KR20160099554A - 락톤구조함유 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물 - Google Patents

락톤구조함유 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물 Download PDF

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KR20160099554A
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Abstract

[과제] 하지기판이나 전자선으로 인한 악영향을 저감하여, 스트레이트 형상의 양호한 레지스트 패턴을 형성하는 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막을 제공한다.
[해결수단] 락톤환을 갖는 단위구조와 하이드록시기를 갖는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물이다. 폴리머가 락톤(메트)아크릴레이트, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트, 및 페닐(메트)아크릴레이트 또는 벤질(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합하여 얻어지는 폴리머이다. 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 기판 상에 도포하고 가열하여 전자선 레지스트 하층막을 형성하고, 그 위에 전자선 레지스트를 피복하고, 이 전자선 레지스트 하층막과 전자선 레지스트를 피복한 기판에 전자선을 조사하고, 현상하여, 드라이에칭에 의해 기판 상에 화상을 전사해서 집적회로소자를 형성하는 반도체장치의 제조방법이다.

Description

락톤구조함유 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물{COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR ELECTRONIC WIRING RESIST AND CONTAINING LACTONE-STRUCTURE-CONTAINING POLYMER}
본 발명은, 전자선 리소그래피를 이용한 디바이스 제작공정에 이용되고, 전자선으로 인한 악영향을 저감하여, 양호한 레지스트 패턴을 얻기에 유효한 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막 조성물, 그리고 이 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막 조성물을 이용하는 레지스트 패턴형성법에 관한 것이다.
선행기술로서 이하의 것을 들 수 있다.
할로겐원자를 함유하는 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물이 개시되어 있다(특허문헌 1 참조).
탄소와 탄소의 불포화 다중결합을 갖는 폴리머를 포함하는 전자선경화의 레지스트 하층막 형성 조성물이 개시되어 있다(특허문헌 2 참조).
전자선경화의 규소함유 레지스트 하층막 형성 조성물이 개시되어 있다(특허문헌 3 참조).
이온액체를 포함하는 전자선 레지스트 상층용 대전방지막 형성 조성물이 개시되어 있다(특허문헌 4 참조).
락톤구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 UV 리소그래피용 반사방지막 형성 조성물이 개시되어 있다(특허문헌 5 참조).
국제공개 WO2008/105266 팜플렛 일본특허공개 2008-076551 일본특허공개 2008-256966 일본특허공개 2010-020046 국제공개 WO2003/017002 팜플렛
전자선 리소그래피를 이용한 디바이스 제작공정에서는, 하지기판이나 전자선으로 인한 악영향에 의해, 전자선 리소그래피용 레지스트의 패턴이 헤밍(hemming) 형상이나 언더컷 형상이 되어, 스트레이트 형상의 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 없고, 또한 전자선조사량에 대한 마진을 충분히 얻을 수 없는 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 이에 따라, 전자선 리소그래피 공정에서는, 반사방지능을 갖는 레지스트 하층막(반사방지막)은 불필요하나, 이들 악영향을 저감하여, 스트레이트 형상의 양호한 레지스트 패턴을 형성하고, 충분한 전자선조사량에 대한 마진을 얻는 것을 가능하게 하는 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막이 필요하게 된다.
또한, 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막은, 성막 후, 위에 레지스트가 도포되므로, 반사방지막과 마찬가지로, 레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않는 것(레지스트 용제에 불용인 것), 그리고 도포시 또는 가열건조시에 전자선 레지스트 하층막 재료로부터 오버코트 레지스트 중으로의 저분자 확산물이 없는 것이 필수의 특성이다.
나아가, 전자선 리소그래피를 이용하는 세대에서는, 레지스트 패턴폭이 매우 미세해지므로, 전자선 리소그래피용 레지스트는 박막화가 요구된다. 이에 따라, 유기반사방지막의 에칭에 의한 제거공정에 드는 시간을 대폭 감소시킬 필요가 있으며, 박막으로 사용가능한 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막, 혹은 전자선 리소그래피용 레지스트의 에칭속도의 선택비가 큰 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막이 요구된다.
본 발명은, 반도체장치 제조의 전자선 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것이다. 또한 본 발명은, 하지기판이나 전자선으로 인한 악영향을 저감하여, 스트레이트 형상의 양호한 레지스트 패턴을 형성하고, 충분한 전자선조사량에 대한 마진을 얻는 것을 가능하게 하며, 레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않고, 레지스트에 비해 큰 드라이에칭속도를 갖는 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막을 제공하는 것에 있다. 나아가, 본 발명은 이 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용한 전자선 리소그래피용 레지스트의 패턴의 형성법을 제공하는 것에 있다.
본원 발명은 제1 관점으로서, 락톤환을 갖는 단위구조와 하이드록시기를 갖는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제2 관점으로서, 폴리머가 추가로 아릴기 또는 아릴알킬기를 갖는 단위구조를 포함하는 폴리머인, 제1 관점에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제3 관점으로서, 폴리머가 락톤(메트)아크릴레이트 및 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머혼합물을 공중합하여 얻어지는 폴리머인, 제1 관점 또는 제2 관점에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제4 관점으로서, 폴리머가 락톤(메트)아크릴레이트, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트, 및 페닐(메트)아크릴레이트 또는 벤질(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합하여 얻어지는 폴리머인, 제1 관점 또는 제2 관점에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제5 관점으로서, 폴리머가 식(1-1)의 단위구조와 식(1-2)의 단위구조를 포함하는 식(1)의 폴리머, 또는 식(2-1)의 단위구조와 식(2-2)의 단위구조와 식(2-3)의 단위구조를 포함하는 식(2)의 폴리머:
