KR20160090807A - 고체 촬상 소자 및 전자 기기 - Google Patents

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이치로 타케무라
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Abstract

고체 촬상 소자는, 광전 변환하는 유기 광전 변환막을 포함하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소, 상기 유기 광전 변환막에 포함되고, 2 이상의 다중체화된(polymerized) 모노머이며, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 안료를 포함한다.

Description

고체 촬상 소자 및 전자 기기{SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 개시는, 고체 촬상 소자 및 전자 기기에 관한 것으로, 특히, 고체 촬상 소자의 유기 광전 변환막의 내열성을 향상시킬 수 있도록 하는 고체 촬상 소자 및 전자 기기에 관한 것이다.
본 출원은 일본에 있어서 2013년 11월 27일에 출원된 JP2013-244953호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 출원으로서, 이 출원은 참조함에 의해 본 출원에 원용된다.
서브프탈로시아닌(SubPc)은, 종래로부터, 광전성 광전자 디바이스, 플라즈마 디스플레이용 컬러 필터의 안료, 색소 등에 이용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 내지 5 참조).
특허 문헌 1 : 특표2009-538529호 공보 특허 문헌 2 : 특개2008-216589호 공보 특허 문헌 3 : 특허 제4544914호 공보 특허 문헌 4 : 특허 제4652213호 공보 특허 문헌 5 : 특허 제4579041호 공보
그러나, 서브프탈로시아닌 등의 모노머 안료를, 고체 촬상 소자의 유기 광전 변환막 재료로서 사용한 경우, 내열성이 없고, 충분한 특성을 얻을 수가 없다.
본 개시는, 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것이고, 고체 촬상 소자의 유기 광전 변환막의 내열성을 향상시킬 수 있도록 하는 것이다.
본 개시의 실시예에 따른 촬상 소자는, 유기 광전 변환막에 의해 광전 변환하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소를 구비하고, 상기 유기 광전 변환막이 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 폴리머로 구성된 안료에 의해 형성되어 있다.
본 개시의 다른 실시예에 따른 전자 기기는, 유기 광전 변환막에 의해 광전 변환하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소를 구비하고, 상기 유기 광전 변환막이 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 폴리머로 구성된 안료에 의해 형성되어 있는 고체 촬상 소자를 구비한다.
본 개시의 실시예에서, 유기 광전 변환막에 의해 광전 변환하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소에서, 상기 유기 광전 변환막은, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 폴리머로 구성된 안료에 의해 형성된다.
본 개시의 또 다른 실시예에 따른 고체 촬상 소자는, 광전 변환하는 유기 광전 변환막을 포함하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소와, 상기 유기 광전 변환막에 포함되고, 2 이상의 중합된(polymerized) 모노머이며, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 안료를 포함한다.
본 개시의 또 다른 실시예에 따른 전자 기기는, 광전 변환하는 유기 광전 변환막을 포함하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소와, 상기 유기 광전 변환막에 포함되고, 2 이상의 중합된 모노머이며, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 안료를 포함하는 고체 촬상 소자를 포함한다.
고체 촬상 소자 및 전자 기기는, 독립한 장치라도 좋고, 다른 장치에 조립된 모듈이라도 좋다.
본 개시의 제1 및 제2의 측면에 의하면, 고체 촬상 소자의 유기 광전 변환막의 내열성을 향상시킬 수 있다.
또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 개시 중에 기재된 어느 하나의 효과라도 좋다.
도 1은 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 2는 제1의 실험을 위해 제작한 평가용 샘플을 설명하는 도면.
도 3a는 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체를 사용한 평가 샘플의 분광 특성을 도시하는 도면.
도 3b는 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체를 사용한 평가 샘플의 분광 특성을 도시하는 도면.
도 3c는 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체를 사용한 평가 샘플의 분광 특성을 도시하는 도면.
도 4a는 서브프탈로시아닌클로라이드를 사용한 경우를 이용한 평가 샘플의 분광 특성을 도시하는 도면.
도 4b는 서브프탈로시아닌클로라이드를 사용한 경우를 이용한 평가 샘플의 분광 특성을 도시하는 도면.
도 4c는 서브프탈로시아닌클로라이드를 사용한 경우를 이용한 평가 샘플의 분광 특성을 도시하는 도면.
도 5는 제2의 실험을 위해 제작한 평가용 샘플을 설명하는 도면.
도 6은 가열 전후의 디바이스의 외부 양자 효율의 변화율을 도시하는 도면.
도 7은 실험 결과를 설명하는 도면.
도 8은 실험 결과를 설명하는 도면.
도 9는 본 개시에 관한 고체 촬상 소자의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 10은 고체 촬상 소자의 화소의 단면도.
도 11은 본 개시에 관한 전자 기기로서의 촬상 장치의 구성례를 도시하는 블록도.
<μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체의 제조 방법>
본 개시는, 고체 촬상 소자의 유기 광전 변환막의 재료로서 알맞은, 자외로부터 적외 영역(102-106Å의 범위)에 흡광도를 갖는 폴리머로 구성된 안료에 관한 것이다. 본 개시에 관한 안료의 예로서, 처음에, μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체에 관해 설명한다.
도 1은, μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
서브프탈로시아닌 모노머인 서브프탈로시아닌클로라이드가, 황산 등의 산성 조건하에서, 가수분해에 의해 서브프탈로시아닌히드록시로 유도된다. 그리고, 서브프탈로시아닌히드록시가, 감압 조건하에서, 맨틀 히터를 이용하여 가열되고, 그 결과 얻어진 개체가 칼럼크로마토그래피 등의 정제 수단을 이용하여 정제됨에 의해, μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체가 얻어진다. 이하의 실험에서는, 서브프탈로시아닌 폴리머로서, 이상과 같이 하고 얻어진 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체를 승화정제장치에 의해 정제한 것을 사용하였다.
