KR20160061829A - 유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 EIA 규격에서 명시한 X5R, X7R, 그리고 X8R 특성을 만족하는 유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 모재 파우더에 환경에 유해한 납 (Pb)을 사용하지 않으면서도, 큐리온도 상승 및 고온부 유전율이 평탄해지는 특성을 구현할 수 있고, X8R 온도 특성 및 양호한 고온내전압 특성을 만족시킬 수 있다.

Description

유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자{DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 EIA 규격에서 명시한 X5R, X7R, 그리고 X8R 특성을 만족하는 유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자에 관한 것이다.
기존의 X5R, X7R 혹은 X8R등의 고용량 BME 적층세라믹캐패시터의 유전체재료의 조성 시스템은 주성분 재료인 BaTiO3 혹은 (Ba1-xCax)(Ti1-yCay)O3, 등의 모재에 대략 4부류 이상의 첨가제 부성분들을 필수적으로 포함한다. 첨가제 부성분 중에서 가장 큰 비율을 차지하는 것은 원자가고정 억셉터 (fixed-valence acceptor)인 Mg 등과 희토류 원소 (rare-earth elements)이며, 그 외에 원자가가변 억셉터 (variable-valence acceptor)가 이들 양보다 소량 첨가되고, 소결성 증진을 위해 소결조제(sintering aids)가 포함되게 된다. 이와 같은 기존의 조성시스템은 공통적으로 희토류원소 (rare-earth element) 및 원자가고정 억셉터 (fixed-valence acceptor)인 Mg 등이 BaTiO3와 반응하여 코어-쉘 구조를 형성하며, 이는 정상적인 적층세라믹캐패시터의 특성구현을 위해 필요하다. BaTiO3 모재를 적용하여 큐리온도를 상승시키기 위해서는 CaZrO3를 첨가하거나 과량의 희토류 원소를 첨가하여 큐리온도 이상에서 유전율의 감소정도를 완화시키는 방법이 알려져 있다.
일본공개특허 2008-011254
Yoon et al., J. Mater. Res., 22[9] 2539 (2007)
본 발명은 EIA 규격에서 명시한 X5R, X7R, 그리고 X8R 특성을 만족하는 유전체 자기조성물로서, 니켈을 내부전극으로 사용하고 1300℃ 이하에서 상기 니켈이 산화되지 않는 환원분위기에서 소성이 가능한 유전체 자기조성물과 이를 이용한 전자소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에서는 BaTiO3와 (Na,K)NbO3를 적정비율로 혼합하거나, 고용체를 형성하도록 하고, SiO2 및 MnO2를 소량 첨가하여 소결체를 제작함으로써 상온에서 1500 이상의 비교적 높은 유전율을 유지할 수 있도록 하고, 동시에 X8R 온도특성을 충족시킬 수 있도록 한다.
본 발명에 따르면, 모재 파우더에 환경에 유해한 납 (Pb)을 사용하지 않으면서도, 큐리온도 상승 및 고온부 유전율이 평탄해지는 특성을 구현할 수 있고, X8R 온도 특성 및 양호한 고온내전압 특성을 만족시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명은 150도까지 온도 특성 및 신뢰성이 보증되는 X8R 특성을 충족시키는 신규 유전체 자기조성물에 관한 것이다.
고용량 Ni-MLCC의 주 재료인 BaTiO3의 경우 큐리온도 (TC)가 125도 부근이며, 이 온도이상에서는 유전율이 급격하게 낮아지는 현상이 있으므로, 150도까지 용량 온도특성을 X8R 규격 ±15% 이내로 맞추기 위해서는 이에 맞는 조성이 요구된다.
예를 들면, BaTiO3 모재에 희토류 원소를 과량 첨가하여 큐리온도 이상에서 유전율 감소정도를 완화시키거나, CaZrO3를 적정량 첨가하면 큐리온도가 상승하여 고온부 TCC (Temperature Coefficient of Capacitance)가 개선될 수 있다는 보고가 있다 (일본공개특허 2001-279534, 2004-73856 등). 그러나 희토류를 과량 첨가하는 경우 Pyrochlore라는 이차상이 생성되어 신뢰성이 저하되는 문제가 있으며 (Yoon et al., J. Mater. Res., 22[9] 2539 (2007)), 큐리온도가 125도인 BaTiO3 모재에 희토류를 과량으로 첨가하거나, CaZrO3를 첨가하는 경우, X8R 특성을 만족한다고 하더라도 우수한 고온부 TCC 특성을 얻는데 한계가 있다.
또 다른 방법으로, 큐리 온도가 높은 파우더를 적용하여 고온부 TCC를 개선할 수 있다. Ca이 ABO3 Perovskite 구조의 A-site에 고용이 되면 큐리 온도가 올라가는 것으로 알려져 있으며, 이러한 Ca이 고용된 BaTiO3 (BCT) 파우더를 적용하면 고온부 TCC 특성을 향상시킬 수 있어 X8R 재료로서의 가능성이 제시된 바가 있다. (Yoon et al., J. Mater. Res., 25[11] 2135 (2010)). 고상법으로 공기 중에서 하소하여 BaTiO3를 합성하는 경우, 큐리온도를 높일 수 있는 원소로 현재까지 알려진 것은 앞서 말한 Ca 이외에 Pb도 있다. 그런데 Pb의 경우 유해물질로 분류되어 있고, Ni-적층세라믹 캐패시터와 같이 환원분위기에서 소성하는 경우 쉽게 휘발하는 문제가 발생하여 공정상 적용하기가 곤란하다.
본 발명은 BaTiO3와 (Na,K)NbO3를 적정 비율로 혼합하거나 고용체를 형성하고, SiO2 및 MnO2를 소량 첨가하여 소결체를 제작함으로써, 유전율이 1500 이상이고 절연저항이 우수하며 X8R 온도특성을 구현할 수 있는 자기조성물을 제시한다. 즉, CaZrO3나 과량의 희토류 원소를 첨가하지 않아도 X8R 특성 구현이 가능하며 기존의 BaTiO3 모재를 적용한 경우에 비해 보다 양호한 고온부 TCC 특성 구현이 가능하다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 주성분 BaTiO3와 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3의 고용체인 (1-x)BaTiO3-x(Na1-yKy)NbO3(0.005≤x≤0.5, 0.3≤y≤1.0)를 주성분으로 하고, Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 포함하는 제1 부성분, 및 SiO2 또는 이를 포함하는 유리 형성 물질을 제2 부성분으로 포함하는 유전체 자기조성물이 제공된다.
상기에서 x 및 y의 범위는 상기 조성 및 본 발명의 실시예에 따라 도출된 표 1과 표 2의 실험결과를 바탕으로 하고 있다.
유전체 자기 조성물은, 제1주성분 BaTiO3와 제2주성분 (Na,K)NbO3를 혼합 고용하여 모재를 구성하고, 첨가제로는 제1부성분인 원자가가변 억셉터 (variable-valence acceptor) 원소 산화물 혹은 탄산염, 제2부성분인 SiO2를 포함한다. 상기 합성된 모재는 파우더의 형태로서, 그 입자크기는 1.0㎛ 이하가 바람직하다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 부성분은 Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn로 이루어진 군에서 선택되는 원소의 산화물 또는 탄산염일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 부성분은 MnO2 또는 MnCO3일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 부성분의 함량은 0.1~5.0at%일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 부성분 중 SiO2의 함량이 0.1~5.0at%일 수 있다.
상기에서 각 성분의 함량 범위는 하기 표 1 및 표 2의 실험결과를 바탕으로 한 것이다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 유전체 자기조성물을 이용하여 형성된 유전체를 포함하는 전자소자가 제공될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 전자소자는 적층세라믹 캐패시터, 압전 소자, 칩인덕터, 칩 배리스터, 칩저항 및 PTCR (Positive Temperature Coefficient Resistor) 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.
