CN102866544A - 透明电极制作方法、掩膜板以及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种透明电极制作方法、掩膜板以及设备。所述方法包括如下步骤：在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻；透过掩膜板对光阻进行曝光，其中，掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域，第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距，第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距，并且，第一间距大于相应的预定间距，第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差；对曝光后的玻璃基板进行显影、刻蚀以在玻璃基板上形成透明电极。通过上述方式，本发明能够使得成型后的整个显示区域的透明电极的间距误差减少，从而提高显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种透明电极制作方法、掩膜板以及设备。
背景技术
现今，液晶显示器的基板的透明电极的制作工艺，是先在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻，然后，透过掩膜板对光阻进行曝光。由于掩膜板的遮挡作用，掩膜板的图案所对应的部分将不会被曝光，在随后的显影过程中，被曝光的光阻将被显影液清洗掉，而在刻蚀过程中，有光阻保护的薄膜将保留下来，形成透明电极的图案。
但是，参阅图1，在基板中，透明电极主要分布在显示区域110（AA，Active Area），因而，显示区域110所需保留的薄膜多于非显示区域120所需保留的薄膜。因此，在显影过程中，非显示区域120的显影液消耗得比显示区域110多，使得非显示区域120的显影液的浓度低于显示区域110的显影液的浓度。而且，经过扩散作用（如图中箭头所示低浓度扩散方向），使得与非显示区域120相接的显示区域110的边缘区域的显影液的浓度低于远离非显示区域120的显示区域110的中心区域的显影液的浓度，从而导致边缘区域的光阻图形的间距小于中心区域的光阻图形的间距。同样的情况也发生在刻蚀过程中，从而导致显示区域110的边缘区域的透明电极与显示区域110的中心区域的透明电极的间距大小不一，进而影响显示效果。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种透明电极制作方法、掩膜板以及设备，能够使得成型后的整个显示区域的透明电极的间距误差减少，从而提高显示效果。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种透明电极制作方法，包括如下步骤：在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻；透过掩膜板对所述光阻进行曝光，其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域，所述第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距，所述第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距，并且，第一间距大于相应的预定间距，第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差；对曝光后的所述玻璃基板进行显影、刻蚀以在所述玻璃基板上形成透明电极。
其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距为第一间距或第二间距，并且从外至内第一间距所占的比例逐渐减少而第二间距所占的比例逐渐增大。
其中，所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域为长宽比一样的矩形区域。
其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，从外至内所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距逐渐减小。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种掩膜板，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域，所述第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距，所述第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距，并且，第一间距大于相应的预定间距，第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差。
其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距为第一间距或第二间距，并且从外至内第一间距所占的比例逐渐减少而第二间距所占的比例逐渐增大。
其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，从外至内所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距逐渐减小。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种透明电极制作设备，包括：显影光源以及掩膜板，所述显影光源产生显影光线透过所述掩膜板，其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域，所述第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距，所述第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距，并且，第一间距大于相应的预定间距，第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差。
其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距为第一间距或第二间距，并且从外至内第一间距所占的比例逐渐减少而第二间距所占的比例逐渐增大。
其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，从外至内所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距逐渐减小。
本发明的有益效果是：本发明采用在掩膜板设置接近非显示区域的第一区域以及远离非显示区域的第二区域，而第一区域中图形的间距大于第二区域中图形的间距，第一区域中显影液和刻蚀液的浓度比较少，则预先设置该区域的间距较大，第一区域中显影液和刻蚀液的浓度比较大，则预先设置该区域的间距较小，从而补偿由于浓度差异所导致的间距差异，从而使得成型后的整个显示区域的透明电极的间距误差减少，从而提高显示效果。
附图说明
图1是现有技术一种透明电极制作方法浓度扩散示意图；
图2是本发明透明电极制作方法一实施方式的流程图；
图3是本发明透明电极制作方法一实施方式中掩膜板的结构示意图；
图4是本发明透明电极制作方法另一实施方式中掩膜板的结构示意图；
图5是本发明透明电极制作方法再一实施方式中掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施方式进行说明。
参阅图1，图1是本发明透明电极制作方法一实施方式的流程图。透明电极制作方法包括：
步骤201：在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻。
通过真空蒸镀、溅射、分子束蒸镀或化学蒸镀等方法在玻璃基板上形成薄膜，然后通过光阻涂布机在薄膜上涂布光阻。
步骤202：透过掩膜板对光阻进行曝光。
将涂布电阻后的玻璃基板输送至显影装置，显影光源透过掩膜板对光阻进行曝光。请一并参阅图3，掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分300从外至内分成至少第一区域310及第二区域320两个区域，第一区域310中透明电极所对应的图形的间距定义为第一间距312，第二区域320中透明电极所对应的图形的间距定义为第二间距322，并且，第一间距312大于相应的预定间距，第一间距312与相应的预定间距之间的差大于第二间距322与相应的预定间距之间的差。
预定间距是指经过显影刻蚀后，希望得到的薄膜之间的间距。在理想状态下，经过显影刻蚀后薄膜之间的间距应与预定间距一致。
步骤203：对曝光后的玻璃基板进行显影、刻蚀。
曝光后，将玻璃基板放入显影液中进行显影，以把没有被曝光的光阻去掉，然后将显影后的玻璃基板取出，清洗，再送到刻蚀装置中，加入刻蚀液以将没有光阻的部分刻蚀掉。最后，将光阻剥离以形成基板。
区别于现有技术的情况，本发明采用在掩膜板设置接近非显示区域的第一区域以及远离非显示区域的第二区域，而第一区域中图形的间距大于第二区域中图形的间距，第一区域中显影液和刻蚀液的浓度比较少，则预先设置该区域的间距较大，第一区域中显影液和刻蚀液的浓度比较大，则预先设置该区域的间距较小，从而补偿由于浓度差异所导致的间距差异，从而使得成型后的整个显示区域的透明电极的间距误差减少，从而提高显示效果。
