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Abstract

本实用新型提供了一种TFT阵列基板及液晶显示器，包括基板，所述基板上设置有周边布线区域，所述周边布线区域设置有透明导电层，所述透明导电层包括第一导电层区域和第二导电层区域，所述第一导电层区域下方设置有保护层，且所述第一导电层区域的导电层的上表面处于与所述基板平行的同一平面上。本实用新型通过调整保护层的厚度，使得TFT阵列基板周边布线区域位于第一区域的透明导电层的上表面处于与基板平行的同一平面内，减少了由于厚度问题造成的段差区域，从而降低由于段差造成的产品不良的发生率，提高良品率。

Description

一种TFT阵列基板及液晶显示器
技术领域
本实用新型涉及显示器领域，尤其涉及一种薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)阵列基板及液晶显示器。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是利用设置在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的旋转程度，从而控制透光的强弱来显示图像的。
随着液晶显示器尺寸的减小，TFT阵列基板周边区域的布线相应会受到空间的限制，如此，在TFT阵列基板制造中逐渐采用两种金属布线结构，能够减小金属线之间的间距，充分利用空间，优化产品结构。
但是，使用两种金属布线结构时，在四道掩模板(4mask)工艺中，由于不同的金属层存在断差，会导致集成芯片(IC)与TFT阵列基板的连接(Pad)区域的接触电阻不一样，具体可参考图1，图1中，TFT阵列基板1与IC 2进行粘合(bonding)时，由于Pad区域使用不同的金属层(如图1所示的Gate金属层4和源漏(SD)金属层5)，因此，位于表层的透明电极(图1中以铟锡氧化物(ITO)9进行示意)并没有位于同一个高度，由此，在IC 2和TFT阵列基板进行bonding时，导电胶粒子3在Gate金属层4、SD金属层5上的压合程度是不同的，最终bonding的效果也会不同，进而造成接触电阻的差异，使得驱动信号的传输产生差异以及显示亮线的产生。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种TFT阵列基板及液晶显示器，能够使TFT阵列基板Pad区域位于过孔外部的透明电极处于同一个水平高度，提高良品率。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
本实用新型提供一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括基板，所述基板上设置有周边布线区域，所述周边布线区域设置有透明导电层，所述透明导电层包括第一导电层区域和第二导电层区域，所述第一导电层区域下方设置有保护层，且所述第一导电层区域的导电层的上表面处于与所述基板平行的同一平面上。
具体的，所述阵列基板还包括栅金属层和形成于所述栅金属层上的栅极保护层，所述保护层包括第一保护层区域和第二保护层区域，所述第一保护层区域设置于数据金属层上，所述第二保护层区域设置于栅极保护层上，所述第一保护层区域的保护层的厚度小于所述第二保护层区域的保护层的厚度。
具体的，所述阵列基板还包括形成于栅极保护层上且位于数据金属层下方的半导体层。
具体的，所述第一区域的保护层与第二区域的保护层的厚度之差为数据金属层与半导体层厚度之和与栅金属层厚度的差值。
本实用新型还提供一种液晶显示器，包括上述的阵列基板。
具体的，还包括IC电路板，所述电路板通过导电胶与所述阵列基板连接。
具体的，所述导电胶包含导电金球。
本实用新型通过调整保护层的厚度，使得TFT阵列基板周边布线区域位于第一区域的透明导电层的上表面处于与基板平行的同一平面内，减少了由于厚度问题造成的段差区域，从而降低由于段差造成的产品不良的发生率，提高良品率。
附图说明
图1为现有的液晶面板与IC电路板连接后的剖面结构示意图；
图2为本实用新型提供的TFT阵列基板的剖面结构示意图；
图3为本实用新型提供的液晶面板与IC电路板连接后的剖面结构示意图；
图4～图8为形成不同厚度的保护层的工艺流程图。
附图标记：
1-基板；2-IC电路板；3-导电胶粒子(金球)；4-栅金属层；5-数据金属层；6-栅保护层；7-半导体层；8-保护层；9-透明导电层；I-第一导电层区域；II-第二导电层区域；A-第一保护层区域；B-第二保护层区域；12-光刻胶不保留区域；13-光刻胶部分保留区；14-光刻胶保留区域；15-半色调掩模板。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下举实施例并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。
本实用新型提供一种TFT阵列基板，包括基板，所述基板上设置有周边布线区域，所述周边布线区域设置有透明导电层，所述透明导电层包括第一导电层区域和第二导电层区域，所述第一导电层区域下方设置有保护层，且所述第一导电层区域的导电层的上表面处于与所述基板平行的同一平面上。
其中，所述阵列基板还包括栅金属层和形成于所述栅金属层上的栅绝缘层，所述保护层包括第一保护层区域和第二保护层区域，所述第一保护层区域设置于数据金属层上，所述第二保护层区域设置于栅极保护层上，所述第一保护层区域的保护层的厚度小于所述第二保护层区域的保护层的厚度。
进一步地，所述阵列基板还包括形成于栅绝缘层上且位于数据金属层下方的半导体层。
其中，所述第一区域的保护层与第二区域的保护层的厚度之差为数据金属层与半导体层厚度之和与栅金属层厚度的差值。
本实用新型还提供一种液晶显示器，包括如上所述的阵列基板。
进一步地，所述液晶显示器，还包括IC电路板，所述电路板通过导电胶与所述阵列基板连接。
其中，所述导电胶包含导电金球。
下面结合一具体实施例对上述阵列基板进行具体说明，图2示出了本实用新型TFT阵列基板周边布线区的剖面结构，如图2所示，周边布线区域设置有透明导电层9，透明导电层9包括第一导电层区域I，第二导电层区域II，第一导电区域I下方设置有保护层8，第一导电层区域的导电层的上表面处于与基板1平行的同一平面上。
具体的，保护层8包括有第一保护层区域A和第二保护层区域B，第一保护层区域A的保护层的厚度小于第二保护层区域B的保护层的厚度。第一保护层区域A设置于数据金属层5上，第二保护层区域A设置于栅极保护层6上。
具体的，阵列基板还包括形成于数据金属层5下方的半导体层7。
优选地，第一区域A的保护层与第二区域B的保护层的厚度之差为数据金属层5与半导体层7厚度之和与栅金属层4厚度的差值。
这里，为了保证位于第一导电层区域处于与基板平行的同一个平面内，需要保证第一保护层区域的保护层的厚度是第二保护层区域保护层的厚度与半导体层的厚度之和，如此，在TFT阵列基板1的制造工艺中，可在进行过孔掩模工艺时，在周边布线区域进行半色调掩模工艺，调整第二保护层区域B的保护层的厚度，使得第一保护层区域A的保护层的厚度与半导体层7厚度之和为第二保护层区域B的保护层的厚度。
进一步地，所述栅金属层4和数据金属层5的厚度相同，具体可以为
Figure BDA00002617104000041
Figure BDA00002617104000042
之间，较常采用例如，栅极保护层通常采用
Figure BDA00002617104000044
半导体层的厚度通常采用2300，此时，第一保护层区域A的保护层厚度可以设置为
Figure BDA00002617104000045
第二保护层区域B的保护层的厚度可以设置为
Figure BDA00002617104000046
以保证沉积透明导电层后，第一导电层区域的导电层的上表面处于与基板平行的同一平面上。
图3示出了IC驱动板与基板连接后的面板的剖面图，从图中可以看出，经过上述结构的改进，存在段差的区域减少，因此提高了产品的良率。
本实用新型通过调整保护层的厚度，使得TFT阵列基板周边布线区域位于第一区域的透明导电层的上表面处于与基板平行的同一平面内，减少了由于厚度问题造成的段差区域，从而降低由于由于段差造成的产品不良的发生率，提高良品率。
为了进一步说明通过半色调掩膜工艺的调整过程，下面结合图3至图8进行具体说明。
图4示出了为形成图2所示TFT阵列基板过程中的过孔掩膜时基板的剖面结构，具体地，在玻璃基板上进行Gate金属层沉积、光刻、刻蚀等工艺后，形成所需要的栅金属层4，然后利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)依次沉积栅极保护层、半导体层、数据金属层及保护层，并在保护层上涂覆光刻胶，通过半色调掩膜工工艺，得到光刻胶保留区域，光刻胶不保留区域，光刻胶部分保留区域，对光刻胶不保留区域进行刻蚀工艺，刻掉光刻胶不保留区域的保护层，形成所需的过孔，之后进行灰化，去除部分保留区的光刻胶，对露出的保护层进行刻蚀，之后去除保留区区域的光刻胶，形成不同厚度的保护层。例如，上述过程中，涂覆光刻胶的厚度可以设定为
Figure BDA00002617104000051
经过曝光后，光刻胶保留区域的厚度为
Figure BDA00002617104000052
光刻胶部分保留区域的厚度为
Figure BDA00002617104000053
光刻胶不保留区域完全去除。
涂覆光刻胶后的阵列基板如图4所示，涂覆光刻胶的厚度可以设定为
Figure BDA00002617104000054
Figure BDA00002617104000055
图5为经过半色调掩膜工艺后的阵列基板的示意图。具体的，对涂覆光刻胶后的基板采用半色调掩膜版15进行曝光，形成光刻胶保留区域14，光刻胶不保留区域12，光刻胶部分保留区域13，刻蚀光刻胶不保留区域的保护层和栅极保护层，形成所需过孔，形成的结构如图6所示。
对图6中光刻胶的部分保留区域进行灰化工艺，去除部分保留区域13的光刻胶，对露出的保护层进行刻蚀，得到所需的厚度，形成第一保护层区域。如保护层的厚度可以为形成的结构如图7所示。
去除图7中所示的阵列基板上剩余的光刻胶，形成具有不同厚度的保护层，如图8所示。
需要说明的是，如果保护层采用的为光敏树脂材料，则可不用涂覆光刻胶，直接采用半色调掩膜版进行曝光、显影等工艺即可，这是本领域技术人员熟知的技术，在此不再赘述。
以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板，包括基板，所述基板上设置有周边布线区域，其特征在于，所述周边布线区域设置有透明导电层，所述透明导电层包括第一导电层区域和第二导电层区域，所述第一导电层区域下方设置有保护层，且所述第一导电层区域的导电层的上表面处于与所述基板平行的同一平面上。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅金属层和形成于所述栅金属层上的栅极保护层，所述保护层包括第一保护层区域和第二保护层区域，所述第一保护层区域设置于数据金属层上，所述第二保护层区域设置于栅极保护层上，所述第一保护层区域的保护层的厚度小于所述第二保护层区域的保护层的厚度。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成于栅极保护层上且位于数据金属层下方的半导体层。
4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一区域的保护层与第二区域的保护层的厚度之差为数据金属层与半导体层厚度之和与栅金属层厚度的差值。
5.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1～4任一所述的阵列基板。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，还包括IC电路板，所述电路板通过导电胶与所述阵列基板连接。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其特征在于，所述导电胶包含导电金球。
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