KR20160145661A - 나노 실리콘 재료와 그 제조 방법 및 이차 전지의 부극 - Google Patents

나노 실리콘 재료와 그 제조 방법 및 이차 전지의 부극 Download PDF

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Abstract

산소 (O) 와 염소 (Cl) 의 함유량이 저감된 나노 실리콘 재료를 제공한다. 불소 (F) 와 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유한다. 불소 (F) 가 존재하고 있기 때문에 산소 (O) 및 염소 (Cl) 가 존재하는 층의 생성이 억제되고, 리튬 이온의 이동 속도의 저하가 억제된다. 또 불소 (F) 가 존재하고 있는만큼, 산소 (O) 및 염소 (Cl) 의 농도가 저감되어, 리튬 이온과의 반응이 억제된다.

Description

나노 실리콘 재료와 그 제조 방법 및 이차 전지의 부극{NANO-SILICON MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING SAME AND NEGATIVE ELECTRODE OF SECONDARY BATTERY}
본 발명은, 리튬 이온 이차 전지 등의 부극 활물질로서 사용할 수 있는 나노 실리콘 재료와 그 제조 방법, 그 나노 실리콘 재료를 포함하는 부극 활물질, 그 부극 활물질을 사용한 이차 전지에 관한 것이다.
리튬 이온 이차 전지는, 충방전 용량이 높고, 고출력화가 가능한 이차 전지이다. 현재, 주로 휴대 전자 기기용의 전원으로서 사용되고 있고, 또한, 향후 보급이 예상되는 전기 자동차용의 전원으로서 기대되고 있다. 리튬 이온 이차 전지는, 리튬 (Li) 을 삽입 및 탈리할 수 있는 활물질을 정극 및 부극에 각각 갖는다. 그리고, 양극간에 형성된 전해액 내를 리튬 이온이 이동함으로써 동작한다.
리튬 이온 이차 전지에는, 정극의 활물질로서 주로 리튬 코발트 복합 산화물 등의 리튬 함유 금속 복합 산화물이 사용되고, 부극의 활물질로는 다층 구조를 갖는 탄소 재료가 주로 사용되고 있다. 리튬 이온 이차 전지의 성능은, 이차 전지를 구성하는 정극, 부극 및 전해질의 재료에 의해 좌우된다. 그 중에서도 활물질을 형성하는 활물질 재료의 연구 개발이 활발하게 행해지고 있다. 예를 들어 부극 활물질 재료로서 탄소보다 고용량인 규소 또는 규소 산화물이 검토되고 있다.
규소를 부극 활물질로서 사용함으로써, 탄소 재료를 사용하는 것보다 고용량의 전지로 할 수 있다. 그러나 규소는, 충방전시의 Li 의 흡장·방출에 수반되는 체적 변화가 크다. 따라서, 규소를 부극 활물질로서 사용한 이차 전지에 있어서는, 규소가 충방전 중에 체적 변화에 수반하여 미분화되기 때문에, 집전체로부터 탈락 또는 박리된다. 이 때문에 전지의 충방전 사이클 수명이 짧다는 문제점이 있다. 그래서 규소 산화물을 부극 활물질로서 사용함으로써, 규소보다 충방전시의 Li 의 흡장·방출에 수반하는 체적 변화를 억제하는 기술이 검토되고 있다.
예를 들어, 부극 활물질로서 산화규소 (SiOx：x 는 0.5 ≤ x ≤ 1.5 정도) 의 사용이 검토되고 있다. SiOx 는 열처리되면, Si 와 SiO2 로 분해되는 것이 알려져 있다. 이것은 불균화 반응이라고 하고, 고체의 내부 반응에 의해 Si 상과 SiO2 상의 2 상으로 분리된다. 분리되어 얻어지는 Si 상은 매우 미세하다. 또, Si 상을 덮는 SiO2 상이 전해액의 분해를 억제하는 기능을 가진다. 따라서, Si 와 SiO2 로 분해한 SiOx 로 이루어지는 부극 활물질을 사용한 이차 전지는, 사이클 특성이 우수하다.
상기한 SiOx 의 Si 상을 구성하는 실리콘 입자가 미세할수록, 그것을 부극 활물질로서 사용한 이차 전지는 사이클 특성이 향상된다. 그래서 일본 특허공보 제3865033호 (특허문헌 1) 에는, 금속 실리콘과 SiO2 를 가열하여 승화시켜 산화규소 가스로 하고, 그것을 냉각시켜 SiOx 를 제조하는 방법이 기재되어 있다.
또 일본 공개특허공보2009-102219호 (특허문헌 2) 에는, 실리콘 원료를 고온의 플라즈마 중에서 원소 상태까지 분해하고, 그것을 액체 질소 온도까지 급랭시켜 실리콘 나노 입자를 얻고, 이 실리콘 나노 입자를 졸겔법 등으로 SiO2-TiO2 매트릭스 중에 고정시키는 제조 방법이 기재되어 있다.
그런데 특허문헌 1 에 기재된 제조 방법에서는, 원료가 승화성의 재료에 한정된다. 또한, Si 상을 덮는 SiO2 상이 Li 흡장시에 규산리튬에 변화함으로써, 부극에 불가역인 Li 를 생성하는 것이 알려져 있고, 정극에 잉여의 활물질을 첨가할 필요가 있다. 또 특허문헌 2 에 기재된 제조 방법에서는, 플라즈마 방전을 위해서 높은 에너지가 필요해진다. 또한, 이들 제조 방법으로 얻어진 실리콘계 재료에서는, Si 상의 실리콘 입자의 분산성이 낮아 응집되기 쉬운 것이 추찰된다. 실리콘 입자끼리가 응집되어 입경이 커지면, 그것을 부극 활물질로서 사용한 이차 전지는 초기 용량이 낮고, 사이클 특성도 저하된다.
그런데 최근, 반도체, 전기·전자 등의 각 분야로의 이용이 기대되는 나노 실리콘 재료가 개발되어 있다. 예를 들어 Physical Review B (1993), vol.48, PP.8172-8189 (비특허문헌 1) 에는, 염화수소 (HCl) 와 이규화칼슘 (CaSi2) 을 반응시킴으로써 층상 폴리실란을 합성하는 방법이 기재되고, 이렇게 하여 얻어지는 층상 폴리실란은, 발광 소자 등에 이용할 수 있는 것이 기재되어 있다.
또 Materials Research Bulletin, Vol.31, No.3, pp.307-316, 1996 (비특허문헌 2) 에는, 염화수소 (HCl) 와 이규화칼슘 (CaSi2) 을 반응시킴으로써 얻어진 층상 폴리실란을 900 ℃ 에서 열처리하여 판상 실리콘 결정을 얻는 것이 기재되어 있다.
그리고 일본 공개특허공보 2011-090806호 (특허문헌 3) 에는, 층상 폴리실란을 부극 활물질로서 사용한 리튬 이온 이차 전지가 기재되어 있다.
일본 특허공보 제3865033호 일본 공개특허공보 2009-102219호 일본 공개특허공보 2011-090806호
Physical Review B (1993), vol.48, pp.8172-8189 Materials Research Bulletin, vol.31, No.3, pp.307-316, 1996
본원 발명자들은, 비특허문헌 2 에 기재된 판상 실리콘 결정과 같이, 염화수소 (HCl) 와 이규화칼슘 (CaSi2) 의 반응에 의해 얻어진 층상 실리콘 화합물을 열처리하여 얻어지는 실리콘 재료의 구조를 상세하게 연구하였다. 그러자, 두께가 약 10 ㎚ 정도의 나노 실리콘층이 복수 장 적층된 구조가 확인되고, 나노 실리콘층끼리의 사이에 염소 (Cl) 와 산소 (O) 를 함유하는 층을 개재하고 있는 것이 확인되었다. 이와 같은 실리콘 재료를 리튬 이온 이차 전지의 부극 활물질로서 사용하면, 리튬 이온은 염소 (Cl) 와 산소 (O) 를 함유하는 층을 경유하여 내부의 실리콘에 도달하게 된다. 염소 (Cl) 와 산소 (O) 는 리튬 이온, 및 전해액과 반응하기 때문에, 부생된 분해물이 요인으로 리튬 이동 속도가 저하되는 것이 상정된다. 특히 염화리튬 등이 생성되면, 도전 저항이 보다 커져, 전지의 초기 효율이 저하된다고 생각된다.
