KR20150137075A - 전해 구리 도금욕용 첨가제, 그 첨가제를 포함하는 전해 구리 도금욕 및 그 전해 구리 도금욕을 사용한 전해 구리 도금 방법 - Google Patents

전해 구리 도금욕용 첨가제, 그 첨가제를 포함하는 전해 구리 도금욕 및 그 전해 구리 도금욕을 사용한 전해 구리 도금 방법 Download PDF

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KR20150137075A
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Abstract

미세한 홈이나 구멍(이하, 트렌치라고 약칭하는 경우가 있다)이 존재하는 피도금 기체의 트렌치에 전해 구리 도금에 의해 구리를 채우는 경우, 종래 사용되어 온 구리 도금욕에서는 채워진 구리의 내부에 보이드가 발생하는 것이나, 피도금 기체 표면에 있어서의 트렌치 이외의 표면 부분에 도금된 구리의 두께가 두꺼워져 버리는 일 등이 문제로 되어 있어, 이들 과제를 해결할 수 있는 전해 구리 도금욕이 요망되고 있었다. 본 발명은 상기 문제를 해결하기 위하여, 하기 화학식(1) 또는 하기 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의, 20,000~10,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 고분자 화합물을 포함하는 전해 구리 도금욕용 첨가제를 제공한다.
Figure pct00016

식 중, ｎ은 중량 평균 분자량이 20,000~10,000,000으로 되는 수를 나타낸다.
Figure pct00017

식 중, X는 특정의 구조로 표시되는 유닛으로부터 선택되는 적어도 1개의 유닛을 나타내고, a 및 b는 중량 평균 분자량이 20,000~10,000,000으로 되는 수를 나타내며, a 및 b의 비율은 a：b= 10：90 ~ 99：1의 범위내이다.

Description

전해 구리 도금욕용 첨가제, 그 첨가제를 포함하는 전해 구리 도금욕 및 그 전해 구리 도금욕을 사용한 전해 구리 도금 방법{ADDITIVE FOR COPPER ELECTROPLATING BATH, COPPER ELECTROPLATING BATH CONTAINING SAID ADDITIVE, AND COPPER ELECTROPLATING METHOD USING SAID COPPER ELECTROPLATING BATH}
본 발명은, 특정의 구조를 갖는 고분자 화합물을 포함하는 전해 구리 도금욕용 첨가제, 상기 첨가제를 함유하는 전해 구리 도금욕, 및 상기 전해 구리 도금욕을 사용한 전해 구리 도금 방법에 관한 것이다.
종래, 다마신(damascene)법이나 TSV법 등에 의한 고집적화 전자회로의 제조에 있어서, 홈이나 구멍에 구리를 채우는 방법으로서 전해 구리 도금이 행해지고 있다. 그러나, 채우는 구리의 내부에 보이드가 생기는 일이 많았다. 이것을 해결하는 수단으로서, 홈이나 구멍의 저부의 도금 성장을 촉진하는 촉진제, 홈이나 구멍의 측면의 도금 성장을 저해하는 억제제 및 평활제 등을 전해 구리 도금욕에 첨가하는 것으로 보이드의 발생을 억제하여 채우는 특성이 양호한 전해 구리 도금을 얻는다고 하는 수단이 알려져 있다.
특허문헌 1에는, 세미어디티브용 황산계 구리 도금액에 있어서, 비스(3-설포프로필)을 지닌 4급 암모늄염 중합체와 염소를 포함하는 구리 도금액이 개시되어 있다. 특허문헌 1은 디설피드 화합물을 함유하는 구리 도금액을 개시하고 있지만, 디설피드 화합물은 도금액을 사용하고 있지 않은 사이 또는 전해중에 분해하여 구리 도금액 중에 분해물이 축적하는 것이 알려져 있어, 분해물에 의한 도금액의 성능의 열화가 문제되어 있었다.
