KR20140056116A - 연질 및 컨디셔닝 가능한 화학기계 연마 패드 - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 171
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims abstract description 97
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 80
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 34
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 15
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VIOMIGLBMQVNLY-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-2-chloro-3,5-diethylphenyl)methyl]-3-chloro-2,6-diethylaniline Chemical compound CCC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C(=C(CC)C(N)=C(CC)C=2)Cl)=C1Cl VIOMIGLBMQVNLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HOSGXJWQVBHGLT-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxy-3,4-dihydro-1h-quinolin-2-one Chemical group N1C(=O)CCC2=CC(O)=CC=C21 HOSGXJWQVBHGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 21
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 9
- 229920013701 VORANOL™ Polymers 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 7
- -1 urethane epoxide Chemical class 0.000 description 7
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002176 Pluracol® Polymers 0.000 description 5
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-diol Chemical compound OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethyl-6-methylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CCC1=CC(C)=C(N)C(CC)=C1N PISLZQACAJMAIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPUHQXZSLCCTAN-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-2,3-dichlorophenyl)methyl]-2,3-dichloroaniline Chemical compound ClC1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1Cl PPUHQXZSLCCTAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 2
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC=C1CN=C=O FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 1,4-diisocyanatobenzene Chemical compound O=C=NC1=CC=C(N=C=O)C=C1 ALQLPWJFHRMHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAALZGOZEUHCET-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxecane-5,10-dione Chemical compound O=C1CCCCC(=O)OCCO1 PAALZGOZEUHCET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical compound C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXKZIDYFAMKWSA-UHFFFAOYSA-N 1,6-dioxacyclododecane-7,12-dione Chemical compound O=C1CCCCC(=O)OCCCCO1 AXKZIDYFAMKWSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVXVWWANJIWJOO-UHFFFAOYSA-N 1-(1,3-benzodioxol-5-yl)-N-ethylpropan-2-amine Chemical compound CCNC(C)CC1=CC=C2OCOC2=C1 PVXVWWANJIWJOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKVFRNCODQPDB-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethylamino)propan-2-ol Chemical compound CC(O)CNCCN CWKVFRNCODQPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLYCRLGLCUXUPO-UHFFFAOYSA-N 2,6-diaminotoluene Chemical compound CC1=C(N)C=CC=C1N RLYCRLGLCUXUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound OCCC(C)CCO SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWIVYGKSHSJHEF-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3,5-diethylphenyl)methyl]-2,6-diethylaniline Chemical compound CCC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C=C(CC)C(N)=C(CC)C=2)=C1 NWIVYGKSHSJHEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJENIOQDYXRGLF-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3-ethyl-5-methylphenyl)methyl]-2-ethyl-6-methylaniline Chemical compound CC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C=C(CC)C(N)=C(C)C=2)=C1 QJENIOQDYXRGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOFIWCXMXPVSAZ-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2,6-bis(methylsulfanyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CSC1=CC(C)=C(N)C(SC)=C1N AOFIWCXMXPVSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- QMMZSJPSPRTHGB-UHFFFAOYSA-N MDEA Natural products CC(C)CCCCC=CCC=CC(O)=O QMMZSJPSPRTHGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMRDSWJXRLDPBB-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1CCCCC1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1CCCCC1 OMRDSWJXRLDPBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHZZMRAGKVHANO-UHFFFAOYSA-M chlormequat chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CCCl UHZZMRAGKVHANO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N n,n'-di-2-butyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound CCC(C)NC1=CC=C(NC(C)CC)C=C1 FSWDLYNGJBGFJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZZTZUHVGICSCS-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-yl-4-[[4-(butan-2-ylamino)phenyl]methyl]aniline Chemical compound C1=CC(NC(C)CC)=CC=C1CC1=CC=C(NC(C)CC)C=C1 YZZTZUHVGICSCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001007 puffing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/08—Processes
- C08G18/10—Prepolymer processes involving reaction of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen in a first reaction step
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Abstract
다관능성 이소시아네이트; 및 아민 개시된 폴리올 경화제 및 고분자량 폴리올 경화제 함유하는 경화제 패키지를 포함하는 원료 성분들의 반응 생성물을 포함하며 0.6 g/㎤ 초과의 밀도, 5 내지 40의 쇼어(Shore) D 경도, 100 내지 450%의 파단신도, 및 25 내지 150 ㎛/hr의 절삭 속도를 나타내며 기판 연마용으로 구성된 연마 표면을 갖는 연마층을 함유하는, 자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 연마하기 위한 화학기계 연마 패드가 제공된다. 또한, 상기 화학기계 연마 패드의 제조 및 사용 방법이 제공된다.
Description
본 발명은 화학기계 연마 패드 및 그의 제조 및 사용 방법에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 0.6 g/㎤ 초과의 밀도, 5 내지 40의 쇼어(Shore) D 경도, 100 내지 450%의 파단신도, 및 25 내지 150 ㎛/hr의 절삭 속도를 가지며 기판 연마용으로 구성된 연마 표면을 갖는 연마층을 포함하는 화학기계 연마 패드에 관한 것이다.
집적 회로 및 기타 전자 장치의 제조시에는, 다수의 전도성, 반전도성 및 유전체성 물질의 층을 반도체 웨이퍼 표면 상에 퇴적하거나 제거한다. 전도성, 반전도성 및 유전체성 물질의 박층은 다수의 퇴적 기술에 의해 퇴적될 수 있다. 최신 웨이퍼 가공에서 통상적인 퇴적 기술로는 특히 물리 증착(PVD; 스퍼터링으로도 공지됨), 화학 증착(CVD), 플라즈마 화학 증착(PECVD) 및 전기화학 도금이 있다. 통상적인 제거 기술로는 특히 습식 및 건식 등방성 및 이방성 에칭이 있다.
