WO2019098766A1 - 유기 발광 소자 - Google Patents

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WO2019098766A1
WO2019098766A1 PCT/KR2018/014128 KR2018014128W WO2019098766A1 WO 2019098766 A1 WO2019098766 A1 WO 2019098766A1 KR 2018014128 W KR2018014128 W KR 2018014128W WO 2019098766 A1 WO2019098766 A1 WO 2019098766A1
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unsubstituted
substituted
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light emitting
organic light
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Inventor
장분재
이동훈
허정오
허동욱
한미연
양정훈
윤희경
정우용
이민우
Original Assignee
주식회사 엘지화학
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    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers

Definitions

  • the present application claims the benefit of priority based on Korean Patent Application No. 10 2017 0153332, filed on November 16, 2017, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
  • the present invention relates to an organic light emitting device having excellent driveability, luminous efficiency, and lifetime.
  • organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy.
  • An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent brightness, driving voltage and response speed characteristics, and many studies are being conducted.
  • the organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode.
  • the organic material layer may have a multilayer structure composed of different materials.
  • the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • Patent Document 0001 Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826
  • the present invention is to provide an organic light emitting device having excellent driving force, luminescence efficiency, and lifetime.
  • ' 2 are each independently substituted or unsubstituted 0 6-60 aryl; Or substituted or unsubstituted 0, and one or more heteroatoms selected from 2 ,
  • And 2 are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Nitrile; Nitro; Amino; Substituted or unsubstituted 0 1-60 alkyl; Substituted or unsubstituted 0 3-60 cycloalkyl; A substituted or unsubstituted 0 2-60 alkenyl group; Substituted or unsubstituted (: 6-60 aryl, or substituted or unsubstituted any 0 2-60 heteroaryl group containing one or more hetero atoms selected from the configuration in doeneungun ⁇ 0 and,
  • 3 and I are each independently an integer of 0 to 4;
  • the organic light emitting device can improve the efficiency, the driving voltage and / or the lifetime of the organic light emitting diode by using the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2).
  • Fig. 1 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, an anode 2, a light emitting layer 3, a hole blocking layer 4, and a cathode 5.
  • Fig. 2 is a cross-sectional view of a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 6, a hole transporting layer 7, a luminescent layer 3, a hole blocking layer 4, an electron transporting layer 8, And a cathode (5).
  • the "bivalent group having two or more substituents connected thereto” may be a biphenyl group, that is, the biphenyl group may be an aryl group and may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected to each other. But preferably has 1 to 40 carbon atoms.
  • the compound may have the following structure, but is not limited thereto.
  • the ester group may be substituted with a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms in the ester group. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto. 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128 In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
  • the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group A silyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, and a phenylsilyl group.
  • the boron group specifically includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a 1-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, a phenylboron group and the like.
  • examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Work 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, 11- propyl, isopropyl, butyl, 11- butyl, isobutyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, 11-pentyl, isopentyl, neopentyl, La ⁇ pentyl, haeksil, 11 haeksil, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl,
  • the alkenyl group may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to one embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 3 carbon atoms. According to another embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms.
  • Specific examples include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4- 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • Haeksil methylcyclohexyl, 2,3-dimethyl-bicyclo haeksil, 3,4,5-trimethyl-bicyclo haeksil, 4 _ 61 ⁇ butyl cycloalkyl include but haeksil, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like.
  • the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms.
  • the aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or the like as the monocyclic aryl group, but is not limited thereto.
  • Examples of the polycyclic aryl group include, but are not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a klycenyl group and a fluorenyl group.
  • a fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. When the fluorenyl group is substituted,
  • the heterocyclic group includes 0,
  • the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms.
  • the heterocyclic group include a thiophene group, a furan group, a pyrrolyl group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, , A pyridazinyl group, a pyrazinyl group, a quinolinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a phthalazinyl group, a pyridopyrimidinyl group, a pyridopyranyl group, a pyrazinopyranyl group, an isoquinoline group, , A carbazole group, a benzoxazole group, a benzo
  • An isoxazolyl group, a thiadiazolyl group, a phenothiazinyl group, and a dibenzofuranyl group but is not limited thereto.
  • the aryl group in the aralkyl group, the aralkenyl group, the alkylaryl group and the arylamine group is the same as the aforementioned aryl group.
  • the alkyl group in the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the alkyl group described above.
  • the heteroaryl among the heteroarylamines can be applied to the aforementioned heterocyclic group.
  • the alkenyl group in the aralkenyl group is the same as the above-mentioned alkenyl group.
  • the description of the aryl group described above can be applied, except that the arylthene is divalent.
  • the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied, except that heteroaryltene is divalent.
  • the description of the above-mentioned aryl group or cycloalkyl group can be applied except that the hydrocarbon ring is not a monovalent group and two substituents are bonded to each other.
  • the present invention relates to a positive electrode; A light emitting layer; A hole blocking layer; And a cathode, wherein the hole blocking layer comprises the compound represented by Formula 1, and the emitting layer comprises the compound represented by Formula 2.
  • the organic light emitting device according to the present invention is characterized in that it can improve the driving voltage, efficiency and lifetime by controlling the energy levels between the hole blocking layer and the light emitting layer to control the energy level between the layers.
  • the anode material a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted to the organic material layer.
  • the positive electrode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; A metal oxide such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZ), a combination of metals and oxides such as ZnO: Al or SN3 ⁇ 4: Sb, poly (3-methylthiophene) , And conductive polymers such as 4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, but are not limited thereto.
  • PEDOT 4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene
  • PEDOT polypyrrole and polyaniline
  • the organic light emitting device may further include a hole injection layer on the anode.
  • the hole injecting layer is made of a hole injecting material.
  • the hole injecting material has a hole injecting effect on the anode, an excellent hole injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material due to its ability to transport holes, A compound which prevents migration to the injection layer or the electron injecting material and is also excellent in the ability to form a thin film is preferable. It is preferable that the work function of the highest occupied molecular orbital (H0M0) of the hole injecting material is between the HOMO of the surrounding organic layer.
  • the hole injecting material include organic materials such as metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic materials, quinacridone-based organic materials, quinacridone-based organic materials, perylene perylene based organic materials, anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • organic materials such as metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic materials, quinacridone-based organic materials, quinacridone-based organic materials, perylene perylene based organic materials, anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the organic light emitting device may further include a hole transport layer on the anode or the cathode active material layer.
  • the hole transport layer is a layer for transporting holes from the hole injection layer to the light emission layer, 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • a material having high mobility to holes is suitable as a material capable of transporting holes from an anode or a hole injecting layer to a light emitting layer by using a hole transporting material.
  • the organic light emitting device includes a light emitting layer on the anode, the hole injecting layer, or the hole transporting layer.
  • the light emitting layer may include a host and a dopant.
  • the compound represented by Formula 2 is used as the host.
  • 2 is biphenyl, terphenyl, naphthylphenyl, or phenanthrenylphenyl. 2019/098766 1 »(: 1/10/0/0 018/014128
  • the compound represented by the formula (2) can be prepared by the following reaction scheme (2).
  • X''' denotes a substituent used in the Suzuki coupling reaction, preferably halogen, more preferably bromo, or Chloro. 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • the above reaction means a Suzuki coupling reaction, and the above production method can be further specified in the production example to be described later.