[화학식 1]
Figure pct00001
〔식 중, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, L2 및 L4는 각각 탄소원자수 1~10의 하이드록시알킬기를 나타내고, L5는 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, L1 및 L3은 각각 식(L1-1)또는 식(L1-2):
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 중, 점선은 식(1-1) 및 식(2-1)로 표시되는 에스테르기의 화학결합을 나타낸다.)를 나타낸다.〕인, 제1 관점 또는 제2 관점에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제6 관점으로서, 추가로 다핵페놀을 함유하는, 제1 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제7 관점으로서, 다핵페놀이, 식(b-1):
[화학식 3]
Figure pct00003
(식(b-1) 중, R11은 각각 벤젠환의 수소원자의 치환기로서, 하이드록시기, 할로겐기, 탄소원자수 1~10의 알킬기, 탄소원자수 6~18의 아릴기, 탄소원자수 7~25의 아릴알킬기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐옥시기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐아미노기, 탄소원자수 7~10의 아릴옥시알킬기, 탄소원자수 1~6의 알콕시기 또는 이들의 조합으로 이루어진 유기기를 나타내고, R12는 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2~4가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2~4가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m1은 1~5의 정수이며, n1은 0≤n1≤5-m1을 만족시키는 정수이며, q는 2~4의 정수이다.), 식(b-2):
[화학식 4]
Figure pct00004
(식(b-2) 중, R13 및 R14는 각각 식(b-1) 중의 R11과 동일하며, R15는 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2~6가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2~6가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m2 및 m3은 각각 1~5의 정수이며, n2 및 n3은 0≤n2≤5-m2 및 0≤n3≤5-m3을 만족시키는 정수이며, k 및 s는 각각 1~3의 정수이다.), 식(b-3):
[화학식 5]
Figure pct00005
(식(b-3) 중, R16, R17 및 R18은 각각 식(b-1) 중의 R11과 동일하며, R19 및 R20은 각각 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m5는 1~4의 정수이며, m4 및 m6은 각각 1~5의 정수이며, n5는 0≤n5≤4-m5, n4 및 n6은 0≤n4≤5-m4 및 0≤n6≤5-m6을 만족시키는 정수이며, t는 1~4의 정수이다.)로 표시되는 각 화합물, 또는 이들의 조합인, 제1 관점 내지 제6 관점 중 어느 하나에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제8 관점으로서, 추가로 가교성 화합물을 함유하는, 제1 관점 내지 제7 관점 중 어느 하나에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제9 관점으로서, 추가로 산화합물을 함유하는, 제1 관점 내지 제8 관점 중 어느 하나에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물,
제10 관점으로서, 제1 관점 내지 제9 관점 중 어느 하나에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 기판 상에 도포하고, 가열함으로써 얻어지는 반도체장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용되는, 전자선 레지스트 하층막의 형성방법, 및
제11 관점으로서, 제1 관점 내지 제9 관점 중 어느 하나에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 기판 상에 도포하고 가열하여 전자선 레지스트 하층막을 형성하고, 그 위에 전자선 레지스트를 피복하고, 이 전자선 레지스트 하층막과 전자선 레지스트를 피복한 기판에 전자선을 조사하고, 현상하여, 드라이에칭에 의해 기판 상에 화상을 전사해서 집적회로소자를 형성하는, 반도체장치의 제조방법이다.
본 발명의 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 얻어진 레지스트 하층막은, 하지기판이나 전자선으로 인한 악영향을 저감함으로써, 스트레이트 형상의 양호한 레지스트 패턴을 형성하고, 충분한 전자선조사량에 대한 마진을 얻을 수 있다. 또한, 본 레지스트 하층막은, 상층에 형성되는 레지스트막에 비해 큰 드라이에칭속도를 갖고, 드라이에칭공정에 의해 가공대상인 하지기판에 용이하게 레지스트 패턴을 전사할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용하여 형성한 하층막은, 레지스트막이나 하지막과의 밀착성도 우수한 것이다.
본 발명의 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막은, 포토리소그래피 프로세스에 있어서 사용되는 레지스트 하층막(반사방지막)이 기판으로부터 발생하는 반사광을 방지하기 위한 것과는 대조적으로, 반사광을 방지하는 효과를 필요로 하지 않고, 전자선 리소그래피용 레지스트막의 아래에 형성함으로써 전자선조사시에 선명한 레지스트 패턴의 형성을 가능하게 하는 것이다.
도 1은 실시예 1에서 얻어진 라인앤드스페이스가 50nm인 레지스트 패턴의 전자현미경 사진. 배율은 150000배.
도 2는 실시예 1에서 얻어진 라인앤드스페이스가 40nm인 레지스트 패턴의 전자현미경 사진. 배율은 150000배.
도 3 은 실시예 1에서 얻어진 라인앤드스페이스가 30nm인 레지스트 패턴의 전자현미경 사진. 배율은 150000배.
본 발명은 락톤환을 갖는 단위구조와 하이드록시기를 갖는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물은, 기본적으로 상기 폴리머 및 용제로 이루어지고, 다핵페놀, 가교성 화합물, 가교촉매로서 산화합물, 추가로 계면활성제를 함유할 수 있다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물의 고형분은, 0.01~50질량%, 0.1~20질량%, 또는 0.1~10질량%이다. 고형분이란 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 용제성분을 제거한 것이다.
락톤환을 갖는 구조로는, 오원환구조를 취하는 γ(감마)-부티로락톤환을 갖는 단위구조, 육원환구조를 취하는 δ(델타)-발레로락톤환을 갖는 단위구조를 들 수 있다.
하이드록시기를 갖는 단위구조로는, 하이드록시알킬기를 바람직하게 들 수 있다. 알킬기로는, 직쇄 또는 분지를 갖는 탄소원자수 1~10의 알킬기를 들 수 있다. 예를 들어, 메틸, 에틸, n-프로필, n-부틸과 같은 직쇄알킬기, i-프로필, i-부틸, 2-에틸헥실과 같은 분지알킬기, 시클로펜틸, 시클로헥실과 같은 지환식 알킬기를 들 수 있다. 하이드록시알킬기로는, 예를 들어 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기, 하이드록시-n-프로필기, 하이드록시-n-부틸기, 하이드록시이소프로필기, 하이드록시이소부틸기, 하이드록시-2-에틸헥실기, 하이드록시시클로펜틸기, 하이드록시시클로헥실기를 들 수 있다.
본 발명에서는, 폴리머가 추가로 아릴기 또는 아릴알킬기를 갖는 단위구조를 포함하는 폴리머로 할 수 있다. 아릴기로는, 탄소원자수 6~40의 방향족기이며, 예를 들어 페닐기, 나프틸기, 안트릴기를 들 수 있고, 또한, 피리딜, 퀴놀리닐, 퀴녹살리닐기 등의 헤테로환식 방향족기도 들 수 있다. 아릴알킬기로는, 상기 아릴기와 상기 알킬기가 연결된 유기기이며, 예를 들어 벤질기, 에틸페닐기 등을 들 수 있다.
본 발명에서 이용되는 폴리머는, 락톤(메트)아크릴레이트 및 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합하여 얻어지는 폴리머를 이용할 수 있다.
또한, 폴리머가 락톤(메트)아크릴레이트, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트, 및 페닐(메트)아크릴레이트 또는 벤질(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합하여 얻어지는 폴리머를 이용할 수 있다. 여기서 이용되는 락톤구조, 하이드록시알킬구조는 상기의 구조를 들 수 있다.
이들 공중합체는, 예를 들어 식(1-1)의 단위구조와 식(1-2)의 단위구조를 포함하는 식(1)의 폴리머나, 식(2-1)의 단위구조와 식(2-2)의 단위구조와 식(2-3)의 단위구조를 포함하는 식(2)의 폴리머를 들 수 있다.
식(1) 및 식(2) 중, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, L2 및 L4는 각각 탄소원자수 1~10의 하이드록시알킬기를 나타내고, L5는 페닐기 또는 벤질기를 나타낸다. 하이드록시알킬기는 상기의 예시를 들 수 있다.
L1 및 L3은 각각 식(L1-1) 또는 식(L1-2)를 나타낸다. 식(L1-1) 및 식(L1-2) 중, 점선은 식(1-1) 및 식(2-1)로 표시되는 에스테르기의 화학결합을 나타낸다.
상기 수지의 분자량은, 사용하는 도포용제, 용액점도, 막형상 등에 따라 변동되나, 중량평균 분자량으로서 1000~1000000, 바람직하게는 1000~200000, 더욱 바람직하게는 1000~100000이다.
상기 수지에 이용되는 γ-락톤은 오원환구조를 갖는 락톤이며, 예를 들어 γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 치환, 비치환된 γ-락톤을 들 수 있다. 또한 δ-락톤은 육원환구조를 갖는 락톤이며, 예를 들어 δ-발레로락톤, δ-카프로락톤 등의 치환, 비치환된 δ-락톤을 들 수 있다.
식(1) 및 식(2)의 폴리머에 이용되는 식(1-1)의 단위구조 및 식(2-1)의 단위구조는, 예를 들어 아크릴산, 할로겐화아크릴산, 메타크릴산 등의 아크릴계 모노머와, α-브로모-γ-부티로락톤, α-브로모-δ-발레로락톤 등의 락톤을 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 아크릴산, 할로겐화아크릴산, 메타크릴산 등의 아크릴계 폴리머와, α-브로모-γ-부티로락톤, α-브로모-δ-발레로락톤 등의 락톤을 반응시킴으로써 제조할 수 있다.
본원 발명에서 이용되는 식(2)의 폴리머는, γ-부티로락톤메타크릴레이트와 하이드록시에틸메타크릴레이트와 벤질메타크릴레이트의 공중합체를 들 수 있다.
식(1)의 폴리머는, 식(1-1)의 단위구조와 식(1-2)의 단위구조를, 식(1)의 폴리머 중에 포함되는 전체 단위구조 중에서 5~45:25~60의 몰%의 비율로 함유할 수 있다.
식(2)의 폴리머는, 식(2-1)의 단위구조와 식(2-2)의 단위구조와 식(2-3)의 단위구조를, 식(2)의 폴리머 중에 포함되는 전체 단위구조 중에서 5~45:25~60:10~45의 몰%의 비율로 함유할 수 있다.
식(1) 또는 식(2)의 폴리머는, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물 중의 고형분 중에서 20질량% 이상, 예를 들어 20~100질량%, 30~100질량%, 50~99질량%, 60~98질량%, 또는 80~98질량%이다.
식(1) 및 식(2)의 폴리머는, 랜덤공중합체, 블록공중합체 혹은 그래프트공중합체 중 어느 하나일 수도 있다. 본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물에 포함되는 폴리머는, 라디칼중합, 음이온중합, 양이온중합 등의 방법에 의해 합성할 수 있다. 그 형태는 용액중합, 현탁중합, 유화중합, 괴상중합 등의 다양한 방법이 가능하다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물에 사용되는 폴리머는, 추가로 비가교성의 모노머를 공중합시키는 것도 가능하며, 이에 따라 드라이에칭속도, 반사율 등의 미조정(微調整)을 행할 수 있다. 이러한 공중합 모노머로는 이하의 것을 들 수 있다. 예를 들어, 아크릴산에스테르류, 아크릴아미드류, 메타크릴산에스테르류, 메타크릴아미드류, 알릴화합물, 비닐에테르류, 비닐에스테르류, 스티렌류, 크로톤산에스테르류 등으로부터 선택되는 부가중합성 불포화결합을 1개 갖는 화합물이다.
아크릴산에스테르류로는, 예를 들어 알킬기의 탄소원자수가 1~10인 알킬아크릴레이트를 들 수 있다.
메타크릴산에스테르류로는, 예를 들어 알킬기의 탄소원자수가 1~10인 알킬메타크릴레이트를 들 수 있다.
아크릴아미드류로는, 예를 들어 아크릴아미드, N-알킬아크릴아미드, N-아릴아크릴아미드, N,N-디알킬아크릴아미드, N,N-디아릴아크릴아미드, N-메틸-N-페닐아크릴아미드, N-2-아세트아미드에틸-N-아세틸아크릴아미드 등을 들 수 있다.
메타크릴아미드류로는, 예를 들어 메타크릴아미드, N-알킬메타크릴아미드, N-아릴메타크릴아미드, N,N-디알킬메타크릴아미드, N,N-디아릴메타크릴아미드, N-메틸-N-페닐메타크릴아미드, N-에틸-N-페닐메타크릴아미드 등을 들 수 있다.
비닐에테르류로는, 예를 들어 알킬비닐에테르, 비닐아릴에테르를 들 수 있다.
비닐에스테르류로는, 예를 들어 비닐부틸레이트, 비닐이소부틸레이트, 비닐트리메틸아세테이트를 들 수 있다.
스티렌류로는, 예를 들어 스티렌, 알킬스티렌, 알콕시스티렌, 할로겐화스티렌, 카르복시스티렌을 들 수 있다.
크로톤산에스테르류로는, 예를 들어 크로톤산부틸, 크로톤산헥실, 글리세린모노크로토네이트 등의 크로톤산알킬을 들 수 있다.
또한, 이타콘산디알킬류, 말레산 혹은 푸말산의 디알킬에스테르류 또는 모노알킬에스테르류, 크로톤산, 이타콘산, 무수말레산, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 말레일로니트릴 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물은, 다핵페놀을 함유할 수 있다. 첨가량은, 사용하는 도포용제, 사용하는 하지기판, 요구되는 용액점도, 요구되는 막형상 등에 따라 변동되는데, 고형분에 대하여, 0.001~40질량%, 0.01~30질량%, 0.1~25질량%, 또는 0.1~10질량%이다. 이들 다핵페놀은 자기축합에 의한 가교반응을 일으키는 경우도 있으나, 식(1) 또는 식(2)의 폴리머 중의 가교성 관능기(예를 들어, 하이드록시기)에, 다핵페놀이 가교반응을 일으킬 수 있다.
본 발명에 이용되는 다핵페놀은, 분자 내에 2 내지 30개의 페놀성 하이드록시기를 갖는 화합물이다. 또한 다핵페놀은, 분자 내에 2 내지 10개의 페놀기를 갖는 화합물이다. 본 발명에 이용되는 다핵페놀이란, 페놀기를 갖고 그 페놀기에는 적어도 1개의 페놀성 하이드록시기를 갖고 있다. 본 발명에 이용되는 다핵페놀은, 페놀기를 갖는 부분으로 구성되는 것도, 페놀기를 갖는 부분과 페놀기 이외의 부분의 조합으로 구성되는 것도 가능하다.
다핵페놀은 식(b-1), (b-2), (b-3), 또는 이들 조합이 이용된다.
식(b-1) 중, R11은 각각 벤젠환의 수소원자의 치환기로서, 하이드록시기, 할로겐기, 탄소원자수 1~10의 알킬기, 탄소원자수 6~18의 아릴기, 탄소원자수 7~25의 아릴알킬기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐옥시기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐아미노기, 탄소원자수 7~10의 아릴옥시알킬기, 탄소원자수 1~6의 알콕시기 또는 이들의 조합으로 이루어진 유기기를 나타내고, R12는 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2~4가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2~4가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m1은 1~5의 정수이며, n1은 0≤n1≤5-m1을 만족시키는 정수이며, q는 2~4의 정수이다.
할로겐원자로는 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 및 요오드원자를 들 수 있고, 할로겐기로는 불소기, 염소기, 브롬기, 및 요오드기를 들 수 있다.
알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 시클로부틸기, 1-메틸-시클로프로필기, 2-메틸-시클로프로필기, n-펜틸기, 1-메틸-n-부틸기, 2-메틸-n-부틸기, 3-메틸-n-부틸기, 1,1-디메틸-n-프로필기, 1,2-디메틸-n-프로필기, 2,2-디메틸-n-프로필기, 1-에틸-n-프로필기, 시클로펜틸기, 1-메틸-시클로부틸기, 2-메틸-시클로부틸기, 3-메틸-시클로부틸기, 1,2-디메틸-시클로프로필기, 2,3-디메틸-시클로프로필기, 1-에틸-시클로프로필기, 2-에틸-시클로프로필기, n-헥실기, 1-메틸-n-펜틸기, 2-메틸-n-펜틸기, 3-메틸-n-펜틸기, 4-메틸-n-펜틸기, 1,1-디메틸-n-부틸기, 1,2-디메틸-n-부틸기, 1,3-디메틸-n-부틸기, 2,2-디메틸-n-부틸기, 2,3-디메틸-n-부틸기, 3,3-디메틸-n-부틸기, 1-에틸-n-부틸기, 2-에틸-n-부틸기, 1,1,2-트리메틸-n-프로필기, 1,2,2-트리메틸-n-프로필기, 1-에틸-1-메틸-n-프로필기, 1-에틸-2-메틸-n-프로필기, 시클로헥실기, 1-메틸-시클로펜틸기, 2-메틸-시클로펜틸기, 3-메틸-시클로펜틸기, 1-에틸-시클로부틸기, 2-에틸-시클로부틸기, 3-에틸-시클로부틸기, 1,2-디메틸-시클로부틸기, 1,3-디메틸-시클로부틸기, 2,2-디메틸-시클로부틸기, 2,3-디메틸-시클로부틸기, 2,4-디메틸-시클로부틸기, 3,3-디메틸-시클로부틸기, 1-n-프로필-시클로프로필기, 2-n-프로필-시클로프로필기, 1-i-프로필-시클로프로필기, 2-i-프로필-시클로프로필기, 1,2,2-트리메틸-시클로프로필기, 1,2,3-트리메틸-시클로프로필기, 2,2,3-트리메틸-시클로프로필기, 1-에틸-2-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-1-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-2-메틸-시클로프로필기, 및 2-에틸-3-메틸-시클로프로필기 등을 들 수 있다. 특히 메틸기, 에틸기 등의 직쇄알킬기나, 시클로헥실기 등이 바람직하다.
상기 R12, R15, R19, R20에 이용되는 탄화수소기는, 상기 알킬기가 2가, 2~4가, 또는 2~6가의 가수를 가진 유기기이다.
아릴기로는, 페닐기, o-메틸페닐기, m-메틸페닐기, p-메틸페닐기, o-클로르페닐기, m-클로르페닐기, p-클로르페닐기, o-플루오로페닐기, p-플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, p-니트로페닐기, p-시아노페닐기, α-나프틸기, β-나프틸기, o-비페닐릴기, m-비페닐릴기, p-비페닐릴기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 및 9-페난트릴기를 들 수 있다.
아릴알킬기로는, 벤질기, o-메틸벤질기, m-메틸벤질기, p-메틸벤질기, o-클로르벤질기, m-클로르벤질기, p-클로르벤질기, o-플루오로벤질기, p-플루오로벤질기, o-메톡시벤질기, p-메톡시벤질기, p-니트로벤질기, p-시아노벤질기, 페네틸기, o-메틸페네틸기, m-메틸페네틸기, p-메틸페네틸기, o-클로르페네틸기, m-클로르페네틸기, p-클로르페네틸기, o-플루오로페네틸기, p-플루오로페네틸기, o-메톡시페네틸기, p-메톡시페네틸기, p-니트로페네틸기, p-시아노페네틸기, 3-페닐프로필기, 4-페닐부틸기, 5-페닐펜틸기, 6-페닐헥실기, α-나프틸메틸기, β-나프틸메틸기, o-비페닐릴메틸기, m-비페닐릴메틸기, p-비페닐릴메틸기, 1-안트릴메틸기, 2-안트릴메틸기, 9-안트릴메틸기, 1-페난트릴메틸기, 2-페난트릴메틸기, 3-페난트릴메틸기, 4-페난트릴메틸기, 9-페난트릴메틸기, α-나프틸에틸기, β-나프틸에틸기, o-비페닐릴에틸기, m-비페닐릴에틸기, p-비페닐릴에틸기, 1-안트릴에틸기, 2-안트릴에틸기, 9-안트릴에틸기, 1-페난트릴에틸기, 2-페난트릴에틸기, 3-페난트릴에틸기, 4-페난트릴에틸기, 및 9-페난트릴에틸기를 들 수 있다.
상기 R12, R15, R19, R20에 이용되는 아릴알킬기는, 상기 아릴알킬기가 2가, 2~4가, 또는 2~6가의 가수를 가진 유기기이다.
알킬카르보닐기로는, 메틸카르보닐기, 에틸카르보닐기, n-프로필카르보닐기, i-프로필카르보닐기, 시클로프로필카르보닐기, n-부틸카르보닐기, i-부틸카르보닐기, s-부틸카르보닐기, t-부틸카르보닐기, 시클로부틸카르보닐기, 1-메틸-시클로프로필카르보닐기, 2-메틸-시클로프로필카르보닐기, n-펜틸카르보닐기, 1-메틸-n-부틸카르보닐기, 2-메틸-n-부틸카르보닐기, 3-메틸-n-부틸카르보닐기, 1,1-디메틸-n-프로필카르보닐기, 1,2-디메틸-n-프로필카르보닐기, 2,2-디메틸-n-프로필카르보닐기, 1-에틸-n-프로필카르보닐기, 시클로펜틸카르보닐기, 1-메틸-시클로부틸카르보닐기, 2-메틸-시클로부틸카르보닐기, 3-메틸-시클로부틸카르보닐기, 1,2-디메틸-시클로프로필카르보닐기, 2,3-디메틸-시클로프로필카르보닐기, 1-에틸-시클로프로필카르보닐기, 2-에틸-시클로프로필카르보닐기, n-헥실카르보닐기, 1-메틸-n-펜틸카르보닐기, 2-메틸-n-펜틸카르보닐기, 3-메틸-n-펜틸카르보닐기, 4-메틸-n-펜틸카르보닐기, 1,1-디메틸-n-부틸카르보닐기, 1,2-디메틸-n-부틸카르보닐기, 1,3-디메틸-n-부틸카르보닐기, 2,2-디메틸-n-부틸카르보닐기, 2,3-디메틸-n-부틸카르보닐기, 3,3-디메틸-n-부틸카르보닐기, 1-에틸-n-부틸카르보닐기, 2-에틸-n-부틸카르보닐기, 1,1,2-트리메틸-n-프로필카르보닐기, 1,2,2-트리메틸-n-프로필카르보닐기, 1-에틸-1-메틸-n-프로필카르보닐기, 1-에틸-2-메틸-n-프로필카르보닐기, 시클로헥실카르보닐기, 1-메틸-시클로펜틸카르보닐기, 2-메틸-시클로펜틸카르보닐기, 3-메틸-시클로펜틸카르보닐기, 1-에틸-시클로부틸카르보닐기, 2-에틸-시클로부틸카르보닐기, 3-에틸-시클로부틸카르보닐기, 1,2-디메틸-시클로부틸카르보닐기, 1,3-디메틸-시클로부틸카르보닐기, 2,2-디메틸-시클로부틸카르보닐기, 2,3-디메틸-시클로부틸카르보닐기, 2,4-디메틸-시클로부틸카르보닐기, 3,3-디메틸-시클로부틸카르보닐기, 1-n-프로필-시클로프로필카르보닐기, 2-n-프로필-시클로프로필카르보닐기, 1-i-프로필-시클로프로필카르보닐기, 2-i-프로필-시클로프로필카르보닐기, 1,2,2-트리메틸-시클로프로필카르보닐기, 1,2,3-트리메틸-시클로프로필카르보닐기, 2,2,3-트리메틸-시클로프로필카르보닐기, 1-에틸-2-메틸-시클로프로필카르보닐기, 2-에틸-1-메틸-시클로프로필카르보닐기, 2-에틸-2-메틸-시클로프로필카르보닐기, 및 2-에틸-3-메틸-시클로프로필카르보닐기 등을 들 수 있다.
알킬카르보닐옥시기로는, 메틸카르보닐옥시기, 에틸카르보닐옥시기, n-프로필카르보닐옥시기, i-프로필카르보닐옥시기, 시클로프로필카르보닐옥시기, n-부틸카르보닐옥시기, i-부틸카르보닐옥시기, s-부틸카르보닐옥시기, t-부틸카르보닐옥시기, 시클로부틸카르보닐옥시기, 1-메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 2-메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, n-펜틸카르보닐옥시기, 1-메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 2-메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 3-메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 1,1-디메틸-n-프로필카르보닐옥시기, 1,2-디메틸-n-프로필카르보닐옥시기, 2,2-디메틸-n-프로필카르보닐옥시기, 1-에틸-n-프로필카르보닐옥시기, 시클로펜틸카르보닐옥시기, 1-메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 2-메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 3-메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 1,2-디메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 2,3-디메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 1-에틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 2-에틸-시클로프로필카르보닐옥시기, n-헥실카르보닐옥시기, 1-메틸-n-펜틸카르보닐옥시기, 2-메틸-n-펜틸카르보닐옥시기, 3-메틸-n-펜틸카르보닐옥시기, 4-메틸-n-펜틸카르보닐옥시기, 1,1-디메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 1,2-디메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 1,3-디메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 2,2-디메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 2,3-디메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 3,3-디메틸-n-부틸카르보닐옥시기, 1-에틸-n-부틸카르보닐옥시기, 2-에틸-n-부틸카르보닐옥시기, 1,1,2-트리메틸-n-프로필카르보닐옥시기, 1,2,2-트리메틸-n-프로필카르보닐옥시기, 1-에틸-1-메틸-n-프로필카르보닐옥시기, 1-에틸-2-메틸-n-프로필카르보닐옥시기, 시클로헥실카르보닐옥시기, 1-메틸-시클로펜틸카르보닐옥시기, 2-메틸-시클로펜틸카르보닐옥시기, 3-메틸-시클로펜틸카르보닐옥시기, 1-에틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 2-에틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 3-에틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 1,2-디메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 1,3-디메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 2,2-디메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 2,3-디메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 2,4-디메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 3,3-디메틸-시클로부틸카르보닐옥시기, 1-n-프로필-시클로프로필카르보닐옥시기, 2-n-프로필-시클로프로필카르보닐옥시기, 1-i-프로필-시클로프로필카르보닐옥시기, 2-i-프로필-시클로프로필카르보닐옥시기, 1,2,2-트리메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 1,2,3-트리메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 2,2,3-트리메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 1-에틸-2-메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 2-에틸-1-메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 2-에틸-2-메틸-시클로프로필카르보닐옥시기, 및 2-에틸-3-메틸-시클로프로필카르보닐옥시기 등을 들 수 있다.
알킬카르보닐아미노기로는, 메틸카르보닐아미노기, 에틸카르보닐아미노기, n-프로필카르보닐아미노기, i-프로필카르보닐아미노기, 시클로프로필카르보닐아미노기, n-부틸카르보닐아미노기, i-부틸카르보닐아미노기, s-부틸카르보닐아미노기, t-부틸카르보닐아미노기, 시클로부틸카르보닐아미노기, 1-메틸-시클로프로필카르보닐아미노기, 2-메틸-시클로프로필카르보닐아미노기, n-펜틸카르보닐아미노기, 1-메틸-n-부틸카르보닐아미노기, 2-메틸-n-부틸카르보닐아미노기, 3-메틸-n-부틸카르보닐아미노기, 1,1-디메틸-n-프로필카르보닐아미노기, 및 1,2-디메틸-n-프로필카르보닐아미노기 등을 들 수 있다.
아릴옥시알킬기로는, 페닐옥시메틸기, o-메틸페닐옥시에틸기, m-메틸페닐옥시메틸기, p-메틸페닐옥시프로필기, o-클로르페닐옥시메틸기, m-클로르페닐옥시에틸기, p-클로르페닐옥시이소프로필기, o-플루오로페닐옥시에틸기, p-플루오로페닐옥시부톡시기, o-메톡시페닐옥시-n-펜틸기, p-메톡시페닐옥시-t-부틸기, p-니트로페닐옥시메틸기, p-시아노페닐옥시-s-부틸기, α-나프틸옥시메틸기, β-나프틸옥시에틸기, o-비페닐릴옥시메틸기, m-비페닐릴옥시메틸기, p-비페닐릴옥시메틸기, 1-안트릴옥시메틸기, 2-안트릴옥시메틸기, 9-안트릴옥시메틸기, 1-페난트릴옥시메틸기, 2-페난트릴옥시메틸기, 3-페난트릴옥시메틸기, 4-페난트릴옥시메틸기, 및 9-페난트릴옥시메틸기를 들 수 있다.
알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, i-부톡시기, s-부톡시기, t-부톡시기, n-펜톡시기, 1-메틸-n-부톡시기, 2-메틸-n-부톡시기, 3-메틸-n-부톡시기, 1,1-디메틸-n-프로폭시기, 1,2-디메틸-n-프로폭시기, 2,2-디메틸-n-프로폭시기, 1-에틸-n-프로폭시기, n-헥실옥시기, 1-메틸-n-펜틸옥시기, 2-메틸-n-펜틸옥시기, 3-메틸-n-펜틸옥시기, 4-메틸-n-펜틸옥시기, 1,1-디메틸-n-부톡시기, 1,2-디메틸-n-부톡시기, 1,3-디메틸-n-부톡시기, 2,2-디메틸-n-부톡시기, 2,3-디메틸-n-부톡시기, 3,3-디메틸-n-부톡시기, 1-에틸-n-부톡시기, 2-에틸-n-부톡시기, 1,1,2-트리메틸-n-프로폭시기, 1,2,2-트리메틸-n-프로폭시기, 1-에틸-1-메틸-n-프로폭시기, 및 1-에틸-2-메틸-n-프로폭시기 등을 들 수 있다.
식(b-1)의 화합물로는 이하에 예시된다.
[화학식 6]
Figure pct00006
[화학식 7]
Figure pct00007

식(b-2) 중, R13 및 R14는 각각 식(b-1) 중의 R11과 동일하며, R15는 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2~6가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2~6가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m2 및 m3은 각각 1~5의 정수이며, n2 및 n3은 0≤n2≤5-m2 및 0≤n3≤5-m3을 만족시키는 정수이며, k 및 s는 각각 1~3의 정수이다.
식(b-2)의 화합물로는 이하에 예시된다.
[화학식 8]
Figure pct00008
[화학식 9]
Figure pct00009

식(b-3) 중, R16, R17 및 R18은 각각 식(b-1) 중의 R11과 동일하며, R19 및 R20은 각각 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m5는 1~4의 정수이며, m4 및 m6은 각각 1~5의 정수이며, n5는 0≤n5≤4-m5를 만족시키는 정수이며, n4 및 n6은 0≤n4≤5-m4 및 0≤n6≤5-m6의 정수이며, t는 1~4의 정수이다.
식(b-3)의 화합물로는 이하에 예시된다.
[화학식 10]
Figure pct00010

또한, 다핵페놀로는 이하의 환상 화합물도 사용할 수 있다.
[화학식 11]
Figure pct00011

본원 발명에 이용되는 다핵페놀은, 식(b-2)가 바람직하고, 예를 들어 식(b-2-11)로 표시되는 비스페놀S를 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물은, 오버코트하는 전자선 레지스트와의 인터믹싱을 방지하는 의미로, 도포 후 가열에 의해 가교시키는 것이 바람직하고, 본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물은 추가로 가교제 성분을 포함할 수 있다. 그 가교제로는, 메틸올기, 메톡시메틸기와 같은 가교형성 치환기를 갖는 멜라민계 화합물, 치환요소계 화합물, 에폭시기를 갖는 고분자 화합물 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 적어도 2개의 가교형성치환기를 갖는 가교제이며, 메톡시메틸화글리콜우릴 또는 메톡시메틸화멜라민 등의 화합물이며, 특히 바람직하게는, 테트라메톡시메틸글리콜우릴 또는 헥사메톡시메틸올멜라민이다. 가교제의 첨가량은, 사용하는 도포용제, 사용하는 하지기판, 요구되는 용액점도, 요구되는 막형상 등에 따라 변동되는데, 고형분에 대하여, 0.001~40질량%, 0.01~30질량%, 0.1~25질량%, 또는 1~10질량%이다. 이들 가교제는, 자기축합에 의한 가교반응을 일으키는 경우도 있으나, 상기 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 사용하는 폴리머 중에 가교형성치환기가 존재하는 경우는, 이들 가교형성치환기와 가교반응을 일으킬 수 있다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물은, 가교반응을 촉진하기 위한 촉매로서, 산화합물을 첨가할 수 있다. 산화합물로는, p-톨루엔설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 피리디늄p-톨루엔설폰산, 살리실산, 설포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산 등의 산성 화합물, 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트 등의 열산발생제를 배합할 수 있다. 산화합물의 배합량은 고형분당, 0.02~10질량%, 바람직하게는 0.04~5질량%이다.
본 발명의 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물은, 리소그래피 공정에서 상층에 피복되는 레지스트와의 산성도를 일치시키기 위하여, 전자선조사에 의해 산을 발생시키는 산발생제를 첨가할 수 있다. 바람직한 산발생제로는, 예를 들어 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트 등의 오늄염계 산발생제류, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐함유화합물계 산발생제류, 벤조인토실레이트, N-하이드록시석신이미드트리플루오로메탄설포네이트 등의 설폰산계 산발생제류 등을 들 수 있다. 상기 산발생제의 첨가량은 고형분당 0.02~3질량%, 바람직하게는 0.04~2질량%이다.
상기 폴리머 등을 용해시켜 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 작성하기 위한 용제로는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 유산에틸, 유산부틸, 등을 이용할 수 있다. 이들 유기용제는 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용된다.
나아가, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 고비점용제를 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 용제 중에서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 유산에틸, 유산부틸, 및 시클로헥사논이 레벨링성의 향상에 대하여 바람직하다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물에는, 상기 이외에 필요에 따라 추가적인 레올로지 조정제, 접착보조제, 계면활성제 등을 첨가할 수 있다.
레올로지 조정제는, 주로 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물의 유동성을 향상시키고, 특히 가열(베이크)공정에 있어서, 기판의 홀 내부로의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물의 충전성을 높이기 위하여 첨가된다. 구체예로는, 디메틸프탈레이트, 디에틸프탈레이트, 디이소부틸프탈레이트, 디헥실프탈레이트, 부틸이소데실프탈레이트 등의 프탈산유도체, 디-n-부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디이소옥틸아디페이트, 옥틸데실아디페이트 등의 아디프산유도체, 디-n-부틸말레이트, 디에틸말레이트, 디노닐말레이트 등의 말레산유도체, 메틸올레이트, 부틸올레이트, 테트라하이드로푸르푸릴올레이트 등의 올레산유도체, 또는 n-부틸스테아레이트, 글리세릴스테아레이트 등의 스테아르산유도체를 들 수 있다. 이들 레올로지 조정제는, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체 조성물에 대하여 통상 30질량% 미만의 비율로 배합된다.
접착보조제는, 주로 기판 혹은 전자선 레지스트와 전자선 레지스트 하층막의 밀착성을 향상시키고, 특히 현상에 있어서 레지스트가 박리되지 않도록 첨가된다. 구체예로는, 트리메틸클로로실란, 디메틸비닐클로로실란, 메틸디페닐클로로실란, 클로로메틸디메틸클로로실란 등의 클로로실란류, 트리메틸메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 디메틸비닐에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 알콕시실란류, 헥사메틸디실라잔, N,N'-비스(트리메틸실릴)우레아, 디메틸트리메틸실릴아민, 트리메틸실릴이미다졸 등의 실라잔류, 비닐트리클로로실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란류, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 인다졸, 이미다졸, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 우라졸, 티오우라실, 메르캅토이미다졸, 메르캅토피리미딘 등의 복소환식 화합물, 1,1-디메틸우레아, 1,3-디메틸우레아 등의 요소, 또는 티오요소 화합물을 들 수 있다. 이들 접착보조제는, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체 조성물에 대하여 통상 5질량% 미만, 바람직하게는 2질량% 미만의 비율로 배합된다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물에는, 핀홀이나 스트리에이션 등의 발생이 없고, 표면얼룩에 대한 도포성을 더욱 향상시키기 위하여, 계면활성제를 배합할 수 있다. 계면활성제로는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌가운데점폴리옥시프로필렌블록코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노팔미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올레이트, 솔비탄트리올레이트, 솔비탄트리스테아레이트 등의 솔비탄지방산에스테르류, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, EFTOP EF301, EF303, EF352(Tochem Products Co., Ltd.제), MEGAFAC F171, F173(Dainippon Ink and Chemicals, Inc.제), FLUORAD FC430, FC431(Sumitomo 3M Limited제), Asahi Guard AG710, SURFLON S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(Asahi Glass Co., Ltd.제) 등의 불소계 계면활성제, 오가노실록산폴리머 KP341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제) 등을 들 수 있다. 이들 계면활성제의 배합량은, 본 발명의 전체 조성물당 통상 0.2질량% 이하, 바람직하게는 0.1질량% 이하이다. 이들 계면활성제는 단독으로 첨가할 수도 있고, 또한 2종 이상의 조합으로 첨가할 수도 있다.
본 발명에 있어서의 전자선용 레지스트 하층막의 상층에 도포되는 전자선 레지스트로는 네가티브형, 포지티브형 모두 사용할 수 있다. 산발생제와 산에 의해 분해되어 알칼리용해속도를 변화시키는 기를 갖는 바인더로 이루어진 화학증폭형 레지스트, 알칼리가용성 바인더와 산발생제와 산에 의해 분해되어 레지스트의 알칼리용해속도를 변화시키는 저분자 화합물로 이루어진 화학증폭형 레지스트, 산발생제와 산에 의해 분해되어 알칼리용해속도를 변화시키는 기를 갖는 바인더와 산에 의해 분해되어 레지스트의 알칼리용해속도를 변화시키는 저분자 화합물로 이루어진 화학증폭형 레지스트, 전자선에 의해 분해되어 알칼리용해속도를 변화시키는 기를 갖는 바인더로 이루어진 비화학증폭형 레지스트, 전자선에 의해 절단되고 알칼리용해속도를 변화시키는 부위를 갖는 바인더로 이루어진 비화학증폭형 레지스트 등이 있다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 사용하여 형성한 레지스트 하층막을 갖는 포지티브형 레지스트의 현상액으로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수 등의 무기알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제1급 아민류, 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등의 제2급 아민류, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 제3급 아민류, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알코올아민류, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드, 콜린 등의 제4급 암모늄염, 피롤, 피페리딘 등의 환상아민류 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 나아가, 상기 알칼리류의 수용액에 이소프로필알코올 등의 알코올류, 비이온계 등의 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서 바람직한 현상액은 제4급 암모늄염, 더욱 바람직하게는 테트라메틸암모늄하이드록시드 및 콜린이다.
반도체장치에 제조에 사용되는 반도체기판(예를 들어, 실리콘/이산화실리콘피복기판, 실리콘웨이퍼기판, 실리콘나이트라이드기판, 유리기판, ITO기판, 폴리이미드기판, 저유전율재료(low-k재료) 피복기판 등)의 위에, 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물이 도포되고 도포막이 형성된다.
본 발명에서는, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 기판 상에 도포하고, 가열함으로써 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막이 형성된다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 형성되는 전자선 레지스트 하층막의 막두께로는, 기판표면 상에서, 예를 들어 1~2000nm이며, 1~100nm이며, 1~20nm, 또는 5~15nm이다.
또한 도포 후에 가열하는 조건으로는, 80~350℃에서 0.5~120분간이다. 그 후 레지스트 하층막 상에 직접, 또는 필요에 따라 1층 내지 수층의 도막재료를 하층막 상에 성막한 후, 전자선 레지스트를 도포하고, 소정의 마스크를 통하여 전자선의 조사를 행하고, 현상, 린스, 건조함으로써 양호한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 필요에 따라 전자선의 조사 후 가열(PEB: Post Exposure Bake)을 행할 수도 있다. 그리고, 전자선 레지스트가 상기 공정에 의해 현상제거된 부분의 전자선 레지스트 하층막을 드라이에칭에 의해 제거하고, 원하는 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다.
전자선 레지스트의 전자선조사는, 예를 들어 전자선조사장치를 이용하여 조사할 수 있다.
본 발명에서는, 전사패턴을 형성하는 가공대상막을 갖는 기판 상에, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하고 가열하여 전자선 레지스트 하층막을 형성하고, 그 위에 전자선 레지스트를 피복하고, 이 전자선 레지스트 하층막과 전자선 레지스트를 피복한 기판에 전자선을 조사하고, 현상하여, 드라이에칭에 의해 기판 상에 화상을 전사해서 집적회로소자를 형성함으로써 반도체장치가 제조된다.
본 발명의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 적용하는 반도체 디바이스는, 기판 상에, 패턴을 전사하는 가공대상막(가공대상기판)과, 레지스트 하층막과, 레지스트가 차례로 형성된 구성을 갖는다. 이 레지스트 하층막은, 하지기판이나 전자선으로 인한 악영향을 저감함으로써, 스트레이트 형상의 양호한 레지스트 패턴을 형성하고, 충분한 전자선조사량에 대한 마진을 얻을 수 있다. 또한, 본 레지스트 하층막은, 상층에 형성되는 레지스트막에 비해 큰 드라이에칭속도를 갖고, 드라이에칭공정에 의해 가공대상인 하지막에 용이하게 레지스트 패턴을 전사할 수 있다.
실시예
(합성예 1)
10g(0.057몰)의 벤질메타크릴레이트, 19.2g(0.133몰)의 하이드록시프로필메타크릴레이트, 및 10.8g(0.063몰)의 γ-부티로락톤메타크릴레이트를, 128g의 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 용해시킨 후, 플라스크내를 질소로 치환하고 80℃까지 승온하였다.
그 후, 1.6g의 2,2'-아조비스이소부티르산메틸을 30.4g의 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 용해시키고, 질소가압하에 첨가하여, 80℃에서 24시간 반응시켜 폴리머를 얻었다. 얻어진 폴리머(수지)의 중량평균 분자량Mw은 폴리스티렌 환산으로 10000이었다.
(합성예 2)
10g(0.057몰)의 벤질메타크릴레이트, 19.2g(0.133몰)의 하이드록시프로필메타크릴레이트, 및 10.8g(0.063몰)의 γ-부티로락톤메타크릴레이트를, 120g의 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 용해시킨 후, 플라스크내를 질소로 치환하고 60℃까지 승온하였다.
그 후, 0.4g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 39.6g의 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 용해시키고, 질소가압하에 첨가하여, 60℃에서 24시간 반응시켜 폴리머를 얻었다. 얻어진 폴리머(수지)의 중량평균 분자량Mw은 폴리스티렌 환산으로 87000이었다.
(합성예 3)
10g(0.057몰)의 벤질메타크릴레이트, 10g(0.069몰)의 하이드록시프로필메타크릴레이트, 및 10.3g(0.061몰)의 γ-부틸락톤메타크릴레이트를, 84.848g의 유산에틸에 용해시킨 후, 플라스크내를 질소로 치환하고 70℃까지 승온하였다.
그 후, 0.364g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 36g의 유산에틸에 용해시키고, 질소가압하에 첨가하여, 70℃에서 24시간 반응시켜 폴리머를 얻었다. 얻어진 폴리머(수지)의 중량평균 분자량Mw은 폴리스티렌 환산으로 22000이었다.
(합성예 4)
10g(0.057몰)의 벤질메타크릴레이트, 10g(0.069몰)의 하이드록시프로필메타크릴레이트, 및 10.3g(0.061몰)의 γ-부티로락톤메타크릴레이트를, 90.909g의 유산에틸에 용해시킨 후, 플라스크내를 질소로 치환하고 70℃까지 승온하였다.
그 후, 0.909g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 29.394g의 유산에틸에 용해시키고, 질소가압하에 첨가하여, 70℃에서 24시간 반응시켜 폴리머를 얻었다. 얻어진 폴리머(수지)의 중량평균 분자량Mw은 폴리스티렌 환산으로 12000이었다.
(합성예 5)
10g(0.057몰)의 벤질메타크릴레이트, 19.2g(0.133몰)의 하이드록시프로필메타크릴레이트, 및 10.8g(0.063몰)의 γ-부티로락톤메타크릴레이트를, 120g의 유산에틸에 용해시킨 후, 플라스크내를 질소로 치환하고 60℃까지 승온하였다.
그 후, 0.4g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 39.6g의 유산에틸에 용해시키고, 질소가압하에 첨가하여, 60℃에서 24시간 반응시켜 폴리머를 얻었다. 얻어진 폴리머(수지)의 중량평균 분자량Mw은 폴리스티렌 환산으로 82000이었다.
(합성예 6)
10g(0.057몰)의 벤질메타크릴레이트, 27.778g(0.193몰)의 하이드록시프로필메타크릴레이트, 및 17.778g(0.104몰)의 γ-부티로락톤메타크릴레이트를, 155.556g의 유산에틸에 용해시킨 후, 플라스크내를 질소로 치환하고 70℃까지 승온하였다.
그 후, 0.667g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 66g의 유산에틸에 용해시키고, 질소가압하에 첨가하여, 70℃에서 24시간 반응시켜 폴리머를 얻었다. 얻어진 폴리머(수지)의 중량평균 분자량Mw은 폴리스티렌 환산으로 25000이었다.
(비교합성예 1)
10g(0.057몰)의 벤질메타크릴레이트, 및 19.2g(0.133몰)의 하이드록시프로필메타크릴레이트를, 128g의 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 용해시킨 후, 플라스크내를 질소로 치환하고 80℃까지 승온하였다.
그 후, 1.6g의 2,2'-아조비스이소부티르산메틸을 30.4g의 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 용해시키고, 질소가압하에 첨가하여, 80℃에서 24시간 반응시켜 폴리머를 얻었다. 얻어진 폴리머(수지)의 중량평균 분자량Mwは폴리스티렌 환산으로 20000이었다.
(실시예 1)
합성예 1에서 얻어진 수지 1g, 가교제로서 테트라메톡시메틸글리콜우릴 0.05g, 가교촉매로서 피리디늄p-톨루엔설폰산 0.003g, 패턴형상조정제로서 비스(4-하이드록시페닐)설폰 0.006g, 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 88.96g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 10g에 용해시켜 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 얻었다.
실리콘웨이퍼 상에 스피너를 이용하여, 상기의 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하였다. 핫플레이트 상에서 205℃ 1분간의 가열을 행하고, 10nm의 막두께를 갖는 전자선 레지스트 하층막을 형성하였다. 그 레지스트 하층막 상에 전자선 레지스트(Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.제, 상품명: OEBR-CAP164A3 M3)를 스핀코트하고, 100℃에서 60초간의 가열을 행하여, 전자선 레지스트를 형성하였다.
그 후, 전자선 노광장치(Elionix Inc.제, ELS-3700)를 이용하여, 소정의 조건으로 묘화(描畵)하였다. 묘화는 포인트빔 방식으로 전자선을 조사하였다. 묘화 후, 100℃에서 60초간의 가열(PEB)을 행하고, 냉각 후, 현상 및 린스처리를 행하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 목표의 선폭을 30~50nm의 라인앤드스페이스(L/S)로 하여 해상성의 확인을 행하였다(도 1~도 3을 참조). 모두 패턴무너짐이 없고 레지스트 패턴이 해상되어 있는 것을 알 수 있었다. 그 후, 드라이에칭으로 레지스트 하층막에 패턴을 전사한 후, 다시 기판의 가공을 행하였다.
(실시예 2)
실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 얻어진 수지 1g 대신에 합성예 2에서 얻어진 수지 1g을 이용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 행하였다.
목표의 선폭을 30~50nm의 라인앤드스페이스(L/S)로 하여 해상성의 확인을 행하고, 실시예 1과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인하였다.
(실시예 3)
실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 얻어진 수지 1g 대신에 합성예 3에서 얻어진 수지 1g을 이용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 행하였다.
목표의 선폭을 30~50nm의 라인앤드스페이스(L/S)로 하여 해상성의 확인을 행하고, 실시예 1과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인하였다.
(실시예 4)
실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 얻어진 수지 1g 대신에 합성예 4에서 얻어진 수지 1g을 이용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 행하였다.
목표의 선폭을 30~50nm의 라인앤드스페이스(L/S)로 하여 해상성의 확인을 행하고, 실시예 1과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인하였다.
(실시예 5)
실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 얻어진 수지 1g 대신에 합성예 5에서 얻어진 수지 1g을 이용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 행하였다.
목표의 선폭을 30~50nm의 라인앤드스페이스(L/S)로 하여 해상성의 확인을 행하고, 실시예 1과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인하였다.
(실시예 6)
실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 얻어진 수지 1g 대신에 합성예 6에서 얻어진 수지 1g을 이용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 행하였다.
목표의 선폭을 30~50nm의 라인앤드스페이스(L/S)로 하여 해상성의 확인을 행하고, 실시예 1과 동일한 결과가 얻어진 것을 확인하였다.
(비교예 1)
실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 얻어진 수지 1g 대신에 비교합성예 1에서 얻어진 수지 1g을 이용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 행하였다.
목표의 선폭의 30~50nm의 라인앤드스페이스(L/S)에서는 패턴무너짐이 발생하여, 선명한 패턴의 형성을 할 수 없었다.
산업상의 이용가능성
하지기판이나 전자선으로 인한 악영향을 저감하여, 스트레이트 형상의 양호한 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않고, 레지스트에 비해 큰 드라이에칭속도를 갖는 전자선 리소그래피용 레지스트 하층막을 제공한다.

Claims (11)

  1. 락톤환을 갖는 단위구조와 하이드록시기를 갖는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    폴리머가 추가로 아릴기 또는 아릴알킬기를 갖는 단위구조를 포함하는 폴리머인, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    폴리머가 락톤(메트)아크릴레이트 및 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합하여 얻어지는 폴리머인, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    폴리머가 락톤(메트)아크릴레이트, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트, 및 페닐(메트)아크릴레이트 또는 벤질(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합하여 얻어지는 폴리머인, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    폴리머가 식(1-1)의 단위구조와 식(1-2)의 단위구조를 포함하는 식(1)의 폴리머, 또는 식(2-1)의 단위구조와 식(2-2)의 단위구조와 식(2-3)의 단위구조를 포함하는 식(2)의 폴리머:
    [화학식 1]
    Figure pct00012

    〔식 중, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 각각 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, L2 및 L4는 각각 탄소원자수 1~10의 하이드록시알킬기를 나타내고, L5는 페닐기 또는 벤질기를 나타내고, L1 및 L3은 각각 식(L1-1) 또는 식(L1-2):
    [화학식 2]
    Figure pct00013

    (식 중, 점선은 식(1-1) 및 식(2-1)로 표시되는 에스테르기의 화학결합을 나타낸다.)를 나타낸다.〕인, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 다핵페놀을 함유하는, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    다핵페놀이, 식(b-1):
    [화학식 3]
    Figure pct00014

    (식(b-1) 중, R11은 각각 벤젠환의 수소원자의 치환기로서, 하이드록시기, 할로겐기, 탄소원자수 1~10의 알킬기, 탄소원자수 6~18의 아릴기, 탄소원자수 7~25의 아릴알킬기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐옥시기, 탄소원자수 2~10의 알킬카르보닐아미노기, 탄소원자수 7~10의 아릴옥시알킬기, 탄소원자수 1~6의 알콕시기 또는 이들의 조합으로 이루어진 유기기를 나타내고, R12는 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2~4가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2~4가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m1은 1~5의 정수이며, n1은 0≤n1≤5-m1을 만족시키는 정수이며, q는 2~4의 정수이다.), 식(b-2):
    [화학식 4]
    Figure pct00015

    (식(b-2) 중, R13 및 R14는 각각 식(b-1) 중의 R11과 동일하며, R15는 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2~6가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2~6가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m2 및 m3은 각각 1~5의 정수이며, n2 및 n3은 0≤n2≤5-m2 및 0≤n3≤5-m3을 만족시키는 정수이며, k 및 s는 각각 1~3의 정수이다.), 식(b-3):
    [화학식 5]
    Figure pct00016

    (식(b-3) 중, R16, R17 및 R18은 각각 식(b-1) 중의 R11과 동일하며, R19 및 R20은 각각 단결합, 또는 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 1~10의 2가의 탄화수소기, 할로겐원자로 치환될 수도 있는 탄소원자수 7~25의 2가의 아릴알킬기, 혹은 설포닐기를 나타내고, m5는 1~4의 정수이며, m4 및 m6은 각각 1~5의 정수이며, n5는 0≤n5≤4-m5를 만족시키는 정수이며, n4 및 n6은 0≤n4≤5-m4 및 0≤n6≤5-m6을 만족시키는 정수이며, t는 1~4의 정수이다.)로 표시되는 각 화합물, 또는 이들의 조합인, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 가교성 화합물을 함유하는, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 산화합물을 함유하는, 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 기판 상에 도포하고, 가열함으로써 얻어지는 반도체장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용되는, 전자선 레지스트 하층막의 형성방법.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물을 기판 상에 도포하고 가열하여 전자선 레지스트 하층막을 형성하고, 그 위에 전자선 레지스트를 피복하고, 이 전자선 레지스트 하층막과 전자선 레지스트를 피복한 기판에 전자선을 조사하고, 현상하여, 드라이에칭에 의해 기판 상에 화상을 전사해서 집적회로소자를 형성하는, 반도체장치의 제조방법.
KR1020167015545A 2013-12-19 2014-12-05 락톤구조함유 폴리머를 포함하는 전자선 레지스트 하층막 형성 조성물 KR102327783B1 (ko)

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