물질의 층들을 순차적으로 퇴적하고 제거함에 따라 웨이퍼의 최상위 표면은 비평면이 된다. 후속 반도체 가공(예: 금속화)에서는 웨이퍼가 평평한 표면을 가져야 하기 때문에, 웨이퍼는 평탄화될 필요가 있다. 평탄화는 바람직하지 않은 표면 지형 및 표면 결함, 예를 들면 거친 표면, 응집된 물질, 결정 격자 손상, 스크래치, 및 오염된 층 또는 물질을 제거하는 데에 유용하다.
화학기계 평탄화, 또는 화학기계 연마(CMP)는 반도체 웨이퍼와 같은 작업편의 평탄화 또는 연마에 흔히 사용되는 기술이다. 통상의 CMP에서는 웨이퍼 캐리어 또는 연마 헤드를 캐리어 어셈블리 상에 장착한다. 연마 헤드는 웨이퍼를 보유하며, 웨이퍼를 CMP 장치 내의 테이블 또는 플레이튼(platen)상에 장착된 연마 패드의 연마층과 접촉하게 위치시킨다. 캐리어 어셈블리는 웨이퍼와 연마 패드 사이에 조정 가능한 압력을 제공한다. 이와 동시에, 연마 매질(예: 슬러리)을 연마 패드 상에 주입하고 웨이퍼와 연마층 사이의 틈으로 안내한다. 연마를 실현하기 위해, 연마 패드와 웨이퍼는 전형적으로 서로에 대해 회전한다. 연마 패드가 웨이퍼 아래에서 회전함에 따라, 웨이퍼는 전형적으로 환형 연마 트랙 또는 연마 영역을 쓸어내며, 웨이퍼 표면은 직접 연마층에 면한다. 웨이퍼 표면은 표면에 대한 연마층 및 연마 매질의 화학적 및 기계적 작용에 의해 연마되고 평탄화된다.
패드 표면 "컨디셔닝" 또는 "드레싱"은 안정한 연마 성능을 위한 일관성 있는 연마 표면을 유지하는 데에 중요하다. 시간이 지남에 따라 연마 패드의 연마 표면은 마모되어 연마 표면의 미소구조(microtexture)가 무디어지며, 이는 "글레이징(glazing)"이라 불리우는 현상이다. 연마 패드 컨디셔닝은 전형적으로는 연마 표면을 컨디셔닝 디스크로 기계적으로 연삭함으로써 달성된다. 컨디셔닝 디스크는 전형적으로 매립 다이아몬드 포인트로 구성된 거친 컨디셔닝 표면을 갖는다. 컨디셔닝 디스크는 연마가 일시 중지되는 CMP 공정 중의 휴지기 동안("ex situ"), 또는 CMP 공정이 진행 중인 동안("in situ") 연마 표면과 접촉된다. 전형적으로, 컨디셔닝 디스크는 연마 패드의 회전축에 대해 고정된 위치에서 회전하며, 연마 패드가 회전함에 따라 환형 컨디셔닝 영역을 쓸어낸다. 상기 컨디셔닝 공정은 패드 표면에 미세한 고랑을 절삭하고, 패드 물질을 연삭하고 그에 홈을 파서 연마 구조(texture)를 재생한다.
반도체 장치는 점점 복잡해지며 보다 미세한 특징부 및 더 많은 금속화 층을 갖는다. 이 경향은 평탄성을 유지하고 연마 결함을 제한하기 위해 연마 소비재의 향상된 성능을 필요로 한다. 연마 결함은 도전 라인의 전기적 단절 또는 단락을 생성할 수 있고, 이는 반도체 장치를 작동하지 않게 할 것이다. 연마 결함, 예를 들어 미세-스크래치(micro-scratch) 또는 채터 마크(chatter mark)를 감소시키기 위한 한 가지 접근법은 보다 연질의 연마 패드를 사용하는 것이라고 일반적으로 알려져 있다.
일군의 연질 폴리우레탄 연마층이 제임스(James) 등의 미국 특허 번호 7,074,115호에 개시되어 있다. 제임스 등은 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체와 방향족 디아민 또는 폴리아민 경화제의 반응 생성물을 포함하는 연마 패드를 개시하며, 상기 반응 생성물은 공극률이 0.1 부피% 이상이고 40℃ 및 1 rad/sec에서의 KEL 에너지 손실 인자가 385 내지 750 l/Pa이며 40℃ 및 1 rad/sec에서의 모듈러스 E'가 100 내지 400 MPa이다.
앞에서 설명한 바와 같이, 최적의 연마 성능을 위한 알맞은 미소구조를 생성하기 위해서는, 화학기계 연마 패드의 표면을 다이아몬드 컨디셔닝하는 것이 필요하다. 그러나 제임스 등에 의해 기술된 것과 같은 종래의 연마층 물질에 그러한 구조를 생성하는 것은 어려운데, 이는 이들 물질이 인장 파단신도 값으로 측정시 높은 연성(ductility)을 나타내기 때문이다. 그 결과, 이들 물질을 다이아몬드 컨디셔닝 디스크를 이용한 컨디셔닝에 적용하면, 패드 표면에 고랑이 절삭되는 대신 컨디셔닝 디스크의 다이아몬드가 절삭 없이 패드 물질을 옆으로 밀어내기만 할 뿐이다. 따라서, 다이아몬드 컨디셔닝 디스크를 이용한 컨디셔닝의 결과로서 이들 종래 물질의 표면에 생성되는 구조는 매우 미미하다.