  • the dopant an aromatic amine derivative, a styrylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, a metal complex, or the like can be used.
  • a compound represented by the following formula (3) may be used as the dopant.
  • ??? is a substituted or unsubstituted 0 6-60 arylene
  • " n " is any one selected from the group consisting of:
  • " 1 and " 4 are dibenzofuranyl.
  • " 2 and 3 are phenyl and the phenyl is unsubstituted or substituted with 0 1-60 alkyl, tri (() () alkylsilyl, or phenyl. 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • the compound represented by Formula 3 is any one selected from the group consisting of the following compounds:
  • the hole blocking layer serves to prevent holes injected from a bamboo field from being transferred to the electron transport layer without being recombined in the light emitting layer.
  • the compound represented by Formula 1 is used in the hole blocking layer. 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • 1 and 2 are each bonded at positions 1 and 2 of naphthalene or bonded at positions 2 and 1 of naphthalene, respectively, and may be represented by the following formulas (1-1) or (1-2) :
  • silver is phenylene. More preferably, silver is 1,3-phenylene, or 1,4-phenylene. Preferably, is a bond or phenylene. More preferably, is a bond, 1,3-phenylene, or 1,4-phenylene.
  • the show is phenyl.
  • 2 is phenyl, or biphenyl.
  • 3 is any one selected from the group consisting of: 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • X is 0 to 3, or 0,
  • Each of 3 ⁇ 4 to 3 ⁇ 4 is independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Nitrile; Nitro; Amino; Substituted or unsubstituted 0 1-60 alkyl; Substituted or unsubstituted 0 3-60 cycloalkyl; A substituted or unsubstituted 0 2-60 alkenyl group; Substituted or unsubstituted 0 6-60 aryl; Or a substituted or unsubstituted 0,, 0, 2-60 heterocyclic group containing at least one of mityo ring,
  • 3 is the above ( 3), (or ( ( ) and is a bond; 3 is the above (1), (0, ( 8) Or 3 is the above (and is a bond, 1,3-phenylene, or 1,4-phenylene).
  • the compound represented by Formula 1 may be selected from the group consisting of the following compounds.
  • the compound represented by the formula ( 1 ) can be prepared by the following reaction scheme (1).
  • the organic light emitting device may include an electron transport layer on the hole blocking layer.
  • the electron transporting layer is a layer that receives electrons from the electron injecting layer formed on the cathode or the cathode and transports electrons to the light emitting layer.
  • the electron transporting material is a material capable of transferring electrons from the cathode well to the light emitting layer, This large material is suitable.
  • Specific examples of the electron transporting material include a divalent complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes including show 1 3 ⁇ 4 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transporting layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art.
  • suitable cathode materials are those having a low work function, 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • the organic light emitting device may further include an electron injection layer between the electron transport layer and the cathode.
  • the electron injection layer is a layer for injecting electrons from the electrode.
  • the electron injection layer has an ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, and has an excellent electron injection effect with respect to the light emitting layer or the light emitting material.
  • a compound which prevents migration to a layer and is excellent in a thin film forming ability is preferable.
  • materials that can be used for the electron injection layer include fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylene tetracarboxylic acid, Anthrone, and derivatives thereof, metal complex compounds, and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato ligium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8- Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10 -hydroxybenzo [ Bis (2-methyl-8-quinolinato), bis (2-methyl-8-quinolinato) ( 0- cresol Gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholato) aluminum and bis Do not. cathode
  • the negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • Specific examples of the negative electrode material include Metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or Li ⁇ l l, but the present invention is not limited thereto.
  • the organic light emitting device can be manufactured by sequentially applying the above-described configuration.
  • a metal oxide or a metal oxide having conductivity or an alloy thereof may be formed on the substrate by a PVD (physical vapor deposition) method such as a sputtering method or an e-beam evaporation method Forming an anode, depositing an organic material layer including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, a hole blocking layer and an electron transporting layer on the anode, and depositing a material usable as a cathode thereon.
  • PVD physical vapor deposition
  • an organic light emitting device can be formed by sequentially depositing a cathode material, a butane organic material layer, and a cathode material on a substrate.
  • the light emitting layer can be formed by a solution coating method as well as a vacuum deposition method for the host and the dopant.
  • the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating and the like, but is not limited thereto.
  • an organic light emitting device can be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890).
  • the manufacturing method is not limited thereto.
  • the organic light emitting diode according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.
  • preferred embodiments of the present invention will be described in order to facilitate understanding of the present invention. However, the following embodiments are provided to facilitate understanding of the present invention, and thus the present invention is not limited thereto.
  • Compound 3 was prepared in the same manner as the preparation method.
  • Compound 7 was prepared in the same manner as Compound 1, except that triphenylene-2-ylboronic acid was used instead of (9,9-diphenyl-a-fluoren-2-yl) boronic acid.
  • Compound 9 was prepared in the same manner as in the preparation of Compound 1, except that Compound 9 was used instead of Compound 1.
  • Compound 13 was prepared in the same manner as Compound 1-Show, except that 1,3-dioxaborolan-2-yl) phenyl) -1,3,5-triazine was used.
  • Compound 13 was prepared in the same manner as in Compound 1, except that Compound 13 was used instead of Compound 13.
  • Compound 14 was prepared in the same manner as Compound 13, except that boronic acid was used.
  • Compound 19 was prepared in the same manner as Compound 7, except that Compound 13 was used instead of Compound 13.
  • Compound 50 was prepared in the same manner as in Compound 1, except that Compound 50 was used instead of Compound 1.
  • Compound 66 was prepared in the same manner as Compound 1, except that (4- (7-phenyl-isobenzo [(fluorophenyl) -7-yl) . 2019/098766 1 »(: 1 ⁇ ⁇ 2018/014128
  • Compound 82 was prepared in the same manner as Compound 1 except that (4- (phenanthrene-2-yl) phenyl) boronic acid was used in place of (9,9-diphenyl- .
  • 3-bromodibenzofuran (15 sug, 60.7 _ 0 1), (10-phenylanthracene-9-yl) boronic acid 60.7 ⁇ 01) and carbonic acid 182.1 _ 0 1) was added and heated and stirred. After refluxing, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (2.1 ,, 3.0 10 1%) was added and the mixture was heated and stirred for additional 5 hours. After completion of the reaction, the temperature was lowered to room temperature, and then the impurities were removed by primary filtration. The filtrate was poured into water and extracted with chloroform to obtain an organic layer, which was then dried over anhydrous magnesium sulfate. After distillation under reduced pressure and recrystallized with ethanol to manufacture the compound 1) (20.2 8, 79% yield).
  • I T0 thin film of indium tin oxide
  • ITO was washed for 30 minutes, then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After washing with distilled water, the substrate was ultrasonically cleaned with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and dried. After the substrate was washed with oxygen plasma for 5 minutes, the substrate was transported by a vacuum evaporator .
  • the following compound-show was vacuum-deposited to a thickness of 600 A to form a hole injection layer.
  • the following compound HAT-CN (50A) and the following compound HT-A (600A) were sequentially vacuum-deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer.
  • Compound A and the compound prepared above were vacuum-deposited on the hole transport layer at a weight ratio of 25: 1 to a thickness of 200 A to form a light emitting layer.