특허문헌 2에는, 구리 애노드와 반응하지 않고 저전류에서 사용 가능하며, 또 비전해시의 소모가 적고, 광택성 및 평활성이 양호한 구리 도금 피막을 제공할 수 있는 전기 구리 도금용 첨가제로서, 특정의 유기 티오 화합물을 개시하고 있다. 특허문헌 2에서 개시된 특정의 유기 티오 화합물은 설피드 화합물이다. 상기 설피드 화합물은 디설피드 화합물보다도 비전해시의 소모가 적지만, 구리 도금액 중에 분해물이 축적하는 것은 피할 수 없고, 분해물에 의한 도금액의 성능 열화가 문제로 되어 있었다.
특허문헌 1: 일본국 특개2011-6773호 공보 특허문헌 2: 일본국 특개평7-62587호 공보
미세한 홈이나 구멍(이하, 트렌치라고 약칭하는 경우가 있다)이 존재하는 피도금 기체의 트렌치에 전해 구리 도금에 의해 구리를 채우는 경우, 종래 사용되어 온 구리 도금욕에서는, 구리 도금욕에 첨가된 설피드 화합물 또는 디설피드 화합물의 분해물의 발생에 의해 구리 도금욕의 열화가 발생하는 것이나, 트렌치 내부에 구리를 충분하게 채울 수 없는 경우가 있는 것이나, 채우는 구리의 내부에 보이드가 생기는 것이나, 도금된 기체 표면에 있어서의 트렌치 이외의 표면 부분에 도금된 구리의 두께가 두껍게 되어 버리는 것이 문제로 되어 있었다. 피도금 기체 표면에 있어서의 트렌치 이외의 표면 부분에 도금된 구리는, 전해 구리 도금 처리 후에, CMP법으로 대표되는 화학기계연마 프로세스 등에 의한 평탄화 처리에 의해 제거할 필요가 있다. 상기 구리의 두께가 두꺼운 경우, 상기 제거에 필요로 되는 공정에 요하는 시간이 증가하는 점에서, 상기 구리의 두께는 생산성에 큰 영향을 준다. 또한, 트렌치의 폭과 깊이의 비가 1：5~1：15인 경우에 있어서는, 트렌치 내부에 구리를 채우려고 하는 경우에 보이드가 발생하는 경우가 많아, 이들 과제를 해결할 수 있는 전해 구리 도금욕이 요망되고 있었다.
본 발명자들은, 검토를 거듭한 결과, 특정의 구조를 갖는 고분자 화합물을 전해 구리 도금의 첨가제로서 사용하는 것에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명에 도달하였다. 또한, 본 발명은, 상기 전해 구리 도금의 첨가제를 포함하는 전해 구리 도금욕 및 상기 전해 구리 도금욕을 사용한 전해 구리 도금 방법도 제공한다.
즉, 본 발명은, 하기 화학식(1) 또는 하기 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의, 20,000~10,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 고분자 화합물을 포함하는 전해 구리 도금욕용 첨가제를 제공하는 것이다.
Figure pct00001
식 중, ｎ은 중량 평균 분자량이 20,000~10,000,000으로 되는 수를 나타낸다.
Figure pct00002
식 중, X는 하기 (X-1)~(X-18)로 표시되는 유닛으로부터 선택되는 적어도 1개의 유닛을 나타내고, a 및 b는 중량 평균 분자량이 20,000~10,000,000으로 되는 수를 나타내며, a 및 b의 비율은 a：b= 10：90 ~ 99：1의 범위내이다.
Figure pct00003
또한, 본 발명은, 상기 전해 구리 도금욕용 첨가제를 포함하는 전해 구리 도금욕, 및 상기 전해 구리 도금욕을 사용하는 전해 구리 도금 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 전해 구리 도금욕용 첨가제를 사용하는 것으로, 트렌치에 전해 구리 도금에 의해 구리를 채우는 경우에, 트렌치의 폭과 깊이의 비가 큰 경우이더라도 트렌치 내부에 보이드가 발생하는 일 없이 구리를 채울 수 있어, 피도금 기체 표면에 있어서의 트렌치 이외의 표면 부분에 도금된 구리의 두께가 얇은 전해구리 도금욕 및 상기 전해구리 도금욕을 사용한 전해 구리 도금방법을 제공할 수 있다.
도 1은 평가시험에 있어서의 개방부의 깊이, 개방부의 직경 및 구리의 두께(Ｌ)의 관계를 나타내는 전해 구리 도금 처리 후의 피도금 기체 단면의 모식도이다. 1은 기체에 도금된 구리를 나타내고, 2는 구리의 두께(Ｌ)를 나타내고, 3은 피도금 기체를 나타내고, 4는 개방부의 깊이를 나타내고, 5는 개방부의 직경을 나타낸다.
도 2의 (a)는 실시예 2에 있어서의, 100 nm 두께의 Cu 막이 형성되어 있는 Si 기판의 단면의 모식도를 나타낸다. (a)에 있어서의 6은 Si 기판을 나타내며, 7은 100 nm 두께의 Cu 막을 나타낸다. (b)는, 비교예 1~5에서 보이드가 발생하고 있는 상태의 모식도를 나타낸다. 8은 보이드를 나타낸다. (c)는, 비교예 1~5에 Si 기판 상의 개방부가 구리에 의해 채워지지 않는 상태의 모식도를 나타낸다. 9는 Si 기판 상의 개방부가 구리에 의해 채워지지 않은 상태를 나타낸다. (d)는 Si 기판 상의 개방부가 구리에 의해 채워져 있는 상태의 모식도를 나타낸다. (b)나 (c)의 어느 것, 또는 양방이 관찰된 상태의 평가를 ×로 하고, (d)의 상태를 ○로 평가하였다(표 5). 사선부는 Cu를 나타낸다.
발명을 실시하기 위한 형태
본 발명의 일 실시양태로서, 상기 화학식(1)로 표시되는, 20,000~10,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 고분자 화합물을 포함하는 전해 구리 도금욕용 첨가제이다.
여기서, 상기 (1)로 표시되는 고분자 화합물은 통상 20,000~10,000,000의 중량 평균 분자량을 갖지만, 바람직하게는 20,000~5,000,0000, 더욱 바람직하게는 100,000~5,000,000, 또한 바람직하게는 200,000~5,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는다.
또한, 상기 화학식(1)에 있어서의 ｎ은 상기 (1)로 표시되는 고분자 화합물 의 중량 평균 분자량이 통상 20,000~10,000,000, 바람직하게는 20,000~5,000,0000, 더욱 바람직하게는 100,000~5,000,000, 또한 바람직하게는 200,000~5,000,000으로 되는 수를 나타낸다
상기 화학식(1)에 있어서 에 중량 평균 분자량이 20,000 보다 작으면, 트렌치로 구리를 채우는 것이 불충분하게 되는 경우가 있다. 또한, 중량 평균 분자량이 10,000,000 보다 크게 된 경우, 트렌치로 구리를 채우는 것이 불충분하게 되는 경우나 구리 도금에 불균일이 생기는 경우가 있다.
상기 화학식(1)로 표시되는 고분자 화합물은 제품명 Poly　NVA(쇼와덴코사 제조)로서 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 것의 그레이드 순서로서는, 예컨대 GE191-000, GE-191-053, GE191-103, GE191-104, GE191-107, GE191-408 등을 들 수 있다.
본 발명의 다른 일실시양태로서, 상기 화학식(2)로 표시되는 20,000~10,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 고분자 화합물을 포함하는 전해 구리 도금욕용 첨가제이다.
여기서, 상기(2)로 표시되는 고분자 화합물은 통상 20,000~10,000,000의 중량 평균 분자량을 갖지만, 바람직하게는 20,000~5,000,0000, 더욱 바람직하게는 100,000~5,000,000, 또한 바람직하게는 200,000~5,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는다.
상기 화학식(2)에 있어서, 중량 평균 분자량이 20,000보다 작으면, 트렌치로 구리를 채우는 것이 불충분하게 되는 경우가 있다. 또한, 중량 평균 분자량이 10,000,000보다 크게 된 경우, 트렌치로 구리를 채우는 것이 불충분하게 되는 경우나 구리 도금에 불균일이 생기는 경우가 있다
상기 화학식(2)에 있어서, X는 상기 (X-1) ~ (X-18)로 표시되는 유닛으로부터 선택되는 적어도 1개의 유닛을 나타내고, a 및 b는 중량 평균 분자량이 통상20,000 ~ 10,000,000, 바람직하게는 20,000 ~ 5,000,0000, 더욱 바람직하게는 100,000 ~ 5,000,000, 또한 바람직하게는 200,000 ~ 5,000,000으로 되는 수를 나타낸다. a 및 b의 비율은 a：b= 10：90~99：1 범위내이고, a：b= 60：40 ~ 99：1 범위내인 것이 특히 바람직하다.
상기 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물의 바람직한 구체예로서는, 예컨대 하기 고분자 화합물 번호 1~18로 표시되는 구조를 갖는 고분자 화합물을 들 수 있다. 하기 고분자 화합물 번호 1~18로 표시되는 구조식 중의 a 및 b의 비율은 a：b= 60：40~99：1의 범위내이다. 그중에서도 a：b= 80：20~95：5 범위내인 화합물이 특히 바람직하다. 또한, 상기 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물은 랜덤 중합체이어도 좋고, 블록 중합체이어도 좋다.
Figure pct00004
Figure pct00005
Figure pct00006
상기 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물은 제품명 어드히로(adHERO) (쇼와덴코사 제조)로서 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 것의 구체적인 제품명으로서는, 예컨대 어드히로 GE167 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 중량평균 분자량이라는 것은, 브롬화리튬 0.1 질량%를 함유한 N，N-디메틸 포름아미드 용액을 용리액으로 하고, 시차굴절율검출기(RI 검출기)를 사용하여 GPC 분석을 행한 경우의 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량을 말한다.
본 발명에 사용되는 화학식(1) 및 (2)로 표시되는 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은, 예컨대 하기의 측정장치 및 측정조건에 의해 측정할 수 있다.
검출기：Waters 2414(Waters사 제조)
컬럼：Shodex　KD-G(쇼와덴코사 제조), Shodex　KD-806(쇼와덴코사 제조)를
직렬로 접속
용리액：브롬화리튬 0.1 질량%를 함유한 N，N-디메틸 포름아미드 용액
전개용매 유속：1 ml/min
검출기：RI 검출기　Waters 2414(Waters사 제조)
검출온도：35℃
샘플 농도：0.05 질량%
또한 하기 실시예에서 사용한 고분자 화합물의 중량평균 분자량은 상기 조건에 의해 측정하였다.
본 발명의 전해 구리 도금욕에 사용되는 화학식(1) 또는 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물의 농도는 0.0001~0.1 질량%, 바람직하게는 0.001~0.05 질량%, 또한 바람직하게는 0.003~0.03 질량% 범위내이다. 본 발명의 전해 구리 도금욕에 사용되는 고분자 화합물의 농도는 0.0001 질량%보다 적으면 첨가 효과를 충분하게 얻을 수 없다. 또한, 본 발명의 전해 구리 도금욕에 사용되는 고분자 화합물의 농도가 0.1% 보다 높게 되면, 전해 구리 도금욕의 점도가 높게 되며, 구리 도금의 불균일의 요인으로 되기 때문에 바람직하지 않다. 본 발명의 전해 구리 도금욕에 사용되는 화학식(1) 또는 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물은 각각 단독으로 또는 그들을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명의 전해 구리 도금욕에 사용되는 화학식(1) 또는 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물은 화학식(1) 또는 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물을 단독으로 사용하는 경우에는, 화학식(1) 또는 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물의 농도를 의미하고, 화학식(1) 및 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물을 혼합하여 사용하는 경우에는 화학식(1) 및 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물의 농도의 합을 의미한다. 화학식(1)로 표시되는 고분자 화합물과 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물을 혼합하여 사용하는 경우의 화학식(1)로 표시되는 고분자 화합물과 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물의 농도의 비율은 1：50 ~ 50：1의 범위가 바람직하고, 1：25 ~ 25：1의 범위인 경우가 더욱 바람직하고, 1：5 ~ 5：1범위인 경우가 특히 바람직하다.
본 발명의 전해 구리 도금욕용 첨가제로서 사용되는 화학식(1) 또는 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물 이외의 성분으로서는, 공지의 전해 구리 도금욕 과 동일한 성분을 사용할 수 있다. 예컨대, 구리의 공급원인 구리염으로서는, 황산구리, 아세트산구리, 플루오로붕산구리, 질산구리 등을 들 수 있고, 전해질인 무기 산으로서는, 황산, 인산, 질산, 할로겐화수소, 설파민산, 붕산, 플루오로붕산 등을 들 수 있다.
본 발명의 전해 구리 도금욕은, 특히, 황산구리 및 황산을 베이스로하는 도금욕이 적합하다. 이 경우, 황산구리·5수화물을 구리 금속의 농도로서 5~200 g/L, 바람직하게는 10~100 g/L, 황산을 1~100 g/L, 바람직하게는 5~50 g/L 범위내로 하는 것이 효율적이다.
또한, 본 발명의 전해 구리 도금욕에는, 염화물 이온을 사용할 수 있다. 염화물 이온은, 도금욕 중 20~200 mg/L로 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 20~150 mg/L로 되도록 배합하는 것이 더욱 바람직하다. 염화물 이온원은, 특히 한정되는 것은 아니나, 예컨대 염산을 사용할 수 있다.
본 발명의 전해 구리 도금욕에는, 전해 구리 도금욕에 첨가할 수 있는 것이 알려져 있는 그 외의 첨가제를, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위 내에서 임의로 사용할 수 있다. 그 외의 첨가제로서는, 억제제, 촉진제, 평활제를 들 수 있고, 더욱 구체적으로는 설폰산, 설피드 및 디설피드 등의 설피드 화합물; 안트라퀴논 유도체; 양이온성 계면활성제; 음이온성 계면활성제; 비이온성 계면활성제; 양쪽성 계면활성제; 메탄설폰산, 에탄설폰산 등의 알칸설폰산; 메탄설폰산나트륨 등의 알칸설폰산염; 메탄설폰산에틸 등의 알칸설폰산에스테르; 이세티온산 등의 히드록시알칸설폰산; 히드록시알칸설폰산염; 히드록시알칸설폰산에스테르; 히드록시알칸설폰산 유기산 에스테르 등을 들 수 있다. 이들을 사용하는 경우의 농도는, 일반적으로, 0.001 질량% ~ 50 질량% 범위이고, 더욱 바람직하게는 0.01 질량% ~ 30 질량% 범위이다. 또한, 상술한 바와 같이 본 발명의 전해 구리 도금욕에는, 도금 성장을 촉진하기 위하여 설피드나 디설피드 화합물을 첨가제로서 첨가할 수 있지만, 설피드나 디설피드 화합물을 첨가한 경우에는, 상기 화합물의 분해물에 의한 도금욕의 열화가 발생하는 것이 예상되는 점에서, 본 발명의 전해 구리 도금욕은 설피드나 디설피드 화합물을 함유하지 않는 전해 구리 도금욕인 것이 바람직하다.
본원 발명의 전해 구리 도금욕은, 상기 성분 이외의 성분은 물이다. 따라서, 상기 성분을 필요량 함유하는 수용액 또는 분산액의 형태로 제공된다.
본원 발명의 전해 구리 도금욕은 상기 화학식(1) 또는 하기 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 고분자 화합물을 0.0001~0.1 질량%, 구리염, 황산 및 염산을 포함하는 수용액인 전해 구리 도금욕인 경우가 특히 바람직하다.
본 발명의 전해 구리 도금 방법은, 전해 구리 도금욕으로서 본 발명의 전해 구리 도금욕을 사용하는 이외는, 종래의 전해 구리 도금 방법과 동일하게 행할 수 있다. 또한, 종래의 전해 구리 도금 방법에서 사용되어 온 일반적인 전류밀도는 수 ~ 십수 A/dm2 이다. 본 발명의 전해 구리 도금 방법에 사용되는 전해 구리 도금 조건으로서는, 예컨대 전해 구리 도금욕 온도는 15~40℃, 바람직하게는 20~30℃이고, 전류밀도는 0.1~15 A/dm2, 바람직하게는 0.1~10 A/dm2, 더욱 바람직하게는 0.5~5 A/dm2의 범위내이다. 또한, 전해 구리 도금욕의 교반 방법은 공기교반, 급속액류교반, 교반날개 등에 의한 기계교반이나 피도금 기체를 회전시키는 방법 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 전해 구리 도금 방법을 사용하여 제조되는, 도금이 실시된 제품은 특히 한정되지 않지만, 예컨대, 자동차공업재료(히트싱크, 캐브레이터 부품, 연료주입기, 실린더, 각종 밸브, 엔진 내부 등), 전자공업재료(접점, 회로, 반도체 팩케이지, 프린트 기판, 박막 저항체, 콘덴서, 하드디스크, 자성체, 리드프레임, 너트, 마그넷, 저항체, 스템, 컴퓨터 부품, 전자부품, 레이저 발진소자, 광 메모리 소자, 광파이버, 필터, 서미스터, 발열체, 고온용발열체, 배리스터, 자기 헤드, 각종 센서(가스, 온도, 습도, 광, 속도 등), MEMS 등), 정밀기기(복사기 부품, 광학기기부품, 시계 부품 등), 항공·선박재료(수압계 기기, 스크류, 엔진, 터빈 등), 화학공업재료(볼, 게이트, 플러그, 체크 등), 각종 금형, 공작기계부품, 진공기기부품등 범위의 것을 들 수 있다. 본 발명의 전해 구리 도금 방법은, 특히 미세한 패턴이 요구되는 전자공업재료에 사용하는 것이 바람직하고, 중에서도, TSV 형성, 범프 형성 등으로 대표되는 반도체 팩케이지, 프린트 기판의 제조에 있어서 사용하는 것이 더욱 바람직하고, 상기 반도체 팩케이지가 더욱 바람직하다.
실시예
이하, 실시예, 비교예를 들어 본 발명을 또한 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예 등에 의해 어떠한 제한을 받는 것이 아니다.
[실시예 1]
표 1에 나타낸 분자 화합물을 사용하여, 표 2에 나타낸 배합으로 전해 구리 도금욕을 배합하여, 실시예 구리 도금욕 번호 1~16을 얻었다. 함유량의 잔부는 물이다.
또한, 본 실시예에서 사용한 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은, 상기 조건에 의해 측정하였다.
Figure pct00007
Figure pct00008
[비교제조예 1]
표 3에 나타낸 화합물을 사용하여, 표 4에 나타낸 배합으로 전해 구리 도금욕을 배합하여, 비교도금욕 1~5를 얻었다. 함유량의 잔부는 물이다.
Figure pct00009
Figure pct00010
[실시예 2]
100 nm 두께의 Cu 막이 형성되어 있는 Si 기판 상에 개방부(형상: 원주, 직경 5μｍ × 깊이 50μｍ(애스펙트비：10))를 설치한 기판을 20 mm×20 mm로 절단하여, 시험편으로 하고, 이 시험편에 대하여, 개방부를 전해 구리 도금으로 채우기 위하여, 실시예 구리 도금욕 번호 1~16를 사용하여, 각각 전해 구리 도금을 행하였다. 구리 도금 장치는, 패들 교반식 도금장치(주식회사 야마모토광금시험기사 제조)를 사용하였다. 구리 도금 조건은, 전류밀도：0.5 A/dm2, 시간：30분, 온도：25℃이고, 애노드 전극에는 순 구리를 사용하였다.
[비교제조예 2]
100 nm 두께의 Cu 막이 형성되어 있는 Si 기판 상에 개방부(형상：원주, 직경 5μｍ × 깊이 50μｍ(애스펙트비：10))를 설치한 기판을 20 mm × 20 mm로 절단하여, 시험편으로 하고, 이 시험편에 대하여, 개방부를 전해 구리 도금으로 채우기 위하여, 비교 구리 도금욕 1~5를 사용하여, 각각 전해 구리 도금을 행하였다. 구리 도금 장치는, 패들 교반식 도금장치(주식회사 야마모토광금시험기사 제조)를 사용하였다. 구리 도금 조건은, 전류밀도：0.5 A/dm2, 시간：30분, 온도：25℃이고, 애노드 전극에는 순 구리를 사용하였다.
[평가결과]
실시예 2 및 비교제조예 2에 의해 얻어진 피도금 기체의 단면을 레이저 현미경(KEYENCE사 제조, VHX-S50)으로 관찰하는 것으로, Si 기판 상에 설치된 개방부가 구리에 의해 채워져 있는지 확인하였다. 개방부가 구리에 의해 채워져 있는 상태를 Ｏ(도 2의 (d)), 보이드가 발생하고 있는 상태(도 2의 (b)) 및 개방부가 구리에 의해 채워져 있지 않은 상태(도 2의 (c))를 X로서 평가하였다. 또한, 실시예 2 및 비교제조예 2에 의해 얻어진 피도금 기체의 단면을 레이저 현미경으로 관찰하는 것으로, 피도금체 표면에 있어서의 개방부 이외의 표면 부분에 도금된 구리의 두께(Ｌ)를 측정하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure pct00011
표 5의 결과로부터, 본 발명예 1~16은 모두에 있어서 개방부를 구리로 충분하게 채울 수 있었지만, 비교예 1~5는 전부 샘플 보이드가 발생하여, 개방부를 구리로 충분하게 채울 수 없었다. 또한, 본발명예 4~8 및 본발명예 12~16은, 비교예 1~5와 비교하여 Ｌ이 매우 작게 되어 있는 것을 알았다. 따라서, 본원 발명의 전해 구리 도금욕은, 생산성이 우수한 전해 구리 도금욕인 것을 알 수 있다.
2013년 4월 2일에 출원된 일본 특허출원 2013-76857호의 명세서, 특허청구의 범위, 도면 및 요약서 전체의 내용을 여기에 인용하며, 본 발명의 명세서의 개시로서, 포함시킬 수 있다.
1： 기체에 도금된 구리 2： 구리의 두께(Ｌ)
3： 피도금 기체 4： 개방부의 깊이
5： 개방부의 직경 6： Si 기판
7： 100 nm 두께의 Cu 막 8： 보이드
9： Si 기판 상의 개방부가 구리에 의해 채워져 있지 않은 상태

Claims (11)

  1. 하기 화학식(1) 또는 하기 화학식(2)로 표시되는 고분자 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의, 20,000~10,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 고분자 화합물을 포함하는 전해 구리 도금욕용 첨가제:
    Figure pct00012

    식 중, ｎ은 중량 평균 분자량이 20,000~10,000,000으로 되는 수를 나타낸다.
    Figure pct00013

    식 중, X는 하기 (X-1)~(X-18)로 표시되는 유닛으로부터 선택되는 적어도 1개의 유닛을 나타내고, a 및 b는 중량 평균 분자량이 20,000~10,000,000으로 되는 수를 나타내며, a 및 b의 비율은 a：b= 10：90~99：1의 범위내이다.
    Figure pct00014
  2. 제1항에 있어서, 하기 화학식(1)로 표시되는 고분자 화합물을 포함하는 전해 구리 도금욕용 첨가제:
    Figure pct00015

    식 중, ｎ은 중량 평균 분자량이 20,000~10,000,000으로 되는 수를 나타낸다.
  3. 제2항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 고분자 화합물이 20,000 ~ 5,000,0000의 중량 평균 분자량을 갖는 전해 구리 도금욕용 첨가제.
  4. 제2항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 고분자 화합물이 100,000 ~ 5,000,0000의 중량 평균 분자량을 갖는 전해 구리 도금욕용 첨가제.
  5. 제2항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 고분자 화합물이 200,000 ~ 5,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 전해 구리 도금욕용 첨가제.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 전해 구리 도금욕용 첨가제를 0.0001 ~ 0.1 질량% 포함하는 전해 구리 도금욕.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전해 구리 도금욕용 첨가제가, 상기 화학식(1)로 표시되는 고분자 화합물을 포함하는 전해 구리 도금욕.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전해 구리 도금욕용 첨가제를 0.001~0.05 질량% 포함하는 전해 구리 도금욕.
  9. 제7항에 있어서, 상기 전해 구리 도금욕용 첨가제를 0.003~0.03 질량% 포함하는 전해 구리 도금욕.
  10. 제6항에 있어서, 구리염, 황산 및 염산을 함유하는 전해 구리 도금욕.
  11. 제6항에 기재된 전해 구리 도금욕을 사용하는 전해 구리 도금 방법.
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