서브프탈로시아닌 폴리머는, 이하의 식(B1)으로 표시할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(상기 식(B1) 중, R1∼R12, M, X 및 Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R12은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환된 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R13은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R12은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R13은 M을 통하여, 또는, R1∼R12의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 서브프탈로시아닌, 또는 서브포르피린환과 결합하는 상기 R1∼R12에 사용되는 관능기군에서 선택되고, M은 붕소, 2가 금속, 또는 3가의 금속이고, X는 R13과 M이 직접 결합하지 않는 경우에 도입되는 아니온성 기 또는 M에 결합할 수 있는 상기 R1∼R12에 사용되는 관능기군에서 선택되고, Z는 N, CH, CR14로 표시되고, R14은 상기 R1∼R12에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
<분광 형상 변화의 실험>
처음에, 서브프탈로시아닌 폴리머와 서브프탈로시아닌 모노머의 가열시에 있어서의 분광 형상 변화를 평가하는 제1의 실험에 관해 설명한다.
제1의 실험에서는, 평가용 샘플로서, 도 2에 도시되는 샘플 11과 샘플 12를 이용하였다.
샘플 11은, 석영 기판(21)상에, 유기 박막(22)을 증착에 의해 성막한 것이고, 이 유기 박막(22)으로서, 모노머로서는 서브프탈로시아닌클로라이드, 폴리머로서는 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체를 사용하였다.
샘플 12는, 어닐 내구성이 요구된 실제 디바이스에 가까운 환경으로 하기 위해, 샘플 11의 유기 박막(22)의 위에, 다시, ITO(산화인듐주석)막(23)이 성막된 것이다. 유기 박막(22)과 ITO막(23)의 막두께는, 예를 들면, 50㎚ 정도로 하였다.
상기 제1의 실험에서는, 샘플 11과 12를, 가열 온도를 160℃ 또는 245℃로 설정하고, 가열시간을, 5분, 60분, 210분으로 하는 등, 가열 조건을 복수 설정하고, 가열 전후의 분광 특성을 측정하였다.
도 3a 내지 도 3는, 유기 박막(22)으로서 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체를 사용한 경우의, 가열 전후의 샘플 11 및 12의 분광 특성을 도시하고 있다.
한편, 도 4a 내지 도 4c는, 유기 박막(22)으로서 서브프탈로시아닌클로라이드를 사용한 경우의, 가열 전후의 샘플 11 및 12의 분광 특성을 도시하고 있다.
도 3a 및 도 4a는, 분광 스펙트럼을 도시하고, 도 3b 및 도 4b는, 흡광도(αmax)를 도시하고, 도 3c 및 도 4c는, 극대 흡수 파장(λmax)을 도시하고 있다.
분광 스펙트럼을 비교하면, 도 3a에 도시되는 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체에서는, 가열의 유무 및 어떤 가열 조건이라도 스펙트럼 형상이 거의 일치하고 있음에 대해, 도 4a에 도시되는 서브프탈로시아닌클로라이드에서는, 스펙트럼 형상이 가열 조건에 의해 변화하고 있다.
흡광도(αmax)와 극대 흡수 파장(λmax)에 관해서도 마찬가지로, μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체에서는, 가열의 유무 및 어떤 가열 조건이라도 값이 거의 변화하고 있지 않음에 대해, 서브프탈로시아닌클로라이드에서는, 가열 시간이 길어지면, 값이 가열 전과 크게 변화하여 버린다.
흡광도(αmax)는, 색의 진함의 지표가 되고, 극대 흡수 파장(λmax)은, 색미의 지표가 되는 것이기 때문에, 서브프탈로시아닌클로라이드를 유기 광전 변환막의 재료로서 사용하면, 색의 특성이 변화하여 버려, 바람직하지가 않다.
이에 대해, μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체에서는, 가열의 전후에 의한 변화가 거의 없기 때문에, 다중체화(multimerization)에 의해 분광 형상의 열안정성(내열성)이 향상하였다고 말할 수 있다.
<외부 양자 효율 변화의 실험>
다음에, 서브프탈로시아닌 폴리머와 서브프탈로시아닌 모노머의 가열시에 있어서의 외부 양자 효율 변화를 평가하는 제2의 실험에 관해 설명한다.
도 5는, 제2의 실험을 위해 제작한 평가용 샘플을 도시하고 있다.
상기 제2의 실험에는, 도 5에 도시되는 바와 같이, 유기 박막(22)을, 전극으로서의 ITO막(23)과 AlSiCu막(24)으로 끼운 구성의 디바이스(13)를 이용하였다. ITO막(23)의 막두께는, 예를 들면, 50㎚ 정도, 유기 박막(22)과 AlSiCu막(24)의 막두께는, 예를 들면, 100㎚ 정도로 하였다.
상기 디바이스(13)를 이용하여, 광원, 필터, 반도체 패러미터 애널라이저를 이용하여 외부 양자 효율의 변화율을 가열 전후에서 평가하였다. 구체적으로는, 디바이스(13)에 조사되는 광량을 0 내지 5㎼/㎠로 하고, 전극 사이에 인가되는 전압을 1V로 한 때의 암전류치, 명전류치에 의해 외부 양자 효율을 산출하였다.
도 6은, 제2의 실험 결과이고, 가열 전후의 디바이스(13)의 외부 양자 효율의 변화율을 도시하고 있다. 또한, 변화율은, 어닐 전의 외부 양자 효율의 값을 1로 하였을 때의 어닐 후의 외부 양자 효율의 비율로 나타내고 있다.
도 6에 도시되는 바와 같이, 서브프탈로시아닌클로라이드는, 어닐 후의 외부 양자 효율이 3할 정도가 될 때까지 감소함에 대해, μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체에 관해서는, 어닐 후도, 외부 양자 효율이 어닐 전의 8할 정도로 유지되고 있다. 따라서 다중체화에 의해 외부 양자 효율의 열적 열화가 억제되어 있음을 알 수 있다.
<실험 결과의 고찰>
상기 제1 및 상기 제2의 실험 결과에 관해 고찰한다.
서브프탈로시아닌 모노머에서는, 도 7에 도시되는 바와 같이, 가열에 의해, 분자의 마이그레이션이 생긴다. 그리고, 마이그레이션에 의해, 분자의 응집, 배향성 변화 등이 생긴다. 그 결과, 색미나 전기 특성 등의 디바이스 특성이 변화하거나, 디바이스의 변형이나 파괴 등이 일어나고 있다고 생각된다.
이에 대해, 서브프탈로시아닌 폴리머에서는, 도 8에 도시되는 바와 같이, 다중체화가 가열시의 열운동을 억제하고, 분자량 증대에 의해 응집 에너지가 증대한다. 그 결과, 분자 마이그레이션이 억제되고, 내열성이 향상한다고 생각된다.
또한, 서브프탈로시아닌 폴리머의 분자량은, 유기 박막의 성막 방법에 의해 제어가 필요하고, 증착인 경우에는 100 내지 2000 정도, 도포인 경우에는 2000 내지 100만 정도가 된다.
또한, 서브프탈로시아닌 폴리머는, 성막하기 이전 뿐만이 아니라, 성막한 이후에, 열, 광, 첨가제 등에 의해 형성할 수 있다. 열에 의한 다중체화의 방법으로는, 예를 들면, 가교기, 중합기를 갖는 안료를 증착하고, 성막한 후에 기판을 가열함에 의해 가교, 중합 반응을 열적으로 시작시킴에 의해 다중체화하는 방법이 있다. 광에 의한 다중체화의 방법으로, 예를 들면, 가교기, 중합기를 갖는 안료와 감광제를 증착하고, 성막한 후에 기판에 광을 조사함에 의해 가교, 중합 반응을 시작시킴에 의해 다중체화하는 방법이 있다. 첨가제에 의한 다중체화로는, 예를 들면, 첨가제와 반응하는 관능기를 갖는 안료와 첨가제를 증착하고, 성막한 후에 전술한 열이나 광 등에 의해 안료-첨가제 사이를 반응시켜서, 다중체화하는 방법이 있다.
이상과 같이, 종래, 컬러 필터의 안료 등에 사용되고 있는 모노머의 안료를 다중체화함에 의해, 열처리를 가하여도, 색미나 광전 변환 특성이 변화하는 일 없이, 내열성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 고체 촬상 소자의 유기 광전 변환막의 재료로서 알맞은 안료를 생성할 수 있다.
또한, 상술한 서브프탈로시아닌 이외에, 자외로부터 적외 영역(102-106Å의 범위) 에 흡광도를 가지며, 다중체화함에 의해 내열성을 향상시킬 수 있는 안료로서는, 프탈로시아닌, 서브포르피라진, 포르피라진, 퀴나크리돈, 페릴렌, 안트라퀴논, 인디고, 플러렌, 및, 쿠마린 등이 있다.
서브프탈로시아닌, 서브포르피라진, 포르피라진, 퀴나크리돈, 및, 페릴렌의 각 안료는, 흡수광이 녹색의 광, 발색광이 적색의 광이 되는 안료이다. 프탈로시아닌과 인디고의 각 안료는, 흡수광이 적색의 광, 발색광이 청색의 광이 되는 안료이다. 플러렌과 쿠마린의 각 안료는, 흡수광이 청색의 광, 발색광이 황색의 광이 되는 안료이다. 단, 색은 관능기에 의해 변화하기 때문에 이것으로 한하지 않는다.
프탈로시아닌 폴리머는, 이하의 식(B2)으로 표시할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
(상기 식(B2) 중, R1∼R16, M 및 Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R16은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R17은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R16은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R17은 M을 통하여, 또는, R1∼R16의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 프탈로시아닌, 또는 벤조포르피린환과 결합하는 상기 R1∼R16에 사용되는 관능기군에서 선택되고, M은 금속이고, Z는 N, CH, CR18로 표시되고, R18은 상기 R1∼R16에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
서브포르피라진 폴리머는, 이하의 식(B3)으로 표시할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
(상기 식(B3) 중, R1∼R7, M 및 Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R7은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R7은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R7은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R7은 M을 통하여, 또는, R1∼R6의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 서브포르피린, 또는 서브포르피라진환과 결합하는 상기 R1∼R6에 사용되는 관능기군에서 선택되고, M은 금속이고, Z는 N, CH, CR8로 표시되고, R8은 상기 R1∼R7에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
포르피라진 폴리머는, 이하의 식(B4)으로 표시할 수 있다.
[화학식 4]
Figure pct00004
(상기 식(B4) 중, R1∼R9, M 및 Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R9은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R9은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R9은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R9은 M을 통하여, 또는, R1∼R8의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 포르피린, 또는 포르피라진환과 결합하는 상기 R1∼R8에 사용되는 관능기군에서 선택되고, M은 금속이고, Z는 N, CH, CR10로 표시되고, R10은 상기 R1∼R9에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
퀴나크리돈 폴리머는, 이하의 식(B5)으로 표시할 수 있다.
[화학식 5]
Figure pct00005
(상기 식(B5) 중, R1∼R11, X는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R11은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R11은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R11은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R11은 X를 통하여, 또는, R1∼R10의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 퀴나크리돈환과 결합하는 상기 R1∼R10에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
페릴렌 폴리머는, 이하의 식(B6)으로 표시할 수 있다.
[화학식 6]
Figure pct00006
(상기 식(B6) 중, R1∼R13은 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R13은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R13은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R13은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R13은 R1∼R12의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 페릴렌환과 결합하는 상기 R1∼R12에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
안트라퀴논 폴리머는, 이하의 식(B7)으로 표시할 수 있다.
[화학식 7]
Figure pct00007
(상기 식(B7) 중, R1∼R9은 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R9은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R9은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R9은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R9은 R1∼R8의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 안트라퀴논환과 결합하는 상기 R1∼R8에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
인디고 폴리머는, 이하의 식(B8)으로 표시할 수 있다.
[화학식 8]
Figure pct00008
(상기 식(B8) 중, R1∼R9, X는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R9은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R9은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R9은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R9은 X를 통하여, 또는, R1∼R8의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 인디고환과 결합하는 상기 R1∼R8에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
플러렌 폴리머는, 이하의 식(B9)으로 표시할 수 있다.
[화학식 9]
Figure pct00009
(상기 식(B9) 중, R1∼R2은 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R2은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R2은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R2은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R2은 R1의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 플러렌과 결합하는 상기 R1에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
쿠마린 폴리머는, 이하의 식(B10)으로 표시할 수 있다.
[화학식 10]
Figure pct00010
(상기 식(B10) 중, R1∼R11, Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R11은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 인접한 임의의 R1∼R11은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R1∼R11은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 또한, R11은 R1∼R8의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 쿠마린환과 결합하는 상기 R1∼R10에 사용되는 관능기군에서 선택되고, Z는 O, S, CH, NH, CR12, NR13로 표시되고, R12∼R13은 상기 R1∼R9에 사용되는 관능기군에서 선택되고, 쿠마린환을 결합하기 위해, R12∼R13을 사용하여도 좋다)
<고체 촬상 소자의 개략 구성례>
도 9는, 상술한 다중체화한 안료를 광전 변환막의 재료로서 사용한 고체 촬상 소자의 개략 구성을 도시하고 있다.
도 9의 고체 촬상 소자(31)는, 반도체로서 예를 들면 실리콘(Si)을 이용한 반도체 기판(42)에, 화소(32)가 2차원 어레이형상으로 배열된 화소 어레이부(33)와, 그 주변의 주변 회로부를 갖고서 구성된다. 주변 회로부에는, 수직 구동 회로(34), 칼럼 신호 처리 회로(35), 수평 구동 회로(36), 출력 회로(37), 제어 회로(38) 등이 포함된다.
화소(32) 각각은, 광전 변환 소자로서의 포토 다이오드와, 복수의 화소 트랜지스터를 갖고서 이루어진다. 복수의 화소 트랜지스터는, 예를 들면, 전송 트랜지스터, 선택 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 및, 증폭 트랜지스터의 4개의 MOS 트랜지스터로 구성된다.
또한, 화소(32)는, 공유 화소 구조로 할 수도 있다. 이 화소 공유 구조는, 복수의 포토 다이오드와, 복수의 전송 트랜지스터와, 공유되는 하나의 플로팅 디퓨전(부유 확산 영역)과, 공유되는 하나씩의 다른 화소 트랜지스터로 구성된다. 즉, 공유 화소에서는, 복수의 단위 화소를 구성한 포토 다이오드 및 전송 트랜지스터가, 다른 하나씩의 화소 트랜지스터를 공유하여 구성된다.
제어 회로(38)는, 입력 클록과, 동작 모드 등을 지령하는 데이터를 수취하고, 또한 고체 촬상 소자(31)의 내부 정보 등의 데이터를 출력한다. 즉, 제어 회로(38)는, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 및 마스터 클록에 의거하여, 수직 구동 회로(34), 칼럼 신호 처리 회로(35) 및 수평 구동 회로(36) 등의 동작의 기준이 되는 클록 신호나 제어 신호를 생성한다. 그리고, 제어 회로(38)는, 생성한 클록 신호나 제어 신호를, 수직 구동 회로(34), 칼럼 신호 처리 회로(35) 및 수평 구동 회로(36) 등에 출력한다.
수직 구동 회로(34)는, 예를 들면 시프트 레지스터에 의해 구성되고, 화소 구동 배선(40)을 선택하고, 선택된 화소 구동 배선(40)에 화소(32)를 구동하기 위한 펄스를 공급하고, 행 단위로 화소(32)를 구동한다. 즉, 수직 구동 회로(34)는, 화소 어레이부(33)의 각 화소(32)를 행 단위로 순차적으로 수직 방향으로 선택 주사하고, 각 화소(32)의 광전 변환부에서 수광량에 응하여 생성된 신호 전하에 의거한 화소 신호를, 수직 신호선(39)을 통하여 칼럼 신호 처리 회로(35)에 공급한다.
칼럼 신호 처리 회로(35)는, 화소(32)의 열마다 배치되어 있고, 1행분의 화소(32)로부터 출력되는 신호를 화소열마다 노이즈 제거 등의 신호 처리를 행한다. 예를 들면, 칼럼 신호 처리 회로(35)는, 화소 고유의 고정 패턴 노이즈를 제거하기 위한 CDS(Correlated Double Sampling : 상관 2중 샘플링) 및 AD 변환 등의 신호 처리를 행한다.
수평 구동 회로(36)는, 예를 들면 시프트 레지스터에 의해 구성되고, 수평 주사 펄스를 순차적으로 출력함에 의해, 칼럼 신호 처리 회로(35)의 각각을 순번대로 선택하고, 칼럼 신호 처리 회로(35)의 각각으로부터 화소 신호를 수평 신호선(41)에 출력시킨다.
출력 회로(37)는, 칼럼 신호 처리 회로(35)의 각각으로부터 수평 신호선(41)을 통하여 순차적으로 공급되는 신호에 대해, 신호 처리를 행하여 출력한다. 출력 회로(37)는, 예를 들면, 버퍼링만 하는 경우도 있고, 흑레벨 조정, 열 편차 보정, 각종 디지털 신호 처리 등이 행하여지는 경우도 있다. 입출력 단자(43)은, 외부와 신호의 교환을 한다.
이상과 같이 구성된 고체 촬상 소자(31)는, CDS 처리와 AD 변환 처리를 행하는 칼럼 신호 처리 회로(35)가 화소열마다 배치된 칼럼 AD 방식이라고 불리는 CMOS 이미지 센서이다.
<고체 촬상 소자의 구성례>
도 10은, 도 9의 고체 촬상 소자(31)의 화소 어레이부(33) 내의 하나의 화소(32)의 단면도를 도시하고 있다.
고체 촬상 소자(31)는, 후술하는 포토 다이오드(PD1 및 PD2)가 형성된 반도체 기판(실리콘 기판)(42)의 이면(52)측부터 광이 입사되고, 반도체 기판(42)의 표면(53)측에 이른바 판독 회로 등을 포함하는 회로가 형성되어 있다. 반도체 기판(42)은, 제1 도전형, 예를 들면 p형의 반도체 기판으로 구성된다.
반도체 기판(42) 내에는, 이면(52)측부터 깊이 방향으로 적층되도록, 2개의 pn 접합을 갖는 무기 광전 변환부인 포토 다이오드(PD1)와 포토 다이오드(PD2)가 형성되어 있다. 반도체 기판(42) 내에서는, 면(52)측부터 깊이 방향을 향하여, 홀 축적층이 되는 p형 반도체 영역(54)과, 전하 축적층이 되는 n 반도체 영역(55)과, p형 반도체 영역(56)과, 전하 축적층이 되는 n형 반도체 영역(57)과, p형 반도체 영역(58)이 형성된다. n형 반도체 영역(55)을 전하 축적층으로 하는 포토 다이오드(PD1)가 형성되고, n형 반도체 영역(57)을 전하 축적층으로 하는 포토 다이오드(PD2)가 형성된다.
본 실시의 형태에서는, 포토 다이오드(PD1)가 청색용이 되고, 포토 다이오드(PD2)가 적색용인된다. n형 반도체 영역(55 및 57)의 각각에서는, 그 일부가 반도체 기판(42)의 표면(53)에 달하도록 연장하여 연장부(55a 및 57a)가 형성되어 있다. 연장부(55a 및 57a)는, 각각의 n형 반도체 영역(55 및 57)의 서로 반대측의 단부로부터 연장된다. 또한, 포토 다이오드(PD1)의 n형 반도체 영역(55), 및, 포토 다이오드(PD2)의 n형 반도체 영역(57)의 각각 표면(53)에 임(臨)하는 절연막과의 계면에, 홀 축적층이 되는 p형 반도체 영역(59)이 형성되어 있다.
한편, 포토 다이오드(PD1 및 PD2)가 형성된 영역의 이면(52)의 상층에, 절연막(61)을 통하여, 제1색용의 유기 광전 변환부(65)가 형성되어 있다. 유기 광전 변환부(65)는, 유기 광전 변환막(62)의 상하 양면을, 상부 전극(63)과 하부 전극(64a)으로 끼여서 구성된다. 상부 전극(63) 및 하부 전극(64a)은, 예를 들면, 산화인듐주석(ITO)막, 산화인듐아연막 등의 투명 도전막으로 형성된다. 절연막(61)으로서는, 예를 들면, 하프늄산화막과 같은, 부(負)의 고정 전하를 갖는 막을 이용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, p형 반도체 영역(54)과 절연막(61)과의 계면의 홀 축적 상태가 강화되기 때문에, 암전류의 발생을 억제하는데 유리해진다.
본 실시의 형태에서는, 유기 광전 변환부(65)는 녹색용이 되고, 유기 광전 변환막(62)의 재료로서, 상술한 서브프탈로시아닌 폴리머, 퀴나크리돈 폴리머 등의 다중체화된 안료가 사용된다.
또한, 이 예에서는, 색의 조합으로서, 유기 광전 변환부(65)를 녹색, 포토 다이오드(PD1)를 청색, 포토 다이오드(PD2)를 적색으로 하였지만, 기타의 색의 조합도 가능하다. 예를 들면, 유기 광전 변환부(65)를 적색 또는 청색으로 하고, 포토 다이오드(PD1) 및 포토 다이오드(PD2)를, 기타의 대응하는 색으로 설정할 수 있다. 이 경우, 색에 응하여 포토 다이오드(PD1 및 PD2)의 깊이 방향의 위치가 설정된다.
반도체 기판(42)의 이면(52)에는, 절연막(61)상에, 2분할된 투명한 하부 전극(64a 및 64b)이 형성되고, 양 하부 전극(64a 및 64b) 사이를 절연 분리하기 위한 절연막(66)이 형성되어 있다.
그리고, 일방의 하부 전극(64a)상에 유기 광전 변환막(62)과 그 위의 투명의 상부 전극(63)이 형성된다. 패터닝된 상부 전극(63)과 유기 광전 변환막(62)의 단면에, 보호용 절연막(67)이 형성되고, 그 상태에서, 다른 도전막에 의한 콘택트 메탈층(68)을 통하여 상부 전극(63)이, 타방의 하부 전극(64b)에 접속되어 있다.
보호용 절연막(67)을 형성함에 의해, 유기 광전 변환막(62)의 단면이 보호되고, 유기 광전 변환막(62)과 하부 전극(64b)과의 접촉을 억제할 수 있다. 상부 전극(63)은 일 함수를 고려하여 전극 재료가 선택되기 때문에, 유기 광전 변환막(62)의 단면 즉 측벽에서, 다른 전극 재료가 접촉하면, 유기 광전 변환막(62) 측벽에서의 암전류의 발생의 가능성이 있다. 또한, 유기 광전 변환막(62)과 상부 전극(63)은, 일관하여 성막되기 때문에, 고운 계면이 형성된다. 그러나, 드라이 에칭 등으로 패터닝한 후의 유기 광전 변환막(62)의 측벽은 고운 면이 아니고, 게다가 다른 전극 재료가 접촉하면, 계면이 나빠지고 암전류가 증가할 가능성이 있다.
유기 광전 변환부(65)와 콘택트 메탈층(68)의 위에, 평탄화막(69)을 통하여, 온 칩 렌즈(70)가 형성된다. 따라서 이 구조에서는, 컬러 필터가 형성되지 않는다.
1개의 화소(32) 내에는, 반도체 기판(42)을 관통하는 한 쌍의 도전성 플러그(71 및 72)가 형성되어 있다. 유기 광전 변환부(65)의 하부 전극(64a)은, 일방의 도전성 플러그(71)에 접속되고, 상부 전극(63)과 접속되어 있는 하부 전극(64b)은, 타방의 도전성 플러그(72)에 접속되어 있다.
도전성 플러그(71 및 72)로서는, 예를 들면, Si와의 단락을 억제하기 위해, SiO2 또는, SiN 절연층을 주변에 갖는 W 플러그, 또는, 이온 주입에 의한 반도체층 등에 의해 형성할 수 있다. 본 실시의 형태에서는, 신호 전하를 전자로 하고 있기 때문에, 도전성 플러그(71)는, 이온 주입에 의한 반도체층으로 형성하는 경우, n형 반도체층이 된다. 상부 전극(63)은 홀을 인발하기 위해 p형이 바람직하다.
본 예에서는, 유기 광전 변환부(65)에서 광전 변환된 전자·홀 쌍 중, 신호 전하가 되는 전자를 상부 전극(63) 및 도전성 플러그(72)를 통하여 축적하기 위해, 반도체 기판(42)의 표면(53)측에, 전하 축적용의 n형 반도체 영역(73)이 형성되어 있다.
반도체 기판(42)의 표면(53)측에는, 유기 광전 변환부(65), 포토 다이오드(PD1), 및, 포토 다이오드(PD2)의 각각에 대응하여, 판독 회로의 일부인 화소 트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다.
반도체 기판(42)의 표면(53)상에는, 층간 절연막(74)을 통하여 복수층의 배선(75)을 배치한 다층 배선층(76)이 형성되어 있다. 이 다층 배선층(76)에 지지 기판(77)이 맞붙여진다.
이상과 같이, 고체 촬상 소자(31)는, 반도체 기판(42)의 면(52)측부터 광을 수광하는 이면 조사형의 고체 촬상 소자이다. 또한, 고체 촬상 소자(31)는, 하나의 화소(32) 내에, 복수의 광전 변환부, 즉, 제1색용의 유기 광전 변환부(65), 제2색용의 포토 다이오드(PD1), 및, 제3색용의 포토 다이오드(PD2)를 종방향(깊이 방향)으로 적층한 종방향 분광형의 고체 촬상 소자이다.
이와 같은 고체 촬상 소자(31)의 유기 광전 변환부(65)의 유기 광전 변환막(62)의 재료로서, 상술한 서브프탈로시아닌 폴리머, 퀴나크리돈 폴리머 등의 다중체화된 안료가 사용된다. 다중체화된 안료는, 상술한 바와 같이 내열성이 개선되어 있기 때문에, 열처리를 가하여도, 색미나 광전 변환 특성이 변화하는 것을 방지할 수 있고, 고체 촬상 소자(31)의 유기 광전 변환막(62)의 재료로서 알맞다.
또한, 이면 조사형의 고체 촬상 소자로 한하지 않고, 표면 조사형의 고체 촬상 소자의 광전 변환막 재료로서, 다중체화한 안료를 사용하여도 물론 좋다.
<전자 기기에의 적용례>
본 개시에 관한 기술은, 고체 촬상 소자에의 적용으로 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 개시에 관한 기술은, 디지털 스틸 카메라나 비디오 카메라 등의 촬상 장치나, 촬상 기능을 갖는 휴대 단말 장치나, 화상 판독부에 고체 촬상 소자를 이용하는 복사기 등, 화상 취입부(광전 변환부)에 고체 촬상 소자를 이용하는 전자 기기 전반에 대해 적용 가능하다. 고체 촬상 소자는, 원칩으로서 형성된 형태라도 좋고, 촬상부와 신호 처리부 또는 광학계가 통합하여 팩키징된 촬상 기능을 갖는 모듈형상의 형태라도 좋다.
도 11은, 본 개시에 관한 전자 기기로서의, 촬상 장치의 구성례를 도시하는 블록도이다.
도 11의 촬상 장치(100)는, 렌즈군 등으로 이루어지는 광학부(101), 도 9의 고체 촬상 소자(31)의 구성이 채용되는 고체 촬상 소자(촬상 디바이스)(102), 및 카메라 신호 처리 회로인 DSP(Digital Signal Processor) 회로(103)를 구비한다. 또한, 촬상 장치(100)는, 프레임 메모리(104), 표시부(105), 기록부(106), 조작부(107), 및 전원부(108)도 구비한다. DSP 회로(103), 프레임 메모리(104), 표시부(105), 기록부(106), 조작부(107) 및 전원부(108)는, 버스 라인(109)을 통하여 상호 접속되어 있다.
광학부(101)는, 피사체로부터의 입사광(상광)을 취입하여 고체 촬상 소자(102)의 촬상면상에 결상한다. 고체 촬상 소자(102)는, 광학부(101)에 의해 촬상면상에 결상된 입사광의 광량을 화소 단위로 전기 신호로 변환하여 화소 신호로서 출력한다. 이 고체 촬상 소자(102)로서, 도 9의 고체 촬상 소자(31), 즉, 내열성이 향상된 광전 변환막 재료를 사용한, 종방향 분광형의 고체 촬상 소자를 이용할 수 있다.
표시부(105)는, 예를 들면, 액정 패널이나 유기 EL(Electro Luminescence) 패널 등의 패널형 표시 장치로 이루어지고, 고체 촬상 소자(102)에서 촬상된 동화 또는 정지화를 표시한다. 기록부(106)는, 고체 촬상 소자(102)에서 촬상된 동화 또는 정지화를, 하드 디스크나 반도체 메모리 등의 기록 매체에 기록한다.
조작부(107)는, 유저에 의한 조작하에, 촬상 장치(100)가 갖는 다양한 기능에 관해 조작 지령을 발한다. 전원부(108)는, DSP 회로(103), 프레임 메모리(104), 표시부(105), 기록부(106) 및 조작부(107)의 동작 전원이 되는 각종의 전원을, 이들 공급 대상에 대해 적절히 공급한다.
상술한 바와 같이, 고체 촬상 소자(102)로서, 상술한 실시의 형태에 관한 고체 촬상 소자(31)를 이용함으로써, 열처리에 의해 색미나 광전 변환 특성이 변화하는 것이 방지된다. 따라서, 비디오 카메라나 디지털 스틸 카메라, 나아가서는 휴대 전화기 등의 모바일 기기용 카메라 모듈 등의 촬상 장치(100)에서도, 촬상 화상의 고화질화를 도모할 수 있다.
상술한 예에서는, 제1 도전형을 p형, 제2 도전형을 n형으로 하여, 전자를 신호 전하로 한 고체 촬상 소자에 관해 설명하였지만, 본 기술은 정공을 신호 전하로 하는 고체 촬상 소자에도 적용할 수 있다. 즉, 제1 도전형을 n형으로 하고, 제2 도전형을 p형으로 하여, 전술한 각 반도체 영역을 반대의 도전형의 반도체 영역으로 구성할 수 있다.
본 개시의 실시의 형태는, 상술한 실시의 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 개시의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지의 변경이 가능하다.
예를 들면, 상술한 복수의 실시의 형태의 전부 또는 일부를 조합시킨 형태를 채용할 수 있다.
또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시로서 한정되는 것이 아니고, 본 명세서에 기재된 것 이외의 효과가 있어도 좋다.
또한, 본 개시는 이하와 같은 구성도 취할 수 있다.
(A1)
유기 광전 변환막에 의해 광전 변환하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소를 구비하고, 상기 유기 광전 변환막이, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 폴리머로 구성된 안료에 의해 형성되어 있는 고체 촬상 소자.
(A2)
상기 안료가, 이하의 식(A1)으로 표시할 수 있는 서브프탈로시아닌 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 소자.
[화학식 1]
Figure pct00011
(상기 식(A1) 중, R1∼R12, M, X 및 Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R12은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R13은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R12은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R13은 M을 통하여, 또는, R1∼R12의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 서브프탈로시아닌, 또는 서브포르피린환과 결합하는 상기 R1∼R12에 사용되는 관능기군에서 선택되고, M은 붕소, 2가의 금속, 또는 3가의 금속이고, X는 R13과 M이 직접 결합하지 않는 경우에 도입되는 아니온성 기 또는 M에 결합할 수 있는 상기 R1∼R12에 사용되는 관능기군에서 선택되고, Z는 N, CH, CR14로 표시되고, R14은 상기 R1∼R12에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A3)
상기 안료가, 이하의 식(A2)으로 표시할 수 있는 프탈로시아닌 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 2]
Figure pct00012
(상기 식(A2) 중, R1∼R16, M 및 Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R16은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R17은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R16은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R17은 M을 통하여, 또는, R1∼R16의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 프탈로시아닌, 또는 벤조포르피린환과 결합하는 상기 R1∼R16에 사용되는 관능기군에서 선택되고, M은 금속이고, Z는 N, CH, CR18로 표시되고, R18은 상기 R1∼R16에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A4)
상기 안료가, 이하의 식(A3)으로 표시할 수 있는 서브포르피라진 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 3]
Figure pct00013
(상기 식(A3) 중, R1∼R7, M 및 Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R7은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R7은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R7은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R7은 M을 통하여, 또는, R1∼R6의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 서브포르피린, 또는 서브포르피라진환과 결합하는 상기 R1∼R6에 사용되는 관능기군에서 선택되고, M은 금속이고, Z는 N, CH, CR8로 표시되고, R8은 상기 R1∼R7에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A5)
상기 안료가, 이하의 식(A4)으로 표시할 수 있는 포르피라진 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 4]
Figure pct00014
(상기 식(A4) 중, R1∼R9, M 및 Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R9은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R9은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R9은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R9은 M을 통하여, 또는, R1∼R8의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 포르피린, 또는 포르피라진환과 결합하는 상기 R1∼R8에 사용되는 관능기군에서 선택되고, M은 금속이고, Z는 N, CH, CR10로 표시되고, R10은 상기 R1∼R9에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A6)
상기 안료가, 이하의 식(A5)으로 표시할 수 있는 퀴나크리돈 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 5]
Figure pct00015
(상기 식(A5) 중, R1∼R11, X는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R11은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R11은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R11은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R11은 X를 통하여, 또는, R1∼R10의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 퀴나크리돈환과 결합하는 상기 R1∼R10에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A7)
상기 안료가, 이하의 식(A6)으로 표시할 수 있는 페릴렌 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 6]
Figure pct00016
(상기 식(A6) 중, R1∼R13은 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R13은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R13은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R13은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R13은 R1∼R12의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 페릴렌환과 결합하는 상기 R1∼R12에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A8)
상기 안료가, 이하의 식(A7)으로 표시할 수 있는 안트라퀴논 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 7]
Figure pct00017
(상기 식(A7) 중, R1∼R9은 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R9은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R9은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R9은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R9은 R1∼R8의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 안트라퀴논환과 결합하는 상기 R1∼R8에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A9)
상기 안료가, 이하의 식(A8)으로 표시할 수 있는 인디고 폴리머인인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 8]
Figure pct00018
(상기 식(A8) 중, R1∼R9, X는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R9은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R9은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R9은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R9은 X를 통하여, 또는, R1∼R8의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 인디고환과 결합하는 상기 R1∼R8에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A10)
상기 안료가, 이하의 식(A9)으로 표시할 수 있는 플러렌 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 9]
Figure pct00019
(상기 식(A9) 중, R1∼R2은 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R2은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 또한, R1∼R2은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 인접한 임의의 R1∼R2은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R2은 R1의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 플러렌과 결합하는 상기 R1에 사용되는 관능기군에서 선택된다)
(A11)
상기 안료가, 이하의 식(A10)으로 표시할 수 있는 쿠마린 폴리머인 (A1)에 기재된 고체 촬상 장치.
[화학식 10]
Figure pct00020
(상기 식(A10) 중, R1∼R11, Z는 각각 독립적으로 선택되고, R1∼R11은, 각각 독립적으로, H, 직쇄, 분기, 또는 환상 알킬, 페닐, 직쇄 또는 축환한 방향환, 파셜플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 할로겐화물, 실릴알킬, 실릴알콕시, 아릴실릴, 티오알킬, 티오아릴, 아릴술포닐, 알킬술포닐, 아미노, 알킬아미노, 아릴아미노, 히드록시, 알콕시, 아실아미노, 아실옥시, 카르복시, 카르복시아미드, 카르보알콕시, 아실, 술포닐, 시아노, 및 니트로로 이루어지는 군에서 선택되고, 인접한 임의의 R1∼R11은 축합 지방족환 또는 축합 방향환의 일부라도 좋고, 상기 환은 탄소 이외의 1개 또는 복수의 원자를 포함하고 있어도 좋고, 또한, R1∼R11은 비닐기, 알릴기, (메타)아크릴기, 글리시딜기, 아지리딘환, 이소시아네이트기, 공역 디엔, 산무수물, 산염화물, 카르보닐기, 수산기, 아미드기, 아미노기, 클로로메틸기, 에스테르기, 포르밀기, 니트릴기, 니트로기, 카르보디이미드기 또는 옥사졸린기의 어느 하나의 유기의 중합성 관능기라도 좋고, 또한, R11은 R1∼R8의 어느 하나의 부위를 통하여 하나 이상의 쿠마린환과 결합하는 상기 R1∼R10에 사용되는 관능기군에서 선택되고, Z는 O, S, CH, NH, CR12, NR13로 표시되고, R12∼R13은 상기 R1∼R9에 사용되는 관능기군에서 선택되고, 쿠마린환을 결합하기 위해, R12∼R13을 사용하여도 좋다)
(A12)
상기 화소에서는, 상기 유기 광전 변환부와, pn 접합을 갖는 무기 광전 변환부가, 반도체 기판의 깊이 방향으로 적층되어 있는 상기 (A1) 내지 (A11)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(A13)
상기 유기 광전 변환부는, 상기 유기 광전 변환막의 상하 양면을, 투명 전극으로 끼여서 구성되어 있는 상기 (A1) 내지 (A12)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(A14)
이면 조사형인 상기 (A1) 내지 (A13)의 어느 하나에 기재된 고체 촬상 소자.
(A15)
유기 광전 변환막에 의해 광전 변환하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소를 구비하고, 상기 유기 광전 변환막이, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 폴리머로 구성된 안료에 의해 형성되어 있는 고체 촬상 소자를 구비하는 전자 기기.
(B1)
유기 광전 변환막에 의해 광전 변환을 행하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소를 구비하고, 상기 유기 광전 변환막은, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 폴리머로 구성된 안료에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
(B2)
(B1)에 있어서, 상기 안료가 서브프탈로시아닌 폴리머인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
(B3)
광전 변환하는 유기 광전 변환막을 포함하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소와, 상기 유기 광전 변환막에 포함되고, 2 이상의 다중체화된(polymerized) 모노머이며, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
(B4)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 이하의 식을 갖는 서브프탈로시아닌 유도체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
Figure pct00021
(B5)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 이하의 식을 갖는 퀴나크리돈 유도체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
Figure pct00022
(B6)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 이하의 식을 갖는 페릴렌 유도체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
Figure pct00023
(B7)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 서브프탈로시아닌 폴리머, 퀴나크리돈 폴리머, 또는 페릴렌 폴리머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B8)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 서브프탈로시아닌 올리고머, 퀴나크리돈 올리고머, 또는 페릴렌 올리고머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B9)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 적어도 3개의 다중체화된(polymerized) 모노머인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B10)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 서브프탈로시아닌 2량체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B11)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 퀴나크리돈 2량체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B12)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 페릴렌 2량체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B13)
(B3)에 있어서,
상기 안료는 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B14)
(B3)에 있어서,
청색 및 적색 파장의 광을 흡수하도록 화소가 위에 배치된 실리콘 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B15)
(B3)에 있어서,
녹색 파장의 광을 흡수하도록 화소가 위에 배치된 실리콘 기판을 더 포함하고, 상기 안료는 서브프탈로시아닌, 퀴나크리돈 중의 하나인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
(B16)
광전 변환하는 유기 광전 변환막을 포함하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소와, 상기 유기 광전 변환막에 포함되고, 2 이상의 다중체화된(polymerized) 모노머이며, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 안료를 포함하는 고체 촬상 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
(B17)
(B16)에 있어서,
상기 안료는 이하의 식을 갖는 서브프탈로시아닌 유도체인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
Figure pct00024
(B18)
(B16)에 있어서,
상기 안료는 이하의 식을 갖는 퀴나크리돈 유도체인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
Figure pct00025
(B19)
(B16)에 있어서,
상기 안료는 이하의 식을 갖는 페릴렌 유도체인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
Figure pct00026
(B20)
(B16)에 있어서,
상기 안료는 서브프탈로시아닌 폴리머, 퀴나크리돈 폴리머, 또는 페릴렌 폴리머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
(B21)
(B16)에 있어서,
상기 안료는 서브프탈로시아닌 올리고머, 퀴나크리돈 올리고머, 또는 페릴렌 올리고머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
(B22)
(B16)에 있어서,
상기 안료는 적어도 3개의 다중체화된(polymerized) 모노머인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
여기서 사용된 용어 및 설명은, 본 발명에 관한 실시 형태를 설명하기 위해 사용된 것이고, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 청구의 범위 내라면, 그 정신을 일탈하는 것이 아닌 한 어떠한 설계적 변경도 허용하는 것이다.
22 : 유기 박막
31 : 고체 촬상 소자
32 : 화소
42 : 반도체 기판
62 : 유기 광전 변환막
63 : 상부 전극
64a : 하부 전극
65 : 유기 광전 변환부
PD1, PD2 : 포토 다이오드
101 : 촬상 장치
102 : 고체 촬상 소자

Claims (20)

  1. 광전 변환하는 유기 광전 변환막을 포함하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소,
    상기 유기 광전 변환막에 포함되고, 2 이상의 다중체화된(polymerized) 모노머이며, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 안료를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 이하의 화학식을 갖는 서브프탈로시아닌 유도체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
    Figure pct00027
  3. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 이하의 화학식을 갖는 퀴나크리돈 유도체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
    Figure pct00028
  4. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 이하의 화학식을 갖는 페릴렌 유도체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
    Figure pct00029
  5. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 서브프탈로시아닌 폴리머, 퀴나크리돈 폴리머, 또는 페릴렌 폴리머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 서브프탈로시아닌 올리고머, 퀴나크리돈 올리고머, 또는 페릴렌 올리고머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 적어도 3개의 다중체화된(polymerized) 모노머인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 서브프탈로시아닌 2량체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 퀴나크리돈 2량체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 페릴렌 2량체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 안료는 μ-옥소-서브프탈로시아닌 2량체인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    청색 및 적색 파장의 광을 흡수하도록 화소가 위에 배치된 실리콘 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    녹색 파장의 광을 흡수하도록 화소가 위에 배치된 실리콘 기판을 더 포함하고, 상기 안료는 서브프탈로시아닌, 퀴나크리돈 중의 하나인 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  14. 광전 변환하는 유기 광전 변환막을 포함하는 유기 광전 변환부를 갖는 화소와, 상기 유기 광전 변환막에 포함되고, 2 이상의 다중체화된(polymerized) 모노머이며, 자외 영역으로부터 적외 영역까지의 흡광도를 갖는 안료를 포함하는 고체 촬상 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 안료는 이하의 화학식을 갖는 서브프탈로시아닌 유도체인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
    Figure pct00030
  16. 제14항에 있어서,
    상기 안료는 이하의 화학식을 갖는 퀴나크리돈 유도체인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
    Figure pct00031
  17. 제14항에 있어서,
    상기 안료는 이하의 화학식을 갖는 페릴렌 유도체인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
    Figure pct00032
  18. 제14항에 있어서,
    상기 안료는 서브프탈로시아닌 폴리머, 퀴나크리돈 폴리머, 또는 페릴렌 폴리머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 안료는 서브프탈로시아닌 올리고머, 퀴나크리돈 올리고머, 또는 페릴렌 올리고머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 안료는 적어도 3개의 다중체화된(polymerized) 모노머인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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