CN109597250B - 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法 - Google Patents

蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109597250B
CN109597250B CN201811601232.7A CN201811601232A CN109597250B CN 109597250 B CN109597250 B CN 109597250B CN 201811601232 A CN201811601232 A CN 201811601232A CN 109597250 B CN109597250 B CN 109597250B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
phase liquid
blue phase
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811601232.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109597250A (zh
Inventor
李迁
陈兴武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN201811601232.7A priority Critical patent/CN109597250B/zh
Publication of CN109597250A publication Critical patent/CN109597250A/zh
Priority to PCT/CN2019/083456 priority patent/WO2020133827A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109597250B publication Critical patent/CN109597250B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/13793—Blue phases

Abstract

本发明提供一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法，该蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法包括：提供一基板；在该基板表面沉积形成一层薄膜；在薄膜表面形成多个相间分布的辅助金属层；将基板浸入刻蚀液中进行刻蚀处理，形成多个相间分布的立体基底；将经过刻蚀处理后的基板进行清洗处理；在立体基底表面沉积一层ITO导电层，得到立体电极。本发明通过使用金属辅助法在基板上制作不同刻蚀模板多晶硅(氧化硅)的立体化图案，以及通过控制刻蚀液的浓度和刻蚀时间，来得到不同宽度/高度比和不同形状的立体电极，具有可调性，满足了不同的电极设计需求，能够降低蓝相液晶显示面板的驱动电压。

Description

蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法。
背景技术
蓝相液晶显示面板由于具有亚毫秒级的响应速度等优点，目前已得到广泛的关注，但是其自身具有的高驱动电压等缺点也成为了限制其发展的主要因素。针对如何降低蓝相液晶显示面板的驱动电压这一技术问题，目前已经提出了不同的方案，例如：从新电极的结构和形状、新电极的排列方式以及新的蓝相液晶单体材料等方面进行改进。其中，电极结构和形状的改进是目前普遍提出的比较有效的实施方案之一。
关于不同形状的立体电极，人们已经通过模拟手段证明其有效性，但是立体电极的主要难点在于立体电极的制作工艺，如何制作高度合适、导电性能好的立体电极成为亟待解决的问题。
因此，本发明提供一种新的蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法，来解决上述技术问题。
发明内容
本发明提供一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法，可解决现有技术中的立体电极的制作工艺问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，所述制造方法包括以下步骤：
S 10：提供一基板；
S20：在所述基板表面沉积形成一层薄膜；
S30：在所述薄膜表面制作阵列图案，形成有多个相间分布的辅助金属层；
S40：将所述基板浸入刻蚀液中进行刻蚀处理，形成多个相间分布的立体基底；
S50：将经过刻蚀处理后的所述基板进行清洗处理；
S60：在所述立体基底表面沉积一层ITO导电层，得到立体电极。
在本发明实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中，所述薄膜的材料为多晶硅或氧化硅。
在本发明实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中，所述薄膜的高度为100nm～5um。
在本发明实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中，采用低压力化学气相沉积方法在所述基板表面形成所述薄膜。
在本发明实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中，通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层。