请参阅图4，图4是本发明透明电极制作方法另一实施方式中掩膜板的结构示意图。透明电极制作方法另一实施方式与上一实施方式基本相似，其不同之处在于，掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成第一区域310、第二区域320以及第三区域330，第三区域330设置于第一区域310与第二区域320之间，并且，第三区域330中透明电极所对应的图形的间距为第一间距312或第二间距322，并且从外至内第一间距312所占的比例逐渐减少而第二间距322所占的比例逐渐增大。
具体地，第一区域310、第二区域320以及第三区域330以像素大小为基本单位划分为长宽比一样的矩形区域。将第一区域310中基本单位内的图形的间距均定义为第一间距312，而将第二区域320中基本单位内的图形的间距均定义为第二间距322。第三区域330中，最接近第一区域310处设置为第一间距312的基本单位的比例接近100%，而最接近第二区域320处设置为第二间距322的基本单位的比例接近100%。在两者之间，从外至内，设置为第一间距312的基本单位的数目的比例逐渐减少，而设置为第二间距322的基本单位的数目的比例相应逐渐增多。
将第三区域330的图形的间距设置为第一间距312或第二间距322，并且从外至内第一间距312所占的比例逐渐减少而第二间距322所占的比例逐渐增大，可以使得成型后的整个显示区域的透明电极的间距误差减少的同时避免出现过多的加工规格，减少掩膜板加工的难度，以及提高掩膜板加工的精度。
参见图5，图5是本发明透明电极制作方法再一实施方式中掩膜板的结构示意图。透明电极制作方法另一实施方式与上一实施方式基本相似，其不同之处在于，掩膜板的第三区域530从外至内图形之间的间距逐渐减小。特别地，可以设置从外至内，图形之间的间距分别为间距1、间距2、间距3、间距4……，而且，间距1>间距2>间距3>间距4>……。
本发明还提供了一种掩膜板，具体请见图3和图4及相关描述，此处不再赘述。
本发明还提供了一种透明电极制作设备，包括显影光源以及掩膜板，所述显影光源产生显影光线透过所述掩膜板，其中，掩膜板如图3和图4及相关描述，此处不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种透明电极制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻；
透过掩膜板对所述光阻进行曝光，其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域，所述第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距，所述第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距，并且，第一间距大于相应的预定间距，第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差；
对曝光后的所述玻璃基板进行显影、刻蚀以在所述玻璃基板上形成透明电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距为第一间距或第二间距，并且从外至内第一间距所占的比例逐渐减少而第二间距所占的比例逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域为长宽比一样的矩形区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，从外至内所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距逐渐减小。
5.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域，所述第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距，所述第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距，并且，第一间距大于相应的预定间距，第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距为第一间距或第二间距，并且从外至内第一间距所占的比例逐渐减少而第二间距所占的比例逐渐增大。
7.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，从外至内所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距逐渐减小。
8.一种透明电极制作设备，其特征在于，包括：显影光源以及掩膜板，所述显影光源产生显影光线透过所述掩膜板，其中，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域，所述第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距，所述第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距，并且，第一间距大于相应的预定间距，第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差。
9.根据权利要求8所述的透明电极制作设备，其特征在于，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距为第一间距或第二间距，并且从外至内第一间距所占的比例逐渐减少而第二间距所占的比例逐渐增大。
10.根据权利要求8所述的透明电极制作设备，其特征在于，所述掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成所述第一区域、所述第二区域以及第三区域，所述第三区域设置于所述第一区域与所述第二区域之间，并且，从外至内所述第三区域中透明电极所对应的图形的间距逐渐减小。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105093807A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板及其制备方法和曝光系统 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1581437A (zh) * | 2003-08-07 | 2005-02-16 | 株式会社东芝 | 光掩膜、制造图形的方法以及制造半导体器件的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100954107B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2010-04-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
| KR101085630B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2011-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성방법 |
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1581437A (zh) * | 2003-08-07 | 2005-02-16 | 株式会社东芝 | 光掩膜、制造图形的方法以及制造半导体器件的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105093807A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板及其制备方法和曝光系统 |
| CN105093807B (zh) * | 2015-09-16 | 2024-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板及其制备方法和曝光系统 |
Also Published As
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|---|---|
| WO2014047961A1 (zh) | 2014-04-03 |
| CN102866544B (zh) | 2014-11-05 |
| DE112012006865T5 (de) | 2015-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Transparent electrode manufacturing method, mask plate and equipment Effective date of registration: 20190426 Granted publication date: 20141105 Pledgee: Bank of Beijing Limited by Share Ltd Shenzhen branch Pledgor: Shenzhen Huaxing Optoelectronic Technology Co., Ltd. Registration number: 2019440020032 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20201016 Granted publication date: 20141105 Pledgee: Bank of Beijing Limited by Share Ltd. Shenzhen branch Pledgor: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Registration number: 2019440020032 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |