TW202043248A

TW202043248A - 有機電致發光材料及裝置

Info

Publication number: TW202043248A
Application number: TW109104689A
Authority: TW
Inventors: 斌馬; 渥特亞吉爾; 愛得華巴爾朗; 艾倫狄安裘利斯; 傳軍夏; 瓦丁亞當威區; 史考特比爾斯
Original assignee: 美商環球展覽公司
Priority date: 2014-08-07
Filing date: 2015-08-07
Publication date: 2020-12-01
Also published as: CN105367606A; KR102708021B1; KR20220130639A; CN105367606B; TWI794586B; KR20160018433A; EP3705552A1; JP6811828B2; KR102444594B1; JP6619578B2; US10411200B2; JP2020045348A; US20160049599A1; TW201609760A; JP2016037499A; TWI687425B; CN110498817A; EP2982729A1; EP2982729B1

Abstract

本發明揭示一種具有式Ir(L_A )_n (L_B )_3-n 之化合物，其中L_A 為氮雜-DBF配位體，L_B 為經烷基取代之苯基吡啶配位體，n為1至3之整數，且其中該化合物具有根據式I之結構：

Description

有機電致發光材料及裝置

本發明係關於有機發光裝置。更特定言之，本發明係關於包含經烷基取代之苯基吡啶配位體及氮雜-二苯并呋喃(氮雜-DBF)配位體之發光銥錯合物，其適用作磷光發光裝置(PHOLED)中之綠色磷光發射極。

出於若干原因，利用有機材料之光電裝置變得愈來愈受歡迎。用於製造此類裝置之材料中的許多材料相對便宜，因此有機光電裝置具有獲得相對於無機裝置之成本優勢之潛力。另外，有機材料之固有性質(諸如其可撓性)可使其非常適合特定應用，諸如在可撓性基板上之製造。有機光電裝置之實例包括有機發光裝置(OLED)、有機光電晶體、有機光伏打電池及有機光偵測器。對於OLED，有機材料可具有優於習知材料之效能優勢。舉例而言，有機發光層發光時之波長一般可容易地用適當摻雜劑來調節。當在裝置上施加電壓時，OLED利用發光的有機薄膜。OLED正成為適用於諸如平板顯示器、照明以及背光之應用的愈來愈受關注之技術。若干OLED材料及組態描述於美國專利第5,844,363號、第6,303,238號及第5,707,745號中，其以全文引用之方式併入本文中。磷光發射分子之一種應用為全色顯示器。用於這種顯示器之行業標準需要適於發射特定顏色(稱為「飽和」色)的像素。特定言之，此等標準需要飽和紅色、綠色及藍色像素。顏色可使用此項技術中熟知之CIE座標量測。綠色發射分子之一個實例為三(2-苯基吡啶)銥，表示為Ir(ppy)₃ ，其具有以下結構：

在此圖及本文後面的圖中，將自氮至金屬(此處，Ir)之配位鍵描繪為直線。如本文所用，術語「有機」包括聚合材料以及小分子有機材料，其可用於製造有機光電裝置。「小分子」係指不為聚合物之任何有機材料，且「小分子」實際上可能相當大。在某些情況下，小分子可包括重複單元。舉例而言，使用長鏈烷基作為取代基不會將分子自「小分子」類別中移除。小分子亦可例如作為聚合物主鏈上之側基或作為主鏈之一部分併入聚合物中。小分子亦可充當樹枝狀聚合物之核心部分，該樹枝狀聚合物由一系列建構於核心部分上之化學殼組成。樹枝狀聚合物之核心部分可為螢光或磷光小分子發射體。樹枝狀聚合物可為「小分子」，且咸信目前用於OLED領域之所有樹枝狀聚合物均為小分子。如本文所用，「頂部」意謂離基板最遠，而「底部」意謂離基板最近。在將第一層描述為「安置於」第二層「上」之情況下，第一層經安置為距基板較遠。除非規定第一層「與」第二層「接觸」，否則第一層與第二層之間可存在其他層。舉例而言，即使陰極與陽極之間存在各種有機層，仍可將陰極描述為「安置於」陽極「上」。如本文所用，「溶液可處理」意謂能夠以溶液或懸浮液之形式在液體介質中溶解、分散或傳輸及/或自液體介質沈積。當咸信配位體直接促成發射材料之光敏性質時，配位體可稱為「光敏性的」。當咸信配位體並不促成發射材料之光敏性質時，配位體可稱為「輔助性的」，但輔助性配位體可改變光敏性配位體之性質。如本文所用，且如熟習此項技術者一般將理解，若第一能階較接近真空能階，則第一「最高佔用分子軌域」(HOMO)或「最低未佔用分子軌域」(LUMO)能階「大於」或「高於」第二HOMO或LUMO能階。由於將電離電位(IP)量測為相對於真空能階之負能量，因此較高HOMO能階對應於具有較小絕對值之IP(負得較少之IP)。類似地，較高LUMO能階對應於具有較小絕對值之電子親和性(EA) (負得較少之EA)。在習知能階圖上，真空能階在頂部，材料之LUMO能階高於同一材料之HOMO能階。「較高」HOMO或LUMO能階表現為比「較低」HOMO或LUMO能階靠近該圖之頂部。如本文所用，且如熟習此項技術者一般將理解，若第一功函數具有較高絕對值，則第一功函數「大於」或「高於」第二功函數。因為功函數一般經量測相對於真空能階為負數，故此意謂「較高」功函數負得較多。在頂部為真空能階之習知能階圖上，「較高」功函數經圖示為在向下方向上離真空能階較遠。因此，HOMO及LUMO能階之定義遵循與功函數不同的慣例。關於OLED之更多細節及上文所描述之定義可見於美國專利第7,279,704號中，其以全文引用之方式併入本文中。

根據本發明之一實施例，揭示具有式Ir(L_A )_n (L_B )_3-n 之化合物，其中L_A 為氮雜-DBF配位體，且L_B 為經烷基取代之苯基吡啶配位體，其中該化合物具有根據式I之結構：

式I，其中A¹ 、A² 、A³ 、A⁴ 、A⁵ 、A⁶ 、A⁷ 及A⁸ 包含碳或氮；其中A¹ 、A² 、A³ 、A⁴ 、A⁵ 、A⁶ 、A⁷ 及A⁸ 中之至少一者為氮；其中環B經由C-C鍵鍵結至環A；其中銥經由Ir-C鍵鍵結至環A；其中X為O、S或Se；其中R¹ 及R² 各自獨立地表示單取代基、二取代基、三取代基、四取代基或無取代基；其中R'及R"各自獨立地表示單取代基、二取代基或無取代基；其中R'、R"、R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 中之任何相鄰取代基視情況連接在一起形成環；其中R¹ 、R² 、R'及R"各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；其中R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、烷基、環烷基及其組合；其中n為1至3之整數；及其中R³ 及R⁴ 對以及R⁵ 及R⁶ 對中之至少一者中之總碳數為至少四個。根據另一實施例，亦揭示一種第一裝置，其包含第一有機發光裝置。該第一有機發光裝置包含：陽極；陰極；及安置於陽極與陰極之間的有機層。有機層包含具有根據式I之結構之化合物。根據又一實施例，亦揭示一種調配物，其包含具有根據式I之結構之化合物。本文所揭示之發光銥錯合物可用於OLED中，作為磷光OLED中之發射體。化合物展現所需較低昇華溫度、較飽和顏色CIE。

