KR20150036670A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 불활성 가스를 충만시키는 실내의 산소 농도를 원하는 농도까지 저하시키는 시간을 단축한다.
기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 반송실이, 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체; 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부; 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재; 및 상기 격리 공간을 배기하는 배기부;를 구비하도록 구성한다.
기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 반송실이, 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체; 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부; 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재; 및 상기 격리 공간을 배기하는 배기부;를 구비하도록 구성한다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 부른다) 등의 기판에 예컨대 열처리 등의 처리를 수행하는 기술에 관한 것으로, 특히 기판 표면에 자연 산화막이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
IC의 제조 공정에서는 웨이퍼에 절연막이나 금속막이나 반도체 막 등을 형성하거나 불순물을 확산하는 등의 열처리를 수행하기 위해서, 예컨대 복수 매의 웨이퍼를 보트에 탑재하고 복수 매의 웨이퍼에 대하여 동시에 뱃치 처리를 수행하는 종형(縱型) 열처리 장치가 사용되고 있다. 이 종형 열처리 장치에는 보트에 탑재한 복수 매의 웨이퍼를 처리하는 처리실과, 상기 처리 전에 보트에 웨이퍼를 탑재하는 이재실(移載室)을 구비한다. 상기 이재실에는 불활성 가스로서 예컨대 질소 가스를 충만시키는 것에 의해, 이재실 내의 산소 농도를 저하시켜서 웨이퍼를 산소로부터 차단하여 자연 산화막이 웨이퍼에 형성되는 것을 억제한다(특허문헌 1 참조). 하지만 종래의 종형 열처리 장치에서는 이재실 내의 산소 농도를 원하는 농도까지 저하시키기 위해서 상당한 시간을 소요하고, 이것이 장치의 스루풋을 향상시키는 데 있어서 과제가 되고 있다.
본 발명의 목적은 광체(筐體) 내의 산소 농도를 원하는 농도까지 저하시키는 시간을 단축하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하는 기판 처리 장치로서, 상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체(壁體); 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부; 및 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재;를 구비하고, 상기 격리 공간을 배기하는 배기부;를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하고, 상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체와, 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하는 기판 처리 방법으로서, 상기 반송실로부터 상기 처리실에 기판을 반입하는 공정; 상기 격리 공간을 배기하는 공정; 및 상기 처리실에 반입된 기판을 처리하는 공정;을 구비하는 기판 처리 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하고, 상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체와, 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 반송실로부터 상기 처리실에 기판을 반입하는 공정; 상기 격리 공간을 배기하는 공정; 및 상기 처리실에 반입된 기판을 처리하는 공정;을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 광체 내의 산소 농도를 원하는 농도까지 저하시키는 시간을 단축하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 사시도.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 수직 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에서 바람직하게 이용되는 격리 공간 형성 부재를 설명하는 도면.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 부분 상면도(上面圖).
도 5는 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 부분 수직 단면도.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 광체를 설명하는 도면.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 부착 기둥을 설명하는 도면.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 부착 기둥과 광체 보강 기둥을 설명하는 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시예의 효과를 설명하는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 수직 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에서 바람직하게 이용되는 격리 공간 형성 부재를 설명하는 도면.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 부분 상면도(上面圖).
도 5는 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 부분 수직 단면도.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 광체를 설명하는 도면.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 부착 기둥을 설명하는 도면.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에서 바람직하게 이용되는 부착 기둥과 광체 보강 기둥을 설명하는 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시예의 효과를 설명하는 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에서의 기판 처리 장치를 설명한다. 본 실시 형태에서 기판 처리 장치는 일 예로서 반도체 장치(IC: Integrated Circuit)의 제조 방법에서의 처리 공정을 실시하는 반도체 제조 장치로서 구성된다. 또한 이하의 설명에서는 기판 처리 장치로서 기판에 산화, 확산 처리나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리 등을 수행하는 뱃치식 종형 반도체 제조 장치(이하, 단순히 처리 장치라고 부른다)를 적용한 경우에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명이 적용되는 처리 장치의 투시도이며, 사시도로서 도시된다. 또한 도 2는 도 1에 도시하는 처리 장치의 측면 투시도다.
도 2에 도시되는 바와 같이 본 실시 형태의 처리 장치(100)는 실리콘 등으로 이루어지는 웨이퍼(200)(기판)를 수납하는 웨이퍼 캐리어로서 포드(110)를 사용하고, 광체(111)를 구비한다. 광체(111)의 정면벽(111a)에는 포드 반입 반출구(112)가 광체(111)의 내외를 연통(連通)하도록 개설(開設)되고, 포드 반입 반출구(112)는 프론트 셔터(113)에 의해 개폐된다. 포드 반입 반출구(112)의 정면 전방측(前方側)에는 로드 포트(114)가 설치되고, 로드 포트(114)는 포드(110)를 재치한다. 포드(110)는 로드 포트(114) 상에 공정 내 반송 장치(도시되지 않음)에 의해 반입되고, 또한 로드 포트(114) 상으로부터 반출된다.
광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 상부에는 회전 선반(105)이 설치되고, 회전 선반(105)은 지주(116)를 중심으로 회전하고, 선반판(117)에 복수 개의 포드(110)를 보관한다. 도 2에 도시하는 바와 같이 광체(111) 내에서의 로드 포트(114)와 회전 선반(105) 사이에는 포드 반송 장치(118)가 설치된다. 포드 반송 장치(118)는 포드(110)를 보지(保持)한 상태에서 승강 가능한 포드 엘리베이터(118a)와, 수평 반송 기구로서의 포드 반송 기구(118b)로 구성되고, 로드 포트(114), 회전 선반(105), 포드 오프너(121) 사이에서 포드(110)를 반송한다.
도 2에 도시하는 바와 같이 광체(111) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 하부에는 서브 광체(119)가 후단에 걸쳐 구축된다. 서브 광체(119)의 정면벽(119a)에는 웨이퍼(200)를 서브 광체(119) 내에 대하여 반입 반출하기 위한 웨이퍼 반입 반출구(120)가 1쌍, 수직 방향으로 상하 2단으로 배열되어 개설되고, 상하단의 웨이퍼 반입 반출구(120, 120)에는 1쌍의 포드 오프너(121, 121)가 각각 설치된다. 포드 오프너(121)는 포드(110)를 재치하는 재치대(122, 122)와, 포드(110)의 캡(개체)을 탈착하는 캡 탈착 기구(123, 123)를 구비한다. 포드 오프너(121)는 재치대(122)에 재치된 포드(110)의 캡을 캡 탈착 기구(123)에 의해 탈착하는 것에 의해, 포드(110)의 웨이퍼 출입구를 개폐한다. 재치대(122)는 기판을 이재할 때에 기판 수용기가 재치되는 이재 선반이다.
도 2에 도시하는 바와 같이 서브 광체(119)는 포드 반송 장치(118)나 회전 선반(105)의 설치 공간의 분위기와 격리된 이재실(124)을 구성한다. 이재실(124) 내 전측(前側) 영역에는 포드(110)에 격납되는 기판을 기판 보지구로서의 보트(217)에 이재하는 웨이퍼 이재 기구(125)가 설치된다. 웨이퍼 이재 기구(125)는 기판 이재 수단으로서의 기판 이재기를 구성한다. 웨이퍼 이재 기구(125)는 웨이퍼(200)를 트위저(125c)에 재치하여 수평 방향으로 회전 내지 직동(直動) 가능한 웨이퍼 이재 장치(125a) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)를 승강시키기 위한 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)로 구성된다. 이들 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b) 및 웨이퍼 이재 장치(125a)의 연속 동작에 의해, 보트(217)에 대하여 웨이퍼(200)를 장전(裝塡) 및 탈장(脫裝)한다.
도 1에 도시되는 바와 같이 이재실(124) 내에는 청정화된 불활성 가스인 클린 에어(133)를 공급하도록 공급 팬 및 방진 필터로 구성된 클린 유닛(134)이 설치된다. 클린 유닛(134)은 이재실(124)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부를 구성한다. 또한 이재실(124)에는 이재실(124) 내의 분위기를 이재실(124) 외로 배출하는 이재실 배기부(도시되지 않음)가 설치된다. 이재실 배기부는 이재실(124) 외로 배출하는 분위기의 일부를 클린 유닛(134)에 되돌리고 순환시키고, 나머지를 기판 처리 장치(100) 외로 배출하도록 구성된다. 도 2에 도시하는 바와 같이 보트(217)의 상방(上方)에는 처리로(202)가 설치된다. 처리로(202)는 내부에 기판 처리실(도시되지 않음)을 구비하고, 상기 기판 처리실의 주위에는 기판 처리실 내를 가열하는 히터(도시되지 않음)를 구비한다. 처리로(202)의 하단부는 노구(爐口) 캡(147)에 의해 개폐된다.
도 1에 도시하는 바와 같이 이재실(124) 내에는 보트(217)를 승강시키기 위한 보트 엘리베이터(115)가 설치된다. 보트 엘리베이터(115)는 기판 보지구 반송 수단으로서의 기판 보지구(보트) 반송기를 구성한다. 보트 엘리베이터(115)에 연결된 암(128)에는 씰 캡(219)이 수평하게 설치되고, 씰 캡(219)은 보트(217)를 수직으로 지지하여 처리로(202)의 하단부를 밀폐 가능하도록 구성된다. 보트(217)는 복수 개의 보지 부재(部材)를 구비하고, 복수 매(예컨대 50매 내지 125매 정도)의 웨이퍼(200)를 그 중심을 맞춰서 수직 방향으로 정렬시킨 상태에서 각각 수평하게 보지하도록 구성된다.
또한 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)는 제어 수단으로서의 컨트롤러(도시되지 않음)를 포함한다. 컨트롤러는 CPU와 메모리를 구비하고, HDD 등의 기억 장치, 조작부, 입출력부가 접속된다. 컨트롤러는 기판 처리 장치(100)에서의 처리로(202)로의 가스 유량 제어나, 처리로(202) 내의 압력 제어나, 처리로(202)의 히터의 온도 제어나, 보트 엘리베이터(115)이나 웨이퍼 이재 기구(125) 등의 구동(驅動) 제어 등, 기판 처리 장치(100) 전체를 제어하도록 구성된다.
다음으로 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 동작에 대하여 설명한다. 이 동작은 컨트롤러에 의해 제어된다. 도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이 포드(110)가 로드 포트(114)에 공급되면, 포드 반입 반출구(112)가 프론트 셔터(113)에 의해 개방되어, 포드 반입 반출구(112)로부터 포드(110)가 반입된다. 반입된 포드(110)는 회전 선반(105)의 지정된 선반판(117)에 포드 반송 장치(118)에 의해 자동적으로 반송되어 수납된다.
포드(110)는 회전 선반(105)에 일시적으로 보관된 후, 선반판(117)으로부터 일방(一方)의 포드 오프너(121)에 반송되어 재치대(122)에 이재되거나, 또는 로드 포트(114)로부터 직접 포드 오프너(121)에 반송되어 재치대(122)에 이재된다. 이때 포드 오프너(121)의 웨이퍼 반입 반출구(120)는 캡 탈착 기구(123)에 의해 닫혀지고, 이재실(124)에는 불활성 가스인 클린 에어(133)가 유통되어 대기압 정도의 압력으로 유지된다.
도 2에 도시하는 바와 같이 재치대(122)에 재치된 포드(110)는 그 캡이 캡 탈착 기구(123)에 의해 제거되어 포드(110)의 웨이퍼 출입구가 개방된다. 또한 웨이퍼(200)는 포드(110)로부터 웨이퍼 이재 장치(125a)에 의해 픽업되고, 보트(217)에 이재되어 장전된다. 보트(217)에 웨이퍼(200)를 수도(受渡)한 웨이퍼 이재 장치(125a)는 포드(110)로 복귀하고, 다음 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전한다.
이 일방(상단 또는 하단)의 포드 오프너(121)에서의 웨이퍼 이재 장치(125a)에 의한 웨이퍼(200)의 보트(217)로의 장전 작업 중에 타방(他方)(하단 또는 상단)의 포드 오프너(121)에는 회전 선반(105) 또는 로드 포트(114)로부터 다른 포드(110)가 포드 반송 장치(118)에 의해 반송되어, 포드 오프너(121)에 의한 포드(110)의 개방 작업이 동시에 진행된다.
미리 지정된 매수의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전되면, 처리로(202)의 하단부가 노구 캡(147)에 의해 개방된다. 계속해서 씰 캡(219)이 보트 엘리베이터(115)에 의해 상승되어 씰 캡(219)에 지지된 보트(217)가 처리로(202) 내의 기판 처리실에 반입된다.
보트 로딩 후에는 기판 처리실 내에서 웨이퍼(200)에 임의의 처리가 실시된다. 처리 후에는 보트 엘리베이터(115)에 의해 보트(217)가 기판 처리실로부터 반출(언로딩)되고, 그 후에는 대략 전술한 반대의 순서로 웨이퍼(200) 및 포드(110)는 광체(111)의 외부로 불출(拂出)된다.
(제1 실시예)
본 실시 형태의 제1 실시예에 대하여 도 3을 이용하여 설명한다. 도 3은 제1 실시예에 따른 격리 공간 형성 부재를 설명하는 도면이다. 서브 광체(119)는 전술한 바와 같이 이재실(124)을 구성한다. 이재실(124)은 본 실시 형태에서는 기판 처리실(이하, 단순히 처리실이라고도 부른다)에 인접한다. 이재실(124)은 보트(217)와 포드(110) 사이에서 웨이퍼(200)를 이재하는 이재실이며, 웨이퍼(200)를 탑재한 보트(217)를 처리실에 반입하고 또한 처리실로부터 반출하기 위해서 이용하는 반송실이기도 하다. 이재실(124)은 웨이퍼(200)에 대한 자연 산화막의 형성을 방지하기 위한 밀폐 공간으로 이루어지고, 불활성 가스, 예컨대 질소(N2) 가스가 충만된다. 따라서 서브 광체(119)는 대기압 또는 대기압보다 50Pa 정도의 양압(陽壓)으로 유지될 수 있는 기밀 구조로 구축된다.
하지만 이재실(124) 내의 산소 농도를, 예컨대 3ppm 이하의 목표 농도로 하거나, 단시간에 목표 농도에 도달하는 것은 용이하지 않다. 본 발명의 발명자들은 연구의 결과, 서브 광체(119)를 구성하는 벽체와 벽체의 접합부에서 서브 광체(119) 외의 대기(大氣) 중의 산소가 이재실(124) 내에 확산하는 것이 이재실(124) 내의 산소 농도를 단시간에 저감하는 데 하나의 장해가 된다는 사실을 구명했다. 이 확산 현상은 이재실(124) 내의 압력이 이재실(124) 외의 압력보다 높은 양압의 경우에도 발생한다.
도 1이나 도 2에 도시하는 바와 같이 서브 광체(119)의 좌우 측면의 벽체와, 후면[포드 오프너(121)와 반대측]의 벽체와, 저면(底面)의 벽체는 광체(111)의 일부로 구성된다. 서브 광체(119)는 그 좌우 측벽과 후벽과 저벽에 서브 광체(119)의 전면(前面)인 정면벽(119a)과 천정벽(天井壁)이 접합되어 구성된다. 서브 광체(119)를 구성하기 위해서 복수의 판이 서로 용접이나 씰 재료를 개재하여 접합되지만, 완전한 용접이나 씰은 곤란하고, 그 접합부의 밀폐도를 높이는 것은 용이하지 않다.
거기서 본 실시 형태에서는 도 3에 도시하는 바와 같이 예컨대 서브 광체(119)의 벽체(119b)와 벽체(119c)를 접합한 경우에 그 접합부(119d)를 예컨대 단면이 해트(모자) 형상의 해트 리브(31)로 피복하고, 해트 리브(31)의 플랜지부(31a)와 벽체(119b) 및 벽체(119c)를 예컨대 용접에 의해 접합한다. 플랜지부(31a)와 벽체(119b) 및 벽체(119c)의 접합은 용접 이외의 방법, 예컨대 씰을 개재하여 접합하는 방법도 이용할 수 있고, 용접과 씰을 병용할 수도 있다. 그리고 해트 리브(31)와 벽체(119b)와 벽체(119c)에 의해 형성된 격리 공간 내의 분위기를 덕트(32)(통풍관)를 개재하여 송풍기(팬)이나 진공 펌프 등으로 구성되는 흡인부(33)로 흡인하고, 기판 처리 장치(100) 외로 배출한다.
흡인부(33)는 기판 처리 장치(100) 내 또는 기판 처리 장치(100) 외에 설치된다. 덕트(32)는 흡인부(33)가 기판 처리 장치(100) 내에 설치되는 경우에는 기판 처리 장치(100) 내에 설치되고, 흡인부(33)가 기판 처리 장치(100) 외에 설치되는 경우에는 기판 처리 장치(100) 내로부터 기판 처리 장치(100) 외에 걸쳐서 설치된다. 덕트(32)는 기판 처리 장치(100)의 배기부를 구성한다. 또한 흡인부(33)를 기판 처리 장치(100)의 배기부에 포함시키는 경우도 있다.
또한 덕트(32)는 이재실(124)의 전술한 이재실 배기부에 접속하는 구성으로 해도 좋다. 도면에는 기재되지 않지만, 예컨대 이재실 배기부는 이재실 배기 덕트, 이재실 배기 덕트에 설치된 이재실 배기 덕트 개폐 밸브, 이재실 배기 덕트 개폐 밸브보다 후단에 설치된 진공 펌프 등으로 이루어지는 이재실 흡인부에 의해 구성된다. 덕트(32)는 흡인부(33)의 후단에서 이재실 배기부에 접속해도 좋고, 흡인부(33)를 설치하지 않고 이재실 배기부에 접속해도 좋다. 또한 덕트(32)에 덕트(32)를 개폐하는 것에 의해 격리 공간 내의 배기를 제어하는 도시되지 않는 덕트 개폐 밸브를 설치해도 좋다. 예컨대 흡인부(33)를 설치하지 않고 덕트(32)를 이재실 배기부에 접속하는 경우, 이재실 배기 덕트 개폐 밸브와 이재실 흡인부 사이에 덕트(32)를 접속한다. 예컨대 이재실 배기 개폐 밸브를 설치하지 않는 경우, 이재실 흡인부의 전단(前段)에 덕트(32)를 접속하는 구성으로 해도 좋다. 이와 같은 구성으로 하는 것에 의해, 새로 흡인부(33)를 설치할 필요가 없고, 구조의 복잡화나 비용 증대 등을 억제할 수 있다.
도 3에서는 벽체(119b)의 일단(一端)과 벽체(119c)의 일단을 각각 이재실(124) 내에 향하여 절반(折返)하고, 그들 절반부를 접합하여 접합부(119d)로 한다. 접합부(119d)는 용접에 의한 접합이나 씰 재료를 개재한 접합이어도 좋다. 도 3에서 화살표는 분위기의 흐름을 나타낸다. 또한 도 3에서는 이해하기 쉽도록 해트 리브(31)와 덕트(32)를 이간시켜서 도시하지만, 실제로는 해트 리브(31)와 덕트(32)는 접속된다. 또한 해트 리브(31)는 접합부(119d)를 이재실(124)의 공간으로부터 격리하는 격리 공간 형성 부재이며, 단면이 반원 형상[半圓狀]의 반원 통 형상이어도 좋고, 격리 공간 형성 부재로서 기능하는 한 다른 형상이어도 좋다.
또한 이재실(124) 내의 산소 농도를 저감하는 데 있어서 해트 리브(31)에 의해 형성한 격리 공간[접합부(119d)의 존재하는 공간] 내를 전술한 바와 같이 흡인하여 배기하는 것이 바람직하지만, 전술한 바와 같이 흡인하지 않고 불활성 가스, 예컨대 N2가스를 흘리는 것에 의해 배기하도록 구성하는 것도 가능하다. 이 경우에는 해트 리브(31)의 일단은 덕트를 개재하여 기판 처리 장치(100) 외에 접속되지만, 해트 리브(31)의 타단(他端)은 덕트를 개재하여 예컨대 전술한 불활성 가스 공급부[클린 유닛(134)], 즉 N2가스 공급원이나 N2가스를 송풍하는 송풍기에 접속된다. 또한 해트 리브(31)에 의해 형성한 격리 공간 내를 흡인하여 배기하는 것과 함께 불활성 가스를 흘리도록 구성하는 것도 가능하다. 또한 해트 리브(31)에 의해 형성한 기둥에 후술하는 제2 실시예의 흡인 구멍(41h)을 설치하도록 구성하는 것도 가능하다.
이상 설명한 제1 실시예에 의하면, 적어도 다음 (A1) 내지 (A2)의 효과를 얻을 수 있다. (A1) 서브 광체의 접합부를 격리 공간 형성 부재(해트 리브)에 의해 이재실 내 공간으로부터 격리하고, 상기 격리한 공간의 분위기를 기판 처리 장치 외에 배기하기 때문에, 산소가 서브 광체의 접합부로부터 이재실 내 공간에 확산되는 것을 억제할 수 있다. 즉 서브 광체의 접합부보다 광체 내에 확산되는 대기 중의 분위기를, 격리한 공간 내에 저류하여 더 이상 격리한 공간 내로부터 이재실 공간에 확산되지 않도록 배기를 수행한다. 이에 의해 광체 외로부터 광체 내로의 산소의 확산이 억제되어, 이재실 내 산소의 목표 농도에 도달하는 시간을 단축할 수 있다. (A2) 상기 격리한 공간의 분위기를 흡인하여 기판 처리 장치 외로 배기하는 구성인 경우에는 한층 더 효과적으로 산소가 서브 광체의 접합부로부터 이재실 내 공간에 확산되는 것을 억제할 수 있다. 즉 격리한 공간 내를 흡인하는 것에 의해 격리한 공간 내가 대기압보다 감압의 상태가 된다. 이재실 내는 대기압 또는 대기압보다 50Pa 정도 양압의 압력으로 유지되고, 격리한 공간은 이재실 내보다 압력이 낮은 상태가 된다. 그렇기 때문에 격리한 공간 내로부터 이재실 내로의 확산이 억제된다.
(제2 실시예)
본 실시 형태의 제2 실시예의 구성에 대하여 도 4 내지 도 8을 이용하여 설명한다. 도 4는 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 부분 상면도이며, 도 5는 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 부분 수직 단면도다. 도 6은 제2 실시예에 따른 광체를 설명하는 도면이다. 도 7은 제2 실시예에 따른 부착 기둥을 설명하는 도면이다. 도 8은 제2 실시예에 따른 부착 기둥과 광체 보강 기둥을 설명하는 도면이다.
본 발명의 발명자들은 연구의 결과, 서브 광체(119) 내에 발생하는 분위기의 정체가 이재실(124) 내의 산소 농도를 단시간에 목표 농도에 도달시키는 데 있어서 장해가 된다고 생각했다. 그래서 정체 개소(箇所)에 불활성 가스를 공급하거나, 정체 개소의 배기를 수행하여 서브 광체(119) 내에 발생하는 분위기의 정체의 해소를 시도했지만, 산소 농도의 목표 농도 도달 시간 저감으로의 큰 개선은 볼 수 없었다. 발명자들은 정체가 발생하는 원인을 한층 더 추구한 결과, 서브 광체(119)를 보강하기 위한 보강 기둥이나 광체 내 장치를 설치하는 부착 기둥 등의 서브 광체(119)를 구성하는 기둥 내에 형성된 공간에 잔류하는 분위기가 확산되는 것이 큰 원인임을 밝혀냈다. 장치 조립이나 메인터넌스 등에 의해 이재실을 대기 개방했을 때에 서브 광체(119)를 구성하는 복수의 기둥의 내부에 대기가 침입하여, 불활성 가스에 의해 서브 광체(119) 내를 퍼지해도 기둥 내부의 분위기를 충분히 퍼지할 수 없다. 그렇기 때문에 서브 광체(119)를 구성하는 기둥의 근방, 특히 기둥과 벽체의 이음매 부근에서 서브 광체(119) 내의 분위기가 정체하기 쉽고, 이 정체가 이재실(124) 내의 산소 농도를 단시간에 저감하는 데 있어서 하나의 장해된다는 사실을 구명했다.
전술한 바와 같이 이재실(124) 내에는 보트 엘리베이터(115)나 웨이퍼 이재 기구(125)가 설치되고, 분위기의 정체 부분이 다수 존재한다. 또한 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a)이나 이재 엘리베이터 부착 기둥(41b) 등의 기둥의 형상은 강도적으로는 판을 절곡한 구조나 I형 구조이어도 좋지만, 이와 같은 구조의 경우에는 이들 기둥의 근방에 분위기가 정체하기 쉬워진다. 이들 정체 개소로부터 조금씩 산소가 나오기 때문에 이재실(124) 내의 산소 농도를 단시간에 저감하기 어렵다. 또한 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a)이나 이재 엘리베이터 부착 기둥(41b) 등의 기둥의 형상을 중공(中空) 구조의 기둥, 예컨대 해트 리브 구조로 하면, 기둥을 설치한 벽체와 상기 기둥의 이음매의 극간(隙間)으로부터 기둥 내의 공간에 잔류하는 분위기가 조금씩 이재실(124) 내에 확산되기 때문에 이재실(124) 내의 산소 농도를 단시간에 저감하기 어렵다.
도 4이나 도 5에 도시하는 바와 같이 보트 엘리베이터(115)는 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a)에 설치되고, 또한 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a)은 서브 광체(119)의 벽면에 설치된다. 또한 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터(125b)는 이재 엘리베이터 부착 기둥(41b)에 설치되고, 또한 이재 엘리베이터 부착 기둥(41b)은 서브 광체(119)의 벽체에 설치된다. 또한 도 5에 도시하는 바와 같이 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a)은 광체(111)를 보강하는 광체 보강 기둥(51)에 설치된다. 또한 도 6에 도시하는 바와 같이 예컨대 서브 광체(119)의 벽체(119b)는 광체(111)를 지지하는 광체 지주(52)에 설치된다. 광체 지주(52)에는 광체 보강 기둥(51)이나 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a)이나 이재 엘리베이터 부착 기둥(41b)이 설치된다.
본 실시예에서는 이재실(124) 내의 분위기의 정체 부분이나 잔류하는 분위기의 양을 저감한다. 본 실시예에서는 광체 지주(52)나, 광체 보강 기둥(51)이나, 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a)이나, 이재 엘리베이터 부착 기둥(41b) 등의 서브 광체(119)를 구성하는 기둥을 도 7에 도시하는 바와 같이 중공 구조의 기둥, 예컨대 해트 리브 구조로 한다. 도 7은 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a)이나 이재 엘리베이터 부착 기둥(41b) 등의 부착 기둥(41)을 해트 리브 구조로 한 예다.
서브 광체(119)를 보강하기 위한 보강 기둥이나 광체 내 장치를 설치하는 부착 기둥 등의 서브 광체(119)를 구성하는 기둥의 형상을 중공 구조의 기둥으로 한 경우에는 기둥을 설치하는 벽체와 기둥의 이음매 부근에 정체가 발생하기 쉬운 것과 더불어, 기둥 내에 형성된 공간에 잔류하는 분위기가 확산되는 것이 기둥 주변에 정체가 발생하는 원인이며, 각 기둥을 해트 리브 구조로 한 경우, 해트 리브 구조에 의해 격리된 공간 내 분위기가 서브 광체(119)에 확산되는 것이 정체의 원인이 된다. 그렇기 때문에 도 7에 도시하는 바와 같이 상기 해트 리브 구조의 기둥의 측벽에 흡인 구멍(41h)을 설치한다. 그리고 흡인 구멍(41h)로부터 이재실(124) 내의 분위기를 중공 구조의 기둥의 중공부(41s)에 흡인하여[도 7의 화살표(71) 참조], 예컨대 도 3에 도시하는 덕트(32), 흡인부(33)를 이용하여 기판 처리 장치(100) 외로 배출한다[도 7의 화살표(72) 참조]. 흡인 구멍(41h)은 1개 또는 복수 설치되고, 분위기의 정체 부분을 해소한다. 흡인 구멍(41h)의 형상은 원형 구멍이나 장형 구멍이나 슬릿 등, 흡인 구멍(41h)의 배치 장소에 따라 적절한 형상을 선택하는 것이 바람직하다.
이에 의해 각 기둥의 근방에 정체된 분위기를 배출하는 것에 의해, 이재실(124) 내의 산소 농도를 단시간에 저감할 수 있다. 중공부(41s)를 흡인하는 것에 의해, 중공부(41s)가 대기압보다 감압의 상태가 된다. 이재실 내는 대기압 또는 대기압보다 50Pa 정도 양압의 압력으로 유지되고, 중공부(41s)는 이재실 내보다 압력이 낮은 상태가 된다. 이에 의해 이재실로부터 흡인 구멍(41h)을 경유하여 중공부(41s)에 이재실 내의 불활성 가스가 흐르는 에어의 흐름이 발생하고, 중공부(41s) 내에서 이재실 내로의 분위기의 확산이 억제된다.
또한 중공부(41s)를 이재실 내보다 압력이 낮은 상태로 하고 측벽에 흡인 구멍(41h)을 설치하지 않고 격리된 공간을 배기하는 구조로 해도 좋다. 해트 리브 구조에 의해 격리된 공간 내의 분위기가 이재실 공간에 확산되지 않도록 배기를 수행하는 것에 의해 해트 리브 구조 내로부터 서브 광체(119) 내에 산소가 확산되는 것이 억제된다. 또한 서브 광체(119)의 벽체와 해트 리브 구조의 기둥의 이음매를 개재하여 해트 리브 구조 주변의 분위기가 해트 리브 구조 내에 흡인된다. 이에 의해 이재실 내 산소의 목표 농도에 도달하는 시간을 단축할 수 있다. 배기는 격리된 공간 내의 분위기를 흡인하여 기판 처리 장치 외에 배기하는 구성으로 하지만, 동시에 격리된 공간 내에 불활성 가스를 공급해도 좋다. 이 경우에는 한층 더 효과적으로 산소가 해트 리브 내의 격리된 공간으로부터 서브 광체(119)에 확산되는 것을 억제할 수 있다.
또한 본 실시예에서는 도 8에 도시하는 바와 같이 서브 광체(119)를 구성하는 복수의 기둥, 예컨대 광체 보강 기둥(51)과 보트 엘리베이터 부착 기둥(41a) 등의 부착 기둥(41)을 중공 구조로 하는 것과 함께, 연결하여 접합하고, 각 기둥의 내부를 연통 구멍(51h)에 의해 연통하도록 구성하는 것이 바람직하다. 접합의 방법은 용접이나 씰을 개재하는 방법을 이용할 수 있다. 그리고 광체 보강 기둥(51) 내의 분위기(82)를 연통 구멍(51h)을 개재하여 부착 기둥(41) 내에 배출하고[도 8의 화살표(82) 참조], 또한 부착 기둥(41) 내의 분위기(81)를 기판 처리 장치(100) 외로 배출한다[도 8의 화살표(81) 참조]. 이 경우, 광체 보강 기둥(51)에는 도 7에 도시하는 흡인 구멍(41h)이 적절히 설치되어 분위기의 정체 부분을 해소한다. 또한 분위기(81)가 흐르는 방향의 부착 기둥(41)의 단(端)에는 도 3에 도시하는 바와 같은 덕트(32)나 흡인부(33)가 접속된다.
또한 중공부(41s)를 이재실 내보다 압력이 낮은 상태로 하고, 측벽에 흡인 구멍(41h)을 설치하지 않고 격리된 공간을 배기하는 구조로 해도 좋다. 해트 리브 구조에 의해 격리된 공간 내의 분위기가 이재실 공간에 확산되지 않도록 배기를 수행하는 것에 의해 해트 리브 구조 내로부터 서브 광체(119) 내로의 산소의 확산이 억제되어, 이재실 내 산소의 목표 농도에 도달하는 시간을 단축할 수 있다. 배기는 격리된 공간 내의 분위기를 흡인하여 기판 처리 장치 외로 배기하는 구성으로 하였지만, 동시에 격리된 공간 내에 불활성 가스를 공급해도 좋다.
바람직하게는 도 6에 도시하는 바와 같은 서브 광체(119)를 구성하는 복수의 기둥을 모두 연결하고, 1군데에 설치한 흡인부(33)에 의해 기둥 내의 분위기를 기판 처리 장치(100) 외로 배출하는 것이 흡인부의 비용을 저감하는 데 있어서 좋다. 하지만 서브 광체(119)를 구성하는 복수의 기둥을 모두 하나로 연결하는 것이 아니라, 여러 개씩 연결하여 상기 연결한 복수의 기둥마다 흡인부(33)를 설치하도록 구성해도 좋다. 또한 서브 광체(119)를 구성하는 복수의 기둥이 트리 구조를 형성하도록 연결하고, 상기 트리 구조의 정점(頂点)에 흡인부(33)를 설치하도록 구성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 복수의 기둥에서 폐쇄 루프를 형성하지 않기 때문에 기둥 내의 분위기가 정체되는 것을 억제할 수 있다.
또한 서브 광체(119)를 구성하는 복수의 기둥의 모든 기둥 내의 분위기를 배출하는 것이 바람직하지만, 서브 광체(119)를 구성하는 복수의 기둥 중 분위기가 정체하기 쉬운 일부의 기둥의 기둥 내의 분위기를 배출하도록 구성해도 좋다. 이와 같이 구성해도 본 실시예의 효과를 갖는 것은 가능하다. 또한 기둥 내의 배기는 상시 수행하지 않고, 일정한 간격을 두고 수행해도 좋다. 예컨대 메인터넌스 등에 의해 이재실을 대기 개방한 후에 기둥 내의 배기를 수행하도록 구성해도 본 실시예의 효과를 갖는 것은 가능하다.
도 9는 제2 실시예에 따른 효과를 설명하는 도면이다. 종축(縱軸)은 산소 농도, 횡축(橫軸)은 시간이다. 도 9에서 부호(91)는 제2 실시예에 따른 이재실(124) 내의 산소 농도의 시간 전환을 나타낸다. 부호(92)는 종래 구조에 따른 이재실(124) 내의 산소 농도의 시간 전환을 나타낸다. 부호(94)는 부호(92)의 도중 부호(93)의 시점에서 제2 실시예에 따른 기둥 내의 분위기 흡인을 시작한 경우의 산소 농도의 시간 전환을 나타낸다. 도 9에 도시하는 바와 같이 제2 실시예에서는 서브 광체(119)를 구성하는 기둥 내의 분위기를 배기하는 것에 의해, 이재실(124) 내의 분위기의 정체를 해소하여, 이재실(124) 내의 산소 농도를 단시간에 저감할 수 있다. 여기서 기둥 내의 분위기의 배기는 이재실(124)의 이재실 배기부에 접속하여 배기하는 구성으로 해도 좋다.
이상 설명한 제2 실시예에 의하면, 적어도 다음 (B1) 내지 (B4)의 효과를 얻을 수 있다. (B1) 서브 광체를 구성하는 기둥을 중공 구조로 하고 기둥의 중공부를 이재실 내보다 저압이 되도록 구성했기 때문에 기둥 근방에 정체한 분위기를 배출할 수 있다. (B2) 서브 광체를 구성하는 기둥을 중공 구조로 하고 상기 중공 구조의 기둥의 측벽에 흡인 구멍을 설치하여 이재실 내의 분위기를 기둥의 중공부에 흡인하고 기판 처리 장치 외로 배출하도록 구성했기 때문에, 기둥 근방에 정체한 분위기를 배출할 수 있다. (B3) 서브 광체를 구성하는 복수의 기둥을 중공 구조로 하는 것과 함께 연결하여 접합하고 각 기둥의 내부를 연통시켜 각 기둥의 측벽에 흡인 구멍을 설치하여 이재실 내의 분위기를 각 기둥의 중공부에 흡인하고 기판 처리 장치 외로 배출하도록 구성했기 때문에, 이재실 내에 정체한 분위기의 배출을 효과적으로 실현할 수 있다. (B4) 서브 광체를 구성하는 복수의 기둥이 트리 구조를 형성하도록 구성했기 때문에 기둥 내의 분위기가 정체되는 것을 억제할 수 있다.
(제3 실시예)
제3 실시예는 전술한 제1 실시예와 제2 실시예를 조합한 것이다. 즉 제3 실시예에서는 제1 실시예에서의 해트 리브(31)와, 제2 실시예에서의 부착 기둥(41)이나 광체 보강 기둥(51)이나 광체 지주(52)를 연결하여 접합하고, 해트 리브(31)의 내부와 각 기둥의 내부를 연통시켜 상기 해트 리브(31)와 각 기둥의 내부의 분위기를 기판 처리 장치 외로 배출한다.
제3 실시예에 의하면, 전술한 제1 실시예와 제2 실시예의 효과와 더불어, 적어도 다음(C1)의 효과를 얻을 수 있다. (C1) 해트 리브와 각 기둥의 내부의 분위기를 기판 처리 장치 외로 배출하는 배기계를 간소화할 수 있다.
본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 갖가지 변경이 가능하다는 것은 말할 필요도 없다. 상기 실시 형태에서는 웨이퍼 이재기나 보트 반송기를 구비하고 보트와 포드와의 사이에서 웨이퍼를 이재하는 이재실(반송실)에 대하여 본 발명을 적용했지만, 본 발명의 적용 대상은 이재실에 한정되지 않고, 산소 농도를 저감시킬 필요가 있는 기판 대기실 등에도 적용 가능하다. 또한 웨이퍼 이재기나 보트 반송기가 이재실외에 설치되는 경우에도 적용 가능하다. 상기 실시 형태에서는 서브 광체(119), 해트 리브(31), 부착 기둥(41), 광체 보강 기둥(51), 광체 지주(52)는 스테인리스제이지만, 다른 재질, 예컨대 알루미늄제로 할 수도 있다.
본 발명은 종형(縱型) 또는 횡형(橫型)의 뱃치 처리 장치뿐만 아니라, 한 번에 기판을 1매 또는 수 매 정도 처리하는 매엽(枚葉) 장치에도 적용할 수 있다. 본 발명은 반도체 제조 장치뿐만 아니라 LCD제조 장치와 같은 유리 기판을 처리하는 장치나, 다른 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다. 기판 처리의 처리 내용은 CVD, PVD, ALD, 에피택시얼 성장막, 산화막, 질화막, 금속 함유막 등을 형성하는 성막 처리뿐만 아니라, 어닐링 처리, 산화 처리, 확산 처리, 에칭 처리, 노광 처리, 리소그래피, 도포 처리, 몰드 처리, 현상 처리, 다이싱 처리, 와이어 본딩 처리, 검사 처리 등이어도 좋다.
이하, 본 발명의 바람직한 형태에 대하여 부기(附記)한다.
(부기1)
본 발명의 일 형태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송시키기 위해서 이용하는 반송실을 구비하는 기판 처리 장치로서,
상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체;
상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부; 및
상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재;
를 구비하고, 상기 격리 공간을 배기하는 배기부를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기2)
부기1의 기판 처리 장치로서 바람직하게는,
상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 보강하는 중공 구조의 광체 보강 기둥을 구비하고, 상기 광체 보강 기둥의 중공부를 배기하도록 구성된다.
(부기3)
부기2의 기판 처리 장치로서 바람직하게는,
상기 광체 보강 기둥과 상기 격리 공간 형성 부재가 연결되어 상기 광체 보강 기둥의 중공부와 상기 격리 공간이 연통되고, 상기 배기부가 상기 격리 공간과 상기 광체 보강 기둥의 중공부를 배기하도록 구성된다.
(부기4)
부기1 내지 부기3 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서 바람직하게는,
상기 반송실은,
기판을 기판 보지구에 이재하는 기판 이재 수단;
기판을 보지한 기판 보지구를 상기 처리실에 반입하는 기판 보지구 반송 수단; 및
상기 기판 이재 수단과 상기 기판 보지구 반송 수단을 상기 반송실의 광체에 설치하는 중공 구조의 부착 기둥;
을 구비하고, 상기 부착 기둥의 중공부를 배기하도록 구성된다.
(부기5)
부기4의 기판 처리 장치로서 바람직하게는,
상기 광체 보강 기둥과 상기 격리 공간 형성 부재와 상기 부착 기둥의 중공부가 연결되어 상기 광체 보강 기둥의 중공부와 상기 격리 공간과 상기 부착 기둥의 중공부가 연통되고, 상기 배기부가 상기 격리 공간과 상기 광체의 보강 기둥과 상기 부착 기둥의 중공부를 배기하도록 구성된다.
(부기6)
부기4의 기판 처리 장치로서 바람직하게는,
상기 광체 보강 기둥과 상기 부착 기둥의 중공부가 연결되어 상기 광체 보강 기둥과 상기 부착 기둥의 중공부가 연통되고, 상기 광체 보강 기둥과 상기 부착 기둥의 중공부를 배기하는 제1 배기부와, 상기 격리 공간을 배기하는 제2의 배기부를 구비한다.
(부기7)
부기4 내지 부기6 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서 바람직하게는,
상기 격리 공간 형성 부재, 상기 광체 보강 기둥 및 상기 부착 기둥의 측면에는 적어도 1개의 흡인 구멍을 구비한다.
(부기8)
부기1 내지 부기7 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 장치로서 바람직하게는,
상기 이재실은,
상기 이재실 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부; 및
상기 이재실 내를 배기하는 이재실 배기부;
를 포함하고, 상기 이재실에 불활성 가스를 공급하고 배기하도록 구성된다.
(부기9)
부기8의 기판 처리 장치로서 바람직하게는,
상기 배기부는 상기 이재실 배기부에 연결하도록 구성된다.
(부기10)
본 발명의 다른 형태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에서 처리하기 전의 기판을 대기시키는 대기실을 구비하는 기판 처리 장치로서,
상기 대기실은,
상기 대기실의 광체를 형성하는 복수의 벽체;
상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부; 및
상기 대기실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재;
를 구비하고, 상기 격리 공간을 배기하는 배기부를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기11)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하는 기판 처리 장치로서,
상기 반송실은,
기판을 기판 보지구에 이재하는 기판 이재 수단;
기판을 보지한 기판 보지구를 상기 처리실에 반입하는 기판 보지구 반송 수단; 및
상기 기판 이재 수단과 상기 기판 보지구 반송 수단을 상기 반송실의 광체에 설치하는 중공 구조의 부착 기둥;
을 구비하고, 상기 부착 기둥의 중공부를 배기하는 배기부를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기12)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송시키기 위해서 이용하는 반송실을 구비하고, 상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체와, 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 반송실로부터 상기 처리실에 기판을 반입하는 공정;
상기 격리 공간을 배기하는 공정; 및
상기 처리실에 반입된 기판을 처리하는 공정;
을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기13)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
처리실에 대하여 기판을 반송시키기 위해서 이용하는 반송실이며, 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체와, 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재를 구비하는 반송실을 준비하는 공정;
상기 반송실로부터 상기 처리실에 기판을 반입하는 공정;
상기 격리 공간을 배기하는 공정;
상기 처리실에 반입된 기판을 처리하는 공정;
을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기14)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송시키기 위해서 이용하는 반송실을 구비하고, 상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체와, 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하는 기판 처리 방법으로서,
상기 반송실로부터 상기 처리실에 기판을 반입하는 공정;
상기 격리 공간을 배기하는 공정; 및
상기 처리실에 반입된 기판을 처리하는 공정;
을 구비하는 기판 처리 방법이 제공된다.
(부기15)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
처리실에 대하여 기판을 반송시키기 위해서 이용하는 반송실이며, 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체와, 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재를 구비하는 반송실을 준비하는 공정;
상기 반송실로부터 상기 처리실에 기판을 반입하는 공정;
상기 격리 공간을 배기하는 공정; 및
상기 처리실에 반입된 기판을 처리하는 공정;
을 구비하는 기판 처리 방법이 제공된다.
(부기16)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실에 상기 기판을 반송하기 위한 반송실이며, 복수의 벽체를 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성부를 포함하는 상기 반송실의 상기 격리 공간 형성부를 배기하는 공정;
상기 기판을 상기 처리실에 반입하는 공정; 및
상기 기판을 처리하는 공정;
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기17)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 처리하는 처리실에 상기 기판을 반송하기 위한 반송실이며, 복수의 벽체를 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합 부분을 피복하는 격리 공간 형성부를 포함하는 상기 반송실의 상기 격리 공간 형성부를 배기하는 공정;
상기 기판을 상기 반송실에서 기판 보지구에 이재하는 공정;
상기 기판을 상기 처리실에 반입하는 공정; 및
상기 기판을 처리하는 공정;
을 포함하는 기판 처리 방법이 제공된다.
또한 이 출원은 2012년 9월 27일에 출원된 일본 특원 2012-214231에 기초하여 우선권의 이익을 주장하고, 그 개시 전체를 인용하여 여기에 기재한다.
광체 내의 산소 농도를 원하는 농도까지 저하시키는 시간을 단축할 수 있다.
31: 격리 공간 형성 부재(해트 리브) 31a: 플랜지부
32: 통풍관(덕트) 33: 흡인부
41: 부착 기둥 41a: 보트 엘리베이터 부착 기둥
41b: 이재 엘리베이터 부착 기둥 41h: 흡인 구멍
41s: 격리 공간 51: 광체 보강 기둥
51h: 연통 구멍 52: 광체 지주
100: 기판 처리 장치 105: 회전 선반
110: 포드 111: 광체
111a: 정면벽 112: 포드 반입 반출구
113: 프론트 셔터 114: 로드 포트
115: 보트 엘리베이터(기판 보지구 반송기) 116: 지주
117: 선반판 118: 포드 반송 장치
118a: 포드 엘리베이터 118b: 포드 반송 기구
119: 서브 광체 119a: 정면벽
119b: 벽체 119c: 벽체
119d: 접합부 120: 웨이퍼 반입 반출구
121: 포드 오프너 122: 재치대
123: 캡 탈착 기구 124: 이재실(반송실)
125: 웨이퍼 이재 기구(기판 이재기) 125a: 웨이퍼 이재 장치
125b: 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터 128: 암
133: 클린 에어 134: 클린 유닛
142: 웨이퍼 반입 반출 개구 147: 노구 캡
200: 웨이퍼(기판) 202: 처리로
217: 보트(기판 보지구) 219: 씰 캡
32: 통풍관(덕트) 33: 흡인부
41: 부착 기둥 41a: 보트 엘리베이터 부착 기둥
41b: 이재 엘리베이터 부착 기둥 41h: 흡인 구멍
41s: 격리 공간 51: 광체 보강 기둥
51h: 연통 구멍 52: 광체 지주
100: 기판 처리 장치 105: 회전 선반
110: 포드 111: 광체
111a: 정면벽 112: 포드 반입 반출구
113: 프론트 셔터 114: 로드 포트
115: 보트 엘리베이터(기판 보지구 반송기) 116: 지주
117: 선반판 118: 포드 반송 장치
118a: 포드 엘리베이터 118b: 포드 반송 기구
119: 서브 광체 119a: 정면벽
119b: 벽체 119c: 벽체
119d: 접합부 120: 웨이퍼 반입 반출구
121: 포드 오프너 122: 재치대
123: 캡 탈착 기구 124: 이재실(반송실)
125: 웨이퍼 이재 기구(기판 이재기) 125a: 웨이퍼 이재 장치
125b: 웨이퍼 이재 장치 엘리베이터 128: 암
133: 클린 에어 134: 클린 유닛
142: 웨이퍼 반입 반출 개구 147: 노구 캡
200: 웨이퍼(기판) 202: 처리로
217: 보트(기판 보지구) 219: 씰 캡
Claims (3)
- 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하는 기판 처리 장치로서,
상기 반송실은 상기 반송실의 광체(筐體)를 형성하는 복수의 벽체;
상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부; 및
상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재(部材);를 구비하고,
상기 격리 공간을 배기하는 배기부를 구비하는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하고, 상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체와, 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하는 기판 처리 방법으로서,
상기 반송실로부터 상기 처리실에 기판을 반입하는 공정;
상기 격리 공간을 배기하는 공정; 및
상기 처리실에 반입된 기판을 처리하는 공정;
을 구비하는 기판 처리 방법. - 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 대하여 기판을 반송하는 반송실을 구비하고, 상기 반송실은 상기 반송실의 광체를 형성하는 복수의 벽체와, 상기 복수의 벽체가 접합하는 접합부와, 상기 반송실과 격리된 격리 공간을 형성하도록 상기 접합부를 피복하는 격리 공간 형성 부재를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 반송실로부터 상기 처리실에 기판을 반입하는 공정;
상기 격리 공간을 배기하는 공정; 및
상기 처리실에 반입된 기판을 처리하는 공정;
을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| KR1020157004094A KR101740613B1 (ko) | 2012-09-27 | 2013-09-04 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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