KR20160018708A - 마스크 플레이트 및 어레이 기판의 제작방법 - Google Patents

마스크 플레이트 및 어레이 기판의 제작방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160018708A
KR20160018708A KR1020167000363A KR20167000363A KR20160018708A KR 20160018708 A KR20160018708 A KR 20160018708A KR 1020167000363 A KR1020167000363 A KR 1020167000363A KR 20167000363 A KR20167000363 A KR 20167000363A KR 20160018708 A KR20160018708 A KR 20160018708A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fan
impression
fanout
line
lines
Prior art date
Application number
KR1020167000363A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101708158B1 (ko
Inventor
화 정
Original Assignee
센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20160018708A publication Critical patent/KR20160018708A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101708158B1 publication Critical patent/KR101708158B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24—Curved surfaces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

마스크 플레이트와 어레이 기판의 제작방법이 공개된다. 마스크 플레이트(30)는 어레이 기판 상의 비유효 디스플레이 영역 내의 팬아웃 리드선을 제작하기 위한 것으로서, 팬아웃 리드선 패턴(31)을 포함하며, 팬아웃 리드선 패턴(31)은 다수의 팬아웃 임프레션 라인(310)을 구비한다. 각각의 팬아웃 임프레션 라인(310)은 기 설정 선폭(L1)을 구비하고, 다수의 팬아웃 임프레션 라인(310) 중 적어도 일부 팬아웃 임프레션 라인(310)은 적어도 하나의 만곡 부분(311)을 구비하며, 또한 동일한 팬아웃 임프레션 라인(310)의 만곡 부분(311)의 선폭(L2)은 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)보다 작다. 이러한 마스크 플레이트를 이용하여 어레이 기판을 제작하면 팬아웃 리드선 간의 저항차를 감소시켜 불균일하게 디스플레이되는 현상을 해소할 수 있다.

Description

마스크 플레이트 및 어레이 기판의 제작방법{MASK PLATE AND MANUFACTURING METHOD OF ARRAY SUBSTRATE}
본 발명은 디스플레이 제조 분야에 관한 것으로서, 특히 마스크 플레이트에 관한 것이고, 또한 어레이 기판의 제작방법에 관한 것이다.
디스플레이를 제조하기 위한 디스플레이 패널은 LCD(Liquid Crystal Display, 액정 디스플레이) 패널과 OLED(Organic Light-Emitting Diode, 유기발광다이오드) 패널을 포함하며, 모두 광식각공정을 통해 회로를 형성해야 한다.
광식각공정은 주로 포토레지스트 도포, 노광, 포토레지스트 현상 및 에칭의 4 단계를 포함한다. 유리기판에 금속층을 형성한 후 포토레지스트 도포를 시작하여 금속층에 포토레지스트층을 형성한 다음, 포토레지스트층에 대해 노광을 실시하고, 노광 후의 포토레지스트층을 현상하면, 포토레지스트층에 미리 설계된 회로 패턴이 형성되며, 마지막으로 금속층에 대해 에칭을 실시하면 포토레지스트에 의해 보호되지 않은 금속이 식각되고, 나머지 금속이 회로를 형성하게 된다.
주지하는 바와 같이, 디스플레이 패널은 유효 디스플레이 영역(AA, Active Area)과 유효 디스플레이 영역을 둘러싸는 비유효 디스플레이 영역을 포함하며, 유효 디스플레이 영역 내에 각종 신호 배선, 예를 들어 스캔라인과 데이터라인이 구비되고, 비유효 디스플레이 영역 내에 팬아웃 리드선이 구비되며, 이러한 팬아웃 리드선은 일단이 상기 신호 배선에 연결되고, 타단은 외부의 구동칩에 연결된다. 도 1은 종래 기술의 디스플레이 패널의 구조도로서, 도면 중 팬아웃 리드선을 확대하여 나타내었다. 팬아웃 리드선이 신호 배선에 대응되게 연결되어 있기 때문에, 신호 전송 시, 팬아웃 리드선은 신호의 부하 역할을 하게 되며, 팬아웃 리드선이 모두 직선인 경우, 주변의 팬아웃 리드선의 유효 길이가 중간의 팬아웃 리드선보다 길어, 주변의 팬아웃 리드선의 저항이 중간의 팬아웃 리드선보다 커지게 되면서, 각기 다른 신호 배선마다 상이한 부하가 존재함으로써, 신호 전송에 영향을 주어 디스플레이의 영상 표시가 불균일해지는데, 이러한 현상을 팬아웃 무라(Fanout Mura) 현상이라고 한다. 이러한 단점을 극복하기 위하여, 도면에서는 중간의 팬아웃 리드를 구부려, 즉 상을 변형시켜 중간의 팬아웃 리드선의 유효 길이를 늘림으로써 주변의 팬아웃 리드선과의 사이의 저항차를 감소시켰다.
