KR20140063388A - 플렉시블 기판에 대한 휨 제어 - Google Patents

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KR20140063388A
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KR
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flex substrate
adhesive layer
layer
substrate
flex
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KR1020130090812A
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첸화 이유
시팅 린
징쳉 린
상윈 호우
쯔웨이 루
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타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
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    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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    • H01L2224/81007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting the bump connector during or after the bonding process
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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    • H01L2224/81401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/81409—Indium [In] as principal constituent
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    • H01L2224/81401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/81411—Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/81417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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Abstract

제 1 측 및 제 2 측을 구비한 플렉시블 기판이 제공될 수 있다. 하나 이상의 전기 접속부를 통하여 플렉시블 기판의 제 1 측에 디바이스가 전기적으로 연결될 수 있다. 휨(warpage) 제어 디바이스는 상기 플렉시블 기판의 제 2 측에 부착될 수 있다. 휨 제어 디바이스는 접착층 및 리지드(rigid)층을 포함할 수 있다. 휨 제어 디바이스는 플렉시블 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부에 대향할 수 있는 플렉시블 기판의 제 2 측의 영역 내에 형성될 수 있다.

Description

플렉시블 기판에 대한 휨 제어{WARPAGE CONTROL FOR FLEXIBLE SUBSTRATES}
관련 출원의 교차 참조
본 출원은 2012년 11월 15일자로 제출된 Warpage Control for Flexible Substrates의 명칭의 미국 가출원 일련 번호 61/726,824호에 우선권을 주장하고, 상기 출원은 여기서 참조에 의해 통합된다.
기술분야
본 발명은 플렉시블 기판에 대한 휨 제어에 관한 것이다.
플래시블 기판["플렉스(flex)" 기판이라고도 함]은 플렉시블한 움직임을 제공하는 기판이다. 플렉스 기판은 디바이스가 벤딩, 트위스팅 등과 같은 움직임을 받을 수 있는 어플리케이션에서 논-플렉시블(non-flexible) 기판에 걸쳐 이점을 제공한다. 반도체 디바이스, 집적 회로 등은 플렉스 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 플렉스 기판과 상기 플렉스 기판에 연결된 디바이스 사이의 물질 특성 차는 디바이스와 플렉스 기판 사이의 전기 접속부를 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 플렉스 기판에 대한 열 팽창 계수와 상기 플렉스 기판에 전기적으로 연결된 디바이스에 대한 열 팽창 계수 사이의 차는 디바이스와 플렉스 기판 사이의 전기 접속부 상의 변형(strain)을 야기할 수 있다.
일실시형태에 있어서, 방법이 제공된다. 상기 방법은 플렉스 기판(flex substrate) - 플렉스 기판의 제 1 측 상에 복수의 전기 접속부들이 형성됨 - 을 제공하는 단계; 및 플렉스 기판의 제 2 측에 접착층과 리지드(rigid)층을 부착하는 단계 - 접착층과 리지드층은 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 플렉스 기판의 제 2 측의 영역에 부착됨 - 를 포함할 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 다른 방법이 제공된다. 상기 방법은 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부들에 디바이스를 부착하는 단계; 및 플렉스 기판의 제 2 측 상에 접착층 및 리지드층을 부착하는 단계 - 접착층은 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 플렉스 기판의 제 2 측의 영역에 부착됨 - 를 포함할 수 있다.
일실시형태에 있어서, 장치가 포함된다. 상기 장치는 제 1 측 및 제 2 측을 갖는 플렉스 기판; 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부; 플렉스 기판의 제 2 측 상의 제 1 리지드층으로서, 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 제 2 측의 영역에서 위치결정되는 제 1 리지드층; 및 제 1 리지드층과 상기 플렉스 기판의 제 2 측 사이의 제 1 접착층을 포함할 수 있다.
본 실시형태 및 그 이점을 더 완벽히 이해하기 위해서 첨부 도면과 함께 취해진 다음의 설명이 참조된다.
도 1a 내지 도 1d는 실시형태에 따라 휨 제어 디바이스를 형성하는 것의 중간 단계의 단면도를 예시한다.
도 2a 내지 도 2d는 다른 실시형태에 따라 휨 제어 디바이스를 형성하는 것의 중간 단계의 단면도를 예시한다.