在本发明实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中，所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层的步骤包括：
S301：在所述薄膜上覆盖一层金属层；
S302：在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶；
S303：采用电子束曝光系统，对所述电子束光刻胶进行曝光；
S304：对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影；
S305：剥离所述电子束光刻胶，形成所述辅助金属层。
根据本发明实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，所述辅助金属层的材料为铜或银。
在本发明实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中，所述立体电极的截面形状为矩形或梯形。
在本发明实施例提供的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法中，调整所述刻蚀液的浓度与刻蚀时间来调整所述电极的宽度，以改变所述立体电极的截面形状。
本发明实施例提供一种蓝相液晶面板的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：
S1：提供上基板和下基板；
S2：采用上述蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，在所述上基板和/或所述下基板的内表面分别形成多个所述立体电极；
S3：在所述上基板和所述下基板之间填充蓝相液晶分子；
S4：将所述上基板和所述下基板结合，保证两者的内表面相互面对。
本发明的有益效果为：本发明提供的一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法，通过使用金属辅助法在基板上制作不同刻蚀模板多晶硅(氧化硅)的立体化图案，在此基础上沉积ITO导电层，以及通过控制刻蚀液的浓度和刻蚀时间，来得到不同宽度/高度比和不同形状的立体电极，具有可调性，满足了不同的电极设计需求，能够降低蓝相液晶显示面板的驱动电压。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法的流程图；
图2为本发明实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法的示意图；
图3为根据本发明实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板的制作方法制作而成的蓝相液晶显示面板的结构示意图；
图4为本发明实施例二中提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法的流程图；
图5为本发明实施例二中提供的一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法的示意图；
图6为根据本发明实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板的制作方法制作而成的蓝相液晶显示面板的结构示意图；
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
实施例一
参考图1、图2，根据本发明实施例一的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法包括以下步骤：
S 10：提供一基板1；
S20：在所述基板1表面沉积形成一层多晶硅薄膜2；
本实施例一中在所述基板1表面沉积的薄膜的材料选用多晶硅，通过低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)的方法进行沉积，能够使所述多晶硅薄膜2在所述基板1上分布均匀。所述多晶硅薄膜2的高度根据所需要制备的立体电极的设计高度进行确定，当所述立体电极6的设计高度较高时，沉积而成的所述多晶硅薄膜2的高度随之升高；当所述立体电极6的设计高度较低时，沉积而成的所述多晶硅薄膜2的高度随之降低。一般来说，所述多晶硅薄膜2的高度与所需要制备的立体电极的设计高度大致相等。由于所需制备的立体电极6的设计高度的通常范围在100nm～5um之间，因此，控制所述多晶硅薄膜2的高度也在100nm～5um之间即可。
S30：在所述多晶硅薄膜2表面制作阵列图案，形成有多个相间分布的辅助金属层3；
在所述多晶硅薄膜2的上表面通过电子束光刻方法制作阵列图案，形成多个相间分布的所述辅助金属层3。因为立体电极6的尺寸的最小尺寸可达到纳米级别，因此采用所述电子束光刻方法可直接制作所需图案，能够保证所述辅助金属层的精度，形成超精细图案，为后续立体电极的制备做准备。所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层3的步骤具体包括：
S301：在所述多晶硅薄膜2上覆盖一层金属层；
S302：在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶；
S303：采用电子束曝光系统，对所述电子束光刻胶进行曝光；
S304：对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影；
S305：剥离所述电子束光刻胶，形成所述辅助金属层3。
在所述多晶硅薄膜2上形成一层金属层，所述金属层的材料可选择铜或银等金属催化剂，作为金属辅助使用，所述金属层的高度应小于所述多晶硅薄膜2的高度。通过旋转、喷涂、滴涂、丝网印刷等方法，在所述金属层上形成电子束光刻胶，所述电子束光刻胶的材质可以是PMMA((Polymethyl methacrylate，有机玻璃)等。之后，通过电子束曝光系统，对所述电子束光刻胶进行曝光，所述电子束曝光系统可选择高斯扫描系统、成型电子束扫描系统等现有电子束曝光系统。同时，所述电子束曝光系统需采用合适的曝光剂量。之后，采用显影液对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影，形成电子束光刻胶图形。最后，对保留的所述电子束光刻胶进行剥离，形成多个所述辅助金属层3。
S40：将所述基板1浸入刻蚀液中进行刻蚀处理，形成多个相间分布的多晶硅立体基底4；
将所述基板1浸入刻蚀液中进行刻蚀处理，由于多晶硅只可进行垂直方向的刻蚀，因此，所述刻蚀液可将位于所述辅助金属层3下方的多晶硅薄膜2刻蚀掉，形成多晶硅立体基底4，因此，所述多晶硅立体基底4的截面呈矩形形状。所述多晶硅立体基底4的宽度与所述辅助金属层3的宽度有关。所述刻蚀液可以选取一定浓度的HF/AgNO3、HF/H2O2/IPA等溶液，在10℃～100℃的温度条件下，根据所需制作的立体电极6的形状，来进行调整所述刻蚀液的浓度及刻蚀时间的长短。若所需制作的立体电极6的高度较高，则可适当增加所述刻蚀液的浓度或增加刻蚀时间；若所需制作的立体电极6的高度较低，则可适当减小所述刻蚀液的浓度或增加刻蚀时间。通常将刻蚀时间控制在1min～60min内。
S50：将经过刻蚀处理后的所述基板1进行清洗处理；
将所述基板1进行清洗处理，该处理采用水洗即可满足要求，可将残余的所述刻蚀液及被刻蚀掉的多晶硅清除，所述辅助金属层3掉落在相邻两个所述多晶硅立体基底4与所述多晶硅薄膜2之间形成的凹槽内。
S60：在所述多晶硅立体基底4表面沉积一层ITO导电层5，得到立体电极6。
在所述多晶硅立体基底4表面沉积一层ITO导电层5，同时，也可将位于相邻两个所述多晶硅立体基底4与所述多晶硅薄膜2之间形成的凹槽内的所述辅助金属层3表面沉积一层ITO导电层5，得到截面形状为矩形的立体电极6。
参考图3，根据本发明实施例一中提供的一种蓝相液晶显示面板100的制作方法包括以下步骤：
S 1：提供上基板7和下基板1；
S2：采用本发明实施例一中所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，在所述上基板7和所述下基板1的内表面分别形成所述立体电极9和所述立体电极6；
S3：在所述上基板7和所述下基板1之间填充多个蓝相液晶分子8；
S4：将所述上基板7和所述下基板1结合，保证两者的内表面相互面对，形成蓝相液晶显示面板100。
该蓝相液晶面板100包括上基板7、下基板1、多晶硅薄膜2，位于所述上基板7内表面的立体电极9、位于所述下基板1内表面的立体电极6，以及位于所述上基板7与下基板1之间的多个蓝相液晶分子8。所述立体电极9与所述立体电极6的截面形状为矩形，所述立体电极9与所述立体电极6间隔排列。由于所述蓝相液晶8分布在所述立体电极9与所述立体电极6之间，相比于平面电极，具有所述立体电极9与所述立体电极6的所述蓝相液晶显示面板100的电场线分布更为密集且基本在水平方向平行分布，所述蓝相液晶分子8的轴向方向与所述蓝相液晶显示面板100的电场线位于同一方向，因此，在相同电压条件下其场强更大，因此可大幅度降低所述蓝相液晶显示面板100的驱动电压。
实施例二
参考图4、图5，根据本发明实施例二的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法包括以下步骤：
S 10：提供一基板1＇；
S20：在所述基板1＇表面沉积形成一层氧化硅薄膜2＇；
本实施例二中在所述基板1＇表面沉积的薄膜所选用的材料与实施例一中有所不同，将实施例一中选用的多晶硅材料替换成了氧化硅材料。通过利用所选不同材料的自身性质的差异性，以此来制作不同形状的立体电极6＇。
本实施例二中在所述基板1＇表面沉积的薄膜的材料选用氧化硅，该氧化硅材料可为二氧化硅。通过低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)的方法进行沉积，能够使所述氧化硅薄膜2＇在所述基板上分布均匀。所述氧化硅薄膜2＇的高度根据所需要制备的立体电极6＇的设计高度进行确定，当所述立体电极6＇的设计高度较高时，沉积而成的所述氧化硅薄膜2＇的高度随之升高；当所述立体电极6＇的设计高度较低时，沉积而成的所述氧化硅薄膜2＇的高度随之降低。一般来说，所述氧化硅薄膜2＇的高度与所需要制备的立体电极6＇的设计高度大致相等。因所需制备的立体电极6＇的设计高度的通常范围在100nm～5um之间，因此，控制所述氧化硅薄膜2＇的高度也在100nm～5um之间即可。
S30：在所述氧化硅薄膜2＇表面制作阵列图案，形成有多个相间分布的辅助金属层3＇；
在所述氧化硅薄膜2＇上表面通过电子束光刻方法制作阵列图案，形成多个相间分布的所述辅助金属层3＇。因为立体电极6＇的尺寸的最小尺寸可达到纳米级别，因此采用所述电子束光刻方法可直接制作所需图案，能够保证所述辅助金属层3＇的精度，形成超精细图案，为后续立体电极的制备做准备。所述通过电子束光刻方法形成所述辅助金属层3＇的步骤具体包括：
S301：在所述氧化硅薄膜2＇上覆盖一层金属层；
S302：在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶；
S303：采用电子束曝光系统，对所述电子束光刻胶进行曝光；
S304：对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影；
S305：剥离所述电子束光刻胶，形成有所述辅助金属层3＇。
在所述氧化硅薄膜2＇上形成一层金属层，所述金属层的材料可选择铜或银等金属催化剂，作为金属辅助使用，所述金属层的高度应小于所述氧化硅薄膜2＇的高度。通过旋转、喷涂、滴涂、丝网印刷等方法，在所述金属层上形成电子束光刻胶，所述电子束光刻胶的材质可以是PMMA((Polymethyl methacrylate，有机玻璃)等。之后，通过电子束曝光系统，对所述电子束光刻胶进行曝光，所述电子束曝光系统可选择高斯扫描系统、成型电子束扫描系统等现有电子束曝光系统。同时，所述电子束曝光系统需采用合适的曝光剂量。之后，采用显影液对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影，形成电子束光刻胶图形。最后，对保留的所述电子束光刻胶进行剥离，形成多个所述辅助金属层3＇。
S40：将所述基板1＇浸入刻蚀液中进行刻蚀处理，形成有多个相间分布的氧化硅立体基底4＇；
因二氧化硅与多晶硅的性质存在差异，因此本实施例二中经过刻蚀处理得到的阵列图案与实施例一中经过刻蚀处理得到的阵列图案存在差异。
将所述基板1＇浸入刻蚀液中进行刻蚀处理，由于二氧化硅材料在进行垂直方向刻蚀的同时可以进行水平方向的刻蚀，且在垂直方向的刻蚀速度与水平方向的刻蚀速度不同，因此，所述刻蚀液可将位于所述辅助金属层3＇下方及两侧的氧化硅薄膜2＇刻蚀掉，形成多个相间分布的氧化硅立体基底4＇，因此，所述氧化硅立体基底4＇的截面形状呈梯形。所述氧化硅立体基底4＇的宽度与所述辅助金属层3＇的宽度有关。所述刻蚀液可以选取一定浓度的HF/AgNO3、HF/H2O2/IPA等溶液，在10℃～100℃的温度条件下，根据所需制作的立体电极6＇的形状，来进行调整所述刻蚀液的浓度及刻蚀时间的长短。若所需制作的立体电极6＇的高度较高，则可适当增加所述刻蚀液的浓度或增加刻蚀时间；若所需制作的立体电极6＇的高度较低，则可适当减小所述刻蚀液的浓度或增加刻蚀时间。通常将刻蚀时间控制在1min～60min内。
S50：将经过刻蚀处理后的所述基板1进行清洗处理；
将所述基板1进行清洗处理，该处理采用水洗即可满足要求，可将残余的所述刻蚀液及被刻蚀的二氧化硅清除，所述辅助金属层3＇掉落在相邻两个所述氧化硅立体基底4＇与所述氧化硅薄膜2＇之间形成的凹槽内。
S60：在所述氧化硅立体基底4＇表面沉积一层ITO导电层5＇，得到立体电极6＇。
在所述氧化硅立体基底4＇表面沉积一层ITO导电层5＇，同时，也可将位于相邻两个所述氧化硅立体基底4＇与所述氧化硅薄膜2＇之间形成的凹槽内的所述辅助金属层3＇表面沉积一层ITO导电层5＇。得到立体电极6＇，所述立体电极6＇的截面形状呈梯形。
参考图6，根据本发明实施例二中提供的一种蓝相液晶显示面板100＇的制作方法包括以下步骤：
S 1：提供上基板7＇和下基板1＇；
S2：采用本发明实施例二中所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，在所述上基板7＇和/或所述下基板1＇的内表面分别形成所述立体电极9＇与所述立体电极6＇；
S3：在所述上基板7＇和所述下基板1＇之间填充多个蓝相液晶分子8；
S4：将所述上基板7＇和所述下基板1＇结合，保证两者的内表面相互面对，形成所述蓝相液晶显示面板100＇。
该蓝相液晶面板100＇包括上基板7＇、下基板1＇、氧化硅薄膜2＇，位于所述上基板7＇内表面的立体电极9＇、下基板1＇内表面的立体电极6＇，以及位于所述上基板7＇与下基板1＇之间的多个蓝相液晶分子8。所述立体电极9＇与立体电极6＇的截面形状为梯形，所述立体电极9＇与所述立体电极6＇间隔排列。由于所述多个蓝相液晶分子8分布在所述立体电极9＇与所述立体电极6＇之间，相比于平面电极，具有所述立体电极9＇与所述立体电极6＇的所述蓝相液晶显示面板100＇的电场线分布更为密集且基本在水平方向平行分布，所述蓝相液晶分子8的轴向方向与所述蓝相液晶显示面板100＇的电场线位于同一方向，因此，在相同电压条件下其场强更大，因此可大幅度降低所述蓝相液晶显示面板100＇的驱动电压。
本发明通过提供的一种蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法，通过使用金属辅助法在基板上制作不同刻蚀模板多晶硅(氧化硅)的立体化图案，在此基础上沉积ITO导电层，以及通过控制刻蚀液的浓度和刻蚀时间，来得到不同宽度/高度比和不同形状的立体电极，具有可调性，满足了不同的电极设计需求，能够降低蓝相液晶显示面板的驱动电压。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板表面沉积多晶硅或氧化硅，以形成一层薄膜；
在所述薄膜上覆盖一层金属层；
通过电子束光刻方法，将所述金属层刻蚀成多个相间分布的辅助金属层；
将所述基板浸入刻蚀液中，以使所述薄膜被刻蚀成多个相间分布的立体基底，且每个辅助金属层掉落在相邻两个立体基底与所述薄膜形成的凹槽内；
将经过刻蚀处理后的所述基板进行清洗处理；
在所述多个立体基底表面及所述多个辅助金属层表面沉积一层连续的ITO导电层，以得到立体电极。
