헌 2)이 제안되어 있다. 전자의 기술은 레이저 등의 고가의 장치가 필요하며, 또한 기판 1장당 처리 시간이 길어지는 등의 문제가 있었다. 또한, 후자의 기술은 가열만으로 제어하기 때문에 간편한 반면, 200℃를 초과하는 고온에서의 열안정성이 불충분하므로 적용 범위는 좁았다. 또한, 이들의 가접착층에서는, 고단차 기판의 균일한 막 두께 형성과 지지체로의 완전 접착에도 적합하지 않았다.
또한, 실리콘 점착제를 가접착재층에 사용하는 기술이 제안되어 있다(특허 문헌 3). 이것은 기판을 지지체에 부가 경화형의 실리콘 점착제를 사용하여 접합하고, 박리 시에는 실리콘 수지를 용해, 또는 분해하는 약제에 침지하여 기판을 지지체로부터 분리하는 것이다. 이 때문에, 박리에 매우 장시간을 필요로 하여, 실제 제조 프로세스에 대한 적용은 곤란하다.
또한, 웨이퍼 가공 시의 내열성이 우수하고, 가접착성이 양호하고 또한 상온에서의 박리성(剝離性)도 양호한 가접착제가 제안되어 있다. 이 방법에서는 웨이퍼와 지지체를 박리함에 있어서, 상온에서 기계적으로 가접착제의 계면 또는 응집 파괴에 의해 박리시키는 방법이 제안되어 있다. 이 방법은 비교적 간편하게 웨이퍼와 지지체를 박리하는 것이 가능하지만, 박리 시에 접착제가 미립자로 되어, 장치 내를 오염시키는 경우가 있었다.
그리고, 대전(帶電) 방지제를 아크릴계 접착제나 에폭시계 접착제 등의 접착제·점착제에 배합하여 접착제 표면에서의 표면 저항을 억제하는 것이 종래로부터 행해지고 있지만(특허 문헌 4, 5), 대전 방지제의 첨가에 의해, 반대로 내열성이 저하되어, 고온 하에서 사용하는 반도체 분야에서의 가접착제에는 적합하지 않았다.
특허 문헌 1 : 일본공개특허 제2004-64040호 공보 특허 문헌 2 : 일본공개특허 제2006-328104호 공보 특허 문헌 3 : 미국특허 제7541264호 명세서 특허 문헌 4 : 일본공개특허 제2014-141649호 공보 특허 문헌 5 : 일본공개특허 제2015-41663호 공보
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 웨이퍼와 지지체를 박리할 때 오염원으로 되는 미립자의 발생을 억제하고, 내열성이 있어, 가접착이 용이하며, 또한 고단차 기판에서도 균일한 막 두께로 형성하는 것이 가능하며, TSV 형성, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높고, 또한 CVD라는 웨이퍼 열 프로세스 내성이 우수하고, 박리도 용이하여, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼 가공용 접착재, 상기 접착재에 의해 웨이퍼와 지지체가 접합되어 있는 웨이퍼 적층체, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의(銳意) 검토를 거듭한 결과, 웨이퍼와 지지체를 일시적으로 접착하기 위한 접착재로서, 대전 방지제를 함유한, 실리콘계 접착제를 함유하는 웨이퍼 가공용 접착재, 특히 (A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층과, (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층 및/또는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층을 가지는 복합 가접착재로서, 대전 방지제를 바람직하게는 상기 (B)층 및/또는 (C)층에 함유시킨 웨이퍼 가공용 접착재를 사용함으로써, 웨이퍼와 지지체를 박리할 때 오염원으로 되는 미립자의 발생을 억제하고, 내열성이 있고, 가접착이 용이하며, 또한 고단차 기판에 대하여 균일한 막 두께로 형성하는 것도 가능하며, TSV 형성, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높고, 또한 CVD라는 웨이퍼 열 프로세스 내성이 우수하고, 박리도 용이하이며, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은, 하기 웨이퍼 가공용 접착재, 웨이퍼 적층체 및 박형 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
[1]
웨이퍼와 지지체를 일시적으로 접착하기 위한 실리콘계 접착제를 함유하는 웨이퍼 가공용 접착재로서, 대전 방지제를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 접착재.
[2]
(A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층과, (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층 및/또는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층을 가지는 [1]에 기재된 웨이퍼 가공용 접착재.
[3]
대전 방지제가, 제2 가접착층(B) 및/또는 제3 가접착층(C)에 함유되어 있는 [2]에 기재된 웨이퍼 가공용 접착재.
[4]
대전 방지제의 함유량이, 대전 방지제를 함유하는 가접착층 중, 0.01∼10 질량%인 [2] 또는 [3]에 기재된 웨이퍼 가공용 접착재.
[5]
실리콘계 접착제층을 함유하는 접착재를 통하여 웨이퍼와 지지체가 접합되어 있는 적층체로서, 상기 접착재에 대전 방지제가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 적층체.
[6]
웨이퍼 적층체가, 표면에 회로면을 가지는 웨이퍼와, 이 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 (A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층, 상기 제1 가접착층에 적층된 (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층 및/또는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층을 가지는 웨이퍼 가공용 접착재와, 상기 접착재의 제2 가접착층 또는 제3 가접착층 위에 박리 가능하게 적층된 지지체를 포함한 것이며, 상기 (B) 제2 가접착층 및/또는 (C) 제3 가접착층에 대전 방지제가 포함되어 있는 [5]에 기재된 웨이퍼 적층체.
[7]
웨이퍼와 지지체를 일시적으로 [1]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 접착재로 접착하여, 웨이퍼를 박형 가공 처리한 후, 가공된 웨이퍼로부터 지지체를 박리하는 박리 공정을 포함하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
본 발명의 웨이퍼 가공용 접착재는, 기판 접합용 지지층으로서 사용함으로써, 다른 재료와의 접착성이 향상되고, 수지의 열분해가 생기지 않는 것은 물론, 고온 시에서의 수지의 유동도 생기지 않고, 내열성이 높으므로, 폭넓은 반도체 성막 프로세스에 적용할 수 있고, 단차를 가지는 웨이퍼에 대해서도, 막 두께 균일성이 높은 접착층을 형성할 수 있고, 이 막 두께 균일성 때문에 용이하게 50㎛ 이하의 균일한 박형 웨이퍼를 얻는 것이 가능해지고, 또한 박형 웨이퍼 제작 후, 이 웨이퍼를 지지체로부터 실온에서 용이하게 박리할 수 있어, 박리 공정에 있어서 발생하는 미립자의 발생을 방지할 수 있으므로, 작업 효율이 향상되고, 나누기 용이한 박형 웨이퍼를 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 적층체의 일례를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 웨이퍼 가공용 접착재는, 웨이퍼와 지지체를 일시적으로 접착하기 위한 실리콘계 접착제 함유 접착재로서, 상기 접착재가 대전 방지제를 함유하는 것을 특징으로 한다.
<웨이퍼 가공용 접착재>
본 발명의 웨이퍼 가공용 접착재는, 웨이퍼와 지지체를 일시적으로 접착하기 위해 사용되는 것이며, 실리콘계 접착제를 함유하고, 대전 방지제를 더 포함하는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니지만, (A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층과, (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층 및/또는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층의 2층 구조 또는 3층 구조를 가지는 복합 가접착재로서 구성되는 것이 바람직하고, 특히 상기 (A), (B), (C)의 순서로 형성된 3층 구조를 가지는 복합 가접착재가 바람직하다.
즉, 본 발명의 웨이퍼 가공용 접착재는, 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재로서, 상기 웨이퍼의 표면에 가접착되는 (A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층되고, 또한 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층 또는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층의 2층 구조를 가지는 복합 가접착재, 또는 상기 웨이퍼의 표면에 가접착되는 (A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층과, 이 제1 가접착층에 적층된 (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층과, 이 제2 가접착층에 적층되고, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착되는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층의 3층 구조를 가지는 복합 가접착재인 것이 바람직하고, 특히 웨이퍼 측으로부터, 상기 (A), (B), (C)의 순서로 형성된 3층 구조를 가지는 복합 가접착재인 것이 보다 바람직하고, 상기 복합 가접착재 중 적어도 어느 하나의 가접착층에 대전 방지제가 포함되어 있는 것이다.
이 경우, 실리콘계 접착층인 (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층, 및 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층 중 적어도 1층에 대전 방지제가 함유되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 웨이퍼 가공용 접착재를 사용하면, 웨이퍼와 지지체의 가접착이 용이하고, 또한 고단차 기판에 대하여 균일한 막 두께로 형성하는 것도 가능하며, TSV 형성, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높고, 또한 CVD라는 열 프로세스 내성도 양호하면서 박리도 용이하여, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 웨이퍼 가공용 접착재로서,
(A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층과,
(B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층 및/또는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층과
의 2층계(層系) 또는 3층계로 이루어지는 복합 가접착재 중 적어도 한 층이 대전 방지제를 함유하고, 웨이퍼와 지지체의 접합에 웨이퍼 측으로부터, 바람직하게는 (A), (B), (C)의 순서로 형성한 구조의 웨이퍼 적층체로서 사용함으로써, 관통 전극 구조나, 범프 접속 구조를 가지는 박형 웨이퍼를, 간단하게 제조할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼 적층체의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 적층체는, 표면에 회로면을 가지고, 이면을 가공해야 할 웨이퍼(디바이스 웨이퍼)(1)와, 웨이퍼(1)의 가공 시에 웨이퍼(1)를 지지하는 지지체(3)와, 이들 웨이퍼(1)와 지지체(3) 사이에 개재(介在)하는 복합 가접착재(2)를 포함하고, 이 복합 가접착재(2)가, 비실리콘 열가소성 수지층(A)(제1 가접착층)과, 열경화성 실리콘 중합체층(B)(제2 가접착층)과, 또한 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)(제3 가접착층)의 3층 구조를 가지고, 제1 가접착층이 웨이퍼(1)의 표면에 박리 가능하게 접착되고, 제3 가접착층이 지지체(3)에 박리 가능하게 접착되어 있는 것이다. 그리고, 본 발명의 웨이퍼 적층체는, 상기 복합 가접착재가, 비실리콘 열가소성 수지층(A)(제1 가접착층)과, 열경화성 실리콘 중합체층(B)(제2 가접착층) 또는 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)(제3 가접착층)의 2층 구조를 가지고, 제1 가접착층이 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착되고, 제2 가접착층 또는 제3 가접착층이 지지체에 박리 가능하게 접착되어 있는 것이어도 된다.