相關申請案之交叉參考本申請案為2014年8月7日申請之美國專利申請案第14/453,777號之部分接續申請案，其全部內容以引用之方式併入本文中。聯合研究協議之各方所主張之本發明係由達成聯合大學公司研究協議的以下各方中之一或多者，以以下各方中之一或多者的名義及/或結合以下各方中之一或多者而作出：密歇根大學董事會(Regents of the University of Michigan)、普林斯頓大學(Princeton University)、南加州大學(University of Southern California)及環宇顯示器公司(Universal Display Corporation)。該協議在作出所主張之本發明的日期當天及之前就生效，且所主張之本發明係因在該協議之範圍內進行的活動而作出。一般而言，OLED包含至少一個安置於陽極與陰極之間且電連接至陽極及陰極之有機層。當施加電流時，陽極注入電洞且陰極注入電子至有機層中。所注入之電洞及電子各自朝帶相反電荷之電極遷移。當電子及電洞侷限於同一分子上時，形成「激子」，其為具有激發能態之局部化電子-電洞對。當激子經由光發射機制弛豫時，發射光。在一些情況下，激子可侷限於準分子或激發複合物上。非輻射機制(諸如熱弛豫)亦可能發生，但通常視為不合需要的。最初之OLED使用自單重態發射光(「螢光」)之發射分子，如例如美國專利第4,769,292號中所揭示，該專利以全文引用之方式併入。螢光發射通常在小於10奈秒之時間範圍中發生。最近，已論證具有自三重態發射光(「磷光」)之發射材料之OLED。Baldo等人之「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」，Nature，第395卷，151-154，1998；(「Baldo-I」)及Baldo等人之「Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence」，Appl. Phys. Lett.，第75卷，第3期，4-6(1999)(「Baldo-II」)，其以全文引用之方式併入。以引用之方式併入之美國專利第7,279,704號第5-6行中更詳細地描述磷光。圖1展示有機發光裝置100 。圖不一定按比例繪製。裝置100 可包括基板110 、陽極115 、電洞注入層120 、電洞傳輸層125 、電子阻擋層130 、發射層135 、電洞阻擋層140 、電子傳輸層145 、電子注入層150 、保護層155 、陰極160 及障壁層170 。陰極160 為具有第一導電層162 及第二導電層164 之複合陰極。裝置100 可藉由依序沈積所描述之層來製造。在以引用之方式併入之US 7,279,704的第6-10行中更詳細地描述此等各種層以及實例材料之特性及功能。此等層中之每一者的更多實例為可用的。舉例而言，以全文引用之方式併入之美國專利第5,844,363號中揭示可撓且透明的基板-陽極組合。經p摻雜之電洞傳輸層之實例為以50:1之莫耳比率摻雜有F₄ -TCNQ的m-MTDATA，如以全文引用之方式併入之美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示。以全文引用之方式併入的Thompson等人之美國專利第6,303,238號中揭示主體材料之實例。經n摻雜之電子傳輸層之實例為以1:1之莫耳比率摻雜有Li的BPhen，如以全文引用之方式併入之美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示。以全文引用之方式併入之美國專利第5,703,436號及第5,707,745號揭示陰極之實例，其包括具有諸如Mg:Ag之金屬薄層與上覆的透明、導電、經濺鍍沈積之ITO層的複合陰極。以全文引用之方式併入之美國專利第6,097,147號及美國專利申請公開案第2003/0230980號中更詳細地描述阻擋層之理論及使用。以全文引用之方式併入之美國專利申請公開案第2004/0174116號中提供注入層之實例。保護層之描述可見於以全文引用之方式併入之美國專利申請公開案第2004/0174116號中。圖2展示倒轉的OLED200 。該裝置包括基板210 、陰極215 、發射層220 、電洞傳輸層225 及陽極230 。裝置200 可藉由依序沈積所描述之層來製造。因為最常見OLED組態具有安置於陽極上之陰極，且裝置200 具有安置於陽極230 下之陰極215 ，所以裝置200 可稱為「倒轉的」OLED。在裝置200 之對應層中，可使用與關於裝置100 所描述之材料類似的材料。圖2提供可如何自裝置100 之結構省略一些層的一個實例。圖1及圖2中所說明之簡單分層結構係作為非限制實例而提供，且應理解，可結合各種各樣之其他結構使用本發明之實施例。所描述之特定材料及結構本質上為例示性的，且可使用其他材料及結構。可基於設計、效能及成本因素，藉由以不同方法組合所描述之各種層來實現功能性OLED，或可完全省略層。亦可包括未特定描述之其他層。可使用除特定描述之彼等材料以外的材料。儘管本文所提供之實例中之許多實例將各種層描述為包含單一材料，但應理解，可使用材料之組合，諸如主體與摻雜劑之混合物，或更一般而言混合物。此外，層可具有各種子層。本文中給予各種層之名稱不意欲具有嚴格限制性。舉例而言，在裝置200 中，電洞傳輸層225 傳輸電洞且將電洞注入至發射層220 中，且可描述為電洞傳輸層或電洞注入層。在一個實施例中，可將OLED描述為具有安置於陰極與陽極之間的「有機層」。此有機層可包含單個層，或可進一步包含如例如關於圖1及圖2所描述之不同有機材料的多個層。亦可使用未特定描述之結構及材料，諸如包含聚合材料之OLED (PLED)，諸如以全文引用之方式併入的Friend等人之美國專利第5,247,190號中所揭示。作為另一實例，可使用具有單個有機層之OLED。OLED可堆疊，例如如以全文引用之方式併入的Forrest等人之美國專利第5,707,745號中所描述。OLED結構可脫離圖1及圖2中所說明之簡單分層結構。舉例而言，基板可包括有角度之反射表面以改良外部耦合(out-coupling)，諸如如Forrest等人之美國專利第6,091,195號中所描述之台面結構，及/或如Bulovic等人之美國專利第5,834,893號中所描述之凹點結構，該等專利以全文引用之方式併入。除非另外規定，否則可藉由任何適合方法來沈積各種實施例之層中之任一者。對於有機層，較佳方法包括熱蒸發、噴墨(諸如以全文引用之方式併入之美國專利第6,013,982號及第6,087,196號中所描述)、有機氣相沈積(OVPD)(諸如以全文引用之方式併入的Forrest等人之美國專利第6,337,102號中所描述)及藉由有機蒸氣噴射印刷(OVJP)的沈積(諸如以全文引用之方式併入的美國專利第7,431,968號中所描述)。其他適合的沈積方法包括旋塗及其他基於溶液之方法。基於溶液之方法較佳在氮氣或惰性氛圍中進行。對於其他層，較佳方法包括熱蒸發。較佳圖案化方法包括經由遮罩之沈積、冷焊(諸如以全文引用之方式併入之美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所描述)及與諸如噴墨及OVJD之沈積方法中之一些方法相關的圖案化。亦可使用其他方法。可對待沈積之材料進行修飾以使其與特定沈積法相容。舉例而言，可在小分子中使用分支鏈或非分支鏈且較佳含有至少3個碳原子之取代基(諸如烷基及芳基)以增強其經受溶液處理之能力。可使用具有20個或20個以上碳之取代基，且3-20個碳為較佳範圍。具有不對稱結構之材料可比具有對稱結構之材料具有更好的溶液可處理性，因為不對稱材料可具有更低的再結晶傾向性。可使用樹枝狀聚合物取代基來增強小分子經受溶液處理之能力。根據本發明之實施例製造之裝置可進一步視情況包含障壁層。障壁層之一個用途為保護電極及有機層免於因暴露於環境中之有害物質(包括水分、蒸氣及/或氣體等)而受損。障壁層可沈積於基板、電極上，沈積於基板、電極下或沈積於基板、電極旁，或沈積於裝置之任何其他部分(包括邊緣)上。障壁層可包含單個層或多個層。障壁層可藉由各種已知化學氣相沈積技術形成，且可包括具有單一相之組合物以及具有多個相之組合物。任何適合的材料或材料組合均可用於障壁層。障壁層可併有無機化合物或有機化合物或兩者。較佳障壁層包含聚合材料與非聚合材料之混合物，如以全文引用之方式併入本文中之美國專利第7,968,146號、PCT專利申請第PCT/US2007/023098號及第PCT/US2009/042829號中所描述。為被視為「混合物」，構成障壁層之前述聚合材料及非聚合材料應在相同反應條件下及/或在同時沈積。聚合材料與非聚合材料之重量比可在95:5至5:95之範圍內。聚合材料及非聚合材料可由同一前驅體材料產生。在一個實例中，聚合材料與非聚合材料之混合物基本上由聚合矽及無機矽組成。根據本發明之實施例製造之裝置可併入各種各樣的消費型產品中，包括平板顯示器、電腦監視器、醫療監測器、電視機、告示牌、用於內部或外部照明及/或信號傳導之燈、抬頭顯示器、全透明顯示器、可撓性顯示器、雷射印刷機、電話、行動電話、個人數位助理(PDA)、膝上型電腦、數位攝影機、攝錄像機、檢景器、微顯示器、3-D顯示器、運載工具、大面積牆壁、劇院或體育館屏幕，或指示牌。可使用各種控制機構來控制根據本發明製造之裝置，包括被動型矩陣及主動型矩陣。意欲將該等裝置中之許多裝置用於對人類而言舒適之溫度範圍中，諸如18攝氏度至30攝氏度，且更佳在室溫下(20-25攝氏度)，但可在此溫度範圍外(例如-40攝氏度至+80攝氏度)使用。本文所描述之材料及結構可應用於除OLED外之裝置中。舉例而言，諸如有機太陽能電池及有機光偵測器之其他光電裝置可採用該等材料及結構。更一般而言，諸如有機電晶體之有機裝置可採用該等材料及結構。如本文所用，術語「鹵基」或「鹵素」包括氟、氯、溴及碘。如本文所用，術語「烷基」涵蓋直鏈及分支鏈烷基。較佳烷基為含有一至十五個碳原子之烷基，且包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基及其類似者。另外，烷基可視情況經取代。如本文所用，術語「環烷基」涵蓋環狀烷基。較佳環烷基為含有3至7個碳原子之環烷基，且包括環丙基、環戊基、環己基及其類似者。另外，環烷基可視情況經取代。如本文所用，術語「烯基」涵蓋直鏈及分支鏈烯基。較佳烯基為含有二至十五個碳原子之烯基。另外，烯基可視情況經取代。如本文所用，術語「炔基」涵蓋直鏈及分支鏈炔基。較佳炔基為含有二至十五個碳原子之炔基。另外，炔基可視情況經取代。如本文所用，術語「芳烷基」或「芳基烷基」可互換使用且涵蓋具有芳族基團作為取代基之烷基。另外，芳烷基可視情況經取代。如本文所用，術語「雜環基」涵蓋芳族及非芳族環基。芳族雜環基亦指雜芳基。較佳非芳族雜環基為含有包括至少一個雜原子之3或7個環原子之雜環基，且包括環胺，諸如嗎啉基、哌啶基、吡咯啶基及其類似者，及環醚，諸如四氫呋喃、四氫哌喃及其類似者。另外，雜環基可視情況經取代。如本文所用，術語「芳基」或「芳族基團」涵蓋單環基團及多環系統。多環可具有其中兩個碳為兩個鄰接環(該等環「稠合」)共享之兩個或兩個以上環，其中該等環中之至少一者為芳族的，例如其他環可為環烷基、環烯基、芳基、雜環及/或雜芳基。另外，芳基可視情況經取代。如本文所用，術語「雜芳基」涵蓋可包括一至三個雜原子之單環雜芳族基團，例如吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、噁唑、噻唑、三唑、吡唑、吡啶、吡嗪及嘧啶及其類似者。術語雜芳基亦包括具有其中兩個原子為兩個鄰接環(該等環「稠合」)共享之兩個或兩個以上環之多環雜芳族系統，其中該等環中之至少一者為雜芳基，例如其他環可為環烷基、環烯基、芳基、雜環及/或雜芳基。另外，雜芳基可視情況經取代。烷基、環烷基、烯基、炔基、芳烷基、雜環基、芳基及雜芳基可視情況經一或多個選自由以下組成之群的取代基取代：氫、氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、環胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、醚基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。如本文所用，「經取代」表示，不為H之取代基鍵結至相關位置，諸如碳。因此，舉例而言，在R¹ 經單取代時，則一個R¹ 必須不為H。類似地，在R¹ 經二取代時，則兩個R¹ 必須不為H。類似地，在R¹ 未經取代時，R¹ 對於所有可用位置而言均為氫。本文所描述之片段(亦即氮雜-二苯并呋喃、氮雜-二苯并噻吩等)中之「氮雜」名稱意謂各別片段中之一或多個C-H基團可經氮原子置換，例如且無任何限制性地，氮雜聯伸三苯涵蓋二苯并[f,h ]喹諾啉及二苯并[f,h ]喹啉。一般熟習此項技術者可容易地預想上文所描述之氮雜-衍生物之其他氮類似物，且所有此類類似物意欲由如本文所闡述之術語涵蓋。應理解，當將分子片段描述為取代基或以其他方式連接至另一部分時，其名稱可如同其為片段(例如苯基、伸苯基、萘基、二苯并呋喃基)一般或如同其為整個分子(例如苯、萘、二苯并呋喃)一般書寫。如本文所用，此等不同命名取代基或連接片段之方法視為等效的。如本文所用，片語「電子受體」或「受體」意謂可由芳族系統接受電子密度之片段，且片語「電子供體」或「供體」意謂向芳族系統中供給電子密度之片段。在本發明中，揭示包含經烷基取代之苯基吡啶配位體及氮雜-二苯并呋喃(氮雜-DBF)配位體之發光銥錯合物，其適用作PHOLED中之綠色磷光發射體。銥錯合物之熱穩定性為此類錯合物在製造PHOLED裝置方面之可用性的重要因素。銥錯合物之分子修飾可有效地改變錯合物之固態填充，且因此對其熱穩定性及昇華溫度有影響。本發明人已發現含有ppy及氮雜-DBF配位體之混配銥錯合物上之經二取代之烷基(總計至少四個碳原子)出乎意料地在顯著程度上降低昇華溫度且提高顏色CIE。根據一個實施例，揭示具有式Ir(L_A )_n (L_B )_3-n 之化合物，其中L_A 為氮雜-二苯并呋喃配位體，且L_B 為經烷基取代之苯基吡啶配位體，其中該化合物具有根據式I之結構：