또 본원 발명자들은, 상기 층상 실리콘 화합물의 열처리 온도를 변화시켜 실리콘 재료를 제조하고, 그들 실리콘 재료를 부극 활물질로서 사용한 리튬 이온 이차 전지의 특성을 조사하였다. 그러자, 열처리 온도가 낮은 실리콘 재료일수록 이차 전지의 용량이 크고, 열처리 온도가 높은 실리콘 재료일수록 이차 전지의 초기 효율이 높다는 것을 알 수 있었다.
예를 들어 열처리 온도가 500 ℃ 정도로 제조된 실리콘 재료는, BET 비표면적이 크기 때문에 실리콘과 리튬 이온의 전기 화학 합금화 반응이 효율적으로 진행된다. 그 때문에, 당해 실리콘 재료를 부극 활물질로서 사용한 이차 전지는 용량이 크기는 하지만, 활물질 표면 상에서 분해되는 리튬 및 전해액의 양도 커지는 것, 또 당해 실리콘 재료에서는 실리콘 결정자가 형성되지 않기 때문에, 도전성이 충분하지 않음으로써, 전극의 리튬의 흡장·방출에 관한 초기 효율이 낮다. 한편, 열처리 온도가 800 ℃ 정도에서 제조된 실리콘 재료를 부극 활물질로서 사용한 이차 전지에 있어서는, 당해 실리콘 재료에 나노 사이즈의 실리콘 결정자가 생성되기 때문에 도전성이 개선되고, 또, BET 비표면적이 작아지기 때문에 활물질 표면 상에서의 분해되는 리튬 및 전해액의 양도 작아지기 때문에, 초기 효율이 향상된다. 그러나 BET 비표면적이 작아짐으로써, 실리콘과 리튬 이온의 합금화 반응 효율이 낮아지기 때문에, 이차 전지의 용량이 낮다.
상기한 배반 사상과 같이, 종래의 실리콘 재료에는 여러 가지의 문제가 있는 것이 분명해졌다. 본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 이차 전지의 부극 활물질 등에 사용할 수 있는, 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유하는 새로운 나노 실리콘 재료를 제공하는 것을 해결해야 할 과제로 한다.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 나노 실리콘 재료의 특징은, 불소와 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유하는 데에 있다.
또 본 발명의 나노 실리콘 재료의 제조 방법의 특징은, 적어도 아니온에 불소를 함유하는 산이 0.01 질량％ 이상 함유된 약액과 CaSi2 를 반응시켜 얻어진 층상 실리콘 화합물을 비산화성 분위기에서 350 ℃ 이상에서 열처리하는 데에 있다.
그리고 본 발명의 이차 전지의 특징은, 본 발명의 부극 활물질을 포함하는 부극을 갖는 데에 있다.
본 발명의 나노 실리콘 재료는, 비수 전해액을 사용한 이차 전지의 부극 활물질로서 유용하다.
본 발명의 나노 실리콘 재료에 의하면, 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유하고 있다. 따라서 본 발명의 나노 실리콘 재료를 리튬 이온 이차 전지 등의 부극 활물질로서 사용한 경우에는, 이차 전지의 초기 효율이 향상된다.
또 아니온에 불소를 함유하는 산이 0.01 질량％ 이상 함유된 약액과 CaSi2 를 반응시켜 얻어진 층상 실리콘 화합물을 출발 원료로 하면, 본 발명의 나노 실리콘 재료는 종래 기술과 비교하여 불소 (F) 를 함유하고, 산소 (O) 량이 적고, 염소 (Cl) 량도 적거나 혹은 함유하지 않는다. 따라서 본 발명의 나노 실리콘 재료를 리튬 이온 이차 전지 등의 부극 활물질로서 사용한 경우에는, 리튬, 및 전해액과의 반응에 의해 부생되는 분해물을 저감시키고, 리튬 이동 속도의 저하가 억제되어 이차 전지의 초기 효율이 향상된다.
또한, 본 발명의 나노 실리콘 재료의 제조 방법에 있어서는, 800 ℃ 미만의 저온에서 열처리하여도 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 많이 형성할 수 있고, 큰 BET 비표면적치와 나노 실리콘을 구비하는 활물질을 제공할 수 있다.
도 1 은 실시예 1 에서 얻어진 층상 실리콘 화합물의 라만 스펙트럼이다.
도 2 는 실시예 1 에 관련된 나노 실리콘 재료의 XRD 차트이다.
도 3 은 실시예 1 에 관련된 나노 실리콘 재료의 라만 스펙트럼이다.
도 4 는 실시예 1 에 관련된 나노 실리콘 재료의 SEM 화상을 나타낸다.
도 5 는 실시예 1 에 관련된 나노 실리콘 재료의 TEM 화상을 나타낸다.
도 6 은 실시예 1 에 관련된 나노 실리콘 재료의 규소 (Si) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 7 은 실시예 1 에 관련된 나노 실리콘 재료의 산소 (O) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 8 은 실시예 1 에 관련된 나노 실리콘 재료의 불소 (F) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 9 는 실시예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 XRD 차트이다.
도 10 은 실시예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 TEM 화상을 나타낸다.
도 11 은 실시예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 규소 (Si) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 12 는 실시예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 산소 (O) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 13 은 실시예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 불소 (F) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 14 는 실시예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 염소 (Cl) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 15 는 비교예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 규소 (Si) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 16 은 비교예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 산소 (O) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 17 은 비교예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 염소 (Cl) 의 분포를 나타내는 TEM-EDX 화상이다.
도 18 은 비교예 1 에 관련된 나노 실리콘 재료의 XRD 차트이다.
도 19 는 비교예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료의 XRD 차트이다.
＜나노 실리콘 재료의 제조 방법＞
본 발명의 나노 실리콘 재료는, 불소와 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유하고 있다. 이 나노 실리콘 재료는, 본 발명의 제조 방법을 사용함으로써, 용이하게 또한 안정적으로 제조할 수 있다. 이하, 본 발명의 제조 방법을 설명한다.
본 발명의 제조 방법에서는, 적어도 아니온에 불소를 함유하는 산이 0.01 질량％ 이상 함유된 약액과 CaSi2 를 반응시켜 얻어진 층상 실리콘 화합물을 비산화성 분위기에서 350 ℃ 이상에서 열처리하는 공정을 실시한다. 이하, 층상 실리콘 화합물을 제조하는 공정을 층상 실리콘 화합물 제조 공정이라고 하는 경우가 있다.
적어도 아니온에 불소를 함유하는 산으로는, 불화수소산, 테트라플루오로붕산, 헥사플루오로인산, 헥사플루오로비소산, 플루오로안티몬산, 헥사플루오로규산, 헥사플루오로게르만산, 헥사플루오로주석(IV)산, 트리플루오로아세트산, 헥사플루오로티탄산, 헥사플루오로지르코늄산, 트리플루오로메탄술폰산, 플루오로술폰산 등이 예시된다.
상기한 산에서 선택되는 적어도 1 종을 0.01 질량％ 이상 함유하고 있으면, 다른 산을 함유하고 있어도 된다. 다른 산으로는, 예를 들어 염산, 브롬화수소산, 요오드화수소산, 황산, 메탄술폰산, 질산, 인산, 포름산, 아세트산 등이 예시된다.
적어도 아니온에 불소를 함유하는 산이 0.01 질량％ 이상 함유된 약액과 CaSi2 의 반응은, 비특허문헌 1, 2 에 기재된 조건과 동일한 조건으로 실시할 수 있다. 층상 실리콘 화합물 제조 공정은, 실온 이하의 저온에서 반응시키는 것이 바람직하고, 빙욕 상에서 실시하는 것이 바람직하다. 얻어진 층상 실리콘 화합물은, 비특허문헌 1, 2 에 기재된 방법으로 얻어진 층상 실리콘 화합물에 비하여, 산소량이 적고, 불소를 함유하고 있다.
층상 실리콘 화합물 제조 공정에 있어서, 적어도 아니온에 불소를 함유하는 산으로서 불화수소산 (HF) 을 사용하는 경우에는, 염산 (HCl) 을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 불화수소산 (HF) 만을 사용한 경우라도 층상 실리콘 화합물이 얻어지기는 하지만, 얻어지는 층상 실리콘 화합물은 활성이 높아 미량의 공기에 의해 산화되어, 산소량이 증대되기 때문에 바람직하지 않다. 또 염산 (HCl) 만을 사용한 경우에는, 비특허문헌 1, 2 와 동일하고, 산소량이 많은 층상 실리콘 화합물밖에 얻어지지 않는다.