특히 본 발명의 유전체 자기조성물은 적층형 유전체 제품, 내부 전극층, 예를 들면, Ni 내부 전극층과 유전체층이 교대로 적층되어진 제품에 사용이 가능하다. 너무 얇은 두께의 유전체층은 한층 내에 존재하는 결정립 수가 작아 신뢰성에 나쁜 영향을 미칠 수 있으므로, 유전체 층의 두께는 소성 후, 0.1㎛ 이상의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.
[실시예]
모재파우더인 주성분 (1-x)BaTiO3-x(Na1-yKy)NbO3 혼합 고용체 파우더는 다음과 같이 고상법을 적용하여 제조하였다. 출발원료는 BaCO3, TiO2, Na2O, K2O, Nb2O5 이다. 먼저 BaCO3와 TiO2를 볼밀로 혼합하고 900~1000℃ 범위에 하소하여 평균입자 크기 300nm의 BaTiO3 파우더를 준비하였다. 유사한 방법으로 Na2O, K2O, 그리고 Nb2O5 볼밀 혼합하고 800~900℃ 범위에서 하소하여 평균입자 크기 300nm의 (Na0.5K0.5)NbO3 파우더를 준비하였다. 하기 표 1에 명시된 조성비에 맞게 이들을 에탄올에 분산 및 혼합시켰다. 이 혼합된 파우더들을 공기 중 950~1050℃ 범위에서 하소하여 평균입자 크기 300 nm 정도의 모재파우더를 제작하였다. 이와 같은 주성분 모재파우더에 부성분 첨가제 MnO2와 SiO2 파우더를 표 1에 명시된 조성비에 맞게 첨가한 후, 주성분과 부성분이 포함된 원료 분말을 지르코니아 볼을 혼합/분산 메디아로 사용하고 에탄올/톨루엔과 분산제 및 바인더를 혼합한 후, 20 시간 동안 볼밀링 하였다. 제조된 슬러리는 닥터 블레이드 방식의 코터를 이용하여 10 ㎛의 두께로 성형시트를 제조하였다.
상기 제조된 성형시트에는 Ni 내부전극을 인쇄하였다. 상하 커버는 커버용 시트를 25 층으로 적층하여 제작하였고, 21 층의 인쇄된 활성시트를 가압하며 적층하여 바(bar)를 제작하였다. 압착바는 절단기를 이용하여 3.2mm x 1.6mm 크기의 칩으로 절단하였다. 제작이 완료된 3216 크기의 적층세라믹 캐패시터 (MLCC) 칩은 가소를 행한 후 환원분위기 0.1%H2/99.9%N2 (H2O/H2/N2 분위기)에서 1200 ~ 1300℃의 온도에서 2 시간 소성 뒤, 1000℃에서 N2 분위기에서 재산화를 3 시간 동안 열처리하였다. 소성된 칩에 대해 Cu 페이스트로 터미네이션 공정 및 전극 소성을 거쳐 외부전극을 완성하였다.
