CN107818945B - 一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置 - Google Patents
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- 239000002346 layers by function Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置，该方法包括：S1，在功能层上涂布光阻层；S2，在光阻层上至少形成一类贯穿区；其中，贯穿区为光阻层上暴露功能层的区域；S3，对功能层进行刻蚀，以在对应贯穿区的功能层上形成过孔；S4，在光阻层上形成新一类的贯穿区；S5，对功能层进行刻蚀，以在对应新一类的贯穿区的功能层上形成新的过孔，并使在本次刻蚀之前形成的过孔的深度增大；至少执行一次上述S4‑S5，以形成深度不同的至少两个过孔。通过上述方式，本发明能够在只使用一道光阻的情况下，对功能层进行多次刻蚀工艺，以形成深度不同的多个过孔，节省了工艺流程，提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置。
背景技术
现有的显示面板包括多个功能层结构，其中，功能层一般可以包括金属层、半导体层、有机层和无机层等，例如SiOx或SiNx制作形成的绝缘层。
在显示面板的制造中，一般会在这些功能层上开孔(hole)以实现功能层、电极或导线之间的连接。在实际操作中，在某层的hole制作中，可能存在几种不同深度的hole制作，因深度不同需要不同的Pattern(图案)制作工艺，制造流程较为复杂。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置，能够在只使用一道光阻的情况下，对功能层进行多次刻蚀工艺，以形成深度不同的多个过孔，节省了工艺流程，提高了生产效率。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种功能层开孔的方法，该方法包括：S1，在功能层上涂布光阻层；S2，在光阻层上至少形成一类贯穿区；其中，贯穿区为光阻层上暴露功能层的区域；S3，对功能层进行刻蚀，以在对应贯穿区的功能层上形成过孔；S4，在光阻层上形成新一类的贯穿区；S5，对功能层进行刻蚀，以在对应新一类的贯穿区的功能层上形成新的过孔，并使在本次刻蚀之前形成的过孔的深度增大；至少执行一次上述S4-S5，以形成深度不同的至少两个过孔。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括绝缘层，绝缘层上包括至少两个深度不同的过孔，其中，至少两个深度不同的过孔是采用如上的方法制作得到的。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，该阵列基板是如上的阵列基板。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的功能层开孔的方法包括：S1，在功能层上涂布光阻层；S2，在光阻层上至少形成一类贯穿区；其中，贯穿区为光阻层上暴露功能层的区域；S3，对功能层进行刻蚀，以在对应贯穿区的功能层上形成过孔；S4，在光阻层上形成新一类的贯穿区；S5，对功能层进行刻蚀，以在对应新一类的贯穿区的功能层上形成新的过孔，并使在本次刻蚀之前形成的过孔的深度增大；至少执行一次上述S4-S5，以形成深度不同的至少两个过孔。通过上述方式，能够在只使用一道光阻的情况下，对功能层进行多次刻蚀工艺，以形成深度不同的多个过孔，节省了工艺流程，提高了生产效率。
附图说明
图1是本发明公开的功能层开孔的方法一实施例的流程示意图；
图2是本发明公开的功能层开孔的方法另一实施例的流程示意图；
图3-图8是本发明公开的功能层开孔的方法另一实施例的工艺流程示意图；
图9是本发明公开的功能层开孔的方法又一实施例的流程示意图；
图10-图15是本发明公开的功能层开孔的方法又一实施例的工艺流程示意图；
图16是本发明提供的阵列基板一实施例的结构示意图；
图17是本发明提供的显示装置一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
参阅图1，图1是本发明公开的功能层开孔的方法一实施例的流程示意图，该方法包括：