불화수소산 (HF) 과 염산 (HCl) 의 혼합비는, 몰비로 HF/HCl = 1/1 ∼ 1/100 의 범위가 바람직하다. 불화수소산 (HF) 의 양이 이 비보다 많아지면, CaF2, CaSiO 계 등의 불순물이 많이 생성되는 경우가 있고, 이 불순물과 층상 실리콘 화합물을 분리하는 것이 곤란하기 때문에 바람직하지 않다. 또 불화수소산 (HF) 의 양이 이 비보다 적어지면, 불화수소산 (HF) 에 의한 Si-O 결합에 대한 에칭 작용이 약하여, 얻어지는 층상 실리콘 화합물에 산소가 많이 잔존하는 경우가 있다.
불화수소산 (HF) 과 염산 (HCl) 의 혼합물과, 이규화칼슘 (CaSi2) 의 배합비는, 당량보다 산을 과잉으로 하는 것이 바람직하다. 또 반응 분위기는, 진공하 또는 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 바람직하다. 또한 이 층상 실리콘 화합물 제조 공정에 의하면, 비특허문헌 1, 2 의 제조 방법에 비해 반응 시간이 짧아지는 것도 분명해졌다. 반응 시간이 지나치게 길면 Si 와 HF 가 더욱 반응하여 SiF4 가 발생하기 때문에, 반응 시간은 0.25 ∼ 24 시간 정도이면 충분하다. 반응에 의해 CaCl2 등이 생성되는데, 수세에 의해 용이하게 제거할 수 있어, 층상 실리콘 화합물의 정제는 용이하다.
층상 실리콘 화합물 제조 공정에 있어서, 적어도 아니온에 불소를 함유하는 산으로서, 예를 들어 테트라플루오로붕산 (HBF4) 을 사용하는 경우에는, 염산 (HCl) 을 혼합할 필요가 없고, 테트라플루오로붕산 (HBF4) 만을 이규화칼슘 (CaSi2) 과 반응시킬 수 있다. 반응 조건은, 상기와 마찬가지로 실시할 수 있다. 이 방법에 의하면, 얻어지는 층상 실리콘 화합물 및 나노 실리콘 재료에 염소 (Cl) 가 함유되지 않기 때문에, 본 발명의 나노 실리콘 재료를 부극 활물질로서 사용한 경우에 도전 저항을 더욱 저감시킬 수 있다.
상기한 층상 실리콘 화합물 제조 공정에 있어서 얻어지는 층상 실리콘 화합물은, 라만 스펙트럼에 있어서 라만 시프트의 330 ± 20 ㎝-1, 360 ± 20 ㎝-1, 498 ± 20 ㎝-1, 638 ± 20 ㎝-1, 734 ± 20 ㎝-1 에 피크가 존재한다. 이 층상 실리콘 화합물은, 규소 원자로 구성된 6 원자 고리가 복수 나열된 구조를 주성분으로 하고 있다.
본 발명의 제조 방법에서는, 상기 층상 실리콘 화합물 제조 공정에 이어서, 얻어진 층상 실리콘 화합물에 대해 열처리를 실시한다. 열처리는, 비산화성 분위기에서 실시한다. 비산화성 분위기로는, 감압 분위기, 진공 분위기, 불활성 가스 분위기가 예시된다. 또 열처리 온도는, 지나치게 높으면, 얻어지는 나노 실리콘 재료의 BET 비표면적이 지나치게 저하되고, 지나치게 낮으면, 나노 실리콘 재료의 생성이 곤란해지는 경우가 있다. 따라서 열처리 온도는, 350 ℃ 이상 또한 950 ℃ 미만의 범위가 바람직하고, 400 ℃ 이상 800 ℃ 이하의 범위가 특히 바람직하다.
층상 실리콘 화합물을 비산화성 분위기하에서 열처리함으로써, 불소와 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유하는 나노 실리콘 재료가 얻어진다. 열처리 시간은 열처리 온도에 따라 상이한데, 500 ℃ 이상의 열처리이면 1 시간으로 충분하다.
＜나노 실리콘 재료＞
본 발명의 나노 실리콘 재료를 특정하려면, 라만 시프트의 520 ㎝-1 보다 낮은 파수측에 피크를 갖고, 피크의 반치폭이 30 ∼ 100 ㎝-1 의 범위에 있는 것을 가지고, 그 지표로 할 수 있다. 상기 피크는, 실리콘 결정자와 아모르퍼스 실리콘의 혼합 상태에서 유래하는 것이다.
본 발명의 나노 실리콘 재료에 포함되는 실리콘 결정자는, 결정자 사이즈가 0.5 ㎚ ∼ 300 ㎚ 인 것이 바람직하고, 1 ㎚ ∼ 30 ㎚ 인 것이 더욱 바람직하고, 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 의 범위가 특히 바람직하다. 결정자 사이즈가 300 ㎚ 를 초과하면, 이차 전지의 부극 활물질로서 사용했을 때에 전지 용량이 저하되는 경우가 있다. 또한, 이 결정자 사이즈는, X 선 회절 측정 결과의 (111) 면의 회절 피크 (2θ 가 27°∼ 30°의 위치에 존재) 의 반치폭으로부터 셰러의 식으로 산출된 것이다.
본 발명의 나노 실리콘 재료에는 불소 (F) 가 함유되어 있다. 나노 실리콘 재료에 있어서의 불소의 함유량은 0.01 ∼ 10 질량％ 의 범위로 할 수 있다. 불소량이 이 범위보다 적으면, 염소 (Cl) 나 산소 (O) 의 양이 많아지기 때문에, 도전 저항이 커지고, 그러한 나노 실리콘 재료를 부극 활물질로서 사용한 이차 전지의 초기 효율이 저하된다. 또 나노 실리콘 재료의 불소량이 이 범위보다 많아지면, 그 나노 실리콘 재료를 부극 활물질로서 사용한 이차 전지의 용량이 저하되는 경우가 있다. 특히 바람직한 범위는 1 ∼ 5 질량％ 이다.
불소 (F) 는 본 발명의 나노 실리콘 재료 중에 거의 균일하게 분산되어 존재하여, 편재하고 있지 않은 경우가 있다. 또 본 발명의 나노 실리콘 재료 중에는 산소 (O) 가 함유되는 경우가 있고, 층상 실리콘 화합물의 합성시에 염산 (HCl) 을 병용한 경우에는 염소 (Cl) 도 함유된다. 후술하는 바와 같이 본 발명의 나노 실리콘 재료에 있어서는, 불소를 함유하지 않는 나노 실리콘 재료에 비해 염소 (Cl) 나 산소 (O) 가 층상으로 편재되는 것이 억제되어, Si 의 분포도 규칙성이 낮아져 있다.
본 발명의 나노 실리콘 재료는, 실리콘 결정자에 더하여, 비정질 실리콘, 산화규소 (SiOx, 0 < x < 2), 또는 규소 화합물의 적어도 1 종을 추가로 함유하는 복합체 입자여도 된다. 이 복합체 입자에 있어서는, 실리콘 결정자는 비정질 실리콘, 산화규소 (SiOx, 0 < x < 2), 또는 규소 화합물의 적어도 1 종의 표면 및/또는 내부에 존재한다. 예를 들어 실리콘 결정자는, 비정질 실리콘을 주로 하는 매트릭스 중에 도상 (島狀) 으로 분산되어 있어도 되고, 비정질 실리콘을 주로 하는 입자의 표면에 도상으로 부착되어 있어도 된다.
본 발명의 나노 실리콘 재료 (복합체 입자) 의 입경은 특별히 제한되지 않는데, 이차 전지의 부극 활물질로서 사용하는 경우에는 2 ㎛ ∼ 20 ㎛ 의 범위로 분급된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 나노 실리콘 재료는, 복수 장의 판상체가 두께 방향으로 적층되어 이루어지는 구조를 취하는 경우가 있다. 이 판상체는, 두께가 1 ㎚ ∼ 200 ㎚ 의 범위인 경우가 많다. 본 발명의 나노 실리콘 재료는, 판상체끼리가 화학적 또는 물리적으로 결합된 결합부를 갖고, 판상체와 결합부로 둘러싸인 중공부를 갖는 것도 바람직하다. 중공부는 실리콘과 리튬의 합금화 반응에 수반하는 팽창시의 완충 부위로서 작용하여, 전극 구조의 유지에 효과가 있다고 생각되기 때문이다. 또 전해액과의 접촉 면적이 커지기 때문에, 전지 용량이 증대하기 때문이다.
