CN103324035A - 掩膜板和阵列基板的制作方法 - Google Patents

掩膜板和阵列基板的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种掩膜板和阵列基板的制作方法，掩膜板用于制作阵列基板上非有效显示区内的扇出引线，其包括扇出引线图案，扇出引线图案具有多条扇出印模线，各扇出印模线具有预定线宽，多条扇出印模线中至少部分扇出印模线具有至少一个弯曲部分，并且同一扇出印模线的弯曲部分的线宽小于扇出印模线的预定线宽。该制作方法利用掩膜板制作阵列基板，实施本发明能够减小扇出引线之间的电阻差，消除显示不均匀现象。

Description

掩膜板和阵列基板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示器制造领域，特别是涉及一种掩膜板，还涉及一种阵列基板的制作方法。
背景技术
用于制造显示器的显示面板，包括LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示）面板和OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）面板，都需要通过光刻工艺形成电路。
光刻工艺主要包括光阻涂布、曝光、光阻显影和蚀刻四个步骤。在玻璃基板上形成金属层后，开始光阻涂布，在金属层上形成光阻层；然后对光阻层进行曝光；对曝光后的光阻层进行显影后，光阻层就形成了预先设计的电路图案；最后对金属层进行蚀刻，没有光阻保护的金属被蚀刻掉，剩下的金属就形成了电路。
众所周知，显示面板包括有效显示区（AA，Active Area）和环绕有效显示区的非有效显示区，有效显示区内具有各种信号走线，例如扫描线和数据线，非有效县市区内具有扇出引线，这些扇出引线一端连接上述信号走线，另一端连接外围的驱动芯片。如图1所示，是现有技术一种显示面板的结构示意图，图中还放大示意了扇出引线。由于扇出引线对应连接信号走线，传输信号时，扇出引线将作为信号的负载，如果扇出引线全部为直线，那么外围的扇出引线的有效长度大于中间的扇出引线，外围的扇出引线的电阻就将大于中间的扇出引线，使得不同的信号走线有不同的负载，给信号传输带来影响，造成显示器的图像显示不均匀，这种现象被叫做显示不均匀（Fanout Mura）现象。为了克服这一困难，图中将中间的扇出引线弯曲，也就变相增加了中间的扇出引线的有效长度，减小与外围的扇出引线之间的电阻差。
然而，现有技术在进行光刻工艺时，由于制程能力有限，弯曲的扇出引线往往难以达到预先设计的线宽，造成电阻差进一步增大。请参见图2，是现有技术显示面板上的扇出引线形成前和形成后的效果对比图。（a）部分是扇出引线形成前弯曲部分的期望形状，其弯曲部分的线宽与其他地方的线宽相等。（b）部分是在现有的光刻工艺下扇出引线形成后弯曲部分的实际形状，其弯曲部分的线宽大于其他地方的线宽。造成这样的原因是：在曝光步骤中，光路难以做到完全准直，会有少量的侧向光存在，曝光区域会同时照射到准直光和侧向光，但是对（b）部分的A区域而言，由于扇形引线的图案没有照射光，所以A区域三面被包围，也就是说A区域有三面照射不到侧向光，而其它曝光区域能够照射到准直光和侧向光，所以A区域的感光强度较其它曝光区域弱，光阻的化学反应较慢，这就造成后续进行显影和蚀刻步骤时，A区域的显影速度和蚀刻速度较其它曝光区域慢，最后扇出引线弯曲部分就多出A区域部分，扇出引线弯曲部分线宽增大，电阻就相应变小，造成电阻差进一步增大。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种掩膜板和阵列基板的制作方法，能够减小扇出引线之间的电阻差。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种掩膜板，用于制作阵列基板上非有效显示区内的扇出引线，掩膜板包括扇出引线图案，扇出引线图案具有多条扇出印模线，各扇出印模线具有预定线宽，多条扇出印模线中至少部分扇出印模线具有至少一个弯曲部分，并且同一扇出印模线的弯曲部分的线宽小于扇出印模线的预定线宽。
其中，多个弯曲部分呈S形连续排布。
其中，各扇出印模线的预定线宽相等。
其中，扇出引线图案中部的扇出印模线的预定线宽小于扇出引线图案边缘的扇出印模线的预定线宽。
其中，多条扇出印模线的预定线宽沿扇出引线图案的中部向边缘的方向逐渐增大。
其中，多条扇出印模线的有效长度相等。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板的制作方法，制作方法包括：提供一玻璃基板，在玻璃基板上依次形成金属层和光阻层；提供上述任一种的掩膜板，利用掩膜板对玻璃基板进行曝光，其中，光阻层对应弯曲部分的位置的曝光速度小于其它位置的曝光速度；对玻璃基板进行显影，在光阻层上转印出扇出引线图案，其中，光阻层对应弯曲部分的位置的显影速度小于其它位置的显影速度；对金属层进行蚀刻，在玻璃基板上形成扇出引线，其中，金属层对应弯曲部分的位置的蚀刻速度小于其它位置的蚀刻速度，以使得扇出引线对应弯曲部分的线宽小于或等于预定线宽。
其中，光阻层由正性光阻形成，扇出引线图案为非镂空图案。
其中，光阻层由负性光阻形成，扇出引线图案为镂空图案。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的掩膜板和阵列基板的制作方法中扇出印模线弯曲部分的线宽小于扇出印模线的预定线宽，光阻层对应弯曲部分的位置的感光强度又小于其它位置的曝感光强度，在显影和蚀刻后，能够使扇出引线对应弯曲部分的线宽小于或等于预定线宽，能够减小扇出引线之间的电阻差，消除显示不均匀现象。
附图说明
图1是现有技术一种显示面板的结构示意图，图中还放大示意了扇出引线；
图2是现有技术显示面板上的扇出引线形成前和形成后的效果对比图；
图3是本发明掩膜板一实施例的结构示意图；
图4是图3所示的掩膜板上一条扇出印模线的放大示意图；
图5是本发明阵列基板的制作方法一实施例的流程示意图；
图6是图5所示的制作方法中玻璃基板上的光阻层进行曝光步骤和显影步骤的效果对比图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图3和图4，图3是本发明掩膜板一实施例的结构示意图。图4是图3所示的掩膜板上一条扇出印模线的放大示意图。
掩膜板30用于制作阵列基板上非有效显示区内的扇出引线。掩膜板30包括扇出引线图案31，扇出引线图案31对应非有效显示区内扇出引线，也就是说，利用掩膜板31进行曝光，扇出引线图案31可以变为扇出引线的图案。扇出引线图案31呈扇形，形成的扇出引线也就呈扇形分布。
扇出引线图案31具有多条扇出印模线310，各扇出印模线310具有预定线宽L1，预定线宽L1是指符合设计值的线宽。多条扇出印模线310中至少部分扇出印模线310具有至少一个弯曲部分311，由于扇出印模线310对应扇出引线，那么扇出印模线310的长度就决定了扇出引线的长度，如果每条扇出印模线310的有效长度不一致，那么每条扇出引线的有效长度就不一致，结果就会导致各扇出引线之间的电阻差增大。而弯曲部分311可以增加扇出印模线310的有效长度。在本实施例中，多条扇出印模线310的有效长度相等。
同一条扇出印模线310的弯曲部分311的线宽L2小于扇出印模线310的预定线宽L1。对于不具有弯曲部分311的扇出印模线310而言，其各个位置的线宽均为预定线宽L1。对于具有两个以上弯曲部分311的扇出印模线310而言，多个弯曲部分311呈S形连续排布（如图4所示）。
每条扇出印模线310的预定线宽L1可以取相同的值，也可取不同的值。在本实施例中，各扇出印模线310的预定线宽L1相等。在其它实施例中，扇出引线图案31中部的扇出印模线310的预定线宽L1小于扇出引线图案31边缘的扇出印模线310的预定线宽L1。特别的，多条扇出印模线310的预定线宽L1沿扇出引线图案31的中部向边缘的方向逐渐增大。在扇出引线图案31中部的扇出印模线310的有效长度小于扇出引线图案31边缘的扇出印模线310的有效长度的情况下，若扇出引线图案31中部的扇出印模线310的预定线宽L1小于扇出引线图案31边缘的扇出印模线310的预定线宽L1，则形成的扇出引线在中部的单位长度电阻大于在边缘的单位长度电阻，可以减小扇出引线之间的电阻差。
请参阅图5，是本发明阵列基板的制作方法一实施例的流程示意图。制作方法包括以下步骤：
步骤S51：提供一玻璃基板，在玻璃基板上依次形成金属层和光阻层。
其中，金属层可以采用沉积等工艺形成，光阻层可采用涂覆等工艺形成。
步骤S52：提供一掩膜板，利用掩膜板对玻璃基板进行曝光，其中，光阻层对应弯曲部分的位置的曝光速度小于其它位置的曝光速度。
其中，掩膜板为上述实施例的掩膜板30。在本实施例中，光阻层由正性光阻形成，扇出引线图案31为非镂空图案。也就是说，需要形成扇出引线的光阻是不需要照射光的。
由于扇出印模线310弯曲部分311的线宽L2小于预定线宽L1，则弯曲部分311对应的光阻层的感光强度较弱，使得弯曲部分311内侧的一部分光阻产生化学反应较弱。例如，请一并参阅图6，是图5所示的制作方法中玻璃基板上的光阻层进行曝光步骤和显影步骤的效果对比图。图中（a）部分为光阻层进行曝光步骤的效果示意图。经过掩膜板30曝光后，光阻层上对应弯曲部分311的位置，即B区域，由于受到三面光阻的包围，不能照射到侧向光，感光强度较弱，B区域的光阻的化学反应缓慢，曝光速度就小于其它位置的曝光速度。
步骤S53：对玻璃基板进行显影，在光阻层上转印出扇出引线图案，其中，光阻层对应弯曲部分的位置的显影速度小于其它位置的显影速度。
其中，进行显影后的光阻如图6中（b）部分所示，（b）部分为光阻层进行显影步骤的效果示意图。由于（a）部分中B区域的光阻化学反应很慢，其化学性质基本没有产生变化，在显影时显影速度很慢，不会被显影液洗去，这部分光阻得以保留。从而（b）部分的光阻对应弯曲部分311的线宽增大。
步骤S54：对金属层进行蚀刻，在玻璃基板上形成扇出引线，其中，金属层对应弯曲部分的位置的蚀刻速度小于其它位置的蚀刻速度，以使得扇出引线对应弯曲部分的线宽小于或等于预定线宽。
其中，由于金属层上剩余的光阻的图案与扇出引线图案31相同，在蚀刻时，被B区域保护的金属蚀刻速度很慢，剩余的金属的图案就与扇出引线图案31相同，并且扇出引线对应弯曲部分311的线宽小于或等于预定线宽L1，从而各扇出引线之间的电阻差将减小，能够消除显示不均匀现象。
在其它实施例中，光阻层可由负性光阻形成，扇出引线图案31为镂空图案。无论为正性光阻还是负性光阻，B区域的光阻都将得以保留，从而阵列基板上的扇出引线各部分的线宽相等，甚至于扇出引线对应弯曲部分311的线宽小于预定线宽。
通过上述方式，本发明的掩膜板和阵列基板的制作方法中扇出印模线弯曲部分的线宽小于扇出印模线的预定线宽，光阻层对应弯曲部分的位置的感光强度又小于其它位置的曝感光强度，在显影和蚀刻后，能够使扇出引线对应弯曲部分的线宽小于或等于预定线宽，能够减小扇出引线之间的电阻差，消除显示不均匀现象。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种掩膜板，用于制作阵列基板上非有效显示区内的扇出引线，其特征在于，所述掩膜板包括扇出引线图案，所述扇出引线图案具有多条扇出印模线，各所述扇出印模线具有预定线宽，所述多条扇出印模线中至少部分所述扇出印模线具有至少一个弯曲部分，并且同一扇出印模线的所述弯曲部分的线宽小于所述扇出印模线的所述预定线宽。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，多个所述弯曲部分呈S形连续排布。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，各所述扇出印模线的预定线宽相等。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述扇出引线图案中部的扇出印模线的预定线宽小于所述扇出引线图案边缘的扇出印模线的预定线宽。
5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述多条扇出印模线的所述预定线宽沿所述扇出引线图案的中部向边缘的方向逐渐增大。
6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述多条扇出印模线的有效长度相等。
7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次形成金属层和光阻层；
提供根据权利要求1至6任一项所述的掩膜板，利用所述掩膜板对所述玻璃基板进行曝光，其中，所述光阻层对应所述弯曲部分的位置的曝光速度小于其它位置的曝光速度；
对所述玻璃基板进行显影，在所述光阻层上转印出所述扇出引线图案，其中，所述光阻层对应所述弯曲部分的位置的显影速度小于其它位置的显影速度；
对所述金属层进行蚀刻，在所述玻璃基板上形成所述扇出引线，其中，所述金属层对应所述弯曲部分的位置的蚀刻速度小于其它位置的蚀刻速度，以使得所述扇出引线对应所述弯曲部分的线宽小于或等于所述预定线宽。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述光阻层由正性光阻形成，所述扇出引线图案为非镂空图案。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述光阻层由负性光阻形成，所述扇出引线图案为镂空图案。
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KR1020167000363A KR101708158B1 (ko) 2013-06-20 2013-07-01 마스크 플레이트 및 어레이 기판의 제작방법
GB1522338.1A GB2529790B (en) 2013-06-20 2013-07-01 Manufacturing method of mask plate and array substrate
US13/985,286 US9110375B2 (en) 2013-06-20 2013-07-01 Manufacturing method of mask plate and array substrate
RU2016101271A RU2619817C1 (ru) 2013-06-20 2013-07-01 Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы
JP2016520232A JP6246916B2 (ja) 2013-06-20 2013-07-01 マスクとマトリックス基板の製作方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104252098A (zh) * 2014-09-18 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN109698216A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 昆山维信诺科技有限公司 柔性显示屏
CN111682054A (zh) * 2020-06-24 2020-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109575018A (zh) * 2013-08-02 2019-04-05 韩国巴斯德研究所 一种抗感染化合物
KR102458683B1 (ko) * 2015-08-13 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1746966A (zh) * 2005-10-21 2006-03-15 友达光电股份有限公司 显示面板
CN1937218A (zh) * 2005-09-23 2007-03-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 恒温电迁移测试结构及其圆角光学邻近修正方法
US20070216845A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 Chia-Te Liao Uniform impedance conducting lines for a liquid crystal display
CN101141848A (zh) * 2006-09-05 2008-03-12 三井金属矿业株式会社 印刷电路板
CN101442109A (zh) * 2008-08-20 2009-05-27 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其引线结构、掩模板、驱动芯片
CN101794558A (zh) * 2009-02-03 2010-08-04 友达光电股份有限公司 有源器件阵列基板及显示面板
US20100283955A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device having fanout wiring
CN102243383A (zh) * 2010-05-10 2011-11-16 瀚宇彩晶股份有限公司 扇出信号线结构及显示面板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04115254A (ja) * 1990-09-05 1992-04-16 Kyodo Printing Co Ltd サイドエッチの補正方法
JP3286225B2 (ja) * 1997-10-22 2002-05-27 株式会社東芝 パターン設計方法
US6218203B1 (en) * 1999-06-28 2001-04-17 Advantest Corp. Method of producing a contact structure
JP3327394B2 (ja) * 1999-10-25 2002-09-24 日本電気株式会社 光近接効果補正方法
JP2002148780A (ja) * 2000-11-15 2002-05-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd マスクパターン生成装置、マスクパターン生成方法、その方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体およびフォトマスク
KR20070045751A (ko) * 2005-10-28 2007-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 포토 마스크
JP2008047904A (ja) * 2007-08-10 2008-02-28 Hitachi Ltd 半導体装置
KR100912804B1 (ko) * 2007-12-05 2009-08-18 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 플라즈마 디스플레이 패널의격벽 형성 방법
JP2009140397A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 自動配線設計方法およびそのコンピュータプログラム
KR20100109771A (ko) * 2009-04-01 2010-10-11 삼성전자주식회사 림 영역을 가진 투과율 조절형 위상 반전 포토마스크 및 그 제조 방법
KR101593538B1 (ko) * 2009-04-09 2016-02-29 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판의 제조 방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판
KR101771562B1 (ko) * 2011-02-14 2017-08-28 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI440965B (zh) * 2011-09-05 2014-06-11 Au Optronics Corp 光罩、平面顯示面板之導線的製作方法以及平面顯示面板之導線結構
US20140103480A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Mask, TFT Glass Substrate and the Manufacturing Method Thereof
CN102944974B (zh) * 2012-10-26 2015-07-15 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜板及阵列基板的制造方法
CN103050379B (zh) * 2012-12-10 2015-03-04 华映视讯（吴江）有限公司 窄间距线路的形成方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1937218A (zh) * 2005-09-23 2007-03-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 恒温电迁移测试结构及其圆角光学邻近修正方法
CN1746966A (zh) * 2005-10-21 2006-03-15 友达光电股份有限公司 显示面板
US20070216845A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 Chia-Te Liao Uniform impedance conducting lines for a liquid crystal display
CN101141848A (zh) * 2006-09-05 2008-03-12 三井金属矿业株式会社 印刷电路板
CN101442109A (zh) * 2008-08-20 2009-05-27 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其引线结构、掩模板、驱动芯片
CN101794558A (zh) * 2009-02-03 2010-08-04 友达光电股份有限公司 有源器件阵列基板及显示面板
US20100283955A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device having fanout wiring
CN102243383A (zh) * 2010-05-10 2011-11-16 瀚宇彩晶股份有限公司 扇出信号线结构及显示面板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104252098A (zh) * 2014-09-18 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN104252098B (zh) * 2014-09-18 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN109698216A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 昆山维信诺科技有限公司 柔性显示屏
CN111682054A (zh) * 2020-06-24 2020-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

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