式I，其中A¹ 、A² 、A³ 、A⁴ 、A⁵ 、A⁶ 、A⁷ 及A⁸ 包含碳或氮；其中A¹ 、A² 、A³ 、A⁴ 、A⁵ 、A⁶ 、A⁷ 及A⁸ 中之至少一者為氮；其中環B經由C-C鍵鍵結至環A；其中銥經由Ir-C鍵鍵結至環A；其中X為O、S或Se；其中R¹ 及R² 各自獨立地表示單取代基、二取代基、三取代基、四取代基或無取代基；其中R'及R"各自獨立地表示單取代基、二取代基或無取代基；其中R'、R"、R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 中之任何相鄰取代基視情況連接在一起形成環；其中R¹ 、R² 、R'及R"各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；其中R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、烷基、環烷基及其組合；其中n為1至3之整數；及其中R³ 及R⁴ 對以及R⁵ 及R⁶ 對中之至少一者中之總碳數為至少四個。在具有根據式I之結構之化合物之一個實施例中，n為1。在一個實施例中，根據式I之化合物具有根據式II之結構：

式II。在一個實施例中，根據式I之化合物具有根據式III之結構：

式III。在一個實施例中，根據式I之化合物具有根據式IV之結構：

式IV。在具有根據式I之結構之化合物的另一實施例中，A¹ 至A⁸ 中僅一者為氮且A¹ 至A⁸ 中之其餘者為碳。在另一實施例中，A⁵ 至A⁸ 中之一者為氮且A¹ 至A⁸ 之其餘者為碳。根據一實施例，在式I至式IV中，X為O。根據一實施例，式I至式IV中之R¹ 及R² 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、烷基、環烷基及其組合。根據另一態樣，在具有根據式I之結構之化合物中，以下條件(1)及(2)中之至少一者成立： (1) R³ 及R⁴ 各自獨立地選自由以下組成之群：烷基、環烷基、其部分或完全氘化變體及其組合；且組合的R³ 及R⁴ 中之總碳數為至少四個；及 (2) R⁵ 及R⁶ 各自獨立地選自由以下組成之群：烷基、環烷基、其部分或完全氘化變體及其組合；且組合的R⁵ 及R⁶ 中之總碳數為至少四個。根據另一態樣，在具有根據式I之結構之化合物中，以下條件(3)及(4)中之至少一者成立： (3) R³ 及R⁴ 各自獨立地選自由以下組成之群：烷基、環烷基、其部分或完全氘化變體及其組合；R³ 及R⁴ 中之至少一者含有至少一個氘；且組合的R³ 及R⁴ 中之總碳數為至少四個；及 (4) R⁵ 及R⁶ 各自獨立地選自由以下組成之群：烷基、環烷基、其部分或完全氘化變體及其組合；R³ 及R⁴ 中之至少一者含有至少一個氘；且組合的R⁵ 及R⁶ 中之總碳數為至少四個。根據另一態樣，式I至式IV中之R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、環戊基、環己基及其組合。在本發明之另一態樣中，根據式I之化合物具有根據式V之結構：

式V；其中R選自由以下組成之群：烷基、環烷基、其部分或完全氘化變體及其組合。在根據式V之化合物之一個實施例中，R選自由以下組成之群：甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、環戊基、環己基、其部分或完全氘化變體及其組合。在根據式V之化合物之一個實施例中，X為O。在本文所揭示之化合物之一個實施例中，式Ir(L_A )_n (L_B )_3-n 中之配位體L_A 選自由以下組成之群：

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及

。在本文所揭示之化合物之另一實施例中，式Ir(L_A )_n (L_B )_3-n 中之配位體L_B 選自由以下組成之群：

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及

。在本文所揭示之化合物之另一實施例中，化合物選自由以下組成之群：化合物A-1至化合物A-72,280，其中化合物A-x (其中x = 440j +k - 440，k 為1至440之整數，且j 為1至162之整數)中之每一者具有式Ir(L_Ak ) (L_Bj )₂ 。在本文所揭示之化合物之另一實施例中，化合物選自由以下組成之群：

化合物1 、化合物2 、

化合物3 、化合物4 、

化合物5 、化合物6 、

化合物7 、化合物8 、

化合物9 、化合物10 、

化合物11 、化合物12、

化合物13 、化合物14 、

化合物15 、化合物16 、

化合物17 、化合物18 、

化合物19 、化合物20 、

化合物21 、化合物22 、

化合物23 、化合物24 、

化合物25 、化合物26 、

化合物27 、化合物28 、

化合物29 、化合物30 、

化合物31 、化合物32 、

化合物33 、化合物34 、

化合物35 、化合物36 、

化合物37 、化合物38 、

化合物39 、化合物40 、

化合物41 、化合物42 、

化合物43 、化合物44 、

化合物45 、化合物46 、

化合物47 、化合物48 、

化合物49 、化合物50 、

化合物51 、化合物52 、

化合物53 、化合物54 、

化合物55 、化合物56 、

化合物57 、化合物58 、

化合物59 、化合物60 、

化合物61 、化合物62 、

化合物63 、化合物64 、

化合物65 、化合物66 、

化合物67 、化合物68 、

化合物69 、化合物70 、

化合物71 、化合物72 、

化合物73 、化合物74 、

化合物75 、化合物76 、

化合物77 、化合物78 、

化合物79 、化合物80 、

化合物81 、化合物82 、

化合物83 、化合物84 、

化合物85 、化合物86 、

化合物87 、化合物88 、

化合物89 、化合物90 、

化合物91 、化合物92 、

化合物93 、化合物94 、

化合物95 、化合物96 、

化合物97 、化合物98 、

化合物99 、化合物100 、

化合物101 、化合物102 、

化合物103 、化合物104 、

化合物105 、化合物106 、

、

化合物107 化合物108

、

、化合物109 化合物110

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化合物111 化合物112

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化合物113 化合物114

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化合物115 化合物116

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化合物117 化合物118

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、化合物119 化合物120

及

。化合物121 化合物122 根據本發明之另一態樣，亦揭示一種第一裝置，其包含第一有機發光裝置。該第一有機發光裝置包含：陽極；陰極；及安置於陽極與陰極之間的有機層。有機層包含具有根據式I之結構之化合物，其中A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7及A8包含碳或氮；其中A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7及A8中之至少一者為氮；其中環B經由C-C鍵鍵結至環A；其中銥經由Ir-C鍵鍵結至環A；其中X為O、S或Se；其中R1及R2各自獨立地表示單取代基、二取代基、三取代基、四取代基或無取代基；其中R'及R"各自獨立地表示單取代基、二取代基或無取代基；其中R'、R"、R1、R2、R3、R4、R5及R6中之任何相鄰取代基視情況連接在一起形成環；其中R1、R2、R'及R"各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；其中R3、R4、R5及R6各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、烷基、環烷基及其組合；其中n為1至3之整數；及其中R3及R4對以及R5及R6對中之至少一者中之總碳數為至少四個。在一個實施例中，第一裝置可為消費型產品。第一裝置可為有機發光裝置。第一裝置可為照明面板。在一個實施例中，第一裝置中之有機層為發射層且化合物為發射摻雜劑。在另一實施例中，第一裝置中之有機層為發射層且化合物為非發射摻雜劑。在另一實施例中，第一裝置中之有機層可進一步包含主體材料。主體材料包含含有苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃之聯伸三苯；其中主體中之任何取代基為獨立地選自由以下組成之群的非稠合取代基：C_n H_2n+1 、OC_n H_2n+1 、OAr₁ 、N(C_n H_2n+1 )₂ 、N(Ar₁ )(Ar₂ )、CH=CH-C_n H_2n+1 、C≡C-C_n H_2n+1 、Ar₁ 、Ar₁ -Ar₂ 、C_n H_2n -Ar₁ 或無取代基；其中n為1至10；及其中Ar₁ 及Ar₂ 獨立地選自由以下組成之群：苯、聯苯、萘、聯伸三苯、咔唑及其雜芳族類似物。在一個實施例中，主體材料包含至少一個選自由以下組成之群的化學基團：聯伸三苯、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜聯伸三苯、氮雜咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃及氮雜-二苯并硒吩。在另一實施例中，主體材料係選自由以下組成之群：

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及其組合。在第一裝置之另一實施例中，主體材料包含金屬錯合物。根據本發明之另一態樣，亦揭示包含具有根據式I之結構之化合物的調配物，其中式I如上文所定義。該調配物可包括本文所揭示之一或多種選自由以下組成之群的組分：溶劑、主體、電洞注入材料、電洞傳輸材料及電子傳輸層材料。材料合成 除非另外規定，否則所有反應均在氮氣保護下進行。用於反應之所有溶劑均為無水的且由商業來源按原樣使用。前驅體及配位體可藉由熟習此項技術者已知且已詳細地描述於美國專利申請13/928,456中之方法產生，其以全文引用之方式併入本文中。合成化合物 2

(L_A187 ) (i) 化合物2 在130℃油浴中在N₂ 下加熱8-(4-d3-甲基-5-異丙基)吡啶-2-基(L_A187 ) (1.925 g，6.30 mmol)、銥前驅體(i) (2.5 g，3.50 mmol)、40.0 mL 2-乙氧基乙醇及40 mL二甲基甲醯胺(DMF)之混合物20小時。濃縮反應混合物以移除溶劑且經由較小矽膠塞過濾，且隨後進一步藉由矽膠管柱層析使用乙酸乙酯及二氯甲烷溶劑混合物作為溶離劑純化，得到0.93 g所需產物化合物2 (33%產率)。合成化合物 6

(ii) (L_A196 ) 化合物6 在130℃油浴中在N₂ 下加熱氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A196 ) (1.5 g，4.55 mmol)及銥前驅體(ii) (1.98 g，2.53 mmol)、40 mL 2-乙氧基乙醇及40 mL DMF之混合物17小時。濃縮反應混合物以移除溶劑且經由較小矽膠塞過濾，且進一步藉由管柱層析使用二氯甲烷純化，得到0.65 g所需產物化合物6 (29%產率)。合成化合物 8

(L_A189 ) (ii) 化合物8 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A189 ) (1.1 g，3.52 mmol)、銥前驅體(ii) (1.72 g，2.20 mmol)、2-乙氧基乙醇(30 mL)及DMF (30 mL)裝入燒瓶中且在130℃油浴中在N₂ 下加熱15小時。蒸發反應物溶劑且使固體溶解以經由較小矽膠塞過濾，且進一步藉由管柱層析使用乙酸乙酯/二氯甲烷純化，得到0.34 g 化合物8 (18%產率)。合成化合物 12

(iii) (L_A190 ) 化合物12 在130℃下加熱銥前驅體(iii) (2.34 g，3.02 mmol)、8-(5-異丙基-4-甲基吡啶-2-基)-2-甲基苯并呋喃并[2,3-b]吡啶-d₁₃ (L_A190 ) (1.7 g，5.44 mmol)、2-乙氧基乙醇(60 mL)及DMF (60 mL)之混合物隔夜。濃縮反應混合物以移除溶劑且經由較小矽膠塞過濾，且進一步層析得到0.77 g化合物12 (35%產率)。合成化合物 13

(iv) (L_A113 ) 化合物13 在130℃下加熱銥前驅體(iv) (2.2 g，2.67 mmol)、8-(4-(3-異丙基苯基)吡啶-2-基)-2甲基苯并呋喃并[2,3-b]吡啶(L_A113 ) (1.5 g，4.80 mmol)、2-乙氧基乙醇(40 mL)及DMF (40 mL)之混合物隔夜。濃縮反應混合物以移除溶劑且經由較小矽膠塞過濾，且進一步層析得到0.49 g化合物13 (19.8%產率)。合成化合物 9

(L_A190 ) (v) 化合物9 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A190 ) (1.5 g，4.55 mmol)及銥前驅體(v) (1.9 g，2.66 mmol)裝入具有30 mL DMF及30 mL 2-乙氧基乙醇之反應燒瓶中。攪拌此混合物且在設定於130℃下之油浴中加熱19小時。將反應混合物冷卻至室溫，隨後在真空下濃縮。在真空下乾燥粗殘餘物。使此粗殘餘物溶解於200 mL DCM中，隨後使其通過矽膠塞。在真空下濃縮DCM濾液。使用60%至75% DCM/庚烷使此粗殘餘物通過矽膠管柱。合併乾淨的產物溶離份且在真空下濃縮，得到所需銥錯合物化合物9 (1.0 g，45.5%)。藉由LC/MS分析確認所需質量。合成化合物 11

(L_A190 ) (vi) 化合物11 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A190 ) (1.5 g，4.55 mmol)及銥前驅體(vi) (1.98 g，2.53 mmol)裝入具有40 mL DMF及40 mL 2-乙氧基乙醇之反應燒瓶中。攪拌此混合物且在設定於130℃下之油浴中加熱18小時。將反應混合物冷卻至室溫，隨後在真空下濃縮。在真空下乾燥粗殘餘物。使此粗殘餘物溶解於200 mL DCM中，隨後使其通過矽膠塞。在真空下濃縮DCM濾液。使用60%至75% DCM/庚烷使此粗殘餘物通過矽膠管柱。合併乾淨的產物溶離份且在真空下濃縮，得到所需銥錯合物化合物11 (0.45 g，19.8%)。藉由LC/MS確認質量。合成化合物 14

(L_A190 ) (vi) 化合物14 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A190 ) (1.5 g，4.55 mmol)及銥前驅體(vi) (1.98 g，2.53 mmol)裝入具有40 mL DMF及40 mL 2-乙氧基乙醇之反應燒瓶中。攪拌此混合物且在設定於130℃下之油浴中加熱18小時。將反應混合物冷卻至室溫，隨後在真空下濃縮。在真空下乾燥粗殘餘物。使此粗殘餘物溶解於200 mL DCM中，隨後使其通過矽膠塞。在真空下濃縮DCM濾液。使用60%至75% DCM/庚烷使此粗殘餘物通過矽膠管柱。合併乾淨的產物溶離份且在真空下濃縮，得到所需銥錯合物化合物14 (0.77 g，29.3%)。藉由LC/MS分析確認所需質量。合成化合物 3

(L_A196 ) (v) 化合物3 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A196 ) (1.5 g，4.55 mmol)及銥前驅體(v) (1.9 g，2.66 mmol)裝入具有30 mL DMF及30 mL 2-乙氧基乙醇之反應混合物中。反應混合物用氮氣脫氣，隨後攪拌且在設定於130℃下之油浴中加熱17小時。隨後停止加熱。在真空下移除溶劑。使粗殘餘物溶解於DCM中，隨後使其通過矽膠塞。該塞用2 L DCM溶離。在真空下蒸發DCM濾液。使用90% DCM/庚烷使此粗殘餘物通過矽膠管柱。合併乾淨的管柱溶離份且在真空下濃縮，得到呈黃色固體狀之所需銥錯合物化合物3 (0.95 g，1.146 mmol，43.0%產率)。藉由LC/MS分析確認所需質量。合成化合物 18

(L_A251 ) (vi) 化合物18 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A251 ) (1.406 g，4.02 mmol)及銥前驅體(vi) (1.85 g，2.366 mmol)裝入具有35 mL DMF及35 mL 2-乙氧基乙醇之反應混合物中。此混合物用氮氣脫氣，隨後攪拌且在設定於130℃下之油浴中加熱18小時。濃縮反應混合物，且在真空下乾燥。使此粗產物溶解於300 mL DCM中，隨後使其通過矽膠塞。在真空下濃縮DCM濾液。使粗殘餘物通過矽膠管柱，該管柱用60%至90% DCM/庚烷溶離。分離呈黃色固體狀之所需銥錯合物化合物18 (0.6 g，0.65 mmol，27.6% 產率)。藉由LC/MS分析確認所需質量。合成化合物 19

(L_A251 ) (vi) 化合物19 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A251 ) (1.406 g，4.02 mmol)及銥前驅體(vi) (1.85 g，2.366 mmol)裝入具有35 mL DMF及35 mL 2-乙氧基乙醇之反應混合物中。此混合物用氮氣脫氣，隨後攪拌且在設定於130℃下之油浴中加熱18小時。濃縮反應混合物，且在真空下乾燥。使此粗產物溶解於300 mL DCM中，隨後使其通過矽膠塞。在真空下濃縮DCM濾液。使粗殘餘物通過矽膠管柱，該管柱用60%至90% DCM/庚烷溶離。分離呈黃色固體狀之所需銥錯合物化合物19 (0.7 g，0.65 mmol，27.3% 產率)。藉由LC/MS分析確認所需質量。合成化合物 20

(L_A251 ) (vii) 化合物20 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A251 ) (1.45 g，4.15 mmol)及銥前驅體(vii) (1.85 g，2.474 mmol)裝入具有35 mL DMF及35 mL 2-乙氧基乙醇之反應燒瓶中。此混合物用氮氣脫氣，隨後在設定於130℃下之油浴中加熱24小時。將反應混合物冷卻至室溫，隨後在真空下蒸發且乾燥。使粗產物溶解於600 mL熱DCM中，隨後使其通過矽膠塞。在真空下蒸發DCM濾液，隨後使其通過矽膠管柱，該管柱用60%至75% DCM/庚烷溶離。合併乾淨的管柱溶離份且在真空下濃縮，得到所需銥錯合物化合物20 (0.7 g，0.79 mmol，32%產率)。使用LC/MS分析確認所需質量。合成化合物 21

(L_A410 ) (vi) 化合物21 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A410 ) (1.45 g，4.14 mmol)及銥前驅體(vi) (1.9 g，2.430 mmol)裝入具有35 mL DMF及35 mL 2-乙氧基乙醇之反應燒瓶中。此混合物用氮氣脫氣，隨後在設定於130℃下之油浴中加熱22小時。將反應混合物冷卻至室溫，隨後在真空下濃縮且乾燥。使粗產物通過矽膠塞。該塞用2.5 L DCM溶離。在真空下濃縮DCM濾液，且使粗殘餘物通過矽膠管柱，該管柱用60%至70% DCM/庚烷溶離。合併乾淨的管柱溶離份且在真空下濃縮，得到呈黃色固體狀之所需銥錯合物化合物21 (0.72 g，0.82 mmol，33.6%產率)。藉由LC/MS分析確認所需產物之質量。合成化合物 22

(L_A216 ) (vi) 化合物22 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A216 ) (1.43 g，4.06 mmol)及銥前驅體(vi) (1.9 g，2.430 mmol)裝入具有35 mL DMF及35 mL 2-乙氧基乙醇之反應燒瓶中。此混合物用氮氣脫氣，隨後在設定於130℃下之油浴中加熱22小時。將反應混合物冷卻至室溫，隨後在真空下濃縮且乾燥。使粗產物通過矽膠塞。該塞用2.5 L DCM溶離。在真空下濃縮DCM濾液，且使粗殘餘物通過矽膠管柱，該管柱用60%至70% DCM/庚烷溶離。合併乾淨的管柱溶離份且在真空下濃縮，得到呈黃色固體狀之所需銥錯合物化合物22 (0.73 g，0.79 mmol，32.6%產率)。藉由LC/MS分析確認所需產物之質量。合成化合物 1

(L_A187 ) (viii) 化合物1 在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱8-(4-d3-甲基-5-異丙基)吡啶-2-基(L_A187 ) (1.985 g，6.50 mmol)、銥前驅體(viii) (2.7 g，3.61 mmol)、40 mL 2-乙氧基乙醇及40 mL DMF之混合物20小時。藉由矽膠管柱層析純化反應混合物，得到1.45 g所需產物化合物2 (48%產率)。合成化合物 4

(L_A187 ) (ii) 化合物4 在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱8-(4-d3-甲基-5-異丙基)吡啶-2-基(L_A187 ) (1.406 g，4.6 mmol)、銥前驅體(ii) (2.0 g，2.56 mmol)、30 mL 2-乙氧基乙醇及30 mL DMF之混合物20小時。藉由矽膠管柱層析純化反應混合物，得到0.77 g所需產物化合物4 (35%產率)。合成化合物 5

(viii) (L_A196 ) 化合物5 在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A196 ) (1.5 g，4.55 mmol)、銥前驅體(viii) (1.891 g，2.53 mmol)、40 mL 2-乙氧基乙醇及40 mL DMF之混合物17小時。反應混合物藉由矽膠管柱層析使用乙酸乙酯及二氯甲烷溶劑混合物純化，得到0.88 g所需產物化合物5 (39%產率)。合成化合物 10

(ii) (L_A196 ) 化合物10 在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A196 ) (1.5 g，4.55 mmol)及銥前驅體(ii) (1.978 g，2.53 mmol)、40 mL 2-乙氧基乙醇及40 mL DMF之混合物17小時。反應混合物藉由矽膠管柱層析使用乙酸乙酯及二氯甲烷溶劑混合物純化，得到0.77 g (29%產率)所需產物化合物10，其藉由LC-MS確認。合成化合物 7

(L_A189 ) (viii) 化合物7 將氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A189 ) (1.1 g，3.52 mmol)、銥前驅體(viii) (1.72 g，2.20 mmol)、40 mL 2-乙氧基乙醇及40 mL DMF裝入燒瓶中且在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱18小時。蒸發反應物溶劑且使固體溶解以經由較小矽膠塞過濾，且進一步藉由管柱層析使用乙酸乙酯/二氯甲烷純化，得到1.05 g所需產物化合物7 (52%產率)。合成化合物 15

(L_A187 ) (ix) 化合物15 在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱8-(4-d3-甲基-5-異丙基)吡啶-2-基(L_A187 ) (0.943 g，3.01 mmol)、銥前驅體(ix) (1.4 g，1.72 mmol)、30.0 mL 2-乙氧基乙醇及30 mL DMF之混合物72小時。濃縮反應混合物以移除溶劑且經由較小矽膠塞過濾，且隨後進一步藉由矽膠管柱層析使用乙酸乙酯/二氯甲烷純化，得到0.95 g所需產物化合物15 (61%產率)。合成化合物 17

(ii) (L_A203 ) 化合物17 在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A203 ) (0.9 g，2.66 mmol)及銥前驅體(ii) (1.29 g，1.66 mmol)、30 mL 2-乙氧基乙醇及30 mL DMF之混合物18小時。反應混合物藉由矽膠管柱層析使用乙酸乙酯及二氯甲烷溶劑混合物純化，得到0.5 g所需產物化合物17。(33%產率)。合成化合物 16

(ii) (L_A208 ) 化合物16 在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A208 ) (0.85 g，2.51 mmol)及銥前驅體(ii) (1.22 g，1.56 mmol)、30 mL 2-乙氧基乙醇及30 mL DMF之混合物20小時。反應混合物藉由矽膠管柱層析使用乙酸乙酯及二氯甲烷溶劑混合物純化，得到0.5 g所需產物化合物16。(35%產率)。合成化合物 31

(viii) (L_A208 ) 化合物31 在130℃下之油浴中在N₂ 下加熱氮雜-二苯并呋喃配位體(L_A208 ) (0.85 g，2.51 mmol)及銥前驅體(viii) (1.12 g，1.56 mmol)、30 mL 2-乙氧基乙醇及30 mL DMF之混合物18小時。反應混合物藉由矽膠管柱層析使用乙酸乙酯及二氯甲烷溶劑混合物純化，得到0.55 g所需產物化合物31。(40%產率)。與其他材料之組合 本文中描述為適用於有機發光裝置中之特定層之材料可與存在於該裝置中之多種其他材料組合使用。舉例而言，本文所揭示之發射摻雜劑可與多種主體、傳輸層、阻擋層、注入層、電極及其他可能存在之層結合使用。下文描述或提及之材料係可與本文所揭示之化合物組合使用的材料之非限制性實例，且熟習此項技術者可容易地查閱文獻以鑑別可組合使用之其他材料。HIL/HTL ：本發明中所用之電洞注入/傳輸材料不受特別限制，且可使用任何化合物，只要該化合物係典型地用作電洞注入/傳輸材料即可。該材料之實例包括(但不限於)：酞菁或卟啉衍生物；芳族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟烴之聚合物；具有導電性摻雜劑之聚合物；導電聚合物，諸如PEDOT/PSS；衍生自諸如膦酸及矽烷衍生物之化合物的自組裝單體；金屬氧化物衍生物，諸如MoO_x ；p型半導體有機化合物，諸如1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯六甲腈；金屬錯合物，及可交聯化合物。 HIL或HTL中所用之芳族胺衍生物之實例包括(但不限於)以下一般結構：

Ar¹ 至Ar⁹ 中之每一者選自由芳族烴環化合物組成之群，該等化合物諸如為苯、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、苣、苝、薁；由芳族雜環化合物組成之群，該等化合物諸如為二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚并噁嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、

啉、喹唑啉、喹諾啉、

啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶及硒吩并二吡啶；及由2至10個環狀結構單元組成之群，該等結構單元為選自芳族烴環基及芳族雜環基之相同類型或不同類型的基團，且直接或經由氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、磷原子、硼原子、鏈結構單元及脂族環基中之至少一者彼此鍵結。其中各Ar進一步經選自由以下組成之群的取代基取代：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。在一個態樣中，Ar¹ 至Ar⁹ 獨立地選自由以下組成之群：

其中k為1至20之整數；X¹⁰¹ 至X¹⁰⁸ 為C (包括CH)或N；Z¹⁰¹ 為NAr¹ 、O或S；Ar¹ 具有以上定義之相同基團。 HIL或HTL中所用之金屬錯合物之實例包括(但不限於)以下通式：

其中Met為原子量可大於40之金屬；(Y¹⁰¹ -Y¹⁰² )為雙齒配位體，Y¹⁰¹ 及Y¹⁰² 獨立地選自C、N、O、P及S；L¹⁰¹ 為輔助性配位體；k'為1至可與金屬連接之最大配位體數之整數值；且k' + k"為可與金屬連接之最大配位體數。在一個態樣中，(Y¹⁰¹ -Y¹⁰² )為2-苯基吡啶衍生物。在另一態樣中，(Y¹⁰¹ -Y¹⁰² )為碳烯配位體。在另一態樣中，Met選自Ir、Pt、Os及Zn。在另一態樣中，金屬錯合物具有小於約0.6 V之相對於Fc⁺ /Fc對的溶液態最小氧化電位。主體： 本發明之有機EL裝置之發光層較佳至少含有金屬錯合物作為發光材料，且可含有使用金屬錯合物作為摻雜劑材料之主體材料。主體材料之實例不受特別限制，且可使用任何金屬錯合物或有機化合物，只要主體之三重態能量大於摻雜劑之三重態能量即可。雖然下表將較佳用於發射各種顏色之裝置的主體材料加以分類，但任何主體材料可與任何摻雜劑一起使用，只要滿足三重態準則即可。用作主體之金屬錯合物之實例較佳具有以下通式：

Met為金屬；(Y¹⁰³ -Y¹⁰⁴ )為雙齒配位體，Y¹⁰³ 及Y¹⁰⁴ 獨立地選自C、N、O、P及S；L¹⁰¹ 為另一配位體；k'為1至可與金屬連接之最大配位體數之整數值；且k'+ k"為可與金屬連接之最大配位體數。在一個態樣中，金屬錯合物為：

其中(O-N)為具有與O及N原子配位之金屬的雙齒配位體。在另一態樣中，Met選自Ir及Pt。在另一態樣中，(Y¹⁰³ -Y¹⁰⁴ )為碳烯配位體。用作主體之有機化合物之實例選自由芳族烴環化合物組成之群，該等化合物諸如為苯、聯苯、聯三苯、聯伸三苯、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、苣、苝、薁；由芳族雜環化合物組成之群，該等化合物諸如為二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚并噁嗪、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、

啉、喹唑啉、喹諾啉、

啶、酞嗪、喋啶、二苯并哌喃、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶及硒吩并二吡啶；及由2至10個環狀結構單元組成之群，該等結構單元為選自芳族烴環基及芳族雜環基之相同類型或不同類型的基團，且直接或經由氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、磷原子、硼原子、鏈結構單元及脂族環基中之至少一者彼此鍵結。其中各基團進一步經選自由以下組成之群的取代基取代：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合。在一個態樣中，主體化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：

其中R¹⁰¹ 至R¹⁰⁷ 獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合，當其為芳基或雜芳基時，其具有與上文所提及之Ar類似之定義。k為0至20或1至20之整數；k'"為0至20之整數。X¹⁰¹ 至X¹⁰⁸ 選自C (包括CH)或N。Z¹⁰¹ 及Z¹⁰² 選自NR¹⁰¹ 、O或S。HBL ：電洞阻擋層(HBL)可用於減少離開發射層之電洞及/或激子之數目。與缺乏阻擋層之類似裝置相比，此類阻擋層在裝置中之存在可產生實質上更高的效率。此外，阻擋層可用於將發射限於OLED之所需區域。在一個態樣中，HBL中所用之化合物含有用作上文所描述之主體之相同分子或相同官能基。在另一態樣中，HBL中所用之化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：

其中k為1至20之整數；L¹⁰¹ 為另一配位體，k'為1至3之整數。ETL ：電子傳輸層(ETL)可包括能夠傳輸電子之材料。電子傳輸層可為固有的(未經摻雜)或經摻雜的。摻雜可用於增強導電性。ETL材料之實例不受特別限制，且可使用任何金屬錯合物或有機化合物，只要其典型地用於傳輸電子即可。在一個態樣中，ETL中所用之化合物在分子中含有以下基團中之至少一者：

其中R¹⁰¹ 選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合，當其為芳基或雜芳基時，其具有與上文所提及之Ar類似之定義。Ar¹ 至Ar³ 具有與上文所提及之Ar類似之定義。k為1至20之整數。X¹⁰¹ 至X¹⁰⁸ 選自C (包括CH)或N。在另一態樣中，ETL中所用之金屬錯合物含有(但不限於)以下通式：

其中(O-N)或(N-N)為具有與原子O,N或N,N配位之金屬的雙齒配位體；L¹⁰¹ 為另一配位體；k'為自1至可與金屬連接之最大配位體數之整數值。在OLED裝置之各層中所用之任何上文所提及之化合物中，氫原子可部分或完全氘化。因此，任何具體列出之取代基(諸如(但不限於)甲基、苯基、吡啶基等)涵蓋其非氘化、部分氘化及完全氘化形式。類似地，取代基類別(諸如(但不限於)烷基、芳基、環烷基、雜芳基等)亦涵蓋其非氘化、部分氘化及完全氘化形式。除本文所揭示之材料外及/或與本文所揭示之材料組合，OLED中還可使用許多電洞注入材料、電洞傳輸材料、主體材料、摻雜劑材料、激子/電洞阻擋層材料、電子傳輸材料及電子注入材料。可與本文所揭示之材料組合用於OLED中之材料的非限制性實例列於以下表A中。表A列出材料之非限制性類別、各類別之化合物的非限制性實例及揭示該等材料之參考文獻。表A

材料	材料之實例	出版物
電洞注入材料
酞菁及卟啉化合物		Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996)
星爆流三芳基胺		J. Lumin. 72-74, 985 (1997)
CF_x 氟烴聚合物		Appl. Phys. Lett. 78, 673 (2001)
導電聚合物(例如PEDOT:PSS、聚苯胺、聚噻吩)		Synth. Met. 87, 171 (1997) WO2007002683
膦酸及矽烷SAM		US20030162053
具有導電性摻雜劑之三芳基胺或聚噻吩聚合物	及	EP1725079A1
具有導電無機化合物(諸如氧化鉬及氧化鎢)之有機化合物		US20050123751 SID Symposium Digest, 37, 923 (2006) WO2009018009
n型半導體有機錯合物		US20020158242
金屬有機金屬錯合物		US20060240279
可交聯化合物		US20080220265
基於聚噻吩之聚合物及共聚物		WO 2011075644 EP2350216
電洞傳輸材料
三芳基胺(例如TPD、α-NPD)		Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987)
		US5061569
	EP650955
	J. Mater. Chem. 3, 319 (1993)
	Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007)
	Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007)
在螺茀核心上之三芳基胺		Synth. Met. 91, 209 (1997)
芳基胺咔唑化合物		Adv. Mater. 6, 677 (1994), US20080124572
具有(二)苯并噻吩/(二)苯并呋喃之三芳基胺		US20070278938、US20080106190 US20110163302
吲哚并咔唑		Synth. Met. 111, 421 (2000)
異吲哚化合物		Chem. Mater. 15, 3148 (2003)
金屬碳烯錯合物		US20080018221
磷光 OLED 主體材料
紅色主體
芳基咔唑		Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001)
8-羥基喹啉基金屬(例如Alq₃ 、BAlq)		Nature 395, 151 (1998)
	US20060202194
	WO2005014551
		WO2006072002
金屬苯氧基苯并噻唑化合物		Appl. Phys. Lett. 90, 123509 (2007)
共軛寡聚物及聚合物(諸如聚茀)		Org. Electron. 1, 15 (2000)
芳族稠合環		WO2009066779、WO2009066778、WO2009063833、US20090045731、US20090045730、 WO2009008311、US20090008605、US20090009065
鋅錯合物		WO2010056066
基於苣之化合物		WO2011086863
綠色主體
芳基咔唑		Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001)
	US20030175553
	WO2001039234
芳基聯伸三苯化合物		US20060280965
	US20060280965
		WO2009021126
多稠合雜芳基化合物		US20090309488 US20090302743 US20100012931

供體受體型分子		WO2008056746
	WO2010107244
氮雜咔唑/DBT/DBF		JP2008074939
	US20100187984
聚合物(例如PVK)		Appl. Phys. Lett. 77, 2280 (2000)
螺茀化合物		WO2004093207
金屬苯氧基苯并噁唑化合物		WO2005089025
	WO2006132173
	JP200511610
螺茀-咔唑化合物		JP2007254297
	JP2007254297
吲哚并咔唑		WO2007063796
	WO2007063754
5員環缺電子雜環(例如三唑、噁二唑)		J. Appl. Phys. 90, 5048 (2001)
	WO2004107822
聯四苯錯合物		US20050112407
金屬苯氧基吡啶化合物		WO2005030900
金屬配位錯合物(例如具有N^N配位體之Zn、Al)		US20040137268、US20040137267
藍色主體
芳基咔唑		Appl. Phys. Lett, 82, 2422 (2003)
	US20070190359
二苯并噻吩/二苯并呋喃-咔唑化合物		WO2006114966、US20090167162
		US20090167162
		WO2009086028
		US20090030202、US20090017330
		US20100084966
矽芳基化合物		US20050238919
	WO2009003898
矽/鍺芳基化合物		EP2034538A
芳基苯甲醯基酯		WO2006100298
由非共軛基團鍵聯之咔唑		US20040115476
氮雜咔唑		US20060121308
高三重態金屬有機金屬錯合物		US7154114
磷光摻雜劑
紅色摻雜劑
重金屬卟啉(例如PtOEP)		Nature 395, 151 (1998)
銥(III)有機金屬錯合物		Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001)
	US20030072964
	US20030072964
	US20060202194
	US20060202194
	US20070087321
	US20080261076 US20100090591
	US20070087321
	Adv. Mater. 19, 739 (2007)
		WO2009100991
		WO2008101842
		US7232618
鉑(II)有機金屬錯合物		WO2003040257
	US20070103060
鋨(III)錯合物		Chem. Mater. 17, 3532 (2005)
釕(II)錯合物		Adv. Mater. 17, 1059 (2005)
錸(I)、(II)及(III)錯合物		US20050244673
綠色摻雜劑
銥(III)有機金屬錯合物	及其衍生物	Inorg. Chem. 40, 1704 (2001)
	US20020034656
	US7332232
	US20090108737
	WO2010028151
	EP1841834B
	US20060127696
	US20090039776
	US6921915
	US20100244004
	US6687266
	Chem. Mater. 16, 2480 (2004)
		US20070190359
	US 20060008670 JP2007123392
	WO2010086089、 WO2011044988
	Adv. Mater. 16, 2003 (2004)
	Angew. Chem. Int. Ed. 2006, 45, 7800
	WO2009050290
	US20090165846
	US20080015355
		US20010015432
		US20100295032
聚合金屬有機金屬化合物之單體		US7250226、US7396598
Pt(II)有機金屬錯合物，包括多齒配位體		Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005)
	Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005)
	Chem. Lett. 34, 592 (2005)
	WO2002015645
	US20060263635
	US20060182992 US20070103060
Cu錯合物		WO2009000673
	US20070111026
金錯合物		Chem. Commun. 2906 (2005)
錸(III)錯合物		Inorg. Chem. 42, 1248 (2003)
鋨(II)錯合物		US7279704
氘化有機金屬錯合物		US20030138657
具有兩個或兩個以上金屬中心之有機金屬錯合物		US20030152802
		US7090928
藍色摻雜劑
銥(III)有機金屬錯合物		WO2002002714
	WO2006009024
	US20060251923 US20110057559 US20110204333
	US7393599、WO2006056418、US20050260441、WO2005019373
	US7534505
	WO2011051404
	US7445855
	US20070190359、US20080297033 US20100148663
	US7338722
	US20020134984
	Angew. Chem. Int. Ed. 47, 4542 (2008)
	Chem. Mater. 18, 5119 (2006)
	Inorg. Chem. 46, 4308 (2007)
		WO2005123873
	WO2005123873
	WO2007004380
	WO2006082742
鋨(II)錯合物		US7279704
	Organometallics 23, 3745 (2004)
金錯合物		Appl. Phys. Lett.74,1361 (1999)
鉑(II)錯合物		WO2006098120、WO2006103874
具有至少一個金屬-碳烯鍵之Pt四齒錯合物		US7655323
激子 / 電洞阻擋層材料
浴銅靈(Bathocuprine)化合物(例如BCP、BPhen)		Appl. Phys. Lett. 75, 4 (1999)
	Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001)
8-羥基喹啉基金屬(例如BAlq)		Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002)
5員環缺電子雜環，諸如三唑、噁二唑、咪唑、苯并咪唑		Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002)
聯伸三苯化合物		US20050025993
氟化芳族化合物		Appl. Phys. Lett. 79, 156 (2001)
吩噻嗪-S-氧化物		WO2008132085
甲矽烷基化五員氮、氧、硫或磷二苯并雜環		WO2010079051
氮雜咔唑		US20060121308
電子傳輸材料
蒽-苯并咪唑化合物		WO2003060956
	US20090179554
氮雜聯伸三苯衍生物		US20090115316
蒽-苯并噻唑化合物		Appl. Phys. Lett. 89, 063504 (2006)
8-羥基喹啉基金屬(例如Alq₃ 、Zrq₄ )		Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987) US7230107
羥基苯并喹啉基金屬		Chem. Lett. 5, 905 (1993)
浴銅靈化合物，諸如BCP、BPhen等		Appl. Phys. Lett. 91, 263503 (2007)
	Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001)
5員環缺電子雜環(例如三唑、噁二唑、咪唑、苯并咪唑)		Appl. Phys. Lett. 74, 865 (1999)
	Appl. Phys. Lett. 55, 1489 (1989)
	Jpn. J. Apply. Phys. 32, L917 (1993)
矽羅(Silole)化合物		Org. Electron. 4, 113 (2003)
芳基硼烷化合物		J. Am. Chem. Soc. 120, 9714 (1998)
氟化芳族化合物		J. Am. Chem. Soc. 122, 1832 (2000)
富勒烯(例如C60)		US20090101870
三嗪錯合物		US20040036077
Zn (N^N)錯合物		US6528187

實驗資料本發明人已比較本發明化合物之一些實例與先前技術化合物之效能。比較化合物之昇華溫度及顏色CIE值且其各別值概述於下表1中。比較實例2化合物之昇華溫度為281℃。在本發明化合物化合物9及化合物3中，比較實例2化合物之吡啶上之氘化二取代甲基中之一者經異丙基-d7置換。化合物9及化合物3之昇華溫度明顯較低，分別在261℃及253℃下，儘管存在此等化合物具有比比較實例2化合物更高的分子量之事實。較低昇華溫度有利地允許更容易地純化式I化合物且允許式I化合物在製造過程中具有較佳熱穩定性。另外，化合物9及化合物3之顏色CIE x座標均低於比較實例1及比較實例2。因此，與比較實例1及比較實例2相比，其具有更飽和的綠色，此為所需特性，尤其對於顯示器應用而言。在1931 CIE (國際照明委員會(Commission Internationale de l'Eclairage))色度圖中，CIE x之較低值及CIE y之較高值表示較高綠色飽和度。此等結果為出人意料的，因為比較實例1錯合物與比較實例2錯合物之間比較起來，比較實例2之吡啶上之二甲基取代實際上提高昇華溫度。雖然比較實例1具有比本發明化合物化合物9及化合物3更低的昇華溫度，但相比於其他化合物，比較實例1之顏色CIE紅移，此對於此類別綠色磷光發射體而言並非所需。因此，本發明化合物導致較多顏色飽和度及較低昇華溫度，其為製造PHOLED裝置過程中的有利性質。表1

化合物	昇華 T ( ℃ )	1931 CIE (x, y)
比較實例 1	246	0.352, 0.622
比較實例 2	281	0.312, 0.638
化合物 9	261	0.311, 0.639
化合物 3	253	0.310, 0.640

在所主張之混配銥錯合物中之2-苯基吡啶配位體中觀測到類似取代作用。在下表2中，比較實例3之昇華溫度極高，約為270℃。在本發明化合物化合物13 (其中2-苯基吡啶配位體中之甲基中之一者經異丙基替換)中，觀測到昇華溫度明顯較低，在235℃下，儘管存在化合物13具有比比較實例3化合物更高的分子量之事實。表2

化合物	昇華 T ( ℃ )
比較實例 3	268
化合物 13	235

應理解，本文所描述之各種實施例僅作為實例，且並不意欲限制本發明之範疇。舉例而言，可在不偏離本發明之精神之情況下用其他材料及結構取代本文所描述之許多材料及結構。如熟習此項技術者將顯而易見，如所主張之本發明因此可包括本文所描述之特定實例及較佳實施例之變化形式。應理解，關於本發明為何起作用之各種理論並不意欲為限制性的。

100:有機發光裝置 110:基板 115:陽極 120:電洞注入層 125:電洞傳輸層 130:電子阻擋層 135:發射層 140:電洞阻擋層 145:電子傳輸層 150:電子注入層 155:保護層 160:陰極 162:第一導電層 164:第二導電層 200:倒轉的OLED/裝置 210:基板 215:陰極 220:發射層 225:電洞傳輸層 230:陽極

圖1展示可併有本文所揭示之本發明主體材料之有機發光裝置。圖2展示可併有本文所揭示之本發明主體材料之倒轉的有機發光裝置。圖3展示如本文中所揭示之式I。

100:有機發光裝置

110:基板

115:陽極

120:電洞注入層

125:電洞傳輸層

130:電子阻擋層

135:發射層

140:電洞阻擋層

145:電子傳輸層

150:電子注入層

155:保護層

160:陰極

162:第一導電層

164:第二導電層

Claims

一種具有式Ir(L_A )_n (L_B )_3-n 之化合物，其中L_A 為氮雜-二苯并呋喃配位體且L_B 為經烷基取代之苯基吡啶配位體；其中該化合物具有根據式I之結構：
式I，其中A¹ 、A² 、A³ 、A⁴ 、A⁵ 、A⁶ 、A⁷ 及A⁸ 包含碳或氮；其中A¹ 、A² 、A³ 、A⁴ 、A⁵ 、A⁶ 、A⁷ 及A⁸ 中之至少一者為氮；其中環B經由C-C鍵鍵結至環A；其中銥經由Ir-C鍵鍵結至環A；其中X為O、S或Se；其中R¹ 及R² 各自獨立地表示單取代基、二取代基、三取代基、四取代基或無取代基；其中R'及R"各自獨立地表示單取代基、二取代基或無取代基；其中R'、R"、R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 中之任何相鄰取代基視情況連接在一起形成環；其中R¹ 、R² 、R'及R"各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；其中R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、烷基、環烷基及其組合；其中n為1至3之整數；及其中R³ 及R⁴ 對以及R⁵ 及R⁶ 對中之至少一者中之總碳數為至少四個。
如請求項1之化合物，其中n為1。
如請求項1之化合物，其中該化合物具有根據式II之結構：
式II。
如請求項1之化合物，其中該化合物具有根據式III之結構：
式III。
如請求項1之化合物，其中A¹ 至A⁸ 中僅一者為氮。
如請求項1之化合物，其中X為O。
如請求項1之化合物，其中R¹ 及R² 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、烷基、環烷基及其組合。
如請求項1之化合物，其中以下條件(1)及(2)中之至少一者成立： (1) R³ 及R⁴ 各自獨立地選自由以下組成之群：烷基、環烷基、其部分或完全氘化變體及其組合；且組合的R³ 及R⁴ 中之總碳數為至少四個；及 (2) R⁵ 及R⁶ 各自獨立地選自由以下組成之群：烷基、環烷基、其部分或完全氘化變體及其組合；且組合的R⁵ 及R⁶ 中之總碳數為至少四個。
如請求項1之化合物，其中該化合物具有根據式V之結構：
式V；其中R係選自由以下組成之群：烷基、環烷基、其部分或完全氘化變體及其組合。
如請求項1之化合物，其中L_A 係選自由以下組成之群：
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及
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如請求項1之化合物，其中L_B 係選自由以下組成之群：
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及
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如請求項1之化合物，其中該化合物係選自由以下組成之群：

化合物1         、      化合物2         、

化合物3              、            化合物4         、

化合物5              、            化合物6              、

化合物7         、            化合物8         、

化合物9         、            化合物10            、

化合物11                、       化合物12                 、

化合物13                、       化合物14                 、

化合物15           、            化合物16            、

化合物17                、            化合物18            、

化合物19           、            化合物20       、

化合物21                、            化合物22            、

化合物23                、            化合物24            、

化合物25                、            化合物26            、

化合物27                、            化合物28            、

化合物29                、            化合物30            、

化合物31           、            化合物32            、

化合物33                、            化合物34            、

化合物35                、            化合物36            、

化合物37                、            化合物38            、

化合物39                、      化合物40            、

化合物41                、            化合物42            、

化合物43           、            化合物44            、

化合物45           、            化合物46            、

化合物47           、            化合物48                 、

化合物49           、            化合物50            、

化合物51                、            化合物52               、

化合物53                、            化合物54               、

化合物55                、            化合物56               、

化合物57                、            化合物58            、

化合物59                、            化合物60               、

化合物61                、            化合物62               、

化合物63                、            化合物64               、

化合物65                、            化合物66            、

化合物67                、            化合物68            、

化合物69                、            化合物70               、

化合物71                、            化合物72            、

化合物73                、            化合物74            、

化合物75           、            化合物76            、

化合物77           、            化合物78            、

化合物79           、            化合物80

化合物81                     、            化合物82

化合物83                          、            化合物84

化合物85           、            化合物86            、

化合物87                、            化合物88            、

化合物89           、            化合物90                 、

化合物91           、            化合物92            、

化合物93           、            化合物94            、

化合物95           、            化合物96       、

化合物97                、            化合物98            、

化合物99                、            化合物100          、

化合物101               、            化合物102             、

化合物103               、            化合物104        、

化合物105               、            化合物106             、
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、化合物107                              化合物108
、
、化合物109                              化合物110
、
、化合物111                              化合物112
、
、化合物113                              化合物114
、
、化合物115                              化合物116
、
、化合物117                              化合物118
、
、化合物119                              化合物120
及
。化合物121                         化合物122
一種第一裝置，其包含第一有機發光裝置，該第一有機發光裝置包含：陽極；陰極；及有機層，其安置於該陽極與該陰極之間，該有機層包含具有根據式I之結構之化合物：
式I，其中A¹ 、A² 、A³ 、A⁴ 、A⁵ 、A⁶ 、A⁷ 及A⁸ 包含碳或氮；其中A¹ 、A² 、A³ 、A⁴ 、A⁵ 、A⁶ 、A⁷ 及A⁸ 中之至少一者為氮；其中環B經由C-C鍵鍵結至環A；其中銥經由Ir-C鍵鍵結至環A；其中X為O、S或Se；其中R¹ 及R² 各自獨立地表示單取代基、二取代基、三取代基、四取代基或無取代基；其中R'及R"各自獨立地表示單取代基、二取代基或無取代基；其中R'、R"、R¹ 、R² 、R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 中之任何相鄰取代基視情況連接在一起形成環；其中R¹ 、R² 、R'及R"各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、鹵基、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸基、酯基、腈基、異腈基、硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；其中R³ 、R⁴ 、R⁵ 及R⁶ 各自獨立地選自由以下組成之群：氫、氘、烷基、環烷基及其組合；其中n為1至3之整數；及其中R³ 及R⁴ 對以及R⁵ 及R⁶ 對中之至少一者中之總碳數為至少四個。
如請求項13之第一裝置，其中該有機層為發射層且該化合物為發射摻雜劑或非發射摻雜劑。
如請求項13之第一裝置，其中該有機層進一步包含主體，其中該主體包含至少一個選自由以下組成之群的化學基團：聯伸三苯、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜聯伸三苯、氮雜咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃及氮雜-二苯并硒吩。