이하, 상기 2층 또는 3층 구조를 가지는 복합 가접착재에 대하여, 더욱 상세하게 설명한다.
<복합 가접착재>
(A) 제1 가접착층/비실리콘 열가소성 수지층
제1 가접착층(A)은, 오르가노폴리실록산을 가지지 않는 열가소성 수지(비실리콘 열가소성 엘라스토머)로 구성된다. 제1 가접착층(A)에 실록산 결합을 가지는 중합체를 사용한 경우, 열경화성 실리콘 중합체층(B) 또는 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)과의 인터믹싱(intermixing)을 생기게 할 우려가 있다. 단차를 가지는 실리콘 웨이퍼 등에 대한 적용성으로부터, 양호한 스핀 코팅성을 가지는 열가소성 수지가 제1 가접착층(A)을 형성하는 재료로서 바람직하게 사용되고, 올레핀계 열가소성 엘라스토머, 폴리부타디엔계 열가소성 엘라스토머, 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 스티렌·부타디엔계 열가소성 엘라스토머, 스티렌·폴리올레핀계 열가소성 엘라스토머 등을 예로 들 수 있고, 특히 내열성이 우수한 수소 첨가 폴리스티렌계 엘라스토머가 바람직하다. 특히 엘라스토머의 분자량은, 1만∼50만 정도인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 타프텍[아사히 가세이 케미카르즈(주)(ASAHI KASEI CHEMICALS CORPORATION) 제조], 에스포렉스 SB 시리즈[스미토모 가가쿠(주)(Sumitomo Chemical Company, Limited) 제조], 라발론[미쓰비시 가가쿠(주)(Mitsubishi Chemical Corporation) 제조], 세프톤[(주)쿠라레(KURARAY CO.,LTD) 제조], DYNARON[JSR(주) 제조] 등을 예로 들 수 있다. 또한, 제오넥스[니혼 제온(주)(Zeon Corporation)]로 대표되는 시클로올레핀 폴리머 및 TOPAS[폴리플라스틱(주)(Polyplastics Co.,Ltd.) 제조]로 대표되는 환형 올레핀코폴리머를 예로 들 수 있다.
이와 같은 제1 가접착층(A)이면, 박형 웨이퍼 제작 후, 이 웨이퍼를 지지체로부터 실온에서, 보다 용이하게 박리할 수 있으므로, 나누기 용이한 박형 웨이퍼를 더욱 용이하게 취급할 수 있다.
상기 비실리콘 열가소성 수지층(A)은, 상기 열가소성 수지를 용제에 용해하여 비실리콘 열가소성 수지 조성물(A')로 하고, 스핀 코팅이나 스프레이 코팅 등의 방법으로, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 등의 위에 형성된다. 이로써, 이 수지층(A)을 양호한 도포성으로, 균일하게 도포할 수 있다. 이 때, 형성되는 막 두께에 제약은 없지만, 그 기판 상의 단차에 따라, 수지 피막을 형성하는 것이 바람직하고, 바람직하게는, 0.5∼50㎛, 더욱 바람직하게는 0.5∼10㎛의 막 두께가 형성된다.
여기서, 열가소성 수지를 용해하는 용제로서는, 탄화수소계 용제, 바람직하게는, 이소옥탄, 노난, p-멘탄, 피넨 등을 예로 들 수 있지만, 그 코팅성에서, 노난, p-멘탄, 이소옥탄이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 비실리콘 열가소성 수지 조성물(A')에는, 그 내열성 향상의 목적으로, 산화 방지제나, 코팅성 향상을 위하여, 계면활성제를 본 발명의 목적을 훼손시키지 않는 범위에서 첨가할 수 있다. 산화 방지제의 구체예로서는, 디-tert-부틸페놀 등이 바람직하게 사용된다. 계면활성제의 예로서는, 불소실리콘계 계면활성제 X-70-1102[신에쓰 가가꾸 고교(주)(SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.) 제조] 등이 바람직하게 사용된다.
(B) 제2 가접착층/열경화성 실리콘 중합체층
본 발명의 웨이퍼 적층체의 구성 요소인 열경화성 실리콘 중합체층(B)은, 열경화성 실리콘 조성물을 경화시켜 얻어지는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 하기 성분을 포함하는 열경화성 실리콘 조성물(B')의 경화물층인 것이 바람직하다.
(B-1) 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 오르가노폴리실록산,
(B-2) 1분자 중에 2개 이상의 규소 원자에 결합한 수소 원자(SiH기)를 함유하는 오르가노하이드로겐폴리실록산: (B-1) 성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2) 성분 중의 SiH기의 몰비가 0.3∼10으로 되는 양,
(B-3) 반응 제어제: (B-1) 및 (B-2) 성분의 합계 100 질량부에 대하여 0∼10 질량부, 특히 0.1∼10 질량부, 및
(B-4) 백금계 촉매: 유효량.
이하, 각 성분에 대하여 설명한다.
(B-1) 성분
(B-1) 성분은, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 함유하는, 바람직하게는 직쇄형 또는 분지형의 디오르가노폴리실록산이며, 특히, 1분자 중에 0.3∼10mol%, 보다 더 바람직하게는 0.5∼9mol%(알케닐기 몰수/Si 몰수)의 알케닐기를 함유하는 디오르가노폴리실록산이다.
(B-1) 성분은, 수평균 분자량이, 통상 1,000∼1,000,000, 바람직하게는 3,000∼500,000이다. 수평균 분자량이 지나치게 작으면 경화 피막이 약해지는 경우가 있고, 지나치게 크면 도포성이 악화되는 경우가 있다. 여기서, 분자량 또는 중합도는, 예를 들면, 톨루엔을 전개 용매으로 한 겔투과 크로마토그래피(GPC) 분석에서의 폴리스티렌 환산의 수평균 분자량, 중량 평균 분자량 또는 수평균 중합도 등으로서 구할 수 있다(이하, 동일).
이와 같은 디오르가노폴리실록산으로서, 구체적으로는, 하기 식(1) 및/또는 (2)으로 나타내는 것을 예로 들 수 있다.
Figure pat00001
(식 중, R1은 각각 독립적으로 알케닐기 함유 1가 유기기이며, R2는 각각 독립적으로 지방족 불포화 결합을 가지지 않는 1가 탄화수소기이며, a는 0∼3, 특히 1∼3의 정수(整數)이며, m은 0 또는 10 이하의 양수이며, n은 1∼1,000의 양수이다. 또한, 식(1)에서의 2a＋m, 및 식(2)에서의 m＋2는 1분자 중에 알케닐기 함유량이 0.3∼10mol%로 되는 수임)
상기 식 중, R1의 알케닐기 함유 1가 유기기로서는, 탄소 원자수 2∼10의 유기기가 바람직하고, 비닐기, 알릴기, 헥세닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기; 아크릴로일프로필기, 아크릴로일메틸기, 메타크릴로일프로필기 등의 (메타)아크릴로일알킬기; 아크릴옥시프로필기, 아크릴옥시메틸기, 메타크릴옥시프로필기, 메타크릴옥시메틸기 등의 (메타)아크릴옥시알킬기; 시클로헥세닐에틸기, 비닐옥시프로필기 등의 산소 원자가 개재되어도 되는 알케닐기 함유 1가 탄화수소기를 예로 들 수 있고 특히, 공업적으로는 비닐기가 바람직하다.
R2로서는, 탄소 원자수 1∼10의 1가 탄화수소기가 바람직하고, 예시하면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기; 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기 등이며, 특히 메틸기 등의 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다.
식(1) 중, a는 0∼3의 정수이지만, a가 1∼3이면, 분자 사슬 말단이 알케닐기로 봉쇄되므로, 반응성이 양호한 상기 분자 사슬 말단 알케닐기에 의해, 단시간에 반응을 완결할 수 있어 바람직하다. 또한, 비용면에서, a=1이 공업적으로 바람직하다. 상기 알케닐기 함유 디오르가노폴리실록산의 성상(性狀)은 오일상 또는 생고무상인 것이 바람직하다. 상기 알케닐기 함유 디오르가노폴리실록산은 직쇄형이어도 되고 분지형이어도 된다.
(B-2) 성분
(B-2) 성분은 가교제이며, 1분자 중에 규소 원자에 결합한 수소 원자(SiH기)를 적어도 2개, 바람직하게는 3개 이상 가지는 오르가노하이드로겐폴리실록산이다. (B-2) 성분은, 직쇄형, 분지형 또는 환형인 것을 사용할 수 있다.
(B-2) 성분의 오르가노하이드로겐폴리실록산은, SiH기를 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 가지지만, 이것은 분자 사슬 말단에 있어도 되고, 분자 사슬의 도중에 있어도 되고, 그 양쪽에 있어도 된다.
상기 (B-2) 성분의 오르가노하이드로겐폴리실록산의 25℃에서의 회전 점도계에 의한 점도는, 1∼5,000 mPa·s인 것이 바람직하고, 5∼500 mPa·s인 것이 더욱 바람직하다. 그리고, (B-2) 성분의 오르가노하이드로겐폴리실록산의 1분자 중의 규소 원자의 수(즉, 중합도)는, 4∼1,000개, 특히 10∼100개인 것이 바람직하다. 이 오르가노하이드로겐폴리실록산은 2종 이상의 혼합물이어도 된다.
상기 (B-2) 성분의 사용량은, (B-1) 성분 중의 알케닐기에 대한 (B-2) 성분 중의 SiH기의 몰비(SiH기/알케닐기)가 0.3∼10, 특히 1∼8의 범위로 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 이 SiH기와 알케닐기의 몰비가 0.3 이상이면, 가교 밀도가 낮아지는 일도 없고, 점착제층이 경화되지 않는다는 문제도 일어나지 않는다. 10 이하이면, 가교 밀도가 지나치게 높아지는 일도 없고, 충분한 점착력 및 초기 접착력(tack)을 얻을 수 있다. 또한, 상기 몰비가 10 이하이면, 처리액의 사용 가능 시간을 길게 할 수 있다.
(B-3) 성분
(B-3) 성분은 반응 제어제이며, 열경화성 실리콘 조성물을 조합(調合) 내지 기재에 도공(塗工)할 때, 가열 경화 전에 처리액이 증점이나 겔화를 일으키지 않도록 하기 위해 필요에 따라 임의로 첨가하는 것이다. 그 구체예로서는, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐시클로헥사놀, 3-메틸-3-트리메틸실록시-1-부틴, 3-메틸-3-트리메틸실록시-1-펜틴, 3,5-디메틸-3-트리메틸실록시-1-헥신, 1-에티닐-1-트리메틸실록시시클로헥산, 비스(2,2-디메틸-3-부티녹시)디메틸실란, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산, 1, 1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 등을 들 수 있고, 바람직한 것은 1-에티닐시클로헥사놀, 및 3-메틸-1-부틴-3-올이다.
상기 (B-3) 성분을 배합하는 경우의 배합량은, 통상, 상기 (B-1) 및 (B-2) 성분의 합계 100 질량부에 대하여 0.1∼10 질량부, 특히 0.1∼8 질량부, 특히 0.05∼2 질량부인 것이 바람직하다. 10 질량부 이하이면, 열경화성 실리콘 조성물의 경화성이 저하되는 일도 없고, 0.1 질량부 이상이면 반응 제어의 효과가 충분히 발휘된다.
(B-4) 성분
(B-4) 성분은 백금계 촉매(즉, 백금족 금속 촉매)이며, 상기 (B-1) 성분 중의 규소 원자 결합 알케닐기와 상기 (B-2) 성분 중의 SiH기의 부가 반응을 촉진시키기 위한 촉매로서 사용되는 것이다. 백금족 금속 촉매로서는, 예를 들면, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 염화백금산과 알코올의 반응물, 염화백금산과 올레핀 화합물의 반응물, 염화백금산과 비닐기 함유 실록산의 반응물 등을 들 수 있다.
상기 (B-4) 성분의 첨가량은 유효량이며, 통상, 상기 (B-1) 및 (B-2) 성분의 합계 질량에 대하여, 백금 분량(질량 환산)으로서 1∼5,000ppm이며, 5∼2,000ppm인 것이 바람직하다. 1ppm 이상이면 열경화성 실리콘 조성물의 경화성이 저하되는 일도 없고, 가교 밀도가 낮아지는 일도 없고, 유지력이 저하되는 일도 없다. 5,000ppm 이하이면, 처리욕의 사용 가능 시간을 길게 할 수 있다.
또한, 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')에는, R3 3SiO0 .5 단위(식 중, R3은 독립적으로 탄소 원자수 1∼10의 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기) 및 SiO2 단위를 함유하고, R3 3SiO0 . 5 단위/SiO2 단위의 몰비가 0.3∼1.8인 오르가노폴리실록산을 첨가해도 된다. 상기 오르가노폴리실록산의 첨가량으로서는, 상기 (B-1) 성분의 0∼30 질량%가 바람직하고, 배합하는 경우에는 1∼30 질량%로 하는 것이 바람직하다.
상기 열경화성 실리콘 중합체층(B)은, 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')을 스핀 코팅, 롤 코터(coater) 등의 방법에 의하여, 지지체 위에 또는 지지체 위에 형성된 미경화의 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 위에 형성할 수 있다. 그리고, 스핀 코팅 등의 방법에 의해 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')을 상기 미경화의 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 위에 형성하는 경우에는, 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')을 용액으로서 코팅하는 것이 바람직하고, 이 경우 용제를 사용할 수 있고, 예를 들면, 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 이소옥탄, 노난, 데칸, p-멘탄, 피넨, 이소도데칸, 리모넨 등의 탄화수소계 용제가 바람직하게 사용된다. 또한, 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')에는, 공지의 산화 방지제를 내열성 향상을 위해 첨가할 수 있다.
또한, 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')에는, 내열성을 더욱 높이기 위해, 실리카 등의 필러(filler)를 (B-1) 성분 100 질량부에 대하여 50 질량부 이하 첨가해도 된다.
상기 열경화성 실리콘 조성물(B')은, 막 두께가 0.1∼30㎛ 사이에서 형성되어 사용되는 것이 바람직하다. 막 두께가 0.1㎛ 이상이면, 미경화의 열경화성 실록산 변성 중합체층(C) 위에 도포하는 경우에, 도포되지 않는 부분을 생기게 하지 않고 전체에 도포할 수 있고, 한편, 막 두께가 30㎛ 이하이면, 박형 웨이퍼를 형성하는 경우의 연삭 공정에 견딜 수 있으므로 바람직하다.
또한, 상기 열경화성 실리콘 중합체층(B)은, 25㎜ 폭의 폴리이미드 시험편의 180° 필링(peeling) 박리력이, 통상 2gf 이상 또한 50gf 이하이며, 바람직하게는 3gf 이상 30gf 이하이며, 더욱 바람직하게는 5gf 이상 20gf 이하이다. 2gf 이상이면 웨이퍼 연삭 시에 웨이퍼의 어긋남이 생길 우려가 없고, 50gf 이하이면 웨이퍼의 박리가 용이해지므로 바람직하다. 이 경우, 상기 열경화성 실리콘 중합체층(B)의 막 두께는, 0.1∼30㎛로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1∼20㎛이다.
(C) 제3 가접착층/열경화성 실록산 변성 중합체층
본 발명의 웨이퍼 적층체의 구성 요소인 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)은, 열경화성 실록산 함유 조성물을 경화시켜 얻어지는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 하기 식(3) 또는 식(4)로 나타내는 열경화성 실록산 변성 중합체를 주성분으로 하는 열경화성 실록산 함유 조성물(C')의 경화물층인 것이 바람직하다.
식(3)의 중합체(페놀성 실록산 중합체):
하기 식(3)으로 나타내는 반복 단위를 가지는 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000의 페놀성 실록산 중합체.
Figure pat00002
[식 중, R4는 각각 동일해도 되고 상이해도 되는 탄소 원자수 1∼8의 알킬기 등의 1가 탄화수소기를 나타내고, 또한, p는 1∼100의 정수이며, A는 0 또는 양수이며, B는 양수이고, 이 경우, A＋B=1임. 또한, 바람직하게는 A는 0∼0.9, B는 0.1∼1이며, 또한 A를 첨가하는 경우에는, 바람직하게는 A는 0.1∼0.7, B는 0.3∼0.9이고, X는하기 식(a)로 나타내는 2가 유기기임.
Figure pat00003
(식 중, Z는
Figure pat00004
중 어느 하나로부터 선택되는 2가 유기기이며, q는 0 또는 1이고, R5는 각각 탄소 원자수 1∼4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, k는 각각 0, 1, 2 중 어느 하나임)]
이 경우, R4의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 페닐기 등을 들 수 있고, p는, 바람직하게는 3∼60, 보다 바람직하게는 8∼40의 정수이다. 또한, B/A는 0∼20, 특히 0.5∼5이다. 또한, R5의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 메톡시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.
식(4)의 중합체(에폭시 변성 실록산 중합체):
하기 식(4)로 나타내는 반복 단위를 가지는 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000의 에폭시 변성 실록산 중합체.
Figure pat00005
[식 중, R4는 각각 동일해도 되고 상이해도 되는 탄소 원자수 1∼8의 알킬기 등의 1가 탄화수소기를 나타내고, 또한, p는 1∼100의 정수이며, A는 0 또는 양수이고, B는 양수이며, 이 경우, A＋B=1임. 또한, 바람직하게는 A는 0∼0.9, B는 0.1∼1이며, 또한 A를 첨가하는 경우에는, 바람직하게는 A는 0.1∼0.7, B는 0.3∼0.9이고, Y는하기 식(b)로 나타내는 2가 유기기임.
Figure pat00006
(식 중, V는
Figure pat00007
중 어느 하나로부터 선택되는 2가 유기기이며, r는 0 또는 1이고, 또한, R6은 각각 탄소 원자수 1∼4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, h는 0, 1, 2 중 어느 하나임)]
이 경우, R4, p의 구체예는 식(3)과 동일하다. R6의 구체예로서는, 전술한 R5와 동일한 것을 예시할 수 있다.
식(3) 및/또는 식(4)로 나타내는 열경화성 실록산 변성 중합체를 주성분으로 하는 열경화성 실록산 함유 조성물(C')은, 그 열경화를 위하여, 식(3)의 페놀성 실록산 중합체의 경우에는, 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기, 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상의 가교제를 함유한다.
한편, 식(4)의 에폭시 변성 실록산 중합체의 경우에는, 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물, 또는 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기를 가지는 페놀 화합물 중 어느 1종 이상을 가교제로서 함유한다.
여기서, 식(3) 및 식(4)로 나타내는 열경화성 실록산 변성 중합체를 주성분으로 하는 열경화성 실록산 함유 조성물(C')에 사용되는 가교제로서, 다관능성 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로서는, 특별히 그 제약은 없지만, 특히, 2관능, 3관능, 4관능 이상의 다관능성 에폭시 수지, 예를 들면, 닛폰 가약쿠(주)(Nippon Kayaku Co.,Ltd.) 제조의 EOCN-1020, EOCN-102S, XD-1000, NC-2000-L, EPPN-201, GAN, NC6000나, 하기 식과 같은 가교제를 사용할 수 있다.
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
상기 열경화성 실록산 변성 중합체가, 식(4)의 에폭시 변성 실록산 중합체인 경우에는, 그 가교제로서, m, p-계 크레졸 노볼락 수지, 예를 들면, 아사히 유키자이 고교(주)(ASAHI YUKIZAI CORPORATION) 제조의 EP-6030G나, 3관능 페놀 화합물, 예를 들면, 혼슈 가가쿠 고교(주)(Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 제조의 Tris-P-PA, 4관능성 페놀 화합물, 예를 들면, 아사히 유키자이 고교(주) 제조의 TEP-TPA 등을 사용할 수 있다.
가교제의 배합량은, 상기 열경화성 실록산 변성 중합체 100 질량부에 대하여 0.1∼50 질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1∼30 질량부, 더욱 바람직하게는 1∼20 질량부이며, 2종류 또는 3종류 이상을 혼합하여 배합해도 된다.
이들 중에서도, 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C')로서는, 식(3)으로 나타내는 반복 단위를 가지는 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000의 페놀성 실록산 중합체 100 질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기, 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 하나 1종 이상을 0.1∼50 질량부 함유하는 조성물, 또는 식(4)로 나타내는 반복 단위를 가지는 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000의 에폭시 변성 실록산 중합체 100 질량부에 대하여, 가교제로서 1분자 중에 평균 2개 이상의 페놀기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1∼50 질량부 함유하는 조성물인 것이 바람직하다.
또한, 열경화성 실록산 함유 조성물(C')에는, 산무수물과 같은 경화 촉매를, 상기 열경화성 실록산 변성 중합체 100 질량부에 대하여 10 질량부 이하 함유시켜도 된다.
열경화성 실록산 함유 조성물(C')은 용제를 포함해도 되고, 그 경우에는, 예를 들면, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸-2-n-아밀케톤 등의 케톤류; 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 락트산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산-tert-부틸, 프로피온산- tert-부틸, 프로필렌글리콜모노-tert-부틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤 등의 에스테르류 등을 들 수 있고, 이들의 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
또한, 열경화성 실록산 함유 조성물(C')에는, 내열성을 더욱 높이기 위해, 공지의 산화 방지제, 실리카 등의 필러를, 상기 열경화성 실록산 변성 중합체 100 질량부에 대하여 50 질량부 이하 첨가해도 된다. 또한, 도포 균일성을 향상시키기 위하여, 계면활성제를 첨가해도 된다.
상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C')을, 지지체 상에 도포, 구체적으로는 스핀 코팅, 롤 코터, 다이(die) 코팅 등의 방법에 의해 형성할 수 있다. 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C')은, 웨이퍼 측의 단차에 따라, 경화 시의 막 두께가 15∼150㎛로 되도록 성막하는 것이 바람직하고, 20∼120㎛로 되도록 성막하는 것이 더욱 바람직하다. 막 두께가 15㎛ 이상이면, 웨이퍼 박형화의 연삭 공정에 충분히 견딜 수 있고, 150㎛ 이하이면, TSV 형성 공정 등의 열처리 공정에서 수지 변형이 생길 우려가 없고, 실용적으로 이용할 수 있으므로 바람직하다.
<대전 방지제>
대전 방지제로서는, 통상 알려져 있는 음이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 도전성 폴리머 등을 예로 들 수 있다. 이들은, 1종 또는 2종 이상 선택하여 사용할 수 있다.
구체적으로는, 음이온계 계면활성제로서는, 카르본산염, 술폰산염, 황산염, 인산염을 예로 들 수 있다. 구체적으로는, 알킬에테르카르본산염, 지방산 아미드 에테르카르본산염, 아실락트산염, N-아실글루타민산염, N-아실메틸알라닌산염, N-아실사르코신염, N-아실-ω-아미노산염, 알칸술폰산염, α-올레핀술폰산염, α-술포지방산 메틸에스테르염, 아실이세티온산염, 알킬술포숙신산염, 알킬술포아세트산염, 알킬벤젠술폰산염, 알킬나프탈렌술폰산염, N-아실메틸타우린산염, 포르말린 축합계 황산염, 알킬황산염, 알킬에테르황산염, 알킬아릴에테르황산염, 지방산 알칸올아미드 황산염, 지방산 모노글리세리드 황산염, 알킬인산염, 폴리옥시에틸렌알킬에테르인산염, 알킬 아릴에테르인산염, 지방산 아미드 에테르인산염 등의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속의 금속염을 예로 들 수 있다.
양이온 계면활성제로서는, 1급 아민염, 2급 아민염, 3급 아민염, 지방산 아미드 아민염, 4급 암모늄염, 알킬트리알킬렌글리콜암모늄염, 알킬에테르암모늄염, 벤잘코늄염, 벤제토늄염, 피리디늄염, 이미다졸리늄염 등을 예로 들 수 있다.
비이온계 계면활성제로서는, 프로필렌글리콜모노지방산에스테르, 에틸렌글리콜모노지방산에스테르, 글리세린모노지방산에스테르, 폴리글리세린지방산에스테르, 솔비탄지방산에스테르, 수크로오스지방산에스테르, 메틸글루코시드지방산에스테르, 알킬폴리글루코시드, 폴리옥시에틸렌모노지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌글리세린지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌솔비톨지방산에스테르 등의 탄소수 5∼25의 에스테르류; 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌콜레스테롤, 폴리옥시에틸렌콜레스탄올, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜 등의 탄소수 5∼25의 에테르류; 폴리옥시에틸렌지방산 아미드, 알킬디에탄올아미드, 알킬 아민옥시드 등의 아미드 등을 예로 들 수 있다.
양면 계면활성제로서는 아미노프로피온산, 탄소수 5∼20의 카르복시베타인, 술포베타인 등을 예로 들 수 있다.
도전성 폴리머로서는 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린 등을 예로 들 수 있다.
그리고, 일반적으로 접착제에 사용되는 불소계의 계면활성제는, 내오염성을 개선할 수 없고, 반도체 웨이퍼 상에 미립자를 잔류시키는 문제를 개선할 수 없다.
본 발명에서 사용하는 대전 방지제로서는, 비이온계, 양쪽성 이온계의 대전 방지제가 바람직하다.
대전 방지제의 사용 방법으로서는, 예를 들면, 실리콘계 접착제층 표면에 도포하는 방법, 실리콘계 접착제에 미리 첨가해 놓는 방법을 들 수 있고, 바람직하게는 실리콘계 접착제 중에 첨가하여 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 접착층이 복수층 있는 복합체에 있어서는, 적어도 1층의 실리콘계 접착제층에 대전 방지제를 배합시키는 것이 바람직하고, 또한 실리콘계 접착제층 이외의 접착제층에 대전 방지제를 배합해도 된다. 전술한 복합 접착재의 경우에는, 적어도 제2 가접착층(B) 및/또는 제3 가접착층(C)에 배합시키는 것이 바람직하다.
그리고, 대전 방지제를 실리콘계 접착제 표면에 도포하는 경우에는, 용제에 대전 방지제를 용해시킨 코팅액을, 공지의 도포 방법, 예를 들면, 쇄모(刷毛) 도포, 스프레이 코팅, 스핀 코터, 바 코터, 롤 코터 등에서 어느 하나의 방법을 이용하여, 실리콘계 접착제 표면에 도포할 수 있다.
대전 방지제의 배합량으로서는, 대전 방지 유효량이며, 접착재 전체의 0.01∼10 질량%가 바람직하고, 0.1∼5 질량%가 더욱 바람직하다. 특히, 대전 방지제가 함유된 층, 예를 들면, 상기 제2 가접착층(B)에 대전 방지제가 배합되어 있는 경우에는, 이 층 중 0.01∼10 질량%가 바람직하고, 0.1∼5 질량%인 것이 더욱 바람직하며, 제3 가접착층(C)에 대전 방지제가 배합되어 있는 경우에는, 이 층 중 0.01∼10 질량%가 바람직하고, 0.1∼5 질량%인 것이 더욱 바람직하고, 또한 제2 가접착층(B) 및 제3 가접착층(C) 중에 각각 대전 방지제가 배합되어 있는 경우에는, 각 층의 대전 방지제 합계량이 0.01∼10 질량%가 바람직하고, 0.1∼5 질량%로 제어하는 것이 더욱 바람직하다. 0.01 질량%보다 적으면, 내오염성, 치수 안정성, 내열성 등이 저하되고, 10 질량%를 초과한 경우에는, 접착성이 저하되고, 웨이퍼의 가공성이 악화되는 경우가 있다.
<박형 웨이퍼의 제조 방법>
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조 방법은, 반도체 회로 등을 가지는 웨이퍼와 지지체의 접착층으로서, 전술한 실리콘계 접착제를 포함하고, 또한 대전 방지제를 함유하는 접착재, 특히 비실리콘 열가소성 수지층(A)과, 열경화성 실리콘 중합체층(B) 및/또는 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)을 함유하는 복합 가접착재를 사용하는 것이다. 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 박형 웨이퍼의 두께는, 전형적으로는 5∼300㎛, 보다 전형적으로는 10∼100㎛이다.
상기 박형 웨이퍼의 제조 방법으로서는,
(a) 표면에 회로 형성면 및 이면에 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼의 상기 회로 형성면을, 비실리콘 열가소성 수지층(A)과, 열경화성 실리콘 중합체층(B) 및/또는 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)을 함유하는 복합 가접착재를 통하여, 지지체에 접합할 때, 웨이퍼의 회로 형성면에 비실리콘 열가소성 수지 조성물(A')을 도공하여, 비실리콘 열가소성 수지층(A)을 형성하고, 상기 지지체 위에 상기 열경화성 실리콘 조성물(B') 층, 상기 열경화 실록산 함유 조성물(C') 층, 또는 상기 지지체 위에 형성된 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C') 층 위에 상기 열경화성 실리콘 조성물(B') 층을 형성한 후, 상기 조성물(C') 및/또는 조성물(B') 층이 형성된 지지체와, 상기 비실리콘 열가소성 수지층(A)의 형성된 회로 부착 웨이퍼를, 각각 수지층이 합쳐지도록 진공 하에서 또는 감압 하에서 접합시키는 공정과,
(b) 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C') 층 및/또는 열경화성 실리콘 조성물(B') 층을 열경화시키는 공정과,
(c) 상기 지지체와 접합한 상기 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정과,
(d) 상기 웨이퍼의 회로 비형성면에 가공을 행하는 공정과,
(e) 상기 가공을 행한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정
을 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 (a) 공정으로서, 열경화성 실록산 함유 조성물(C') 층이 형성된 지지체와, 회로 부착 웨이퍼 위의 비실리콘 열가소성 수지층(A) 상에 열경화성 실리콘 조성물(B') 층이 형성된 회로 부착 웨이퍼를, 각각 수지층이 합쳐지도록 진공 하 또는 감압 하에서 접합시키도록 해도 된다.
이와 같은 박형 웨이퍼의 제조 방법이면, 본 발명에서의 웨이퍼 가공용 접착재, 특히 2층 또는 3층계로 이루어지는 복합 가접착재를 사용하여, 웨이퍼와 지지체의 접합 및 박리 공정을 경과함으로써, 관통 전극 구조나, 범프 접속 구조를 가지는 박형 웨이퍼를, 용이하게 제조할 수 있다.
또한, 이와 같은 공정에 의하면, 지지체를, 가공을 행한 웨이퍼에 양호한 치수로 접합할 수 있어, 더욱 용이하게 박리할 수 있고, 또한, 나중의 다이싱(dicing) 공정을 용이하게 행할 수 있어, 변형이 없고, 파손이 적은 박형 웨이퍼를 얻을 수 있다.
[공정(a)]
공정(a)는, 표면에 회로 형성면 및 이면에 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼의 상기 회로 형성면을, 비실리콘 열가소성 수지층(A)과, 열가소성 실리콘 중합체층(B) 및/또는 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 이루어지는 복합 가접착재를 통하여, 지지체에 접합할 때, 상기 표면에 회로 형성면 및 이면에 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼의 상기 표면의 회로 형성면에 상기 비실리콘 열가소성 수지 조성물(A')을 사용하여 비실리콘 열가소성 수지층(A)을 형성하고, 또한 상기 지지체의 일면에 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')층 또는 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C')층을 형성하고, 3층의 경우에는, 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C')층 위에 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')층을 형성한 후, 상기 웨이퍼의 비실리콘 열가소성 수지층(A)과, 상기 지지체의 열경화성 실리콘 조성물(B')층, 열경화성 실록산 함유 조성물(C')층, 또는 열경화성 실록산 함유 조성물(C')층 위의 열경화성 실리콘 조성물(B')층을 진공 하 또는 감압 하에서 접합시키는 공정이다. 특히, (A)층, (B)층, (C)층의 순서로 기판 상에 접착층이 형성되는 구성이 바람직하다.
이 경우, 상기 표면에 회로 형성면 및 이면에 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼의 상기 표면의 회로 형성면에 상기 비실리콘 열가소성 수지 조성물(A')을 사용하여 비실리콘 열가소성 수지층(A)을 형성하고, 그 위에 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')층을 형성하고, 또한 상기 지지체의 일면에 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C')층을 형성한 후, 상기 웨이퍼의 비실리콘 열가소성 수지층(A) 위의 열경화성 실리콘 조성물(B')층과, 상기 지지체의 열경화성 실록산 함유 조성물(C')층을 진공 하에서 접합시키는 공정이어도 된다.
회로 형성면 및 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼는, 한쪽 면이 회로 형성면이며, 다른쪽 면이 회로 비형성면인 웨이퍼이다. 본 발명이 적용할 수 있는 웨이퍼는, 통상, 반도체 웨이퍼이다. 상기 반도체 웨이퍼의 예로서는, 실리콘 웨이퍼뿐만 아니라, 게르마늄 웨이퍼, 갈륨-비소 웨이퍼, 갈륨-인 웨이퍼, 갈륨-비소-알루미늄 웨이퍼 등을 들 수 있다. 상기 웨이퍼의 두께는, 특별히 제한은 없지만, 전형적으로는 600∼800㎛, 보다 전형적으로는 625∼775㎛이다.
지지체로서는, 실리콘 웨이퍼나 유리판, 석영 웨이퍼 등의 기판이 사용 가능하지만 아무런 제약은 없다. 본 발명에서는, 지지체를 통해 접착층에 방사 에너지선을 조사할 필요는 없고, 지지체의 광선 투과성은 불필요하다.
상기 비실리콘 열가소성 수지 조성물(A'), 상기 조성물(B') 및 조성물(C')는, 각각 필름 상태로, 웨이퍼나 지지체에 형성할 수도 있고, 또는, 용제를 함유하는 조성물(A'), (B') 또는 조성물(C')를 각각 스핀 코팅 등의 방법에 의해 웨이퍼나 지지체에 균일하게 형성할 수 있다. 이 경우, 스핀 코팅 후, 그 용제의 휘발 조건에 따라 80∼200℃, 바람직하게는 100∼180℃의 온도에서, 미리 프리베이크(pre-bake)를 행한 후, 사용에 제공된다.
상기 조성물(A'), (B') 및 조성물(C')의 층이 형성된 웨이퍼 및 지지체는, 이들 접착층을 통하여, 접합된 기판(웨이퍼 적층체)으로서 형성된다. 이 때, 바람직하게는 40∼200℃, 보다 바람직하게는 60∼180℃의 온도 영역에서, 이 온도에 의해 진공 하 또는 감압 하, 10초∼300초, 이 기판을 균일하게 압착(壓着)할 수 있고, 웨이퍼가 지지체와 접합한 웨이퍼 적층체(적층체 기판)가 형성된다. 그리고, 상기 진공 조건으로서는, 감압 하이면 되지만, 0.01∼500Pa, 바람직하게는 0.01∼100Pa이다. 또한, 압력 조건은 0.1∼50kN에서 행하는 것이 바람직하다.
웨이퍼 접합 장치로서는, 시판 중인 웨이퍼 접합 장치, 예를 들면, EVG사의 EVG520IS, 850TB, SUSS사의 XBC300 등을 들 수 있다.
[공정(b)]
공정(b)는, 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')층 및/또는 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C')층을 열경화시키는 공정이다. 상기 웨이퍼 적층체(적층체 기판)가 형성된 후, 120∼220℃, 바람직하게는 150∼200℃에서 10분∼4시간, 바람직하게는 30분∼2시간 가열함으로써, 상기 열경화성 실리콘 조성물(B')층 및 상기 열경화성 실록산 함유 조성물(C')층을 경화하여 열가소성 실록산 레진 중합체층(B) 및 열경화성 실록산 변성 중합체층(C)으로 한다.
[공정(c)]
공정(c)는, 지지체와 접합한 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정, 즉 공정(a)에 의해 접합하여 얻어진 웨이퍼 적층체의 웨이퍼 이면 측을 연삭하여, 상기 웨이퍼의 두께를 얇게 해 가는 공정이다. 웨이퍼 이면의 연삭 가공의 방식에는 특별히 제한은 없고, 공지의 연삭 방식이 채용된다. 연삭은, 웨이퍼와 지석(grindstone)(다이아몬드 등)에 물을 가하여 냉각하면서 행하는 것이 바람직하다. 웨이퍼 이면을 연삭 가공하는 장치로서는, 예를 들면 (주)디스코 제조의 DAG-810(상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 웨이퍼 이면 측을 CMP 연마해도 된다.
[공정(d)]
공정(d)는, 회로 비형성면을 연삭한 웨이퍼 적층체, 즉 이면 연삭에 의해 박형화된 웨이퍼 적층체의 회로 비형성면에 가공을 행하는 공정이다. 이 공정에는 웨이퍼 레벨에서 사용되는 다양한 프로세스가 포함된다. 예로서는, 전극 형성, 금속 배선 형성, 보호막 형성 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 전극 등의 형성을 위한 금속 스퍼터링, 금속 스퍼터링층을 에칭하는 웨트 에칭(wet etching), 금속 배선 형성의 마스크로 하기 위한 레지스트의 도포, 노광, 및 현상에 의한 패턴의 형성, 레지스트의 박리, 드라이 에칭, 금속 도금의 형성, TSV 형성을 위한 실리콘 에칭, 실리콘 표면의 산화막 형성 등, 종래 공지의 프로세스를 예로 들 수 있다.
[공정(e)]
공정(e)는, 공정(d)에서 가공을 행한 웨이퍼를 웨이퍼 적층체로부터 박리하는 공정, 즉 박형화한 웨이퍼에 다양한 가공을 행한 후, 다이싱하기 전에 웨이퍼 적층체로부터 웨이퍼를 박리하는 공정이다. 이 박리 공정은, 일반적으로 실온으로부터 60℃ 정도의 비교적 저온의 조건 하에서 실시되고, 웨이퍼 적층체의 웨이퍼 또는 지지체의 한쪽을 수평으로 고정해 놓고, 다른 쪽을 수평 방향으로부터 일정한 각도로 들어올리는 방법, 및 연삭된 웨이퍼의 연삭면에 보호 필름을 붙여, 웨이퍼와 보호 필름을 필링(peeling) 방식으로 웨이퍼 적층체로부터 박리하는 방법 등을 예로 들 수 있다. 본 발명에는, 이들 박리 방법 전부를 적용할 수 있으나, 웨이퍼 적층체의 웨이퍼 또는 지지체의 한쪽을 수평으로 고정해 놓고, 다른 쪽을 수평 방향으로부터 일정한 각도로 들어올리는 방법, 및 연삭된 웨이퍼의 연삭면에 보호 필름을 붙여, 웨이퍼와 보호 필름을 필 방식으로 박리하는 방법 등이 보다 적합하다. 이들 박리 방법은, 통상, 실온에서 실시된다.
또한, 가공을 행한 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정(e)는,
(f) 가공을 행한 웨이퍼의 웨이퍼 면에 다이싱 테이프(dicing tape)를 접착하는 공정과,
(g) 다이싱 테이프면을 흡착면에 진공 흡착하는 공정과,
(h) 흡착면의 온도가 10∼100℃인 온도 범위에서, 상기 지지체를, 가공을 행한 상기 웨이퍼로부터 필 오프(peel off)에 의해 박리하는 공정
을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 접착재 부착 지지체를, 가공을 행한 웨이퍼로부터 용이하게 박리할 수 있고, 또한, 나중의 다이싱 공정을 용이하게 행할 수 있다.
또한, (e) 가공을 행한 웨이퍼를 상기 접착재 부착 지지체로부터 박리하는 공정 후에, (i) 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 가접착층을 제거하는 공정을 행하는 것이 바람직하다.
공정(e)에 의해 지지체로부터 박리된 웨이퍼의 회로 형성면에는, 비실리콘 열가소성 수지층(A)이 일부 잔존하고 있는 경우가 있고, 상기 비실리콘 열가소성 수지층(A)의 제거는, 예를 들면, 웨이퍼를 세정함으로써 행할 수 있다.
공정(i)는, 가접착층 중의 비실리콘 열가소성 수지층(A)을 구성하는 비실리콘 열가소성 수지를 용해하는 세정액이면 모두 사용 가능하며, 구체적으로는, 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 데칸, 이소노난, p-멘탄, 피넨, 이소도데칸, 리모넨 등을 예로 들 수 있다. 이들의 용제는, 1종 단독이어도 되고 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
또한, 제거하기 어려운 경우에는, 상기 용제에, 염기류, 산류를 첨가해도 된다. 염기류의 예로서는, 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 암모니아 등의 아민류, 테트라메틸안모니움하이드록시드 등의 암모늄염 종류가 사용 가능하다. 산류로서는, 아세트산, 옥살산, 벤젠술폰산, 도데실벤젠술폰산 등의 유기산이 사용 가능하다. 이들의 첨가량은, 세정액 중의 농도로, 0.01∼10 질량%, 바람직하게는 0.1∼5 질량%이다. 또한, 잔존물의 제거성을 향상시키기 위하여, 기존의 계면활성제를 첨가해도 된다.
세정 방법으로서는, 상기 세정액을 사용하여 패들(paddle)에 의한 세정을 행하는 방법, 스프레이 분무에 의한 세정 방법, 세정액조(洗淨液槽)에 침지하는 방법이 가능하다. 온도는 10∼80℃, 바람직하게는 15∼65℃가 적합하고, 필요에 따라, 이들 세정액으로 비실리콘 열가소성 수지층(A)을 용해한 후, 최종적으로 수세(水洗) 또는 알코올에 의한 린스를 행하고, 건조 처리시켜 박형 웨이퍼를 얻는 것도 가능하다.
[실시예]
이하, 합성예, 제작예 및 실시예와 비교예를 제시하여, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[수지 합성예 1]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 포함한 플라스크 내에, 하기 식(M-1)로 나타내는 9,9'-비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)플루오렌 43.1g, 하기 평균 구조식(M-3)으로 나타내는 오르가노하이드로겐실록산 29.5g, 톨루엔 135g, 염화백금산 0.04g를 준비하고, 80℃로 승온(昇溫)하였다. 그 후, 하기 식(M-5)로 나타내는 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠 17.5g를 1시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이 때, 플라스크 내의 온도는, 85℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 80℃에서 2시간 더 숙성한 후, 톨루엔을 증류 제거하고, 또한 시클로헥사논을 80g 첨가하여, 수지 고형분 농도 50 질량%의 시클로헥사논을 용제로 하는 수지 용액을 얻었다. 이 용액의 수지분의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 45,000이었다. 또한, 이 수지 용액 50g에, 가교제로서, 에폭시 가교제인 EOCN-1020[니폰 가야쿠(주)(Nippon Kayaku Co.,Ltd.) 제조]을 7.5g, 경화 촉매로 하여, 와코 준야쿠 고교(주)(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 제조의, BSDM(비스(tert-부틸술포닐)디아조메탄)을 0.2 g, 또한 산화 방지제로서, 테트라키스[메틸렌-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시하이드로신나메이트)]메탄(상품명: 아데카스타브AO-60)을 0.1g 첨가하고, 1㎛의 멤브레인(membrane) 필터로 여과하여, 열경화성 실록산 함유 조성물 용액(C-1)을 얻었다.
[수지 합성예 2]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 포함한 5L 플라스크 내에, 하기 식(M-2)로 나타내는 에폭시 화합물 84.1g를 톨루엔 600g에 용해한 후, 하기 식(M-3)으로 나타내는 화합물 294.6g, 하기 식(M-4)으로 나타내는 화합물 25.5g를 더하여, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 1g를 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67℃로 승온하는 것을 확인한 후, 90℃까지 더 가온하고, 3시간 숙성했다. 이어서, 실온까지 냉각한 후, 메틸이소부틸케톤(MIBK) 600g를 더하여, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 이 수지 용액 중의 용제를 감압 제거하고, 또한 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 270g를 첨가하여, 수지 고형분 농도 60 질량%의 PGMEA를 용제로 하는 수지 용액을 얻었다. 이 수지 용액 중의 수지의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 28,000이었다. 또한 이 수지 용액 100g에, 가교제로서, 4관능 페놀 화합물인 TEP-TPA[아사히 유키자이 고교(주)]를 9g, 경화 촉매로서, 테트라하이드로무수프탈산[신니혼 리카(주)(New Japan Chemical co., ltd.) 제조, 리카싯드HH-A] 0.2g를 첨가하여, 1㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 열경화성 실록산 함유 조성물 용액(C-2)를 얻었다.
[수지 합성예 3]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 포함한 5L 플라스크 내에, 하기 식(M-1)로 나타내는 9,9'-비스(3-알릴-4-하이드록시페닐) 플루오렌 10.8 g, 하기 식(M-2)로 나타내는 에폭시 화합물 21.0g를 톨루엔 900g에 용해한 후, 하기 식(M-6)으로 나타내는 화합물 325.9 g, 하기 식(M-4)으로 나타내는 화합물 25.5g를 더하여, 60℃에 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 1g를 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67℃로 승온하는 것을 확인한 후, 90℃까지 더 가온하고, 3시간 숙성했다. 이어서, 실온까지 냉각한 후, MIBK 600g를 더하여, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 이 수지 용액 중의 용제를 감압 제거하고, 또한 PGMEA 240g를 첨가하여, 고형분 농도 60 질량%의 PGMEA를 용제로 하는 수지 용액을 얻었다. 이 수지 용액 중의 수지의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 35,000이었다. 또한 이 수지 용액 100g에 4관능 페놀 화합물인 TEP-TPA[아사히 유키자이 고교(주) 제조]를 5g, 테트라하이드로무수프탈산[신니혼 리카(주) 제조, 리카싯드HH-A] 0.2 g를 첨가하여, 1㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 열경화성 실록산 함유 조성물 용액(C-3)을 얻었다.
Figure pat00011
[수지 용액 제작예 1]
중량 평균 분자량 3만의 수소 첨가 스티렌-부타디엔 공중합체인 열가소성 수지 24g를 이소노난 176g에 용해하여, 12 질량%의 스티렌-부타디엔 공중합체의 이소노난 용액을 얻었다. 얻어진 용액을, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 비실리콘 열가소성(열가소성 오르가노폴리실록산 비함유) 수지의 이소노난 용액(A-1)을 얻었다.
[수지 용액 제작예 2]
0.5 몰%의 비닐기를 분자 측쇄에 가지고, 수평균 분자량(Mn)이 3만인 폴리디메틸실록산 80 질량부, 및 이소도데칸 400 질량부로 이루어지는 용액에, 하기 식(M-7)로 나타내는 오르가노하이드로겐폴리실록산을 3.0 질량부, 에티닐시클로헥사놀 0.7 질량부를 첨가하여, 혼합하였다. 그리고, SiH/SiVi의 몰비는 1.1이었다. 백금 촉매 CAT-PL-5[신에쓰 가가꾸 고교(주) 제조]를 0.5 질량부 더 첨가하고, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 열경화성 실리콘 조성물 용액(B-1)을 얻었다. 이 열경화성 실리콘 조성물 용액(B-1) 100 질량부에 대하여, 대전 방지제로서, 닛산아논 BL[라우릴디메틸아미노아세트산베타인, 니치유(주)(NOF CORPORATION) 제조]를 2 질량부 첨가하여, 대전 방지제 첨가 열경화성 실리콘 조성물 용액(B-1A)를 얻었다.
Figure pat00012
[수지 용액 제작예 3]
0.5 몰%의 비닐기를 분자 측쇄에 가지고, 수평균 분자량(Mn)이 3만인 폴리 디메틸실록산 60 질량부, 및 0.15 몰%의 비닐기를 양쪽 말단 사슬에 가지고, 수평균 분자량(Mn)이 6만인 폴리 디메틸실록산 20 질량부, 및 이소도데칸 400 질량부로 이루어지는 용액에 상기 식(M-7)로 나타내는 오르가노하이드로겐폴리실록산을 2.5 질량부, 에티닐시클로헥사놀 0.7 질량부를 첨가하고 혼합하였다. 그리고, SiH/SiVi의 몰비는 1.2였다. 백금 촉매 CAT-PL-5[신에쓰 가가꾸 고교(주) 제조]를 0.5 질량부를 더 첨가하고, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 열경화성 실리콘 조성물 용액(B-2)를 얻었다. 이 열경화성 실리콘 조성물 용액(B-2) 100 질량부에 대하여, 대전 방지제로서, 비이온 S-207[폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 니치유(주) 제조]를 3 질량부 첨가하여, 대전 방지제 첨가 열경화성 실리콘 조성물 용액(B-2A)를 얻었다.
[수지 용액 제작예 4]
수지 합성예 1에서 얻어진 열경화성 실록산 함유 조성물 용액(C-1) 고형분 100 질량부에 대하여, 대전 방지제로서, 닛산아논BL[니치유(주) 제조]을 3 질량부 첨가하여, 열경화성 실록산 함유 조성물 용액(C-1A)을 얻었다.
[수지 용액 제작예 5]
수지 합성예 2에서 얻어진 열경화성 실록산 함유 조성물 용액(C-2) 고형분 100 질량부에 대하여, 대전 방지제로서, 프로논#202B[폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-폴리에틸렌글리콜(블록 코폴리머), 니치유(주) 제조]를 4 질량부 첨가하여, 열경화성 실록산 함유 조성물 용액(C-2A)을 얻었다.
[수지 용액 제작예 6]
수지 합성예 3에서 얻어진 수지 용액(C-3) 고형분 100 질량부에, 대전 방지제로서 닛산아논BL[니치유(주) 제조]를 3 질량부 첨가하여, 수지 용액(C-3A)을 얻었다.
[수지 용액 제작예 7]
메틸에틸케톤 400 질량부, 2-(아크릴로일옥시)에틸트리메틸암모늄·비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드 30 질량부, 메틸메타크릴레이트 60 질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 10 질량부를 교반날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기, 적하 로트를 포함한 4구 플라스크에 투입하였다. 그리고, 80℃, 질소 분위기 하에서 1시간 교반한 후, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.2 질량부를 투입하고, 80℃에서 6시간 반응시켰다. 그 후, AIBN 0.1 질량부를 투입하고, 80℃에서 1시간 반응시켰다. 그 후, 70℃에서 AIBN 0.2 질량부를 투입하여, 4시간 반응시키고, 이어서, 80℃에서 4시간 반응시켜 얻어진 폴리머 용액을 얻었다.
폴리머 고형분 100 질량부에 대하여, 대전 방지제로서, 닛산아논BL[니치유(주) 제조]를 2 질량부 첨가하여, 중합체 용액(D)을 얻었다.
[수지 용액 제작예 8](에폭시＋대전 방지제)
에폭시 수지(상품명 EOCN1020[니폰 가야쿠(주) 제조] 100 질량부에 대하여 가교제[TEP-TPA(아사히 유키자이 고교(주) 제조)] 80 질량부, 경화 촉진제(2PHZ-PW[시코쿠 가세이 고교(주)(SHIKOKU Chemicals Corporation) 제조] 1 질량부 및 시클로펜타논 180 질량부를 더하여, 고형분 50 질량%의 용액으로 하고, 또한 고형분 100 질량부에 대하여, 대전 방지제로서 닛산아논BL[니치유(주)]를 2 질량부 첨가하고, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 수지 용액(E)를 얻었다.
[수지의 특성 측정] (측정예 1∼12)
직경 200㎜ 실리콘 웨이퍼(두께: 725㎛)에, 표 1, 표 2에 나타낸 수지 용액을 스핀 코팅한 후, 핫 플레이트에 의하여, 150℃에서 5분간 가열하여 표 1, 표 2에 나타낸 막 두께의 수지막을 형성하였다. 얻어진 수지막 부착 웨이퍼에서의 수지층의 대전 성을 평가하고, 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다. 그리고, 대전성의 평가는, JIS(K6911)(이중 링 전극 법)에 의해 행하였다.
[실시예 1∼7, 비교예 1∼4]
표면에 높이 10㎛, 직경 40㎛의 구리 포스트가 전체면에 형성된 직경 200㎜ 실리콘 웨이퍼(두께: 725㎛)에, (A)층에 대응하는 비실리콘 열가소성 수지 용액(A-1)을 스핀 코팅한 후, 핫 플레이트에 의하여, 150℃에서 5분간 가열함으로써, 표 3에 나타낸 막 두께로, (A)층을 웨이퍼 범프 형성면에 성막하였다. 그 후, (B)층에 상당하는 열경화성 실리콘 조성물 용액(B-1), (B-2), (B-1A) 또는 용액(B-2A)를, 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 (A)층 위에, 스핀 코팅함으로써, 표 3에 기재된 막 두께로, (B')층을 형성하였다. 그 후, 150℃에서 3분간, 핫 플레이트 상에서 더 가열하였다.
한편, 직경 200㎜(두께: 500㎛)의 유리판을 지지체로 하고, 이 지지체에 (C) 층에 대응하는 열경화성 실록산 함유 조성물 용액(C-1), (C-2), (C-1A), (C-2A) 또는 용액(C-3A)를 스핀 코팅하고, 핫 플레이트에 의하여, 150℃에서 5분간 가열함으로써, 표 3에 기재된 막 두께로, (C')층을 유리 지지체 위에 형성하였다.
이와 같이 하여 상기 비실리콘 열가소성 수지층(A)과, 그(A) 층 위에 열경화성 실리콘 조성물로 이루어지는 (B')층을 가지는 실리콘 웨이퍼, 및 열경화성 실록산 함유 조성물로 이루어지는 (C')층과, 그 (C')층을 가지는 유리판을 각각, 수지면[(B')층 및 (C')층]이 합쳐지도록, 진공 접합 장치(EVG사의 EVG520IS) 내에서 10-3mbar 이하의 감압 조건 하, 표 3에 나타낸 접착 온도 조건에 의해 접합하고(접착시키고), 웨이퍼와 지지체가 접착층(수지층)을 통하여 접합되어 있는 웨이퍼 적층체를 제작하였다. 다음에 (B')층 및 (C')층을 오븐에 의해 190℃에서 1시간 가열 처리를 행하여, 경화시켰다.
그리고, 실시예 7은, (B)층을 형성하지 않는 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 적층체를 제조하고, 경화시켰다. 또한, 비교예 3, 비교예 4는, (C)층을 형성하지 않고, (C)층 대신에 (B)층[용액(D) 또는 용액(E)]을 유리 지지체 위에 형성하고, (A)층을 가지는 실리콘 웨이퍼와 (B)층을 가지는 유리판을 각각, 수지면[(A)층 및 (B)층]이 합쳐지도록 접합시킨 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 적층체를 제조하여, 경화시켰다.
그리고, 여기서, 기판 접착 후의 이상(異常)을 육안으로 판별하기 위해 지지체로서 유리판을 사용하였으나, 본 발명에서는, 웨이퍼 등의 광을 투과하지 않는 실리콘 기판도 사용 가능하다.
그 후, 상기 접합된 기판(웨이퍼 적층체)에 대하여, 하기 시험을 행하고, 실시예 및 비교예의 결과를 표 3에 나타낸다. 치수 안정성 및 대전성 평가 항목 이외의 항목에 대해서는, 하기에 나타낸 평가를 실시하고, 도중에 이상(판정이 「×」)으로 된 시점에서, 그 이후의 평가를 중지하였다.
<대전 방지성 시험>
상기 웨이퍼 적층체 중의 접착층(수지층)의 23℃에서의 표면 고유 저항을 JIS K6911 이중 링 전극법에 의해 측정하였다. 1013Ω 이상에서 「×」, 1012Ω 이하에서 「○」로 하고, 109 이하에서 「◎」로 하여 대전성 효과의 평가로 하였다.
<접착성 시험>
상기 웨이퍼 적층체 중의 접착층(수지층)의 (B')층과 (C')층(실시예 1∼6, 비교예 1∼2), (A)층과 (C')층(실시예 7), (A)층과 (B')층(비교예3∼4)의 계면의 접착 상황을 육안 관찰에 의해 확인하고, 계면에서의 기포 등의 이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타낸다.
<이면 연삭 내성 시험>
그라인더(DISCO 제조, DAG810)로 다이아몬드 지석을 사용하여 실리콘 웨이퍼의 이면 연삭을 행하였다. 최종 기판 두께 50㎛까지 그라인딩한 후, 광학 현미경(100배)으로 크랙, 박리 등 이상의 유무를 조사하였다. 이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타낸다.
<CVD 내성 시험->
실리콘 웨이퍼를 이면 연삭한 후의 웨이퍼 적층체를 CVD 장치에 도입하고, 2㎛의 SiO2막의 생성 실험을 행하여, 그 때의 외관 이상의 유무를 전자 현미경으로 관찰하였다. 외관 이상이 발생하지 않은 경우를 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 보이드(void), 웨이퍼 팽창, 웨이퍼 파손 등의 외관 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타낸다.
CVD 내성 시험의 조건은, 이하와 같다.
장치명: 플라즈마 CVD PD270STL[사무코사(Semiconductor And Materials Company) 제조]
RF500W, 내압(內壓) 40Pa
TEOS(테트라에틸오르소실리케이트): O2=20sccm : 680sccm
<이물질량 측정>
박리한 50㎛까지 박형화한 웨이퍼의 표면의 중심 부분 및 웨이퍼 에지 부분의 2개소에 대하여, 각각 1cm×1cm의 영역에 대하여 레이저 현미경으로 관찰하고, 1㎛ 이상의 미립자에 대하여 집계하였다. 합계의 미립자 수가 100 이하의 경우를 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 100을 초과한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타낸다.
<박리성 시험>
기판의 박리성은, 먼저, 내열성 시험을 종료한 웨이퍼 적층체의 50㎛까지 박형화한 웨이퍼 측에 다이싱 프레임을 사용하여 다이싱 테이프를 붙이고, 이 다이싱 테이프면를 진공 흡착에 의해, 흡착판에 세팅하였다. 그 후, 실온에서, 유리의 1점을 핀 세트로 들어올림으로써, 유리 기판 및 접착재를 박리하였다. 50㎛의 웨이퍼를 나누지 않고 박리할 수 있었을 경우를 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 균열 등의 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 나타낸다.
<세정 제거성 시험>
상기 박리성 시험 종료 후의 다이싱 테이프를 통하여 다이싱 프레임에 장착된 200㎜ 웨이퍼(내열성 시험 조건에 노출된 것)를, 접착층을 위로 하여 스핀 코터에 세팅하고, 세정 용제로서 p-멘탄을 5분간 분무한 후, 웨이퍼를 회전시키면서 이소프로필알코올(IPA)을 분무에 의해 린스를 행하였다. 그 후, 외관을 관찰하여 잔존하는 접착제 수지의 유무를 육안 관찰에 의해 체크하였다. 수지의 잔존이 인지되지 않는 것을 양호로 평가하여 「○」로 나타내고, 수지의 잔존이 인지된 것을 불량으로 평가하여 「×」로 나타낸다.
<종합 판정>
모든 평가 항목에서 양호한 것을 「○」로 하고, 하나라도 불량이 있었던 것은 「×」로 하였다.
[표 1]
Figure pat00013
[표 2]
Figure pat00014
[표 3]
1 : 디바이스 웨이퍼
2 : 복합 가접착재
(A) : 비실리콘 열가소성 수지층(제1 가접착층)
(B) : 열경화성 실리콘 중합체층(제2 가접착층)
(C) : 열경화성 실록산 변성 중합체층(제3 가접착층)
3 : 지지체

Claims (7)

  1. 웨이퍼와 지지체를 일시적으로 접착하기 위한 실리콘계 접착제를 함유하는 웨이퍼 가공용 접착재로서, 대전 방지제를 함유하는 웨이퍼 가공용 접착재.
  2. 제1항에 있어서,
    (A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층과, (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층 및/또는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층을 가지는, 웨이퍼 가공용 접착재.
  3. 제2항에 있어서,
    대전 방지제가, 제2 가접착층(B) 및/또는 제3 가접착층(C)에 함유되어 있는, 웨이퍼 가공용 접착재.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    대전 방지제의 함유량이, 대전 방지제를 함유하는 가접착층 중, 0.01∼10 질량%인, 웨이퍼 가공용 접착재.
  5. 실리콘계 접착제층을 함유하는 접착재를 통하여 웨이퍼와 지지체가 접합되어 있는 적층체로서, 상기 접착재에 대전 방지제가 포함되어 있는, 웨이퍼 적층체.
  6. 제5항에 있어서,
    웨이퍼 적층체가, 표면에 회로면을 가지는 웨이퍼, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 (A) 비실리콘 열가소성 수지층으로 이루어지는 제1 가접착층, 상기 제1 가접착층에 적층된 (B) 열경화성 실리콘 중합체층으로 이루어지는 제2 가접착층 및/또는 (C) 열경화성 실록산 변성 중합체층으로 이루어지는 제3 가접착층을 가지는 웨이퍼 가공용 접착재, 및 상기 접착재의 제2 가접착층 또는 제3 가접착층 위에 박리 가능하게 적층된 지지체를 포함한 것이며, 상기 (B) 제2 가접착층 및/또는 (C) 제3 가접착층에 대전 방지제가 포함되어 있는, 웨이퍼 적층체.
  7. 웨이퍼와 지지체를 일시적으로 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 접착재로 접착하여, 웨이퍼를 박형(薄型) 가공 처리한 후, 가공된 웨이퍼로부터 지지체를 박리하는 박리 공정을 포함하는, 박형 웨이퍼의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102234094B1 (ko) * 2020-08-25 2021-03-31 주식회사 노바텍 차폐 자석의 제조방법 및 이에 의해 제조된 차폐 자석

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6443241B2 (ja) * 2015-06-30 2018-12-26 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
JP6463664B2 (ja) * 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
JP6360586B1 (ja) * 2017-04-13 2018-07-18 三菱電線工業株式会社 Ｃｍｐ装置のウエハ保持用の弾性膜
JP6788549B2 (ja) * 2017-06-05 2020-11-25 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法
JP6474474B1 (ja) * 2017-09-28 2019-02-27 日東電工株式会社 吸着仮固定シート
JP7025171B2 (ja) * 2017-10-12 2022-02-24 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
CN111328340B (zh) * 2017-12-15 2022-07-01 Dnp精细化工股份有限公司 水系临时固定粘接剂和水系临时固定粘接剂的制造方法、以及使用了该水系临时固定粘接剂的各种构件或部件的制造方法
JP7045765B2 (ja) * 2018-04-16 2022-04-01 信越化学工業株式会社 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法
JP6998838B2 (ja) * 2018-06-04 2022-01-18 信越化学工業株式会社 薄型基板の製造方法
JP6947132B2 (ja) * 2018-07-13 2021-10-13 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体、ウエハ積層体の製造方法、及び薄型ウエハの製造方法
JP7220135B2 (ja) * 2018-11-01 2023-02-09 信越化学工業株式会社 積層体の製造方法、及び基板の製造方法
JP7454922B2 (ja) * 2019-07-11 2024-03-25 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着材料及び積層体の製造方法
CN111477621B (zh) * 2020-06-28 2020-09-15 甬矽电子(宁波)股份有限公司 芯片封装结构、其制作方法和电子设备
CN112968106B (zh) * 2020-08-12 2021-12-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移方法以及显示装置
WO2024190396A1 (ja) * 2023-03-10 2024-09-19 日産化学株式会社 接着剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
JP2009030028A (ja) * 2007-07-04 2009-02-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 帯電防止性能を有するシリコーン粘着剤組成物およびシリコーン粘着テープ
JP2014131004A (ja) * 2012-11-30 2014-07-10 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2014141649A (ja) 2012-12-27 2014-08-07 Nitto Denko Corp 帯電防止層、帯電防止性粘着シート、及び光学フィルム
JP2015041663A (ja) 2013-08-21 2015-03-02 日東電工株式会社 封止用シート、及び、半導体装置の製造方法
WO2015115060A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4865192B2 (ja) * 2004-03-16 2012-02-01 古河電気工業株式会社 半導体固定用粘着テープ
KR101278460B1 (ko) 2005-03-01 2013-07-02 다우 코닝 코포레이션 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접착방법
JP5562597B2 (ja) * 2009-08-28 2014-07-30 荒川化学工業株式会社 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法
JP5010668B2 (ja) * 2009-12-03 2012-08-29 信越化学工業株式会社 積層型半導体集積装置の製造方法
JP5348147B2 (ja) * 2011-01-11 2013-11-20 信越化学工業株式会社 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法
JP5409695B2 (ja) * 2011-04-26 2014-02-05 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサン、オルガノポリシロキサンを含む仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
DE102011079687A1 (de) * 2011-07-22 2013-01-24 Wacker Chemie Ag Temporäre Verklebung von chemisch ähnlichen Substraten
JP5687230B2 (ja) * 2012-02-28 2015-03-18 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US9096032B2 (en) * 2012-04-24 2015-08-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method
KR102108102B1 (ko) * 2012-12-10 2020-05-11 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP5974162B2 (ja) * 2013-03-29 2016-08-23 積水化成品工業株式会社 仮止め用仮固定材
WO2015072418A1 (ja) * 2013-11-12 2015-05-21 信越化学工業株式会社 シリコーン接着剤組成物及び固体撮像デバイス
JP2015160812A (ja) 2014-02-26 2015-09-07 三洋化成工業株式会社 崩壊剤
JP6225894B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6325432B2 (ja) * 2014-12-25 2018-05-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
JP2009030028A (ja) * 2007-07-04 2009-02-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 帯電防止性能を有するシリコーン粘着剤組成物およびシリコーン粘着テープ
JP2014131004A (ja) * 2012-11-30 2014-07-10 Shin Etsu Chem Co Ltd ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2014141649A (ja) 2012-12-27 2014-08-07 Nitto Denko Corp 帯電防止層、帯電防止性粘着シート、及び光学フィルム
JP2015041663A (ja) 2013-08-21 2015-03-02 日東電工株式会社 封止用シート、及び、半導体装置の製造方法
WO2015115060A1 (ja) * 2014-01-29 2015-08-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102234094B1 (ko) * 2020-08-25 2021-03-31 주식회사 노바텍 차폐 자석의 제조방법 및 이에 의해 제조된 차폐 자석

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