그러나, 종래 기술은 광식각 공정을 실시할 때, 제조 능력의 한계가 있기 때문에, 만곡된 팬아웃 리드선이 종종 미리 설계된 선폭에 도달하기 어려워 저항차가 더 증가할 수 있다. 도 2를 참조하면, 종래 기술의 디스플레이 패널 상의 팬아웃 리드선 형성 전 및 형성 후의 효과 대비도이다. (a) 부분은 팬아웃 리드선 형성전의 만곡 부분의 희망하는 형상으로서, 그 만곡 부분의 선폭은 기타 부분의 선폭과 같다. (b) 부분은 종래의 광식각 공정으로 팬아웃 리드선이 형성된 후 만곡 부분의 실제 형상으로서, 그 만곡 부분의 선폭은 다른 부분의 선폭보다 크다. 이와 같은 결과를 초래하는 원인은 다음과 같다. 노광 단계에서, 광경로를 완벽하게 시준하기 어려워 소량의 측광이 존재할 수 있으며, 노광 영역에 시준광과 측광이 동시에 조사될 수 있다. 그러나 (b) 부분의 A영역의 경우, 팬아웃 리드선의 패턴에 광이 조사되지 않기 때문에, A 영역은 삼면이 포위되며, 다시 말해 A 영역에는 측광이 조사되지 못하는 3면이 존재하고, 기타 노광 영역에는 시준광과 측광이 조사될 수 있다. 따라서 A 영역의 감광 강도는 기타 노광 영역보다 약하고, 포토레지스트의 화학반응이 비교적 느리며, 이는 바로 후속 현상 및 에칭 단계에서, A영역의 현상 속도와 에칭 속도가 기타 노광 영역보다 느려지는 결과를 초래하고, 최종적으로 팬아웃 리드선의 만곡 부분에 A 영역의 부분이 다수 출현하게 되며, 팬아웃 리드선의 만곡부분의 선폭이 증대되면서 저항이 이에 상응하게 작아져 저항차가 더 커지는 결과를 초래한다.
본 발명의 주요 목적은 팬아웃 리드선 간의 저항차를 감소시킬 수 있는 마스크 플레이트 및 어레이 기판의 제조방법을 제공하고자 하는데 있다.
상기 기술문제를 해결하기 위하여, 본 발명이 채택한 일 기술방안은 다음과 같다. 어레이 기판 상의 비유효 디스플레이 영역 내의 팬아웃 리드선을 제작하기 위한 마스크 플레이트를 제공하며, 마스크 플레이트는 팬아웃 리드선 패턴을 포함하고, 팬아웃 리드선 패턴은 다수의 팬아웃 임프레션 라인을 포함하며, 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 유효 길이는 서로 같고, 각각의 팬아웃 임프레션 라인은 기 설정된 선폭을 구비하며, 다수의 팬아웃 임프레션 라인 중 적어도 일부 팬아웃 임프레션 라인은 적어도 하나의 만곡 부분을 구비하고, 다수의 만곡 부분은 S자형으로 연속되게 배열되며, 또한 동일한 팬아웃 임프레션 라인의 만곡 부분의 선폭은 팬아웃 임프레션 라인의 상기 기 설정 선폭보다 작다.
그 중, 각 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭은 서로 같다.
그 중, 팬아웃 리드선 패턴 중간 부분의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭은 팬아웃 리드선 패턴 가장자리의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭보다 작다.
그 중, 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭은 팬아웃 리드선 패턴의 중간 부분을 따라 가장자리 방향으로 점차 증대된다.
상기 기술문제를 해결하기 위하여, 본 발명이 채택한 또 다른 일 기술방안은 다음과 같다.
어레이 기판 상의 비유효 디스플레이 영역 내의 팬아웃 리드선을 제작하기 위한 마스크 플레이트를 제공하며, 마스크 플레이트는 팬아웃 리드선 패턴을 포함하고, 팬아웃 리드선 패턴은 다수의 팬아웃 임프레션 라인을 포함하며, 각각의 팬아웃 임프레션 라인은 기 설정된 선폭을 구비하고, 다수의 팬아웃 임프레션 라인 중 적어도 일부 팬아웃 임프레션 라인은 적어도 하나의 만곡 부분을 구비하며, 또한 동일한 팬아웃 임프레션 라인의 만곡 부분의 선폭은 팬아웃 임프레션 라인의 상기 기 설정 선폭보다 작다.
그 중, 다수의 만곡 부분은 S자형으로 연속되게 배열된다.
그 중, 각 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭은 서로 같다.
그 중, 팬아웃 리드선 패턴 중간 부분의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭은 팬아웃 리드선 패턴 가장자리의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭보다 작다.
그 중, 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭은 팬아웃 리드선 패턴의 중간 부분을 따라 가장자리 방향으로 점차 증대된다.
그 중, 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 유효 길이는 서로 같다.
상기 기술문제를 해결하기 위하여, 본 발명이 채택한 또 다른 일 기술방안은 어레이 기판의 제작방법을 제공하며, 제작방법은 유리기판을 제공하여, 유리기판에 순차적으로 금속층과 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 어느 하나의 마스크 플레이트를 제공하여, 마스크 플레이트를 이용하여 포토레지스트층의 만곡 부분에 대응되는 위치의 노광 속도가 기타 위치의 노광속도보다 느리도록 유리기판을 노광시키는 단계; 유리기판에 대해 현상을 실시하여, 포토레지스트층의 만곡 부분에 대응하는 위치의 현상 속도가 기타 위치의 현상 속도보다 느리도록 포토레지스트층에 팬아웃 리드선 패턴을 전사하는 단계; 금속층에 대해 에칭을 실시하여, 금속층의 만곡부분에 대응하는 위치의 에칭 속도가 기타 위치의 에칭속도보다 느림으로써, 팬아웃 리드선의 만곡 부분에 대응하는 선폭이 기 설정 선폭보다 작거나 같아지도록, 유리기판에 팬아웃 리드선을 형성하는 단계를 포함한다.
그 중, 포토레지스트층은 포지티브 레지스트에 의해 형성되며, 팬아웃 리드선 패턴은 비 음각 패턴이다.
그 중, 포토레지스트층은 네거티브 레지스트에 의해 형성되며, 팬아웃 리드선 패턴은 음각 패턴이다.
결론적으로, 본 발명의 마스크 플레이트와 어레이 기판의 제작 방법 중 팬아웃 임프레션 라인의 만곡 부분의 선폭은 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭보다 작고, 포토레지스트층의 만곡 부분에 대응되는 위치의 감광 강도 또한 기타 위치의 감광 강도보다 작아, 현상과 에칭 후, 팬아웃 리드선의 만곡부분에 대응되는 선폭이 기 설정 선폭보다 작거나 같게 할 수 있어, 팬아웃 리드선 간의 저항차를 감소시켜, 불균일하게 디스플레이되는 현상을 해소할 수 있다.
이상의 설명은 단지 본 발명의 기술방안을 개괄적으로 기술한 것일 뿐이며, 본 발명의 기술수단을 보다 명확히 이해할 수 있고, 명세서의 내용에 따라 실시할 수 있도록, 또한 본 발명의 상기 및 기타 목적, 특징과 장점이 더욱 분명하고 쉽게 이해되도록 하기 위하여, 이하 바람직한 실시예를 첨부도면과 결합하여 다음과 같이 상세히 설명한다.
도 1은 종래 기술의 일종의 디스플레이 패널의 구조도, 도면 중 팬아웃 리드선을 확대하였다.
도 2는 종래 기술의 디스플레이 패널 상의 팬아웃 리드선 형성 전 및 형성 후의 효과 대비도이다.
도 3은 본 발명의 마스크 플레이트의 일 실시예의 구조도이다.
도 4는 도 3의 마스크 플레이트 상의 팬아웃 임프레션 라인의 확대도이다.
도 5는 본 발명의 어레이 기판의 제작방법의 일 실시예의 흐름도이다.
도 6은 도 5의 제작방법 중 유리기판 상의 포토레지스트층을 노광시키는 단계 및 현상 단계의 효과 대비도이다.
이하 본 발명의 실시예 중의 도면을 결합하여, 본 발명의 실시예 중의 기술방안을 분명하고 완전하게 묘사할 것이며, 물론 묘사되는 실시예는 전체 실시예가 아닌, 단지 본 발명의 일부 실시예일뿐이다. 본 발명의 실시예에 따라, 본 분야의 보통 기술자가 창조적인 노력을 하지 않는다는 전제 하에 획득한 모든 기타 실시예는 모두 본 발명의 보호 범위에 속한다.
도 3과 도 4를 함께 참조하면, 도 3은 본 발명의 마스크 플레이트의 일 실시예의 구조도이고, 도 4는 도 3에 도시된 마스크 플레이트 상의 하나의 팬아웃 임프레션 라인의 확대도이다.
마스크 플레이트(30)는 어레이 기판 상의 비유효 디스플레이 영역 내의 팬아웃 리드선을 제작하기 위한 것으로서, 마스크 플레이트(30)는 팬아웃 리드선 패턴(31)을 포함하며, 팬아웃 리드선 패턴(31)은 비유효 디스플레이 영역 내의 팬아웃 리드선에 대응된다. 다시 말해, 마스크 플레이트(31)를 이용하여 노광을 실시하면, 팬아웃 리드선 패턴(31)은 팬아웃 리드선의 패턴으로 변할 수 있다. 팬아웃 리드선 패턴(31)은 부채꼴이며, 형성된 팬아웃 리드선 역시 부채꼴로 분포된다.
팬아웃 리드선 패턴(31)은 다수의 팬아웃 임프레션 라인(310)을 구비하며, 각각의 팬아웃 임프레션 라인(310)은 기 설정 선폭(L1)을 구비한다. 기 설정 선폭(L1)은 설계값에 부합하는 선폭을 말한다. 다수의 팬아웃 임프레션 라인(310) 중 적어도 일부 팬아웃 임프레션 라인(310)은 적어도 하나의 만곡 부분(311)을 구비한다. 팬아웃 임프레션 라인(310)이 팬아웃 리드선에 대응되기 때문에, 팬아웃 임프레션 라인(310)의 길이는 바로 팬아웃 리드선의 길이를 결정하게 되며, 만약 각각의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 유효 길이가 일치하지 않는다면, 각각의 팬아웃 리드선의 유효길이가 일치하지 않게 되어, 결과적으로 각 팬아웃 리드선 간의 저항차가 증가하게 된다. 그런데 만곡 부분(311)은 팬아웃 임프레션 라인(310)의 유효길이를 증가시킬 수 있다. 본 실시예에서, 다수의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 유효길이는 서로 같다.
동일한 팬아웃 임프레션 라인(310)의 만곡부분(311)의 선폭(L2)은 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)보다 좁다. 만곡부분(311)을 구비하지 않은 팬아웃 임프레션 라인(310)의 경우, 각 위치의 선폭은 모두 기 설정 선폭(L1)이다. 2개 이상의 만곡 부분(311)을 구비한 팬아웃 임프레션 라인(310)의 경우, 다수의 만곡 부분(311)은 S자형으로 연속되게 배열된다(도 4 참조).
각각의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)은 동일한 값을 취할 수도 있고, 다른 값을 취할 수도 있다. 본 실시예에서, 각 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)은 서로 같다. 기타 실시예에서, 팬아웃 리드선 패턴(31) 중간 부분의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)은 팬아웃 리드선 패턴(31) 가장자리의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)보다 작다. 특히, 다수의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)은 팬아웃 리드선 패턴(31)의 중간 부분을 따라 가장자리 방향으로 점차 증대된다. 팬아웃 리드선 패턴(31) 중간 부분의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 유효 길이가 팬아웃 리드선 패턴(31) 가장자리의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 유효 길이보다 작은 경우, 만약 팬아웃 리드선 패턴(31) 중간 부분의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)이 팬아웃 리드선 패턴(31) 가장자리의 팬아웃 임프레션 라인(310)의 기 설정 선폭(L1)보다 작으면, 형성되는 팬아웃 리드선은 중간 부분의 단위 길이의 저항이 가장자리의 단위 길이의 저항보다 커져 팬아웃 리드선 간의 저항차를 감소시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 어레이 기판의 제작방법의 일 실시예의 흐름도이다. 제작 방법은 이하 단계를 포함한다.
단계 S51: 유리기판을 제공하여, 유리기판에 순차적으로 금속층과 포토레지스트층을 형성하는 단계.
그 중, 금속층은 증착 등 공정으로 형성될 수 있고, 포토레지스트층은 도포 등 공정으로 형성될 수 있다.
단계 S52: 마스크 플레이트를 제공하여, 마스크 플레이트를 이용하여 유리기판에 대해 노광을 실시하는 단계, 그 중 포토레지스트층의 만곡 부분에 대응하는 위치의 노광 속도는 기타 위치의 노광 속도보다 느리다.
그 중, 마스크 플레이트는 상기 실시예의 마스크 플레이트(30)이다. 본 실시예에서, 포토레지스트층은 포지티브 레지스트에 의해 형성되며, 팬아웃 리드선 패턴(31)은 비 음각 패턴이다. 다시 말해, 팬아웃 리드선을 형성해야 하는 포토레지스트는 광이 조사될 필요가 없다.
팬아웃 임프레션 라인(310)의 만곡 부분(311)의 선폭(L2)이 기 설정 선폭(L1)보다 작기 때문에, 만곡 부분(311)에 대응되는 포토레지스트층의 감광 강도가 비교적 약하여 만곡 부분(311) 내측의 일부 포토레지스트에 발생하는 화학반응이 비교적 약하다. 예를 들어, 도 6을 함께 참조하면, 도 5에 도시된 제작 방법 중 유리기판 상의 포토레지스트층에 노광을 실시하는 단계와 현상 단계의 효과 대비도이다. 도 중 (a) 부분은 포토레지스트층에 노광을 실시하는 단계의 효과도이다. 마스크 플레이트(30)는 노광을 거친 후, 포토레지스트층의 만곡부분(311)에 대응되는 위치, 즉 B 영역이 3면의 포토레지스트에 의해 포위되므로 측광이 조사될 수 없고, 감광 강도가 비교적 약하여, B 영역의 포토레지스트의 화학반응이 완만해지며, 노광 속도가 기타 위치의 노광 속도보다 느리다.
단계 S53: 유리기판에 대해 현상을 실시하여, 포토레지스트에 팬아웃 리드선 패턴을 전사하는 단계, 그 중 포토레지스트층의 만곡 부분에 대응하는 위치의 현상 속도는 기타 위치의 현상 속도보다 느리다.
그 중, 현상 후의 포토레지스트는 도 6 중 (b) 부분에 도시된 바와 같으며, (b) 부분은 포토레지스트층에 현상을 실시하는 단계의 효과도이다. (a) 부분 중 B 영역의 포토레지스트의 화학반응이 매우 느리기 때문에, 그 화학성질에 기본적으로 변화가 발생하지 않으며, 현상 시 현상 속도가 느려 현상액에 의해 씻겨나가지 않아 이 부분의 포토레지스트가 유지될 수 있다. 따라서 (b) 부분의 포토레지스트의 만곡부분(311)에 대응되는 선폭이 증대된다.
단계 S54: 금속층에 대해 에칭을 실시하여, 유리기판에 팬아웃 리드선을 형성하는 단계, 그 중 금속층의 만곡부분에 대응하는 위치의 에칭 속도가 기타 위치의 에칭 속도보다 느림으로써, 팬아웃 리드선의 만곡부분에 대응하는 선폭이 기 설정 선폭보다 작거나 같아지게 된다.
그 중, 금속층 상의 나머지 포토레지스트의 패턴은 팬아웃 리드선 패턴(31)과 동일하며, 에칭 시, B 영역에 의해 보호되는 금속의 에칭 속도가 매우 느려, 나머지 금속의 패턴이 팬아웃 리드선 패턴(31)과 동일해질 뿐만 아니라, 또한 팬아웃 리드선의 만곡 부분(311)에 대응되는 선폭이 기 설정 선폭(L1)보다 작거나 같아짐으로써, 각 팬아웃 리드선 간의 저항차가 감소하게 되어 불균일하게 디스플레이되는 현상을 해소할 수 있다.
기타 실시예에서, 포토레지스트층은 네거티브 포토레지스트에 의해 형성될 수 있으며, 팬아웃 리드선 패턴(31)은 음각 패턴이다. 포지티브 포토레지스트이거나 또는 네거티브 포토레지스트이거나를 막론하고, B 영역의 포토레지스트가 모두 유지될 수 있으며, 따라서 어레이 기판 상의 팬아웃 리드선의 각 부분의 선폭은 서로 같고, 심지어 팬아웃 리드선의 만곡 부분(311)에 대응되는 선폭이 기 설정 선폭보다 작다.
상기 방식을 통해, 본 발명의 마스크 플레이트와 어레이 기판의 제작 방법 중 팬아웃 임프레션 라인의 만곡부분의 선폭은 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭보다 작고, 포토레지스트층의 만곡 부분에 대응되는 위치의 감광 강도 또한 기타 위치의 감광 강도보다 작아, 현상 및 에칭 후, 팬아웃 리드선의 만곡부분에 대응되는 선폭이 기 설정 선폭보다 작거나 같아지게 할 수 있어, 팬아웃 리드선 간의 저항차를 감소시켜, 불균일하게 디스플레이되는 현상을 해소할 수 있다.
이상은 단지 본 발명의 실시예일뿐, 결코 이로써 본 발명의 특허 범위를 제한하는 것은 아니며, 본 발명의 명세서 및 도면 내용을 이용하여 실시되는 등가의 구조 또는 등가의 과정 변환, 직접 또는 간접적으로 기타 관련 기술분야에 응용하는 경우, 모두 같은 이치로 본 발명의 특허 보호 범위 내에 포함된다.

Claims (18)

  1. 어레이 기판 상의 비유효 디스플레이 영역 내의 팬아웃 리드선을 제작하기 위한 마스크 플레이트에 있어서,
    상기 마스크 플레이트는 팬아웃 리드선 패턴을 포함하고, 상기 팬아웃 리드선 패턴은 다수의 팬아웃 임프레션 라인을 포함하며, 상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 유효 길이는 서로 같고, 각각의 상기 팬아웃 임프레션 라인은 기 설정된 선폭을 구비하며, 상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인 중 적어도 일부의 상기 팬아웃 임프레션 라인은 적어도 하나의 만곡 부분을 구비하고, 다수의 상기 만곡 부분은 S자형으로 연속되게 배열되며, 또한 동일한 팬아웃 임프레션 라인의 상기 만곡 부분의 선폭은 상기 팬아웃 임프레션 라인의 상기 기 설정 선폭보다 작은 마스크 플레이트.
  2. 제 1항에 있어서,
    각각의 상기 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 서로 같은 마스크 플레이트.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 팬아웃 리드선 패턴 중간 부분의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 상기 팬아웃 리드선 패턴 가장자리의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭보다 작은 마스크 플레이트.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 상기 팬아웃 리드선 패턴의 중간 부분을 따라 가장자리 방향으로 점차 증대되는 마스크 플레이트.
  5. 어레이 기판 상의 비유효 디스플레이 영역 내의 팬아웃 리드선을 제작하기 위한 마스크 플레이트에 있어서,
    상기 마스크 플레이트는 팬아웃 리드선 패턴을 포함하고, 상기 팬아웃 리드선 패턴은 다수의 팬아웃 임프레션 라인을 포함하며, 각각의 상기 팬아웃 임프레션 라인은 기 설정된 선폭을 구비하고, 상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인 중 적어도 일부의 상기 팬아웃 임프레션 라인은 적어도 하나의 만곡 부분을 구비하며, 또한 동일한 팬아웃 임프레션 라인의 상기 만곡 부분의 선폭은 상기 팬아웃 임프레션 라인의 상기 기 설정 선폭보다 작은 마스크 플레이트.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 다수의 만곡 부분이 S자형으로 연속되게 배열되는 마스크 플레이트.
  7. 제 5항에 있어서,
    각각의 상기 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 서로 같은 마스크 플레이트.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 팬아웃 리드선 패턴 중간 부분의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 상기 팬아웃 리드선 패턴 가장자리의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭보다 작은 마스크 플레이트.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 상기 팬아웃 리드선 패턴의 중간 부분을 따라 가장자리 방향으로 점차 증대되는 마스크 플레이트.
  10. 제 5항에 있어서,
    상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 유효 길이가 서로 같은 마스크 플레이트.
  11. 어레이 기판의 제작방법에 있어서,
    상기 제작방법은,
    유리기판을 제공하여, 유리기판에 순차적으로 금속층과 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    팬아웃 리드선 패턴을 포함하고, 상기 팬아웃 리드선 패턴은 다수의 팬아웃 임프레션 라인을 포함하며, 각각의 상기 팬아웃 임프레션 라인은 기 설정된 선폭을 구비하고, 상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인 중 적어도 일부의 상기 팬아웃 임프레션 라인은 적어도 하나의 만곡 부분을 구비하며, 또한 동일한 팬아웃 임프레션 라인의 상기 만곡 부분의 선폭은 상기 팬아웃 임프레션 라인의 상기 기 설정 선폭보다 작은 마스크 플레이트를 제공하여, 상기 마스크 플레이트를 이용하여 상기 포토레지스트층의 상기 만곡 부분에 대응되는 위치의 노광 속도가 기타 위치의 노광속도보다 느리도록, 상기 유리기판을 노광시키는 단계;
    상기 유리기판에 대해 현상을 실시하여, 상기 포토레지스트층의 상기 만곡 부분에 대응하는 위치의 현상 속도가 기타 위치의 현상 속도보다 느리도록, 상기 포토레지스트층에 상기 팬아웃 리드선 패턴을 전사하는 단계;
    상기 금속층에 대해 에칭을 실시하여, 상기 금속층의 상기 만곡부분에 대응하는 위치의 에칭 속도가 기타 위치의 에칭속도보다 느림으로써, 상기 팬아웃 리드선의 상기 만곡 부분에 대응하는 선폭이 기 설정 선폭보다 작거나 같아지도록, 상기 유리기판에 상기 팬아웃 리드선을 형성하는 단계;를 포함하는 어레이 기판의 제작방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 포토레지스트층은 포지티브 레지스트에 의해 형성되며, 상기 팬아웃 리드선 패턴은 비 음각 패턴인 제작방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 포토레지스트층은 네거티브 레지스트에 의해 형성되며, 상기 팬아웃 리드선 패턴은 음각 패턴인 제작방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 다수의 만곡 부분이 S자형으로 연속되게 배열되는 제작방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    각각의 상기 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 서로 같은 제작방법.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 팬아웃 리드선 패턴 중간 부분의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 상기 팬아웃 리드선 패턴 가장자리의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭보다 작은 제작방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 기 설정 선폭이 상기 팬아웃 리드선 패턴의 중간 부분을 따라 가장자리 방향으로 점차 증대되는 제작방법.
  18. 제 11항에 있어서,
    상기 다수의 팬아웃 임프레션 라인의 유효 길이가 서로 같은 제작방법.
KR1020167000363A 2013-06-20 2013-07-01 마스크 플레이트 및 어레이 기판의 제작방법 KR101708158B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310248034.8A CN103324035B (zh) 2013-06-20 2013-06-20 掩膜板和阵列基板的制作方法
CN201310248034.8 2013-06-20
PCT/CN2013/078589 WO2014201730A1 (zh) 2013-06-20 2013-07-01 掩膜板和阵列基板的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160018708A true KR20160018708A (ko) 2016-02-17
KR101708158B1 KR101708158B1 (ko) 2017-02-17

Family

ID=49192864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167000363A KR101708158B1 (ko) 2013-06-20 2013-07-01 마스크 플레이트 및 어레이 기판의 제작방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9110375B2 (ko)
JP (1) JP6246916B2 (ko)
KR (1) KR101708158B1 (ko)
CN (1) CN103324035B (ko)
GB (1) GB2529790B (ko)
RU (1) RU2619817C1 (ko)
WO (1) WO2014201730A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109575018A (zh) * 2013-08-02 2019-04-05 韩国巴斯德研究所 一种抗感染化合物
CN104252098B (zh) * 2014-09-18 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
KR102458683B1 (ko) * 2015-08-13 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판
CN109698216A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 昆山维信诺科技有限公司 柔性显示屏
CN111682054B (zh) * 2020-06-24 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070045751A (ko) * 2005-10-28 2007-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 포토 마스크
CN101442109A (zh) * 2008-08-20 2009-05-27 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其引线结构、掩模板、驱动芯片

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04115254A (ja) * 1990-09-05 1992-04-16 Kyodo Printing Co Ltd サイドエッチの補正方法
JP3286225B2 (ja) * 1997-10-22 2002-05-27 株式会社東芝 パターン設計方法
US6218203B1 (en) * 1999-06-28 2001-04-17 Advantest Corp. Method of producing a contact structure
JP3327394B2 (ja) * 1999-10-25 2002-09-24 日本電気株式会社 光近接効果補正方法
JP2002148780A (ja) * 2000-11-15 2002-05-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd マスクパターン生成装置、マスクパターン生成方法、その方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体およびフォトマスク
CN100378984C (zh) * 2005-09-23 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 恒温电迁移测试结构及其圆角光学邻近修正方法
CN100538804C (zh) * 2005-10-21 2009-09-09 友达光电股份有限公司 显示面板
US20070216845A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 Chia-Te Liao Uniform impedance conducting lines for a liquid crystal display
TW200822824A (en) * 2006-09-05 2008-05-16 Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd Printed wiring board
JP2008047904A (ja) * 2007-08-10 2008-02-28 Hitachi Ltd 半導体装置
KR100912804B1 (ko) * 2007-12-05 2009-08-18 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 플라즈마 디스플레이 패널의격벽 형성 방법
JP2009140397A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 自動配線設計方法およびそのコンピュータプログラム
CN101794558A (zh) * 2009-02-03 2010-08-04 友达光电股份有限公司 有源器件阵列基板及显示面板
KR20100109771A (ko) * 2009-04-01 2010-10-11 삼성전자주식회사 림 영역을 가진 투과율 조절형 위상 반전 포토마스크 및 그 제조 방법
KR101593538B1 (ko) * 2009-04-09 2016-02-29 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판의 제조 방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판
KR101627245B1 (ko) * 2009-05-11 2016-06-07 삼성디스플레이 주식회사 팬아웃 배선을 포함하는 표시장치
CN102243383A (zh) * 2010-05-10 2011-11-16 瀚宇彩晶股份有限公司 扇出信号线结构及显示面板
KR101771562B1 (ko) * 2011-02-14 2017-08-28 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI440965B (zh) * 2011-09-05 2014-06-11 Au Optronics Corp 光罩、平面顯示面板之導線的製作方法以及平面顯示面板之導線結構
US20140103480A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Mask, TFT Glass Substrate and the Manufacturing Method Thereof
CN102944974B (zh) * 2012-10-26 2015-07-15 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜板及阵列基板的制造方法
CN103050379B (zh) * 2012-12-10 2015-03-04 华映视讯（吴江）有限公司 窄间距线路的形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070045751A (ko) * 2005-10-28 2007-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 포토 마스크
CN101442109A (zh) * 2008-08-20 2009-05-27 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其引线结构、掩模板、驱动芯片

Also Published As

Publication number Publication date
JP6246916B2 (ja) 2017-12-13
US20140377690A1 (en) 2014-12-25
CN103324035B (zh) 2015-07-01
CN103324035A (zh) 2013-09-25
GB2529790A (en) 2016-03-02
RU2619817C1 (ru) 2017-05-18
JP2016530547A (ja) 2016-09-29
GB2529790B (en) 2019-12-11
US9110375B2 (en) 2015-08-18
WO2014201730A1 (zh) 2014-12-24
KR101708158B1 (ko) 2017-02-17
GB201522338D0 (en) 2016-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101708158B1 (ko) 마스크 플레이트 및 어레이 기판의 제작방법
KR101913486B1 (ko) 어레이 기판, 그 제조 방법 및 디스플레이 디바이스
KR100306546B1 (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
US9581906B2 (en) Device substrate and fabricating method thereof
JP2008033330A (ja) 多重トーン光マスク、これの製造方法及びこれを用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法
CN104635416B (zh) 一种掩膜板及阵列基板的制造方法
US9798192B2 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
CN109541829B (zh) 掩膜版、液晶面板和液晶显示装置
CN105785682B (zh) 阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法
CN104076599A (zh) 一种掩膜板及其制造方法
WO2020073547A1 (zh) 薄膜晶体管及其制造方法
US10204927B2 (en) Display substrate, display device containing the same, and method for fabricating the same
CN107818945B (zh) 一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置
TWI600958B (zh) 電泳顯示面板及其製作方法
CN108107497A (zh) 光栅制作方法
KR102319094B1 (ko) 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
CN110767661B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
US20170147099A1 (en) Electrode structure for touch panel and method of fabricating the same
KR20080082189A (ko) 액정표시장치의 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR102195580B1 (ko) 위상 반전 마스크, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
JP5545818B2 (ja) 露光用マスク及びこの露光用マスクを用いた配線パターンの形成方法
US11385537B2 (en) Phase shift mask and electronic component manufacturing method
US20240153962A1 (en) Display substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus
KR20130028166A (ko) 포토 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법
KR20150112581A (ko) 메시 형태의 도전성 필름 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant