JP2000340692A

JP2000340692A - 配線基板、半導体装置、電子装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000340692A
Application number: JP11146255A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Onda; 護御田; Hajime Murakami; 村上　　元; Fumitaka Kashiwabara; 史隆柏原
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1999-05-26
Filing date: 1999-05-26
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体装置の製造コストを削減すること。【解決手段】絶縁基材に導電性材料で形成された配線パ
ターンと外部出力端子を形成する外部出力端子孔が配設
されてなる配線基板と、前記配線基板に熱応力緩衝材
（エラストマ）を介して搭載され、前記配線パターンと
電気的に接続される電極パッドを有する半導体チップ
と、前記外部出力端子孔を介して前記配線パターンに電
気的に接続される外部出力端子とを備えた半導体装置で
あって、前記外部出力端子が前記半導体チップ搭載領域
からはみ出て設けられる半導体装置において、前記配線
基板の前記半導体チップ搭載領域以外の領域に前記半導
体チップ及び前記絶縁基材に生じる熱応力を緩衝する熱
応力緩衝材（エラストマ）を前記外部出力端子の支持補
強材として設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＳＰ（Chip Sca
le Package）型半導体装置に用いる配線基板、それを用
いた半導体装置、電子装置及び半導体装置の製造方法に
関し、特に、半導体チップからはみ出た部分に外部出力
端子が配設されるＣＳＰ（Chip Scale Package）型半導
体装置に用いる配線基板、それを用いた半導体装置、電
子装置及び半導体装置の製造方法に適用して有効な技術
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の小型化と、高速動作
に対する電気特性の信頼性の向上とを可能にするＣＳＰ
技術を用いた半導体装置が注目されている。

【０００３】特に、温度サイクルに対する接続信頼性が
高く、低コスト化を実現できるＣＳＰ半導体装置が主流
になりつつある。

【０００４】また、最近では低コスト化のために、半導
体チップのサイズ（外形）が従来のＣＰＳ型半導体装置
のそれよりも小型化される傾向にあり、外部出力端子が
チップサイズをはみ出る構造になってきている。

【０００５】以下、従来のＣＳＰ型半導体装置（以下、
単に半導体装置と記す）について図面を用いて説明す
る。図８は、従来のＣＳＰの構成を説明するための図で
あり、図８（ａ）は従来のＣＳＰ型半導体装置の立体図
を示した図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線
で切った拡大断面図である。

【０００６】従来のＣＳＰ型半導体装置１は、図８
（ａ），（ｂ）に示すように、半導体チップの中央部位
に電極パッドを配置したセンタパッド型のＢＧＡ（ボー
ル・グリッド・アレー）パッケージで、外部出力端子と
なるソルダボール２０が半導体チップ３０のサイズによ
って規定された領域からその側方にはみ出た構造をと
り、半導体チップ３０の領域からはみ出た部分に配設さ
れるソルダボール２０の支持補強のために、半導体装置
１の外周を囲うリング状の金属板６０（以下、金属リン
グと記す）が設けられた構成をとる。

【０００７】また、図８（ｂ）に示すように、テープ基
板１０に配線パターン４０を形成し、テープ基板１０と
半導体チップ３０とを熱応力緩衝材（エラストマ）７０
で接着し、半導体チップ３０の電極パッド５０とテープ
基板１０の配線パターン４０とを電気的に接続し、配線
パターン４０に電気的に接続した半田等のソルダーボー
ル２０を形成した構成をとる。

【０００８】さらに、この金属リング６０の代わりに半
導体チップ３０の周辺部分を樹脂で固めたり、封止樹脂
を流し込んだものもある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の各
半導体装置１では、半導体チップ３０からはみ出た部分
の配設されるソルダボール２０の支持補強のためにテー
プ基板１０と同一の熱膨張係数を有する金属リング６
０、または樹脂を設けていたため、半導体装置１の製造
コストが大変高価になるという問題点があった。

【００１０】また、金属リング６０は、金型抜き加工、
エッチング加工工程等の別工程で形成され、それを貼り
付ける工程を有することから製造工程が増大するという
問題点があった。

【００１１】本発明の目的は、上述した問題点を解決す
るために成されたものであり、その目的は半導体装置の
製造コストを削減することが可能な技術を提供すること
にある。

【００１２】本発明の他の目的は、半導体装置の製造工
程を削減することが可能な技術を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１４】（１）導電性材料で形成された１層または
複数層の配線パターンが絶縁基材に配設され、その絶縁
基材上に半導体チップを搭載する配線基板において、前
記絶縁基材の半導体チップが搭載される側の前記半導体
チップの電極パッド領域を除く全面に、前記半導体チッ
プ及び前記絶縁基材に生じる熱応力を緩衝する熱応力緩
衝材（エラストマ）を貼り付けたことを特徴とする。

【００１５】（２）（１）に記載の配線基板において、
前記熱応力緩衝材に半導体チップを搭載するための窪を
設けたことを特徴とする。

【００１６】（３）（１）または（２）のうちのいずれ
か１つの配線基板において、前記熱応力緩衝材は、絶縁
性の基材を低ガラス転移温度の熱硬化性樹脂で挟んだ３
層構造で形成されることを特徴とする。

【００１７】（４）（１）または（３）のうちのいずれ
か１つの配線基板において、前記配線パターンと電気的
に接続するボールまたはバンプ型外部出力端子を一体に
有することを特徴とする。

【００１８】（５）絶縁基材に導電性材料で形成された
配線パターンと外部出力端子を形成するための外部出力
端子孔が配設されてなる配線基板と、前記配線基板に熱
応力緩衝材（エラストマ）を介して搭載され、前記配線
パターンと電気的に接続される電極パッドを有する半導
体チップと、前記外部出力端子孔を介して前記配線パタ
ーンに電気的に接続される外部出力端子とを備えた半導
体装置であって、前記外部出力端子が前記半導体チップ
搭載領域からはみ出て設けられる半導体装置において、
前記配線基板の半導体チップ搭載領域以外の領域に前記
半導体チップ及び前記絶縁基材に生じる熱応力を緩衝す
る熱応力緩衝材（エラストマ）を前記外部出力端子の支
持補強材として設けたことを特徴とする。

【００１９】（６）絶縁基材に導電性材料で形成された
配線パターンと外部出力端子を形成するための外部出力
端子孔が配設されてなる配線基板と、前記配線基板に熱
応力緩衝材（エラストマ）を介して搭載され、前記配線
パターンと電気的に接続される電極パッドを有する半導
体チップと、前記外部出力端子孔を介して前記配線パタ
ーンに電気的に接続される外部出力端子とを備えた半導
体装置であって、前記外部出力端子が前記半導体チップ
搭載領域からはみ出て設けられる半導体装置において、
前記配線基板の前記半導体チップ搭載面側の前記半導体
チップの電極パッド領域を除く全面に、前記半導体チッ
プを受けるための窪を設けた凹型の熱応力緩衝材（エラ
ストマ）を備えたことを特徴とする。

【００２０】（７）電子装置において、（５）または
（６）のうちいずれか１つの半導体装置を配線基板に搭
載してなる半導体装置モジュールを有することを特徴と
する。

【００２１】（８）主面上に形成された複数の電極パッ
ドを有する半導体チップと、絶縁基材に配線パターンが
形成された配線基板とを用意し、前記絶縁基材の配線パ
ターンが形成された側の前記半導体チップの電極パッド
領域を除く全面に、所定厚の熱応力緩衝材（エラスト
マ）を貼り付け、前記複数の電極パッドの接続部と前記
配線パターンの接続部との位置合わせを行った後、前記
半導体チップを前記熱応力緩衝材（エラストマ）に埋め
込むように加圧加熱を行って搭載し、前記電極パッドの
接続部と前記配線パターンの接続部を接合し、その前記
配線パターンと電気的に接続された外部出力端子を形成
し、半導体装置を製造することを特徴とする。

【００２２】（９）主面上に形成された複数の電極パッ
ドを有する半導体チップと、絶縁基材に配線パターンが
形成された配線基板とを用意し、前記絶縁基材の配線パ
ターンが形成された側の前記半導体チップの電極パッド
領域を除く全面に、前記半導体チップの電極パッドを露
出させて、所定厚の熱応力緩衝材（エラストマ）を貼り
付け、前記熱応力緩衝材（エラストマ）に前記半導体チ
ップを搭載する領域に半導体チップを受けるための窪を
形成し、前記複数の電極パッドの接続部と前記配線パタ
ーンの接続部との位置合わせを行った後、前記半導体チ
ップを前記窪に搭載し、前記電極パッドの接続部と前記
配線パターンの接続部を接合し、その前記配線パターン
と電気的に接続された外部出力端子を形成し、半導体装
置を製造することを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態にか
かる半導体装置の構成を説明するための図であり、図１
（ａ）は本実施形態の半導体装置１の立体図を示した図
であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線で切った拡
大断面図である。

【００２４】本実施形態の半導体装置１は、図１
（ａ），（ｂ）に示すように、リボンリード接続用スリ
ット８０とソルダボール孔９０が開口された約０．０５
mm厚のベースとなる絶縁基材（例えば、ポリイミド、液
晶ポリマ等）に厚さ１８〜３５μｍの銅箔をエポキシ系
の接着剤で貼り合わせ、エッチングの微細加工を施して
形成された配線パターン４０付きのテープ基板１０と、
そのリボンリード接続用スリット８０部分を除いて半導
体チップ搭載領域及びそれ以外の領域を有するテープ基
板１０の全面に接着層１１を介して貼り付けられた、半
導体チップ３０とテープ基板１０における熱膨張係数の
違いにより生じる熱応力を緩衝し、かつ後述するハンダ
ボール２０の支持を行うエラストマ７０とを有し、その
エラストマ７０上に半導体チップ３０を貼り付け、リボ
ンリード接続スリット８０から露出した半導体チップ３
０の電極パッド５０と配線パターン４０をリボンリード
８１により電気的に接続し、半導体チップ３０との接続
側と反対側の配線パターン４０上のソルダボール孔９０
にソルダボール２０を形成した構成をとる。

【００２５】上述したエラストマ７０は、異なる材質
（ここでは、半導体チップ３０のシリコンとテープ基板
１０のポリイミド）の高温における弾性率とガラス転移
点前後の熱膨張係数の差に基づいて、環境の温度変化に
よって材料界面に発生する熱応力を緩衝するものであ
り、ポリイミド系またはフッ素系樹脂を用いたテープを
用い、そのテープの裏表（両面）にエポキシ系の接着剤
を塗布した３層構造のものを用いる。

【００２６】例えば、テープ基板１０と同一の材料であ
るポリイミド、液晶ポリマ等のテープの裏表に低ガラス
転移温度の熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（例えば、
１５０℃での弾性率が１０００ＭＰａ以下）を接着剤と
して塗布したものを用いる。この場合、テープ基板１０
とエラストマ７０の材質が同一であることから熱膨張係
数が整合されるため、リフロー時、または温度サイクル
試験等において、テープ基板に反り変形が生じることを
防止し、かつ硬い材質であることから剛性を高められ、
さらに低ガラス転移温度のエポキシ樹脂の高温軟化挙動
により、半導体チップ３０との間に生じる熱応力を緩衝
する。

【００２７】また、エラストマ７０は上述したもの以外
にフッ素系の樹脂であるＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロ
エチレン）の裏表に熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を
塗布したものを用いてもよい。この場合、上述のエポキ
シ樹脂に代わってＰＴＦＥがテープ基板１０と半導体チ
ップ３０との間に生じる熱応力をより効率よく緩衝する
ため、温度サイクル試験では高い耐久性が得られる。

【００２８】このエラストマ７０は、少なくともソルダ
ボール２０の支持を行えるだけの剛性を得れる厚さにす
る必要があり、例えば、０．０７５mmにする。

【００２９】また、半導体チップ３０の電極パッド５０
と接続されるリボンリード８１は、厚さ０．３〜１．５
μｍの金メッキが形成され、アルミの電極パッド５０と
超音波ボンディングによる金−アルミ接続がなされる。
また、金メッキを行う前に厚さ１〜３μｍのニッケルメ
ッキを下地とする場合もある。

【００３０】次に、本実施形態の半導体装置１の製造方
法について説明する。

【００３１】図２，図３は、本実施形態の半導体装置１
の製造方法について説明するための図である。

【００３２】本実施形態の半導体装置１の製造は、図２
（ａ）に示すように、まず、約０．０５mm厚のテープ基
板１０のベースとなるポリイミド等にリボンリード接続
用スリット８０とソルダボール孔９０をパンチング工程
で開口し、その上に厚さ１８〜３５μｍ程度の銅箔をエ
ポキシ系の接着剤で１８０℃、５kg／cmの条件でラミネ
ートし、ホトケミカルエッチング方法により微細加工を
施し、配線パターン４０を形成し、図２（ｂ）に示すよ
うに、リボンリード接続用スリット８０部分を除いて半
導体チップ搭載領域及びそれ以外の領域を有するテープ
基板１０上にエラストマ７０のテープをエポキシ系の接
着剤により貼り付ける。ここで、エラストマ７０がテー
プ基板１０と同一材料である場合、テープ基板１０の厚
さをより厚くし、エポキシ系の樹脂を塗布することで、
図２（ｂ）に示すエラストマ７０の貼り付け工程を省略
することが可能である。

【００３３】なお、テープ製造メーカでは、上述した一
連の工程を既に行った図２（ｂ）に示すエラストマ７０
付きのテープ基板１０や、厚さをより厚くして剛性を持
たせたテープ基板１０を販売することもあり、それを購
入することで上述の工程を省略することもできる。

【００３４】また、テープ製造メーカでは、図２（ｂ）
示すエラストマ７０付きテープ基板１０や、剛性を持た
せたテープ基板１０に後述するソルダボール２０を形成
したソルダボール・エラストマ付きテープ基板で販売す
ることもある。この場合、後述するソルダボール形成処
理を組立メーカーは省略することが可能である。

【００３５】次に、図２（ｃ）に示すように、そのエラ
ストマ７０上から半導体チップ３０を埋め込むように熱
圧着により接着する。これは、エラストマ７０が熱によ
り軟化することを利用したものである。

【００３６】その後、図３（ａ）に示すように、配線パ
ターン４０のリボンリード８１部分を折り曲げて位置合
わせを行い、超音波ボンディングにより半導体チップ３
０の電極パッド５０とリボンリード８１とをボンディン
グする。

【００３７】次に、図３（ｂ）に示すように、例えば、
０．５〜１．２７mmのボールピッチで直径０．３mmの半
田ボールをマウントし、ソルダーボール２０を形成す
る。

【００３８】そして、図３（ｃ）に示すように。形成さ
れた半導体装置１をそれぞれ切り離して半導体装置を形
成する。

【００３９】このように、熱応力緩衝を行うエラストマ
７０を半導体チップ３０の直下にだけでなく、テープ基
板１０上の半導体チップ３０の外周部にも設けて外周部
の補強材とし、そのエラストマ７０の材料の剛性を利用
してソルダボール２０を支持し、従来の金属リングに代
わってソルダボールの重さに耐えられなくなってテープ
基板１０が歪んだり、配線断線したりするのを抑止す
る。

【００４０】また、エラストマ７０内に半導体チップ３
０を埋め込むように搭載するだけで、特別な工程を必要
としないため、金属リングを設けない半導体装置と同様
な工程で製造可能である。

【００４１】したがって、ソルダボール２０の支持補強
をエラストマ７０によって行うことにより、従来のよう
な金属リングを設ける必要がなくなったので、半導体装
置の製造コストを削減することが可能になる。この金属
リング６０は、反り変形を防止するために、テープ基板
と同一の熱膨張係数を有するものが必要であることから
大変高価であったが、これを設けない本実施形態の半導
体装置は大幅に価格を下げることが可能である。

【００４２】また、金型抜き加工、エッチング加工等の
金属リングを形成する工程がいらなくなるので、半導体
装置の製造工程を削減することが可能となる。

【００４３】なお、本実施形態では、センタパッド型の
ＣＰＳ半導体装置を取り挙げたが、本発明はこれに限定
されるものではなく、周辺パッド型等の他のＣＳＰ半導
体装置にも適応可能である。

【００４４】（実施例１）図４は、本発明の実施例１の
半導体装置１ａの構成を説明するための図であり、図４
（ａ）は本実施例１の半導体装置１ａの立体図を示した
図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線で切った
拡大断面図である。

【００４５】本実施例１の半導体装置１ａは、図４
（ａ），（ｂ）に示すように、リボンリード接続用スリ
ット８０とソルダボール孔９０が開口された約０．０５
mm厚のベースとなるポリイミド等に厚さ１８〜３５μｍ
の銅箔をエポキシ系の接着剤で貼り合わせ、エッチング
の微細加工を施して形成された配線パターン４０付きの
テープ基板１０と、そのリボンリード接続用スリット８
０部分を除いて半導体チップ搭載領域及びそれ以外の領
域を有するテープ基板１０の全面に接着層１１を介して
貼り付けられた、半導体チップ３０とテープ基板１０と
における熱膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩衝
し、かつ後述するハンダボール２０の支持を行うエラス
トマ７０とを有し、そのエラストマ７０上に半導体チッ
プ３０を貼り付け、半導体チップ３０の電極パッド５０
と配線パターン４０をリボンリード８１により電気的に
接続し、半導体チップ３０との接続側と反対側の配線パ
ターン４０上のソルダボール孔９０にソルダボール２０
を形成した構成をとる。

【００４６】上述したエラストマ７０は、実施形態で説
明したものと同様なポリイミド系またはフッ素系樹脂を
用いたテープを用い、そのテープの裏表にエポキシ系の
接着剤を塗布した３層構造のものを用いる。

【００４７】また、エラストマ７０は凹型であり、半導
体チップ３０を受けるための窪１１０が設けられてお
り、半導体チップ直下とそれ以外の部分の厚さを変えて
ある。これは、エラストマ７０を従来の金属リングのよ
うなソルダボール２０の支持補強材として使用するに
は、ある程度の厚さが必要になってくる。しかし、半導
体チップ３０の直下におけるエラストマ７０の役割は熱
応力を緩衝することにあるため、支持補強に使う厚さは
必要としない。このため、半導体チップを受けるための
窪１１０を設けなければ、エラストマ７０の厚さが増え
る分だけ、半導体装置の高さが大きくなってしまうこと
がある。

【００４８】このことから、エラストマ７０に半導体チ
ップを受けるための窪１１０を設け、半導体チップ３０
の直下では熱応力緩衝を行える厚さにし、それ以外の部
分ではソルダボール２０の支持を行えるだけの剛性を得
れる厚さにすると、従来と同サイズの半導体装置が製造
できる。

【００４９】また、半導体チップ３０と接続されるリボ
ンリード８１は、厚さ０．３〜１．５μｍの金メッキが
形成され、アルミの電極パッド５０と超音波ボンディン
グによる金−アルミ接続される。また、金メッキを行う
前に厚さ１〜３μｍのニッルメッキを下地とする場合も
ある。

【００５０】次に、本実施例１の半導体装置１ａの製造
方法について説明する。

【００５１】図５，図６は、本実施例１の半導体装置１
ａの製造方法について説明するための図である。

【００５２】本実施例１の半導体装置１ａの製造は、図
５（ａ）に示すように、まず、約０．０５mm厚のテープ
基板１０のベースとなるポリイミド等にリボンリード接
続用スリット８０とソルダボール孔９０をパンチング工
程で開口し、その上に厚さ１８〜３５μｍ程度の銅箔を
エポキシ系の接着剤で１８０℃、５kg／cmの条件でラミ
ネートし、ホトケミカルエッチング方法により微細加工
を施し、配線パターン４０を形成し、図５（ｂ）に示す
ように、リボンリード接続用スリット８０部分を除いて
半導体チップ搭載領域及びそれ以外の領域を有するテー
プ基板１０の全面にエラストマ７０のテープをエポキシ
系の接着剤により貼り付け、図５（ｃ）に示すように、
そのエラストマ７０の半導体チップ３０搭載部分に半導
体チップを受けるための窪１１０を金型により形成す
る。ここで、エラストマ７０がテープ基板１０と同一材
料である場合、テープ基板１０の厚さをより厚くし、そ
のテープ基板１０に直接半導体チップを受けるための窪
１１０を形成し、その上にエポキシ系の樹脂を塗布する
ことで、図５（ｂ），（ｃ）に示すエラストマ７０の貼
り付け工程を省略することが可能である。

【００５３】なお、テープ製造メーカでは、上述した一
連の工程を既に行った図５（ｃ）に示す半導体チップを
受けるための窪１１０を有するエラストマ７０付きのテ
ープ基板１０や、厚さをより厚くして半導体チップを受
けるための窪１１０を形成した剛性を持たせたテープ基
板１０を販売することもあり、それを購入することで上
述の工程を省略することもできる。

【００５４】また、テープ製造メーカでは、図５（ｃ）
示す半導体チップを受けるための窪１１０を有するエラ
ストマ７０付きテープ基板１０や、厚さをより厚くして
半導体チップを受けるための窪１１０を形成した剛性を
持たせたテープ基板１０に後述するソルダボール２０を
形成したソルダボール・エラストマ付きテープ基板で販
売することもある。この場合、後述するソルダボール形
成処理を組立メーカーは省略することが可能である。

【００５５】次に、図５（ｄ）に示すように、その半導
体チップを受けるための窪１１０上に半導体チップ３０
を接着する。

【００５６】その後、図６（ａ）に示すように、配線パ
ターン４０のリボンリード８１部分を折り曲げて位置合
わせを行い、超音波ボンディングによりリードボンディ
ングを行う。

【００５７】次に、図６（ｂ）に示すように、例えば、
０．５〜１．２７mmのボールピッチで直径０．３mmの半
田ボールをマウントし、ソルダーボール２０を形成す
る。

【００５８】そして、図６（ｃ）に示すように、上記に
より形成された半導体装置１ａをそれぞれ切り離して半
導体装置を形成する。

【００５９】このように、熱応力緩衝を行うエラストマ
７０を半導体チップ３０の直下にだけでなく、テープ基
板１０上の半導体チップ３０の外周部にも設けて外周部
の補強材とし、そのエラストマ７０の材料の剛性を利用
してソルダボール２０の支持し、従来の金属リングに代
わってソルダボールの重さに耐えられなくなってテープ
基板が反り変形するのを抑止する。

【００６０】これにより、半導体装置１ａの高さを抑え
ることができ、小型の半導体装置を製造可能になる。

【００６１】なお、本実施形態と同様に本実施例１で
は、センタパッド型のＣＰＳ半導体装置を取り挙げた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チ
ップの周辺部位に電極パッドを配置した周辺パッド型等
の他のＣＳＰ半導体装置にも適応可能である。

【００６２】（実施例２）本発明による実施例２は、図
７に示すように、前述の実施形態，実施例１において得
られた本発明による半導体装置１，１ａを、例えば、一
列に複数個配列した電子装置（メモリモジュール）であ
る。

【００６３】図７は、本実施例２の電子装置の構成を説
明するための図であり、図７（ａ）はメモリモジュール
の正面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＸ−Ｘ線
で切った断面図である。

【００６４】図７に示すように、本実施例２の電子装置
２００は、配線２０２が形成されたマザーボード２０１
上に、本実施形態，本実施例１の半導体装置１，１ａを
搭載した形成をとる。

【００６５】このように、安価に製造できる本発明の半
導体装置１，１ａを電子装置のマザーボードに搭載する
ことにより、安価な電子装置を提供することが可能にな
る。

【００６６】なお、本実施形態，本実施例１の半導体装
置１，１ａは、上述したメモリとしてだけでなく、ＤＳ
Ｐ（ＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｏ
ｒ）、ＭＰＵ（ＭｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎ
ｉｔ）、ＡＳＩＣ（ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃ
ｉｆｉｃＩＣ）等の半導体装置としても用いられる。

【００６７】したがって、本実施形態，本実施例１の半
導体装置１，１ａは、メモリモジュールだけでなく、他
の電子装置にも適応可能である。

【００６８】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。

【００６９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００７０】ソルダボールの支持補強をエラストマによ
って行うことにより、従来のようなテープ基板と同一の
熱膨張係数を有する金属リングを設ける必要がなくなっ
たので、半導体装置の製造コストを削減することが可能
になる。

【００７１】また、金型抜き加工、エッチング加工等の
金属リングを形成したりする工程がいらなくなるので、
半導体装置の製造工程を削減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態にかかる半導体装置１の構
成を説明するための図である。

【図２】本実施形態の半導体装置１の製造方法について
説明するための図である。

【図３】本実施形態の半導体装置１の製造方法について
説明するための図である。

【図４】実施例１の半導体装置１ａの構成を説明するた
めの図である。

【図５】本実施例１の半導体装置１ａの製造方法につい
て説明するための図である。

【図６】本実施例１の半導体装置１ａの製造方法につい
て説明するための図である。

【図７】本実施例２の電子装置の構成を説明するための
図である。

【図８】従来の半導体装置の構成を説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１半導体装置１０テープ基板１１接着層２０ソルダボール３０半導体チップ４０配線パターン５０電極パッド７０エラストマ８１リボンリード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性材料で形成された１層または複数層
の配線パターンが絶縁基材に配設され、その絶縁基材上
に半導体チップを搭載する配線基板において、前記絶縁
基材の半導体チップが搭載される側の前記半導体チップ
の電極パッド領域を除く全面に、前記半導体チップ及び
前記絶縁基材に生じる熱応力を緩衝する熱応力緩衝材
（エラストマ）を貼り付けたことを特徴とする配線基
板。
【請求項２】請求項１に記載の配線基板において、前記
熱応力緩衝材の表面に前記半導体チップを搭載するため
の窪を設けたことを特徴とする配線基板。
【請求項３】請求項１または２のうちのいずれか１項に
記載の配線基板において、前記熱応力緩衝材は、絶縁性
の基材を低ガラス転移温度の熱硬貨性樹脂で挟んだ３層
構造で形成されることを特徴とする配線基板。
【請求項４】請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記
載の配線基板において、前記配線パターンと電気的に接
続するボールまたはバンプ型外部出力端子を一体に有す
ることを特徴とする配線基板。
【請求項５】絶縁基材に導電性材料で形成された配線パ
ターンと外部出力端子を形成するための外部出力端子孔
が配設されてなる配線基板と、前記配線基板に熱応力緩
衝材（エラストマ）を介して搭載され、前記配線パター
ンと電気的に接続される電極パッドを有する半導体チッ
プと、前記外部出力端子孔を介して前記配線パターンに
電気的に接続される外部出力端子とを備えた半導体装置
であって、前記外部出力端子が前記半導体チップ搭載領
域からはみ出て設けられる半導体装置において、前記配
線基板の前記半導体チップ搭載領域以外の領域に前記半
導体チップ及び前記絶縁基材に生じる熱応力を緩衝する
熱応力緩衝材（エラストマ）を前記外部出力端子の支持
補強材として設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】絶縁基材に導電性材料で形成された配線パ
ターンと外部出力端子を形成するための外部出力端子孔
が配設されてなる配線基板と、前記配線基板に熱応力緩
衝材（エラストマ）を介して搭載され、前記配線パター
ンと電気的に接続される電極パッドを有する半導体チッ
プと、前記外部出力端子孔を介して前記配線パターンに
電気的に接続される外部出力端子とを備えた半導体装置
であって、前記外部出力端子が前記半導体チップ搭載領
域からはみ出て設けられる半導体装置において、前記配
線基板の前記半導体チップ搭載側の全面に、前記半導体
チップの電極パッドを露出させて、前記半導体チップを
受けるための窪を設けた凹型の熱応力緩衝材（エラスト
マ）を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】請求項５または６のうちいずれか１項に記
載の半導体装置を配線基板に搭載して構成した半導体装
置モジュールを有することを特徴とする電子装置。
【請求項８】主面上に形成された複数の電極パッドを有
する半導体チップと、絶縁基材に配線パターンが形成さ
れた配線基板とを用意し、前記絶縁基材の配線パターン
が形成された側の前記半導体チップの電極パッド領域を
除く全面に、所定厚の熱応力緩衝材（エラストマ）を貼
り付け、前記複数の電極パッドの接続部と前記配線パタ
ーンの接続部との位置合わせを行った後、前記半導体チ
ップを前記熱応力緩衝材（エラストマ）に埋め込むよう
に加圧加熱を行って搭載し、前記電極パッドの接続部と
前記配線パターンの接続部を接合し、その前記配線パタ
ーンと電気的に接続された外部出力端子を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】主面上に形成された複数の電極パッドを有
する半導体チップと、絶縁基材に配線パターンが形成さ
れた配線基板とを用意し、前記絶縁基材の配線パターン
が形成された側の前記半導体チップの電極パッド領域を
除く全面に、所定厚の熱応力緩衝材（エラストマ）を貼
り付け、前記熱応力緩衝材（エラストマ）の前記半導体
チップを搭載する領域に半導体チップを受けるための窪
を形成し、前記複数の電極パッドの接続部と前記配線パ
ターンの接続部との位置合わせを行った後、前記半導体
チップを前記窪に搭載し、前記電極パッドの接続部と前
記配線パターンの接続部を接合し、その前記配線パター
ンと電気的に接続された外部出力端子を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。