CN104570445A - 显示基板及其制造方法和显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示基板及其制造方法和显示装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制造方法和显示装置及其制造方法。该显示基板包括：衬底基板和形成于所述衬底基板第一表面的多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区，所述衬底基板第二表面上形成有抗反射层，所述抗反射层与所述非显示区对应设置。本发明提供的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。

Description

显示基板及其制造方法和显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置及其制造方法。
背景技术
在显示技术领域，显示装置的屏幕往往都是玻璃制作的，由于玻璃有反射，因此在观看时造成用户体验变差。
现有技术中，显示装置可包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板衬底基板和形成于衬底基板第一表面的多个亚像素区域，每个亚像素区域包括显示区和非显示区，显示区中设置有彩色矩阵图形，非显示区中设置有黑矩阵图形。显示区会根据需要发出相应强度的光，而非显示区为被控制线路所占的区域，因此这个区域往往会被黑矩阵图形覆盖。在实际应用中，当显示装置的屏幕为黑色时，只有反射光线进入人眼，因此用户可以清楚的看到自己的倒影；而当显示装置的屏幕显示内容时，由于显示的光线更强，因此人眼就感受不到反射的光线。
但是，当显示装置的非显示区的反射现象严重时，非显示区的反射率较高，从而对显示区的显示造成影响。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置及其制造方法，用于降低非显示区的反射率，从而降低非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：衬底基板和形成于所述衬底基板第一表面的多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区，所述衬底基板第二表面上形成有抗反射层，所述抗反射层与所述非显示区对应设置。
可选地，所述抗反射层包括：基底层，所述基底层混合有抗反射颗粒。
可选地，所述抗反射颗粒包括碳粉颗粒。
可选地，所述基底层的材料为树脂。
可选地，所述抗反射颗粒的直径包括10nm至100μm。
可选地，所述基底层的厚度包括：0.02μm至5μm。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，包括：相对设置的对置基板和上述显示基板。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板的制造方法，包括：
在衬底基板的第一表面形成多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区；
在衬底基板的第二表面上形成抗反射层，所述抗反射层与所述非显示区对应设置。
可选地，所述抗反射层包括：基底层，所述基底层混合有抗反射颗粒；
所述在衬底基板的第二表面上形成抗反射层包括：
将所述抗反射颗粒混入所述基底层材料中；
在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料，并对所述基底层材料进行构图工艺以形成所述抗反射层。
可选地，所述在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料，并对所述基底层材料进行构图工艺以形成所述抗反射层包括：
在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料；
从所述衬底基板的第一表面对所述基底层材料进行照射，以使与所述显示区对应设置的基底层材料曝光形成曝光部分，与所述非显示区对应设置的基底层材料形成未曝光部分；
对曝光后的基底层材料进行显影以去除所述曝光部分，保留未曝光部分以形成所述抗反射层。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示装置的制造方法，包括：
制备显示基板，所述显示基板包括衬底基板和形成于所述衬底基板第一表面的多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区；
制备对置基板；
将所述显示基板和所述对置基板相对设置；
在所述衬底基板第二表面上形成抗反射层，所述抗反射层与所述非显示区对应设置。
可选地，所述抗反射层包括：基底层，所述基底层混合有抗反射颗粒；
所述在所述衬底基板第二表面上形成抗反射层包括：
将所述抗反射颗粒混入所述基底层材料中；
在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料，并对所述基底层材料进行构图工艺以形成所述抗反射层。
可选地，所述在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料，并对所述基底层材料进行构图工艺以形成所述抗反射层包括：