S11：在功能层上涂布光阻层。
其中，该功能层可以是阵列基板中的金属层、有机层或无机层。具体地，该金属层可以是Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Cr、Al、Ta、Ti或W中的一种金属或多种金属的合金，有机层采用有机材料制作得到，无机层可以具体为钝化层或绝缘层，例如SiOx或SiNx。
其中，该光阻又称光阻剂或光刻胶，光阻有两种，正向光阻(positivephotoresist)和负向光阻(negative photoresist)。正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。负向光阻是光阻的一种，其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。
在本实施例中，对功能层和光阻层的种类均不作限制。
S12：在光阻层上至少形成一类贯穿区。
其中，贯穿区为光阻层上暴露功能层的区域。
具体地，可以通过曝光显影的方式形成该贯穿区。例如，采用一光罩(该光罩上设置有一透光孔)覆盖光阻，并采用光线照射光罩，其中光线穿过光罩上的透光孔对光阻上的一个圆形区域进行曝光，然后在光阻上涂覆显影液以使曝光区域的光阻剥离，最终形成该贯穿区。
S13：对功能层进行刻蚀，以在对应贯穿区的功能层上形成过孔。
利用上述具有贯穿区的光阻层作为掩膜板，对功能层进行刻蚀，以在对应贯穿区的区域形成过孔。其中，可以采用干法刻蚀和湿法刻蚀，这里不作限制。
S14：在光阻层上形成新一类的贯穿区。
S15：对功能层进行刻蚀，以在对应新一类的贯穿区的功能层上形成新的过孔，并使在本次刻蚀之前形成的过孔的深度增大。
至少执行一次上述S14-S15，以形成深度不同的至少两个过孔。
其中，由于一类贯穿区和新一类的贯穿区位于同一层光阻上，因此，在步骤S15中进行刻蚀时，会对步骤S13中形成过孔进行第二次刻蚀，这样会加深步骤S13中形成过孔的深度，这样就至少形成了两个深度不同的通孔。
可以理解的，在上述实施例中，可以多次重复步骤S14和步骤S15，这样就可以在光阻层上形成多个贯穿区，并且在每次刻蚀时，都会使之前刻蚀形成的过孔再次刻蚀，进而使其深度进一步加深，从而形成多个深度不同的过孔。
区别于现有技术，本实施例的功能层开孔的方法包括：S1，在功能层上涂布光阻层；S2，在光阻层上至少形成一类贯穿区；其中，贯穿区为光阻层上暴露功能层的区域；S3，对功能层进行刻蚀，以在对应贯穿区的功能层上形成过孔；S4，在光阻层上形成新一类的贯穿区；S5，对功能层进行刻蚀，以在对应新一类的贯穿区的功能层上形成新的过孔，并使在本次刻蚀之前形成的过孔的深度增大；至少执行一次上述S4-S5，以形成深度不同的至少两个过孔。通过上述方式，能够在只使用一道光阻的情况下，对功能层进行多次刻蚀工艺，以形成深度不同的多个过孔，节省了工艺流程，提高了生产效率。
参阅图2，图2是本发明公开的功能层开孔的方法另一实施例的流程示意图，该方法包括：
S21：在功能层上涂布光阻层。
S22：在光阻层上形成第一贯穿区。
具体地，如图3所示，包括光阻层30以及功能层40。采用第一张光罩在光阻层30上经过曝光显影形成第一贯穿区31；其中，第一张光罩包括第一透光孔，第一透光孔对应第一贯穿区31。
S23：对功能层进行第一次刻蚀，以在对应第一贯穿区的功能层上形成第一过孔。
具体地，如图4所示，对功能层40进行第一次刻蚀，以在对应第一贯穿区31的功能层上形成第一过孔41。
S24：在光阻层上形成第二贯穿区，并增加第一贯穿区的宽度。
具体地，如图5所示，采用第二张光罩在光阻层30上经过曝光显影形成第二贯穿区32，并增加第一贯穿区31的宽度；其中，第二张光罩包括第二透光孔和第三透光孔，第二透光孔对应第一贯穿区31，第三透光孔对应第二贯穿区32，第二透光孔和第三透光孔的宽度依次递减，第二透光孔的宽度大于第一透光孔。
S25：对功能层进行第二次刻蚀，以在对应第二贯穿区的功能层上形成第二过孔，并使第一过孔的宽度和深度增大。
具体地，如图6所示，对功能层40进行第二次刻蚀，以在对应第二贯穿区32的功能层上形成第二过孔42，并使第一过孔41的宽度和深度增大。
S26：在光阻层上形成第三贯穿区，并增加第一贯穿区和第二贯穿区的宽度。
具体地，如图7所示，采用第三张光罩在光阻层30上经过曝光显影形成第三贯穿区33，并增加第一贯穿区31和第二贯穿区32的宽度；其中，第三张光罩包括第四透光孔、第五透光孔和第六透光孔，第四透光孔对应第一贯穿区31，第五透光孔对应第二贯穿区2，第六透光孔对应第三贯穿区33，第四透光孔、第五透光孔和第六透光孔的宽度依次递减，第四透光孔的宽度大于第二透光孔，第五透光孔的宽度大于第三透光孔。
S27：对功能层进行第三次刻蚀，以在对应第三贯穿区的功能层上形成第三过孔，并使第一过孔以及第二过孔的宽度和深度增大，以形成宽度和深度不同的三个过孔。
具体地，如图8所示，对功能层40进行第三次刻蚀，以在对应第三贯穿区33的功能层上形成第三过孔43，并使第一过孔41以及第二过孔42的宽度和深度增大，以形成宽度和深度不同的三个过孔。
可选的，在一具体的实施例中，第一张光罩的第一透光孔的直径可以为1μm，第二张光罩的第二透光孔的直径可以为2μm，第三透光孔的直径可以为1μm，第三张光罩的第四透光孔的直径可以为3μm，第五透光孔的直径可以为2μm，第六透光孔的直径可以为1μm。
参阅图9，图9是本发明公开的功能层开孔的方法又一实施例的流程示意图，该方法包括：
S91：在功能层上涂布光阻层。
S92：在光阻层上形成第一贯穿区、第一凹陷部以及第二凹陷部。
如图10所示，采用第四张光罩在光阻层30上经过曝光显影形成第一贯穿区31、第一凹陷部32以及第二凹陷部33；其中，第四张光罩包括透光率依次递减的第七透光孔、第八透光孔以及第九透光孔，第七透光孔对应第一贯穿区31，第八透光孔对应第一凹陷部2，第九透光孔对应第二凹陷部33。
S93：对功能层进行第一次刻蚀，以在对应第一贯穿区的功能层上形成第一过孔。
如图11所示，对功能层40进行第一次刻蚀，以在对应第一贯穿区31的功能层40上形成第一过孔41。
S94：对第一凹陷部中的光阻进行剥离，以形成第二贯穿区。
如图12所示，对第一凹陷部32中的光阻进行剥离，以形成第二贯穿区32。
S95：对功能层进行第二次刻蚀，以在对应第二贯穿区的功能层上形成新的第二过孔，并使第一过孔的深度增大。
如图13所示，对功能层40进行第二次刻蚀，以在对应第二贯穿区32的功能层40上形成新的第二过孔42，并使第一过孔41的深度增大。
S96：对第二凹陷部中的光阻进行剥离，以形成第三贯穿区。
如图14所示，对第二凹陷部33中的光阻进行剥离，以形成第三贯穿区33。
S97：对功能层进行第三次刻蚀，以在对应第三贯穿区的功能层上形成第三过孔，并使第一过孔以及第二过孔的深度增大，以形成深度不同的三个过孔。
如图15所示，对功能层40进行第三次刻蚀，以在对应第三贯穿区33的功能层40上形成第三过孔43，并使第一过孔41以及第二过孔42的深度增大，以形成深度不同的三个过孔。
参阅图16，图16是本发明提供的阵列基板一实施例的结构示意图，该阵列基板至少包括基板161、金属层162以及绝缘层163，绝缘层163上包括至少两个深度不同的过孔，例如第一过孔1631以及第二过孔1632，其中，至少两个深度不同的过孔是采用如上述实施例的方法制作得到的。
例如，其中的第一过孔1631用于其他层与金属层162相连接，第二过孔163用于填充有机材料，以使绝缘层163具有耐弯折性。
参阅图17，图17是本发明提供的显示装置一实施例的结构示意图，该显示装置包括显示面板171和背光172，其中，显示面板171包括彩膜基板1711、阵列基板1712以及其中的液晶层1713，其中，该阵列基板1712是如上述的实施例公开的阵列基板。
当然，上述提供的显示装置为液晶显示装置，在其他实施例中，上述的挖孔方法也可以用户OLED显示器等其他显示器的层间挖孔。
可以理解的，在上述图16以及图17涉及的实施例，其原理和结构与上述实施例类似，这里不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (2)
1.一种功能层开孔的方法，其特征在于，包括：
在所述功能层上涂布光阻层；
在所述光阻层上至少形成一类贯穿区；其中，所述贯穿区为所述光阻层上暴露所述功能层的区域；其中，所述在所述光阻层上至少形成一类贯穿区，包括：采用第一张光罩在所述光阻层上经过曝光显影形成第一贯穿区；其中，所述第一张光罩包括第一透光孔，所述第一透光孔对应所述第一贯穿区；
对所述功能层进行第一次刻蚀，以在对应所述第一贯穿区的所述功能层上形成第一过孔；
在所述光阻层上形成新一类的贯穿区；其中，所述在所述光阻层上形成新一类的贯穿区，包括：采用第二张光罩在所述光阻层上经过曝光显影形成第二贯穿区，并增加所述第一贯穿区的宽度；其中，所述第二张光罩包括第二透光孔和第三透光孔，所述第二透光孔对应所述第一贯穿区，所述第三透光孔对应所述第二贯穿区，所述第二透光孔和所述第三透光孔的宽度依次递减，所述第二透光孔的宽度大于所述第一透光孔；
对所述功能层进行第二次刻蚀，以在对应所述第二贯穿区的所述功能层上形成第二过孔，并使所述第一过孔的宽度和深度增大；
采用第三张光罩在所述光阻层上经过曝光显影形成第三贯穿区，并增加所述第一贯穿区和所述第二贯穿区的宽度；其中，所述第三张光罩包括第四透光孔、第五透光孔和第六透光孔，所述第四透光孔对应所述第一贯穿区，所述第五透光孔对应所述第二贯穿区，所述第六透光孔对应所述第三贯穿区，所述第四透光孔、所述第五透光孔和所述第六透光孔的宽度依次递减，所述第四透光孔的宽度大于所述第二透光孔，所述第五透光孔的宽度大于所述第三透光孔；
对所述功能层进行第三次刻蚀，以在对应所述第三贯穿区的所述功能层上形成第三过孔，并使所述第一过孔以及所述第二过孔的宽度和深度增大，以形成宽度和深度不同的三个过孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述功能层为显示装置中的阵列基板中的绝缘层。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711029246.1A CN107818945B (zh) | 2017-10-25 | 2017-10-25 | 一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置 |
| PCT/CN2017/117762 WO2019080333A1 (zh) | 2017-10-25 | 2017-12-21 | 一种功能层开孔的方法以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711029246.1A CN107818945B (zh) | 2017-10-25 | 2017-10-25 | 一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107818945A CN107818945A (zh) | 2018-03-20 |
| CN107818945B true CN107818945B (zh) | 2020-01-03 |
Family
ID=61604417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711029246.1A Active CN107818945B (zh) | 2017-10-25 | 2017-10-25 | 一种功能层开孔的方法、阵列基板以及显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107818945B (zh) |
| WO (1) | WO2019080333A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109166868B (zh) * | 2018-09-03 | 2020-08-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111293080B (zh) * | 2020-02-18 | 2024-05-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法及显示面板 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107818945A (zh) | 2018-03-20 |
| WO2019080333A1 (zh) | 2019-05-02 |
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| PB01 | Publication | ||
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