JP2007336362A - 情報読み取り装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の波長域の光で照明された印刷物40を撮像する撮像素子14からの撮像信号に基づいて、印刷物40に含まれる第1の波長域と同等又はそれよりも狭い第2の波長域の光を吸収する部位で表される情報を読み取る情報読み取り装置であって、撮像素子14が、印刷物40の同一位置からの光を受光して電気信号に変換する積層された2つの光電変換素子を含む画素部100を多数備え、2つの光電変換素子が、第2の波長域に感度を有する第1の光電変換素子と、第2の波長域を含み且つ第2の波長域よりも広い第3の波長域に感度を有する第2の光電変換素子であり、第1の光電変換素子から得られる第1の撮像信号と第2の光電変換素子から得られる第2の撮像信号とに基づいて前記情報を生成して出力する信号処理部30を備える。
【選択図】図1
Description
図1に示す情報読み取り装置は、被写体である印刷物40を撮像する撮像部10と、撮像部10からの撮像信号のゲインを制御し、デジタル変換するゲイン制御・A/D変換部20と、ゲイン制御・A/D変換部20からの撮像信号を用いて所定の信号処理を行う信号処理部30とを備える。印刷物40には、第1の波長域である赤外域の特定の範囲(例えば、波長が約760nm〜約960nmの範囲)と同等又はそれよりも狭い第2の波長域(例えば、波長が約820nm〜約910nmの範囲)の光を吸収するインク等でドットパターン等のマークが印字されている。
図2に示すように、撮像素子14は、行方向とこれに直交する列方向に配列された多数の画素部100を備える。画素部100は、印刷物40の同一位置からの光を受光して電気信号に変換する積層された2つの光電変換素子(第1の光電変換素子と第2の光電変換素子)を含む。
信号読み出し部4は、pウェル層2内に形成されたn型不純物領域によって構成され、光電変換層7で発生した電荷を蓄積する蓄積ダイオード44と、ドレインが蓄積ダイオード44に接続され、ソースが電源Vnに接続されたリセットトランジスタ43と、ゲートがリセットトランジスタ43のドレインに接続され、ソースが電源Vccに接続された出力トランジスタ42と、ソースが出力トランジスタ42のドレインに接続され、ドレインが信号出力線45に接続された行選択トランジスタ41と、ドレインがn領域3に接続され、ソースが電源Vnに接続されたリセットトランジスタ46と、ゲートがリセットトランジスタ46のドレインに接続され、ソースが電源Vccに接続された出力トランジスタ47と、ソースが出力トランジスタ47のドレインに接続され、ドレインが信号出力線49に接続された行選択トランジスタ48とを備える。
第1の光電変換素子は、図5の細い実線で示したように、第2の波長域に感度を有するものであり、このような感度を実現するための光電変換層7の材料としては、ナフタロシアニンやフタロシアニン等のフタロシアニン系化合物が挙げられる。
赤外色素が形成する膜は、アモルファス状態、液晶状態、及び結晶状態のいずれでも良い。結晶状態で用いる場合は、顔料を用いることが好ましい。
一般式(I)においてMは水素原子、又は金属原子を表す。Mとして好ましくは金属原子であり、金属原子を表す場合は安定な錯体を形成するものであれば金属はいかなるものでも良く、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Ba、Al、Si、Cd、Hg、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Pd、Cd、Sn、Pt、Pb、Sr、VまたはMnなどを使用することができる。好ましくはMg、Ca、Co、Zn、Pd、VまたはCuが用いられ、より好ましくはCo、Pd、Zn、VまたはCuが用いられ、特に好ましくはCuまたはVが用いられる。なお、Mが水素原子である場合は、一般式(I)は下記であらわされる。
本発明において、特定の部分を「基」と称した場合には、当該部分はそれ自体が置換されていなくても、一種以上の(可能な最多数までの)置換基で置換されていても良いことを意味する。例えば、「アルキル基」とは置換または無置換のアルキル基を意味する。また、本発明における化合物に使用できる置換基は、置換の有無にかかわらず、どのような置換基でも良い。
より具体的には、アルキルカルボニルアミノスルホニル基(例えば、アセチルアミノスルホニル)、アリールカルボニルアミノスルホニル基(例えば、ベンゾイルアミノスルホニル基)、アルキルスルホニルアミノカルボニル基(例えば、メチルスルホニルアミノカルボニル)、アリールスルホニルアミノカルボニル基(例えば、p−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル)が挙げられる。
Mは一般式(I)と同義であり、同様のものが挙げられ同様のものが好ましい。R1、R4、R5、R8、R9、R12、R13、R16は一般式(I)と同義であり、同様の置換基が挙げられる。R1、R4、R5、R8、R9、R12、R13、R16として好ましくは水素原子、又はアルコキシ基であり、さらに好ましくは水素原子である。X1〜X16はそれぞれ独立して水素原子、又は置換基である。置換基としては、前述のWが挙げられる。X1〜X16として好ましくは水素原子である。
ただし本発明は以下の例に限定されるものではない。
図6(a),(b)に示すように、印刷物40のうちマークが印字されている部分では、光源11からの光が吸収されるため、分光反射率Rは0.1となり、印字のなされていない部分では、光源11からの光が反射されるため、分光反射率Rは0.9となる。又、図6(c),(d)に示すように、第1の光電変換素子は印字部分の吸収波長域と同じ第2の波長域に感度を有し、第2の光電変換素子は印字部分の吸収波長域を含み且つそれよりも広い範囲の第3の波長域に感度を有している。図6(a)〜(d)に示した各波形を、波長λを変数とする関数A(λ),B(λ),C(λ),D(λ)とすると、図7に示すように、第1の光電変換素子で印刷物40を撮像したときの、印字ありの部分と印字なしの部分とのコントラスト比は1:9となり、第2の光電変換素子で印刷物40を撮像したときの印字ありの部分と印字なしの部分とのコントラスト比は1:1.22となる。
図8は、第1の信号処理パターンを実現するためのゲイン制御・A/D変換部20と信号処理部30の内部ブロックを示す図である。
ゲイン制御・A/D変換部20は、第2の光電変換素子からの撮像信号のゲインを制御し、A/D変換するブロック20aと、第1の光電変換素子からの撮像信号のゲインを制御し、A/D変換するブロック20bとを含む。信号処理部30は、特許請求の範囲の情報出力手段として機能する。
図9は、第2の信号処理パターンを実現するためのゲイン制御・A/D変換部20と信号処理部30の内部ブロックを示す図である。図9において図8と同様の構成には同一符号を付してある。図9に示す構成は、図8に示した除算部32を減算部34に変更したものである。減算部34は、特許請求の範囲の輝度シェーディング補正手段として機能する。
図10は、第3の信号処理パターンを実現するためのゲイン制御・A/D変換部20と信号処理部30の内部ブロックを示す図である。図10において図8と同様の構成には同一符号を付してある。図10に示す構成は、図8に示した除算部32を削除し、二次元ローパスフィルタ31から出力された撮像信号と、ブロック20bから出力された撮像信号とが二値化処理部33に直接入力されるようにしたものである。
図11は、第4の信号処理パターンを実現するためのゲイン制御・A/D変換部20と信号処理部30の内部ブロックを示す図である。図11において図8と同じ構成には同一符号を付してある。図11に示す構成は、図8に示したブロック20aを削除し、ブロック20bから出力された撮像信号を二次元ローパスフィルタ31の入力としたものである。
図11の二次元ローパスフィルタ31は、ブロック20bから出力された撮像信号に含まれるノイズを除去する。図11の除算部32は、ブロック20bから出力された撮像信号を、二次元ローパスフィルタ31から出力された撮像信号で割り算することで、ブロック20bから出力された撮像信号に発生している輝度シェーディングを補正する。
11 光源
12 赤外透過フィルタ
13 光学系
14 撮像素子
20 ゲイン制御・A/D変換部
30 信号処理部
40 印刷物
100 画素部
Claims (15)
- 第1の波長域の光で照明された被写体を撮像する撮像素子を有し、前記撮像素子からの撮像信号に基づいて、前記被写体に含まれる前記第1の波長域と同等又はそれよりも狭い第2の波長域の光を吸収する部位で表される情報を読み取る情報読み取り装置であって、
前記撮像素子が、積層された2つの光電変換素子を含む画素部を多数備えたものからなり、前記2つの光電変換素子が、前記被写体の同一位置からの光を受光して各々電気信号に変換する積層型撮像素子であり、
前記2つの光電変換素子が、前記第2の波長域に感度を有する第1の光電変換素子と、前記第2の波長域を含み且つ前記第2の波長域よりも広い第3の波長域に感度を有する第2の光電変換素子であり、
前記第1の光電変換素子から得られる第1の撮像信号と、前記第2の光電変換素子から得られる第2の撮像信号とに基づいて前記情報を生成して出力する情報出力手段を備える情報読み取り装置。 - 請求項1記載の情報読み取り装置であって、
前記情報出力手段が、前記第1の光電変換素子から得られる第1の撮像信号に発生している輝度シェーディングを、前記第2の光電変換素子から得られる第2の撮像信号に基づいて補正する輝度シェーディング補正手段と、前記補正後の前記第1の撮像信号から前記情報を生成する情報生成手段とを備える情報読み取り装置。 - 請求項2記載の情報読み取り装置であって、
前記輝度シェーディング補正手段が、前記第1の撮像信号を前記第2の撮像信号で割った値を、前記補正後の前記第1の撮像信号とする情報読み取り装置。 - 請求項2記載の情報読み取り装置であって、
前記輝度シェーディング補正手段が、前記第1の撮像信号から前記第2の撮像信号を引いた値を、前記補正後の前記第1の撮像信号とする情報読み取り装置。 - 請求項2〜4のいずれか1項記載の情報読み取り装置であって、
前記情報生成手段が、前記補正後の前記第1の撮像信号を所定値を基準として2値化した値に基づいて、前記情報を生成する情報読み取り装置。 - 請求項5記載の情報読み取り装置であって、
前記所定値が、前記補正後の前記第1の撮像信号の最大値と最小値の中間値、前記補正後の前記第1の撮像信号の平均値、又は前記補正後の前記第1の撮像信号のヒストグラムの中間値である情報読み取り装置。 - 請求項1記載の情報読み取り装置であって、
前記情報出力手段が、前記第1の撮像信号を、前記第2の撮像信号を基準として2値化した値に基づいて前記情報を生成する情報読み取り装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項記載の情報読み取り装置であって、
前記情報出力手段が、前記第2の撮像信号に含まれるノイズ成分を除去するノイズ除去手段を備え、
前記情報出力手段が前記情報を生成するために用いる前記第2の撮像信号は、前記ノイズ除去手段によるノイズ成分除去後の第2の撮像信号である情報読み取り装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項記載の情報読み取り装置であって、
前記第1の光電変換素子が、半導体基板上方に積層された一対の電極と、前記一対の電極の間に設けられた有機光電変換層とを備えて構成され、
前記第2の光電変換素子が、前記半導体基板内に形成されたフォトダイオードである情報読み取り装置。 - 請求項9記載の情報読み取り装置であって、
前記第2の光電変換素子上方に設けられた前記第3の波長域の光のみを透過させる光学フィルタを備える情報読み取り装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項記載の情報読み取り装置であって、
前記第1の波長域が赤外域の特定の範囲である情報読み取り装置。 - 請求項9又は10記載の情報読み取り装置であって、
前記第1の波長域が赤外域の特定の範囲である情報読み取り装置。 - 請求項12記載の情報読み取り装置であって、
前記有機光電変換層が、フタロシアニン系化合物で構成される情報読み取り装置。 - 請求項1〜13のいずれか1項記載の情報読み取り装置であって、
前記第3の波長域が赤外域である情報読み取り装置。 - 請求項1〜14のいずれか1項記載の情報読み取り装置であって、
前記被写体を照明する光源がLEDである情報読み取り装置。
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