KR20160018433A - 유기 전계발광 물질 및 디바이스 - Google Patents

유기 전계발광 물질 및 디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 화학식 Ir(LA)n(LB)3-n(여기서, LA는 아자-DBF 리간드이고, LB는 알킬-치환된 페닐피리딘 리간드임)을 갖는 화합물로서, 하기 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물을 개시한다:
Figure pat00194

상기 화학식에서,
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8은 탄소 또는 질소를 포함하고;
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8 중 하나 이상은 질소이며;
고리 B는 C-C 결합을 통해 고리 A에 결합되고;
이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 A에 결합되며;
X는 O, S 또는 Se이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환, 삼중 치환 또는 사중 치환, 또는 비치환을 나타내며;
R' 및 R"는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환 또는 비치환을 나타내고;
R', R", R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 중의 임의의 인접한 치환들은 임의로 함께 결합되어 고리를 형성하며;
R1, R2, R' 및 R"는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R3, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
n은 1 ∼ 3의 정수이고;
쌍(pairs) R3와 R4, 및 R5와 R6 중 하나 이상에서 총 탄소수는 4 이상이다.

Description

유기 전계발광 물질 및 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2014년 8월 7일에 제출된 미국 특허 출원 제14/453,777호의 일부 계속 출원이며, 상기 특허 출원의 전체 내용이 본원에 참고로 인용되어 있다.
공동 연구 계약에 대한 당사자
당해 발명은 합동 산학 연구 협약에 따라 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간, 프린스턴 유니버시티, 더 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 및 더 유니버셜 디스플레이 코포레이션 당사자 중 하나 이상에 의하여, 이를 대신하여 및/또는 이와 관련하여 완성되었다. 협약은 당해 발명이 완성된 일자에 그리고 일자 이전에 발효되었으며, 당해 발명은 협약서의 범주내에서 수행된 활동의 결과로서 완성되었다.
발명의 분야
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것이다. 더 구체적으로는, 본 개시내용은 인광 발광 디바이스(PHOLED)에서 녹색 인광 이미터로서 유용한 알킬-치환된 페닐피리딘 리간드 및 아자-디벤조푸란(aza-DBF) 리간드를 포함하는 발광성 이리듐 착체에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질은 비교적 저렴하여 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 경제적 잇점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 성질, 예컨대 이의 가요성은 가요성 기판상에서의 제조와 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 될 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능면에서의 잇점을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트로 용이하게 조절될 수 있다.
OLED는 디바이스를 가로질러 전압을 인가시 광을 방출하는 유기 박막을 사용하게 한다. OLED는 평판 패널 디스플레이, 조명 및 역광과 같은 적용예에 사용하기 위한 점차로 중요해지는 기술이다. 여러가지의 OLED 물질 및 형상은 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
인광 발광 분자에 대한 하나의 적용예는 총 천연색 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로서 지칭하는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 색상은 당업계에 공지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
녹색 발광 분자의 일례로는 하기 화학식을 갖는 Ir(ppy)3으로 나타낸 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐이다:
Figure pat00001
본원에서의 이와 같은 화학식 및 하기의 화학식에서, 본 출원인은 질소로부터 금속(여기에서는 Ir)으로의 배위결합을 직선으로 도시한다.
본원에서, 용어 "유기"라는 것은 유기 광전자 디바이스를 제조하는데 사용될 수 있는 중합체 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질을 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬 기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제거하지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄상에서의 측쇄기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 투입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 부분상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 부분으로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 부분은 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 통상적으로 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 밝혀졌다.
본원에서 사용한 바와 같이, "정상부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "저부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층"의 정상부에 위치하는" 것으로 기재될 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재할 수 있을지라도, 캐소드는 애노드"의 상부에 위치하는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있거나 및/또는 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 직접적으로 기여하는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 성질을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 기여하지 않는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1의 "최고 점유 분자 오르비탈"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 오르비탈"(LUMO) 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 근접할 경우, 제1의 에너지 준위는 제2의 HOMO 또는 LUMO보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 레벨에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절대값을 갖는 IP에 해당한다(IP는 음의 값이 더 작다). 유사하게, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절대값이 더 작은 전자 친화도(EA)에 해당한다(EA의 음의 값이 더 작다). 상부에서의 진공 레벨을 갖는 통상의 에너지 준위 다이어그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이어그램의 상부에 더 근접한다는 것을 나타낸다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1의 일 함수의 절대값이 더 클 경우, 제1의 일 함수는 제2의 일 함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일 함수는 일반적으로 진공 레벨에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일 함수의 음의 값이 더 크다는 것을 의미한다. 상부에서 진공 레벨을 갖는 통상의 에너지 준위 다이어그램에서, "더 높은" 일 함수는 진공 레벨로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 도시된다. 그래서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일 함수와는 상이한 조약을 따른다.
OLED에 대한 세부사항 및 전술한 정의는 미국 특허 제7,279,704호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌의 개시내용은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
본 개시내용의 한 구체예에 따르면, 화학식 Ir(LA)n(LB)3-n을 갖는 화합물이 개시되며, 상기 화학식에서 LA는 아자-DBF 리간드이고 LB는 알킬-치환된 페닐피리딘 리간드이며, 상기 화합물은 하기 화학식 I에 따른 구조를 갖는다:
Figure pat00002
상기 화학식에서,
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8은 탄소 또는 질소를 포함하고;
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8 중 하나 이상은 질소이며;
고리 B는 C-C 결합을 통해 고리 A에 결합되고;
이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 A에 결합되며;
X는 O, S 또는 Se이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환, 삼중 치환 또는 사중 치환, 또는 비치환을 나타내며;
R' 및 R"는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환 또는 비치환을 나타내고;
R', R", R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 중의 임의의 인접한 치환들은 임의로 함께 결합되어 고리를 형성하며;
R1, R2, R' 및 R"는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R3, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
n은 1 ∼ 3의 정수이고;
쌍(pairs) R3와 R4, 및 R5와 R6 중 하나 이상에서 총 탄소수는 4 이상이다.
다른 구체예에 따르면, 제1 유기 발광 소자를 포함하는 제1 디바이스가 또한 개시된다. 제1 유기 발광 소자는 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 포함한다. 유기 층은 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물을 포함한다.
또 다른 구체예에 따르면, 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물을 포함하는 조제물이 또한 개시된다.
본원에 개시된 발광성 이리듐 착체는, 인광 OLED 중의 이미터로서 OLED에 사용될 수 있다. 상기 화합물은 보다 낮은 승화 온도, 보다 포화된 컬러 CIE를 나타내는데, 이는 바람직한 것이다.
도 1은 본원에 개시된 본 발명의 호스트 물질을 포함할 수 있는 유기 발광 소자를 도시한다.
도 2는 본원에 개시된 본 발명의 호스트 물질을 포함할 수 있는 인버트형 유기 발광 소자를 도시한다.
도 3은 본원에 개시된 바와 같은 화학식 I을 도시한다.
일반적으로, OLED는 애노드 및 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 1종 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 정공을 유기층(들)에 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자 및 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공쌍인 "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광발광 메카니즘에 의하여 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완도 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국 특허 제 4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 기간으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 예시되어 있다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998 ("Baldo-I")] 및 [Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]을 참조하며, 이들 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 인광은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1은 유기 발광 디바이스(100)를 도시한다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 차단층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1의 전도층(162) 및 제2의 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제조될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시의 물질의 성질 및 기능은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 각각의 층에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성 및 투명한 기판-애노드 조합은 미국 특허 제 5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson et al.)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 그 전문이 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 제 6,097,147호 및 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 주입층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 보호층의 설명은 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
도 2는 인버트형 OLED(200)를 도시한다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 적층시켜 제조될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구조는 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있고 디바이스(200)가 애노드(230)의 아래에 캐소드(215)가 배치되어 있으므로, 디바이스(200)는 "인버트형" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 얼마나 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공하며, 본 발명의 실시양태는 다양한 기타의 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해하여야 한다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 작용성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략할 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 이들 구체적으로 기재된 층을 제외한 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로서 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질, 예컨대 호스트 및 도펀트의 혼합물 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 층은 다수의 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서 정공 수송층(225)은 정공을 수송하며, 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 하나의 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일층을 포함할 수 있거나 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국 특허 제 5,247,190호(Friend et al.)에 기재된 바와 같은 중합체 물질(PLED)을 포함하는 OLED를 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국 특허 제 5,707,745호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국 특허 제 6,091,195호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 제 5,834,893호(Bulovic et al.)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적절한 방법에 의하여 적층될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국 특허 제 6,337,102호(Forrest et al.)(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기상 증착(OVPD), 미국 특허 출원 제10/233,470호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적절한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액계 공정을 포함한다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및, 잉크-제트 및 OVJD와 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴 기와 같은 치환기는 이의 용액 가공의 처리 능력을 향상시키기 위하여 소분자에 사용될 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 것보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있는데, 비대칭 물질은 재결정화되는 경향이 낮을 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환기는 용액 가공을 처리하는 소분자의 능력을 향상시키기 위하여 사용될 수 있다.
본 발명의 실시양태에 의하여 제조된 디바이스는 차단층을 추가로 임의로 포함할 수 있다. 차단층의 하나의 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 한다. 차단층은 기판의 위에서, 기판의 아래에서 또는 기판의 옆에서, 전극 또는, 엣지를 포함하는 디바이스의 임의의 기타 부분의 위에서 증착될 수 있다. 차단층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 차단층은 각종 공지의 화학적 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성물뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성물을 포함할 수 있다. 임의의 적절한 물질 또는 물질의 조합을 차단층에 사용할 수 있다. 차단층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘다를 혼입할 수 있다. 바람직한 차단층은 미국 특허 제7,968,146호, PCT 특허 출원 번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌의 개시내용은 본원에 그 전문이 참고로 포함된다. "혼합물"을 고려하면, 차단층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건하에서 및/또는 동일한 시간에서 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위내일 수 있다.　중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
본 발명의 실시양태에 의하여 제조되는 소자는 평판 패널 디스플레이, 조명 장치, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 옥외 조명 및/또는 시그날링을 위한 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 개인용 정보 단말기(PDA), 랩탑 컴퓨터, 디지탈 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로디스플레이, 3D 디스플레이, 자동차, 거대 월, 극장 또는 스타디움 스크린 또는 간판을 비롯한 다양한 소비재에 투입될 수 있다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 발명에 의한 소자를 조절할 수 있다. 소자의 대다수는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용되도록 한 것이나, 이 온도 범위를 벗어나, 예를 들어 -40℃ 내지 +80℃에서 사용될 수도 있다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED를 제외한 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
본원에서 사용될 때 "할로" 또는 "할로겐"은 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.
본원에서 사용될 때 "알킬"은 직쇄 또는 분지쇄 알킬 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알킬기는 1∼15 개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "시클로알킬"은 환형 알킬 라디칼을 의미한다. 바람직한 시클로알킬기는 3∼7 개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알케닐기는 2∼15 개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "알키닐"은 직쇄 및 분지쇄 알킨 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알키닐기는 2∼15 개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알키닐기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 상호 혼용되며 치환기로서 방향족 기를 갖는 알킬기를 의미한다. 추가로, 알킬아릴기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "복소환 기"는 비방향족 환형 라디칼이 고려된다. 바람직한 복소환 기는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하고 모르폴리노, 피페르디노, 피롤리디노 등과 같은 환형 아민 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 등과 같은 환형 에테르를 포함하는 3 또는 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이다. 추가로, 복소환 기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "아릴" 또는 "방향족 기"는 단일 고리 기 및 다환 고리계가 고려된다. 다환 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리에 공통인 2개 이상의 고리("축합" 고리)를 가질 수 있으며, 고리들 중 하나 이상은 예컨대 방향족이고, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 추가로, 아릴 기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 용어 "헤테로아릴"은 예컨대, 피롤, 푸란, 티오펜, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 트리아졸, 피라졸, 피리딘, 피라진 및 피리미딘 등과 같이 1∼3 개의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 단일 고리 헤테로방향족 기가 고려된다. 용어 헤테로아릴은 또한 2개의 원자가 두 인접 고리에 공통인 2 이상의 고리("축합" 고리)를 갖는 다환 헤테로방향족계를 포함하며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 예컨대 헤테로아릴이고, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 추가로, 헤테로아릴 기는 임의 치환될 수 있다.
알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아르알킬, 복소환 기, 아릴, 및 헤테로아릴은 수소, 듀테륨, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 환형 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 임의 치환될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 바의 "치환된"은 H 이외의 치환기가 관련 탄소에 결합됨을 나타낸다. 따라서, R2가 단일 치환된 경우, 하나의 R2는 H 이외의 것이어야 한다. 유사하게, R3이 이중 치환된 경우, R3 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 유사하게, R2가 비치환된 경우, R2는 모든 가능한 위치에 대해 수소이다.
본원에 기재된 단편, 즉, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜 등에서의 "아자" 지칭은 각각의 단편 내 C-H 기 중 1 이상이 예컨대 질소 원자로 치환될 수 있음을 의미하며, 한정하지 않고, 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린 모두를 포함한다. 당업자는 상기 기재된 아자 유도체의 다른 질소 유사체를 용이하게 생각할 수 있으며, 모든 이러한 유사체를 본 명세서에 기재된 용어에 포함시키고자 한다.
당업자라면 분자 분절이 치환기인 것으로 기술되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 결합될 때 이의 명칭은 분절(예, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 본원에 사용된 바와 같이, 이러한 치환기 또는 결합된 분절의 상이한 표기 방식은 동일한 것으로 간주된다.
본원에 사용된 바로는, 용어 "전자 억셉터" 또는 "억셉터"는 방향족계로부터 전자 밀도를 수용할 수 있는 분절을 의미하며, 용어 "전자 도너" 또는 "도너"는 방향족계에 전자 밀도를 공여하는 분절을 의미한다.
본 개시내용에는, PHOLED에서 녹색 인광 이미터로서 유용한 알킬-치환된 페닐피리딘 리간드 및 아자-디벤조푸란(aza-DBF) 리간드를 포함하는 발광성 이리듐 착체가 개시된다. 이리듐 착체의 열 안정성은 PHOLED 디바이스의 제조에서의 이러한 착체의 유용성에 있어 중요한 요인이다. 이리듐 착체의 분자 변형은 이 착제의 고체 상태 팩킹을 효과적으로 변화시킬 수 있으며, 따라서 그들의 열 안정성 및 승화 온도에 영향을 준다. 본 발명자들은, ppy 및 아자-DBF 리간드를 함유하는 헤테로렙틱 이리듐 착체 상의 이중 치환된 알킬기(총 4개 이상의 탄소 원자)가 예상외로 승화 온도를 낮추고 컬러 CIE를 현저히 향상시킴을 발견하였다.
한 구체예에 따르면, 화학식 Ir(LA)n(LB)3-n를 갖는 화합물이 개시되며, 상기 화학식에서 LA는 아자-디벤조푸란 리간드이고 LB는 알킬-치환된 페닐피리딘 리간드이며, 상기 화합물은 하기 화학식 I에 따른 구조를 갖는다:
Figure pat00003
상기 화학식에서,
상기 화학식에서,
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8은 탄소 또는 질소를 포함하고;
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8 중 하나 이상은 질소이며;
고리 B는 C-C 결합을 통해 고리 A에 결합되고;
이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 A에 결합되며;
X는 O, S 또는 Se이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환, 삼중 치환 또는 사중 치환, 또는 비치환을 나타내며;
R' 및 R"는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환 또는 비치환을 나타내고;
R', R", R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 중의 임의의 인접한 치환들은 임의로 함께 결합되어 고리를 형성하며;
R1, R2, R' 및 R"는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R3, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
n은 1 ∼ 3의 정수이고;
쌍 R3와 R4, 및 R5와 R6 중 하나 이상에서 총 탄소수는 4 이상이다.
화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물의 한 구체예에서, n은 1이다.
한 구체예에서, 화학식 I에 따른 화합물은 하기 화학식 II에 따른 구조를 갖는다:
Figure pat00004
한 구체예에서, 화학식 I에 따른 화합물은 하기 화학식 III에 따른 구조를 갖는다:
Figure pat00005
한 구체예에서, 화학식 I에 따른 화합물은 하기 화학식 IV에 따른 구조를 갖는다:
Figure pat00006
화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물의 다른 구체예에서는, A1 ∼ A8 중 오직 하나가 질소이고, 나머지 A1 ∼ A8가 탄소이다. 다른 구체예에서는, A5 ∼ A8 중 하나가 질소이고, 나머지 A1 ∼ A8가 탄소이다.
한 구체예에 따르면, 화학식 I ∼ 화학식 IV에서 X는 O이다.
한 구체예에 따르면, 화학식 I ∼ 화학식 IV 중 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
다른 양태에 따르면, 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물에서, 하기 조건 (1) 및 (2) 중 하나 이상이 맞다:
(1) R3 및 R4는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 조합된 R3와 R4에서 총 탄소수는 이상이며;
(2) R5 및 R6는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 조합된 R5와 R6에서 총 탄소수는 4 이상이다.
다른 양태에 따르면, 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물에서, 하기 조건 (3) 및 (4) 중 하나 이상이 맞다:
(3) R3 및 R4는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R3 및 R4 중 하나 이상은 하나 이상의 듀테륨을 함유하며; 조합된 R3 및 R4에서 총 탄소수는 4 이상이고;
(4) R5 및 R6는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며; R3 및 R4 중 하나 이상은 하나 이상의 듀테륨을 함유하고; 조합된 R5 및 R6에서 총 탄소수는 4 이상이다.
다른 양태에 따르면, 화학식 I ∼ 화학식 IV 중 R3, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 개시내용의 다른 양태에서, 화학식 I에 따른 화합물은 하기 화학식 V에 따른 구조를 갖는다:
Figure pat00007
상기 화학식에서, R은 알킬, 시클로알킬, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
화학식 V에 따른 화합물의 한 구체예에서, R은 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 화학식 V에 따른 화합물의 한 구체예에서, X는 O이다.
본원에 개시된 화합물의 한 구체예에서, 화학식 Ir(LA)n(LB)3-n 중 리간드 LA는 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
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.
본원에 개시된 화합물의 다른 구체예에서, 화학식 Ir(LA)n(LB)3-n 중 리간드 LB는 하기의 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
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본원에 개시된 화합물의 다른 구체예에서, 화합물은 화합물 A-1 ∼ 화합물 A-72, 280으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 화합물 A-x(여기서, x = 440j + k 440이고, k는 1 ∼ 440의 정수이며, j는 1 ∼ 162의 정수임) 각각은, 화학식 Ir(LA k ) (LB j )2를 갖는다.
본원에 개시된 화합물의 다른 구체예에서, 화합물은 하기 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00051
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본 개시내용의 다른 양태에 따르면, 제1 유기 발광 소자를 포함하는 제1 디바이스가 또한 개시된다. 제1 유기 발광 소자는 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 층을 포함한다. 유기 층은 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물을 포함하며, 화학식 I에서,
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8은 탄소 또는 질소를 포함하고;
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8 중 하나 이상은 질소이며;
고리 B는 C-C 결합을 통해 고리 A에 결합되고;
이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 A에 결합되며;
X는 O, S 또는 Se이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환, 삼중 치환 또는 사중 치환, 또는 비치환을 나타내며;
R' 및 R"는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환 또는 비치환을 나타내고;
R', R", R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 중의 임의의 인접한 치환들은 임의로 함께 결합되어 고리를 형성하며;
R1, R2, R' 및 R"는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R3, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
n은 1 ∼ 3의 정수이고;
쌍 R3와 R4, 및 R5와 R6 중 하나 이상에서 총 탄소수는 4 이상이다.
한 구체예에서, 제1 디바이스는 소비자 제품일 수 있다. 제1 디바이스는 유기 발광 디바이스일 수 있다. 제1 디바이스는조명 패널일 수 있다.
한 구체예에서, 제1 디바이스 내의 유기 층은 발광 층이고, 화합물은 발광 도펀트이다.
다른 구체예에서, 제1 디바이스 내의 유기 층은 발광 층이고, 화합물은 비발광 도펀트이다.
다른 구체예에서, 제1 디바이스 내의 유기 층은 호스트 물질을 더 포함할 수 있다. 호스트 물질은 벤조 융합된 티오펜 또는 벤조 융합된 푸란을 함유하는 트리페닐렌을 포함하며, 여기서, 호스트 내의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1,℃nH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C=C-CnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, CnH2n-Ar1로 이루어진 군으로부터 선택되는 비융합 치환기이거나 비치환이고;
n은 1 ∼ 10이며;
Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸, 및 이의 헤테로방향족 유사체로 이루어진 군으로부터 선택된다.
한 구체예에서, 호스트 물질은 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화학기를 포함한다. 다른 구체예에서, 호스트 물질은 하기 화학식들 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00068
Figure pat00069
제1 디바이스의 다른 구체예에서, 호스트 물질은 금속 착물을 포함한다.
본 개시내용의 다른 양태에 따르면, 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물을 포함하는 조제물이 또한 개시되며, 여기서 화학식 I은 상기 정의된 바와 같다. 조제물은 본원에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질 및 전자 수송층 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 성분을 포함할 수 있다.
물질 합성
모든 반응은 달리 명시하지 않은 한, 질소 보호 하에 실시하였다. 반응을 위한 모든 용매는 무수(anhydrous)이며, 상업적 공급원으로부터 수령한 대로 사용하였다. 전구체 및 리간드는 당업자에게 공지된 방법으로 제조할 수 있으며, 미국 특허 출원 제13/928,456호에 상세히 기술되어 있고, 상기 출원은 본원에 그 전체가 참고로 인용된다.
화합물 2의 합성
Figure pat00070
8-(4-d3-메틸-5-이소프로필)피리딘-2-일(LA187)(1.925 g, 6.30 mmol), 이리듐 전구체 (i)(2.5 g, 3.50 mmol), 2-에톡시에탄올 40.0 mL, 및 디메틸포름아미드(DMF) 40 mL의 혼합물을 130℃ 유조(oil bath)에서 N2 하에 20 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 농축하여 용매를 제거하고, 실리카 겔의 작은 플러그(plug)를 통해 여과한 다음, 아세트산에틸과 디클로로메탄 용매 혼합물을 용리액으로서 이용하는 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피에 의해 더 정제하여 0.93 g의 원하는 생성물, 화합물 2를 얻었다(33% 수율).
화합물 6의 합성
Figure pat00071
아자-디벤조푸란 리간드(LA196)(1.5 g, 4.55 mmol) 및 이리듐 전구체 (ii)(1.98 g, 2.53 mmol), 2-에톡시에탄올 40 mL 및 DMF 40 mL의 혼합물을 130℃ 유조에서 N2 하에 17 시간 동안 가열하였다.그 반응 혼합물을 농축하여 용매를 제거하고 작은 실리카 겔 플러그를 통해 여과하고, 디클로로메탄을 이용하는 컬럼 크로마토그래피에 의해 더 정제하여 0.65 g의 원하는 생성물, 화합물 6을 얻었다(29% 수율).
화합물 8의 합성
Figure pat00072
아자-디벤조푸란 리간드(LA189)(1.1 g, 3.52 mmol), 이리듐 전구체 (ii)(1.72 g, 2.20 mmol), 2-에톡시에탄올(30 mL) 및 DMF(30 mL)를 플라스크에 넣고, 130℃ 유조에서 N2 하에 15 시간 동안 가열하였다. 그 반응 용매를 증발시키고, 그 고체를 용해하여 작은 실리카 겔 플러그를 통해 여과하고, 디클로로메탄 중 아세트산에틸을 이용하는 컬럼 크로마토그래피에 의해 더 정제하여 0.34 g의 화합물 8을 얻었다(18% 수율).
화합물 12의 합성
Figure pat00073
이리듐 전구체 (iii)(2.34 g, 3.02 mmol), 8-(5-이소프로필-4-메틸피리딘-2-일)-2-메틸벤조푸로[2,3-b]피리딘-d13(LA190)(1.7 g, 5.44 mmol), 2-에톡시에탄올(60 mL) 및 DMF(60 mL)의 혼합물을 130℃에서 하룻밤 동안 가열하였다.　그 반응 혼합물을 농축하여 용매를 제거하고, 실리카 겔의 작은 플러그를 통해 여과하고, 더 크로마토그래프 분석하여 0.77 g의 화합물 12를 얻었다(35% 수율).
화합물 13의 합성
Figure pat00074
이리듐 전구체 (iv)(2.2 g, 2.67 mmol), 8-(4-(3-이소프로필페닐)피리딘-2-일)-2메틸벤조푸로[2,3-b]피리딘(LA113)(1.5 g, 4.80 mmol), 2-에톡시에탄올(40 mL) 및 DMF(40 mL)의 혼합물을 130℃에서 하룻밤 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 농축하여 용매를 제거하고, 실리카 겔의 작은 플러그를 통해 여과하고, 더 크로마토그래프 분석하여 0.49 g의 화합물 13을 얻었다(19.8% 수율).
화합물 9의 합성
Figure pat00075
아자-디벤조푸란 리간드(LA190)(1.5 g, 4.55 mmol) 및 이리듐 전구체 (v)(1.9 g, 2.66 mmol)를 30 mL의 DMF 및 30 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 교반하고 130℃로 설정한 유조에서 19 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실온으로 냉각시킨 다음, 진공 하에 농축하였다. 그 미정제 잔류물을 진공 하에 건조하였다. 이 미정제 잔류물을 200 mL의 DCM에 용해시킨 다음, 실리카 겔 플러그에 통과시켰다. DCM 여과액을 진공 하에 농축하였다. 이 미정제 잔류물을, 60% ∼ 75% DCM/헵탄을 이용하는 실리카 겔 컬럼에 통과시켰다. 깨끗한 생성물 분획을 조합하고 진공 하에 농축하여 원하는 이리듐 착체, 화합물 9를 얻었다(1.0 g, 45.5%). 소정의 질량은 LC/MS 분석으로 확인하였다.
화합물 11의 합성
Figure pat00076
아자-디벤조푸란 리간드(LA190)(1.5 g, 4.55 mmol) 및 이리듐 전구체 (vi)(1.98 g, 2.53 mmol)를 40 mL의 DMF 및 40 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 여과하고, 130℃로 설정한 유조에서 18 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실온으로 냉각시킨 다음, 진공 하에 농축하였다. 그 미정제 잔류물을 진공 하에 건조하였다. 이 미정제 잔류물을 200 mL의 DCM에 용해시킨 다음, 실리카 겔 플러그에 통과시켰다. DCM 여과액을 진공 하에 농축하였다. 이 미정제 잔류물을, 60% ∼ 75% DCM/헵탄을 이용하는 실리카 겔 컬럼에 통과시켰다. 깨끗한 생성물 분획을 조합하고 진공 하에서 농축하여 원하는 이리듐 착체, 화합물 11을 얻었다(0.45 g, 19.8%). 그 질량을 LC/MS로 확인하였다.
화합물 14의 합성
Figure pat00077
아자-디벤조푸란 리간드(LA190)(1.5 g, 4.55 mmol) 및 이리듐 전구체 (vi)(1.98 g, 2.53 mmol)를 40 mL의 DMF 및 40 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 교반하고 130℃로 설정한 유조에서 18 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실온으로 냉각시킨 다음, 진공 하에 농축하였다. 그 미정제 잔류물 진공 하에 건조하였다. 이 미정제 잔류물을 200 mL의 DCM에 용해시킨 다음, 실리카 겔 플러그에 통과시켰다. DCM 여과액을 진공 하에 농축하였다. 이 미정제 잔류물을, 60% ∼ 75% DCM/헵탄을 이용하는 실리카 겔 컬럼에 통과시켰다. 깨끗한 생성물 분획을 조합하고 진공 하에 농축하여 원하는 이리듐 착체, 화합물 14를 얻었다(0.77 g, 29.3%). 소정의 질량은 LC/MS 분석으로 확인하였다.
화합물 3의 합성
Figure pat00078
아자-디벤조푸란 리간드(LA196)(1.5 g, 4.55 mmol) 및 이리듐 전구체 (v)(1.9 g, 2.66 mmol)를 30 mL의 DMF 및 30 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 혼합물에 넣었다. 그 반응 혼합물을 질소로 탈기한 다음, 교반하고, 130℃로 설정한 유조에서 17 시간 동안 가열하였다. 이어서, 가열을 중단하였다. 용매를 진공 하에 제거하였다. 미정제 잔류물을 DCM에 용해시킨 다음, 실리카 겔 플러그에 통과시켰다. 그 플러그를 2 L의 DCM으로 용리하였다. 그 DCM 여과액을 진공 하에 증발시켰다. 이 미정제 잔류물을, 90% DCM/헵탄을 이용하는 실리카 겔 컬럼에 통과시켰다. 깨끗한 컬럼 분획을 조합하고 진공 하에 농축하여 원하는 이리듐 착체, 화합물 3를 황색 고체로서 얻었다(0.95 g, 1.146 mmol, 43.0% 수율). 소정의 질량은 LC/MS 분석으로 확인하였다.
화합물 18의 합성
Figure pat00079
아자-디벤조푸란 리간드(LA251)(1.406 g, 4.02 mmol) 및 이리듐 전구체 (vi)(1.85 g, 2.366 mmol)를 35 mL의 DMF 및 35 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 혼합물에 넣었다. 이 혼합물을 질소로 탈기한 다음, 교반하고, 130℃로 설정한 유조에서 18 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 농축하고 진공 하에 건조하였다. 이 미정제 생성물을 300 mL의 DCM에 용해시킨 다음, 실리카 겔의 플러그에 통과시켰다. DCM 여과액을 진공 하에 농축하였다. 미정제 잔류물을 실리카 겔 컬럼에 통과시키면서 60% ∼ 90% DCM/헵탄으로 컬럼을 용리하였다. 원하는 이리듐 착체, 화합물 18(0.6 g, 0.65mmol, 27.6% 수율)을 황색 고체로서 단리하였다. 소정의 질량은 LC/MS 분석으로 확인하였다.
화합물 19의 합성
Figure pat00080
아자-디벤조푸란 리간드(LA251)(1.406 g, 4.02 mmol) 및 이리듐 전구체 (vi)(1.85 g, 2.366 mmol)를 35 mL의 DMF 및 35 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 혼합물에 넣었다. 이 혼합물을 질소로 탈기한 다음, 교반하고, 130℃로 설정한 유조에서 18 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 농축하고 진공 하에 건조하였다. 이 미정제 생성물을 300 mL의 DCM에 용해시킨 다음, 실리카 겔의 플러그에 통과시켰다. DCM 여과액을 진공 하에 농축하였다. 미정제 잔류물을 실리카 겔 컬럼에 통과시키면서 60% ∼ 90% DCM/헵탄으로 컬럼을 용리하였다. 원하는 이리듐 착체, 화합물 19(0.7 g, 0.65 mmol, 27.3% 수율)를 황색 고체로서 단리하였다. 소정의 질량은 LC/MS 분석으로 확인하였다.
화합물 20의 합성
Figure pat00081
아자-디벤조푸란(LA251)(1.45 g, 4.15 mmol) 및 이리듐 전구체 (vii)(1.85 g, 2.474 mmol)를 35 mL의 DMF 및 35 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 질소로 탈기한 다음, 130℃로 설정한 유조에서 24 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실온으로 냉각시킨 다음, 증발시키고, 진공 하에 건조하였다. 미정제 생성물을 600 mL의 고온 DCM에 용해시킨 다음, 실리카 겔 플러그에 통과시켰다. DCM 여과액을 진공 하에 증발시킨 다음, 실리카 겔 컬럼에 통과시키면서 60% ∼ 75% DCM/헵탄으로 컬럼을 용리하였다. 깨끗한 컬럼 분획을 조합하고 진공 하에 농축하여 원하는 이리듐 착체, 화합물 20을 얻었다(0.7 g, 0.79 mmol, 32% 수율). 소정의 질량은 LC/MS 분석을 이용하여 확인하였다.
화합물 21의 합성
Figure pat00082
아자-디벤조푸란 리간드(LA410)(1.45 g, 4.14 mmol) 및 이리듐 전구체 (vi)(1.9 g, 2.430 mmol)를 35 mL의 DMF 및 35 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 질소로 탈기한 다음, 130℃로 설정한 유조에서 22 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실온으로 냉각시킨 다음, 농축하고 진공 하에 건조하였다. 미정제 생성물을 실리카 겔 플러그에 통과시켰다. 그 플러그를 2.5 L의 DCM으로 용리하였다. DCM 여과액은 진공 하에 농축하고, 미정제 잔류물을 실리카 겔 컬럼에 통과시키면서 60% ∼ 70% DCM/헵탄으로 용리하였다. 깨끗한 컬럼 분획을 조합하고 진공 하에 농축하여 원하는 이리듐 착체, 화합물 21을 황색 고체로 얻었다(0.72 g, 0.82 mmol, 33.6% 수율). 원하는 생성물의 질량은 LC/MS 분석으로 확인하였다.
화합물 22의 합성
Figure pat00083
아자-디벤조푸란 리간드(LA216)(1.43 g, 4.06 mmol) 및 이리듐 전구체 (vi)(1.9 g, 2.430 mmol)를 35 mL의 DMF 및 35 mL의 2-에톡시에탄올과 함께 반응 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 질소로 탈기한 다음, 130℃로 설정한 유조에서 22 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실온으로 냉각시킨 다음, 농축하고 진공 하에 건조하였다. 미정제 생성물을 실리카 겔 플러그에 통과시켰다. 그 플러그를 2.5 L의 DCM으로 용리하였다. DCM 여과액을 진공 하에 농축하고, 미정제 잔류물을 실리카 겔 컬럼에 통과시키면서 60% ∼ 70% DCM/헵탄으로 용리하였다. 깨끗한 컬럼 분획을 조합하고 진공 하에 농축하여 원하는 이리듐 착체, 화합물 22를 황색 고체로서 얻었다(0.73 g, 0.79 mmol, 32.6% 수율). 원하는 생성물의 질량은 LC/MS 분석으로 확인하였다.
화합물 1의 합성
Figure pat00084
8-(4-d3-메틸-5-이소프로필)피리딘-2-일(LA187)(1.985 g, 6.50 mmol), 이리듐 전구체 (viii)(2.7 g, 3.61 mmol), 2-에톡시에탄올 40 mL 및 DMF 40 mL의 혼합물을 130℃의 유조에서 N2 하에 20 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 1.45 g의 원하는 생성물 화합물 2를 얻었다(48% 수율).
화합물 4의 합성
Figure pat00085
8-(4-d3-메틸-5-이소프로필)피리딘-2-일(LA187)(1.406 g, 4.6 mmol), 이리듐 전구체 (ii)(2.0 g, 2.56 mmol), 2-에톡시에탄올 30 mL 및 DMF 30 mL의 혼합물을 130℃의 유조에서 N2 하에 20 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 0.77 g의 원하는 생성물, 화합물 4를 얻었다(35% 수율).
화합물 5의 합성
Figure pat00086
아자-디벤조푸란 리간드(LA196)(1.5 g, 4.55 mmol) 및 이리듐 전구체 (viii)(1.891 g, 2.53 mmol), 2-에톡시에탄올 40 mL 및 DMF 40 mL의 혼합물을 130℃의 유조에서 N2 하에 17 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 아세트산에틸 및 디클로로메탄 용매 혼합물을 이용하는 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 0.88 g의 원하는 생성물, 화합물 5를 얻었다(39% 수율).
화합물 10의 합성
Figure pat00087
아자-디벤조푸란 리간드(LA196)(1.5 g, 4.55 mmol) 및 이리듐 전구체 (ii)(1.978 g, 2.53 mmol), 2-에톡시에탄올 40 mL 및 DMF 40 mL의 혼합물을 130℃의 유조에서 N2 하에 17 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 아세트산에틸 및 디클로로메탄 용매 혼합물을 이용하는 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 0.77 g(29% 수율)의 원하는 생성물, 화합물 10을 얻었으며, 이것을 LC-MS에 의해 확인하였다.
화합물 7의 합성
Figure pat00088
아자-디벤조푸란 리간드(LA189)(1.1 g, 3.52 mmol), 이리듐 전구체 (viii)(1.72 g, 2.20 mmol), 2-에톡시에탄올 40 mL 및 DMF 40 mL를 플라스크에 넣고, 130℃의 유조에서 N2 하에 18 시간 동안 가열하였다. 반응 용매를 증발시키고, 그 고체를 용해시켜 작은 실리카 겔 플러그를 통해 여과하고, 디클로로메탄 중 아세트산에틸을 이용하는 컬럼 크로마토그래피에 의해 더 정제하여 1.05 g의 원하는 생성물, 화합물 7을 얻었다(52% 수율).
화합물 15의 합성
Figure pat00089
8-(4-d3-메틸-5-이소프로필)피리딘-2-일(LA187)(0.943 g, 3.01 mmol), 이리듐 전구체 (ix)(1.4 g, 1.72 mmol), 2-에톡시에탄올 30.0 mL 및 DMF 30 mL의 혼합물을 130℃의 유조에서 N2 하에 72 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 농축하여 용매를 제거하고 실리카 겔의 작은 플러그를 통해 여과한 다음, 디클로로메탄 중 아세트산에틸을 이용하는 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피에 의해 더 정제하여 0.95 g의 원하는 생성물, 화합물 15를 얻었다(61% 수율).
화합물 17의 합성
Figure pat00090
아자-디벤조푸란 리간드(LA203)(0.9 g, 2.66 mmol) 및 이리듐 전구체 (ii)(1.29 g, 1.66 mmol), 2-에톡시에탄올 30 mL 및 DMF 30 mL의 혼합물을 130℃의 유조에서 N2 하에 18 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 아세트산에틸 및 디클로로메탄 용매 혼합물을 이용하는 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 0.5 g의 원하는 생성물, 화합물 17을 얻었다(33% 수율).
화합물 16의 합성
Figure pat00091
아자-디벤조푸란 리간드(LA208)(0.85 g, 2.51 mmol) 및 이리듐 전구체 (ii)(1.22 g, 1.56 mmol), 2-에톡시에탄올 30 mL 및 DMF 30 mL의 혼합물을 130℃의 유조에서 N2 하에 20 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 아세트산에틸 및 디클로로메탄 용매 혼합물을 이용하는실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 0.5 g의 원하는 생성물, 화합물 16을 얻었다(35% 수율).
화합물 31의 합성
Figure pat00092
아자-디벤조푸란 리간드(LA208)(0.85 g, 2.51 mmol) 및 이리듐 전구체 (viii) (1.12 g, 1.56 mmol), 2-에톡시에탄올 30 mL 및 DMF 30 mL의 혼합물을 130℃의 유조에서 N2 하에 18 시간 동안 가열하였다. 그 반응 혼합물을 아세트산에틸 및 디클로로메탄 용매 혼합물을 이용하는 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 0.55 g의 원하는 생성물, 화합물 31을 얻었다(40% 수율).
기타의 물질과의 조합
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 디바이스에 존재하는 다양한 기타의 물질과의 조합에 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타의 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 지칭된 물질은 본원에 개시된 화합물과 조합하여 유용할 수 있는 비제한적인 물질이며, 당업자중 하나는 조합에 유용할 수 있는 기타의 물질을 확인하는 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
HIL/HTL:
본 발명에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 한정되지 않으며, 화합물이 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카르바졸 유도체; 플루오로탄화수소를 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 화학식을 들 수 있다:
Figure pat00093
각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 고리형 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 복소환 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 고리형 기 및 방향족 복소환 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 고리형 기에 서로 직접 또는 이들 중 1종 이상을 통하여 결합되는 2 내지 10개의 고리형 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 추가로 치환된다.
하나의 구체예에서, Ar1 내지 Ar9는 독립적으로 하기 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택되며:
Figure pat00094
k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 갖는다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기를 들 수 있다:
Figure pat00095
Met는 금속이며; (Y101-Y102)는 2좌 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수이다.
하나의 구체예에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 구체예에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 구체예에서, Met은 Ir, Pt, Os 및 Zn으로부터 선택된다. 추가의 구체예에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 갖는다.
호스트:
본 발명의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예로는 특정하여 한정되지는 않았으나, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 것보다 더 크기만 하다면 사용할 수 있다. 하기 표는 각종 색상을 발광하는 디바이스에 바람직한 것으로서 호스트 물질을 분류하지만, 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질은 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.
호스트로서 사용된 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
Figure pat00096
Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 2좌 리간드이고, Y103 및 Y104는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속이 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수이다.
하나의 구체예에서, 금속 착물은
Figure pat00097
이며, 여기서 (O-N)은 원자 O 및 N에 배위결합된 금속을 갖는 2좌 리간드이다.
또 다른 구체예에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가의 구체예에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.
호스트로서 사용된 유기 화합물의 예는 방향족 탄화수소 고리형 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 복소환 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 고리형 기 및 방향족 복소환 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 그리고 서로 직접 결합되거나 또는 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 고리형 기 중 1종 이상에 의하여 결합되는 2 내지 10개의 고리형 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 여기서 각각의 기는 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 추가로 치환된다.
하나의 구체예에서, 호스트 화합물은 분자에서 하기 기 중 1종 이상을 포함한다:
Figure pat00098
R101 내지 R107은 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 1 내지 20의 정수이며; k"'는 0 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108는 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다. Z101 및 Z102는 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.
HBL:
정공 차단층(HBL)은 발광층에서 배출되는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키는데 사용될 수 있다. 디바이스에서의 이러한 차단층의 존재는 실질적으로 차단층이 결여된 유사한 디바이스에 비하여 더 높은 효율을 초래할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 소정의 부위로 방출을 한정시키는데 사용될 수 있다.
하나의 구체예에서, HBL에 사용된 화합물은 전술한 호스트로서 사용된 동일한 작용기 또는 동일한 분자를 포함한다.
또 다른 구체예에서, HBL에 사용된 화합물은 분자에서 하기의 기 중 1종 이상을 포함한다:
Figure pat00099
k는 1 내지 20의 정수이고; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.
ETL:
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도율을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특정하게 한정되지는 않았으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 사용될 수 있다.
하나의 구체예에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 1종 이상을 포함한다:
Figure pat00100
R101은 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. Ar1 내지 Ar3은 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또 다른 구체예에서, ETL에 사용된 금속 착물은 하기의 화학식을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00101
(O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N,N에 배위결합된 금속을 갖는 2좌 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이다.
OLED 디바이스의 각각의 층에 사용된 임의의 전술한 화합물에서, 수소 원자는 부분 또는 완전 중수소화될 수 있다. 그래서, 메틸, 페닐, 피리딜 등의 임의의 구체적으로 제시된 치환기(이에 한정되지 않음)는 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화 형을 포함한다. 유사하게는, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 등의 치환기의 유형(이에 한정되지 않음)은 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화 형을 포함한다.
본원에 개시된 물질 이외에 및/또는 이와 조합하여, 다수의 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 호스트 물질, 도펀트 물질, 엑시톤/정공 차단층 물질, 전자 수송 및 전자 주입 물질이 OLED에 사용될 수 있다. 본원에 개시된 물질과 조합하여 OLED에 사용될 수 있는 물질의 비제한적인 예는 하기 표 1에 제시되어 있다. 하기 표 1는 물질의 비제한적인 유형, 각각의 유형에 대한 화합물의 비제한적인 예 및 물질을 개시하는 참고 문헌을 제시한다.
[표 A]
Figure pat00102
Figure pat00103
Figure pat00104
Figure pat00105
Figure pat00106
Figure pat00107
Figure pat00108
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Figure pat00111
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Figure pat00114
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Figure pat00121
Figure pat00122
Figure pat00123
Figure pat00124
Figure pat00125
Figure pat00126
실험 데이터
본 발명자들은 본 발명의 화합물의 일부 예들의 성능을 선행 기술의 화합물에 대해 비교하였다. 화합물의 승화 온도 및 컬러 CIE 값을 비교하였으며, 그 각각의 값들을 하기 표 1에 요약한다. 비교예 2 화합물의 승화 온도는 281℃이다. 본 발명의 화합물인 화합물 9 및 화합물 3에서는, 비교예 2 화합물의 피리딘 상의 중수소화되고 이중 치환된 메틸기들 중 하나가 이소프로필-d7로 치환된다. 화합물 9 및 화합물 3의 승화 온도는, 이들 화합물이 비교예 2 화합물보다 높은 분자량을 가진다는 사실에도 불구하고, 각각 261℃ 및 253℃로 현저히 낮다. 승화 온도가 낮으면, 유리하게 화학식 I의 화합물의 정제가 용이해지고, 화학식 I의 화합물이 제조시에 보다 우수한 열 안정성을 갖게 된다. 또한, 화합물 9 및 화합물 3의 컬러 CIE x좌표는 모두 비교예 1 및 2보다 작다. 따라서, 이들은 비교예 1 및 2보다 포화된 녹색이며, 이는 특히 디스플레이 적용에 있어 바람직한 특성이다. 1931년 CIE (Commission Internationale de l'Eclairage: 국제 조명 위원회) 색도도에서는, CIE x에 있어 낮은 값과 CIE y에 있어 높은 값은, 보다 높은 녹색 포화를 나타낸다. 이들 결과는 예상 밖이었는데, 비교예 1과 비교예 2 착체 간의 비교에서, 비교예 2의 피리딘 상의 디-메틸 치환이 승화 온도를 실제로 상승시켰기 때문이다. 비교예 1은 본 발명의 화합물인 화합물 9 및 화합물 3보다 낮은 승화 온도를 가지나, 비교예 1의 컬러 CIE는 다른 화합물들에 비해 적색 편이되어 있으며, 이는 이 녹색 인광 이미터의 부류에 바람직하지 않다. 따라서, 본 발명의 화합물들은 보다 많은 색포화 및 보다 낮은 승화 온도를 야기하며, 이는 PHOLED 디바이스의 제조에 이로운 특성이다.
Figure pat00127
청구된 헤테로렙틱 이리듐 착체 중 2-페닐피리딘 리간드에서, 유사한 치환 효과가 관찰되었다. 하기 표 2에서, 비교예 3의 승화 온도는, 약 270℃로 상당히 높다. 2-페닐피리딘 리간드 중의 메틸기 중 하나가 이소프로필로 치환된, 본 발명의 화합물 화합물 13에서, 관측된 승화 온도는, 화합물 13이 비교예 3 화합물보다 높은 분자량을 가진다는 사실에도 불구하고 235℃로 현저히 낮다.
Figure pat00128
본원에 기술된 다양한 구체예는 단지 예시이며, 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아님이 이해된다. 예를 들면, 본원에 기술된 많은 재료 및 구조는 본 발명의 취지에서 벗어나는 일 없이 다른 재료 및 구조로 대체될 수 있다. 따라서, 청구된 본 발명은 당업자가 알 수 있는 바와 같이 본원에 기술된 특정예 및 바람직한 구체예로부터의 변형을 포함할 수 있다. 왜 본 발명이 유효한가에 대한 다양한 이론을 한정하고자 하는 것이 아님이 이해된다.

Claims (15)

  1. 화학식 Ir(LA)n(LB)3-n(여기서, LA는 아자-디벤조푸란 리간드이고, LB는 알킬-치환된 페닐피리딘 리간드임)을 갖는 화합물로서,
    하기 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물:
    Figure pat00129

    상기 화학식에서,
    A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8은 탄소 또는 질소를 포함하고;
    A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8 중 하나 이상은 질소이며;
    고리 B는 C-C 결합을 통해 고리 A에 결합되고;
    이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 A에 결합되며;
    X는 O, S 또는 Se이고;
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환, 삼중 치환 또는 사중 치환, 또는 비치환을 나타내며;
    R' 및 R"는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환 또는 비치환을 나타내고;
    R', R", R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 중의 임의의 인접한 치환들은 임의로 함께 결합되어 고리를 형성하며;
    R1, R2, R' 및 R"는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    R3, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    n은 1 ∼ 3의 정수이고;
    쌍(pairs) R3와 R4, 및 R5와 R6 중 하나 이상에서 총 탄소수는 4 이상이다.
  2. 제1항에 있어서, n은 1인 화합물.
  3. 제1항에 있어서, 하기 화학식 II에 따른 구조를 갖는 화합물:
    Figure pat00130
    .
  4. 제1항에 있어서, 하기 화학식 III에 따른 구조를 갖는 화합물:
    Figure pat00131
    .
  5. 제1항에 있어서, A1 ∼ A8 중 오직 하나는 질소인 화합물.
  6. 제1항에 있어서, X는 O인 화합물.
  7. 제1항에 있어서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  8. 제1항에 있어서, 하기 조건 (1) 및 (2) 중 하나 이상이 맞는 것인 화합물:
    (1) R3 및 R4는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 조합된 R3와 R4에서 총 탄소수는 4 이상이며;
    (2) R5 및 R6는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 조합된 R5와 R6에서 총 탄소수는 4 이상이다.
  9. 제1항에 있어서, 화학식 V에 따른 구조를 갖는 화합물:
    Figure pat00132

    상기 화학식에서, R은 알킬, 시클로알킬, 이들의 일부 또는 전부 중수소화된 변형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  10. 제1항에 있어서, LA는 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00133

    Figure pat00134

    Figure pat00135

    Figure pat00136

    Figure pat00137

    Figure pat00138

    Figure pat00139

    Figure pat00140

    Figure pat00141

    Figure pat00142

    Figure pat00143

    Figure pat00144

    Figure pat00145

    Figure pat00146

    Figure pat00147

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    Figure pat00149

    Figure pat00150

    Figure pat00151

    Figure pat00152

    Figure pat00153

    Figure pat00154

    Figure pat00155

    Figure pat00156

    Figure pat00157

    Figure pat00158

    Figure pat00159

    Figure pat00160

    Figure pat00161

    Figure pat00162

    Figure pat00163
  11. 제1항에 있어서, LB는 하기 화학식들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00164

    Figure pat00165

    Figure pat00166

    Figure pat00167

    Figure pat00168

    Figure pat00169

    Figure pat00170

    Figure pat00171

    Figure pat00172

    Figure pat00173


    Figure pat00174

    Figure pat00175
    .
  12. 제1항에 있어서, 하기 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물:
    Figure pat00176

    Figure pat00177

    Figure pat00178

    Figure pat00179

    Figure pat00180

    Figure pat00181

    Figure pat00182

    Figure pat00183

    Figure pat00184

    Figure pat00185

    Figure pat00186

    Figure pat00187

    Figure pat00188

    Figure pat00189

    Figure pat00190

    Figure pat00191

    Figure pat00192
  13. 제1 유기 발광 소자를 포함하는 제1 디바이스로서, 제1 유기 발광 소자는
    애노드;
    캐소드; 및
    애노드와 캐소드 사이에 배치되며 하기 화학식 I에 따른 구조를 갖는 화합물을 포함하는 유기 층
    을 포함하는 것인 제1 디바이스:
    Figure pat00193

    상기 화학식에서,
    A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8은 탄소 또는 질소를 포함하고;
    A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7 및 A8 중 하나 이상은 질소이며;
    고리 B는 C-C 결합을 통해 고리 A에 결합되고;
    이리듐은 Ir-C 결합을 통해 고리 A에 결합되며;
    X는 O, S 또는 Se이고;
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환, 삼중 치환 또는 사중 치환, 또는 비치환을 나타내며;
    R' 및 R"는 각각 독립적으로 단일 치환, 이중 치환 또는 비치환을 나타내고;
    R', R", R1, R2, R3, R4, R5 및 R6 중의 임의의 인접한 치환들은 임의로 함께 결합되어 고리를 형성하며;
    R1, R2, R' 및 R"는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    R3, R4, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    n은 1 ∼ 3의 정수이고;
    쌍 R3와 R4, 및 R5와 R6 중 하나 이상에서 총 탄소수는 4 이상이다.
  14. 제13항에 있어서, 유기 층은 발광 층이고, 화합물은 발광 도펀트 또는 비발광 도펀트인 제1 디바이스.
  15. 제13항에 있어서, 유기 층은 호스트를 더 포함하고, 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화학기를 포함하는 것인 제1 디바이스.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017164632A1 (ko) * 2016-03-24 2017-09-28 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2019132632A1 (ko) * 2017-12-29 2019-07-04 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20190082158A (ko) * 2017-12-29 2019-07-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2019143153A1 (ko) * 2018-01-17 2019-07-25 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190106807A (ko) * 2018-03-08 2019-09-18 주식회사 엘지화학 유기 금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US10995069B2 (en) 2016-03-24 2021-05-04 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electric element, organic electric element using same, and electronic device comprising same
US11621397B2 (en) 2018-01-17 2023-04-04 Lg Chem, Ltd. Iridium complexes containing a ligand including a (dibenzo [B,D] furanyl) pyridine skeleton having deuterium substitutions para and meta to the N ring atom and organic light emitting device comprising the same

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9748500B2 (en) * 2015-01-15 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
US9634264B2 (en) * 2012-11-09 2017-04-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10411200B2 (en) * 2014-08-07 2019-09-10 Universal Display Corporation Electroluminescent (2-phenylpyridine)iridium complexes and devices
US11108000B2 (en) * 2014-08-07 2021-08-31 Unniversal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20160049597A1 (en) * 2014-08-07 2016-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10727423B2 (en) 2016-06-20 2020-07-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10844084B2 (en) 2017-02-22 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056658B2 (en) * 2017-03-29 2021-07-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN108164564A (zh) * 2018-02-09 2018-06-15 石家庄诚志永华显示材料有限公司 一种金属铱配合物和包含该金属铱配合物的有机电致发光器件
US11279722B2 (en) 2018-03-12 2022-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11165028B2 (en) 2018-03-12 2021-11-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11142538B2 (en) 2018-03-12 2021-10-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2019221483A1 (ko) * 2018-05-14 2019-11-21 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN117447526A (zh) * 2018-09-15 2024-01-26 北京夏禾科技有限公司 含有氟取代的金属配合物
US11706980B2 (en) 2018-11-28 2023-07-18 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
CN109810146B (zh) * 2019-01-16 2021-11-16 浙江华显光电科技有限公司 绿色磷光化合物和使用该化合物的有机电致发光器件
CN117402190A (zh) 2019-02-01 2024-01-16 北京夏禾科技有限公司 一种含有氰基取代配体的有机发光材料
US11512093B2 (en) 2019-03-04 2022-11-29 Universal Display Corporation Compound used for organic light emitting device (OLED), consumer product and formulation
CN110862417A (zh) * 2019-11-26 2020-03-06 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种磷光铱配合物及其制备方法和电致发光器件
KR20210066073A (ko) * 2019-11-27 2021-06-07 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN111995999B (zh) * 2020-05-06 2022-06-24 浙江华显光电科技有限公司 一种多氘代客体化合物和主体化合物的组合及包含其的光电器件
CN113816996A (zh) * 2020-06-20 2021-12-21 北京夏禾科技有限公司 一种磷光有机金属配合物及其应用
CN113816997B (zh) 2020-06-20 2024-05-28 北京夏禾科技有限公司 一种磷光有机金属配合物及其应用
US20220162244A1 (en) * 2020-11-18 2022-05-26 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US20240008354A1 (en) 2020-12-11 2024-01-04 Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. Organic electroluminescent element
WO2022124367A1 (ja) 2020-12-11 2022-06-16 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
EP4261908A1 (en) 2020-12-11 2023-10-18 NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US20240032322A1 (en) 2020-12-18 2024-01-25 Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. Organic electroluminescent element and method for manufacturing same
JPWO2022149493A1 (ko) 2021-01-08 2022-07-14
KR20240016253A (ko) 2021-05-31 2024-02-06 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 중수소화물 및 유기 전계 발광 소자
CN117377655A (zh) 2021-05-31 2024-01-09 日铁化学材料株式会社 氘化物及有机电场发光元件
CN117321034A (zh) 2021-05-31 2023-12-29 日铁化学材料株式会社 氘化物及有机电场发光元件
KR20230099170A (ko) * 2021-12-27 2023-07-04 엘지디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140060241A (ko) * 2012-11-09 2014-05-19 유니버셜 디스플레이 코포레이션 아자-벤조 융합 리간드가 있는 이리듐 착물

Family Cites Families (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
DE69412567T2 (de) 1993-11-01 1999-02-04 Hodogaya Chemical Co Ltd Aminverbindung und sie enthaltende Elektrolumineszenzvorrichtung
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6528187B1 (en) 1998-09-08 2003-03-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Material for luminescence element and luminescence element using the same
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
CN100505375C (zh) 2000-08-11 2009-06-24 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
US6579630B2 (en) 2000-12-07 2003-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices
JP3812730B2 (ja) 2001-02-01 2006-08-23 富士写真フイルム株式会社 遷移金属錯体及び発光素子
JP4307000B2 (ja) 2001-03-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
JP4310077B2 (ja) 2001-06-19 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物及び有機発光素子
US7396598B2 (en) 2001-06-20 2008-07-08 Showa Denko K.K. Light emitting material and organic light-emitting device
US7071615B2 (en) 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US7250226B2 (en) 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
KR100691543B1 (ko) 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US6878975B2 (en) 2002-02-08 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Polarization field enhanced tunnel structures
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US7189989B2 (en) 2002-08-22 2007-03-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting element
AU2003261758A1 (en) 2002-08-27 2004-03-19 Fujitsu Limited Organometallic complexes, organic el devices, and organic el displays
US6687266B1 (en) 2002-11-08 2004-02-03 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
JP4365199B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-18 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP4365196B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-18 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
KR101391117B1 (ko) 2003-03-24 2014-04-30 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 Ｉｒ의 페닐-피라졸 착물
US7090928B2 (en) 2003-04-01 2006-08-15 The University Of Southern California Binuclear compounds
EP2281861A3 (de) 2003-04-15 2012-03-28 Merck Patent GmbH Mischungen von organischen zur Emission befähigten Halbleitern und Matrixmaterialien, deren Verwendung und Elektronikbauteile enthaltend diese Mischungen
US7029765B2 (en) 2003-04-22 2006-04-18 Universal Display Corporation Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage
US20060186791A1 (en) 2003-05-29 2006-08-24 Osamu Yoshitake Organic electroluminescent element
JP2005011610A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機電界発光素子
US20050025993A1 (en) 2003-07-25 2005-02-03 Thompson Mark E. Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
TWI390006B (zh) 2003-08-07 2013-03-21 Nippon Steel Chemical Co Organic EL materials with aluminum clamps
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
US20060269780A1 (en) 2003-09-25 2006-11-30 Takayuki Fukumatsu Organic electroluminescent device
JP4822687B2 (ja) 2003-11-21 2011-11-24 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US7332232B2 (en) 2004-02-03 2008-02-19 Universal Display Corporation OLEDs utilizing multidentate ligand systems
EP2325191A1 (en) 2004-03-11 2011-05-25 Mitsubishi Chemical Corporation Composition for charge-transporting film and ion compound, charge-transporting film and organic electroluminescent device using same
TW200531592A (en) 2004-03-15 2005-09-16 Nippon Steel Chemical Co Organic electroluminescent device
JP4869565B2 (ja) 2004-04-23 2012-02-08 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US7393599B2 (en) 2004-05-18 2008-07-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7154114B2 (en) 2004-05-18 2006-12-26 Universal Display Corporation Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts
US7491823B2 (en) 2004-05-18 2009-02-17 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7534505B2 (en) 2004-05-18 2009-05-19 The University Of Southern California Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US7445855B2 (en) 2004-05-18 2008-11-04 The University Of Southern California Cationic metal-carbene complexes
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
JP4894513B2 (ja) 2004-06-17 2012-03-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101272490B1 (ko) 2004-06-28 2013-06-07 시바 홀딩 인크 트리아졸 및 벤조트리아졸을 갖는 전계발광 금속 착물
US20060008670A1 (en) 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
EP2271183B1 (en) 2004-07-23 2015-03-18 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display and illuminator
DE102004057072A1 (de) 2004-11-25 2006-06-01 Basf Ag Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs)
JP2008526766A (ja) 2004-12-30 2008-07-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機金属錯体
GB2437453B (en) 2005-02-04 2011-05-04 Konica Minolta Holdings Inc Material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, display device and lighting device
KR100803125B1 (ko) 2005-03-08 2008-02-14 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
WO2006098120A1 (ja) 2005-03-16 2006-09-21 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102005014284A1 (de) 2005-03-24 2006-09-28 Basf Ag Verwendung von Verbindungen, welche aromatische oder heteroaromatische über Carbonyl-Gruppen enthaltende Gruppen verbundene Ringe enthalten, als Matrixmaterialien in organischen Leuchtdioden
WO2006103874A1 (ja) 2005-03-29 2006-10-05 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5157442B2 (ja) 2005-04-18 2013-03-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US7807275B2 (en) 2005-04-21 2010-10-05 Universal Display Corporation Non-blocked phosphorescent OLEDs
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
JP4533796B2 (ja) 2005-05-06 2010-09-01 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
WO2006130598A2 (en) 2005-05-31 2006-12-07 Universal Display Corporation Triphenylene hosts in phosphorescent light emitting diodes
US8709614B2 (en) 2005-06-07 2014-04-29 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic metal complex and its use in organic electroluminescent device
KR101294905B1 (ko) 2005-06-27 2013-08-09 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기 전도성 중합체 조성물
WO2007004380A1 (ja) 2005-07-01 2007-01-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2007028417A1 (en) 2005-09-07 2007-03-15 Technische Universität Braunschweig Triplett emitter having condensed five-membered rings
JP4887731B2 (ja) 2005-10-26 2012-02-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
CN101321755B (zh) 2005-12-01 2012-04-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
JPWO2007063796A1 (ja) 2005-12-01 2009-05-07 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子
KR20210130847A (ko) 2006-02-10 2021-11-01 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
US8142909B2 (en) 2006-02-10 2012-03-27 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
JP4823730B2 (ja) 2006-03-20 2011-11-24 新日鐵化学株式会社 発光層化合物及び有機電界発光素子
WO2007125714A1 (ja) 2006-04-26 2007-11-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5432523B2 (ja) 2006-05-11 2014-03-05 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20090016684A (ko) 2006-06-02 2009-02-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
KR20090040895A (ko) 2006-08-23 2009-04-27 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 이들을 이용한 유기 전기발광 소자
JP5589251B2 (ja) 2006-09-21 2014-09-17 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料
WO2008044723A1 (fr) 2006-10-13 2008-04-17 Konica Minolta Holdings, Inc. Matériau de dispositif électroluminescent organique, dispositif électroluminescent organique, dispositif d'affichage et d'éclairage
US7968146B2 (en) 2006-11-01 2011-06-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
CN101511834B (zh) 2006-11-09 2013-03-27 新日铁化学株式会社 有机场致发光元件用化合物及有机场致发光元件
WO2008062636A1 (en) 2006-11-24 2008-05-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element using the same
US8119255B2 (en) 2006-12-08 2012-02-21 Universal Display Corporation Cross-linkable iridium complexes and organic light-emitting devices using the same
US8778508B2 (en) 2006-12-08 2014-07-15 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
JP5546255B2 (ja) 2007-02-23 2014-07-09 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 電界発光性のベンゾトリアゾールとの金属錯体
DE502008002309D1 (de) 2007-04-26 2011-02-24 Basf Se Silane enthaltend phenothiazin-s-oxid oder phenothiazin-s,s-dioxid-gruppen und deren verwendung in oleds
US8440826B2 (en) 2007-06-22 2013-05-14 Basf Se Light emitting Cu (I) complexes
KR101577465B1 (ko) 2007-07-05 2015-12-14 바스프 에스이 카르벤 전이 금속 착체 이미터, 및 디실릴카르바졸, 디실릴디벤조푸란, 디실릴디벤조티오펜, 디실릴디벤조포스폴, 디실릴디벤조티오펜 ｓ-옥사이드 및 디실릴디벤조티오펜 ｓ,ｓ-디옥사이드로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드
TW200909557A (en) 2007-07-07 2009-03-01 Idemitsu Kosan Co Naphthalene derivative, material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device using the same
US8330350B2 (en) 2007-07-07 2012-12-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US20090045731A1 (en) 2007-07-07 2009-02-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
JP5473600B2 (ja) 2007-07-07 2014-04-16 出光興産株式会社 クリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8779655B2 (en) 2007-07-07 2014-07-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US8114530B2 (en) 2007-07-10 2012-02-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device utilizing the same
US8080658B2 (en) 2007-07-10 2011-12-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same
CN101688052A (zh) 2007-07-27 2010-03-31 E.I.内穆尔杜邦公司 包含无机纳米颗粒的导电聚合物的含水分散体
KR101565724B1 (ko) 2007-08-08 2015-11-03 유니버셜 디스플레이 코포레이션 트리페닐렌기를 포함하는 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란 화합물
JP2009040728A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子
CN101896494B (zh) 2007-10-17 2015-04-08 巴斯夫欧洲公司 具有桥连碳烯配体的过渡金属配合物及其在oled中的用途
US20090101870A1 (en) 2007-10-22 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electron transport bi-layers and devices made with such bi-layers
US7914908B2 (en) 2007-11-02 2011-03-29 Global Oled Technology Llc Organic electroluminescent device having an azatriphenylene derivative
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2216313B1 (en) 2007-11-15 2013-02-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzochrysene derivative and organic electroluminescent device using the same
KR20100106414A (ko) 2007-11-22 2010-10-01 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 소자
JP5390396B2 (ja) 2007-11-22 2014-01-15 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ材料含有溶液
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
WO2009085344A2 (en) 2007-12-28 2009-07-09 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
JP5709528B2 (ja) 2008-02-12 2015-04-30 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを用いたエレクトロルミネッセンス金属錯体
US8709615B2 (en) * 2011-07-28 2014-04-29 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
US8722205B2 (en) * 2009-03-23 2014-05-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
JP2010185068A (ja) * 2009-08-31 2010-08-26 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US9193745B2 (en) * 2011-11-15 2015-11-24 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
US9128710B2 (en) * 2012-06-05 2015-09-08 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Power saving techniques that use a lower bound on bit errors
US9634264B2 (en) * 2012-11-09 2017-04-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9748500B2 (en) * 2015-01-15 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
US9685617B2 (en) 2012-11-09 2017-06-20 Universal Display Corporation Organic electronuminescent materials and devices
JP6157125B2 (ja) 2013-01-22 2017-07-05 キヤノン株式会社 イリジウム錯体およびそれを有する有機発光素子
US9929353B2 (en) * 2014-04-02 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10411200B2 (en) * 2014-08-07 2019-09-10 Universal Display Corporation Electroluminescent (2-phenylpyridine)iridium complexes and devices
US20160155962A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140060241A (ko) * 2012-11-09 2014-05-19 유니버셜 디스플레이 코포레이션 아자-벤조 융합 리간드가 있는 이리듐 착물

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017164632A1 (ko) * 2016-03-24 2017-09-28 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US10995069B2 (en) 2016-03-24 2021-05-04 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electric element, organic electric element using same, and electronic device comprising same
WO2019132632A1 (ko) * 2017-12-29 2019-07-04 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20190082158A (ko) * 2017-12-29 2019-07-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN111527616A (zh) * 2017-12-29 2020-08-11 三星Sdi株式会社 用于有机光电二极管的化合物、用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管和显示装置
CN111527616B (zh) * 2017-12-29 2024-03-08 三星Sdi株式会社 用于有机光电二极管的化合物、用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管和显示装置
WO2019143153A1 (ko) * 2018-01-17 2019-07-25 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US11621397B2 (en) 2018-01-17 2023-04-04 Lg Chem, Ltd. Iridium complexes containing a ligand including a (dibenzo [B,D] furanyl) pyridine skeleton having deuterium substitutions para and meta to the N ring atom and organic light emitting device comprising the same
KR20190106807A (ko) * 2018-03-08 2019-09-18 주식회사 엘지화학 유기 금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

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