WO2019143153A1 - 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

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WO2019143153A1
WO2019143153A1 PCT/KR2019/000716 KR2019000716W WO2019143153A1 WO 2019143153 A1 WO2019143153 A1 WO 2019143153A1 KR 2019000716 W KR2019000716 W KR 2019000716W WO 2019143153 A1 WO2019143153 A1 WO 2019143153A1
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compound
group
substituted
unsubstituted
preparation
Prior art date
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PCT/KR2019/000716
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English (en)
French (fr)
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김서연
이동훈
박태윤
전상영
이정하
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주식회사 엘지화학
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers

Definitions

  • the present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device including the same.
  • organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy.
  • Organic light emitting devices using organic light emitting phenomenon have a wide viewing angle, excellent contrast, quick response time, excellent luminance, driving voltage and response speed characteristics, and many studies have been made.
  • the organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode.
  • the organic material layer may have a multi-layer structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, .
  • Patent Document 0001 Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826
  • the present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • the show is a benzene ring or a pyridine ring
  • the constitution is an integer of 1 to 4,
  • the present invention also provides a plasma display panel comprising: a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers includes a compound represented by Formula 1 .
  • the compound represented by the formula (1) can be used as an organic material for organic light emitting devices and can improve the efficiency, the driving voltage and / or the lifetime of the organic light emitting device.
  • the compound represented by the above-described formula (1) can be used as a hole injecting, hole transporting, hole injecting and transporting, luminescence, electron transporting, or electron injecting material.
  • Fig. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4.
  • FIG. 2 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a light emitting layer 7, an electron transporting layer 8 and a cathode 4 It is.
  • the present invention provides a compound represented by the above formula (1).
  • substituted or unsubstituted refers to a group selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a nitrile group, a nitro group, a hydroxyl group, a carbonyl group, An aryloxy group, an aryloxy group, an aryloxy group, a silyl group, a boron group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, an aralkenyl group, an alkylaryl group, an alkylamine group, An arylamine group, an arylphosphine group, or a heterocyclic group containing at least one of the ratios 0 and atoms, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 1 to 10 carbon atoms, Means a substituted or unsubstituted two or more of the substituent
  • the carbon number of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it can be a compound of the following structure
  • the ester group is an ester group in which the oxygen of the ester group has 1 to 20 carbon atoms
  • Branched chain or cyclic alkyl group having 6 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto. 2019/143153 1 »(: 1/10/01 019/000716
  • the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 25 carbon atoms.
  • it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
  • the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, But are not limited to, a methylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, and a phenylsilyl group.
  • the boron group specifically includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a 1: -butyldimethylboron group, a triphenylboron group, and a phenylboron group.
  • examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to one embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. Another 2019/143153 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2019/000716
  • the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of alkyl groups are methyl, ethyl, propyl, 11-propyl, isopropyl, butyl, 11-butyl, isobutyl, La butyl, ⁇ -butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, 11 _ pentyl, isopentyl, neopentyl, 16 _ pentyl, haeksil, 11 haeksil, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, II-heptyl, 1-methyl haeksil, cyclopentylmethyl, cyclohexyl haektil methyl, octyl, 1 -
  • the alkenyl group may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to one embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl,
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specific examples include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3- 4,5-trimethyl-bicyclo haeksil, 4 O 6 _ butyl haeksil cycloalkyl, 2019/143153 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2019/000716
  • the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms.
  • the aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or the like as the monocyclic aryl group, but is not limited thereto.
  • polycyclic aryl group examples include, but are not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a klycenyl group and a fluorenyl group.
  • a fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. Wherein the fluorenyl group is substituted
  • the heterocyclic group is a heterocyclic group containing 0 and at least one heteroatom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms.
  • heterocyclic group examples include a thiophene group, a furan group, a pyrrolyl group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, , A pyridazinyl group, a pyrazinyl group, a quinolinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a phthalazinyl group, a pyridopyrimidinyl group, a pyridopyranyl group, a pyrazinopyranyl group, an isoquinoline group, , A carbazole group, a benzoxazole group, a benzoimidazole group, a benzothiazole group, a benzocarbazole group,
  • the aryl group in the aralkyl group, the aralkenyl group, the alkylaryl group and the arylamine group is the same as the aforementioned aryl group.
  • the alkyl group in the five aralkyl group, the alkylaryl group and the alkylamine group is the same as the alkyl group described above.
  • the heteroaryl among the heteroarylamines can be applied to the aforementioned heterocyclic group.
  • the alkenyl group in the aralkenyl group is the same as the above-mentioned alkenyl group.
  • the description of the aryl group described above can be applied, except that the arylthene is a divalent group.
  • the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied except that the heteroarylene is a divalent group.
  • the description of the aryl group or the cycloalkyl group described above can be applied, except that the hydrocarbon ring is not a monovalent group and two substituents are bonded to each other.
  • the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied, except that the heterocyclic ring is not a monovalent group and two substituents are bonded by 15 bonds.
  • the compound represented by Formula 1 is represented by one of the following formulas (1-1) to (1-10), depending on the bonding position and appearance of Formula (2)
  • each R < 3 &gt is independently hydrogen; heavy hydrogen; Unsubstituted or 2019/143153 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2019/000716
  • each of 3 ⁇ 4 is independently hydrogen; heavy hydrogen; Methyl, ethyl, propyl, or isopropyl unsubstituted or substituted with one or more deuterium; Or cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, or cyclohexyl substituted unsubstituted or substituted with one or more deuterium.
  • 3 ⁇ 4 is hydrogen or deuterium.
  • 3 ⁇ 4 is hydrogen; heavy hydrogen; Methyl, ethyl, propyl, or isopropyl unsubstituted or substituted with one or more deuterium; Or cyclopropyl, unsubstituted or substituted by one or more deuterium, cyclobutyl, 15 cyclopentyl, or cyclohexyl.
  • a plurality of groups are present, and preferably one of the groups is hydrogen; heavy hydrogen; Methyl, ethyl, propyl, or isopropyl unsubstituted or substituted with one or more deuterium; Or cyclopropyl, cyclopentyl, cyclopentyl, or cyclohexyl, unsubstituted or substituted with 20 or more deuterium, and the remainder of each 3 ⁇ 4 is independently hydrogen or deuterium.
  • ⁇ ⁇ 0 2019/143153 1> (: 17 1 technique 019/000716
  • the present invention also provides a process for preparing a compound represented by the above-mentioned formula (1) as shown in the following Reaction Scheme 1.
  • the present invention provides an organic light emitting device including the compound represented by Formula 1.
  • the present invention provides a liquid crystal display comprising: a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic compound layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic compound layers includes a compound represented by Formula 1 .
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a layer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer as an organic material layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
  • the organic material layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer includes a compound represented by the general formula (1).
  • the compound according to the present invention can be used as a dopant in a light emitting layer.
  • the organic substance may include electron transporting or electron accepting, and the electron transporting layer or the electron injecting layer includes the compound represented by the above formula (1).
  • the electron transporting layer, the electron injecting layer, or the layer which simultaneously transports electrons and injects electrons includes the compound represented by the above formula (1).
  • the organic material layer may include a light emitting layer and an electron transporting layer, and the electron transporting layer may include a compound represented by the general formula (1).
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be an inverted type organic light emitting device in which an anode, one or more organic compound layers and an anode are sequentially stacked on a substrate.
  • FIGS. Fig. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.
  • 2 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a light emitting layer 7, an electron transporting layer 8 and a cathode 4 It is.
  • the compound represented by Formula 1 may be contained in at least one of the hole injecting layer, the hole transporting layer, the light emitting layer, and the electron transporting layer.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic layers includes the compound represented by Formula 1.
  • the organic light- When a plurality of organic layers are included, the organic layers may be formed of the same material or another material.
  • the organic light emitting device according to the present invention can be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate.
  • a PVD (physi cal vapor deposition) method such as a sputtering method or an e-beam evaporation method is used to deposit a metal or a metal oxide having conductivity on the substrate or an alloy thereof A hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer, and then depositing a material usable as a cathode on the organic material layer.
  • an organic light emitting device can be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.
  • the compound represented by Formula 1 may be formed into an organic layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the production of an organic light emitting device.
  • the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating and the like, but is not limited thereto.
  • an organic light emitting device can be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a cathode
  • the first electrode is a cathode and the second electrode is a cathode.
  • the anode material a material having a large work function is preferably used so that injection of holes into the organic material layer is smooth.
  • the positive electrode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and lead zinc oxide (IZO); 3 ⁇ 40: during or 32: a combination of a metal and an oxide such as ⁇ ; Poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene], and conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline.
  • the negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or Li ⁇ l l, but the present invention is not limited thereto.
  • the hole injecting layer is a layer for injecting holes from an electrode.
  • the hole injecting material has a hole injecting effect, and has a hole injecting effect on the light emitting layer or a light emitting material.
  • a compound which prevents the migration of excitons to the electron injecting layer or the electron injecting material and is also excellent in the thin film forming ability is preferable.
  • the HOMO of the hole injecting material is preferably between the work function of the anode active material and the HOMO of the surrounding organic material.
  • the hole injecting material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine Based organic materials, quinacridone-based organic materials, perylene-based organic materials, anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, and the like. , But are not limited thereto.
  • the hole transport layer is a layer that transports holes from the hole injection layer to the light emitting layer and transports holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer as a hole transport material. Suitable.
  • arylamine-based organic materials include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto. 2019/143153 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2019/000716
  • the light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence.
  • the light emitting layer may include a host material and a dopant material.
  • the host material is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound.
  • Specific examples of the aromatic aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds.
  • Examples of the heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, 15 furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
  • Examples of the dopant material include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes.
  • aromatic amine derivative examples include a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and examples thereof include phytenes, anthracene, chrysene, and ferriplanten having 20 arylamino groups.
  • the electron transporting layer is an electron transporting material that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer.
  • the electron transporting material is a material capable of transferring electrons from the cathode to the light emitting layer 30 well, 2019/143153 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2019/000716
  • Suitable include: a divalent complex of 8-hydroxyquinoline; When complexes including 3 ⁇ 4; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transporting layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art.
  • an example of a suitable cathode material is a conventional material having a low work function followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically, cesium, barium, calcium, iterbum and samarium, in each case followed by an aluminum or silver layer.
  • the electron injecting layer is a layer for injecting electrons from the electrode.
  • the electron injecting layer has an ability to transport electrons, has an electron injecting effect from the cathode, an excellent electron injecting effect to the light emitting layer or the light emitting material, A compound which prevents migration to attestation and is excellent in a thin film forming ability is preferable.
  • Specific examples thereof include fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, A nitrogen-containing 5-membered ring derivative, and the like, but are not limited thereto.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8- Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10 -hydroxybenzo [ Bis (2-methyl-8-quinolinato), bis (2-methyl-8-quinolinato) ( 0- cresolato ), Gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) .
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used. 2019/143153 1 »(: 1/10/01 019/000716
  • the compound represented by Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to an organic light emitting device.
  • the preparation of the compound represented by Formula 1 and the organic light emitting device comprising the same will be described in detail in the following examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.
  • Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (3.8 3.3 01) was added thereto, followed by heating and stirring at 701: for 12 hours. The precipitate was washed with chloroform and washed with magnesium sulfate. Magnesium sulfate and acidic white clay were added and stirred, followed by filtration and concentration under reduced pressure. Since the nucleic acid: ethyl acetate (50: 10: ⁇ 0) the compounds isolated show 3 to column chromatography was prepared under the conditions ( Yield 67%).
  • Intermediate 83 was prepared in the same manner as Intermediate 83 except that Intermediate 1-ratio was used in place of Intermediate 1 - 3 ⁇ 4 (yield: 90%).
  • Intermediate 1_11 1 was prepared (20 ⁇ , yield 55%) in the same manner as intermediate 1_1 3 except that intermediate 5 was used instead of intermediate.
  • Compound Scheme 6 was prepared in the same manner as in the preparation of intermediate yarn except for using Yield 70%).
  • Intermediate 08 was prepared in the same manner as Intermediate 08 except that Intermediate 2-3 was used instead of Intermediate 2-1 3 (20 dinges, yield: 76%).
  • Example 1 Preparation of Compound 1 2019/143153 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2019/000716 2.5
  • the compound 2 was prepared in the same manner as the preparation method (yield: 49%).
  • Compound 4 was prepared in the same manner as the preparation method (yield: 52%).
  • Compound 5 was prepared in the same manner as the preparation method (yield: 50%).
  • Compound 7 was prepared in the same manner as the preparation method (yield: 60%).
  • Compound 8 was prepared in the same manner as in the preparation of Compound 1 (yield: 58%).
  • This compound 22 was prepared (yield 49%) in the same manner as in the preparation of compound 1, except that Intermediate 04 was used instead of Intermediate 4, and Intermediate 04 was used in place of Intermediate 4.
  • the compound 24 was prepared in the same manner as the compound 1 (yield: 40%).
  • Compound 31 was prepared in the same manner as the preparation method (yield: 42%).
  • Compound 32 was prepared (yield 42%) in the same manner as compound 1 except that Intermediate 32 was used instead of Intermediate 06 and Intermediate 06 was used instead of Intermediate.
  • Compound 35 was prepared (in a yield of 38%) in the same manner as in the preparation of Compound 1, except that Intermediate 65 was used in place of Intermediate 61 and Intermediate 06 was used in place of Intermediate 01.
  • Compound 46 was prepared (yield 50%) in the same manner as compound 1 except for using 08 as the intermediate instead of 4 as the intermediate.
  • Compound 53 was prepared in the same manner as in the preparation of Compound 1 (yield 50%).
  • Compound 56 was prepared (yield 46%) in the same manner as Compound 1 except for using Intermediate D8 instead of Intermediate B1 and Intermediate A5 instead of Intermediate C1.
  • the glass substrate coated with ITO (Indium Tin Oxide) 1, 400 A in thickness was immersed in distilled water dissolved in detergent and washed with ultrasonic waves.
  • a detergent Decon TM C0N705 manufactured by Fi Scher Co. was used. Distilled water was filtered using 0.22 pm steril zing fil ter of Mi 11 ipore Co. (distilled water) Respectively.
  • the ITO was washed for 30 minutes, then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone and methanol for 10 minutes, dried, and then transported to a plasma cleaner.
  • the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.
  • a mixture of 95% of the following compound and 5% of the lower compound was added by thermal vacuum deposition to a thickness of 100 ⁇ .
  • only the following compound was deposited to a thickness of 1150 to form a hole transport layer.
  • the compound was thermally vacuum deposited to a thickness of 450 shots to form an electron blocking layer.
  • Compound 2 as the second host, and compound 3 as the dopant were vacuum deposited at a weight ratio of 47: 47: 6, respectively, to form a light emitting layer.
  • a hole blocking layer was formed by vacuum evaporation of the following compound in a thickness of 50 angstroms.
  • magnesium was mixed at a weight ratio of 1: 1, followed by vacuum evaporation at a thickness of 30 mm to form an electron injecting layer.
  • magnesium and silver were mixed at a weight ratio of 1: 4 and then vapor deposited to a thickness of 160 nm to form a cathode.
  • an organic light emitting device was fabricated.
  • the organic light emitting devices of Examples 2 to 16 were fabricated in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compounds and weight ratios shown in Table 1 were used instead of Compound 1 as the phosphorescent dopant.
  • Table 1 when the weight ratio is 10, it means that a mixture of the first host, the second host, and the dopant in a weight ratio of 45: 45: 10 is used. Comparative Experimental Examples 1 to 6
  • the organic light emitting devices of Comparative Experimental Examples 1 to 6 were respectively manufactured by performing the same method as Experimental Example 1, except that the compounds and weight ratios described in Table 1 were used instead of Compound 1 as the phosphorescent dopant in forming the light emitting layer.
  • Table 1 below, if the weight ratio is 10, the first host, the second host, and the dopant 2019/143153 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2019/000716
  • the currents were applied to the organic light emitting devices manufactured in the Experimental Examples and Comparative Experimental Examples to measure the maximum emission wavelength of 0 V, voltage, efficiency, and lifetime. The results are shown in Table 1 below.
  • 195 denotes the time required for the luminance to be reduced to 95% from the initial luminance.
  • the structure of formula (1) according to the present invention shows that the ligand of the 2 - ((dibenzo [furfuran-yl) pyridine) skeleton of the three ligands connected to iridium has a : _ ⁇ ! Bond is substituted with a 0-0 bond.
  • the hydrogen of the weakest bond among the bonds in the pyridine is replaced by deuterium, which gives stability to the molecule itself. Accordingly, the color coordinate can be changed little and the high luminous efficiency and long life can be derived as compared with the structure which is not substituted with deuterium.
  • the concentration of the dopant is increased, the effect becomes more conspicuous. Therefore, as shown in Table 1, when the compound represented by Formula 1 according to the present invention is used as a light emitting layer dopant of an organic light emitting diode, a device with high efficiency and long life can be obtained.
  • substrate 2 anode

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Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
【발명의 명칭】
신규한화합물및 이를이용한유기 발광소자
【기술분야】
관련출원（들）과의 상호인용
5 본출원은 2018년 1월 17일자 한국특허 출원 제 10-2018-0006020호 및
2019년 1월 16일자 한국 특허 출원 제 10-2019 - 0005758호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
10 본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
【배경기술】
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 15 발광소자는넓은시야각， 우수한콘트라스트， 빠른응답시간을가지며， 휘도, 구동전압및응답속도특성이 우수하여 많은연구가진행되고있다. 유기 발광소자는 일반적으로양극과음극및 상기 양극과음극사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 20 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고， 주입된 정공과 전자가 만났을 때
25 엑시톤（6）«: 011）이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로요구되고있다.
30 【선행기술문헌】 2019/143153 1»(：1^1{2019/000716
【특허문헌】
（특허문헌 0001） 한국특허 공개번호제 10-2000-0051826호
【발명의 내용】
【해결하려는과제】
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
【과제의 해결수단】
본발명은하기 화학식 1로표시되는화합물을제공한다:
[화학식 1]
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1에서
Figure imgf000003_0002
[화학식 2]
Figure imgf000003_0003
는 0, 또는 이고,
쇼는벤젠고리, 또는피리딘 고리이고，
끄은 1또는 2이고,
은 1내지 4의 정수이고，
成는 1내지 4의 정수이고，
는쇼가 벤젠 고리인 경우 1 내지 4의 정수이고， 쇼가 피리딘 고리인 경우 1내지 3의 정수이고，
¾ 내지 ¾는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노; 아미노; 치환 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
또는 비치환된 01-60 알킬 ; 치환 또는 비치환된 01-60 할로알킬 ; 치환 또는 비치환된 03-60 사이클로알킬 ; 치환 또는 비치환된 02-60 알케닐 ; 또는 치환 또는비치환된 (：6-6()아릴이고，
요5중하나는수소 ; 중수소 ; 시아노 ; 아미노 ; 치환또는 비치환된 01-60 알킬 ; 치환 또는 비치환된 01-60 할로알킬 ; 치환 또는 비치환된 03-60 사이클로알킬 ; 치환또는 비치환된 02-60알케닐 ; 또는 치환또는 비치환된 06- 60아릴이고 , 요5중나머지는수소， 또는중수소이다. 또한, 본발명은제 1전극; 상기 제 1전극과대향하여 구비된 제 2전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는유기 발광소자로서， 상기 유기물층중 1층 이상은상기 화학식 1로 표시되는화합물을포함하는, 유기 발광소자를제공한다.
【발명의 효과】
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 증의 재료로서 사용될 수 있으며， 유기 발광소자에서 효율의 향상， 낮은구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입， 정공수송， 정공주입 및 수송， 발광， 전자수송， 또는 전자주입 재료로사용될수있다.
【도면의 간단한설명】
도 1은기판 (1) , 양극 (2) , 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를도시한것이다.
도 2는기판 (1)， 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6) , 발광층 (7)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로이루어진유기 발광소자의 예를도시한것이다.
【발명을실시하기 위한구체적인 내용】
이하， 본발명의 이해를돕기 위하여 보다상세히 설명한다. 본발명은상기 화학식 1로표시되는화합물을제공한다.
본 명세서에서
Figure imgf000004_0001
또는 는 다른 치환기에 연결되는 결합을 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
의미한다 . 본명세서에서 "치환또는 비치환된’’ 이라는용어는중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 5 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기 ; 아릴술폭시기 ; 실릴기 ; 붕소기 ; 알킬기 ; 사이클로알킬기 ; 알케닐기 ; 아릴기 ; 아르알킬기 ; 아르알케닐기 ; 알킬아릴기 ; 알킬아민기 ; 아랄킬아민기 ; 헤테로아릴아민기 ; 아릴아민기 ; 아릴포스핀기 ; 또는比 0및 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 10 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나， 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대， "2 이상의 치환기가 연결된 치환기’는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도있고， 2개의 페닐기가연결된치환기로해석될수 있다.
15 본명세서에서 카보닐기의 탄소수는특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수
Figure imgf000005_0001
20 본명세서에 있어서， 에스테르기는에스테르기의 산소가탄소수 1내지
25의 직쇄， 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로， 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나， 이에 한정되는것은아니다. 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000006_0001
본 명세서에 있어서， 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될수있으나, 이에 한정되는것은아니다.
Figure imgf000006_0002
본 명세서에 있어서， 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기， 트리에틸실릴기，
Figure imgf000006_0003
메틸실릴기， 비닐디메틸실릴기， 프로필디메틸실릴기， 트리페닐실릴기， 디페닐실릴기， 페닐실릴기 등이 있으나이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기， 트리에틸붕소기， 1：-부틸디메틸붕소기， 트리페닐붕소기， 페닐붕소기 등이 있으나이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 할로겐기의 예로는 불소， 염소， 브롬 또는 요오드가있다. 본 명세서에 있어서， 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸， 에틸， 프로필, 11-프로필， 이소프로필， 부틸， 11-부틸， 이소부틸, 라 부틸， 3^ -부틸, 1 -메틸-부틸， 1 -에틸-부틸, 펜틸， 11_펜틸， 이소펜틸, 네오펜틸, 16 _펜틸, 핵실, 11-핵실， 1 -메틸펜틸， 2 -메틸펜틸, 4 -메틸- 2 -펜틸, 3,3 -디메틸부틸, 2 -에틸부틸， 헵틸, II -헵틸, 1 -메틸핵실， 사이클로펜틸메틸,사이클로핵틸메틸， 옥틸， 11-옥틸， 161寸_옥틸， 1 -메틸헵틸,
2 -에틸핵실， 2 -프로필펜틸, 11-노닐， 2, 2 -디메틸헵틸， 1 -에틸-프로필， 1, 1- 디메틸-프로필, 이소핵실, 2 -메틸펜틸, 4 -메틸핵실， 5 -메틸핵실 등이 있으나， 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1 -프로페닐, 이소프로페닐, 1 -부테닐， 2 -부테닐， 3 -부테닐， 1 -펜테닐,
2 -펜테닐, 3 -펜테닐, 3 -메틸- 1 -부테닐， 1,3 -부타디에닐， 알릴， 1 -페닐비닐- 1- 일， 2 -페닐비닐- 1 -일, 2,2 -디페닐비닐- 1 -일， 2 -페닐- 2-（나프틸- 1 -일）비닐- 1 -일， 2, 2 -비스（디페닐- 1 -일）비닐- 1 -일 , 스틸베닐기 , 스티레닐기 등이 있으나이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며， 일 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3내지 20이다. 또하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 3 -메틸사이클로펜틸， 2,3 -디메틸사이클로펜틸， 사이클로핵실， 3 -메틸사이클로핵실， 4 -메틸사이클로핵실， 2,3- 디메틸사이클로핵실, 3, 4, 5 -트리메틸사이클로핵실， 4아6 _부틸사이클로핵실， 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
사이클로헵틸， 사이클로옥틸등이 있으나， 이에 한정되지 않는다 . 본 명세서에 있어서， 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며 , 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다 . 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기， 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기， 페릴레닐기， 크라이세닐기， 플루오레닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는것은아니다. 본 명세서에 있어서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고， 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로구조를 형성할수 있다. 상기 플루오레닐기가치환되는
Figure imgf000008_0001
등이 될수있다. 다만, 이에 한정되는것은아니다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리기는 이종 원소로 0， 및 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기， 퓨란기， 피롤기， 이미다졸기， 티아졸기， 옥사졸기， 옥사디아졸기， 트리아졸기， 피리딜기， 비피리딜기， 피리미딜기， 트리아진기， 아크리딜기， 피리다진기， 피라지닐기 , 퀴놀리닐기， 퀴나졸린기 , 퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기 , 피리도 피리미디닐기， 피리도 피라지닐기 , 피라지노 피라지닐기 , 이소퀴놀린기， 인돌기， 카바졸기， 벤조옥사졸기 , 벤조이미다졸기， 벤조티아졸기， 벤조카바졸기， 벤조티오펜기， 디벤조티오펜기， 벤조퓨라닐기 ,
Figure imgf000008_0002
페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
아니다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기， 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는전술한아릴기의 예시와같다. 본명세서에 있어서， 5 아르알킬기， 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아릴텐은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 10 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한헤테로고리기에 관한설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을제외하고는전술한아릴기 또는사이클로알킬기에 관한설명이 적용될수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 15 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한헤테로고리기에 관한설명이 적용될 수있다. 바람직하게는， 상기 화학식 1에서, 화학식 2의 결합위치 및쇼에 따라， 상기 화학식 1은하기 화학식 1-1내지 1-10중어느하나로표시된다:
2019/143153 1»(：1/10公019/000716
Figure imgf000010_0001
바람직하게는， ¾은각각독립적으로수소; 중수소; 비치환되거나또는 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
하나 이상의 중수소로 치환된 메틸， 에틸， 프로필， 또는 이소프로필; 또는 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 또는사이클로핵실이다.
5 바람직하게는, ¾는각각독립적으로수소; 중수소; 비치환되거나또는 하나 이상의 중수소로 치환된 메틸, 에틸， 프로필, 또는 이소프로필; 또는 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필， 사이클로부틸 , 사이클로펜틸， 또는사이클로핵실이다.
10 바람직하게는， ¾은수소， 또는중수소이다. 바람직하게는， ¾은 수소; 중수소; 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 메틸， 에틸, 프로필， 또는 이소프로필; 또는 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필, 사이클로부틸， 15 사이클로펜틸， 또는사이클로핵실이다. 또한, 상기 화학식 1에서 에 따라 ¾는 복수로 존재하며， 바람직하게는 ¾ 중 하나는 수소; 중수소; 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 메틸, 에틸， 프로필， 또는 이소프로필; 또는 비치환되거나 20 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 또는사이클로핵실이고, ¾중나머지는각각독립적으로수소, 또는중수소이다. 상기 ¾ 내지 ¾에서 각각 중수소로 치환된 01-60 알킬; 또는 하나 25 이상의 중수소로 치환된 메틸, 에틸， 프로필， 또는 이소프로필의 경우， 바람직하게는， ）3 , 또는抑（抑 3）2이다. 상기 ¾ 내지 ¾에서 각각 중수소로 치환된 03-60 사이클로알킬 ; 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필 , 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 30 또는사이클로핵실의 경우， 바람직하게는, 하기의 구조를가진다. \¥0 2019/143153 1＞（：17 1技019/000716
Figure imgf000012_0001
상기 화학식 1로표시되는화합물의 대표적인 예는다음과같다:
Figure imgf000012_0002
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000014_0001
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Figure imgf000024_0001
Figure imgf000025_0001
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Figure imgf000027_0001
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Figure imgf000031_0001
또한， 본 발명은 하기 반응식 1과 같은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법을제공한다.
5 [반응식 1]
2019/143153 1»(：1/10公019/000716
Figure imgf000032_0001
상기 제조방법은후술할실시예에서 구체화할수 있다. 또한， 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로， 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2전극; 및 상기 제 1 전극과상기 제 2전극사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을포함하는유기 발광소자로서， 상기 유기물층중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나， 2층이상의 유기물층이 적층된다층구조로이루어질 수 있다. 예컨대， 본발명의 유기 발광소자는유기물층으로서 정공주입층， 정공수송층, 발광층， 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다. 또한， 상기 유기물층은발광층을포함할수 있고， 상기 발광층은상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 특히， 본 발명에 따른 화합물은 발광층의 도펀트로사용할수 있다. 또한， 상기 유기물 증은 전자수송증， 또는 전자주입증을 포함할 수 있고， 상기 전자수송층, 또는 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을포함한다. 또한， 상기 전자수송층， 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는층은상기 화학식 1로표시되는화합물을포함한다. 또한， 상기 유기물 층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고， 상기 전자수송층은상기 화학식 1로표시되는화합물을포함할수 있다. 또한， 본 발명에 따른유기 발광소자는, 기판상에 양극， 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 (normal type)의 유기 발광 소자일수있다. 또한， 본발명에 따른유기 발광소자는기판상에 음극, 1층 이상의 유기물층및 양극이 순차적으로적층된 역방향구조 ( inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대， 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는도 1및 2에 예시되어 있다. 도 1은기판 (1)， 양극 (2)， 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는화합물은상기 발광층에 포함될수 있다. 도 2는기판 (1)， 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 발광층 (7)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광소자의 예를도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층， 정공수송층, 발광층및 전자수송층중 1층이상에 포함될수 있다. 본발명에 따른유기 발광소자는, 상기 유기물층중 1층이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한， 상기 유기 발광소자가 복수개의 유기물층을포함하는경우, 상기 유기물층은동일한물질 또는 다른 물질로형성될수있다. 예컨대， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제 1 전극， 유기물층 및 제 2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 (sputter ing)아나 전자빔 증발법 (e-beam evaporat i on)과 같은 PVD(physi cal Vapor Deposi t ion)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을가지는금속산화물또는 이들의 합금을증착시켜 양극을 형성하고, 그위에 정공주입층， 정공수송층, 발광층및 전자수송층을포함하는유기물 층을형성한후, 그위에 음극으로사용할수 있는물질을증착시켜 제조할수 있다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을차례로증착시켜 유기 발광소자를만들수 있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공증착법 뿐만아니라용액 도포법에 의하여 유기물층으로형성될수 있다. 여기서， 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅， 딥코팅, 닥터 블레이딩， 잉크젯 프린팅， 스크린 프린팅, 스프레이법， 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는것은아니다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다 (W0 2003/012890) . 다만， 제조방법이 이에 한정되는것은아니다. 일례로， 상기 제 1전극은양극이고， 상기 제 2전극은음극이거나， 또는 상기 제 1전극은음극이고, 상기 제 2전극은양극이다. 상기 양극물질로는통상유기물층으로정공주입이 원활할수 있도록 일함수가큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나둠， 크롬， 구리， 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물， 인듐 산화물， 인듐주석 산화물 (IT0)， 인둠아연 산화물 (IZ0)과 같은 금속 산화물; ¾0:시 또는 3 2:況와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3 -메틸티오펜 ) , 폴리［3,4-(에틸렌- 1，2 -디옥시)티오펜］ 표的 ， 폴리피롤및 폴리아닐린과같은 전도성 고분자등이 있으나， 이들에만한정되는것은아니다. 상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘， 나트륨， 칼륨， 티타늄, 인둠, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 Li¾Ml과같은다층구조물질등이 있으나, 이들에만한정되는것은아니다. 상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로， 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과， 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며， 또한， 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO highest occupied molecul ar orbi tal )가양극물질의 일함수와주변 유기물증의 HOMO 사이인 것이 바람직하다、 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyr in) , 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈 (quinacr idone)계열의 유기물， 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물， 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만한정되는것은아니다. 상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로， 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을수송받아발광층으로옮겨줄수 있는물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자， 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만한정되는것은아니다. 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
상기 발광물질로는정공수송층과전자수송층으로부터 정공과전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서， 형광이나인광에 대한양자효율이 좋은물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8 - 히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물（사¾）; 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 5 스티릴（ 미 6（1 ） 화합물; 8요1（1; 10 -히드록시벤조퀴놀린-금속화합물; 벤족사졸 , 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물 ; 폴리（I）- 페닐렌비닐렌） 1 ） 계열의 고분자; 스피로（3]3 0） 화합물; 폴리플루오텐, 루브렌등이 있으나， 이들에만한정되는것은아니다.
10 상기 발광층은호스트 재료 및 도펀트 재료를포함할수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 죽합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체， 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고， 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체 , 디벤조퓨란 유도체， 래더형 15 퓨란화합물， 피리미딘유도체등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체， 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐화합물， 금속착체 등이 있다. 구체적으로방향족아민유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 20 아릴아미노기를 갖는 피텐， 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며， 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기， 실릴기, 알킬기， 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민， 스티릴디아민， 25 스티릴트리아민， 스티릴테트라아민등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속착체로는이리듐착체， 백금착체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 증으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 30 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서， 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
적합하다. 구체적인 예로는 8 -히드록시퀴놀린의 시 착물; 시¾를포함한착물; 유기 라디칼 화합물 ; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘， 이테르붐 및 사마륨이고, 각경우알루미늄층또는실버층이 뒤따른다. 상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로， 전자를 수송하는 능력을 갖고， 음극으로부터의 전자 주입 효과， 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입증에의 이동을 방지하고， 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논 , 안트라퀴노다이메탄， 다이페노퀴논 , 티오피란 다이옥사이드， 옥사졸， 옥사다이아졸， 트리아졸, 이미다졸， 페릴렌테트라카복실산， 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체， 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체 화합물로서는 8 -하이드록시퀴놀리나토 리륨， 비스（8- 하이드록시퀴놀리나토）아연， 비스（8 -하이드록시퀴놀리나토）구리， 비스（8- 하이드록시퀴놀리나토）망간 , 트리스（8 -하이드록시퀴놀리나토）알루미늄， 트리스（2 -메틸- 8 -하이드록시퀴놀리나토）알루미늄， 트리스（8- 하이드록시퀴놀리나토）갈륨， 비스（ 10 -하이드록시벤조［비퀴놀리나토）베릴륨， 비스（10 -하이드록시벤조［비퀴놀리나토）아연， 비스（2 -메틸- 8- 퀴놀리나토）클로로갈륨， 비스（2 -메틸- 8 -퀴놀리나토）（0 -크레졸라토）갈륨, 비스（2 -메틸- 8 -퀴놀리나토）（1 -나프톨라토）알루미늄， 비스（2 -메틸- 8- 퀴놀리나토）（2 -나프톨라토）갈륨등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른유기 발광소자는사용되는 재료에 따라 전면 발광형 , 후면발광형 또는양면발광형일수 있다. 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
또한， 상기 화학식 1로표시되는화합물은유기 발광소자외에도유기 태양전지 또는유기 트랜지스터에 포함될수있다. 상기 화학식 1로 표시되는화합물 및 이를포함하는유기 발광소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을예시하기 위한것이며， 본발명의 범위가이들에 의하여 한정되는것은 아니다.
［제조예］
Figure imgf000038_0001
（1）중간체쇼1의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 2 -브로모피리딘（30 당， 0.20 1）， 페닐보론산（43 용， 0.35 1^01）을 ^（300 ）에 녹인 후 21 탄산칼륨 수용액（150 ）을 첨가하고, 테트라키스-（트리페닐포스핀）팔라둠（7.0 당， 6.0 _01）을 넣은 후 3시간 동안 70（：에서 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산 마그네슘과산성 백토를 넣고 교반한후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 에틸아세테이트:핵산（1: 500:\0） 조건에서 컬럼크로마토그래피를통해 분리한화합물사을제조하였다（25당, 수율 80%） .
（2）중간체 1-13의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 이리듐 클로라이드（10 당， 33 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000039_0004
(3)중간체아의 제조
Figure imgf000039_0001
상태로 상온 교반하였다. 24시간 뒤 필터한 후 걸러진 여액의 용매를 날리고 톨루엔에 침전하여 추가정제 없이 화합물 을얻었다 (수율 91%) .
Figure imgf000039_0002
(1)중간체쇼2의 제조
2 -브로모피리딘 대신 2 -브로모- 5 -메틸피리딘 (50.0 당， 0.28 1 )을 사용한 것을 제외하고 중간체 사을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물쇼2를제조하였다
Figure imgf000039_0003
수율 65%) .
(2)중간체 1-比의 제조
중간체 요1 대신 중간체 쇼2를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1크를 제조하는방법과동일한방법으로상기 중간체 1_내를 제조하였다 (20 8 > 수율 54%) .
(3)중간체표2의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
중간체 1-18 대신 중간체 1-11）를 사용한 것을 제외하고 중간체 아을 제조하는방법과동일한방법으로상기 중간체묘2를제조하였다（수율 94%）.
Figure imgf000040_0001
（1）중간체 1-1（：의 제조
2 -브로모피리딘 대신 2,5 -브로모피리딘（55 0.23 01（）1）을사용한 것을 제외하고 중간체 쇼1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-1（：를 제조하였다（26 §， 수율 65%）.
（2）중간체 1-1（1의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 5 -브로보- 2 -페닐피리딘（35 융， 0.15 0101）을 다이에틸에테르 녹인 후 -78ᄃ에서 2.5 1 11-如니（65 , 0.16 미01）를첨가한후 1시간동안교반하였다. -78°（:에서 트리에틸보레이트（33당， 0.23 미01）를 넣은 후 상온에서 1시간 동안 교반하였다. 21 하이드로 클로라이드 수용액（100 011）을 첨가하고 30분 동안 교반한 후 20% 소듐 하이드록사이드 수용액（100 ）으로 중화하였다. 수층을 분리한 뒤 유가층의 용매를 제거하였다. 핵산:에틸아세테이트（100: 1（ ） 조건에서 컬럼크로마토그래피를통해 분리한화합물 1-1（1를제조하였다（21 § , 수율 73%）.
（3）중간체요3의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 （6 -페닐피리딘- 3 -일）보론산（21
Figure imgf000040_0002
0.16 01（）1）을 테트라하이드로퓨란（200 ）과 메탄올（100 ）에 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액（100 ）을 첨가하고, 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (3.8 3.3 ■01 )을 넣은 후 701：에서 12시간동안가열 및 교반하였다. 클로로포름을사용해 녹인후물로씻어주고 황산마그네슘과산성 백토를넣고교반한후여과하여 감압농축시켰다. 이후 핵산:에틸아세테이트 (50: 10:\0) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물쇼3를제조하였다 (
Figure imgf000041_0001
수율 67%) .
(4)중간체 1-比의 제조
중간체 쇼1 대신 중간체 쇼3를 사용한 것을 제외하고 중간체 1_ 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1- 를 제조하였다 (10.2 수율 62%) .
(5)중간체묘3의 제조
중간체 1-1¾ 대신 중간체 1-比를 사용한 것을 제외하고 중간체 바을 제조하는방법과동일한방법으로상기 중간체 83를제조하였다 (수율 90%) .
Figure imgf000041_0002
(1)중간체 1-1군의 제조
2 -브로모피리딘 대신 2 -브로모- 5 -메틸피리딘 (30 당， 0.17 미。" , 페닐보론산 대신 파라-톨릴보론산 (26
Figure imgf000041_0003
0.19 101 )을 사용한 것을 제외하고 중간체 사을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 요4를 제조하였다
Figure imgf000041_0004
수율 70%) . 2019/143153 1»(：1/10公019/000716
(2)중간체쇼4의 제조
질소분위기에서 둥근바닥플라스크에 중간체 1-1八22멍， 0.12 0101 )와 소듐에톡사이드 (5.8 0.085 1 )을디메틸설폭사이드-선6(300 )에 녹인 후 80公에서 32시간동안가열 및 교반하였다. 상온으로온도를낮춘후， ¾0(100 1111； 10 6 )로 켄칭하고 1시간 동안 충분히 교반하였다. ¾0 과량을 넣고 에틸아세테이트로 추출한 후 감압 농축 시켰다. 이 후 핵산:에틸아세테이트 (50: 10:\0 ) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 화합물 쇼4를분리하였다
Figure imgf000042_0001
수율 46%) .
(3)중간체 1-1§의 제조
중간체 쇼1 대신 중간체 요4를 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1크를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 1_1끔를 제조하였다 (10.4 수율 65%) . (5)중간체요4의 제조
중간체 1-1¾ 대신 중간체 1-1§ 를 사용한 것을 제외하고 중간체 아을 제조하는방법과동일한방법으로상기 중간체 34를제조하였다 (수율 87%) .
Figure imgf000042_0002
(1)중간체 1-比의 제조
2 -브로모피리딘 대신 2 -브로모- 4, 5 -디메틸피리딘 (50 용， 0.27 01()1 )， 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
페닐보론산 대신 파라-톨릴보론산 (40 2， 0.30 11101 )을 사용한 것을 제외하고 중간체 사을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 쇼5를 제조하였다
Figure imgf000043_0001
수율 66%) . (2)중간체쇼5의 제조
중간체 1-1 대신 중간체 1- 를 사용한 것을 제외하고 중간체 쇼4를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 쇼5를 제조하였다 (19 §， 수율 58%) . (3)중간체 1- 의 제조
중간체 대신 중간체 쇼5를 사용한 것을 제외하고 중간체 1_13를 제조하는 방법과동일한방법으로상기 중간체 1_111를 제조하였다 (20 §， 수율 55%) .
(5)중간체묘5의 제조
중간체 1-13 대신 중간체 1_11를 사용한 것을 제외하고 중간체 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 중간체표5를제조하였다 (수율 90%) .
Figure imgf000043_0002
(1)중간체 1_1；|·의 제조
2 -브로모피리딘 대신 2 -브로모- 4, 5 -디메틸피리딘 (50 은， 0.27 ¥1)을 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
사용한 것을 제외하고 중간체 사을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물쇼6를제조하였다（
Figure imgf000044_0001
수율 70%） .
（2）중간체쇼6의 제조
중간체 1- 대신 중간체 1-1』를 사용한 것을 제외하고 중간체 쇼4를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 쇼6를 제조하였다（21 수율 60%） .
（3）중간체 1_1 의 제조
중간체 쇼1 대신 중간체 쇼6를 사용한 것을 제외하고 중간체 1_1크를 제조하는 방법과동일한방법으로상기 중간체 1_1노를 제조하였다（25용， 수율 62%）.
（5）중간체요6의 제조
중간체 1-13 대신 중간체 1_比를 사용한 것을 제외하고 중간체 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 중간체요6를제조하였다（수율 92%）. 제조예 2-1： 중간체 01및이의 화합물제조
Figure imgf000044_0002
（1）중간체 2- 의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 2 -브로모피리딘（50
Figure imgf000044_0003
0.32
0101）， 4-（다이벤조퓨라닐）보론산（71 g, 0.34 1）을 테트라하이드로퓨란（400 ）과 메탄올（200 ）에 녹인 후 21 탄산칼륨 수용액（250 ）을 첨가하고， 테트라키스-（트리페닐포스핀）팔라듐（7.4용， 6.4 _01）을 넣은 후 12시간동안 80°（：에서 가열 및 교반하였다. 반응종료후온도를낮추고수층을분리한뒤 2019/143153 1»(：1^1{2019/000716
유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 황산 마그네슘과산성 백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이 후 에틸아세테이트:핵산（1 : 50（＞: \0） 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한화합물 2-13를제조하였다
Figure imgf000045_0001
수율 74%） .
（2）중간체 의 제조
질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 중간체 2-13（50 묘， 1 6¾）, 포타슘 터트-뷰톡사이드（6.5용, 0.3 6다）를 다이메틸 설폭사이드-（16（300 ）에 녹인 후 110°（：에서 24시간 동안 가열 및 교반하였다.
Figure imgf000045_0002
반응 종결을 확인한 후 상온으로 온도를 낮추었다. 반응물을 여과하여 염을 제거한 후 용매를 감압 농축하였다. 클로로포름（500 ）에 녹인 후 소듐 클로라이드 수용액과혼합하여 추출한뒤 유기 용매 층을분리하여 황산마그네슘과산성 백토를 넣고 교반한 후 여과였다. 이후 핵산:에틸아세테이트（100: 10 ）） 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 중간체 다을 분리하여 제조하였다（45§, 수율 90%） .
（2）중간체 2-比제조
중간체 쇼1 대신 중간체 다을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1크를 제조하는 방법과동일한방법으로상기 중간체 2-1¾）를 제조하였다（30 ， 수율 48%) .
（3）중간체이의 제조
중간체 1_1크 대신 중간체 2_113를 사용한 것을 제외하고 중간체 표1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 중간체이을제조하였다（수율 91%） . 제조예 2-2：중간체 02및 의 제조 2019/143153 1»(：1/10公019/000716
Figure imgf000046_0004
(1)중간체 2-1(：의 제조
2 -브로모피리딘 대신 2 -브로모- 5 -메틸피리딘을 사용한 것을 제외하고 중간체 2- 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 2-1(：를 제조하였다 (32 §， 수율 85%) .
(2)중간체 02의 제조
중간체 2-13 대신 중간체 2-1(：를 사용한 것을 제외하고 중간체 아을
Figure imgf000046_0001
84%) .
(3)중간체 2-1(1의 제조
중간체 쇼1 대신 중간체 02를 사용한 것을 제외하고 중간체 1- 를
Figure imgf000046_0002
50%) .
(4)중간체此의 제조
중간체 1-13 대신 중간체 2-1(1를사용한 것을 제외하고 중간체 1_比를
Figure imgf000046_0003
92%) . 제조예 2-3： 중간체 03및 ¥의 제조 2019/143153 1»(：1/10公019/000716
Figure imgf000047_0001
(1)중간체 2-比의 제조
다이벤조 [1) . (1]퓨란 -4ᅳ일보론산 대신 (2 -메틸벤조퓨로 [2,3마]피리딘- 8- 일)보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-13를 제조하는 방법과 동일한 방법으로상기 중간체 2-比를제조하였다
Figure imgf000047_0002
수율 82%) .
(2)중간체 03의 제조
중간체 2-1¾ 대신 중간체 를 사용한 것을 제외하고 중간체 을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 03를 제조하였다 (36
Figure imgf000047_0003
수율 86%) .
(3)중간체 2-1의 제조
중간체 쇼1 대신 중간체 03을 사용한 것을 제외하고 중간체 1_1크를 제조하는 방법과동일한방법으로상기 중간체 2- 를 제조하였다
Figure imgf000047_0004
수율 57%) .
(4)중간체此의 제조
중간체 1_1고 대신 중간체 2-； 를사용한 것을 제외하고 중간체 1_1크를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 03을 제조하였다 (30
Figure imgf000047_0005
수율 90%) . 제조예 2-4： 중간체 04및 04의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000048_0001
(1)중간체ᅡ比의 제조
다이벤조 [1) . (1]퓨란 -4 -일보론산대신 (2 -메틸벤조퓨로 [2,3-13]피리딘- 8- 일)보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1(：를 제조하는 방법과 동일한 방법으로상기 중간체 2-¾를제조하였다
Figure imgf000048_0002
수율 86%) .
(2)중간체 04의 제조
중간체 2-13 대신 중간체 2-1§를 사용한 것을 제외하고 중간체 (：1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 04를 제조하였다 (25 툐， 수율 86%) .
(3)중간체 2-111의 제조
중간체 요1 대신 중간체 04을 사용한 것을 제외하고 중간체 1-1크를 제조하는 방법과동일한방법으로상기 중간체 2-111를 제조하였다 (23용, 수율 53%) .
(4)중간체 ½의 제조
중간체 1-13 대신 중간체 2-111를사용한 것을 제외하고 중간체 1- 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 을 제조하였다 (19 당， 수율 87%) . 제조예 2-5： 중간체 05및예의 제조 2019/143153 1»(：1/10公019/000716
Figure imgf000049_0001
(1)중간체 2-11의 제조
4-(다이벤조퓨라닐)보론산 대신 다이벤조 [1),(1]퓨란 -1 -일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 2- 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 5 중간체 2-1ᅵ를제조하였다 (30당, 수율 81%) .
(2)중간체 04의 제조
중간체 2-13 대신 중간체 2-11를 사용한 것을 제외하고 중간체 (〕1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 05를 제조하였다 (27 § 수율 10 90%) .
. (3)중간체 2-1의 제조
중간체 사 대신 중간체 05를 사용한 것을 제외하고 중간체 1_ 를
Figure imgf000049_0002
15 54%) .
(4)중간체的의 제조
중간체 1-13 대신 중간체 2-니를사용한 것을 제외하고 중간체 1- 를
Figure imgf000049_0003
20 91%) . 제조예 2-6： 중간체 06및예의 제조 \¥0 2019/143153 ! ：1710公019/000716
Figure imgf000050_0004
(1)중간체 2-16의 제조
다이벤조［13 . (1］퓨란 -4 -일보론산 대신 다이벤조［13 , 1］퓨란 -3 -일보로닉 산을사용한 것을 제외하고 중간체 2-1：를 제조하는 방법과 동일한 방법으로
Figure imgf000050_0001
(2)중간체 06의 제조
중간체 2-1& 대신 중간체 2-1111을 사용한 것을 제외하고 중간체 아을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 06을 제조하였다 (33 당， 수율 82%) .
(3)중간체 2-111의 제조
중간체 요1 대신 중간체 04을 사용한 것을 제외하고 중간체 1_1단를
Figure imgf000050_0002
49%) .
(4)중간체 의 제조
중간체 1-18 대신 중간체 2-1］1을사용한 것을 제외하고중간체 1_1크를
Figure imgf000050_0003
82%) . 제조예 2-7： 중간체 07및 07의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000051_0001
(1)중간체 2-10의 제조
다이벤조 [1 . 1]퓨란 -4 -일보론산 대신 다이벤조比 ]싸이오펜- 4- 일보론산을 사용한 것을 제외하고 중간체 2-1：를 제조하는 방법과 동일한 방법으로상기 중간체 2-10를제조하였다 (38당, 수율 91%) .
(2)중간체 07의 제조
중간체 2- 대신 중간체 2-10를 사용한 것을 제외하고 중간체 을
Figure imgf000051_0002
10 87%) .
Figure imgf000051_0003
15 59%) .
(4)중간체 07의 제조
중간체 1_1크 대신 중간체 2-11를사용한 것을 제외하고 중간체 1_1크를
Figure imgf000051_0004
20 89%) . 제조예 2-8： 중간체 08및예의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000052_0001
(1)중간체요-比의 제조
다이벤조比.(1］퓨란 -4 -일보론산 대신 (2 -메틸벤조［4, 5］싸이에노［2,3_ 13］피리딘- 8 -일보론산을사용한 것을 제외하고 중간체 2-1：를 제조하는 방법과 동일한방법으로상기 중간체 2-11를제조하였다
Figure imgf000052_0002
수율 80%) .
(2)중간체 08의 제조
중간체 2-13 대신 중간체 2-切를 사용한 것을 제외하고 중간체 아을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 08을 제조하였다 (20 딩， 수율 76%) .
(3)중간체 2-11·의 제조
중간체 사 대신 중간체 084· 사용한 것을 제외하고 중간체 1-13 제조하는 방법과동일한방법으로상기 중간체 2-11·를 제조하였다 (
Figure imgf000052_0003
수율 50%) .
(4)중간체部의 제조
중간체 1-18 대신 중간체 2-11을사용한 것을 제외하고중간체 1-1크를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 중간체 예을 제조하였다 (15 수율 82%) .
［실시예］
실시예 1： 화합물 1의 제조 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
Figure imgf000053_0001
2.5
6다， 70 [■01）， 메탄올（200 1111）, 및 에탄올（200 ）를 넣고 70ᄃ에서 48시간 동안 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 필터하고 에탄올로 씻어준 후 핵산:메탄올（50: 10: ）조건에서 컬럼크로마토그래피를통해 분리한화합물 1 을제조하였다（수율 40%）.
¾1 : [¾!+¾+ = 750.20
Figure imgf000053_0002
제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2를제조하였다（수율 49%） .
Figure imgf000053_0003
제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 3을제조하였다（수율 45%） .
¾犯: 대]+ 784.26 실시예 4： 화합물 4의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000054_0001
제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 4를제조하였다（수율 52%） .
Figure imgf000054_0002
제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 5를제조하였다（수율 50%） .
: +비+ = 852.40
Figure imgf000054_0003
중간체 대신 중간체 표6을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 6을제조하였다（수율 47%） .
¾犯: 대］+ = 818.33
Figure imgf000054_0004
중간체 01 대신 중간체 02를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 7을제조하였다（수율 60%） .
13： ［¾1내］+ = 765.22
Figure imgf000055_0001
제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 8을 제조하였다（수율 58%）.
: ［¾1州］+ = 793.25
Figure imgf000055_0002
중간체 대신 중간체묘3을， 중간체 01대신중간체 02를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 9을 제조하였다（수율 58%） .
［¾1태］+ = 799.29
Figure imgf000055_0003
중간체 61대신 중간체 ¾를， 중간체 01대신중간체 02를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 10을 제조하였다（수율 50%）. 2019/143153 1»(：1^1{2019/000716
Figure imgf000056_0001
중간체 61대신중간체표5를, 중간체 01대신중간체 02를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 11을 제조하였다（수율 51%） .
18： ［¾1베+ = 867.42
Figure imgf000056_0002
중간체 31대신 중간체 86을, 중간체 01대신 중간체 02를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 12를 제조하였다（수율 42%） .
13： 州］+ = 833.36
Figure imgf000056_0003
중간체 01 대신 중간체 03을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 13을제조하였다（수율 49%） .
13： ¾대］+ = 768.23 실시예 14: 화합물 14의 제조 \ 0 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000057_0001
제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 14를 제조하였다（수율 42%）.
내］+ = 796.26
Figure imgf000057_0002
중간체 61대신중간체요3을， 중간체 01대신 중간체 3을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 15를 제조하였다（수율 47%） .
［!\1+11］+ = 802.29
Figure imgf000057_0003
제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 16을 제조하였다（수율 51%） .
: 州］+ = 836.36 실시예 17: 화합물 17의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000058_0001
중간체 61대신중간체요5를， 중간체 01대신중간체 03을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 17을 제조하였다（수율 41%）.
¾格: _］+ = 870.43
Figure imgf000058_0002
중간체 31대신중간체묘6을， 중간체 01대신중간체 03을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 18을 제조하였다（수율 45%）.
15： +비+ = 836.36
Figure imgf000058_0003
중간체 01 대신 중간체 04를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 19를제조하였다（수율 53%） .
［¾1대］+ = 783.25 실시예 20： 화합물 20의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000059_0001
중간체 대신 중간체묘2룰， 중간체 01대신중간체 04를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 20을 제조하였다（수율 53%）.
犯 ［¾!내］+ = 811.28
Figure imgf000059_0002
중간체 대신 중간체묘3을， 중간체 01대신중간체 04를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 21을 제조하였다（수율 46%）.
¾保: +비+ = 817.32
Figure imgf000059_0003
중간체 ¾대신 중간체묘4룰, 중간체 01대신중간체 04를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 22를 제조하였다（수율 49%） .
: ［¾1내］+ = 851.39 실시예 23： 화합물 23의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000060_0001
중간체 61대신 중간체요5를， 중간체 01대신중간체 04를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 23을 제조하였다（수율 52%）.
Figure imgf000060_0002
제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 24를 제조하였다（수율 40%）.
¾犯: 내］+ = 851.39
Figure imgf000060_0003
중간체 01 대신 중간체 05를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 25를제조하였다（수율 53%） .
13： ［¾1대］+ = 750.20 실시예 26： 화합물 26의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000061_0001
중간체 대신 중간체 82를， 중간체 01대신중간체 05를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 26을 제조하였다（수율 50%） .
¾格: [1«내]+ = 778.23
Figure imgf000061_0002
중간체 61대신중간체 83을， 중간체 01대신 중간체 05를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 27을 제조하였다（수율 47%）.
¾恨: 베+ = 784.26
Figure imgf000061_0003
중간체 대신 중간체묘4룰， 중간체 01대신중간체 05를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 28을 제조하였다（수율 43%）.
13： [1\州1]+ = 818.33 실시예 29： 화합물 29의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000062_0001
중간체 61대신 중간체 5를， 중간체 01대신 중간체 05를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 29를 제조하였다（수율 4«）.
Figure imgf000062_0002
중간체 61대신 중간체요6을， 중간체 01대신 중간체 05를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 30을 제조하였다（수율 49%）.
Figure imgf000062_0003
제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 31을제조하였다（수율 42%）.
州]+ = 765.22 실시예 32： 화합물 32의 제조 2019/143153 1»(：1/10公019/000716
Figure imgf000063_0001
중간체 대신 중간체 32, 중간체 대신 중간체 06을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 32를 제조하였다（수율 42%） .
Figure imgf000063_0002
중간체 81 대신 중간체 63, 중간체 01 대신 중간체 06을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 33을 제조하였다（수율 40%） .
Figure imgf000063_0003
중간체 대신 중간체 64, 중간체 （：1 대신 중간체 06을사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 34를 제조하였다（수율 37%）. 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
¾松: [¾1내]+ = 833.36
Figure imgf000064_0001
중간체 61 대신 중간체 65, 중간체 01 대신 중간체 06을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 35를 제조하였다（수율 38%） .
!£： + = 867.42
Figure imgf000064_0002
중간체 대신 중간체 66 , 중간체 01 대신 중간체 06을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 36을 제조하였다（수율 45%）.
: 대］+ = 833.36
Figure imgf000064_0003
제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 37을제조하였다（수율 57%） . 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716 내]+ = 780.99
Figure imgf000065_0001
중간체 61대신중간체요2를， 중간체 01대신중간체 07을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 38을 제조하였다（수율 57%）.
Figure imgf000065_0002
중간체 ¾대신중간체 83를， 중간체
Figure imgf000065_0003
중간체 07을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 39을 제조하였다（수율 57%） .
내］+ = 815.08
Figure imgf000065_0004
중간체 대신 중간체 요4룰, 중간체 01대신중간체 07을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 40을 제조하였다（수율 51%） .
대］+ = 849.17 2019/143153 1»(：1^1{2019/000716
Figure imgf000066_0001
중간체 61대신중간체묘5를, 중간체 01대신 중간체 07을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 41을 제조하였다（수율 50%） .
Figure imgf000066_0002
중간체 61대신 중간체묘6를， 중간체 01대신 중간체 07을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 42을 제조하였다（수율 41%） .
내］ + = 849.17
Figure imgf000066_0003
중간체 01 대신 중간체 08을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 43을제조하였다（수율 44%） .
¾格: 州］+ = 799.03 실시예 44： 화합물 44의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000067_0001
중간체 61대신중간체요2를, 중간체 01대신 중간체 08을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 44를 제조하였다（수율 49%）.
요犯: [¾_+ = 827.03
Figure imgf000067_0002
중간체 81대신중간체요3을， 중간체 01대신 중간체 08을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 45를 제조하였다（수율 57%） .
: [¾1내]+ = 833.12
Figure imgf000067_0003
중간체 대신 중간체 요4룰， 중간체 아 대신 08을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 46을 제조하였다（수율 50%）.
: [¾1대]+ = 867.12 실시예 47： 화합물 47의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000068_0001
중간체 81대신중간체묘5를， 중간체 01대신 중간체 08을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 47을 제조하였다（수율 41%）.
Figure imgf000068_0002
중간체 61대신 중간체묘6를， 중간체 01대신 중간체 08을사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 48을 제조하였다（수율 41%）.
^6 : 대]+ = 867. 12
Figure imgf000068_0003
중간체 61대신 중간체 이을， 중간체 01대신 중간체쇼5를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 49을 제조하였다（수율 40%） .
: 내 = 895. 14 실시예 50： 화합물 50의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000069_0001
중간체 61대신중간체 02를, 중간체 01대신 중간체쇼5를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 50을 제조하였다（수율 38%） .
Figure imgf000069_0002
중간체 61대신 중간체 3을， 중간체 01대신 중간체요5를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 51을 제조하였다（수율 46%） .
15： 내］+ = 931.21
Figure imgf000069_0003
중간체 81대신 중간체 를, 중간체 01대신중간체쇼5를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 52을 제조하였다（수율 44%） .
15： ［1\1대］+ = 961.27 실시예 53： 화합물 53의 제조 2019/143153 1»(：1/10公019/000716
Figure imgf000070_0001
제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 53을 제조하였다（수율 50%） .