2.根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其特征在于，当所述薄膜的材料为多晶硅时，所述刻蚀液仅刻蚀位于所述辅助金属层下方的薄膜，以使所述薄膜形成多个相间分布且截面呈矩形的立体基底。
3.根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其特征在于，当所述薄膜的材料为氧化硅时，所述刻蚀液刻蚀位于所述辅助金属层下方及两侧的薄膜，以使所述薄膜形成多个相间分布且截面呈梯形的立体基底。
4.根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其特征在于，采用低压力化学气相沉积方法在所述基板表面形成所述薄膜。
5.根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其特征在于，所述金属层的高度小于所述薄膜的高度。
6.根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其特征在于，所述通过电子束光刻方法将所述金属层刻蚀成多个相间分布的辅助金属层的步骤包括：
在所述金属层上覆盖一层电子束光刻胶；
采用电子束曝光系统，对所述电子束光刻胶进行曝光；
对曝光后的所述电子束光刻胶进行显影，以形成所述辅助金属层；以及
剥离所述电子束光刻胶。
7.根据权利要求1所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其特征在于，所述辅助金属层的材料为铜或银。
8.根据权利要求2所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其特征在于，所述立体电极的截面形状为多个相间分布的矩形。
9.根据权利要求3所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，其特征在于，所述立体电极的截面形状为多个相间分布的梯形。
10.一种蓝相液晶面板的制作方法，其包括以下步骤：
S 1：提供上基板和下基板；
S2：采用如权利要求1至9中任意一项所述的蓝相液晶显示面板立体电极的制作方法，在所述上基板的一表面及所述下基板的一表面形成立体电极；
S3：将所述上基板和所述下基板相对设置，以使所述上基板的立体电极和所述下基板的立体电极相互面对；
S4：在所述上基板和所述下基板之间填充多个蓝相液晶分子。
CN201811601232.7A 2018-12-26 2018-12-26 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法 Active CN109597250B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811601232.7A CN109597250B (zh) 2018-12-26 2018-12-26 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法
PCT/CN2019/083456 WO2020133827A1 (zh) 2018-12-26 2019-04-19 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811601232.7A CN109597250B (zh) 2018-12-26 2018-12-26 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109597250A CN109597250A (zh) 2019-04-09
CN109597250B true CN109597250B (zh) 2021-06-01

Family

ID=65962774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811601232.7A Active CN109597250B (zh) 2018-12-26 2018-12-26 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN109597250B (zh)
WO (1) WO2020133827A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109597250B (zh) * 2018-12-26 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法
CN115700217A (zh) * 2021-07-21 2023-02-07 合肥本源量子计算科技有限责任公司 一种空气桥的制备方法及一种超导量子器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104880883A (zh) * 2015-06-12 2015-09-02 武汉华星光电技术有限公司 一种蓝相液晶显示面板及其制作方法
CN105242465A (zh) * 2015-11-23 2016-01-13 武汉华星光电技术有限公司 一种蓝相液晶显示面板及蓝相液晶显示面板的制作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100595863C (zh) * 2008-09-24 2010-03-24 东南大学 一种高发光效率的荫罩式等离子体显示板