실시예 모재　각　성분　몰비율
(1-x)BaTiO3 + x(Na1-yKy)NbO3 		모재　BT-NKN 100 몰 당　
각　첨가제의 몰 수
제1주성분 제2주성분 1부성분 2부성분
BaTiO3
(1-x)		 (Na1-yKy)NbO3
(x)		 y MnO2 SiO2
1 1.000 0.000 0.500 0.50 0.50
2 0.995 0.005 0.500 0.50 0.50
3 0.990 0.010 0.500 0.50 0.50
4 0.980 0.020 0.500 0.50 0.50
5 0.970 0.030 0.500 0.50 0.50
6 0.950 0.050 0.500 0.50 0.50
7 0.900 0.100 0.500 0.50 0.50
8 0.800 0.200 0.500 0.50 0.50
9 0.700 0.300 0.500 0.50 0.50
10 0.600 0.400 0.500 0.50 0.50
11 0.500 0.500 0.500 0.50 0.50
12 0.400 0.600 0.500 0.50 0.50
13 0.950 0.050 0.500 0.00 0.50
14 0.950 0.050 0.500 0.10 0.50
15 0.950 0.050 0.500 0.30 0.50
16 0.950 0.050 0.500 1.00 0.50
17 0.950 0.050 0.500 2.00 0.50
18 0.950 0.050 0.500 5.00 0.50
19 0.950 0.050 0.500 7.00 0.50
20 0.950 0.050 0.500 0.50 0.00
21 0.950 0.050 0.500 0.50 0.10
22 0.950 0.050 0.500 0.50 1.00
23 0.950 0.050 0.500 0.50 2.00
24 0.950 0.050 0.500 0.50 5.00
25 0.950 0.050 0.500 0.00 7.00
26 0.950 0.050 0.200 0.50 0.50
27 0.950 0.050 0.300 0.50 0.50
28 0.950 0.050 0.700 0.50 0.50
29 0.950 0.050 1.000 0.50 0.50
상기 표 1과 같이 완성된 프로토타입 적층세라믹 캐패시터 시편에 대해 용량, DF, 절연저항, TCC, 고온 150℃에서 전압 스텝 (step) 증가에 따른 저항열화 거동 등을 평가하였다. 적층세라믹 캐패시터 칩의 상온 정전용량 및 유전손실은 LCR 미터를 이용하여 1 kHz, AC 0.2V/㎛ 조건에서 용량을 측정하였다.
정전용량과 적층세라믹 캐패시터 칩의 유전체 두께, 내부전극 면적, 적층수로부터 적층세라믹 캐패시터 칩 유전체의 유전율을 계산하였다.
상온 절연저항 (IR)은 10 개씩 샘플을 취하여 DC 10V/㎛ 을 인가한 상태에서 60 초 경과 후 측정하였다. 온도에 따른 정전용량의 변화는 -55℃에서 150℃의 온도 범위에서 측정되었다.
고온 IR 승압 실험은 150℃에서 전압 단계를 5V/㎛씩 증가시키면서 저항 열화거동을 측정하였는데, 각 단계의 시간은 10분이며 5초 간격으로 저항값을 측정하였다. 고온 IR 승압 실험으로부터 고온 내전압을 도출하였는데, 이는 소성 후 7㎛ 두께의 20층의 유전체를 가지는 3216 크기 칩에서 150℃에서 전압 스텝 (voltage step) dc 5V/㎛를 10분간 인가하고 이 전압 스텝을 계속 증가시키면서 측정할 때, IR이 105Ω 이상을 견디는 전압을 의미한다.
표 2는 표 1 에 명시된 조성에 해당하는 프로토타입 적층세라믹 캐패시터 칩의 특성을 나타낸다.
실
시
예		 Ni-적층세라믹 캐패시터 프로토타입 SPL특성
(유전율/DF 측정조건: AC 0.2V/um, 1kHz)
(상온비저항: DC 10V/um)
소성온도
(℃)		 상온
유전율		 DF(%) 상온비저항
(Ohm-cm)		 TCC(%)
(-55℃)		 TCC(%)
(125℃)		 TCC(%)
(150℃)		 고온
(150℃)
내전압(V/um)*		 판정
1 1250.0 3156.0 3.520 8.221E+12 -11.7% -12.4% -35.2% 70 X
2 1250.0 2766.0 3.685 8.564E+12 -12.2% -11.2% -15.0% 70 O
3 1250.0 2751.0 3.580 8.623E+12 -12.4% -10.4% -14.5% 70 O
4 1250.0 2548.0 3.470 9.630E+12 -12.5% -9.5% -13.5% 75 O
5 1250.0 2477.0 3.410 1.023E+13 -12.8% -9.1% -12.8% 70 O
6 1250.0 2348.0 3.260 1.174E+13 -13.2% -8.8% -11.8% 65 O
7 1250.0 2247.0 3.100 1.210E+13 -13.4% -8.5% -10.6% 65 O
8 1250.0 2197.0 2.980 1.256E+13 -13.5% -8.8% -10.2% 65 O
9 1250.0 1948.0 2.840 1.326E+13 -9.5% -6.2% -9.8% 65 O
10 1250.0 1757.0 2.640 1.335E+13 -9.2% -5.8% -9.6% 60 O
11 1250.0 1548.0 2.480 1.458E+13 -8.8% -5.6% -9.5% 55 O
12 1250.0 1284.0 1.820 4.568E+13 -7.8% -5.1% -9.2% 55 X
13 1250.0 21868.0 126.500 8.480E+07 - - - 5 X
14 1250.0 2568.0 4.280 5.120E+11 -13.1% -9.5% -12.5% 50 O
15 1250.0 2437.0 4.020 7.480E+12 -12.9% -9.4% -11.7% 55 O
16 1250.0 2296.0 2.350 8.308E+12 -12.8% -2.4% -9.8% 65 O
17 1250.0 1868.0 2.260 6.335E+11 -11.6% -2.3% -8.5% 65 O
18 1250.0 1567.0 2.170 2.407E+11 -11.2% -2.1% -8.4% 60 O
19 1250.0 1365.0 1.930 7.408E+10 -10.4% -1.9% -7.7% 55 X
20 1300.0 2532.0 3.990 5.688E+12 -13.7% -7.9% -10.1% 45 X
21 1270.0 2417.0 3.840 6.408E+12 -13.6% -7.8% -11.5% 55 O
22 1240.0 2323.0 3.120 1.245E+13 -12.8% -8.4% -11.7% 60 O
23 1250.0 2284.0 2.990 1.070E+13 -11.8% -8.6% -12.2% 55 O
24 1270.0 2187.0 2.970 1.123E+13 -11.7% -7.4% -11.7% 50 O
25 1290.0 2048.0 2.880 8.887E+12 -11.4% -7.6% -11.6% 40 X
26 1250.0 1645.0 2.830 6.208E+12 -11.8% -12.5% -9.9% 35 X
27 1250.0 1948.0 3.030 8.450E+12 -12.3% -11.1% -12.7% 55 O
28 1250.0 2046.0 1.870 8.550E+12 -10.7% -10.5% -15.0% 55 O
29 1250.0 1852.0 1.8 9.523E+12 -9.7% -6.2% -9.9% 50 O
표 1의 실시예 1~12는 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3에서 y=0.5 이고 제1 부성분 MnO2 및 제2 부성분 SiO2의 함량이 모재 파우더 (1-x)BaTiO3-x(Na1-yKy)NbO3 대비 각각 0.5 at% 및 0.5 at% 일 때, 제1 주성분 BT의 함량 1-x 및 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3의 함량 x 변화에 따른 프로토타입 칩의 특성을 나타낸다. x의 함량이 0 (실시예1)에서 0.6 (실시예12)으로 점점 증가함에 따라 유전율은 점점 감소하게 되는데, x가 0인 경우에는 (실시예1) 유전율이 3156으로 매우 높으나 TCC(150도)가 -35.2%로 ±15% X8R 규격을 벗어나는 문제가 있으며, x가 0.6인 경우에는 (실시예12) 상온유전율이 1500 미만으로 지나치게 낮아지는 문제가 있다.
실시예 2~11의 시편에서 상온유전율 1500 이상, 고온내전압 50V/um 이상, TCC(150도)≤±15% 의 X8R 온도특성을 만족하므로 적정 x의 범위는 0.005≤x≤0.5라고 기술할 수 있다.
표 1의 실시예 13~19는 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3에서 y=0.5 이고 이것의 함량 x=0.05 이고, 제2 부성분 SiO2의 함량이 모재 파우더 대비 0.5at% 일 때, 제1 부성분 MnO2 함량 변화에 따른 프로토타입 칩의 특성을 나타낸다. Mn의 함량이 0인 경우 (실시예13) 상온 비저항값이 8.480E7으로 매우 낮으며, Mn 함량이 0.1at% (실시예14) 이상부터는 1E11 이상의 절연특성이 구현됨을 확인할 수 있다. Mn의 함량이 증가함에 따라 유전율 및 상온비저항은 계속 감소하여 Mn 함량이 7at% 로 커지는 경우(실시예19), 유전율은 1365로 감소하여, 1500 미만이 되며, 상온비저항이 1E11 미만이 되는 문제가 발생한다.
실시예 14~18의 시편에서 유전율, 고온내전압, TCC 특성이 본 발명의 목표특성을 만족하므로 Mn의 함량은 0.1 ~ 5.0at% 범위로 선정할 수 있다.
표 1의 실시예 20~25는 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3에서 y=0.5, x=0.05이고, 제1 부성분 MnO2의 함량이 모재 파우더 대비 0.5at% 일 때, 제2 부성분 SiO2 함량 변화에 따른 프로토타입 칩의 특성을 나타낸다. SiO2의 함량이 0인 경우(실시예20), 적정 소성온도가 1300도 정도로 소성온도가 올라가고, SiO2가 첨가된 경우 (실시예 21~24) 소결성이 개선되는 효과가 있다. SiO2 함량이 7at% 인 경우(실시예25), 소결성 개선효과가 거의 없어지고 고온내전압 특성이 50V/um 미만으로 나빠지게 된다. 따라서, 실시예 20~25의 결과로부터 유전율, 고온내전압, TCC 특성, 그리고 소결성을 고려시 바람직한 SiO2의 함량은 0.1 ~ 5. 0 at% 범위로 선정할 수 있다.
표 1의 실시예 26~29는 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3 함량 x=0.05 이고, 제1 부성분 MnO2 및 제2 부성분 SiO2의 함량이 모재 파우더 대비 각각 0.5at% 및 0.5at% 일 때, 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3 에서 K 함량 y 및 Na 함량 1-y에 따른 프로토타입 칩의 특성을 나타낸다. 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3 에서 K 함량인 y=0.5를 기준으로 0.3 (실시예27) 내지 0.2 (실시예26)으로 감소함에 따라 유전율이 감소하고 고온내전압 특성이 나빠지게 됨을 알 수 있고, y=0.2 (실시예26) 인 경우에는 고온내전압 특성이 50V/um 미만인 문제가 발생함을 알 수 있다. K 함량 y=0.5를 기준으로 0.7 (실시예28) 내지 1.0 (실시예29)으로 증가함에 따라 유전율 및 고온내전압 특성이 다소 낮아지기는 하지만 유전율, 고온내전압, TCC 특성이 본 발명의 목표특성을 만족한다. 따라서 실시예 26~29의 결과로부터 유전율, 고온내전압, 상온비저항값을 고려시 바람직한 K의 함량 y의 범위는 0.3≤y≤1.0로 선정할 수 있다.
본 발명은 유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 EIA 규격에서 명시한 X5R, X7R, 그리고 X8R 특성을 만족하는 유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 모재 파우더에 환경에 유해한 납(Pb)을 사용하지 않으면서도, 큐리온도 상승 및 고온부 유전율이 평탄해지는 특성을 구현할 수 있고, X8R 온도 특성 및 양호한 고온내전압 특성을 만족시킬 수 있다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항 들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (7)

  1. 제1 주성분 BaTiO3와 제2 주성분 (Na1-yKy)NbO3의 고용체인 (1-x)BaTiO3-x(Na1-yKy)NbO3(0.005≤x≤0.5, 0.3≤y≤1.0)를 주성분으로 하고, Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 포함하는 제1 부성분, 및 SiO2 또는 이를 포함하는 유리 형성 물질을 제2 부성분으로 포함하는 유전체 자기조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 부성분은 Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn로 이루어진 군에서 선택되는 원소의 산화물 또는 탄산염인 유전체 자기조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 부성분은 MnO2 또는 MnCO3인 유전체 자기조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 부성분의 함량이 0.1~5.0at%인 유전체 자기조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2 부성분 중 SiO2의 함량이 0.1~5.0at%인 유전체 자기조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 유전체 자기조성물을 이용하여 형성된 유전체를 포함하는 전자소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전자소자는 적층세라믹 캐패시터, 압전 소자, 칩인덕터, 칩 배리스터, 칩저항 및 PTCR (Positive Temperature Coefficient Resistor)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 전자소자.
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