본 발명의 나노 실리콘 재료는, 이차 전지의 부극 활물질로서 사용한 경우의 전지 특성을 고려하면, BET 비표면적이 3 ∼ 100 ㎡/g 인 것이 바람직하고, 4 ∼ 80 ㎡/g 인 것이 바람직하고, 7 ∼ 60 ㎡/g 인 것이 특히 바람직하다.
또 본 발명의 나노 실리콘 재료는, 함유되는 산소 (O) 량이 20 질량％ 이하인 것이 바람직하다. 예를 들어 비특허문헌 1, 2 에 기재된 층상 실리콘 화합물을 열처리함으로써 얻어진 나노 실리콘의 산소량은 약 33 질량％ 로 크지만, 본 발명의 제조 방법으로 제조된 층상 실리콘 화합물을 열처리함으로써 얻어진 나노 실리콘 재료의 산소량은 30 질량％ 이하로 작다.
또, 본 발명의 나노 실리콘 재료는, 원소 조성이 원자비로 SiOxClyFz(0 < (x ＋ y ＋ z) ≤ 1, x < 0.5) 의 관계에 있는 것이 바람직하고, 0 < (x ＋ y ＋ z) ≤ 0.3 의 범위가 특히 바람직하다. 즉, 실리콘 (Si) 의 원자수를 1 로 했을 때, 산소 (O) 의 원자수 (x) 가 0.5 미만, 산소 (O) 와 염소 (Cl) 와 불소 (F) 의 합계 원자수 (x ＋ y ＋ z) 가 1 이하인 것이 바람직하고, 합계 원자수 (x ＋ y ＋ z) 가 0.3 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한 불소 (F) 는 반드시 함유되어 있으므로, z > 0 인 것은 말할 필요도 없다.
본 발명의 나노 실리콘 재료는, 실리콘 (Si) 의 원자수를 1 로 했을 때, 산소 (O) 의 원자수 (x) 는 0.5 이하의 범위가 바람직하고, 0.3 이하의 범위가 바람직하고, 0.2 이하의 범위가 특히 바람직하다. 실리콘 (Si) 의 원자수를 1 로 했을 때, 염소 (Cl) 의 원자수 (y) 는 0.1 이하의 범위가 바람직하고, 0.05 이하의 범위가 바람직하고, 0.01 이하의 범위가 특히 바람직하다. 또 실리콘 (Si) 의 원자수를 1 로 했을 때, 불소 (F) 의 원자수 (z) 는 0.001 ∼ 0.2 의 범위가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.2 의 범위가 바람직하고, 0.1 ∼ 0.2 의 범위가 특히 바람직하다.
＜이차 전지의 부극＞
본 발명의 나노 실리콘 재료는, 리튬 이온 이차 전지 등의 이차 전지에 있어서의 부극 활물질로서 사용할 수 있다. 본 발명의 나노 실리콘 재료를 사용하여, 예를 들어 비수계 이차 전지의 부극을 제작하려면, 본 발명의 나노 실리콘 재료를 포함하는 부극 활물질 분말과, 탄소 분말 등의 도전 보조제와, 바인더와, 적당량의 유기 용제를 첨가하고 혼합하여 슬러리로 한 것을, 롤 코트법, 딥 코트법, 닥터 블레이드법, 스프레이 코트법, 커튼 코트법 등의 방법으로 집전체 상에 도포하고, 바인더를 건조 혹은 경화시킴으로써 제작할 수 있다.
또한, 슬러리에 포함되는 부극 활물질 분말은, 입경이 2 ㎛ ∼ 20 ㎛ 의 범위로 분급된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 입경이 2 ㎛ 미만인 것이 포함되면, 전해액과의 접촉 계면이 증가하고, 이차 전지로서 사용시에 전해액의 분해 생성물이 증대되는 경우가 있다. 또 입경이 20 ㎛ 를 초과하는 입자는 최외각의 응력이 증대하여, 부극 활물질층의 파괴나 탈락이 발생하는 경우가 있다. 또 부극 활물질층의 두께가 부극 활물질의 입경에 의존하고, 두께의 제어가 곤란해지는 경우가 있다. 분급 방법은 공지된 방법을 사용할 수 있다.
바인더는, 가능한 한 적은 양으로 활물질 등을 결착시키는 것이 요구되는데, 그 첨가량은 활물질, 도전 보조제, 및 바인더를 합계한 것의 0.5 질량％ ∼ 50 질량％ 가 바람직하다. 바인더가 0.5 질량％ 미만에서는 전극의 성형성이 저하되고, 50 질량％ 를 초과하면 전극의 에너지 밀도가 낮아진다.
바인더로는, 용제계 바인더 및 수계 바인더 중 어느 것이나 사용할 수 있다. 용제계 바인더로는, 폴리불화비닐리덴 (PolyVinylidene DiFluoride:PVdF), 폴리사불화에틸렌 (PTFE), 스티렌-부타디엔 고무 (SBR), 폴리이미드 (PI), 폴리아미드이미드 (PAI), 폴리아미드 (PA), 폴리염화비닐 (PVC), 폴리메타크릴산 (PMA), 폴리아크릴로니트릴 (PAN), 변성 폴리페닐렌옥사이드 (PPO), 폴리에틸렌옥사이드 (PEO), 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP) 등이 예시된다.
수계 바인더란, 물에 바인더를 분산 또는 용해시킨 상태에서 활물질과 혼합하여 사용하는 바인더를 의미하고, 대표적인 것으로서 폴리아크릴산 (PAA), 폴리아크릴산리튬, 폴리아크릴산나트륨, 폴리아크릴산칼륨, 스티렌부타디엔 고무 (SBR), 알긴산나트륨, 알긴산암모늄을 사용할 수 있다. 이들 바인더에 카르복시메틸셀룰로오스 (CMC) 를 혼합한 것을 수계 바인더로 할 수도 있고, SBR 및/또는 PAA 대신에 CMC 단독으로 수계 바인더로서 사용할 수도 있다. 또, 수계 바인더로서 수용성 고분자의 가교체를 사용하는 것도 가능하고, CMC 가교체 등의 수용성 셀룰로오스에스테르 가교체, 전분/아크릴산 그래프트 중합체 등을 사용할 수 있다.
바인더로서 폴리불화비닐리덴을 사용하면, 부극의 전위를 낮출 수 있고 축전 장치의 전압 향상이 가능해진다. 또 바인더로서 폴리아미드이미드 (PAI) 또는 폴리아크릴산 (PAA) 을 사용함으로써 초기 효율과 방전 용량이 향상되는 경우가 있다.
집전체는, 방전 혹은 충전하는 동안, 전극에 전류를 계속 흘리기 위한 화학적으로 불활성인 전자 고전도체이다. 집전체는 박, 판 등의 형상을 채용할 수 있는데, 목적에 따른 형상이면 특별히 한정되지 않는다. 집전체로서 예를 들어 동박이나 알루미늄박을 바람직하게 사용할 수 있다.
부극 활물질로서, 본 발명의 나노 실리콘 재료에, 그라파이트, 하드 카본, 규소, 탄소 섬유, 주석 (Sn), 산화규소 등 공지된 것을 혼합할 수도 있다.
도전 보조제는, 전극의 도전성을 높이기 위해서 첨가된다. 도전 보조제로서 탄소질 미립자인 카본 블랙, 천연 흑연, 조립 흑연, 인조 흑연, 난연성 흑연, 아세틸렌블랙 (AB), 케첸블랙 (KB) (등록 상표), 인편상 흑연, 기상법 탄소 섬유 (Vapor Grown Carbon Fiber：VGCF) 등을 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 첨가할 수 있다. 도전 보조제의 사용량에 대해서는, 특별히 한정적이지 않지만, 예를 들어, 활물질 100 질량부에 대하여, 5 ∼ 100 질량부 정도로 할 수 있다. 도전 보조제의 양이 5 질량부 미만에서는 효율이 양호한 도전 패스를 형성할 수 없고, 100 질량부를 초과하면 전극의 성형성이 악화됨과 함께 에너지 밀도가 낮아진다. 또한 탄소 재료가 복합화된 규소 산화물을 활물질로서 사용하는 경우에는, 도전 보조제의 첨가량을 저감 혹은 없음으로 할 수 있다.
유기 용제에는 특별히 제한은 없고, 복수의 용제의 혼합물이어도 상관없다. 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈과 에스테르계 용매 (아세트산에틸, 아세트산 n-부틸, 부틸셀로솔브아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트 등) 와의 혼합 용매, 혹은 N-메틸-2-피롤리돈과 글라임계 용매 (디글라임, 트리글라임, 테트라글라임 등) 와의 혼합 용매가 특히 바람직하다.
본 발명의 이차 전지가 리튬 이온 이차 전지인 경우, 부극에는 리튬을 프리도핑할 수도 있다. 부극에 리튬을 도프하려면, 예를 들어 대극 (對極) 에 금속 리튬을 사용하여 반전지를 제조하고, 전기 화학적으로 리튬을 도프하는 전극 화성법 등을 이용할 수 있다. 리튬의 도프량은 특별히 제약되지 않는다.
본 발명의 이차 전지가 리튬 이온 이차 전지인 경우, 특별히 한정되지 않는 공지된 정극, 전해액, 세퍼레이터를 사용할 수 있다. 정극은, 리튬 이온 이차 전지로 사용 가능한 것이면 된다. 정극은, 집전체와, 집전체 상에 결착된 정극 활물질층을 갖는다. 정극 활물질층은, 정극 활물질과 바인더를 포함하고, 나아가서는 도전 보조제를 포함해도 된다. 정극 활물질, 도전 보조제 및 바인더는, 특별히 한정은 없고, 리튬 이온 이차 전지로 사용 가능한 것이면 된다.
정극 활물질로는, 금속 리튬, LiCoO2, LixNiaCobMncO2, LixCobMncO2, LixNiaMncO2, LixNiaCobO2 및 Li2MnO3 (단, 0.5 ≤ x ≤ 1.5, 0.1 ≤ a ＜1, 0.1 ≤ b ＜1, 0.1 ≤ c ＜1) 에서 선택되는 Li 화합물 또는 고용체, Li2MnO3, 황 등을 들 수 있다. 집전체는, 알루미늄, 니켈, 스테인리스강 등, 리튬 이온 이차 전지의 정극에 일반적으로 사용되는 것이면 된다. 도전 보조제는 상기의 부극에서 기재한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다.
전해액은, 유기 용매에 전해질인 리튬 금속염을 용해시킨 것이다. 유기 용매로서 비프로톤성 유기 용매, 예를 들어 프로필렌카보네이트 (PC), 에틸렌카보네이트 (EC), 디메틸카보네이트 (DMC), 디에틸카보네이트 (DEC), 에틸메틸카보네이트 (EMC), 플루오로에틸카보네이트 (FEC) 등에서 선택되는 1 종 이상을 사용할 수 있다. 또, 용해시키는 전해질로는, LiPF6, LiBF4, LiAsF6, LiI, LiClO4, LiCF3SO3 등의 유기 용매에 가용인 리튬 금속염을 사용할 수 있다.
예를 들어, 에틸렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디메틸카보네이트 등의 유기 용매에 LiClO4, LiPF6, LiBF4, LiCF3SO3 등의 리튬 금속염을 0.5 ㏖/ℓ 내지 1.7 ㏖/ℓ 정도의 농도로 용해시킨 용액을 사용할 수 있다.
세퍼레이터는, 리튬 이온 이차 전지에 사용할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 세퍼레이터는, 정극과 부극을 분리하고 전해액을 유지하는 것이며, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 얇은 미다공막을 사용할 수 있다.
본 발명의 이차 전지는 그 형상에 특별히 한정은 없고, 원통형, 적층형, 코인형 등, 여러 가지의 형상을 채용할 수 있다. 어느 형상을 채용하는 경우라도, 정극 및 부극에 세퍼레이터를 사이에 두고 장착시켜 전극체로 하고, 정극 집전체 및 부극 집전체로부터 외부에 통하는 정극 단자 및 부극 단자까지의 사이를, 집전용 리드 등을 사용하여 접속한 후, 이 전극체를 전해액과 함께 전지 케이스에 밀폐하여 전지가 된다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명의 실시양태를 구체적으로 설명한다.
(실시예 1)
농도 40 질량％ 의 테트라플루오로붕산 수용액 20 ㎖ 를 빙욕 중에서 0 ℃ 로 하고, 아르곤 가스 기류 중에서 그곳에 2.0 g 의 이규화칼슘 (CaSi2) 을 첨가하고 교반하였다. 발포가 완료된 것을 확인한 후에 실온까지 승온시키고, 실온에서 추가로 2 시간 교반한 후, 증류수 20 ㎖ 를 첨가하고 추가로 10 분간 교반하였다. 이 때 황색 분말이 부유되었다.
얻어진 혼합 용액을 여과하고, 잔류물을 10 ㎖ 의 증류수로 세정한 후, 10 ㎖ 의 에탄올로 세정하고, 진공 건조시켜 2 g 의 층상 실리콘 화합물을 얻었다. 이 층상 실리콘 화합물의 라만 스펙트럼을 도 1 에 나타내고 있다. 라만 시프트의 330 ± 10 ㎝-1, 360 ± 10 ㎝-1, 498 ± 10 ㎝-1, 638 ± 10 ㎝-1, 734 ± 10 ㎝-1 에 피크가 존재하고 있다.
이 층상 실리콘 화합물을 2 g 칭량하고, O2 의 양이 1 체적％ 이하인 아르곤 가스 중에서 500 ℃ 에서 1 시간 유지하는 열처리를 실시하여, 갈색의 나노 실리콘 재료 1.45 g 을 얻었다.
이 열처리에 있어서는, Si-H 결합이 절단되어 수소 (H) 가 이탈하여, Si-Si 결합의 절단과 재결합이 발생한다. Si-Si 결합의 재결합은, 동일한 층 내에서 발생함과 함께 인접하는 층끼리에서도 발생하고, 이로써 나노 레벨의 직경을 갖는 실리콘 일차 입자 (실리콘 결정자) 가 생성된다. 이 실리콘 일차 입자끼리가 응집하여, 나노 실리콘 재료 (이차 입자) 가 생성된다.
얻어진 나노 실리콘 재료에 대해 CuKα 선을 사용한 X 선 회절 측정 (XRD 측정) 을 실시하였다. XRD 차트를 도 2 에 나타낸다. 도 2 로부터, 실리콘 결정자 유래의 3 개의 피크가 존재하고 있는 것을 확인할 수 있다. 실리콘 결정자는, X 선 회절 측정 결과의 (111) 면의 회절 피크 (2θ 가 27°∼ 30°의 위치에 존재) 의 반치폭으로부터 셰러의 식으로 산출되는 결정자 사이즈가 7.8 ㎚ 였다. 또 나노 실리콘 재료의 BET 비표면적은 13.2 ㎡/g 이었다.
얻어진 나노 실리콘 재료의 라만 스펙트럼을 도 3 에 나타낸다. 라만 시프트의 520 ㎝-1 보다 낮은 파수측 (약 470 ㎝-1) 에 피크를 갖고, 그 피크의 반치폭은 98 ㎝-1 이다.
얻어진 나노 실리콘 재료의 SEM 화상과 TEM 화상을 도 4, 5 에 각각 나타낸다. 도 4 에는 판상체가 적층된 구조가 관찰된다. 도 5 로부터, 회색 부분의 판상체의 TEM 화상에는 결정자의 존재를 시사하는 줄무늬상의 모양이 확인된다. 회색 부분의 판상체의 두께는 5 ㎚ ∼ 30 ㎚ 이며, 장변이 0.1 ㎛ ∼ 50 ㎛ 이다. 또, 얻어진 나노 실리콘 재료에 대한 TEM 에 의한 전자선 회절을 관찰한 결과, 결정을 나타내는 회절이 확인되었다.
이 나노 실리콘 재료를, 추가로 TEM-EDX (에너지 분산형 X 선 분광법) 에 의해 분석하였다. 실리콘 (Si) 의 분포를 도 6 에, 산소 (O) 의 분포를 도 7 에, 불소 (F) 의 분포를 도 8 에 각각 나타낸다. 각 도면의 거의 상부 절반이 지지재 (에폭시 수지) 이다. 산소 (O) 및 불소 (F) 는, 일부가 지지재에 흡착되어 있기 때문에 상부 절반에도 존재가 확인된다.
후술하는 비교예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료에 있어서의 각 원소의 분포와 비교한다. 도 6 과 도 15 의 비교로부터, 본 실시예의 나노 실리콘 재료에 있어서는, 실리콘 (Si) 이 존재하지 않는 중공부의 존재가 확인된다. 또 실리콘 (Si) 의 분포는, 본 실시예의 나노 실리콘 재료쪽이 비교예 1 보다 규칙성이 낮다.
또, 도 16, 17 에 나타내는 바와 같이 비교예 2 에 관련된 나노 실리콘 재료에 있어서는, 산소 (O) 및 염소 (Cl) 가 실리콘 (Si) 층끼리의 사이에 명료하게 층상으로 분포하고 있는 데에 반하여, 도 7 에 나타내는 바와 같이 본 실시예의 나노 실리콘 재료에서는 산소 (O) 의 층 구조가 상이한 것으로 되어 있다. 구체적으로는, 도 16, 17 에 나타내는 바와 같은 비교예 2 에서 확인된 산소 (O) 및 염소 (Cl) 의 층 구조는 도 7 에 나타내는 바와 같이 본 실시예에서는 확인되지 않고, 이것에 수반하여 Si 의 층끼리가 부분적으로 접촉 또는 근접하여, 실리콘 사이의 도전 패스, 이온 전도 패스가 형성된다.
본 실시예의 나노 실리콘 재료에 있어서는, 도 8 에 나타내는 바와 같이 불소 (F) 는 전체에 거의 균일하게 분포되어 있다. 도 8 에는, 지지재와의 경계를 곡선으로 나타내고, 곡선보다 하방이 불소 (F) 의 분포인 것을 화살표로 나타내고 있다. 이 나노 실리콘 재료에 있어서의 각 원소의 원자비를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 2)
농도 46 질량％ 의 HF 수용액 2 ㎖ 와, 농도 36 질량％ 의 HCl 수용액 63 ㎖ 의 혼합 용액을 빙욕 중에서 0 ℃ 로 하고, 아르곤 가스 기류 중에서 그곳에 3.3 g 의 이규화칼슘 (CaSi2) 을 첨가하고 교반하였다. 발포가 완료된 것을 확인한 후에 실온까지 승온시키고, 실온에서 추가로 2 시간 교반한 후, 증류수 20 ㎖ 를 첨가하고 추가로 10 분간 교반하였다. 이 때 황색 분말이 부유되었다.
얻어진 혼합 용액을 여과하고, 잔류물을 10 ㎖ 의 증류수로 세정한 후, 10 ㎖ 의 에탄올로 세정하고, 진공 건조시켜 2.5 g 의 층상 실리콘 화합물을 얻었다. 그 라만 스펙트럼은 도 1 과 동일하고, 라만 시프트의 330 ± 10 ㎝-1 부근, 360 ± 10 ㎝-1 부근, 498 ± 10 ㎝-1 부근, 638 ± 10 ㎝-1 부근, 734 ± 10 ㎝-1 부근에 피크가 존재하였다.
이 층상 실리콘 화합물을 2 g 칭량하고, O2 의 양이 1 체적％ 이하인 아르곤 가스 중에서 500 ℃ 에서 1 시간 유지하는 열처리를 실시하여, 갈색의 나노 실리콘 재료 1.22 g 을 얻었다.
이 나노 실리콘 재료에 대해 CuKα 선을 사용한 X 선 회절 측정 (XRD 측정) 을 실시하였다. XRD 차트를 도 9 에 나타낸다. 도 9 로부터, 실리콘 결정자 유래의 3 개의 피크가 존재하고 있는 것을 확인할 수 있다. 실리콘 결정자는, X 선 회절 측정 결과의 (111) 면의 회절 피크 (2θ 가 27°∼ 30°의 위치에 존재) 의 반치폭으로부터 셰러의 식으로 산출되는 결정자 사이즈가 3.3 ㎚ 였다. 또 나노 실리콘 재료의 BET 비표면적은 53.1 ㎡/g 이었다.
얻어진 나노 실리콘 재료의 라만 스펙트럼은, 결정성 실리콘의 520 ㎝-1 보다 낮은 파수측 (약 477 ㎝-1) 에 피크를 갖고, 그 피크의 반치폭은 96 ㎝-1 이다.
얻어진 나노 실리콘 재료를 SEM 으로 관찰한 결과, 실시예 1 과 마찬가지로 판상체가 적층된 구조가 관찰되었다. 또 얻어진 나노 실리콘 재료를 TEM 로 관찰하고, 그 화상을 도 10 에 나타낸다. 도 10 에 있어서는, 줄무늬상의 모양이 명료하지 않은 점에서, 나노 실리콘 재료의 결정성은 실시예 1 보다 저하되어 있는 것이 시사된다.
이 나노 실리콘 재료를, 추가로 TEM-EDX (에너지 분산형 X 선 분광법) 에 의해 분석하였다. 실리콘 (Si) 의 분포를 도 11 에, 산소 (O) 의 분포를 도 12 에, 불소 (F) 의 분포를 도 13 에, 염소 (Cl) 의 분포를 도 14 에 각각 나타낸다. 각 도면의 거의 하부 절반이 지지재이다. 도 12 및 도 13 에 있어서의 산소 (O) 및 불소 (F) 는, 일부가 지지재에 흡착되어 있기 때문에 하부 절반에도 존재가 확인된다. 도 11 에는, 실시예 1 에서는 존재가 인정된 중공부의 존재는 확인할 수 없었다. 도 12 및 도 14 로부터, 산소 (O) 와 염소 (Cl) 는 랜덤하게 분포하고, 후술하는 비교예 2 와 같은 층 구조는 확인되지 않았다. 도 13 으로부터, 불소 (F) 는 전체에 거의 균일하게 분포하고 있었다. 이 나노 실리콘 재료에 있어서의 각 원소의 원자비를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 3)
실시예 1 에서 얻어진 층상 실리콘 화합물을 사용하고, 열처리 온도를 900 ℃ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 나노 실리콘 재료를 얻었다. 이 나노 실리콘 재료는, X 선 회절 측정 결과의 (111) 면의 회절 피크 (2θ 가 27°∼ 30°의 위치에 존재) 의 반치폭으로부터 셰러의 식으로 산출되는 결정자 사이즈가 9.1 ㎚ 였다. 또 나노 실리콘 재료의 BET 비표면적은 7.7 ㎡/g 이었다. TEM-EDX 에 의해 측정된 나노 실리콘 재료에 있어서의 각 원소의 원자비를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 4)
실시예 2 에서 얻어진 층상 실리콘 화합물을 사용하고, 열처리 온도를 900 ℃ 로 한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 하여 나노 실리콘 재료를 얻었다. 이 나노 실리콘 재료는, X 선 회절 측정 결과의 (111) 면의 회절 피크의 반치폭으로부터 셰러의 식으로 산출되는 결정자 사이즈가 6.7 ㎚ 였다. 또 나노 실리콘 재료의 BET 비표면적은 11.2 ㎡/g 이었다. TEM-EDX 에 의해 측정된 나노 실리콘 재료에 있어서의 각 원소의 원자비를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 1)
농도 36 질량％ 의 HCl 수용액 65 ㎖ 를 빙욕 중에서 0 ℃ 로 하고, 아르곤 가스 기류 중에서 그곳에 3.3 g 의 이규화칼슘 (CaSi2) 을 첨가하고 교반하였다. 발포가 완료된 것을 확인한 후에 실온까지 승온시키고, 실온에서 추가로 2 시간 교반한 후, 증류수 20 ㎖ 를 첨가하고 추가로 10 분간 교반하였다. 이 때 황색 분말이 부유되었다. 얻어진 혼합 용액을 여과하고, 잔류물을 10 ㎖ 의 증류수로 세정한 후, 10 ㎖ 의 에탄올로 세정하고, 진공 건조시켜 3.5 g 의 층상 실리콘 화합물을 얻었다.
이 층상 실리콘 화합물을 3.5 g 칭량하고, O2 의 양이 1 체적％ 이하인 아르곤 가스 중에서 500 ℃ 에서 1 시간 유지하는 열처리를 실시하여, 갈색의 나노 실리콘 재료 2.9 g 을 얻었다. 이 나노 실리콘 재료의 BET 비표면적은 7.6 ㎡/g 이었다. TEM-EDX 에 의해 측정된 나노 실리콘 재료에 있어서의 각 원소의 원자비를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 2)
비교예 1 과 동일하게 제조된 층상 실리콘 화합물 3.5 g 을, O2 의 양이 1 체적％ 이하인 아르곤 가스 중에서 800 ℃ 에서 1 시간 유지하는 열처리를 실시하여, 갈색의 나노 실리콘 재료 2.6 g 을 얻었다. 이 나노 실리콘 재료의 BET 비표면적은 5.5 ㎡/g 이었다.
이 나노 실리콘 재료를, 추가로 TEM-EDX (에너지 분산형 X 선 분광법) 에 의해 분석하였다. 실리콘 (Si) 의 분포를 도 15 에, 산소 (O) 의 분포를 도 16 에, 염소 (Cl) 의 분포를 도 17 에 각각 나타낸다. 각 도면의 거의 상부 절반이 지지재이다. 산소 (O) 및 염소 (Cl) 는, 일부가 지지재에 흡착되어 있기 때문에 도 16, 도 17 에 있어서의 상부 절반에도 존재가 확인된다. 도 15 로부터는, 실시예 1 에서는 존재가 인정된 중공부의 존재는 확인할 수 없었다. 도 15 ∼ 17 로부터, 실리콘 (Si), 산소 (O), 염소 (Cl) 는, 모두 층상으로 분포하고, 실리콘 (Si) 층끼리의 사이에 산소 (O) 및 염소 (Cl) 가 존재하는 층이 개재하고 있는 것으로 생각된다. 나노 실리콘 재료에 있어서의 각 원소의 원자비를 표 1 에 나타낸다.
＜비교예의 XRD 측정＞
비교예 1, 2 의 나노 실리콘 재료에 대하여, CuKα 선을 사용한 X 선 회절 측정 (XRD 측정) 을 실시하였다. 결과를 도 18, 19 에 각각 나타낸다. 도 19 로부터, 비교예 2 에서는 실리콘 결정자 유래의 3 개의 피크가 확인되지만, 실시예에 비하면 상당히 브로드한 피크이며, 비정질 실리콘이 많이 생성되어 있다고 확인된다. 또, 도 18 로부터, 비교예 1 에서는 명료한 피크가 확인되지 않고, 비정질 실리콘이 대부분이고, 실리콘 결정자는 거의 생성되어 있지 않다고 생각된다.
또 얻어진 나노 실리콘 재료의 라만 스펙트럼은, 결정성 실리콘의 520 ㎝-1 보다 낮은 파수측 (비교예 1：약 472 ㎝-1, 비교예 2：약 495 ㎝-1) 에 피크를 갖고, 그 피크의 반치폭은 비교예 1 이 114 ㎝-1, 비교예 2 가 101 ㎝-1 이다.
＜전지의 제조＞
각 실시예 및 각 비교예의 나노 실리콘 재료 각각 45 질량부와, 천연 흑연 분말 40 질량부와, 아세틸렌블랙 5 질량부와, 바인더 용액 33 질량부를 혼합하여 각각의 슬러리를 조제하였다. 바인더 용액에는, 폴리아미드이미드 (PAI) 수지가 N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 에 30 질량％ 용해된 용액을 사용하였다. 이들 슬러리를, 두께 약 20 ㎛ 의 전해 동박 (집전체) 의 표면에 닥터 블레이드를 사용하여 각각 도포하고, 건조시켜 동박 상에 부극 활물질층을 형성하였다. 그 후, 롤 프레스기에 의해, 집전체와 부극 활물질층을 강고하게 밀착 접합시켰다. 이것을 100 ℃ 에서 2 시간 진공 건조시켜, 부극 활물질층의 두께가 16 ㎛ 인 부극을 각각 형성하였다.
상기의 순서로 제작한 부극을 평가극으로서 사용하고, 리튬 이차 전지 (하프 셀) 를 각각 제작하였다. 대극은 금속 리튬박 (두께 500 ㎛) 으로 하였다.
대극을 φ13 ㎜, 평가극을 φ11 ㎜ 로 재단하고, 세퍼레이터 (훼히스트 셀라니즈사 제조 유리 필터 및 Celgard 사 제조 「Celgard2400」) 를 양자 사이에 개재하여 전극체 전지로 하였다. 이 전극체 전지를 전지 케이스 (CR2032 형 코인 전지용 부재, 호센 주식회사 제조) 에 수용하였다. 전지 케이스에는, 에틸렌카보네이트와 디에틸카보네이트를 1:1 (체적비) 로 혼합한 혼합 용매에 LiPF6 을 1 M 의 농도로 용해한 비수 전해액을 주입하고, 전지 케이스를 밀폐하여 각각의 리튬 이차 전지를 얻었다.
＜전지 특성 시험＞
각 실시예 및 각 비교예의 나노 실리콘 재료의 제법의 일부와 특성값을 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00001
각 실시예 및 각 비교예의 리튬 이차 전지에 대하여, 온도 25 ℃, 전류 0.2 mA 의 조건으로 충전했을 때의 초기의 충전 용량을 측정하고, 결과를 표 2 에 나타낸다. 또 전류 0.2 mA 의 조건으로 방전시켰을 때의 방전 용량을 측정하고, 초기 효율 (100 × 방전 용량/충전 용량) 을 산출하고, 결과를 표 2 에 나타낸다.
Figure pct00002
비교예 1 의 실리콘 재료는, 실리콘 결정자가 존재하지 않기 때문에, 각 실시예보다 전지 특성이 낮아졌다고 생각된다.
비교예 2 의 나노 실리콘 재료에서는, 산소 (O) 및 염소 (Cl) 가 존재하는 층이 실리콘 (Si) 층끼리의 사이에 개재하고 있다. 따라서 나노 실리콘 재료의 표면으로부터 리튬 이온이 반응했을 때에, 리튬 이온은 반드시 산소 (O) 및 염소 (Cl) 가 존재하는 층을 경유하여 다음의 실리콘 (Si) 층에 도달한다. 산소 (O) 및 염소 (Cl) 가 존재하는 층은 리튬 이온과 반응할 것이 예상되고, 리튬 이온의 이동 속도가 저하된다. 특히 염소 (Cl) 는 리튬 이온과 강하게 결합되어 염이 되기 때문에, 도전 저항이 증대된다고 생각된다. 그 때문에 비교예 2 는, 각 실시예보다 전지 특성이 낮아졌다고 생각된다.
그에 반해, 각 실시예의 나노 실리콘 재료에서는, 불소 (F) 가 존재하고 있는만큼, 산소 (O) 및 염소 (Cl) 의 농도가 낮아져, 리튬 이온과의 반응이 억제된다. 그리고 도전 저항이 낮아졌기 때문에 리튬 이온의 이동 속도의 저하가 억제되어, 높은 전지 특성을 나타냈다고 생각된다.
또한, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 열처리 온도가 500 ℃ 로 저온이어도 실리콘 결정자가 생성된다. 따라서, 고온에서 열처리하는 경우에 비하여 BET 비표면적의 저하를 억제할 수 있다. 또 산에 HBF4 를 사용함으로써, 열처리 온도가 900 ℃ 로 고온이어도 BET 비표면적의 저하 정도가 적은 것을 알 수 있다. 따라서 각 실시예의 리튬 이온 전지는, 비교예에 비해 초기 효율 및 초기 용량이 향상되어 있다.
산업상 이용가능성
본 발명의 나노 실리콘 재료는, 이차 전지, 전기 이중층 콘덴서, 리튬 이온 캐패시터 등의 축전 장치의 부극 활물질로서 이용할 수 있다. 그리고 비표면적이 크고, 함유되는 산소량이 적은 점에서, 본 발명의 나노 실리콘 재료를 부극 활물질로서 사용한 이차 전지는, 전기 자동차나 하이브리드 자동차의 모터 구동용, PC, 휴대 통신 기기, 가전 제품, 오피스 기기, 산업 기기 등에 이용되는 이차 전지로서 유용하고, 특히, 대용량, 대출력이 필요한 전기 자동차나 하이브리드 자동차의 모터 구동용으로 최적으로 사용할 수 있다.
또 본 발명의 나노 실리콘 재료는, 열처리 온도의 자유도가 높고 비표면적의 크기를 제어하여 다른 재료와 복합화할 수 있는 점에서, 반도체 재료, 예를 들어 CMOS, 반도체 메모리, 태양 전지 재료, 광 촉매 재료 등으로서도 이용할 수 있다.

Claims (17)

  1. 층상 실리콘 화합물을 열처리함으로써 제조되고, 불소와 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유하는 것을 특징으로 하는 나노 실리콘 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 결정자는, X 선 회절 측정 결과의 (111) 면의 회절 피크의 반치폭으로부터 셰러의 식으로 산출되는 결정자 사이즈가 0.5 ㎚ ∼ 300 ㎚ 인, 나노 실리콘 재료.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    라만 스펙트럼에 있어서 라만 시프트의 520 ㎝-1 보다 낮은 파수측에 피크를 갖고, 그 피크의 반치폭이 30 ∼ 100 ㎝-1 의 범위에 있는, 나노 실리콘 재료.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    비정질 실리콘, 산화규소 (SiOx, 0 < x < 2), 또는 규소 화합물의 적어도 1 종을 추가로 함유하는 복합체 입자로 이루어지는, 나노 실리콘 재료.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 실리콘 결정자는, 비정질 실리콘, 산화규소 (SiOx, 0 < x < 2), 또는 규소 화합물의 적어도 1 종의 내부 또는 표면에 존재하는, 나노 실리콘 재료.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수 장의 판상체가 두께 방향으로 적층되어 이루어지고, 상기 판상체는 두께가 1 ㎚ ∼ 200 ㎚ 인, 나노 실리콘 재료.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 판상체끼리가 화학적 또는 물리적으로 결합된 결합부를 갖고, 상기 판상체와 그 결합부로 둘러싸인 중공부를 갖는, 나노 실리콘 재료.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    원소 조성이 원자비로 SiOxClyFz(0 < (x ＋ y ＋ z) ≤ 1, x < 0.5) 의 관계에 있는, 나노 실리콘 재료.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소는 상기 나노 실리콘 재료의 전체에 분산되어 존재하고 있는, 나노 실리콘 재료.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소는 0.01 ∼ 10 질량％ 함유되어 있는, 나노 실리콘 재료.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    BET 비표면적이 3 ㎡/g 이상인, 나노 실리콘 재료.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    함유되는 산소 (O) 량이 20 질량％ 이하인, 나노 실리콘 재료.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 나노 실리콘 재료를 제조하는 방법으로서, 적어도 아니온에 불소를 함유하는 산이 0.01 질량％ 이상 함유된 약액과 CaSi2 를 반응시켜 얻어진 층상 실리콘 화합물을 비산화성 분위기에서 350 ℃ 이상에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 나노 실리콘 재료의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 층상 실리콘 화합물은, 라만 스펙트럼에 있어서 라만 시프트의 330 ± 20 ㎝-1, 360 ± 20 ㎝-1, 498 ± 20 ㎝-1, 638 ± 20 ㎝-1, 734 ± 20 ㎝-1 에 피크가 존재하는, 나노 실리콘 재료의 제조 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 나노 실리콘 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 부극 활물질.
  16. 제 15 항에 기재된 부극 활물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 부극.
  17. 제 16 항에 기재된 부극을 갖는 것을 특징으로 하는 이차 전지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023101330A1 (ko) * 2021-12-01 2023-06-08 주식회사 인포비온 극자외선 노광용 펠리클 및 이의 제조방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102533884B1 (ko) * 2016-04-29 2023-05-18 한국재료연구원 리튬 이차전지용 음극 물질, 그 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지용 음극
CA3100911A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 American Nano, LLC Batteries incorporating silica fibers
CN109950542A (zh) * 2019-04-03 2019-06-28 西安交通大学 一类含硅氧烷基团的接枝共聚物粘合剂及其应用以及基于其的二次电池
CN109994735A (zh) * 2019-04-03 2019-07-09 西安交通大学 一类含硅氧烷基团的聚合物粘合剂及其应用以及基于其的二次电池
KR20220143102A (ko) * 2020-02-17 2022-10-24 와커 헤미 아게 리튬 이온 배터리용 애노드 활물질
CN112786893B (zh) * 2021-02-26 2022-04-22 宁波容百新能源科技股份有限公司 一种纳米氟化锆锂原位包覆高镍三元正极材料、其制备方法及锂离子电池
CN114084890B (zh) * 2021-11-16 2023-12-12 中山大学 一种晶体硅材料及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3865033B2 (ja) 2000-02-04 2007-01-10 信越化学工業株式会社 酸化珪素粉末の連続製造方法及び連続製造装置
JP2009102219A (ja) 2007-10-02 2009-05-14 Hitachi Ltd 光学ガラス
JP2011090806A (ja) 2009-10-20 2011-05-06 Toyota Central R&D Labs Inc リチウム二次電池用電極及びそれを備えたリチウム二次電池

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4392011A (en) 1980-04-30 1983-07-05 Rca Corporation Solar cell structure incorporating a novel single crystal silicon material
US5538675A (en) * 1994-04-14 1996-07-23 The Dow Chemical Company Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite
JPH1012889A (ja) 1996-06-18 1998-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体薄膜および半導体装置
JPH10324505A (ja) * 1996-12-19 1998-12-08 Showa Denko Kk 表面フッ素化粒子状酸化金属、その製造方法及び用途
US6245140B1 (en) 1996-12-19 2001-06-12 Showa Denko K.K. Surface-fluorinated metal oxide particulates, process for manufacturing the same, and use of the same
JP4938960B2 (ja) 2003-11-07 2012-05-23 哲雄 碇 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
US20080050573A1 (en) 2004-07-16 2008-02-28 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Silicon Nanosheet , Nanosheet Solution and Process for Producing the Same, Nanosheet -Containing Composite, and Nanosheet Aggregate
KR100851969B1 (ko) 2007-01-05 2008-08-12 삼성에스디아이 주식회사 음극 활물질, 그 제조 방법 및 이를 채용한 음극과 리튬전지
US8053382B2 (en) 2007-10-02 2011-11-08 Hitachi, Ltd. Optical glass
US20090186267A1 (en) 2008-01-23 2009-07-23 Tiegs Terry N Porous silicon particulates for lithium batteries
JP2011020884A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Toyota Central R&D Labs Inc ハロゲン化層状ポリシラン、その製法及びそれを利用したリチウムイオン二次電池
JP2011037947A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Toyota Central R&D Labs Inc 有機化層状ポリシラン、それを用いた蓄電デバイス用電極及び有機化層状ポリシランの製造方法
JP5617457B2 (ja) * 2010-09-08 2014-11-05 株式会社豊田中央研究所 蓄電デバイス用電極材料、蓄電デバイス用電極、蓄電デバイスおよび蓄電デバイス用電極材料の製造方法
JPWO2012057253A1 (ja) 2010-10-27 2014-05-12 国立大学法人 東京大学 蛍光シリコンナノ粒子及びその製造方法
JP2012169132A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Toyota Central R&D Labs Inc 電極材料、蓄電デバイスおよび蓄電デバイスの使用方法
KR101453967B1 (ko) 2012-02-20 2014-10-29 고려대학교 산학협력단 다중 밴드갭 적층형 태양전지 및 다중 밴드갭 적층형 태양전지 형성 방법
JP5835141B2 (ja) 2012-07-23 2015-12-24 株式会社豊田自動織機 二次電池用負極活物質、その製造方法、二次電池用負極、二次電池、及びＳｉ−酸化物固体電解質複合体
JP5621838B2 (ja) 2012-12-18 2014-11-12 株式会社豊田自動織機 ナノシリコン材料とその製造方法
US9527748B2 (en) 2012-11-21 2016-12-27 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Production process for nanometer-size silicon material
JP6065678B2 (ja) * 2013-03-18 2017-01-25 株式会社豊田自動織機 負極活物質とその製造方法及び蓄電装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3865033B2 (ja) 2000-02-04 2007-01-10 信越化学工業株式会社 酸化珪素粉末の連続製造方法及び連続製造装置
JP2009102219A (ja) 2007-10-02 2009-05-14 Hitachi Ltd 光学ガラス
JP2011090806A (ja) 2009-10-20 2011-05-06 Toyota Central R&D Labs Inc リチウム二次電池用電極及びそれを備えたリチウム二次電池

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Materials Research Bulletin, vol.31, No.3, pp.307-316, 1996
Physical Review B (1993), vol.48, pp.8172-8189

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023101330A1 (ko) * 2021-12-01 2023-06-08 주식회사 인포비온 극자외선 노광용 펠리클 및 이의 제조방법

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