CN102243968B (zh) * 2011-05-25 2013-03-13 西安交通大学 炮筒结构的立体薄膜场发射平板显示器阴极的制作方法
KR101103015B1 (ko) * 2011-09-07 2012-01-05 주식회사 조양이에스 투명전극층 및 금속전극층 에칭 방법
GB201117279D0 (en) * 2011-10-06 2011-11-16 Nexeon Ltd Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof
US9405164B2 (en) * 2013-08-21 2016-08-02 Board Of Trustees Of Northern Illinois University Electrochromic device having three-dimensional electrode
CN106783120B (zh) * 2016-12-13 2018-03-27 深圳顺络电子股份有限公司 一种电子元件电极的制作方法及电子元件
CN108172584A (zh) * 2017-12-26 2018-06-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其上电极线图案的制备方法和液晶显示面板
CN108205227B (zh) * 2017-12-29 2021-03-23 Tcl华星光电技术有限公司 立体电极的制作方法和蓝相液晶显示面板的制作方法
CN109597250B (zh) * 2018-12-26 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104880883A (zh) * 2015-06-12 2015-09-02 武汉华星光电技术有限公司 一种蓝相液晶显示面板及其制作方法
CN105242465A (zh) * 2015-11-23 2016-01-13 武汉华星光电技术有限公司 一种蓝相液晶显示面板及蓝相液晶显示面板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109597250A (zh) 2019-04-09
WO2020133827A1 (zh) 2020-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4657915B2 (ja) パッド電極形成方法及びこれを用いた液晶表示素子の製造方法並びに該方法により製造された液晶表示素子
WO2019019618A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN109597250B (zh) 蓝相液晶面板的制作方法及其立体电极的制作方法
JP4959631B2 (ja) グレースケールマスク
EP2703882A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
CN101436528A (zh) 制造半导体器件的方法
CN106098701B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN109884830A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩模板
CN104934458A (zh) 显示基板及其制造方法和显示装置
EP1063688A1 (en) Method of producing silicon device
CN211043942U (zh) 一种掩膜板、显示面板及显示装置
CN108346615A (zh) 一种沟槽形成方法及半导体器件
KR20020050017A (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
CN103794556A (zh) 阵列基板及其制作方法和液晶显示装置
US9519192B2 (en) Array substrate, flat display panel and manufacturing method for the same
DE112005001713T5 (de) Ätzen mit elektrostatisch angezogenen Ionen
CN103489873B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106200258B (zh) 一种掩膜板、对其曝光的方法以及电路面板的制造方法
US7358195B2 (en) Method for fabricating liquid crystal display device
CN105607357B (zh) 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN114171566A (zh) 显示面板及其制作方法
CN102866544B (zh) 透明电极制作方法、掩膜板以及设备
CN109493734B (zh) 像素电极的制作方法、显示面板
KR20010083687A (ko) 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
CN109659323A (zh) 一种显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant