RU2619817C1 - Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы - Google Patents

Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы Download PDF

Info

Publication number
RU2619817C1
RU2619817C1 RU2016101271A RU2016101271A RU2619817C1 RU 2619817 C1 RU2619817 C1 RU 2619817C1 RU 2016101271 A RU2016101271 A RU 2016101271A RU 2016101271 A RU2016101271 A RU 2016101271A RU 2619817 C1 RU2619817 C1 RU 2619817C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
fan
line
embossing
lines
stamping
Prior art date
Application number
RU2016101271A
Other languages
English (en)
Inventor
Хуа ЧЖЭН
Original Assignee
Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. filed Critical Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2619817C1 publication Critical patent/RU2619817C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

Использование: для изготовления пластины маски и подложки матрицы. Сущность изобретения заключается в том, что пластина маски включает рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна, и каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно, и у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения разницы в уровнях сопротивления между веерными проводниками. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
1. Область техники
Настоящее изобретение относится к области изготовления дисплеев, более конкретно к способу изготовления пластины маски и подложки матрицы.
2. Описание уровня техники
Панель отображения информации для изготовления дисплея включает панель LCD (жидкокристаллический дисплей) и панель OLED (органических светодиодов). Все они необходимы для фотолитографии, чтобы сформировать микросхему.
Процесс фотолитографии в основном включает четыре этапа: нанесение, экспонирование, проявление и травление фоторезиста. После формирования металлического слоя на стеклянную подложку наносят покрытие из фоторезиста, и на металлическом слое формируют слой фоторезиста. Затем слой фоторезиста экспонируют. После проявления экспонированного слоя фоторезиста, последний образует заданный рисунок микросхемы. В заключение металлический слой травят, при этом металл без защиты фоторезиста вытравливается, и оставшийся металл образует микросхему.
Хорошо известно, что панель отображения информации включает эффективную область отображения (АА, активная область) и неэффективную область отображения, окружающую эффективную область отображения. Эффективная область отображения включает разные линии сигнала, такие как строки развертки и строки данных. Неэффективная область включает расходящиеся веером проводники (далее "веерные проводники"), при этом один конец каждого веерного проводника соединен с линией сигнала, и другой конец каждого веерного проводника соединен с периферическим задающим чипом. Со ссылкой на Фиг. 1, где представлен схематический вид панели дисплея, известной из уровня техники, а также увеличенный вид веерных проводников. Поскольку веерные проводники соединены с соответствующими линиями сигнала, когда они передают сигналы, веерные проводники функционируют как нагрузка сигналов. Если веерные проводники все прямые, то эффективные длины веерных проводников на наружной периферии больше, чем эффективные длины средней части веерных проводников, так что сопротивления веерных проводников на наружной периферии больше, чем сопротивления средней части веерных проводников. Поэтому разные линии сигнала будут иметь разные нагрузки, чтобы влиять на передачу сигнала, что приводит к неравномерности отображения изображения на дисплее. Это явление называется неравномерностью отображения (дефекты Мура). Для преодоления этой проблемы средние части веерных проводников изгибают, чтобы увеличить эффективные длины веерных проводников в средней части, что может уменьшать разницу в сопротивлениях веерных проводников на наружной периферии.
Однако при использовании процесса фотолитографии, известного из уровня техники, вследствие ограниченных возможностей этого процесса в кривой части веерного проводника часто трудно достигнуть заданной ширины линии, что приводит к дальнейшему увеличению разницы в сопротивлениях. Со ссылкой на Фиг. 2, где приведен чертеж сравнения веерного проводника на панели отображения информации, выполненного до и после известным способом. Часть (а) Фиг. 2 показывает желательную форму кривой части веерного проводника до формирования. Ширина линии в кривой части равна ширине линии в другой части. Часть (b) Фиг. 2 показывает фактическую форму кривой части веерного проводника после формирования, выполненного известным процессом фотолитографии. Ширина линии кривой части больше, чем ширина линии другой части.
Причины такого результата заключаются в следующем: на этапе экспонирования трудно получить полностью коллимированный световой путь, поскольку бокового света мало. Область экспонирования будет освещаться коллимированным светом и боковым светом одновременно. Для части (b) Фиг. 2 область А веерного проводника не освещается светом, поскольку область А окружена тремя сторонами, то есть область А не экспонируется боковым светом на трех сторонах, но остальная область освещается коллимированным светом и боковым светом. Поэтому светочувствительная интенсивность области А меньше, чем у других экспонируемых областей, и химическая реакция фоторезиста проходит медленнее, так что при проявлении и травлении на последующих этапах скорость проявления и скорость травления области А меньше, чем на других экспонируемых областях. В заключение, кривая часть веерного проводника увеличивает область А, так что ширина линии кривой части веерного проводника увеличивается, и сопротивление соответственно уменьшается, так что разница в сопротивлениях становится больше.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Главная цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предложить способ изготовления пластины маски и подложки матрицы для уменьшения разницы в уровнях сопротивления между веерными проводниками.
Техническая задача, решенная настоящим изобретением, состоит в том, чтобы предложить пластину маски для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы, включающую: рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, причем эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна, и каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти кривые части имеют S-образную форму и расположены непрерывно, и у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения.
При этом заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.
При этом заданная ширина в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданная ширина линии в краевой части линий веерного тиснения.
При этом заданная ширина линий веерного тиснения увеличивается постепенно от средней части до краевой части.
Для того чтобы решить вышеуказанную техническую задачу, еще одним техническим решением, предложенным настоящим изобретением, является пластина маски для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы, включающая: рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения.
При этом у одной линии веерного тиснения имеющей две или больше кривых частей эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно.
При этом заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.
При этом заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.
При этом заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.
При этом эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна.
Для того чтобы решить вышеуказанную техническую задачу, еще одним техническим решением, предложенным настоящим изобретением, является способ изготовления подложки матрицы, который включает:
предоставление стеклянной подложки и последующее формирование металлического слоя и слоя фоторезиста на стеклянной подложке;
предоставление пластины маски и использование этой пластины маски для экспонирования стеклянной подложки, при этом скорость экспонирования в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость экспонирования в другом положении слоя фоторезиста, при этом пластина маски включает рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из некоторых линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения;
проявление стеклянной подложки и перенос печати рисунка веерных проводников на слой фоторезиста, при этом скорость проявления в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость проявления в другом положении; и
травление металлического слоя, чтобы сформировать веерные проводники на стеклянной подложке, при этом скорость травления в положении металлического слоя, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость травления в другом положении, так что ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей.
При этом слой фоторезиста выполняют из положительного фоторезиста, и рисунок веерных проводников является не полым рисунком.
При этом слой фоторезиста выполняют из отрицательного фоторезиста, и рисунок веерных проводников является полым рисунком.
При этом у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно.
При этом заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.
При этом заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения , чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.
При этом заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.
При этом эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна.
Вкратце, в способе изготовления пластины маски и подложки матрицы настоящего изобретения ширина линии в кривой части линии веерного тиснения меньше, чем заданная ширина линии в кривой части линии веерного тиснения. Светочувствительная интенсивность слоя фоторезиста в положении кривой части слабее, чем светочувствительная интенсивность слоя фоторезиста в другом положении кривой части. После проявления и травления ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей, чтобы уменьшить разницу в уровнях сопротивления между веерными проводниками и устранить явление неравномерности отображения.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг. 1 - схематический вид панели отображения информации, известной из уровня техники, и увеличенный вид веерных проводников;
Фиг. 2 - чертеж сравнения веерного проводника на панели отображения информации, выполненный до и после в соответствии с известным уровнем техники;
Фиг. 3 - схематический чертеж пластины маски согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения;
Фиг. 4 - увеличенный вид одной линии веерного тиснения пластины маски, показанной на Фиг. 3;
Фиг. 5 - схема процесса, иллюстрирующая способ изготовления подложки матрицы согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения; и
Фиг. 6 - чертеж сравнения слоя фоторезиста на стеклянной подложке на этапах экспонирования и проявления согласно способу изготовления с Фиг. 5.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОГО ВАРИАНТА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
В следующем тексте сделаны ссылки на чертежи и взят вариант осуществления для подробного описания настоящего изобретения.
Рассмотрим Фиг. 3 и Фиг. 4 совместно. На Фиг. 3 представлен схематический чертеж пластины маски согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. На Фиг. 4 представлен увеличенный вид одной линии веерного тиснения пластины маски, показанной на Фиг. 3.
Пластина маски 30 предназначена для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы. Пластина маски 30 включает рисунок веерных проводников 31, и рисунок веерных проводников 31 соответствует веерным проводникам в неэффективной области отображения, то есть используя пластину маски 30 для экспонирования, рисунок веерных проводников 31 можно перенести на рисунок веерных проводников на подложке матрицы. Рисунок веерных проводников 31 имеет форму веера, и веерные проводники, выполненные по рисунку веерных проводников 31, также будут распределены в форме веера.
Рисунок веерных проводников 31 имеет некоторое число линий веерного тиснения 310. Каждая линия веерного тиснения 310 имеет определенную ширину L1, и определенная ширина L1 соответствует ширине линии по проектному значению. Некоторые из линий веерного тиснения 310 имеют кривые части 311. Поскольку линии веерного тиснения 310 соответствуют веерным проводникам, длины линий веерного тиснения 310 определяют длины веерных проводников. Если эффективные длины линий веерного тиснения 310 разные, эффективные длины веерных проводников также будут разными. Поэтому разница в значениях сопротивления между веерными проводниками будет увеличиваться. Кривые части 311 могут увеличивать эффективные длины линий веерного тиснения 310. В данном варианте осуществления, линии веерного тиснения 310 имеют равные эффективные длины.
У одной линии веерного тиснения, ширина линии L2 в кривой части 311 линии веерного тиснения 310 меньше, чем определенная ширина L1 линии веерного тиснения 310. У линий тиснения разветвления 310 без кривой части 311 значения ширины линии в каждом из положений равны определенной ширине L1. У линии веерного тиснения 310, имеющей две или больше кривых частей 311, эти несколько кривых частей 311 имеют S-образную форму и расположены непрерывно (как показано на Фиг. 4).
Определенная ширина L1 каждой линии веерного тиснения 310 может быть одинаковой или разной. В данном варианте осуществления заданная ширина линии L1 каждой линии веерного тиснения 310 одинаковая. В еще одном варианте осуществления заданные значения ширины линий L1 на рисунке 31 в средней части линий веерного тиснения 310 веерного проводника меньше, чем заданные значения ширины линий L1 на рисунке 31 в краевой части линий веерного тиснения 310 веерного проводника. В частности, заданные значения ширины линий L1 данного числа линий веерного тиснения 310 увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.
Когда эффективные длины в средней части линий веерного тиснения 310 веерного проводника на рисунке 31 меньше, чем эффективные длины в краевой части линий веерного тиснения 310 веерного проводника на рисунке 31, если заданная ширина линии sL1 в средней части линий веерного тиснения 310 веерного проводника на рисунке 31 меньше, чем заданные значения ширины линий L1 в краевой части линий веерного тиснения 310 веерного проводника на рисунке 31, получается так, что сопротивления на единицу длины в средней части веерных проводников больше, чем сопротивления на единицу длины в краевой части веерных проводников, что может уменьшать разницу в уровнях сопротивления между веерными проводниками.
Со ссылкой на Фиг. 5, где представлена схема процесса, иллюстрирующая способ изготовления подложки матрицы согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Способ изготовления включает следующие этапы.
Этап S51: предоставление стеклянной подложки и последующее формирование металлического слоя и слоя фоторезиста на стеклянной подложке.
При этом металлический слой может быть сформирован путем осаждения, и слой фоторезиста может быть сформирован путем нанесения.
Этап S52: предоставление пластины маски и использование этой пластины маски для экспонирования стеклянной подложки, при этом скорость экспонирования в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части 311, меньше, чем скорость экспонирования в другом положении слоя фоторезиста.
При этом пластиной маски является пластина маски 30, описанная в предыдущем варианте осуществления. В данном варианте осуществления слой фоторезиста выполнен из положительного фоторезиста. Рисунок веерных проводников 31 является не полым рисунком. То есть фоторезист, который формирует веерные проводники, не требуется облучать.
Поскольку ширина линии L2 в кривой части 311 линии веерного тиснения 310 меньше, чем заданная ширина линии L1, слой фоторезиста, соответствующего кривой части 311, имеет более слабую светочувствительную интенсивность, так что химическая реакция фоторезиста во внутренней части кривой части 311 слабее. Например, смотрите также Фиг. 6, на которой представлен чертеж сравнения слоя фоторезиста на стеклянной подложке на этапах экспонирования и проявления согласно способу изготовления, показанному на Фиг. 5.
Часть (а) Фиг. 6 представляет собой схематический чертеж слоя фоторезиста на этапе экспонирования. После экспонирования через пластину маски 30 положение слоя фоторезиста, соответствующее кривой части 311, т.е. область В, нельзя облучать боковым светом, поскольку оно окружено фоторезистом на трех сторонах. Светочувствительная интенсивность слабее, так что химическая реакция фоторезиста в области В проходит медленнее. Поэтому скорость экспонирования в области В меньше, чем в другом положении.
Этап S53: проявление стеклянной подложки и перенос печати рисунка веерных проводников на слой фоторезиста, при этом скорость проявления в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части 311, меньше, чем скорость проявления в другом положении.
При этом фоторезист после процесса проявления показан как часть (b) Фиг. 6. Часть (b) Фиг. 6 представляет собой схематический чертеж слоя фоторезиста на этапе проявления. Поскольку химическая реакция фоторезиста в области В проходит очень медленно, химические свойства фоторезиста в основном не изменяются. В процессе проявления скорость проявления очень низкая, и фоторезист не будет смыт проявителем. Фоторезист в области В сохраняется, так что ширина линии фоторезиста, соответствующего кривой части 311, увеличена как показано в части (b) Фиг. 6.
Этап S54: травление металлического слоя для формирования веерных проводников на стеклянной подложке, при этом скорость травления в положении металлического слоя, соответствующего кривой части 311, меньше, чем скорость травления в другом положении, так что ширина линии веерного проводника, соответствующеая кривой части 311, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей.
При этом рисунок фоторезиста, остающийся на металлическом слое, соответствует рисунку веерных проводников 31. В процессе травления скорость травления металлического слоя в защищенной области В очень медленная. Поэтому остающийся металлический рисунок соответствует рисунку веерных проводников 31, и ширина линии веерных проводников, соответствующей кривой части 311, меньше чем определенная ширина L1 или равна ей, так что разница в уровнях сопротивления между веерными проводниками будет уменьшена, чтобы устранить явление неравномерности отображения.
В еще одном варианте осуществления слой фоторезиста может быть выполнен из отрицательного фоторезиста, и рисунок веерных проводников 31 является полым рисунком. Независимо от того, является ли фоторезист положительным или отрицательным, фоторезист в области В будет сохранен, так что ширина линии в каждом положении веерных проводников на подложке будет равной и однородной, ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части 311, будет меньше, чем заданная ширина линии.
За счет вышеизложенного процесса в способе изготовления пластины маски и подложки матрицы настоящего изобретения ширина линии в кривой части линии веерного тиснения меньше, чем заданная ширина линии в кривой части линии веерного тиснения. Светочувствительная интенсивность слоя фоторезиста в положении кривой части слабее, чем светочувствительная интенсивность слоя фоторезиста в другом положении кривой части. После проявления и травления ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей, чтобы уменьшить разницу в уровнях сопротивления между веерными проводниками и устранить явление неравномерности отображения.
Вышеописанные варианты осуществления настоящего изобретения не используются для ограничения пунктов формулы настоящего изобретения. Любое использование содержимого описания или чертежей настоящего изобретения, которое создает эквивалентные структуры или эквивалентные процессы, или прямо или косвенно используется в других родственных областях техники, также охватывается пунктами формулы настоящего изобретения.

Claims (24)

1. Пластина маски для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы, включающая:
рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна, и каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно, и у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения.
2. Пластина маски по п. 1, отличающаяся тем, что заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.
3. Пластина маски по п. 1, отличающаяся тем, что заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.
4. Пластина маски по п. 1, отличающаяся тем, что заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.
5. Пластина маски для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы, включающая:
рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения.
6. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно.
7. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.
8. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.
9. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.
10. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна.
11. Способ изготовления подложки матрицы включает:
предоставление стеклянной подложки и последующее формирование металлического слоя и слоя фоторезиста на стеклянной подложке;
предоставление пластины маски и использование этой пластины маски для экспонирования стеклянной подложки, при этом скорость экспонирования в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость экспонирования в другом положении слоя фоторезиста, при этом пластина маски включает рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из некоторых линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения;
проявление стеклянной подложки и перенос печати рисунка веерных проводников на слой фоторезиста, при этом скорость проявления в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость проявления в другом положении; и
травление металлического слоя для формирования веерных проводников на стеклянной подложке, при этом скорость травления в положении металлического слоя, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость травления в другом положении, так что ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей.
12. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что слой фоторезиста выполнен из положительного фоторезиста, и рисунок веерных проводников является не полым рисунком.
13. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что слой фоторезиста выполнен из отрицательного фоторезиста, и рисунок веерных проводников является полым рисунком.
14. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно.
15. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.
16. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.
17. Способ изготовления по п. 16, отличающийся тем, что заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.
18. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна.
RU2016101271A 2013-06-20 2013-07-01 Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы RU2619817C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310248034.8A CN103324035B (zh) 2013-06-20 2013-06-20 掩膜板和阵列基板的制作方法
CN201310248034.8 2013-06-20
PCT/CN2013/078589 WO2014201730A1 (zh) 2013-06-20 2013-07-01 掩膜板和阵列基板的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2619817C1 true RU2619817C1 (ru) 2017-05-18

Family

ID=49192864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016101271A RU2619817C1 (ru) 2013-06-20 2013-07-01 Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9110375B2 (ru)
JP (1) JP6246916B2 (ru)
KR (1) KR101708158B1 (ru)
CN (1) CN103324035B (ru)
GB (1) GB2529790B (ru)
RU (1) RU2619817C1 (ru)
WO (1) WO2014201730A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109575018A (zh) * 2013-08-02 2019-04-05 韩国巴斯德研究所 一种抗感染化合物
CN104252098B (zh) * 2014-09-18 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
KR102458683B1 (ko) * 2015-08-13 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판
CN109698216A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 昆山维信诺科技有限公司 柔性显示屏
CN111682054B (zh) * 2020-06-24 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6218203B1 (en) * 1999-06-28 2001-04-17 Advantest Corp. Method of producing a contact structure
CN101442109A (zh) * 2008-08-20 2009-05-27 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其引线结构、掩模板、驱动芯片
US20100283955A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device having fanout wiring
CN102495524A (zh) * 2011-09-05 2012-06-13 友达光电股份有限公司 光罩、平面显示面板的导线的制作方法以及平面显示面板的导线结构
CN103050379A (zh) * 2012-12-10 2013-04-17 华映视讯（吴江）有限公司 窄间距线路的形成方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04115254A (ja) * 1990-09-05 1992-04-16 Kyodo Printing Co Ltd サイドエッチの補正方法
JP3286225B2 (ja) * 1997-10-22 2002-05-27 株式会社東芝 パターン設計方法
JP3327394B2 (ja) * 1999-10-25 2002-09-24 日本電気株式会社 光近接効果補正方法
JP2002148780A (ja) * 2000-11-15 2002-05-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd マスクパターン生成装置、マスクパターン生成方法、その方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体およびフォトマスク
CN100378984C (zh) * 2005-09-23 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 恒温电迁移测试结构及其圆角光学邻近修正方法
CN100538804C (zh) * 2005-10-21 2009-09-09 友达光电股份有限公司 显示面板
KR20070045751A (ko) * 2005-10-28 2007-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 포토 마스크
US20070216845A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 Chia-Te Liao Uniform impedance conducting lines for a liquid crystal display
TW200822824A (en) * 2006-09-05 2008-05-16 Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd Printed wiring board
JP2008047904A (ja) * 2007-08-10 2008-02-28 Hitachi Ltd 半導体装置
KR100912804B1 (ko) * 2007-12-05 2009-08-18 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 플라즈마 디스플레이 패널의격벽 형성 방법
JP2009140397A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 自動配線設計方法およびそのコンピュータプログラム
CN101794558A (zh) * 2009-02-03 2010-08-04 友达光电股份有限公司 有源器件阵列基板及显示面板
KR20100109771A (ko) * 2009-04-01 2010-10-11 삼성전자주식회사 림 영역을 가진 투과율 조절형 위상 반전 포토마스크 및 그 제조 방법
KR101593538B1 (ko) * 2009-04-09 2016-02-29 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판의 제조 방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판
CN102243383A (zh) * 2010-05-10 2011-11-16 瀚宇彩晶股份有限公司 扇出信号线结构及显示面板
KR101771562B1 (ko) * 2011-02-14 2017-08-28 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20140103480A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Mask, TFT Glass Substrate and the Manufacturing Method Thereof
CN102944974B (zh) * 2012-10-26 2015-07-15 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜板及阵列基板的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6218203B1 (en) * 1999-06-28 2001-04-17 Advantest Corp. Method of producing a contact structure
CN101442109A (zh) * 2008-08-20 2009-05-27 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其引线结构、掩模板、驱动芯片
US20100283955A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device having fanout wiring
CN102495524A (zh) * 2011-09-05 2012-06-13 友达光电股份有限公司 光罩、平面显示面板的导线的制作方法以及平面显示面板的导线结构
CN103050379A (zh) * 2012-12-10 2013-04-17 华映视讯（吴江）有限公司 窄间距线路的形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6246916B2 (ja) 2017-12-13
US20140377690A1 (en) 2014-12-25
CN103324035B (zh) 2015-07-01
CN103324035A (zh) 2013-09-25
GB2529790A (en) 2016-03-02
JP2016530547A (ja) 2016-09-29
GB2529790B (en) 2019-12-11
US9110375B2 (en) 2015-08-18
WO2014201730A1 (zh) 2014-12-24
KR101708158B1 (ko) 2017-02-17
KR20160018708A (ko) 2016-02-17
GB201522338D0 (en) 2016-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2619817C1 (ru) Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы
US9274368B2 (en) COA substrate, method for fabricating the same and display device
US8017465B2 (en) Method for manufacturing array substrate of liquid crystal display
US7718994B2 (en) Array substrates for use in liquid crystal displays and fabrication methods thereof
US20120092607A1 (en) Pixel electrode layer structure of tft-lcd, method for manufacturing the same and mask therefor
JP2005072135A (ja) 液晶表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
US9274388B2 (en) Array substrate having common electrode driving interface pattern with slits, and manufacturing method thereof, and liquid crystal display
US9606393B2 (en) Fabrication method of substrate
US8900776B2 (en) Mask plate, fattening method and method for manufacturing array substrate
US20150029411A1 (en) Touch panel, conductive film and method for manufacturing the same
US8625041B2 (en) Array substrate, liquid crystal display for the same and manufacturing method thereof
JP2009063995A (ja) グレースケールマスク
KR101051586B1 (ko) 2개의 포토 마스크를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
CN105842980B (zh) 掩膜板及设计方法、阵列基板及制作方法、相关显示装置
CN109541829B (zh) 掩膜版、液晶面板和液晶显示装置
US20160240558A1 (en) Manufacturing method for array substrate, array substrate and display device
US8421096B2 (en) Pixel structure and display panel
KR20090097471A (ko) 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자의 형성방법
CN101881924B (zh) 掩膜版设计方法
EP3346495B1 (en) Array substrate, and manufacturing method and display device therefor
US9780120B2 (en) Method for manufacturing array substrate, array substrate thereof and display device
JP2009244523A (ja) カラーフィルタの製造方法
KR20160044671A (ko) 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
CN107591414B (zh) 阵列基板及其制作方法
KR101616919B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법