KR20160097305A - 발포 성형체 - Google Patents

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Abstract

분할 금형에서 용이하게 꺼내는 것이 가능한 발포 성형체를 얻는다. 본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체(1)는 폴리에틸렌계 수지를 용융 혼련한 발포 수지를 분할 금형으로 형 조임하여 성형한 발포 성형체(1)로서, 성형한 발포 성형체(1)의 MFR(190℃, g/10분)이 0.8 미만, 또는 폴리에틸렌계 수지의 MFR(190℃, g/10분)이 1.0 이하인 것을 특징으로 한다.

Description

발포 성형체{FOAMED MOLDED ARTICLE}
본 발명은 용융 상태의 발포 수지로 성형된 발포 성형체에 관한 것이다.
예를 들면, 자동차 등의 공조 장치에서는 공기를 통풍시키기 위한 관형상의 공조용 덕트가 사용되고 있다.
공조용 덕트로는 열가소성 수지를 발포제에 의해 발포시킨 발포 수지를 사용한 발포 성형체가 알려져 있다. 발포 성형체는 높은 단열성과 경량화를 동시에 실현할 수 있는 점에서 수요가 확대되고 있다.
이러한 발포 성형체의 제조 방법으로는 용융 상태의 발포 수지를 분할 금형으로 형 조임하고, 내부에 공기를 주입시켜 팽창시키는 블로우 성형 방법이 널리 알려져 있다.
또한, 본 발명보다 먼저 출원된 기술 문헌으로서 예를 들면, 특허문헌 1(일본 공개특허공보 2005-241157호)에는 발포제로서 초임계 유체를 첨가한 발포 블로우 성형에 의해, 외표면에 있어서의 표면 조도, 발포 배율을 소정의 범위 내로 한 발포 덕트에 대해 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 2(일본 특허공보 제4084209호)에는 특정 고밀도 폴리에틸렌과, 특정 저밀도 폴리에틸렌을 특정 비율로 배합한 수지를 발포층의 기재 수지로서 사용하여 물리 발포제에 의해 발포시켜 발포층을 형성하는 기술에 대해 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2005-241157호 일본 특허공보 제4084209호
상기 특허문헌 1에는 발포 덕트의 원료 수지로서 폴리프로필렌계 수지를 사용한 실시예가 개시되어 있다. 종래는 특허문헌 1과 같이, 발포 성형체의 원료 수지로서 폴리프로필렌계 수지를 사용하는 것이 일반적이었다. 그러나, 폴리프로필렌계 수지는 원료가 고가이기 때문에, 근래에는 발포 성형체의 원료 수지로서 특허문헌 2와 같이 폴리에틸렌계 수지를 사용하는 것도 있다. 폴리에틸렌계 수지는 일반적으로 폴리프로필렌계 수지보다 원료가 저렴하기 때문에, 발포 성형체를 저렴하게 제조할 수 있다.
이에, 본 발명자들은 발포 성형체의 원료 수지로서 폴리에틸렌계 수지를 사용하여 원하는 발포 성형체를 얻는 것을 시도하였다.
그러나, 발포 성형체의 원료 수지로서 사용하는 폴리에틸렌계 수지에 따라서는 분할 금형으로 형 조임하여 성형한 발포 성형체를 분할 금형에서 꺼낼 때, 발포 성형체를 구성하는 수지가 분할 금형에 첩부되어, 발포 성형체를 분할 금형에서 용이하게 꺼낼 수 없는 상황이 발생하였다. 이 때문에, 발포 성형체를 분할 금형에서 용이하게 꺼낼 수 있도록 하는 것이 요망되고 있다.
본 발명의 목적은 분할 금형에서 용이하게 꺼내는 것이 가능한 발포 성형체를 얻는 것에 있다.
본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체는,
폴리에틸렌계 수지를 용융 혼련한 발포 수지를 분할 금형으로 형 조임하여 성형한 발포 성형체로서,
성형한 상기 발포 성형체의 MFR(190℃, g/10분)이 0.8 미만인 것을 특징으로 한다.
또는, 상기 폴리에틸렌계 수지의 MFR(190℃, g/10분)이 1.0 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 분할 금형에서 용이하게 꺼내는 것이 가능한 발포 성형체를 얻을 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 나타내는 평면도이다.
도 2는 인스트루먼트 패널 덕트(1)에 있어서의 갑합부(102d) 주변을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 D-D＇단면도이다.
도 4는 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 성형 방법예를 나타내는 제1 도면이다.
도 5는 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 성형 방법예를 나타내는 제2 도면이다.
도 6은 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 성형 방법예를 나타내는 제3 도면이다.
도 7은 분할 금형에서의 형 조임시에 있어서의 갑합부(102d) 주변을 나타내는 도면이다.
도 8은 다른 성형 방법예를 나타내는 도면이다.
도 9는 실시예, 비교예를 나타내는 도면이다.
(본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체(1)의 개요)
우선, 도 1, 도 9를 참조하면서, 본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체(1)의 실시형태의 개요에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체(1)의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 9는 본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체(1)를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체(1)는 폴리에틸렌계 수지를 용융 혼련한 발포 수지를 분할 금형으로 형 조임하여 성형한 발포 성형체(1)이다. 본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체(1)는 도 9에 나타내는 바와 같이, 성형한 발포 성형체(1)의 MFR(190℃, g/10분)이 0.8 미만인 것을 특징으로 한다. 또는, 폴리에틸렌계 수지의 MFR(190℃, g/10분)이 1.0 이하인 것을 특징으로 한다.
성형한 발포 성형체(1)의 MFR이 0.8 미만, 또는 폴리에틸렌계 수지의 MFR이 1.0 이하가 되도록 함으로써, 발포 성형체(1)를 분할 금형 사이에서 꺼낼 때, 발포 성형체(1)를 구성하는 발포 수지가 분할 금형에 첩부되는 경우가 없어, 발포 성형체(1)를 분할 금형에서 용이하게 꺼낼 수 있다. 이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 일양태에 따른 발포 성형체(1)의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 있어서는 발포 성형체(1)로서 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 예로 설명한다.
＜인스트루먼트 패널 덕트(1)의 구성예＞
우선, 도 1∼도 3을 참조하면서, 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 구성예에 대해 설명한다. 도 1은 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 개략 평면도이고, 에어콘 유닛(도시하지 않음)에 접속하기 위한 공급부(105)를 갖는 측의 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 나타낸다. 도 2는 도 1에 나타내는 갑합부(102d) 주변의 개략 평면도를 나타내고, 도 3은 도 2의 D-D＇단면도를 나타낸다.
본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 에어콘 유닛에서 공급되는 냉난풍을 원하는 부위에 유통시키기 위한 경량인 인스트루먼트 패널 덕트(1)이다.
본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 소정의 폴리에틸렌계 수지를 용융 혼련한 발포 수지를 분할 금형으로 형 조임하고, 블로우 성형함으로써 성형된다.
본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 발포 배율이 1.3배 이상으로 복수의 기포를 갖는 독립 기포 구조(예를 들면, 독립 기포율이 70％ 이상)로 구성된다. 또한, 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 평균 두께는 0.5㎜ 이상이다. 또한, 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 덕트 내면의 표면 조도 Rmax는 200㎛ 이하로 구성한다. 표면 조도 Rmax를 200㎛ 이하로 구성함으로써, 통풍 효율을 향상시킬 수 있다. 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 -10℃에 있어서의 인장 파괴 신장이 40％ 이상이고, 또한, 상온시에 있어서의 인장 탄성률이 1000㎏/㎠ 이상인 것이 바람직하다. 또한, -10℃에 있어서의 인장 파괴 신장이 100％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 본 실시형태에서 사용하는 각 용어에 대해 이하에 정의한다.
발포 배율: 후술하는 본 실시형태의 성형 방법에서 사용한 발포 수지의 밀도를 본 실시형태의 성형 방법에 의해 얻어진 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 관본체(X1)(도 3 참조)에 있어서의 겉보기 밀도로 나눈 값을 발포 배율로 하였다.
인장 파괴 신장: 후술하는 본 실시형태의 성형 방법에 의해 얻어진 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 관본체(X1)를 잘라 내고, -10℃에서 보관 후에 JIS K-7113에 준하여 2호형 시험편으로서 인장 속도를 50㎜/분으로 측정을 행한 값을 인장 파괴 신장으로 하였다.
인장 탄성률: 후술하는 본 실시형태의 성형 방법에 의해 얻어진 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 관본체(X1)를 잘라 내고, 상온(예를 들면, 23℃)에서 JIS K-7113에 준하여 2호형 시험편으로서 인장 속도를 50㎜/분으로 측정을 행한 값을 인장 탄성률로 하였다.
본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 도 1에 나타내는 바와 같이, 에어콘 유닛(도시하지 않음)에 접속하기 위한 공급부(105)가 관부(101)(101a∼101d)의 일단에 형성되어 있다. 또한, 감합부(102)(102a∼102d)가 관부(101)(101a∼101d)의 타단에 형성된다. 또한, 관부(101)(101a∼101d), 공급부(105), 감합부(102)(102a∼102d)로 구성되는 관본체(X1)(도 3 참조)에 플랜지부(103)(103a∼103g)가 연접되어 있다.
본 실시형태에 있어서 평균 두께는 성형품의 중공 연신 방향으로 약 100㎜의 등간격으로 측정한 두께의 평균값을 의미한다. 중공의 성형품이면, 파팅 라인을 개재하여 용착되는 2개의 벽부의 각각에 있어서 각각 파팅 라인 90°방향의 위치의 두께를 측정하여, 그 측정한 두께의 평균값을 의미한다. 단, 측정 위치에 상술한 플랜지부(103) 등을 포함하지 않도록 하고 있다.
관본체(X1)의 내측은 유체를 유통시키는 유로를 갖도록 구성되고, 에어콘 유닛의 냉난풍을 유통하도록 되어 있다.
공급부(105)의 개구부(111)로부터 관본체(X1)의 내측에 공급되는 유체의 유로는 도 1에 나타내는 바와 같이, 유로 A, B-1, B-2, C의 4개로 나눌 수 있다. 이러한 공급부(105)의 개구부(111)로부터 관본체(X1)의 내측에 공급된 유체가 유로 A에서는 감합부(102a)의 개구부로부터 유출된다. 또한, 유로 B-1에서는 감합부(102b)의 개구부로부터 유출된다. 또한, 유로 B-2에서는 감합부(102c)의 개구부로부터 유출된다. 또한, 유로 C에서는 갑합부(102d)의 개구부로부터 유출된다.
인스트루먼트 패널 덕트(1)에 있어서의 유로 A 주변의 구성으로는 관부(101a)의 일단에 공급부(105)가 형성되고, 타단에 감합부(102a)가 형성되어 있다. 또한, 관부(101a), 공급부(105), 감합부(102a)로 구성되는 관본체(X1)에 플랜지부(103a, 103e)가 연접되어 있다. 플랜지부(103a)에는 감합부(102a)에 의해 접속되는 다른 관형상 부재에 대해 고정시키기 위한 고정용 구멍(107a)이 개설된다. 이 고정용 구멍(107a)에 도시하지 않은 볼트를 관통시키고 너트로 체결함으로써, 다른 관형상 부재에 대해 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 고정시킬 수 있다. 또한, 플랜지부(103e)에도 고정용 구멍(107e)이 개설된다.
인스트루먼트 패널 덕트(1)에 있어서의 유로 B-1 주변의 구성으로는 관부(101b)의 일단에 공급부(105)가 형성되고, 타단에 감합부(102b)가 형성되어 있다. 또한, 관부(101b), 공급부(105), 감합부(102b)로 구성되는 관본체(X1)에 플랜지부(103b)가 연접되어 있다. 플랜지부(103b)에는 감합부(102b)에 의해 접속되는 다른 관형상 부재에 대해 고정시키기 위한 고정용 구멍(107b)이 개설된다.
또한, 관부(101a와 101b) 사이의 간격이 좁은 부분에는 강도 유지를 위한 중개부(104e)가 이들 관부(101a, 101b) 각각에 연접되어 형성된다.
인스트루먼트 패널 덕트(1)에 있어서의 유로 B-2 주변의 구성으로는 상술한 유로 B-1 주변의 구성과 동일하게 구성된다.
인스트루먼트 패널 덕트(1)에 있어서의 유로 C 주변의 구성으로는 상술한 유로 A 주변의 구성과 동일하게 구성된다.
관부(101b와 101c) 사이에는 플랜지부(103g)가 관부(101b, 101c) 각각에 연접되어 형성된다. 플랜지부(103g)에도 고정용 구멍(107g)이 개설된다.
본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 도 1에 나타내는 바와 같이, 관본체(X1)(도 3 참조)의 외측에 플랜지부(103)(103a∼103g)가 연접되어 있다. 관본체(X1)는 관부(101)(101a∼101d), 공급부(105), 감합부(102)(102a∼102d)로 구성되는 부분을 의미한다.
본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 감합부(102)의 개구부(100)의 개구 면적을 관부(101)의 개구 면적보다 크게 하고 있다. 관부(101)의 개구 면적은 관부(101)의 지점에 있어서 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 유로 진행 방향과 직교하는 방향으로 절단한 관부(101)의 개구부의 면적을 의미한다. 감합부(102)의 개구부(100)의 개구 면적을 관부(101)의 개구 면적보다 크게 하기 위해서는, 예를 들면, 감합부(102)의 형상을 나팔 형상으로 구성함으로써 실현 가능하다. 나팔 형상이란, 개구 단부를 향할수록 개구 면적이 커지는 형상을 말한다.
＜인스트루먼트 패널 덕트(1)의 성형 방법예＞
다음으로, 도 4∼도 6을 참조하면서, 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 성형 방법예에 대해 설명한다. 도 4는 분할 금형의 개방 상태, 도 5는 분할 금형의 폐쇄 상태를 분할 금형 측면에서 나타내는 도면이다. 도 6은 분할 금형의 폐쇄 상태를 2개의 분할 금형이 맞닿는 면에서 분할 금형(12a)측에 대해 나타내는 단면도이다.
우선, 도 4에 나타내는 바와 같이, 발포 패리슨을 고리형 다이(11)로부터 사출하고, 원통 형상의 발포 패리슨(13)을 분할 금형(12a, 12b) 사이에 압출한다.
다음으로, 분할 금형(12a, 12b)을 형 조임하고, 도 5에 나타내는 바와 같이, 발포 패리슨(13)을 분할 금형(12a, 12b) 사이에 끼워 넣는다. 이로써, 발포 패리슨(13)을 분할 금형(12a, 12b)의 캐비티(10a, 10b)에 수납시킨다.
다음으로, 도 5, 도 6에 나타내는 바와 같이, 분할 금형(12a, 12b)을 형 조임한 상태로, 분할 금형(12a, 12b)에 형성된 소정의 구멍에 주입침(14)과 취출침(15)을 관통시켜, 발포 패리슨(13)에 동시에 찌른다. 주입침(14), 취출침(15)의 선단이 발포 패리슨(13) 내에 들어가면, 바로 주입침(14)으로부터 공기 등의 압축 기체를 발포 패리슨(13)의 내부에 주입시키고, 발포 패리슨(13)의 내부를 경유하여 취출침(15)으로부터 압축 기체를 취출해, 소정의 블로우압으로 블로우 성형을 행한다.
주입침(14)은 도 1에 나타내는 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 공급부(105)의 개구부(111)에 상당하는 위치에 찌르고, 압축 기체를 발포 패리슨(13)의 내부에 주입하기 위한 주입구를 형성한다. 또한, 취출침(15)은 도 1에 나타내는 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 감합부(102)(102a∼102d)의 개구부(100)(100a∼100d) 각각에 상당하는 위치에 찌르고, 압축 기체를 발포 패리슨(13)의 내부에서 외부로 취출하기 위한 취출구를 형성한다.
이로써, 주입침(14)으로부터 압축 기체를 발포 패리슨(13)의 내부에 주입시키고, 발포 패리슨(13)의 내부를 경유하여 취출침(15)으로부터 압축 기체를 취출해, 소정의 블로우압으로 블로우 성형을 행할 수 있다.
본 실시형태에서는 주입침(14)으로부터 압축 기체를 발포 패리슨(13) 내에 주입함과 함께, 분할 금형(12a, 12b)의 캐비티(10a, 10b)로부터 배기를 행하여, 발포 패리슨(13)과 캐비티(10a, 10b) 사이의 간극을 없애, 부압 상태로 한다. 이로써, 분할 금형(12a, 12b) 내부의 캐비티(10a, 10b)에 수납된 발포 패리슨(13)의 내외에 있어서 압력차(발포 패리슨(13)의 내부가 외부보다 높은 압력을 의미한다)가 설정되고, 발포 패리슨(13)은 캐비티(10a, 10b)의 벽면에 가압된다.
또한, 상술한 성형 공정에 있어서, 발포 패리슨(13)의 내부에 압축 기체를 주입하는 공정과, 발포 패리슨(13)의 외부에 부압을 발생시키는 공정은 동시에 행할 필요는 없고, 서로의 공정을 시간적으로 어긋나게 하여 행하는 것도 가능하다.
또한, 본 실시형태에서는 도 7에 나타내는 바와 같이, 발포 패리슨(13)을 분할 금형(12a, 12b)에 의해 가압력(Z)으로 형 조임하고 있다. 이 때문에, 상술한 바와 같이 발포 패리슨(13)에 있어서의 관본체(X1)가 되는 부분에 대해 소정의 블로우압에 의해 캐비티(10a, 10b)에 가압함과 함께, 플랜지부(103)(103a∼103g)나 중개부(104)(104e, 104f)의 판형상 부분(Y1)이 되는 부분에 대해서는 두께 방향으로 가압되고, 분할 금형(12a, 12b)의 캐비티(10a, 10b) 사이의 두께까지 압축되게 된다.
발포 패리슨(13)에 있어서의 관본체(X1)가 되는 부분에 대해서는 상술한 바와 같이 주입침(14)으로부터 공기 등의 압축 기체를 발포 패리슨(13)의 내부에 주입시키고, 발포 패리슨(13)의 내부를 경유하여 취출침(15)으로부터 압축 기체를 취출한다. 그리고, 소정의 블로우압에 의해 소정의 시간만 발포 패리슨(13)을 캐비티(10a, 10b)에 가압하고, 관본체(X1)의 두께 방향의 캐비티(10a, 10b)측으로부터 5∼8할 정도의 발포 패리슨(13)을 냉각 고화한다. 그 후에는 압축 기체에 의한 냉각을 행하지 않고, 분할 금형(12a, 12b)으로 형 조임한 상태로 나머지 용융 상태의 발포 패리슨(13)을 자연 고화한다.
주입침(14)으로부터 발포 패리슨(13) 내에 냉각을 위해 공급하는 압축 기체의 온도는 10℃∼30℃로 설정하고, 실온(예를 들면, 23℃)으로 설정하는 것이 바람직하다. 압축 기체의 온도를 실온으로 설정함으로써, 압축 기체의 온도를 조정하기 위한 온조 설비를 설치할 필요가 없기 때문에, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 저비용으로 성형할 수 있다. 또한, 온조 설비를 설치하여, 주입침(14)으로부터 발포 패리슨(13) 내에 공급하는 압축 기체의 온도를 실온보다 낮게 했을 경우에는 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 냉각 시간을 단축할 수 있다. 또한, 압축 기체의 온도에 따라 다르지만, 압축 기체에 의한 냉각 시간(인가 시간을 의미한다)은 35초 이하로 행하는 것이 바람직하다. 이로써, 관본체(X1)의 두께 방향의 캐비티(10a, 10b)측으로부터 5∼8할 정도의 발포 패리슨(13)을 냉각 고화하고, 관본체(X1)의 내면측의 발포 패리슨(13)을 용융 상태 그대로 할 수 있다. 그 후에는 압축 기체에 의한 냉각을 행하지 않고, 분할 금형(12a, 12b)으로 형 조임한 상태로 용융 상태의 나머지의 발포 패리슨(13)을 자연스럽게 고화할 수 있다.
본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형할 때에 적용 가능한 수지 로는 성형품인 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR이 0.8 미만이 되도록 소정의 폴리에틸렌계 수지를 용융 혼련한 발포 수지가 바람직하다. 이것은 성형품인 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR이 0.8 이상이면, 표면 조도, 취출성, 버 제거성 전부가 양호한 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 얻을 수 없기 때문이다. MFR은 성형품에서 잘라낸 샘플편을 가열 용융하여 탈포한 수지를 JIS K-7210에 준하여 시험 온도 190℃, 시험 하중 2.16㎏으로 측정한 값이다. 표면 조도, 취출성, 버 제거성에 대해서는 실시예에서 후술한다.
발포 수지를 형성하는 폴리에틸렌계 수지는 저밀도 폴리에틸렌계 수지 단체, 고밀도 폴리에틸렌계 수지 단체, 복수의 저밀도 폴리에틸렌계 수지를 혼합한 블렌드 수지, 복수의 고밀도 폴리에틸렌계 수지를 혼합한 블렌드 수지, 저밀도 폴리에틸렌계 수지와 고밀도 폴리에틸렌계 수지를 혼합한 블렌드 수지를 용융 혼련하여 형성한다. 이 경우, 발포 수지를 형성하는 폴리에틸렌계 수지의 MFR(190℃, g/10분)은 1.0 이하가 되도록 한다.
예를 들면, 발포 수지를 두 종류의 폴리에틸렌계 수지로 형성하는 경우는 그 두 종류의 폴리에틸렌계 수지의 MFR을 그 두 종류의 폴리에틸렌계 수지의 혼합 비율로 계산하여 얻어지는 MFR이 이하의 식 1을 만족하도록 한다.
A×X/100＋B×Y/100≤1.0···식 1
A는 제1 폴리에틸렌계 수지의 MFR
B는 제2 폴리에틸렌계 수지의 MFR
X는 발포 수지를 형성하는 제1 폴리에틸렌계 수지의 혼합 비율
Y는 발포 수지를 형성하는 제2 폴리에틸렌계 수지의 혼합 비율
X＋Y＝100으로 한다.
또한, 발포 수지는 튜뷸러법으로 제조한 폴리에틸렌계 수지보다 오토클레이브법으로 제조한 폴리에틸렌계 수지를 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 이것은 튜뷸러법으로 제조한 폴리에틸렌계 수지보다 오토클레이브법으로 제조한 폴리에틸렌계 수지를 사용하는 것이 성형품인 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율을 높게 할 수 있기 때문이다. 또한, 저밀도 폴리에틸렌계 수지는 MFR이 1.0∼3.0인 것이 바람직하다.
인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형할 때 사용하는 발포 수지는 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형할 때 발생하는 버를 분쇄한 분쇄재를 사용하여 형성하는 것도 가능하다. 이 경우, 분쇄재 100％로 발포 수지를 형성하는 것보다도 분쇄재와 버진재를 용융 혼련하여 발포 수지를 형성하는 것이 바람직하다. 버진재는 미사용 수지로, 본 실시형태에서는 상술한 폴리에틸렌계 수지를 사용한다. 버진재를 사용함으로써, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 구성하는 수지가 열화되는 것을 회피할 수 있다. 분쇄재와 버진재를 용융 혼련하여 발포 수지를 형성하는 경우는 분쇄재 90％, 버진재 10％의 비율로 용융 혼련하여 형성한다.
또한, 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형할 때 적용 가능한 발포제로는 물리 발포제, 화학 발포제 및 그 혼합물을 들 수 있다. 물리 발포제로는 공기, 탄산 가스, 질소 가스, 물 등의 무기계 물리 발포제, 및 부탄, 펜탄, 헥산, 디클로로메탄, 디클로로에탄 등의 유기계 물리 발포제, 추가적으로는 이들 초임계 유체를 적용할 수 있다. 초임계 유체로는 이산화탄소, 질소 등을 사용하여 제조하는 것이 바람직하고, 질소이면 임계 온도가 -149.1℃, 임계 압력이 3.4MPa 이상, 이산화탄소이면 임계 온도가 31℃, 임계 압력이 7.4MPa 이상으로 함으로써 제조할 수 있다.
다음으로, 상기 성형한 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b)에서 꺼낸다. 구체적으로는 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 상부에 형성되는 버를 소정의 기계(클립 등)로 잡은 상태로 분할 금형(12a, 12b)을 열어 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b) 사이에서 꺼낸다.
다음으로, 분할 금형(12a, 12b)에서 꺼낸 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 주위에 형성되는 버 등의 불필요한 부분을 제거한다. 이로써, 도 1에 나타내는 복잡한 형상의 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 얻을 수 있다.
본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 도 1에 나타내는 바와 같이, 관본체(X1)를 구성하는 감합부(102)(102a∼102d)나 공급부(105)에 형성된 전부의 개구부(100)(100a∼100d)(111)의 근방에 플랜지부(103)(103a∼103g)나 중개부 (104)(104e, 104f)를 형성하고 있다. 이 때문에, 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 개구부(100, 111) 주위에서 다른 관형상 부재에 대해 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 고정시킬 수 있다. 또한, 개구부(100, 111) 주위의 강도를 강고하게 할 수 있다. 단, 본 실시형태의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 전체의 외형 형상이 복잡한 형상이 되기 때문에, 분할 금형(12a, 12b)에서 꺼내기 어려워져 있다.
(다른 성형 방법예)
상술한 실시형태로서의 인스트루먼트 패널 덕트(1)는 예를 들면, 도 8에 나타내는 성형 방법으로 성형하는 것도 가능하다.
도 8에 나타내는 성형 방법은 상술한 성형 방법으로 원통 형상의 발포 패리슨(13)을 분할 금형(12a, 12b) 사이에 압출하여 성형하는 것 대신에, 시트상의 발포 수지를 분할 금형(12a, 12b) 사이에 압출하여 성형하는 것이다.
다른 성형 방법으로 사용하는 성형 장치는 도 8에 나타내는 바와 같이, 2대의 압출 장치(50a, 50b)와, 상술한 성형 방법예와 동일한 분할 금형(12a, 12b)을 가짐으로써 구성된다.
압출 장치(50)(50a, 50b)는 상술한 성형 방법예에 있어서의 발포 패리슨(13)과 동일한 재질로의, 용융 상태의 발포 수지에 의한 수지 시트(P1, P2)를 분할 금형(12a, 12b) 사이에 소정의 간격으로 대략 평행으로 늘어지도록 배치된다. 수지 시트(P1, P2)를 압출하는 T다이(28a, 28b)의 하방에는 조정 롤러(30a, 30b)가 배치되고, 이 조정 롤러(30a, 30b)에 의해 두께 등의 조정을 행한다. 이렇게 하여 압출된 수지 시트(P1, P2)를 분할 금형(12a, 12b) 사이에 끼워 형 조임하여, 성형한다.
2대의 압출 장치(50)(50a, 50b)의 구성은 동일하기 때문에, 1개의 압출 장치(50)에 대해, 도 8을 참조하여 설명한다.
압출 장치(50)는 호퍼(21)가 부설된 실린더(22)와, 실린더(22) 내에 설치된 스크루(도시하지 않음)와, 스크루에 연결된 유압 모터(20)와, 실린더(22)와 내부가 연통한 어큐뮬레이터(24)와, 어큐뮬레이터(24) 내에 설치된 플런저(26)와, T다이(28)와, 한 쌍의 조정 롤러(30)를 가짐으로써 구성된다.
호퍼(21)로부터 투입된 수지 펠릿이 실린더(22) 내에서 유압 모터(20)에 의한 스크루의 회전에 의해 용융, 혼련되고, 용융 상태의 발포 수지가 어큐뮬레이터(24)에 이송되어 일정량 저류되고, 플런저(26)의 구동에 의해 T다이(28)를 향해 발포 수지를 보낸다. 이렇게 하여, T다이(28) 하단의 압출 슬릿으로부터 용융 상태의 발포 수지에 의한 연속적인 수지 시트가 압출되고, 간격을 두고 배치된 한 쌍의 조정 롤러(30)에 의해 협압되면서 하방을 향해 배출되어 분할 금형(12a, 12b) 사이에 늘어진다.
또한, T다이(28)에는 압출 슬릿의 슬릿 간격을 조정하기 위한 다이 볼트(29)가 형성된다. 슬릿 간격의 조정 기구는 이 다이 볼트(29)를 사용한 기계식 기구에 추가하여 공지의 각종 조정 기구를 따로 구비해도 된다.
이러한 구성에 의해, 2개의 T다이(28a, 28b)의 압출 슬릿으로부터, 내부에 기포 셀을 갖는 수지 시트(P1, P2)가 압출되고, 상하 방향(압출 방향을 의미한다)으로 일정한 두께를 갖는 상태로 조정되어, 분할 금형(12a, 12b) 사이에 늘어진다.
이렇게 하여 수지 시트(P1, P2)가 분할 금형(12a, 12b) 사이에 배치되면, 이 분할 금형(12a, 12b)을 수평 방향으로 전진시키고, 분할 금형(12a, 12b)의 외주에 위치하는 도시하지 않은 형틀을 수지 시트(P1, P2)에 밀착시킨다. 이렇게 하여 분할 금형(12a, 12b) 외주의 형틀에 의해 수지 시트(P1, P2)를 유지한 후, 분할 금형(12a, 12b)의 캐비티(10a, 10b)에 수지 시트(P1, P2)를 진공 흡인함으로써, 수지 시트(P1, P2) 각각을 캐비티(10a, 10b)를 따른 형상으로 한다.
다음으로, 분할 금형(12a, 12b)을 수평 방향으로 전진시켜 형 조임하고, 상술한 성형 방법과 동일하게, 주입침(14)과 취출침(15)을 수지 시트(P1, P2)에 찔러, 주입침(14)으로부터 공기 등의 압축 기체를 수지 시트(P1, P2)의 내부에 주입시키고, 수지 시트(P1, P2)의 내부를 경유하여 취출침(15)으로부터 압축 기체를 취출한다. 이렇게 하여, 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 관본체(X1)가 되는 부분의 내측을 냉각한다.
다음으로, 분할 금형(12a, 12b)을 수평 방향으로 후퇴시키고, 분할 금형(12a, 12b)을 인스트루먼트 패널 덕트(1)로부터 이형시킨다.
또한, 한 쌍의 분할 금형(12a, 12b) 사이에 늘어진 수지 시트(P1, P2)는 드로우 다운, 넥 인 등에 의해 두께의 편차가 발생하는 것을 방지하기 위해, 수지 시트의 두께, 압출 속도, 압출 방향의 두께 분포 등을 개별적으로 조정하는 것이 필요해진다.
이러한 수지 시트의 두께, 압출 속도, 압출 방향의 두께 등의 조정은 공지의 각종 방법을 이용해도 된다.
이상과 같이, 도 8에 나타내는 다른 성형 방법예에 의해, 도 4∼도 6에서 설명한 성형 방법과 동일하게, 본 실시형태에 있어서의 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 바람직하게 성형할 수 있다. 또한, 도 8에 나타내는 다른 성형 방법예에서는 2장의 수지 시트(P1, P2)의 재료, 발포 배율, 두께 등을 상이한 것으로 함으로써, 각종 조건에 대응하는 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하는 것도 가능하다.
＜실시예＞
다음으로, 실시예, 비교예에 의해 상술한 인스트루먼트 패널 덕트(1)에 대해 설명한다. 단, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 A를 50질량부, 수지 B를 50질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 하고, 실린더에 가스 공급구를 갖는 스크루식 압출기를 구비한 발포 블로우 성형기를 이용해 가스 공급구로부터 질소의 초임계 유체를 첨가하여, 상술한 도 4∼도 6과 동일한 성형 방법으로 도 1에 나타내는 것과 동일한 형상의 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 샘플을 하기의 성형 조건으로 발포 블로우 성형하였다.
수지 A는 고밀도 폴리에틸렌계 수지(아사히카세이 케미컬즈(주) 제조 B470(밀도＝0.949g/㎤, MFR＝0.3g/10min, 190℃, 중합법＝튜뷸러법)이다.
수지 B는 저밀도 폴리에틸렌계 수지(스미토모 화학(주) 제조 스미카센 G201F(밀도＝0.919g/㎤, MFR＝1.7g/10min, 190℃, 중합법＝오토클레이브법)이다.
수지 A를 50질량부, 수지 B를 50질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 1.00이다. 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR은 수지 A의 MFR(0.3)을 블렌드 비율(50％)로 산출한 값(0.3×50/100＝0.15)과, 수지 B의 MFR(1.7)을 블렌드 비율(50％)로 산출한 값(1.7×50/100＝0.85)을 가산한 값(0.15＋0.85＝1.00)이다.
기
성형 조건
패리슨의 외경: 120㎜
다이의 출구에 있어서의 수지 온도: 172℃
패리슨의 두께: 5㎜
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 평균 두께 0.5㎜
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.40이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 4.3배였다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 덕트 내면의 표면 조도 Rmax는 200㎛ 이하이며, 표면 조도는 양호(○)였다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b)에서 꺼낼 때, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 구성하는 발포 수지가 분할 금형(12a, 12b)에 첩부되는 경우가 없어, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b)에서 용이하게 꺼낼 수 있어, 취출성은 양호(○)였다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 버를 용이하게 제거할 수 있어, 버 제거성은 양호(○)였다.
MFR은 JIS K-7210에 준하여 시험 온도 190℃, 시험 하중 2.16㎏으로 측정한 값이다.
발포 배율은 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형할 때에 사용한 발포 수지의 밀도를 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 관본체(X1)(도 3 참조)에 있어서의 겉보기 밀도로 나눈 값을 발포 배율로 하였다.
표면 조도 Rmax는 표면 조도 측정기(주식회사 도쿄 정밀 제조 서프컴 470A)를 이용하여 계측한 최대 높이를 나타낸다. 표면 조도의 측정 부위는 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 덕트 내면의 전부의 영역으로 하였다. 표면 조도의 평가 방법은 전부의 영역에 있어서 Rmax가 200㎛ 이하인 경우에 양호(○)로 하였다. 또한, Rmax가 200㎛보다 높은 부분이 존재하는 경우에 불량(×)으로 하였다.
취출성의 평가 방법은 블로우 성형 후에, 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 상부에 형성되는 버를 소정의 기계(클립 등)로 잡은 상태로 분할 금형(12a, 12b)을 열어 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b) 사이에서 꺼낼 때, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 구성하는 발포 수지가 분할 금형(12a, 12b)에 첩부되는 경우가 없어, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b)에서 용이하게 꺼낼 수 있는 경우는 양호(○)로 하였다. 또한, 분할 금형(12a, 12b)을 열어 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b) 사이에서 꺼낼 때, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 구성하는 발포 수지가 분할 금형(12a, 12b)에 첩부되어, 분할 금형(12a, 12b)의 이동에 수반하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)도 소정의 거리 이상 이동했을 경우는 불량(×)으로 하였다. 또한, 분할 금형(12a, 12b)에 발포 수지가 남았을 경우도 불량(×)으로 하였다. 또한, 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 상부에 형성되는 버란, 분할 금형(12a, 12b)을 형 조임한 상태에서 분할 금형(12a, 12b)의 상부로부터 돌출된 발포 수지의 부분이다.
버 제거성의 평가 방법은 분할 금형(12a, 12b)에서 꺼낸 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 주위에 형성되는 버의 일부에 커터 등으로 칼집을 넣고 손 등을 이용하여 버를 제거할 때, 버를 인스트루먼트 패널 덕트(1)로부터 용이하게 제거할 수 있는 경우는 양호(○)로 하였다. 또한, 버를 제거할 때, 버가 찢어져 인스트루먼트 패널 덕트(1)에 남거나 버를 제거할 때, 인스트루먼트 패널 덕트(1)가 변형되었을 경우는 불량(×)으로 하였다. 버는 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 파팅 라인의 주위에 형성되는 부분으로, 인스트루먼트 패널 덕트(1)와 버 사이에는 핀치 오프에 의해 형성한 얇은 부분이 존재하고, 그 얇은 부분에서 버를 절제하게 된다.
(실시예 2)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 A를 60질량부, 수지 B를 40질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 A를 60질량부, 수지 B를 40질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 0.86이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.37이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 3.9배였다.
또한, 표면 조도, 취출성, 버 제거성은 모두 양호(○)였다.
(실시예 3)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 A를 70질량부, 수지 B를 30질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 A를 70질량부, 수지 B를 30질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 0.72이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.26이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 2.8배였다.
또한, 표면 조도, 취출성, 버 제거성은 모두 양호(○)였다.
(실시예 4)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 A를 80질량부, 수지 B를 20질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 A를 80질량부, 수지 B를 20질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 0.58이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.22였다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 2.2배였다.
또한, 표면 조도, 취출성, 버 제거성은 모두 양호(○)였다.
(실시예 5)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 A를 90질량부, 수지 B를 10질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 A를 90질량부, 수지 B를 10질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 0.44이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.18이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 1.6배였다.
또한, 표면 조도, 취출성, 버 제거성은 모두 양호(○)였다.
(실시예 6)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 A를 60질량부, 수지 C를 40질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 C는 저밀도 폴리에틸렌계 수지(Schulman 제조 CP763(밀도＝0.919g/㎤, MFR＝1.8g/10min, 190℃, 중합법＝튜뷸러법)이다.
수지 A, 수지 C를 용융 혼련한 발포 수지의 MFR(190℃, g/10분)은 0.9였다.
수지 A를 60질량부, 수지 C를 40질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 0.90이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.39였다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 1.6배였다.
또한, 표면 조도, 취출성, 버 제거성은 모두 양호(○)였다.
(실시예 7)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 A를 60질량부, 수지 D를 40질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 D는 저밀도 폴리에틸렌계 수지(스미토모 화학(주) 제조 스미카센 F108-1(밀도＝0.921g/㎤, MFR＝0.4g/10min, 190℃, 중합법＝튜뷸러법)이다.
수지 A, 수지 D를 용융 혼련한 발포 수지의 MFR(190℃, g/10분)은 0.34였다.
수지 A를 60질량부, 수지 D를 40질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 0.34이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.17이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 1.3배였다.
또한, 표면 조도, 취출성, 버 제거성은 모두 양호(○)였다.
(실시예 8)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 D를 100질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 D를 100질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 0.40이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.18이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 1.6배였다.
또한, 표면 조도, 취출성, 버 제거성은 모두 양호(○)였다.
(비교예 1)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 B를 100질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 B를 100질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 1.70이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 0.80이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 5.0배였다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 덕트 내면의 표면 조도 Rmax는 200㎛ 이하이며, 표면 조도는 양호(○)였다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b)에서 꺼낼 때, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 구성하는 발포 수지가 분할 금형(12a, 12b)에 첩부되어, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b)에서 용이하게 꺼낼 수 없어, 취출성은 불량(×)이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 버를 용이하게 제거할 수 없어, 버 제거성은 불량(×)이었다.
(비교예 2)
인스트루먼트 패널 덕트(1)의 원료 수지로서 수지 E를 60질량부, 수지 B를 40질량부로 용융 혼련한 발포 수지로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형하였다.
수지 E는 고밀도 폴리에틸렌계 수지(아사히카세이 케미컬즈(주) 제조 J240(밀도＝0.966g/㎤, MFR＝5.0g/10min, 190℃, 중합법＝튜뷸러법)이다.
수지 E를 60질량부, 수지 B를 40질량부의 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR(190℃, g/10분)은 3.68이다.
성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR(190℃, g/10분)은 3.20이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율은 4.3배였다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 덕트 내면의 표면 조도 Rmax는 일부에 200㎛보다 높은 부분이 존재해, 표면 조도는 불량(×)이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b)에서 꺼낼 때, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 구성하는 발포 수지가 분할 금형(12a, 12b)에 첩부되어, 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 분할 금형(12a, 12b)에서 용이하게 꺼낼 수 없어, 취출성은 불량(×)이었다.
또한, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 버를 용이하게 제거할 수 없어, 버 제거성은 불량(×)이었다.
실시예 1∼8, 비교예 1, 2의 시험 결과를 도 9에 나타낸다. 도 9는 실시예 1∼8, 비교예 1, 2의 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 성형할 때 사용한 수지 재료의 블렌드 비율, 그 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 발포 배율, 표면 조도, 취출성, 버 제거성을 나타내고 있다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR이 0.8 미만, 또는 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR이 1.0 이하가 되도록 함으로써, 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 표면 조도, 취출성, 버 제거성이 전부 양호한 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 얻는 것이 판명되었다.
또한, 고밀도 폴리에틸렌계 수지와 저밀도 폴리에틸렌계 수지를 혼합한 발포 수지를 사용함으로써, 발포 배율이 높은 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 얻을 수 있는 것으로 판명되었다.
또한, 오토클레이브법으로 제조한 폴리에틸렌계 수지를 혼합한 발포 수지를 사용함으로써, 발포 배율이 높은 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 얻을 수 있는 것으로 판명되었다.
또한, MFR이 1.0∼3.0인 저밀도 폴리에틸렌계 수지를 사용하여, 성형된 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 MFR이 0.8 미만, 또는 블렌드 비율에 의해 계산한 수지 재료의 MFR이 1.0 이하가 되도록 함으로써, 인스트루먼트 패널 덕트(1)의 표면 조도, 취출성, 버 제거성이 전부 양호한 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 얻는 것이 판명되었다.
또한, 상술한 실시형태는 본 발명의 바람직한 실시형태로서, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상에 기초하여 다양하게 변형하여 실시하는 것이 가능하다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는 인스트루먼트 패널 덕트(1)를 예로 설명하였다. 그러나, 리어 쿨러 덕트 등에도 적용 가능하다.
1: 인스트루먼트 패널 덕트
101: 관부
102: 감합부
103: 플랜지부
104: 중개부
105: 공급부
107: 고정용 구멍
100, 111: 개구부
10a, 10b: 캐비티
11: 고리형 다이
12a, 12b: 분할 금형
13: 발포 패리슨
14: 주입침
15: 취출침
16: 레귤레이터
17: 배압 레귤레이터
A, B, C, F: 유로 방향
20: 유압 모터
21: 호퍼
22: 실린더
24: 어큐뮬레이터
26: 플런저
28: T다이
29: 다이 볼트
30: 조정 롤러
50: 압출 장치
X1: 관본체
Y1: 판형상 부분
Z: 형 조임에 의한 가압력

Claims (5)

  1. 폴리에틸렌계 수지를 용융 혼련한 발포 수지를 분할 금형으로 형 조임하여 성형한 발포 성형체로서,
    성형한 상기 발포 성형체의 MFR(190℃, g/10분)이 0.8 미만인 것을 특징으로 하는 발포 성형체.
  2. 폴리에틸렌계 수지를 용융 혼련한 발포 수지를 분할 금형으로 형 조임하여 성형한 발포 성형체로서,
    상기 폴리에틸렌계 수지의 MFR(190℃, g/10분)이 1.0 이하인 것을 특징으로 하는 발포 성형체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 발포 수지는 제1 폴리에틸렌계 수지와 제2 폴리에틸렌계 수지를 상기 제1 폴리에틸렌계 수지:상기 제2 폴리에틸렌계 수지＝X:Y의 혼합 비율로 형성하고(단, X＋Y＝100으로 한다),
    상기 제1 폴리에틸렌계 수지의 MFR과, 상기 제2 폴리에틸렌계 수지의 MFR을 상기 혼합 비율로 계산하여 얻어지는 MFR이 이하의 식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 발포 성형체:
    A×X/100＋B×Y/100≤1.0···식 1
    A는 상기 제1 폴리에틸렌계 수지의 MFR
    B는 상기 제2 폴리에틸렌계 수지의 MFR
    X는 상기 발포 수지를 형성하는 상기 제1 폴리에틸렌계 수지의 혼합 비율
    Y는 상기 발포 수지를 형성하는 상기 제2 폴리에틸렌계 수지의 혼합 비율.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 폴리에틸렌계 수지는 고밀도 폴리에틸렌계 수지이고,
    상기 제2 폴리에틸렌계 수지는 저밀도 폴리에틸렌계 수지인 것을 특징으로 하는 발포 성형체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 저밀도 폴리에틸렌계 수지는 오토클레이브법으로 제조한 것인 것을 특징으로 하는 발포 성형체.
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