  • Compound 1 prepared above was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 50 A to form a hole blocking layer.
  • An electron transport layer was formed on the hole blocking layer at a weight ratio of 2: 1 of the following compound ET-A and LiQ (8-hydroxyquinolatol ithium) at a thickness of 300A.
  • Lithium fluoride (LiF) and aluminum having a thickness of 1,000 A were sequentially deposited on the electron transport layer to a thickness of 10 A to form a cathode.
  • the organic electroluminescent device was prepared in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of Compound 1 and Compound 1, respectively. Comparative Examples 1 to 7
  • An organic light emitting device was manufactured by the same method as in Example 1, except that the compounds shown in Table 1 below were used, respectively.
  • the compounds 1, 2, 3, 4, 5 and 6 in Table 1 are shown below. 2019/098766 1 »(: 1/10/0/0 018/014128 Experimental Example
  • substrate 2 anode

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Abstract

본 발명은 구동 접압, 발광 효율, 및 수명이 우수한 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
【발명의 명칭】
유기 발광소자
【기술분야】
관련출원（들）과의 상호인용
본 출원은 2017년 11월 16일자 한국 특허 출원 제 10 2017 0153332호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된모든내용은본명세서의 일부로서 포함된다. 본 발명은 구동 접암， 발광 효율, 및 수명이 우수한 유기 발광 소자에 관한것이다.
【배경기술】
일반적으로유기 발광현상이란유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각， 우수한 콘트라스트， 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동전압및 응답속도특성이 우수하여 많은연구가진행되고 있다. 유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을포함하는구조를가진다. 상기 유기물층은유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층， 정공수송층, 발광층, 전자수송층， 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극사이에 전압을걸어주게 되면 양극에서는정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고， 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤（6 1011）이 형성되며， 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로요구되고있다.
【선행기술문헌】 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
【특허문헌】
（특허문헌 0001）한국특허 공개번호제10-2000-0051826호
【발명의 내용】
【해결하려는과제】
본 발명은 구동 접암， 발광 효율， 및 수명이 우수한 유기 발광 소자를제공하기 위한것이다.
【과제의 해결수단】
상기 과제를해결하기 위하여， 본발명은양극; 발광층; 정공저지층; 및 음극을 포함하고, 상기 정공저지층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고， 상기 발광층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광소자를제공한다:
[화학식 1]
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1에서，
및 는 각각 나프탈렌의 1번 및 2번 위치에 결합되거나, 또는 나프탈렌의 2번및 1번위치에 결합하고，
은 치환또는 비치환된 06-60 아릴렌; 또는 치환또는 비치환된 0, 比 및 중 1개 이상을포함하는 02-60헤테로아릴텐이고,
는 결합; 치환 또는 비치환된 06-60 아릴텐; 또는 치환 또는 비치환된 0, 및 £중 1개 이상을포함하는 02-60헤테로아릴렌이고， 쇼 및 2는 각각독립적으로 치환또는 비치환된 06-60 아릴 ; 또는 치환 또는 비치환된 0， 및 중 1개 이상을 포함하는 02-60 헤테로아릴이고，
3는치환또는비치환된 06-60아릴 ; 또는치환또는비치환된 0， 및 £중 1개 이상을포함하는 02-60헤테로아릴이고， 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
단， 3는피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 페난쓰리딘， 벤조 ］퀴놀린, 벤조［ 이소퀴놀린， 벤조比］퀴놀린， 또는 벤조比］이소퀴놀린 구조를 가지지 않으며，
［화학식 2］
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 2에서,
및 ’2는각각독립적으로치환또는비치환된 06-60아릴 ; 또는 치환 또는 비치환된 0， ， 및 중 1개 이상을 포함하는 。2, 헤테로아릴이고，
및 2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴; 니트로 ; 아미노 ; 치환또는 비치환된 01-60 알킬 ; 치환 또는 비치환된 03-60 사이클로알킬; 치환또는비치환된 02-60알케닐기; 치환또는비치환된 (：6-60 아릴; 또는치환또는비치환된比 0및 로구성되는군으로부터 선택되는 어느하나이상의 헤테로원자를포함하는 02-60헤테로아릴이고，
3및 I는각각독립적으로 0내지 4의 정수이다.
【발명의 효과】
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로표시되는화합물을사용함으로써 유기 발광소자에서 효율의 향상， 낮은구동전압및/또는수명 특성을향상시킬수있다.
【도면의 간단한설명】
도 1은 기판 (1)， 양극 (2)， 발광층 (3)， 정공저지층 (4) , 및 음극 (5)으로이루어진유기 발광소자의 예를도시한것이다.
도 2는 기판 (1) , 양극 (2) , 정공주입층 (6)， 정공수송층 (7)， 발광층 (3)， 정공저지층 (4) , 전자수송층 (8)， 전자주입층 (9) 및 음극 (5)로 이루어진유기 발광소자의 예를도시한것이다.
【발명을실시하기 위한구체적인내용】
이하， 본발명의 이해를돕기 위하여 보다상세히 설명한다. 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
본명세서에서
Figure imgf000005_0001
다른치환기에 연결되는결합을의미한다. 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기 ; 아미노기 ; 포스핀옥사이드기 ; 알콕시기 ; 아릴옥시기 ; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기 ; 사이클로알킬기 ; 알케닐기 ; 아릴기 ; 아르알킬기 ; 아르알케닐기 ; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 比 0 및 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나， 상기 예시된 치환기 중 2이상의 치환기가연결된 치환또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대， "2 이상의 치환기가 연결된 치 4기’는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된치환기로해석될수있다. 본명세서에서 카보닐기의 탄소수는특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로하기와같은구조의 화합물이 될 수있으나， 이에 한정되는것은아니다.
Figure imgf000005_0002
본 명세서에 있어서， 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄， 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로， 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는것은아니다. 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000006_0001
본 명세서에 있어서 , 이미드기의 탄소수는특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될수있으나, 이에 한정되는것은아니다.
Figure imgf000006_0002
본 명세서에 있어서， 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기， 트리에틸실릴기
Figure imgf000006_0003
실릴기 비닐디메틸실릴기， 프로필디메틸실릴기， 트리페닐실릴기， 디페닐실릴기， 페닐실릴기 등이 있으나이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기， 1；-부틸디메틸붕소기 , 트리페닐붕소기 , 페닐붕소기 등이 있으나이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 할로겐기의 예로는 불소， 염소， 브롬 또는 요오드가있다. 본 명세서에 있어서， 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는메틸， 에틸， 프로필, 11-프로필， 이소프로필， 부틸， 11-부틸， 이소부틸, 七라 부틸，
Figure imgf000007_0001
1 -메틸-부틸, 1 -에틸-부틸, 펜틸， 11-펜틸， 이소펜틸， 네오펜틸， 라卜펜틸， 핵실, 11-핵실， 1 -메틸펜틸， 2 -메틸펜틸,
4 -메틸- 2 -펜틸, 3 , 3 -디메틸부틸， 2 -에틸부틸, 헵틸, II -헵틸， 1 -메틸핵실， 사이클로펜틸메틸,사이클로핵틸메틸, 옥틸， 11-옥틸， 아卜옥틸， 1 -메틸헵틸， 2 -에틸핵실， 2 -프로필펜틸， 11-노닐, 2, 2 -디메틸헵틸， 1 -에틸-프로필， 1, 1- 디메틸-프로필， 이소핵실， 2 -메틸펜틸, 4 -메틸핵실， 5 -메틸핵실 등이 있으나， 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 상기 알케닐기는직쇄 또는분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐， 1 -프로페닐， 이소프로페닐， 1 -부테닐， 2 -부테닐, 3 -부테닐,
1 -펜테닐， 2 -펜테닐, 3 -펜테닐， 3 -메틸- 1 -부테닐， 1 , 3 -부타디에닐, 알릴, 1 -페닐비닐- 1 -일， 2 -페닐비닐- 1 -일， 2, 2 -디페닐비닐- 1 -일， 2 -페닐- 2- （나프틸- 1 -일）비닐- 1 -일, 2, 2 -비스（디페닐- 1 -일）비닐- 1 -일， 스틸베닐기， 스티레닐기 등이 있으나이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3내지 3◦이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 3 -메틸사이클로펜틸 , 2 , 3- 디메틸사이클로펜틸 , 사이클로핵실 , 3 -메틸사이클로핵실， 4 - 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
메틸사이클로핵실， 2,3 -디메틸사이클로핵실， 3,4,5 -트리메틸사이클로핵실， 4 61寸_부틸사이클로핵실 , 사이클로헵틸， 사이클로옥틸 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는다환식 아릴기일수 있다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는페닐기， 바이페닐기, 터페닐기 등이 될수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기， 페난트릴기， 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기， 플루오레닐기 등이 될 수있으나， 이에 한정되는것은아니다. 본 명세서에 있어서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고， 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure imgf000008_0001
본명세서에 있어서， 헤테로고리기는이종원소로 0， 및 £중
1개 이상을포함하는헤테로고리기로서 , 탄소수는특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기， 퓨란기， 피롤기， 이미다졸기， 티아졸기， 옥사졸기， 옥사디아졸기， 트리아졸기， 피리딜기 , 비피리딜기 , 피리미딜기， 트리아진기， 아크리딜기， 피리다진기， 피라지닐기， 퀴놀리닐기， 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기， 피리도 피리미디닐기， 피리도 피라지닐기， 피라지노 피라지닐기 , 이소퀴놀린기， 인돌기 , 카바졸기 , 벤조옥사졸기， 벤조이미다졸기 , 벤조티아졸기， 벤조카바졸기， 벤조티오펜기， 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기，
Figure imgf000009_0001
이소옥사졸릴기， 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만한정되는것은아니다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 아르알케닐기， 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기, 알킬아릴기， 알킬아민기 중 알킬기는전술한알킬기의 예시와같다. 본명세서에 있어서， 헤테로아릴아민 중헤테로아릴은전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아릴텐은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴텐은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한설명이 적용될수있다. 본 발명은 양극; 발광층; 정공저지층; 및 음극을 포함하고， 상기 정공저지층은상기 화학식 1로표시되는화합물을포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 2로표시되는화합물을포함하는， 유기 발광소자를제공한다. 본발명에 따른유기 발광소자는， 정공저지층과발광층에 포함되는 물질을 조절하여 각 층간의 에너지 준위를 조절하여 구동 전압， 효율 및 수명을향상시킬수있다는특징이 있다. 이하， 각 구성 별로 본 발명을 상세히 설명하며， 양극에서부터 음극으로의 순서로설명한다. 양극
상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가큰물질이 바람직하다. 상기 양극물질의 구체적인 예로는 바나둠， 크롬， 구리 , 아연, 금과같은금속또는이들의 합금; 아연산화물， 인듐 산화물, 인듐주석 산화물 (IT0)， 인듐아연 산화물 (IZ⑴과 같은 금속 산화물; ZnO：Al 또는 SN¾:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3- 메틸티오펜) , 폴리 [3, 4-(에틸렌- 1,2 -디옥시 )티오펜] (PED0T) , 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 정공주입층
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 양극 상에 정공주입층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 정공주입층은 정공 주입 물질로 이루어져 있으며， 정공주입 물질로는정공을수송하는능력을가져 양극에서의 정공 주입효과， 발광층또는발광재료에 대하여 우수한정공주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며， 또한, 박막형성 능력이 우수한화합물이 바람직하다. 정공주입 물질의 H0M0(highest occupied molecular orbi tal)가양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는， 금속 포피린 (porphyr in) , 올리고티오펜， 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물， 퀴나크리돈 (quinacr idone)계열의 유기물, 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논및 폴리아닐린과폴리티오펜 계열의 전도성 고분자등이 있으나, 이들에만한정 되는것은아니다. 정공수송중
본발명에 따른유기 발광소자는， 상기 양극또는정공주압층상에 정공수송층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로， 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다.
5 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물， 전도성 고분자， 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나， 이들에만 한정되는것은아니다. 발광층
10 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 상기 양극， 정공주입층， 또는 정공수송층상에 발광층을포함한다. 상기 발광층은호스트및도펀트를포함할수있으며， 본발명에서는 상기 호스트로상기 화학식 2로표시되는화합물을사용한다.
15
상기 화학식 2에서， 바람직하게는 은 나프틸， 페난쓰레닐，
Figure imgf000011_0002
바람직하게는, 상기 ’!은나프틸, 페난쓰레닐， 디벤조퓨라닐, 또는 하기로표시되는치환기이다:
Figure imgf000011_0001
25 바람직하게는， 2는 비페닐릴， 터페닐릴， 나프틸페닐， 또는 페난쓰레닐페닐이다. 2019/098766 1»（：1/10公018/014128
Figure imgf000012_0001
바람직하게는， 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물로
Figure imgf000012_0002
Figure imgf000013_0001
 2019/098766 1»（：1/10公018/014128
Figure imgf000014_0001
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 반응식 2와 같은 제조 방법으로제조할수있다.
Figure imgf000014_0002
상기 반응식 2에서， X’’’를 제외한 나머지 정의는 앞서 정의한 바와 같으며， X’"는 스즈키 커플링 반응에 사용되는 치환기를 의미하며， 바람직하게는 할로겐이고， 보다 바람직하게는 브로모， 또는 클로로이다. 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
상기 반응은 스즈키 커플링 반응을 의미하며， 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다구체화될수있다. 상기 도펀트로는방향족아민유도체， 스트릴아민화합물, 붕소착체， 플루오란텐 화합물， 금속 착체 등을사용할수 있다. 특히, 본발명에서는 상기 도펀트로하기 화학식 3으로표시되는화합물을사용할수있다.
[화학식 3]
Figure imgf000015_0001
상기 화학식 3에서，
!；’는치환또는비치환된 06-60아릴렌이고，
내지 ”4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 06-60 아릴 ; 또는 치환 또는 비치환된 0， 및 으 중 1개 이상을 포함하는 02-60 헤테로아릴이다. 바람직하게는， 느 "는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다:
Figure imgf000015_0002
상기에서,
묘 "는 각각 독립적으로， 수소， 치환 또는 비치환된 01-60 알킬， 또는 치환또는 비치환된 03-60사이클로알킬이다. 보다바람직하게는, I? "는서로 동일하고, 수소， 이소프로필， 또는사이클로펜틸이다. 바람직하게는， ”1및 ”4는디벤조퓨라닐이다. 바람직하게는 , "2 및 "3는 페닐이고， 상기 페닐은 비치환되거나 또는 01-60알킬， 트리（（：«（））알킬실릴， 또는페닐로치환된다 . 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
바람직하게는， 상기 화학식 3으로표시되는화합물은 하기 화합물로 구성되는군으로부터 선택되는어느하나이다:
Figure imgf000016_0001
포함한다. 상기 정공저지층은 양옥에서 주입된 정공이 발광층에서 재결합되지 않고전자수송층으로넘어가는것을방지하는역할을한다. 특히， 본 발명에서는 상기 정공저지층에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을사용한다. 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
상기 화학식 1에서， 및 1^2는각각나프탈렌의 1번 및 2번 위치에 결합되거나， 나프탈렌의 2번 및 1번 위치에 결합하며, 이에 따라 하기 화학식 1-1또는 1-2로표시될수있다:
[화학식 1-1]
Figure imgf000017_0001
바람직하게는, 은 페닐렌이다. 보다 바람직하게는， 은 1,3- 페닐렌， 또는 1,4 -페닐렌이다. 바람직하게는， 는 결합， 또는 페닐렌이다. 보다 바람직하게는， 는결합， 1，3 -페닐렌， 또는 1，4 -페닐렌이다. 바람직하게는,쇼 은페닐이다. 바람직하게는， 2는페닐， 또는비페닐이다. 바람직하게는， 3은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다: 2019/098766 1»(：1^1{2018/014128
Figure imgf000018_0001
상기에서，
X는 ， 0?此， ¾¾， 또는 0이고，
¾ 내지 ¾은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴; 니트로 ; 아미노 ; 치환또는 비치환된 01-60 알킬 ; 치환또는 비치환된 03-60 사이클로알킬 ; 치환또는비치환된 02-60알케닐기 ; 치환또는비치환된 06-60 아릴 ; 또는치환또는비치환된 0， ， 및요중 1개 이상을포함하는 02-60 헤테로고리기이고,
II, 111및 1은각각독립적으로 0내지 4의 정수이다. 보다 바람직하게는， 3은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느하나이다: 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000019_0001
보다 바람직하게는， 3는 상기 (3), ( , 또는 ((：)이고， 는 결합이거나; 3는 상기 (1)， (0， (8), 또는 ( 이고, 는 1,4- 페닐렌이거나;또는 3는상기 ( 이고, 는결합, 1,3 -페닐텐， 또는 1,4- 페닐렌이다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택될수있다.
Figure imgf000020_0001
Figure imgf000021_0001
Figure imgf000022_0001
Figure imgf000023_0001
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000025_0001
2019/098766 1»（：1/10公018/014128
Figure imgf000026_0001
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로제조할수있다.
[반응식 1]
Figure imgf000027_0001
1-4
상기 반응식 1에서， , 12 , ， 2 및 3는 앞서 정의한 바와 같으며, X' 및 X"는 스즈키 커플링 반응에 사용되는 치환기를 의미한다. 또한， 상기 단계 1 또는 상기 단계 1'는 스즈키 커플링 반응을 의미하며， 상기 제조방법은후술할제조예에서 보다구체화될수있다. 전자수송중
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 상기 정공저지층 상에 전자수송층을 포함할 수 있다. 상기 전자수송층은 음극 또는 음극 상에 형성된 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로， 전자수송물질로는음극으로부터 전자를잘주입 받아발광층으로 옮겨줄수있는물질로서， 전자에 대한이동성이 큰물질이 적합하다. 상기 전자 수송 물질의 구체적인 예로는， 8 -히드록시퀴놀린의 시 착물; 쇼1¾를포함한착물; 유기 라디칼화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라사용된 바와같이 임의의 원하는캐소드물질과함께사용할수 있다. 특히， 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘， 바륨， 칼슘， 이테르븀및사마륨이고， 각경우알루미늄층또는실버층이 뒤따른다. 전자주입중
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 상기 전자수송층과 음극 사이에 전자주입층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로， 전자를 수송하는 능력을 갖고， 음극으로부터의 전자주입 효과， 발광층또는 발광재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한， 박막형성능력이우수한화합물이 바람직하다. 상기 전자주입층으로 사용될 수 있는 물질의 구체적인 예로는， 플루오레논， 안트라퀴노다이메탄， 다이페노퀴논 , 티오피란 다이옥사이드， 옥사졸， 옥사다이아졸， 트리아졸， 이미다졸， 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄， 안트론 등과 그들의 유도체， 금속 착체 화합물 및 질소함유 5원환유도체등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 금속착체 화합물로서는 8 -하이드록시퀴놀리나토리륨, 비스（8- 하이드록시퀴놀리나토）아연， 비스（8 -하이드록시퀴놀리나토）구리， 비스（8- 하이드록시퀴놀리나토）망간， 트리스（8 -하이드록시퀴놀리나토）알루미늄， 트리스（2 -메틸- 8 -하이드록시퀴놀리나토）알루미늄 , 트리스（8- 하이드록시퀴놀리나토）갈륨， 비스（10 -하이드록시벤조［비퀴놀리나토）베릴륨， 비스（10 -하이드록시벤조比］퀴놀리나토）아연， 비스（2 -메틸- 8- 퀴놀리나토）클로로갈륨 , 비스（2 -메틸- 8 -퀴놀리나토）（0 -크레졸라토）갈륨 , 비스（2 -메틸- 8 -퀴놀리나토）（1 -나프톨라토）알루미늄, 비스（2 -메틸- 8- 퀴놀리나토）（2 -나프톨라토）갈륨등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 음극
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가작은물질인 것이 바람직하다. 상기 음극물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인둠, 이트륨, 리튬, 가돌리늄， 알루미늄， 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 Li¾Ml과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 유기 발광소자
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 상술한 구성을 순차적으로 적증시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 (sputter ing)이나 전자범 증발법 (e-beam evaporat ion)과 같은 PVD( physical Vapor Depos i t ion)방법을 이용하여， 기판상에 금속또는 전도성을가지는금속산화물또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고， 그 위에 정공 주입층， 정공수송층， 발광층, 정공저지층 및 전자수송층을포함하는유기물층을 형성한후, 그 위에 음극으로사용할수 있는물질을증착시켜 제조할수있다. 이와같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부타 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한， 발광층은 호스트 및 도펀트를 진공증착법 뿐만아니라용액 도포법에 의하여 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라함은스핀 코팅, 딥코팅， 닥터 블레이딩， 잉크젯 프린팅， 스크린프린팅， 스프레이법， 롤코팅 등을의미하지만, 이들만으로 한정되는것은아니다. 이와같은방법 외에도， 기판상에 음극물질로부터 유기물층, 양극 물질을차례로증착시켜 유기 발광소자를제조할수 있다 (W0 2003/012890) . 다만, 제조방법이 이에 한정되는것은아니다. 한편, 본발명에 따른유기 발광소자는사용되는재료에 따라전면 발광형 , 후면발광형 또는양면발광형일수있다. 이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일뿐， 이에 의해본발명의 내용이 한정되는것은아니다. ［제조예］
제조예 1： 화합물 1의 제조
(단계 1)
Figure imgf000030_0002
환류 후， 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (0)(1.2 1.0 _01 )를 넣고 추가로 5시간 가열 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘 후， 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤， 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류후에탄올로세정하여 화합물 1-쇼(39용, 수율 96%)를제조하였다.
Figure imgf000030_0001
화합물 1-A(39 g, 86.4 mmol )와 탄산칼륨 (23.9 g, 172.7 mmol )을 아세토니트릴 용매 300 此에 넣고 50°C로 가열하였다. 30분 교반 후， 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
1，1，2,2,3,3,4,4,4 -노나플루오로부탄- 1 -설포닐플루오라이드（39.1
Figure imgf000031_0001
129.6
1페01）를 첨가한 뒤 상온으로 온도를 낮추고， 1시간 더 교반하였다. 반응 종료후 1차로여과하여 불순물을제거하였다. 그후에탄올슬러리를통해 화합물 1-6（60§, 수율 95%）를제조하였다.
Figure imgf000031_0002
화합물 1^（50 68.2 _01）， （9， 9 -디페닐-애-플루오렌 -2- 일）보론산（25.9
Figure imgf000031_0004
71.6 _01） 및 탄산칼륨（18.8
Figure imgf000031_0003
136.3 ■01）을 테트라하이드로퓨란 용매 400 에 넣고 가열 교반하였다. 환류 후, 테트라키스（트리페닐포스핀）팔라듐（0）（2.4 § , 2.0 _01）을 넣고 6시간가열 교반하였다. 반응 용액을 식힌 뒤 여과 후, （¾ 슬러리 정제를 통해 화합물 1（47§ 수율 91.7%）을얻었다.
15： ［¾!+¾+ = 752
Figure imgf000031_0005
（9,9 -디페닐- 9난_들루오렌ᅳ2 -일）보론산 대신 9,9'- 스피로비［플루오렌］ -2 -일 보론산을 사용한 것을 제외하고， 화합물 1의 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
제조방법과동일한방법으로화합물 3을제조하였다.
Figure imgf000032_0001
（9, 9 -디페닐- 9 플루오렌 -2 -일）보론산 대신 스피로［플루오렌 -9,8’- 인돌로［3, 2, 1 -데］아크리딘］- 2 -일 보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1의 제조방법과동일한방법으로화합물 5를제조하였다.
¾내］+ = 839 제조예 4： 화합물 7의 제조
Figure imgf000032_0002
（9, 9 -디페닐-애-플루오렌 -2 -일）보론산 대신 트리페닐렌 -2 -일 보론산을 사용한 것을 제외하고， 화합물 1의 제조방법과 동일한 방법으로 화합물 7을제조하였다.
내］+ = 662 제조예 5： 화합물 9의 제조
（단계 1）
Figure imgf000033_0001
9-A
1-브로모나프탈렌 -2 -올 (20.0 g, 89.7 mmol) , (4-(트리페닐렌 -2- 일)페닐)보론산 (31.2 g, 89.7 mmol) 및 탄산칼륨 (24.8 g, 179.3 mmol)을 넣고 가열 교반하였다. 환류후, 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (0) (3. 1 g, 2.6 mmol)를 넣고 추가로 3시간 가열 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘후， 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤， 무수 황산 마그네슘으로건조하였다. 감압증류후 에탄올로세정하여 화합물 9-A(38g, 수율 95%)를제조하였다.
MS： [M+H]+ = 447
Figure imgf000033_0002
9-A 9-B
화합물 1 대신 화합물 9-쇼를사용한것을제외하고， 화합물 1내의 제조방법과동일한방법으로화합물 9 를제조하였다.
15： _1]+ = 729 （단계 3）
Figure imgf000034_0001
-2- 일）보론산 대신 2, 4 -디페닐- 6-（4-（4, 4, 5, 5 -테트라메틸- 1,3,2 -디옥사보로렌_
2 -일）페닐）- 1,3, 5 -트리아진을사용한것을 제외하고화합물 1의 제조방법과 동일한방법으로화합물 9를제조하였다.
내］+ = 738 제조예 6：화합물 11의 제조
（단계 1）
Figure imgf000034_0002
1-브로모나프탈렌 -2 -올（20.0 g, 89.7 mmol）, 트리페닐렌 _2 -일 보론산（24.4 g, 89.7 mmol） 및 탄산칼륨（24.8 g, 179.3 mmol）을 넣고 가열 교반하였다. 환류 후, 테트라키스（트리페닐포스핀）팔라듐（0）（3.1 g, 2.6 mmol）를 넣고 추가로 3시간 가열 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를낮준후， 1차로여과하여 불순물을제거하였다. 여과물을물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤, 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에탄올로 세정하여 화합물 ll-A（30g， 수율 91%）를제조하였다. 2019/098766 1»（：1/10公018/014128
[! ]+ = 371
（단계 2）
Figure imgf000035_0001
11-요 11-8
화합물 1_쇼대신화합물 11-쇼를사용한것을제외하고, 화합물
Figure imgf000035_0002
같은방법으로화합물 11내를제조하였다.
!£： [¾1州]+ = 653
（단계 3）
Figure imgf000035_0003
화합물 11내（50 §, 76.6 _01）， 2,4 -디페닐- 6-（4-（4,4,5,5_ 테트라메틸- 1,3,2 -디옥사보로렌 -2 -일）페닐）- 1， 3, 5 -트리아진（33.4 §, 76.6
_01）， 탄산칼륨（20.3 §, 153.2 _01） 및 테트라키스（트리페닐포스핀）팔라듐（
Figure imgf000035_0004
2.3 _01）을 넣고 4시간가열 교반하였다. 반응 종료 후 반응 용액을 식히고 여과 한 뒤， ¾（犯 슬러리 정제를통해화합물
Figure imgf000035_0005
수율 93%）을얻었다.
15： [1«+11]+ = 662 제조예 7： 화합물 13의 제조
（단계 1） 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000036_0001
13-요
2， 4 -디페닐- 6-（4-（4 , 4,5, 5 -테트라메틸- 1， 3 , 2 -디옥사보로렌 -2- 일）페닐）- 1，3,5 -트리아진 대신 2,4 -디페닐- 6-（3-（4,4,5,5 -테트라메틸_
1,3,2 -디옥사보로렌 -2 -일）페닐）- 1,3, 5 -트리아진을 사용한 것을 제외하고， 화합물 1-쇼와같은방법으로화합물 13 를제조하였다.
13： 내］+ = 452
（단계 2）
Figure imgf000036_0002
화합물 1^대신화합물 13 를사용한것을제외하고， 화합물 1내와 같은방법으로화합물 13내를제조하였다.
+비+ = 734
（단계 3）
Figure imgf000036_0003
2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
화합물 1내대신 화합물 13내를사용하고 （9,9_디페닐- 91^-들루오렌- 2 -일）보론산 대신 （9, 9 -디페닐-卵-플루오렌 -4 -일）보론산을 사용한 것을 제외하고， 화합물 1과같은방법으로화합물 13을제조하였다.
Figure imgf000037_0001
（9 , 9 -디페닐- 9묘-풀루오렌 -4 -일）보론산 대신 9,9' - 스피로비［플루오렌］ -2 -일 보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 13과 같은방법으로화합물 14를제조하였다.
+비+ = 750 제조예 9： 화합물 18의 제조
Figure imgf000037_0002
보론산을 사용한 것을 제외하고， 화합물 13과 같은 방법으로 화합물 14를 제조하였다.
¾犯: [¾1+비+ = 588 제조예 10: 화합물 19의 제조 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000038_0001
화합물 1냉 대신 화합물 13생를사용한 것을 제외하고， 화합물 7과 같은방법으로화합물 19를제조하였다.
1犯: [¾1내]+ = 662 제조예 11: 화합물 50의 제조
（단계 1）
Figure imgf000038_0002
2 , 4 -디페닐- 6-（4-（4 ,4,5, 5 -테트라메틸- 1， 3 , 2 -디옥사보로렌 -2- 일）페닐）- 1，3, 5 -트리아진 대신 2-（ [1，1，_비페닐]- 3 -일）- 4 -페닐- 6-（4-
（4,4, 5, 5 -테트라메틸- 1，3,2 -디옥사보로렌 -2 -일）페닐）- 1，3,5 -트리아진을 사용한 것을 제외하고， 화합물 1기\와 같은 방법으로 화합물 50 4를 제조하였다.
13： [¾마1]+ 528
（단계 2） 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000039_0001
화합물 1 대신화합물 50 를사용한것을제외하고， 화합물 1내와 같은방법으로화합물 50내를제조하였다.
내］+ = 810
（단계 3）
Figure imgf000039_0002
（9, 9 -디페닐-에-플루오렌 -2 -일）보론산 대신 （ 4-（抑_카바졸- 9- 일）페닐）보론산을사용한것을제외하고， 화합물 1과같은방법으로화합물 50을제조하였다.
내］+ = 753 제조예 12: 화합물 66의 제조
Figure imgf000039_0003
（9, 9 -디페닐-에_플루오렌 -2 -일）보론산 대신 4,4,5, 5 -테트라메틸- 2-
（4-（7 -페닐-개_벤조［（：］플루오렌 -7 -일）페닐）- 1,3,2 -디옥사보로렌을 사용한 것을제외하고， 화합물 1과같은방법으로화합물 66을제조하였다. 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
_]+ = 802 제조예 13:화합물 82의 제조
Figure imgf000040_0001
(9 , 9 -디페닐- -들루오렌 -2-일)보론산 대신 (4-(페난트렌- 2_ 일)페닐)보론산을사용한것을제외하고， 화합물 1과같은방법으로화합물 82를제조하였다.
대 = 688 제조예 14:화합물요의 제조
Figure imgf000040_0003
가열 및 교반하였다. 환류후, 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (0)(2.1 § 3 1%)을 넣고 추가로 6시간 동안 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘후， 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤， 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에탄올로 재결정하여 화합물
Figure imgf000040_0002
수율 78%)를제조하였다.
¾松: 내］+ = 421 2019/098766 1»(：1/10公018/014128
제조예 15: 화합물 6의 제조
Figure imgf000041_0001
3 -브로모디벤조퓨란 (15 60.7 _01 ) , (10 -페닐안트라센- 9- 일)보론산 (18.1
Figure imgf000041_0002
60.7 _01 ) 및 탄산 칼륨 (25.1 182.1_01 )을 넣고 가열 및 교반하였다. 환류후， 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (0)(2.1 3 1¥1%)를 넣고 추가로 7시간 동안 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘후， 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤， 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압증류 후 에탄올로 재결정하여 상기 화합물
Figure imgf000041_0003
2 -브로모나프토［2,3-비벤조퓨란 (15 당, 50.5 _01 ) ( 10- 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000042_0001
50.5 ^01） 및 탄산칼륨（20.9 151.4
■01）을 넣고 가열 및 교반하였다. 환류 후, 테트라키스（트리페닐포스핀）팔라듐（0）（1.7용， 3 0101%）를 넣고추가로 8시간 동안 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘 후, 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤， 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에탄올로 재결정하여 상기 화합물 0（16.3§ , 수율 69%）를 제조하였다.
¾犯: [¾1+비+ = 471 제조예 17:화합물 I）의 제조
Figure imgf000042_0002
3 -브로모디벤조퓨란（15 당， 60.7 _01）， （10 -페닐안트라센- 9- 일）보론산
Figure imgf000042_0004
60.7 ■01） 및 탄산
Figure imgf000042_0003
182.1 _01）을 넣고 가열 및 교반하였다. 환류후, 테트라키스（트리페닐포스핀）팔라듐（0）（2.1 § , 3 0101%）를 넣고 추가로 5시간 동안 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘후， 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤， 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에탄올로 재결정하여 상기 화합물 1）（20.2 8， 수율 79%）를제조하였다.
18： ¾내]+ = 421 제조예 18:화합물 £의 제조
Figure imgf000043_0001
4 -브로모- 1,1'-비페닐 (10 42.9 _01)， (10-(나프탈렌 -1- 일)안트라
Figure imgf000043_0002
42.9 _01) 및 탄산
Figure imgf000043_0003
128.7
!페101)을 넣고 가열 및 교반하였다. 환류 후， 테트라키스 (트리
Figure imgf000043_0004
3 1%)를 넣고추가로 5시간 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘 후， 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤, 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에탄올로 재결정하여 상기 화합물 £(16.1§ 수율 82%)를 제조하였다.
Figure imgf000043_0005
2-(4 -브로모페닐)나프탈렌 (10 35.3 mmol), (10-(나프탈렌 -1- 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
일）안트라
Figure imgf000044_0001
35.3 _01） 및 탄산 칼륨（14.6용， 105.9
■01）을 넣고 가열 및 교반하였다. 환류 후, 테트라키스（트리페닐포스핀）팔라듐（
Figure imgf000044_0002
넣고추가로 6시간 동안 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘 후， 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤， 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에탄올로 재결정하여 상기 화합물 （14.3
Figure imgf000044_0003
수율 80%）를 제조하였다.
¾+비+ = 507 제조예 20：화합물 6의 제조
Figure imgf000044_0004
5，-브로모- 1, 1， :3,，1"_터페닐（15 48.5 _01）， （10-（나프탈렌 -2- 일）안트라
Figure imgf000044_0005
48.5 _01） 및 탄산
Figure imgf000044_0006
145.5 1^101）을 넣고 가열 및 교반하였다. 환류 후， 테트라키스（트리페닐포스핀）팔라듐（0）（1.7당, 3 0101%）를 넣고추가로 6시간 동안 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘 후， 1차로 여과하여 불순물을 제거하였다. 여과물을 물에 넣고 클로로포름으로 추출하여 유기층을 얻은 뒤, 무수 황산 마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에탄올로 재결정하여 상기 화합물 6（17.1
Figure imgf000044_0007
수율 66%）를 제조하였다.
州］+ = 533
［실시^!］ 실시예 1
I T0( indium tin oxide)가 1300 A의 두께로박막코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사 (Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터 (Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. IT0를 30분간세척한후증류수로 2회 반복하여 초음파세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후， 이소프로필알콜， 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다.또한,산소플라즈마를이용하여 상기 기판을 5분간세정한후 진공증착기로기판을수송시켰다. 상기와같이 준비된 IT0투명 전극위에 하기 화합물 -쇼를 600 A의 두께로 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 화합물 HAT-CN(50A) 및 하기 화합물 HT-A(600A)를순차적으로 진공 증착하여 정공수송층을형성하였다. 이어서,상기 정공수송층위에 막두께 200 A으로앞서 제조한화합물 A와하기 화합물요를 25:1의 중량비로진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층위에 앞서 제조한화합물 1을 50 A 두께로 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다. 상기 정공저지층 위에 하기 화합물 ET-A와 LiQ(8-hydroxyquinolatol ithium) 화합물을 2:1 중량비로 300A의 두께로 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 10 A 두께로 리륨 플루라이드 (LiF)와 1,000A 두께로 알루미늄을증착하여 음극을형성하였다.
2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000046_0001
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 - 0.9 시 :를 유지하였고， 음극의 리륨플루오라이드는 0.3 ᅀ八 ， 알루미늄은 2 入八 의 증착속도를유지하였으며， 증착시 진공도는 1>< 10-7내지 5X 10一8 1:01·!를유지하여, 유기 발광소자를제작하였다. 실시예 2내지 26
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하되， 화합물 요와 화합물 1 대신 각각 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하여， 유기 발광 소자를 제조하였다. 비교예 1내지 7
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하되， 화합물 쇼와 화합물 1 대산 각각 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하여, 유기 발광 소자를 제조하였다. 하기 표 1에서 1， 2， 3, 4, 附5및牌6화합물은각각 하기와같다. 2019/098766 1»(：1/10公018/014128
Figure imgf000047_0001
실험예
전술한 방법으로 제조한 유기 발광 소자를 10 八: 의 전류 밀도에서 구동 전압，‘발광효율및 색좌표를측정하였고， 20 八:미2의 전류 밀도에서 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간 9 )을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
【표 1]
Figure imgf000047_0002
2019/098766 1»(그1^1{2018/014128
Figure imgf000048_0001
【부호의 설명】
1: 기판 2： 양극
3： 발광층 4： 정공저지층
5： 음극 6: 정공주입층
7： 정공수송층 8： 전자수송층
9： 전자주입층

Claims

2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
【특허청구범위】
【청구항 11
양극;
발광층;
정공저지층; 및
음극을포함하고，
상기 정공저지층은하기 화학식 1로표시되는화합물을포함하고， 상기 발광층은하기 화학식 2로표시되는화합물을포함하는， 유기 발광소자:
［화학식 1］
Figure imgf000049_0001
상기 화학식 1에서，
및 는 각각 나프탈렌의 1번 및 2번 위치에 결합되거나， 또는 나프탈렌의 2번및 1번위치에 결합하고，
은 치환또는 비치환된 06-60아릴렌; 또는 치환또는 비치환된 0, 比 및 중 1개 이상을포함하는 02-60헤테로아릴텐이고，
는 결합; 치환 또는 비치환된 06-60 아릴텐; 또는 치환 또는 비치환된 0, ^ 및 £중 1개 이상을포함하는 02-60헤테로아릴렌이고，
! 및 2는 각각독립적으로 치환또는 비치환된 06-60 아릴 ; 또는 치환 또는 비치환된 0， 比 및 £ 중 1개 이상을 포함하는 02-60 헤테로아릴이고，
3는치환또는비치환된 06-60아릴; 또는치환또는비치환된 0, 및 £중 1개 이상을포함하는 02-60헤테로아릴이고，
단， 3는피리딘, 퀴놀린， 이소퀴놀린， 페난쓰리딘， 벤조 ］퀴놀린， 벤조［ 이소퀴놀린， 벤조 ¾］퀴놀린， 또는 벤조［비이소퀴놀린 구조를 가지지 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
않으며，
[화학식 到
Figure imgf000050_0001
상기 화학식 2에서
및 ’2는각각독립적으로치환또는.비치환된 06-60아릴; 또는 치환 또는 비치환된 0， ^ 및 중 1개 이상을 포함하는 02-60 헤테로아릴이고，
요 및 요’2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴; 니트로 ; 아미노 ; 치환 또는 비치환된 01-60 알킬 ; 치환또는 비치환된 03-60 사이클로알킬; 치환또는비치환된 02-60알케닐기; 치환또는비치환된 06-60 아릴; 또는치환또는비치환된 0및 로구성되는군으로부터 선택되는 어느하나이상의 헤테로원자를포함하는 02-60헤테로아릴이고,
3및 I）는각각독립적으로 0내지 4의 정수이다.
【청구항 2]
제 1항에 있어서，
은페닐렌인，
유기 발광소자.
【청구항 3]
제 1항에 있어서，
는결합， 또는페닐렌인,
유기 발광소자.
【청구항 4]
제 1항에 있어서，
쇼 은페닐인, 2019/098766 1»(：1^1{2018/014128
유기 발광소자.
【청구항 5]
제 1항에 있어서，
2는페닐， 또는비페닐인,
유기 발광소자.
【청구항 6]
제 1항에 있어서，
3은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로하는，
유기 발광소자:
Figure imgf000051_0001
내지 ¾은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴; 니트로 ; 아미노 ; 치환 또는 비치환된 01-60 알킬 ; 치환또는 비치환된 ¾-60 사아클로알킬 ; 치환또는비치환된 02-60알케닐기 ; 치환또는비치환된 06-60 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
아릴; 또는치환또는비치환된 0, 및 중 1개 이상을포함하는 02-60 헤테로고리기아고，
1은각각독립적으로 0내지 4의 정수이다.
【청구항 7】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는어느하나인것을특징으로하는，
유기 발광소자:
Figure imgf000053_0001
Figure imgf000054_0001
Figure imgf000055_0001
Figure imgf000056_0001
Figure imgf000057_0001
Figure imgf000058_0001
2019/098766 1»（：1/10公018/014128
Figure imgf000059_0001
【청구항 8]
제 1항에 있어서，
은 나프틸， 페난쓰레닐， 디벤조퓨라닐， 또는 하기로 표시되는 치환기인，
유기 발광소자: 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000060_0001
상기에서，요는인접한두개의 고리와융합된벤젠고리이다.
【청구항 9]
5 제 1항에 있어서，
’2는비페닐릴， 터페닐릴， 나프틸페닐 , 또는페난쓰레닐페닐인， 유기 발광소자.
【청구항 10】
10 제 1항에 있어서，
Figure imgf000060_0002
유기 발광소자.
【청구항 11】
15 제 1항에 있어서，
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는어느하나인 것을특징으로하는,
유기 발광소자:
Figure imgf000061_0001
60
Figure imgf000062_0001
2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
Figure imgf000063_0001
【청구항 12】
제 1항에 있어서，
상기 발광층은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 추가로 포함하는，
유기 발광소자:
Figure imgf000063_0002
상기 화학식 3에서,
느 "는치환또는비치환된 06-60아릴렌이고， 2019/098766 1»（：1^1{2018/014128
紅"1 내지 "4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 06-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 0， 및 중 1개 이상을 포함하는 02-60 헤테로아릴이다.
【청구항 13】
제 12항에 있어서,
는하기로구성되는군으로부터 선택되는어느하나인，
Figure imgf000064_0001
상기에서，
묘 "는 각각 독립적으로， 수소， 치환 또는 비치환된 01-60 알킬， 또는 치환또는비치환된 03-60사이클로알킬이다.
【청구항 14】
제 12항에 있어서，
紅’’1및 "4는디벤조퓨라닐인，
유기 발광소자.
【청구항 15】
제 12항에 있어서，
상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는어느하나인 것을특징으로하는，
유기 발광소자: WO 2019/098766
Figure imgf000065_0001
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