!£： +비+ = 895. 14
Figure imgf000070_0002
중간체 61대신 중간체 06를, 중간체 01대신 중간체쇼5를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 54를 제조하였다（수율 46%） .
¾恨: ［¾1州］+ = 895.14
Figure imgf000070_0003
중간체 61대신중간체 7을， 중간체 01대신 중간체쇼5를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 55를 제조하였다（수율 46%）.
別으: 내］+ = 963.33 실시예 56： 화합물 56의 제조 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000071_0001
중간체 B1대신 중간체 D8을， 중간체 C1대신 중간체 A5를사용한것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 56을 제조하였다 (수율 46%) .
MS： [M+H]+ = 993.39
[실험예]
실험예 1
IT0( Indium Tin Oxide)가 1， 400 A의 두께로 박막 코팅된 유리기판을 세제에 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때 세제로는 피셔사 (Fi scher Co. )의 Decon™ C0N705 제품을 사용하였으며， 증류수로는 밀러포어사 (Mi 11 ipore Co. ) 제품의 0.22 pm ster i l i zing f i l ter로 2차걸러진 증류수를사용하였다. IT0를 30분간세척한후증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후， 이소프로필 알코올， 아세톤 및 메탄올의 용제로 각각 10분간 초음파 세척하고， 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간세정한후， 진공증착기로기판을수송시켰다. 이렇게 준비된 110투명전극 위에 하기 ᄂ쇼화합물 95 %와하기 화합물 5 前%의 혼합물을 100入의 두께로 열 진공 증착하고， 이어서 하기 화합물만 1150 의 두께로증착하여 정공수송층을형성하였다. 상기 정공수송층 위에 하기
Figure imgf000071_0002
화합물을 450쇼의 두께로 열 진공 증착하여 전자저지층을 형성하였다. 상기 전자저지층 위에 제 1 호스트로 하기
Figure imgf000071_0003
화합물， 제 2호스트로하기 볘2화합물, 및 도펀트로 앞서 제조한화합물 3을 각각 47:47:6 중량비의 혼합물을 400入의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에， 하기 요 -쇼 화합물을 50入의 두께로 진공 증착하여 정공저지증을형성하였다. 다음으로， 상기 정공저지증위에 하기 £1- ^ 화합물과
Figure imgf000071_0004
화합물을 2: 1의 중량비로 혼합하여 250入의 두께로 열 진공 2019/143153 1»（：1/10公019/000716
증착하여 전자수송증을 형성하고， 이어서 마그네슘을 1: 1의 중량비로 혼합하여 30ᅀ의 두께로 진공 증착하여 전자주입층을 형성하였다. 상기 전자 주입층 위에 마그네슘과 은을 1:4의 중량비로 혼합 후 160ᅀ의 두께로 증착하여 음극을형성함으로써, 유기 발광소자를제작하였다.
Figure imgf000072_0001
실험예 2내지 16
발광층 형성시 인광 도펀트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물 및 중량비로 각각사용하는 것을 제외하고는， 상기 실험예 1과동일한 방법으로 수행하여 실시예 2 내지 16의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다. 하기 표 1에서 중량비가 10인 경우， 제 1 호스트, 제 2 호스트， 및 도펀트를 각각 45 : 45 : 10중량비의 혼합물을사용한것을의미한다. 비교실험예 1내지 6
발광층 형성시 인광 도펀트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물 및 중량비를 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실험예 1과 동일한 방법으로수행하여 비교실험예 1내지 6의 유기 발광소자를각각제작하였다. 하기 표 1에서 중량비가 10인 경우， 제 1 호스트， 제 2 호스트， 및 도펀트를 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
Figure imgf000073_0001
상기 실험예 및 비교실험예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하여， 최대 발광파장 0^幻, 전압， 효율， 및 수명을측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 195는 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는시간을의미한다.
【표 1]
Figure imgf000073_0002
2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
Figure imgf000074_0001
본발명에 따른화학식 1의 구조를보면 이리듐에 연결되어 있는 3개의 리간드 중 2-（（디벤죠［ 則퓨란-일）피리딘） 골격의 리간드에서 이리듐과 연결되어 있는 N의 파라, 메타위치의 （：_}!결합이 0-0결합으로치환되어 있다. 피리딘 내의 （：내 결합 중 가장 약한 결합의 수소가 중수소로 치환되어 있는 것으로， 분자 자체에 안정성을 가져온다. 따라서, 중수소로 치환되어 있지 않은구조에 비해 색좌표는거의 변하지 않으면서 높은 발광효율과장수명을 유도할 수 있다. 특히 도펀트의 농도를 높이는 경우에는 그 효과가 더 두드러지게 나타난다. 따라서 상기 표 1에 나타난바와같이， 본 발명에 따른 화학식 1로표시되는화합물을유기 발광소자의 발광층도펀트로활용할경우， 고효율, 장수명의 소자를얻을수있다.
【부호의 설명】
1： 기판 2： 양극
3： 발광층 4： 음극
5: 정공주입증 6: 정공수송증
7： 발광층 8： 전자수송층

Claims

2019/143153 1»（：1^1{2019/000716 【특허청구범위】 【청구항 1] 하기 화학식 1로표시되는화합물:
[화학식 1]
Figure imgf000075_0001
상기 화학식 1에서
XI 내지 ¾중에서， ¾ 및 2， 2 및 ¾， 또는 ¾ 및 4가 하기 화학식 2의 *와연결되고, 나머지는 ¾이고，
[화학식 2]
03 5
는 0， 또는 이고，
쇼는벤젠고리， 또는피리딘고리이고，
II은 1또는 2이고，
은 1내지 4의 정수이고，
는 1내지 4의 정수이고，
115는쇼가 벤젠 고리인 경우 1 내지 4의 정수이고, 쇼가 피리딘 고리인 경우 1내지 3의 정수이고，
¾ 내지 묘4는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노; 아미노; 치환 또는 비치환된 -60 알킬 ; 치환 또는 비치환된 01-60 할로알킬 ; 치환 또는 비치환된 03-60 사이클로알킬 ; 치환 또는 비치환된 02-60 알케닐 ; 또는 치환 또는비치환된 06-60아릴이고 ,
요5중하나는수소 ; 중수소 ; 시아노 ; 아미노 ; 치환또는 비치환된 01-60 알킬 ; 치환 또는 비치환된 01-60 할로알킬 ; 치환 또는 비치환된 03-60 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
사이클로알킬 ; 치환또는비치환된 02-60알케닐 ; 또는치환또는비치환된 06- 60아릴이고， 묘5중나머지는수소, 또는중수소이다.
【청구항 2】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1은하기 화학식 1-1내지 1-10중어느하나로표시되는， 화합물:
2019/143153 1»（：1/10公019/000716
Figure imgf000077_0001
【청구항 3】 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
제 1항에 있어서,
I 은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 메틸, 에틸， 프로필, 또는 이소프로필; 또는 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필, 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 또는사이클로핵실인，
화합물.
【청구항 4]
제 1항에 있어서，
¾는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 메틸, 에틸, 프로필， 또는 이소프로필; 또는 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필， 사이클로부틸, 사이클로펜틸， 또는사이클로핵실인,
화합물.
【청구항 5]
제 1항에 있어서，
¾은수소, 또는중수소인，
화합물 .
【청구항 6]
제 1항에 있어서,
¾은 수소; 중수소; 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 메틸， 에틸， 프로필， 또는 이소프로필; 또는 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필, 사이클로부틸， 사이클로펜틸, 또는 사이클로핵실인，
화합물.
【청구항 7]
제 1항에 있어서， 2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
¾중 하나는수소 ; 중수소 ; 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 메틸， 에틸, 프로필， 또는 이소프로필; 또는 비치환되거나 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 사이클로프로필， 사이클로부틸 , 사이클로펜틸 , 또는 사이클로핵실이고 ,
5 ¾중나머지는각각독립적으로수소, 또는중수소인,
화합물.
【청구항 8]
제 1항에 있어서，
10 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는어느하나인,
화합물:
Figure imgf000080_0001
Figure imgf000081_0001
Figure imgf000082_0001
Figure imgf000083_0001
Figure imgf000084_0001
Figure imgf000085_0001
Figure imgf000086_0001
Figure imgf000087_0001
Figure imgf000088_0001
87
Figure imgf000089_0001
Figure imgf000090_0001
Figure imgf000091_0001
Figure imgf000092_0001
Figure imgf000093_0001
Figure imgf000094_0001
Figure imgf000095_0001
Figure imgf000096_0001
Figure imgf000097_0001
Figure imgf000098_0001
2019/143153 1»（：1^1{2019/000716
Figure imgf000099_0001
【청구항 9】
제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 제 1항 내지 제 8항 중 어느 하나의 항에 따른화합물을포함하는것인， 유기 발광소자.
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