도 3a 및 도 3b는 다양한 실시형태에 따른 다양한 휨 제어 디바이스의 단면도를 예시한다.
본 실시형태의 제조 및 사용이 이하 상세하게 논의된다. 그러나, 본 개시는 광범위하고 다양한 특정 문맥에서 실시될 수 있는 다수의 적용가능한 발명적 개념을 제공한다는 것을 인지해야 한다. 논의된 구체적인 실시형태는 단지 본 발명을 제조 및 사용하기 위한 구체적인 방식의 예시이고, 본 발명의 범위를 한정하지 않는다.
일반적인 표현으로, 실시형태는 플렉스 기판의 휨(warpage) 또는 구부러짐(bow) 을 제한하는 휨 제어 디바이스를 제공한다. 휨 제어 디바이스는 디바이스가 플렉스 기판에 전기적으로 연결될 수 있는 리플로우(reflow) 공정 이전에 또는 이후에 적용될 수 있다. 휨 제어 디바이스는 다양한 가공 제조 및/또는 테스팅 공정에 걸쳐 디바이스와 플렉스 기판 사이의 전기 접속부의 무결성(integrity)을 유지하는 것을 돕기 위해 플렉스 기판을 위한 지지체를 제공할 수 있다. 휨 제어 디바이스는 다양한 작동 환경, 조건 또는 어플리케이션에서 디바이스와 플렉스 기판 사이의 전기 접속부의 무결성을 유지하는 것을 돕기 위해 플렉스 기판을 위한 지지체를 또한 제공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1d는 실시형태에 따라 휨 제어 디바이스(140)을 형성하는 것의 중간 단계의 단면도를 예시한다. 도 1a 및 도 1b에 예시된 바와 같이, 플렉스 기판(110)은 제 1 측(110a) 및 제 2 측(110b)을 포함할 수 있다. 일실시형태에 있어서, 복수의 솔더 범프 및/또는 본딩 패드(112)가 플렉스 기판의 제 1 측(110a) 상에 형성될 수 있다. 함께 휨 제어 디바이스(140)을 구성하는 접착층(120) 및 리지드층(130)은 플렉스 기판(110)의 제 2 측(110b)에 부착될 수 있다. 일실시형태에 있어서, 휨 제어 디바이스(140)는 플렉스 기판(110)의 제 1 측(110a) 상에 형성된 복수의 솔더 범프 및/또는 본딩 패드(112)에 대향할 수 있는 제 2 측(110b)의 영역에 형성될 수 있다.
다양한 실시형태에 있어서, 플렉스 기판(110)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 캅톤, 폴리이미드 등과 같은 폴리머 필름, 플렉시블 플라스틱 기판, 투명 전도성 폴리에스테르 필름 등의 물질을 포함할 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 접착층(120)은 리지드층(130)과 플렉스 기판(110) 사이에 배치된 에폭시, 폴리머, 아교(glue), 접착제 등을 포함할 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 리지드층(130)은 플렉스 기판(110)에 대한 리지드 또는 세미-리지드(semi-rigid ) 지지체를 제공할 수 있는 금속, 플라스틱, 폴리머, 반도체 물질, 석영, 세라믹 또는 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 물질은 플렉스 기판(110)과 비교하여 더 높은 체적 탄성률(bulk modulus)을 가질 수 있는 리지드층(130)을 위해 선택될 수 있다. 실시형태에 있어서, 리지드층(130)은 복수의 층들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
도 1a 및 도 1b에 예시된 바와 같이, 휨 제어 디바이스(140)는, 일실시형태에 있어서, 플렉스 기판(110)에 다른 디바이스(이하 논의됨)를 전기적으로 연결하기 전에 플렉스 기판(110)에 부착될 수 있다. 플렉스 기판(110) 에 다른 디바이스(이하 논의됨)를 전기적으로 연결하기 전에 플렉스 기판(110) 상에 휨 제어 디바이스(140)을 배치하는 것은 다른 디바이스(이하 논의됨)의 전기적 연결 동안의 및/또는 후속하는 제조 공정 동안의 플렉스 기판(110)의 휨 또는 구부러짐을 최소화하는 것을 도울 수 있다.
플렉스 기판(110) 상에 휨 제어 디바이스(140)를 부착하는 방법은 다양할 수 있다. 일실시형태에 있어서, 예를 들어, 접착층(120)이 먼저 플렉스 기판(110)의 제 2 측(110b) 상에 형성된 후에 리지드층(130)이 접착층(120)에 도포될 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 접착층(120)은 예를 들어 적층, 용사, 딥핑, 브러싱 등과 같은 공정을 이용하여 플렉스 기판(110)의 제 2 측(110b) 상에 형성될 수 있다. 그러한 실시형태에 있어서, 리지드층(130)은 예를 들어 접착층(120)에 압착, 융착, 적층, 부착 또는 도포되어 휨 제어 디바이스(140)를 형성할 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 예를 들어 접착층(120)은 먼저 리지드층(130) 상에 형성된 후에 결합된 접착층(120) 및 리지드층(130)이 플렉스 기판(110)의 제 2 측(110b)에 부착되어 휨 제어 디바이스(140)을 형성할 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 접착층(120)은 예를 들어, 적층, 용사, 딥핑, 브러싱 등과 같은 공정을 이용하여 리지드층(130) 상에 형성될 수 있다. 그러한 실시형태에 있어서, 리지드층(130) 및 접착층(120)이 함께 플렉스 기판(110)의 제 2 측(110b)에 압착, 융착, 적층, 부착 또는 도포되어 휨 제어 디바이스(140)를 형성할 수 있다.
도 1c 및 도 1d에 예시된 바와 같이, 디바이스(150)가 플렉스 기판(110)에 연결된 후 그 위에 휨 제어 디바이스(140)가 부착될 수 있다. 도 1c에 나타낸 바와 같이, 디바이스(150)는 그 위에 형성된 솔더 범프 또는 본딩 패드(152)를 포함할 수 있다. 디바이스(150)는 플렉스 기판(110) 상의 대응하는 솔더 범프 또는 본딩 패드(112) 위에 정렬되어 배치될 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 디바이스(150)는 패키지된 반도체 디바이스, 인터포저, 다이, 웨이퍼, 다른 플렉스 기판, 논-플렉시블 기판 또는 다른 유사한 물질일 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 디바이스 상의 솔더 범프 또는 본딩 패드(152)는 AlCu, AlGe과 같은 공정 합금(eutectic alloy) 또는 In, Au, Sn, Cu, 무연 솔더, 솔더 페이스트 또는 다른 유사한 물질과 같은 저융점 금속층을 포함하지만, 그것에 한정되지 않는 금속을 포함할 수 있다.
도 1d에 나타낸 바와 같이, 리플로우 공정은 복수의 전기 접속부(170)를 통하여 플렉스 기판(110)에 디바이스(150)를 연결하기 위해 수행될 수 있다. 리플로우 공정 동안에, 휨 제어 디바이스(140)는 플렉스 기판(110)의 휨 또는 구부러짐을 최소화하는 것을 도울 수 있다. 도 1d에 또한 나타낸 바와 같이, 몰딩 언더필(molding underfill)(160)이 플렉스 기판의 제 1 측(110a)과 디바이스(150) 사이에 형성될 수 있다. 몰딩 언더필(160)은 후속하는 제조 공정 동안에 플렉스 기판(110)의 휨 또는 구부러짐을 최소화하는 것을 더욱 도울 수 있다.
다양한 실시형태에 있어서, 플렉스 기판(110)의 제 1 측(110a) 상의 솔더 범프 및/또는 본딩 패드(112)는 AlCu, AlGe와 같은 공정 합금 또는 In, Au, Sn, Cu 또는 다른 유사한 물질과 같은 저융점 금속층을 포함하지만, 그것에 한정되지 않는 금속을 포함할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 다른 실시형태에 따라 휨 제어 디바이스를 형성하는 것의 다양한 중간 단계를 예시한다. 도 2a 및 도 2b에 나타낸 바와 같이, 플렉스 기판(210)은 제 1 측(210a) 및 제 2 측(210b)을 포함할 수 있다. 디바이스(220)는 플렉스 기판(210)의 제 1 측(210a) 상의 복수의 접속부(230)를 통하여 플렉스 기판(210)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2b는 몰딩 언더필(240)이 디바이스(220)와 플렉스 기판(210)의 제 1 측(210a) 사이에 형성된 후의 도 2a의 구성을 예시한다.
도 2c 및 도 2d에 나타낸 바와 같이, 휨 제어 디바이스(270)는 플렉스 기판(210)의 제 2 측(210b) 상에 부착될 수 있다. 휨 제어 디바이스(270)는 접착층(250) 및 리지드층(260)을 포함할 수 있다. 일실시형태에 있어서, 휨 제어 디바이스(270)는 플렉스 기판(210)의 제 1 측(210a) 상에 형성된 디바이스(220)에 대향할 수 있는 제 2 측(210b)의 영역 상에 형성될 수 있다. 디바이스(150)를 플렉스 기판(110)에 연결하기 전에 휨 제어 디바이스(140)가 플렉스 기판(110)에 부착되는 도 1a 내지 도 1d에 예시된 실시형태와 비교하여, 도 2a 내지 도 2d에 예시된 바와 같은 실시형태가 디바이스(220)를 플렉스 기판(210)에 연결한 후에 휨 제어 디바이스(270)를 플렉스 기판(210)에 부착하기 위해 제공된다.
플렉스 기판(210) 상에 휨 제어 디바이스(270)를 부착하는 방법은 변할 수 있다. 일실시형태에 있어서, 예를 들면, 먼저 접착층(250)이 플렉스 기판(110)에의 제 2 측(210b) 상에 형성될 수 있고, 그 후에 리지드층(260)이 접착층(250)에 부착될 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 접착층(250) 예를 들어, 적층, 용사, 딥핑, 브러싱 등과 같은 공정을 이용하여 플렉스 기판(210)의 제 2 측(210b) 상에 형성될 수 있다. 그러한 실시형태에 있어서, 리지드층(260)은 접착층(250)에 압착, 융착, 적층, 부착 또는 도포되어 휨 제어 디바이스(270)를 형성할 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 예를 들어 먼저 접착층(250)이 리지드층(260) 상에 형성될 수 있고, 그 후에 결합된 접착층(250) 및 리지드층(260)이 플렉스 기판(210)의 제 2 측(210b)에 부착될 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 접착층(250)은 예를 들어, 적층, 용사, 딥핑, 브러싱 등과 같은 공정을 이용하여 리지드층(260) 상에 형성될 수 있다. 그러한 실시형태에 있어서, 리지드층(260) 및 접착층(250)은 함께 플렉스 기판(210)의 제 2 측(210b)에 압착, 적층, 융착, 부착 또는 도포되어 휨 제어 디바이스(270)를 형성할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d에 나타낸 바와 같이, 휨 제어 디바이스(270)가 플렉스 기판(210) 상에 형성될 수 있기 전에 디바이스(220)가 플렉스 기판(210)에 연결될 수 있다. 플렉스 기판 상에 휨 제어 디바이스를 형성하는 순서는 제조 공정 및/또는 플렉스 기판의 대향하는 측 상의 플렉스 기판에 연결될 수 있는 디바이스 유형에 의존할 수 있다. 도 1a 내지 도 1d 및 도 2a 내지 도 2d에 나타낸 실시형태는 플렉스 기판 상에 휨 제어 디바이스를 형성하는 순서는 플렉스 기판을 포함한 설계 및 /또는 제조 공정에 의해 결정되므로변할 수 있다는 것을 예시하기 위해 제공된다.
본 개시는 다른 휨 제어 디바이스 구성을 제공한다. 도 3a 및 도 3b는 다양한 실시형태에 따른 다양한 휨 제어 디바이스의 단면도를 예시한다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 플렉스 기판(310)은 제 2 측(310a) 및 제 2 측(310b)을 포함할 수 있다. 복수의 전기 접속부(311)가 디바이스(312)와 플렉스 기판(310) 사이에서 제 1 측(310a) 상에 형성될 수 있다. 몰딩 언더필(313)이 디바이스(312)와 플렉스 기판(310)의 제 1 측(310a) 사이에 형성될 수 있다. 휨 제어 디바이스(316)는 기판(310)의 제 1 측(310a) 상에 형성된 디바이스(312)와에 대향할 수 있는 제 2 측(310b)의 영역에 부착될 수 있다. 휨 제어 디바이스(316)는 접착층(314), 및 여기에 제 1 층(315.1) 및 제 2 층(315.2)으로 나타낸 복수의 층들을 포함할 수 있다. 다양한 실시형태에 있어서, 복수의 층들은 리지드층, 세미-리지드(semi-rigid)층, 히트-싱크 등일 수 있다. 복수의 층들은 여기서 논의되는 바와 같은 유사한 부착 방법을 유사한 방법들과 함께 사용하여 부착될 수 있다.
도 3b는 일실시형태에 따른 플렉스 기판(320) 상의 복수의 휨 제어 디바이스의 단면도를 예시한다. 도 3b에 나타낸 바와 같이, 플렉스 기판(320)은 제 1 측(320a) 및 제 2 측(320b)을 포함할 수 있다. 복수의 전기 접속부(321)가 디바이스(322)와 플렉스 기판(320)의 제 1 측(320a) 상의 플렉스 기판(320) 사이에 형성될 수 있다. 몰딩 언더필(323)이 디바이스(322)와 플렉스 기판(320)의 제 1 측(320a) 사이에 형성될 수 있다.
제 1 접착층(331) 및 제 1 리지드층(332)을 포함할 수 있는 제 1 휨 제어 디바이스(330)는 플렉스 기판(320)의 제 2 측(320b)에 부착될 수 있다. 제 1 휨 제어 디바이스(330)는 플렉스 기판(320)의 제 1 측(320a) 상에 형성된 디바이스(322)에 대향할 수 있는 제 2 측(320b)의 영역에서 형성될 수 있다.
도 3b에 나타낸 바와 같이, 플렉스 기판(320)은 그 자체에 더블백(double-back)하는 방식으로 벤드될 수 있다. 일실시형태에 있어서, 제 2 접착층(341) 및 제 2 리지드층(342)을 포함할 수 있는 제 2 휨 제어 디바이스(340)는 또한 플렉스 기판의 제 2 측(320b)에 부착될 수 있다. 제 2 휨 제어 디바이스(340)는 도 3b에 나타낸 바와 같이 플렉스 기판(320)이 그 자체의 등을 향해 벤드될 때 제 1 휨 제어 디바이스(330)와 대략적으로 정렬될 수 있는 제 2 측(320b)의 영역에서 형성될 수 있다.
제 2 휨 제어 디바이스(340)는 플렉스 기판(320)을 함께 가압할 수 있는 하나 이상의 힘이 가해질 수 있는 어플리케이션에 걸쳐 디바이스(322)와 플렉스 기판(320) 사이의 전기 접속부(321)의 무결성(integrity)을 유지하는 것을 돕기 위해 추가의 지지체를 제공할 수 있다. 그러한 어플리케이션은 예를 들어, 터치 스크린 어플리케이션, 터치 패드 어플리케이션, 프레스-키 어플리케이션 또는 다른 어플리케이션을 포함할 수 있다. 일실시형태에 있어서, 제 2 휨 제어 디바이스는 유사한 영역 내에 있지만 플렉스 기판의 제 1 측(320a) 상에 위치결정될 수 있다.
일실시형태에 있어서, 방법이 제공된다. 상기 방법은 플렉스 기판(flex substrate) - 플렉스 기판의 제 1 측 상에 복수의 전기 접속부들이 형성됨 - 을 제공하는 단계; 및 플렉스 기판의 제 2 측에 접착층과 리지드(rigid)층을 부착하는 단계 - 접착층과 리지드층은 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 플렉스 기판의 제 2 측의 영역에 부착됨 - 를 포함할 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 다른 방법이 제공된다. 상기 방법은 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부들에 디바이스를 부착하는 단계; 및 플렉스 기판의 제 2 측 상에 접착층 및 리지드층을 부착하는 단계 - 접착층은 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 플렉스 기판의 제 2 측의 영역에 부착됨 - 를 포함할 수 있다.
일실시형태에 있어서, 장치가 포함된다. 상기 장치는 제 1 측 및 제 2 측을 갖는 플렉스 기판; 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부; 플렉스 기판의 제 2 측 상의 제 1 리지드층으로서, 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 제 2 측의 영역에서 위치결정되는 제 1 리지드층; 및 제 1 리지드층과 상기 플렉스 기판의 제 2 측 사이의 제 1 접착층을 포함할 수 있다.
본 발명 및 그 이점이 상세하게 설명되었지만, 다양한 변경, 대체, 및 수정이 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 개시의 사상 및 범위로부터 벗어남 없이 여기서 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 상기 기재된 바와 같은 단계의 구조 및 순서는 본 개시의 범위 내에서 남으면서 변할 수 있다는 것이 당업자에게 쉽게 이해될 것이다.
게다가, 본 출원의 범위는 명세서에 설명된 공정, 머신, 제조, 물질의 조성, 수단, 방법 및 단계의 특정 실시형태에 제한되도록 의도되지 않는다. 당업자는 본 개시로부터, 여기에 기재된 대응하는 실시형태와 실질적으로 동일한 기능을 수행하거나 실질적으로 동일한 결과를 성취하는, 현재 존재하거나 이후 개발될, 공정, 머신, 제조, 및 물질의 조성, 수단, 방법, 또는 단계가 본 개시에 따라 이용될 수 있다는 것을 쉽게 인지할 것이다. 따라서, 첨부된 청구범위는 그러한 공정, 머신, 제조, 및 물질의 조성, 수단, 방법, 또는 단계 등의 범주 내에 포함하도록 의도된다.

Claims (10)

  1. 플렉시블(flexible) 구조체를 제공하는 방법에 있어서,
    플렉스 기판(flex substrate) - 상기 플렉스 기판의 제 1 측 상에 복수의 전기 접속부들이 형성됨 - 을 제공하는 단계; 및
    상기 플렉스 기판의 제 2 측에 접착층과 리지드(rigid)층을 부착하는 단계 - 상기 접착층과 리지드층은 상기 플렉스 기판의 제 1 측 상의 상기 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 상기 플렉스 기판의 제 2 측의 영역에 부착됨 -
    를 포함하는, 플렉시블 구조체 제공 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리지드층은 금속, 플라스틱, 폴리머 또는 그 조합을 포함하는 것인, 플렉시블 구조체 제공 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉스 기판의 제 2 측에 상기 접착층 및 상기 리지드층을 부착하는 단계 이전 또는 이후에, 상기 플렉스 기판의 제 1 측 상의 상기 전기 접속부들에 디바이스를 부착하는 단계를 더 포함하는, 플렉시블 구조체 제공 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉스 기판의 제 2 측에 상기 접착층 및 상기 리지드층을 부착하는 단계는,
    상기 플렉스 기판의 제 2 측에 상기 접착층을 부착하는 단계; 및
    상기 접착층을 부착하는 단계 이후에, 상기 접착층에 상기 리지드층을 부착하는 단계
    를 포함하는 것인, 플렉시블 구조체 제공 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플렉스 기판의 제 2 측에 상기 접착층 및 상기 리지드층을 부착하는 단계는,
    상기 리지드층 상에 상기 접착층을 형성하는 단계;
    상기 리지드층 상에 상기 접착층을 형성하는 단계 이후에, 상기 플렉스 기판의 제 2 측으로 상기 플렉스 기판에 상기 접착층 및 상기 리지드층을 부착하는 단계
    를 포함하는 것인, 플렉시블 구조체 제공 방법.
  6. 플렉시블 구조체를 제공하는 방법에 있어서,
    플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부들에 디바이스를 부착하는 단계; 및
    상기 플렉스 기판의 제 2 측 상에 접착층 및 리지드층을 부착하는 단계 - 상기 접착층은 상기 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 상기 플렉스 기판의 제 2 측의 영역에 부착됨 -
    를 포함하는, 플렉시블 구조체 제공 방법.
  7. 장치에 있어서,
    제 1 측 및 제 2 측을 갖는 플렉스 기판;
    상기 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 전기 접속부;
    상기 플렉스 기판의 제 2 측 상의 제 1 리지드층으로서, 상기 플렉스 기판의 제 1 측 상의 상기 하나 이상의 전기 접속부들에 대향하는 제 2 측의 영역에서 위치결정되는 상기 제 1 리지드층; 및
    상기 제 1 리지드층과 상기 플렉스 기판의 제 2 측 사이의 제 1 접착층
    을 포함하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 플렉스 기판의 제 1 측 상의 하나 이상의 본딩 패드들에 전기적으로 연결된 디바이스
    를 더 포함하는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 디바이스와 상기 플렉스 기판의 제 1 측 사이에 몰딩 언더필(molding underfill)
    을 더 포함하는 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 플렉스 기판의 제 2 측 상의 제 2 접착층으로서, 상기 제 1 리지드층에 대향하는 상기 플렉스 기판의 제 2 측의 영역에서 위치결정되는 상기 제 2 접착층; 및
    상기 제 2 접착층 상의 제 2 리지드층
    을 더 포함하는 장치.
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