在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料；
从所述对置基板一侧对所述基底层材料进行照射，以使与所述显示区对应设置的基底层材料曝光形成曝光部分，与所述非显示区对应设置的基底层材料形成未曝光部分；
对曝光后的基底层材料进行显影以去除所述曝光部分，保留未曝光部分以形成所述抗反射层。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置及其制造方法的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
图3a为实施例三中形成亚像素区域的示意图；
图3b为实施例三中形成基底层材料的示意图；
图3c为实施例三中对基底层材料进行曝光的示意图；
图3d为实施例三中对曝光后的基底层材料进行显影的示意图；
图4为本发明实施例四提供的一种显示装置的制造方法的流程图；
图5a为实施例四中显示基板和对置基板相对设置的示意图；
图5b为实施例四中形成基底层材料的示意图；
图5c为实施例四中对基底层材料进行曝光的示意图；
图5d为实施例四中对曝光后的基底层材料进行显影的示意图；
图5e为实施例四中烘烤后的抗反射层的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置及其制造方法进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图，如图1所示，该显示基板包括：衬底基板11和形成于衬底基板11第一表面的多个亚像素区域12，每个亚像素区域12包括显示区121和非显示区122，衬底基板11第二表面上形成有抗反射层13，抗反射层13与非显示区122对应设置。
显示区121中设置有用于显示的结构，例如：彩色矩阵图形、像素电极等。非显示区122中设置有用于分隔显示区121的结构或者布线结构，例如：黑矩阵图形、薄膜晶体管、栅线、数据线等，因此非显示区122为不透光区域。
本实施例中，显示基板可以为彩膜基板，则显示区121中设置有彩色矩阵图形，非显示区122中设置有黑矩阵图形。
本实施例中，抗反射层13可包括：基底层131，基底层131混合有抗反射颗粒132。其中，抗反射颗粒132可以为可吸光的颗粒，优选地，抗反射颗粒132包括碳粉颗粒。其中，基底层131的材料为树脂。
本实施例中，抗反射颗粒132的直径包括10nm至100μm。基底层131的厚度包括：0.02μm至5μm，优选地，基底层131的厚度包括1μm。
抗反射层13用于对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，从而降低非显示区的反射率。具体地，基底层131中混有抗反射颗粒132，基底层131表面的抗反射颗粒132可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射。特别是，当基底层131表面的抗反射颗粒132的直径不同时，吸收以及漫反射的效果更佳。
本实施例提供的显示基板的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
本发明实施例二提供了一种显示装置，该显示装置包括：相对设置的对置基板和显示基板。其中，显示基板可采用上述实施例一提供的显示基板，此处不再重复描述。
本实施例中，显示基板为彩膜基板时，则对置基板可以为阵列基板。
在实际应用中，可选地，显示基板还可以包括有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)显示基板、阵列基板或者彩膜阵列基板(Color Filter On Array，简称：COA)。
本实施例提供的显示装置的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
图2为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图，如图2所示，该方法包括：
步骤101、在衬底基板的第一表面形成多个亚像素区域，每个亚像素区域包括显示区和非显示区。
图3a为实施例三中形成亚像素区域的示意图，如图3a所示，在衬底基板11的第一表面形成多个亚像素区域12，每个亚像素区域12包括显示区121和非显示区122。显示基板可以为彩膜基板，则显示区121中设置有彩色矩阵图形，非显示区122中设置有黑矩阵图形。
步骤102、在衬底基板的第二表面上形成抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置。
本实施例中，抗反射层包括：基底层，基底层混合有抗反射颗粒，则步骤102具体可包括：
步骤1021、将抗反射颗粒混入基底层材料中。
步骤1022、在衬底基板的第二表面上形成基底层材料，并对基底层材料进行构图工艺以形成抗反射层。
具体地，步骤1022包括：
步骤1022a、在衬底基板的第二表面上形成基底层材料，基底层材料混合有抗反射颗粒。
图3b为实施例三中形成基底层材料的示意图，如图3b所示，在衬底基板11的第二表面上沉积基底层材料133，基底层材料133混合有抗反射颗粒132。
步骤1022b、对基底层材料进行预烘烤。
本步骤中预烘烤工艺可以使基底层材料初步硬化。
步骤1022c、从衬底基板的第一表面对基底层材料进行照射，以使与显示区对应设置的基底层材料曝光形成曝光部分，与非显示区对应设置的基底层材料形成未曝光部分。
图3c为实施例三中对基底层材料进行曝光的示意图，如图3c所示，采用光源14从衬底基板11的第一表面对基底层材料133进行照射，以使与显示区121对应设置的基底层材料133曝光形成曝光部分134，与非显示区122对应设置的基底层材料133形成未曝光部分135。
由于显示区121为透光区域，因此光源14发出的光线会透过显示区121并使与显示区121对应设置的基底层材料133曝光；由于非显示区122为不透光区域，光源14发出的光线被非显示区122阻挡不会透过非显示区122，因此与显示区121对应设置的基底层材料133不会被曝光。例如：非显示区122中的黑矩阵图形、薄膜晶体管、栅线、数据线等结构会对光源14发出的光线起到阻挡作用。本实施例采用非显示区122对光源14发出的光线进行遮挡，无需再使用掩膜板，采用了自对位技术，从而降低了制造成本。
在实际应用中，可选地，还可以采用光源从衬底基板的第二表面对基底层材料进行照射，但是此种方案需要在衬底基板的第二表面的上方设置掩膜板。
步骤1022d、对曝光后的基底层材料进行显影以去除曝光部分，保留未曝光部分以形成抗反射层。
图3d为实施例三中对曝光后的基底层材料进行显影的示意图，如图3d所示，对曝光后的基底层材料进行显影，去除曝光部分134且保留未曝光部分以形成基底层131。去除曝光部分134时，曝光的基底层材料和抗反射颗粒均被去除。
步骤1022e、对抗反射层进行后烘烤。
本步骤中后烘烤工艺可以使抗反射层进一步硬化，后烘烤后的抗反射层如图1所示。
本实施例提供的显示基板的制造方法可用于制造上述实施例一提供的显示基板，此处不再赘述。
本实施例提供的显示基板的制造方法的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
图4为本发明实施例四提供的一种显示装置的制造方法的流程图，如图4所示，该方法包括：
步骤201、制备显示基板，显示基板包括衬底基板和形成于衬底基板第一表面的多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区。
此步骤中形成的显示基板可参见图3a所示。
步骤202、制备对置基板。
本实施例中，若显示基板为彩膜基板时，对置基板可以为阵列基板。
步骤203、将显示基板和对置基板相对设置。
图5a为实施例四中显示基板和对置基板相对设置的示意图，如图5a所示，将显示基板1和对置基板2对盒设置，以形成显示装置。例如，若显示装置为液晶显示装置，则显示基板1和对置基板2之间还形成有液晶层(图中未示出)。
步骤204、在衬底基板第二表面上形成抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置。
本实施例中，抗反射层包括：基底层，基底层混合有抗反射颗粒，则步骤204包括：
步骤2041、将抗反射颗粒混入基底层材料中。
步骤2042、在衬底基板的第二表面上形成基底层材料，并对基底层材料进行构图工艺以形成抗反射层。
具体地，步骤2042包括：
步骤2042a、在衬底基板的第二表面上沉积基底层材料。
图5b为实施例四中形成基底层材料的示意图，如图5b所示，在衬底基板11的第二表面上沉积基底层材料133，基底层材料133混合有抗反射颗粒132。
步骤2042b、对基底层材料进行预烘烤。
本步骤中预烘烤工艺可以使基底层材料初步硬化。
步骤2042c、从对置基板一侧对基底层材料进行照射，以使与显示区对应设置的基底层材料曝光形成曝光部分，与非显示区对应设置的基底层材料形成未曝光部分。
图5c为实施例四中对基底层材料进行曝光的示意图，如图5c所示，采用光源14从对置基板2一侧对基底层材料133进行照射，以使与显示区121对应设置的基底层材料133曝光形成曝光部分134，与非显示区122对应设置的基底层材料133形成未曝光部分135。
由于显示区121为透光区域，因此光源14发出的光线会透过显示区121并使与显示区121对应设置的基底层材料133曝光；由于非显示区122为不透光区域，光源14发出的光线被非显示区122阻挡不会透过非显示区122，因此与显示区121对应设置的基底层材料133不会被曝光。本实施例采用非显示区122对光源14发出的光线进行遮挡，无需再使用掩膜板，采用了自对位技术，从而降低了制造成本。
在实际应用中，可选地，还可以采用光源从显示基板的第二表面对基底层材料进行照射，但是此种方案需要在显示基板的第二表面的上方设置掩膜板。
步骤2042d、对曝光后的基底层材料进行显影以去除曝光部分，保留未曝光部分以形成抗反射层。
图5d为实施例四中对曝光后的基底层材料进行显影的示意图，如图5d所示，对曝光后的基底层材料进行显影，去除曝光部分134且保留未曝光部分以形成基底层131。去除曝光部分134时，曝光的基底层材料和抗反射颗粒均被去除。
步骤1022e、对抗反射层进行后烘烤。
图5e为实施例四中烘烤后的抗反射层的示意图，如图5e所示，本步骤中后烘烤工艺可以使抗反射层进一步硬化，后烘烤后的抗反射层如图5e所示。
本实施例提供的显示装置的制造方法可用于制造上述实施例二提供的显示装置，此处不再赘述。
本实施例的显示装置的制造方法与上述实施例三的区别在于：实施例三是在制造显示基板的过程中将抗反射层形成于衬底基板的第一表面上，而后在形成显示装置时再将形成有抗反射层的显示基板与对置基板对盒，但是由于抗反射层的表面是非平整表面，会对后续搬运显示基板产生影响，从而影响对盒工艺；而本实施例中是在显示基板和对置基板完成对盒之后，再在显示基板的衬底基板的第二表面形成抗反射层。本实施例在对盒工艺之后再形成抗反射层，从而避免了先形成抗反射层时对后续对盒工艺产生影响。
本实施例提供的显示装置的制造方法的技术方案中，在衬底基板第二表面上形成有抗反射层，抗反射层与非显示区对应设置，抗反射层可对照射到非显示区的光线进行吸收或者漫反射，降低了非显示区的反射率，从而极大的降低了非显示区的反射现象对显示区的显示造成的影响。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和形成于所述衬底基板第一表面的多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区，所述衬底基板第二表面上形成有抗反射层，所述抗反射层与所述非显示区对应设置。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述抗反射层包括：基底层，所述基底层混合有抗反射颗粒。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述抗反射颗粒包括碳粉颗粒。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述基底层的材料为树脂。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述抗反射颗粒的直径包括10nm至100μm。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底层的厚度包括：0.02μm至5μm。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：相对设置的对置基板和权利要求1至6任一所述的显示基板。
8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的第一表面形成多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区；
在衬底基板的第二表面上形成抗反射层，所述抗反射层与所述非显示区对应设置。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述抗反射层包括：基底层，所述基底层混合有抗反射颗粒；
所述在衬底基板的第二表面上形成抗反射层包括：
将所述抗反射颗粒混入所述基底层材料中；
在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料，并对所述基底层材料进行构图工艺以形成所述抗反射层。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料，并对所述基底层材料进行构图工艺以形成所述抗反射层包括：
在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料；
从所述衬底基板的第一表面对所述基底层材料进行照射，以使与所述显示区对应设置的基底层材料曝光形成曝光部分，与所述非显示区对应设置的基底层材料形成未曝光部分；
对曝光后的基底层材料进行显影以去除所述曝光部分，保留未曝光部分以形成所述抗反射层。
11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
制备显示基板，所述显示基板包括衬底基板和形成于所述衬底基板第一表面的多个亚像素区域，每个所述亚像素区域包括显示区和非显示区；
制备对置基板；
将所述显示基板和所述对置基板相对设置；
在所述衬底基板第二表面上形成抗反射层，所述抗反射层与所述非显示区对应设置。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述抗反射层包括：基底层，所述基底层混合有抗反射颗粒；
所述在所述衬底基板第二表面上形成抗反射层包括：
将所述抗反射颗粒混入所述基底层材料中；
在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料，并对所述基底层材料进行构图工艺以形成所述抗反射层。
13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料，并对所述基底层材料进行构图工艺以形成所述抗反射层包括：
在所述衬底基板的第二表面上形成所述基底层材料；
从所述对置基板一侧对所述基底层材料进行照射，以使与所述显示区对应设置的基底层材料曝光形成曝光部分，与所述非显示区对应设置的基底层材料形成未曝光部分；
对曝光后的基底层材料进行显影以去除所述曝光部分，保留未曝光部分以形成所述抗反射层。
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