이들 종래의 화학기계 연마 패드 물질과 관련된 또 다른 관련 문제는 절삭 공정 동안 발생하여 패드 표면에 거대(macro) 홈 패턴을 형성한다. 종래의 화학기계 연마 패드는 전형적으로는, 슬러리 흐름을 촉진하고 패드-웨이퍼 계면으로부터 연마 파편을 제거하기 위한 절삭된 홈 패턴이 그 연마 표면에 제공된다. 그러한 홈은 종종 선반을 이용하여 또는 CNC 밀링 머신에 의해 연마 패드의 연마 표면 내에 절삭된다. 그러나 연질 패드 물질을 이용하면, 다이아몬드 컨디셔닝의 문제와 유사한 문제가 발생하여, 절삭 비트(cutting bit)가 지나간 후 패드 물질이 되돌아오고 형성된 홈이 자체 폐쇄된 뿐이다. 따라서, 홈 품질이 불량하며, 그러한 연질 재료로는 상업적으로 허용 가능한 패드를 성공적으로 제조하는 것이 더욱 어렵다. 이 문제는 패드 물질의 경도가 감소함에 따라 악화된다.
따라서, 저 결함 제형과 관련된 물성 프로파일과 잘 연관되고 연마층에 향상된 컨디셔닝성(conditionability)을 또한 부여하는(즉, 절삭 속도가 25 내지 150 ㎛/hr인) 물성 프로파일을 제공하는 화학기계 연마 패드에 대한 지속적인 필요성이 존재한다.
본 발명은 다관능성 이소시아네이트; 및 5 중량% 이상의, 분자당 1개 이상의 질소 원자를 함유하고 분자당 평균 3개 이상의 히드록실기를 갖는 아민 개시된 폴리올 경화제; 25 내지 95 중량%의, 수평균 분자량 MN이 2,500 내지 100,000이고 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 0 내지 70 중량%의 2관능성 경화제를 포함하는 경화제 패키지를 포함하는 원료 성분들의 반응 생성물을 포함하며 0.6 g/㎤ 이상의 밀도, 5 내지 40의 쇼어 D 경도, 100 내지 450%의 파단신도, 및 25 내지 150 ㎛/hr의 절삭 속도를 나타내며 기판 연마용으로 구성된 연마 표면을 갖는 연마층을 포함하는, 자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 연마하기 위한 화학기계 연마 패드를 제공한다.
본 발명은 다관능성 이소시아네이트; 및 5 내지 20 중량%의, 분자당 2개의 질소 원자를 함유하고 분자당 평균 4개의 히드록실기를 가지며 수평균 분자량 MN이 200 내지 400인 아민 개시된 폴리올 경화제; 50 내지 75 중량%의, 수평균 분자량 MN이 10,000 내지 12,000이고 분자당 평균 6개의 히드록실기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 10 내지 30 중량%의, 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린)(MBOCA), 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린)(MCDEA), 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택된 디아민 경화제인 2관능성 경화제를 포함하는 경화제 패키지를 포함하는 원료 성분들의 반응 생성물을 포함하는 연마층을 포함하며; 경화제 패키지 중의 반응성 수소기(즉, 아민(NH2)기와 히드록실(OH)기의 합계) 대 다관능성 이소시아네이트 중의 미반응 이소시아네이트기(즉, NCO기)의 화학량론적 비율은 0.95 내지 1.05이고; 연마층은 0.75 내지 1.0 g/㎤의 밀도, 5 내지 20의 쇼어 D 경도, 150 내지 300%의 파단신도, 및 30 내지 60 ㎛/hr의 절삭 속도를 나타내는, 자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 연마하기 위한 화학기계 연마 패드를 제공한다.
본 발명은 또한, 다관능성 이소시아네이트를 제공하고; (i) 5 중량% 이상의, 분자당 1개 이상의 질소 원자를 함유하고 분자당 평균 3개 이상의 히드록실기를 갖는 아민 개시된 폴리올 경화제를 제공하고, (ii) 25 내지 95 중량%의, 수평균 분자량 MN이 2,500 내지 100,000이고 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제를 제공하고, (iii) 0 내지 70 중량%의 2관능성 경화제를 제공하는 것을 포함하여, 경화제 패키지를 제공하고; 다관능성 이소시아네이트와 경화제 패키지를 혼합하여 배합물을 형성하고; 배합물을 반응시켜 연마층을 형성하는 것을 포함하는 본 발명에 따른 화학기계 연마 패드의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 제공하고; 본 발명에 따른 화학기계 연마 패드를 제공하고; 연마층의 연마 표면과 기판 사이에 동적 접촉을 생성시켜 기판의 표면을 연마하고; 연마 표면을 연삭 컨디셔너로 컨디셔닝하는 것을 포함하는 기판 연마 방법을 제공한다.
본 발명의 화학기계 연마 패드는 저 결함 연마 성능을 제공하기 위한 저 경도(즉, 쇼어 D≤40)과, 연마층에서 홈 형성을 용이하게 하기 위한 절삭성 및 다이아몬드 컨디셔닝 디스크를 사용한 미소구조 형성을 용이하게 하기 위한 컨디셔닝성을 둘 다 제공하는 저 인장 신도(즉, 파단신도≤450%)의 독특한 조합을 나타내는 연마층을 갖는다. 또한, 본 발명의 연마층에 의해 가능하게 된 특성들의 균형은, 예를 들어 반도체 장치의 전기적 무결성(integrity)을 훼손할 수 있는 미세-스크래치 결함을 생성하여 웨이퍼 표면을 손상시킴 없이 반도체 웨이퍼를 연마할 수 있는 능력을 제공한다.
자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 연마하기 위한 본 발명의 화학기계 연마 패드는 연마층을 포함하며, 연마층은 다관능성 이소시아네이트; 및 5 중량% 이상(바람직하게는 5 내지 30 중량%; 더 바람직하게는 5 내지 25 중량%; 가장 바람직하게는 5 내지 20 중량%)의, 분자당 1개 이상의 질소 원자를 함유하고(바람직하게는, 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 1 내지 4개의 질소 원자를 함유하고; 더 바람직하게는, 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 2 내지 4개의 질소 원자를 함유하며; 가장 바람직하게는, 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 2개의 질소 원자를 함유함) 분자당 평균 3개 이상의 히드록실기(바람직하게는 3 내지 6개의 히드록실기; 더 바람직하게는 3 내지 5개의 히드록실기; 가장 바람직하게는 4개의 히드록실기)를 갖는 아민 개시된 폴리올 경화제(바람직하게는, 아민 개시된 폴리올 경화제는 수평균 분자량이 700 이하; 더 바람직하게는 150 내지 650; 더욱더 바람직하게는 200 내지 500; 가장 바람직하게는 250 내지 300임); 25 내지 95 중량%(바람직하게는 35 내지 90 중량%; 더 바람직하게는 50 내지 75 중량%; 가장 바람직하게는 60 내지 75 중량%)의, 수평균 분자량 MN이 2,500 내지 100,000(바람직하게는 5,000 내지 50,000; 더 바람직하게는 7,500 내지 25,000; 가장 바람직하게는 10,000 내지 12,000)이고 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실기(바람직하게는 4 내지 8개의 히드록실기; 더 바람직하게는 5 내지 7개의 히드록실기; 가장 바람직하게는 6개의 히드록실기)를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및 0 내지 70 중량%(바람직하게는 5 내지 60 중량%; 더 바람직하게는 10 내지 50 중량%; 더욱더 바람직하게는 10 내지 30 중량%; 가장 바람직하게는 10 내지 20 중량%)의 2관능성 경화제를 포함하는 경화제 패키지를 포함하는 원료 성분들의 반응 생성물을 포함하고 0.6 g/㎤ 이상(바람직하게는 0.6 내지 1.2 g/㎤; 더 바람직하게는 0.7 내지 1.1 g/㎤; 가장 바람직하게는 0.75 내지 1.0 g/㎤)의 밀도, 5 내지 40(바람직하게는 5 내지 30; 더 바람직하게는 5 내지 20; 가장 바람직하게는 5 내지 15)의 쇼어 D 경도, 100 내지 450%(바람직하게는 125 내지 425%; 더 바람직하게는 150 내지 300%; 가장 바람직하게는 150 내지 200%)의 파단신도, 및 25 내지 150 ㎛/hr(바람직하게는 30 내지 125 ㎛/hr; 더 바람직하게는 30 내지 100 ㎛/hr; 가장 바람직하게는 30 내지 60 ㎛/hr)의 절삭 속도를 나타내며 기판 연마용으로 구성된 연마 표면을 갖는 연마층을 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 다관능성 이소시아네이트는 2개의 반응성 이소시아네이트기(즉, NCO)를 함유한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 다관능성 이소시아네이트는 지방족 다관능성 이소시아네이트, 방향족 다관능성 이소시아네이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 다관능성 이소시아네이트는 2,4-톨루엔 디이소시아네이트; 2,6-톨루엔 디이소시아네이트; 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트; 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트; 톨루이딘 디이소시아네이트; 파라-페닐렌 디이소시아네이트; 크실릴렌 디이소시아네이트; 이소포론 디이소시아네이트; 헥사메틸렌 디이소시아네이트; 4,4'-디시클로헥실메탄 디이소시아네이트; 시클로헥산 디이소시아네이트; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 디이소시아네이트이다. 더욱더 바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 다관능성 이소시아네이트는 디이소시아네이트와 예비중합체 폴리올의 반응에 의해 형성된 이소시아네이트-말단 우레탄 에비중합체이다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체는 2 내지 12 중량%의 미반응 이소시아네이트(NCO)기를 갖는다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체는 2 내지 10 중량%(더욱더 바람직하게는 4 내지 8 중량%; 가장 바람직하게는 5 내지 7 중량%)의 미반응 이소시아네이트(NCO)기를 갖는다.
바람직하게는, 다관능성 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체의 형성에 사용되는 예비중합체 폴리올은 디올, 폴리올, 폴리올 디올, 이들의 공중합체, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, 예비중합체 폴리올은 폴리에테르 폴리올(예: 폴리(옥시테트라에틸렌)글리콜, 폴리(옥시프로필렌)글리콜, 및 이들의 혼합물); 폴리카르보네이트 폴리올; 폴리에스테르 폴리올; 폴리카프로락톤 폴리올; 이들의 혼합물; 및 이들과 에틸렌 글리콜; 1,2-프로필렌 글리콜; 1,3-프로필렌 글리콜; 1,2-부탄디올; 1,3-부탄디올; 2-메틸-1,3-프로판디올; 1,4-부탄디올; 네오펜틸 글리콜; 1,5-펜탄디올; 3-메틸-1,5-펜탄디올; 1,6-헥산디올; 디에틸렌 글리콜; 디프로필렌 글리콜; 및 트리프로필렌 글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 저분자량 폴리올의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더욱더 바람직하게는, 예비중합체 폴리올은 폴리테트라메틸렌 에테르 글리콜(PTMEG); 에스테르계 폴리올(예를 들어, 에틸렌 아디페이트, 부틸렌 아디페이트); 폴리프로필렌 에테르 글리콜(PPG); 폴리카프로락톤 폴리올; 이들의 공중합체; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 예비중합체 폴리올은 PTMEG 및 PPG로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 예비중합체 폴리올이 PTMEG인 경우, 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체는 2 내지 10 중량%(더 바람직하게는 4 내지 8 중량%; 가장 바람직하게는 6 내지 7 중량%)의 미반응 이소시아네이트(NCO) 농도를 갖는다. 상업적으로 입수 가능한 PTMEG계 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체의 예는 Imuthane® 예비중합체(COIM USA, Inc.로부터 입수 가능함, 예를 들어, PET-80A, PET-85A, PET-90A, PET-93A, PET-95A, PET-60D, PET-70D, PET-75D); Adiprene® 예비중합체(Chemtura로부터 입수 가능함, 예를 들어, LF 800A, LF 900A, LF 910A, LF 930A, LF 931A, LF 939A, LF 950A, LF 952A, LF 600D, LF 601D, LF 650D, LF 667, LF 700D, LF750D, LF751D, LF752D, LF753D 및 L325); Andur® 예비중합체(Anderson Development Company로부터 입수 가능함, 예를 들어, 70APLF, 80APLF, 85APLF, 90APLF, 95APLF, 60DPLF, 70APLF, 75APLF)를 포함한다.
바람직하게는, 예비중합체 폴리올이 PPG인 경우, 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체의 미반응 이소시아네이트(NCO) 농도는 3 내지 9 중량%(더 바람직하게는 4 내지 8 중량%, 가장 바람직하게는 5 내지 6 중량%)이다. 상업적으로 입수 가능한 PPG계 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체의 예는 Imuthane® 예비중합체(COIM USA, Inc.로부터 입수 가능함, 예를 들어, PPT-80A, PPT-90A, PPT-95A, PPT-65D, PPT-75D); Adiprene® 예비중합체(Chemtura로부터 입수 가능함, 예를 들어, LFG 963A, LFG 964A, LFG 740D); 및 Andur® 예비중합체(Anderson Development Company로부터 입수 가능함, 예를 들어, 8000APLF, 9500APLF, 6500DPLF, 7501DPLF)를 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체는 유리 톨루엔 디이소시아네이트(TDI) 단량체 함량이 0.1 중량% 미만인 저 유리 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체이다.
비-TDI계 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체도 사용될 수 있다. 예를 들어, 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체는 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트(MDI)와 폴리테트라메틸렌 글리콜(PTMEG)과 같은 폴리올(1,4-부탄디올(BDO)과 같은 임의의 디올도 허용 가능함)의 반응에 의해 형성된 것을 포함한다. 그러한 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체가 사용될 경우, 미반응 이소시아네이트(NCO) 농도는 바람직하게는 4 내지 10 중량%(더 바람직하게는 4 내지 8 중량%, 가장 바람직하게는 5 내지 7 중량%)이다. 상업적으로 입수 가능한 이 범주의 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체의 예는 Imuthane® 예비중합체(COIM USA, Inc.로부터 입수 가능함, 예를 들어 27-85A, 27-90A, 27-95A); Andur® 예비중합체(Anderson Development Company로부터 입수 가능함, 예를 들어, IE75AP, IE80AP, IE 85AP, IE90AP, IE95AP, IE98AP); 및 Vibrathane® 예비중합체(Chemtura로부터 입수 가능함, 예를 들어, B625, B635, B821)를 포함한다.
본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 경화제 패키지는 바람직하게는 5 중량% 이상(바람직하게는 5 내지 30 중량%; 더 바람직하게는 5 내지 25 중량%; 가장 바람직하게는 5 내지 20 중량%)의 아민 개시된 폴리올 경화제; 25 내지 95 중량%(바람직하게는 35 내지 90 중량%; 더 바람직하게는 50 내지 75 중량%; 가장 바람직하게는 60 내지 75 중량%)의 고분자량 폴리올 경화제; 및 0 내지 70 중량%(바람직하게는 5 내지 60 중량%; 더 바람직하게는 10 내지 50 중량%; 더욱더 바람직하게는 10 내지 30 중량%; 가장 바람직하게는 10 내지 20 중량%)의 2관능성 경화제를 함유한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 아민 개시된 폴리올은 분자당 1개 이상의 질소 원자를 함유한다. 더 바람직하게는, 사용되는 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 1 내지 4개(더욱더 바람직하게는 2 내지 4개; 가장 바람직하게는 2개)의 질소 원자를 함유한다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 평균 3개 이상의 히드록실기를 갖는다. 더 바람직하게는, 사용되는 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 평균 3 내지 6개(더욱더 바람직하게는 3 내지 5개; 가장 바람직하게는 4개)의 히드록실기를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 아민 개시된 폴리올 경화제는 수평균 분자량 MN이 700 이하이다. 더 바람직하게는, 사용되는 아민 개시된 폴리올 경화제는 수평균 분자량 MN이 150 내지 650(더욱더 바람직하게는 200 내지 500; 가장 바람직하게는 250 내지 300)이다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 아민 개시된 폴리올 경화제는 350 내지 1,200 mg KOH/g의 히드록실가(ASTM 시험법 D4274-11로 측정시)를 갖는다. 더 바람직하게는, 사용된 아민 개시된 폴리올 경화제는 400 내지 1,000 mg KOH/g(가장 바람직하게는 600 내지 850 mg KOH/g)의 히드록실가를 갖는다.
아민 개시된 폴리올 경화제의 예는 Voranol® 계열의 아민 개시된 폴리올(The Dow Chemical Company로부터 입수 가능함); Quadrol® 특수 폴리올(N,N,N',N'-테트라키스 (2-히드록시프로필 에틸렌 디아민))(BASF로부터 입수 가능함); Pluracol® 아민계 폴리올(BASF로부터 입수 가능함); Multranol® 아민계 폴리올(Bayer MaterialScience LLC로부터 입수 가능함); 트리이소프로판올아민(TIPA)(The Dow Chemical Company로부터 입수 가능함); 및 트리에탄올아민(TEA)(Mallinckrodt Baker Inc.로부터 입수 가능함)을 포함한다. 다수의 바람직한 아민 개시된 폴리올 경화제를 표 1에 나열하였다.
아민 개시된 폴리올 경화제 | 분자당 OH기의 수 | M N |
히드록실가
(mg KOH/g) |
트리에탄올아민 | 3 | 149 | 1130 |
트리이소프로판올아민 | 3 | 192 | 877 |
MULTRANOL® 9138 폴리올 | 3 | 240 | 700 |
MULTRANOL® 9170 폴리올 | 3 | 481 | 350 |
VORANOL® 391 폴리올 | 4 | 568 | 391 |
VORANOL® 640 폴리올 | 4 | 352 | 638 |
VORANOL® 800 폴리올 | 4 | 280 | 801 |
QUADROL® 폴리올 | 4 | 292 | 770 |
MULTRANOL® 4050 폴리올 | 4 | 356 | 630 |
MULTRANOL® 4063 폴리올 | 4 | 488 | 460 |
MULTRANOL® 8114 폴리올 | 4 | 568 | 395 |
MULTRANOL® 8120 폴리올 | 4 | 623 | 360 |
MULTRANOL® 9181 폴리올 | 4 | 291 | 770 |
VORANOL® 202 폴리올 | 5 | 590 | 475 |
이론에 얽매이기를 원치 않으나, 그에 의해 제조된 연마층의 바람직한 물성 균형을 촉진하는 것에 더하여, 경화제 패키지에 사용된 아민 개시된 폴리올 경화제의 농도는 또한 그의 반응 및 경화제 패키지 중 임의의 2관능성 경화제와 다관능성 디이소시아네이트에 존재하는 미반응 이소시아네이트(NCO)기의 반응을 자체촉매화하도록 작용하는 것으로 생각된다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 고분자량 폴리올 경화제의 수평균 분자량 MN은 2,500 내지 100,000이다. 더 바람직하게는, 사용된 고분자량 폴리올 경화제의 수평균 분자량 MN은 5,000 내지 50,000(더욱더 바람직하게는 7,500 내지 25,000; 가장 바람직하게는 10,000 내지 12,000)이다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 고분자량 폴리올 경화제는 분자량 평균 3 내지 10개의 히드록실기를 갖는다. 더 바람직하게는, 사용되는 고분자량 폴리올 경화제는 분자당 평균 4 내지 8개(더욱더 바람직하게는 5 내지 7개; 가장 바람직하게는 6개)의 히드록실기를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 고분자량 폴리올 경화제는 경화제 패키지에 사용된 아민 개시된 폴리올 경화제의 분자량보다 높은 분자량을 갖고; 경화제 패키지에 사용되는 아민 개시된 폴리올 경화제의 히드록실가보다 낮은 히드록실가를 갖는다.
상업적으로 입수 가능한 고분자량 폴리올 경화제의 예는 Specflex® 폴리올, Voranol® 폴리올 및 Voralux® 폴리올(The Dow Chemical Company의 입수 가능함); Multranol® 특수 폴리올 및 Ultracel® 가요성 폴리올(Bayer MaterialScience LLC로부터 입수 가능함); 및 Pluracol® 폴리올(BASF로부터 입수 가능함)을 포함한다. 다수의 바람직한 고분자량 폴리올 경화제를 표 2에 나열하였다.
고분자량 폴리올 경화제 | 분자당 OH기의 수 | M N |
히드록실가
(mg KOH/g) |
Multranol® 3901 폴리올 | 3.0 | 6,000 | 28 |
Pluracol® 1385 폴리올 | 3.0 | 3,200 | 50 |
Pluracol® 380 폴리올 | 3.0 | 6,500 | 25 |
Pluracol® 1123 폴리올 | 3.0 | 7,000 | 24 |
ULTRACEL® 3000 폴리올 | 4.0 | 7,500 | 30 |
SPECFLEX® NC630 폴리올 | 4.2 | 7,602 | 31 |
SPECFLEX® NC632 폴리올 | 4.7 | 8,225 | 32 |
VORALUX® HF 505 폴리올 | 6.0 | 11,400 | 30 |
MULTRANOL® 9185 폴리올 | 6.0 | 3,366 | 100 |
VORANOL® 4053 폴리올 | 6.9 | 12,420 | 31 |
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 2관능성 경화제는 디올 및 디아민으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, 사용되는 2관능성 경화제는 1차 아민 및 2차 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 디아민이다. 더욱더 바람직하게는, 사용되는 2관능성 경화제는 디에틸톨루엔디아민(DETDA); 3,5-디메틸티오-2,4-톨루엔디아민 및 그의 이성질체; 3,5-디에틸톨루엔-2,4-디아민 및 그의 이성질체(예: 3,5-디에틸렌톨루엔-2,6-디아민); 4,4'-비스-(sec-부틸아미노)-디페닐메탄; 1,4-비스-(sec-부틸아미노)-벤젠; 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린); 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린)(MCDEA); 폴리테트라메틸렌옥시드-디-p-아미노벤조에이트; N,N'-디알킬디아미노 디페닐 메탄; p,p'-메틸렌 디아닐린(MDA); m-페닐렌디아민(MPDA); 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린)(MBOCA); 4,4'-메틸렌-비스-(2,6-디에틸아닐린)(MDEA); 4,4'-메틸렌-비스-(2,3-디클로로아닐린)(MDCA); 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸-5,5'-디메틸 디페닐메탄, 2,2',3,3'-테트라클로로 디아미노 디페닐메탄; 트리메틸렌 글리콜 디-p-아미노벤조에이트; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 사용되는 디아민 경화제는 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린)(MBOCA); 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린)(MCDEA); 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 경화제 패키지의 성분들 중의 반응성 수소기(즉, 아민(NH2)기와 히드록실(OH)기의 합계)와 다관능성 이소시아네이트 중의 미반응 이소시아네이트(NCO)기의 화학량론적 비율은 0.85 내지 1.15(더 바람직하게는 0.90 내지 1.10; 가장 바람직하게는 0.95 내지 1.05)이다.
본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 임의로는 복수의 미세요소를 추가로 포함한다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 연마층 전체에 고르게 분산된다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 포획된 기포, 중공 중합체 재료, 액체 충전 중공 중합체 재료, 수용성 물질 및 불용성 상 물질(예: 광유)로부터 선택된다. 더 바람직하게는, 복수의 미세요소는 연마층 전체에 고르게 분포된 포획된 기포 및 중공 중합체 재료로부터 선택된다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 150 ㎛ 미만(더 바람직하게는 50 ㎛ 미만; 가장 바람직하게는 10 내지 50 ㎛)의 중량평균 직경을 갖는다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 폴리아크릴로니트릴 또는 폴리아크릴로니트릴 공중합체(예: Akzo Nobel의 Expancel®) 중 어느 하나의 쉘 벽이 있는 중합체 마이크로벌룬(microballoon)을 포함한다. 바람직하게는, 복수의 미세요소는 연마층에 0 내지 35 부피%의 공극률(더 바람직하게는 10 내지 25 부피%의 공극률)로 포함된다.
본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 다공성 및 비다공성(즉, 비충전) 형태 둘 다로 제공될 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 ASTM D1622에 따라 측정시 0.6 g/㎤ 이상의 밀도를 나타낸다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 ASTM D1622에 따라 측정시 0.6 내지 1.2 g/㎤(더욱더 바람직하게는 0.7 내지 1.1 g/㎤; 가장 바람직하게는 0.75 내지 1.0 g/㎤)의 밀도를 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 ASTM D2240에 따라 측정시 5 내지 40의 쇼어 D 경도를 나타낸다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 ASTM D2240에 따라 측정시 5 내지 30(더욱더 바람직하게는 5 내지 20; 가장 바람직하게는 5 내지 15)의 쇼어 D 경도를 나타낸다.
40 미만의 쇼어 D 경도를 나타내는 연마층은 전형적으로 매우 높은 파단신도 값(즉, 600% 초과)을 갖는다. 그렇게 높은 파단신도 값을 나타내는 재료는 절삭 공정에 적용시 가역적으로 변형되며, 이는 허용 불가능하게 불량한 홈 형성 및 다이아몬드 컨디셔닝 동안 불충분한 구조 생성을 유발한다. 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층 형성에 사용되는 독특한 경화제 패키지는 낮은 경도와 함께 ASTM D412에 따라 측정시 100 내지 450%의 파단신도를 제공한다. 바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 ASTM D412에 따라 측정시 125 내지 425%(더욱더 바람직하게는 150 내지 300%; 가장 바람직하게는 150 내지 200%)의 파단신도를 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 실시예에 기재된 방법을 사용하여 측정시 25 내지 150 ㎛/hr의 절삭 속도를 나타낸다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 실시예에 기재된 방법을 사용하여 측정시 30 내지 125 ㎛/hr(더욱더 바람직하게는 30 내지 100 ㎛/hr; 가장 바람직하게는 30 내지 60 ㎛/hr)의 절삭 속도를 나타낸다.
본 발명의 화학기계 연마 패드는 임의로는 연마층과 접한 하나 이상의 추가적인 층을 더 포함한다. 바람직하게는, 화학기계 연마 패드는 임의로는 연마층에 접착된 압축성 베이스 층(base layer)을 추가로 포함한다. 압축성 베이스 층은 바람직하게는 연마되는 기판 표면에 대한 연마층의 적합성(conformance)을 향상시킨다.
본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 기판 연마용으로 구성된 연마 표면을 갖는다. 바람직하게는, 연마 표면은 천공 및 홈 중 하나 이상으로부터 선택된 미소구조를 갖는다. 천공은 연마 표면으로부터 연마층의 두께를 통해 일부분 연장되거나 또는 끝까지 연장될 수 있다. 바람직하게는, 홈은 연마 동안 화학기계 연마 패드의 회전시 하나 이상의 홈이 연마되는 기판의 표면 위를 쓸고 지나도록 연마 표면상에 배열된다. 바람직하게는, 연마 표면은 곡선형 홈, 직선형 홈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 홈을 포함하는 미소구조를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드의 연마층은 기판의 연마용으로 구성된 연마 표면을 가지며, 연마 표면은 형성된 홈 패턴을 포함하는 미소구조를 갖는다. 바람직하게는, 홈 패턴은 복수의 홈을 포함한다. 더 바람직하게는, 홈 패턴은 홈 디자인으로부터 선택된다. 바람직하게는, 홈 디자인은 동심형 홈(원형 또는 나선형일 수 있음), 곡선형 홈, 크로스 해치(cross hatch) 홈(예: 패드 표면을 가로질러 X-Y 격자로서 배열됨), 기타 규칙적 디자인(예: 육각형, 삼각형), 타이어 트레드 타입 패턴, 불규칙 디자인(예: 프랙탈(fractal) 패턴), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 더 바람직하게는, 홈 디자인은 무작위 홈, 동심형 홈, 나선형 홈, 크로스-해치 홈, X-Y 격자 홈, 육각형 홈, 삼각형 홈, 프랙탈 홈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, 연마 표면은 나선형 홈 패턴이 형성된 것이다. 홈 프로파일은 바람직하게는, 반듯한 측벽을 갖는 직사각형으로부터 선택되거나, 또는 홈 단면은 "V"자 모양, "U"자 모양, 톱니 모양, 또는 이들의 조합일 수 있다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드에 사용되는 연마층은 20 내지 150 mil의 평균 두께를 갖는다. 더 바람직하게는, 사용되는 연마층은 30 내지 125 mil(더욱더 바람직하게는 40 내지 120 mil; 가장 바람직하게는 50 내지 100 mil)의 평균 두께를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명의 화학기계 연마 패드 제조 방법은, 다관능성 이소시아네이트를 제공하고; (i) 5 중량% 이상(바람직하게는 5 내지 30 중량%; 더 바람직하게는 5 내지 25 중량%; 가장 바람직하게는 5 내지 20 중량%)의, 분자당 1개 이상의 질소 원자를 함유하고(바람직하게는, 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 1 내지 4개의 질소 원자를 함유하고; 더 바람직하게는, 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 2 내지 4개의 질소 원자를 함유하고; 가장 바람직하게는, 아민 개시된 폴리올 경화제는 분자당 2개의 질소 원자를 함유함) 분자당 평균 3개 이상의 히드록실기(바람직하게는 3 내지 6개의 히드록실기; 더 바람직하게는 3 내지 5개의 히드록실기; 가장 바람직하게는 4개의 히드록실기)를 갖는 아민 개시된 폴리올 경화제(바람직하게는 아민 개시된 폴리올 경화제의 수평균 분자량은 700 이하; 바람직하게는 150 내지 650; 더욱더 바람직하게는 200 내지 500; 가장 바람직하게는 250 내지 300임)를 제공하고, (ii) 25 내지 95 중량%(바람직하게는 35 내지 90 중량%; 더 바람직하게는 50 내지 75 중량%; 가장 바람직하게는 60 내지 75 중량%)의, 수평균 분자량 MN이 2,500 내지 100,000(바람직하게는 5,000 내지 50,000; 더 바람직하게는 7,500 내지 25,000; 가장 바람직하게는 10,000 내지 12,000)이고 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실기(바람직하게는 4 내지 8개의 히드록실기; 더 바람직하게는 5 내지 7개의 히드록실기; 가장 바람직하게는 6개의 히드록실기)를 갖는 고분자량 폴리올 경화제를 제공하고, (iii) 0 내지 70 중량%(바람직하게는 5 내지 60 중량%; 더 바람직하게는 10 내지 50 중량%; 더욱더 바람직하게는 10 내지 30 중량%; 가장 바람직하게는 10 내지 20 중량%)의 2관능성 경화제를 제공하는 것을 포함하여, 경화제 패키지를 제공하고; 다관능성 이소시아네이트와 경화제 패키지를 혼합하여 배합물을 형성하고; 배합물을 반응시켜 연마층을 형성하는 것을 포함한다.
본 발명의 화학기계 연마 패드 제조 방법은 임의로는, 몰드를 제공하고; 상기 배합물을 몰드에 붓고; 배합물을 몰드 내에서 반응시켜 경화된 케이크를 형성하고; 경화된 케이크로부터 연마층을 유도하는 것을 추가로 포함한다. 바람직하게는, 경화된 케이크를 스카이빙(skiving)하여 하나의 경화된 케이크로부터 다수의 연마층을 유도한다. 임의로는, 상기 방법은 또한 스카이빙 작업을 용이하게 하기 위해 경화된 케이크를 가열하는 것을 추가로 포함한다. 바람직하게는, 경화된 케이크는 경화된 케이크를 복수의 연마층으로 스카이빙하는 스카이빙 작업 동안 적외선 가열 램프를 사용하여 가열된다.
바람직하게는, 본 발명의 기판 연마 방법은 자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판(바람직하게는 반도체 기판; 더 바람직하게는 반도체 웨이퍼인 반도체 기판)을 제공하고; 본 발명에 따른 화학기계 연마 패드를 제공하고; 연마층의 연마 표면과 기판 사이에 동적 접촉을 생성시켜 기판의 표면을 연마하고; 연마 표면을 연마 컨디셔너로 컨디셔닝하는 것을 포함한다.
본 발명의 일부 실시양태를 이제 하기 실시예에서 상세하게 설명하겠다.
비교예 A, B 및 실시예 1 내지 19
표 3에 제공된 제형 상세에 따라 연마층을 제조하였다. 구체적으로, 폴리우레탄 케이크를 51℃에서 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체(즉, 비교예 A 및 실시예 1 내지 9에서는 Chemtura Corporation로부터 입수 가능한 Adiprene® LF667; 및 비교예 B 및 실시예 10 내지 19에서는 Chemtura Corporation로부터 입수 가능한 Adiprene® LFG963A)와 경화제 패키지의 성분들의 조절된 혼합에 의해 제조하였다. 아민 개시된 폴리올 경화제(즉, The Dow Chemical Company로부터 상업적으로 입수 가능한 Voranol® 800) 및 고분자량 폴리올 경화제(즉, The Dow Chemical Company로부터 입수 가능한 Voralux® HF505)를 사전 혼합(premixing)한 후 다른 원료와 블렌딩하였다. 모든 원료는, MBOCA를 제외하곤, 51℃의 사전 혼합 온도로 유지하였다. MBOCA는 116℃의 사전 혼합 온도로 유지하였다. 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체와 경화제 패키지의 비율은, 경화제 중의 활성 수소기(즉, -OH기와 -NH2기의 합계) 대 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체 중의 미반응 이소시아네이트(NCO)기의 비율로서 정의되는 화학량론이 표 3에 기재된 바와 같도록 설정하였다.
경화제 패키지와의 조합 전에 Expancel® 미소구체를 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체에 첨가하여 연마층에 공극을 도입함으로써, 원하는 공극률 및 패드 밀도를 달성하였다.
임의의 혼입된 Expancel® 미소구체를 갖는 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체와 경화제 패키지를 고전단 혼합 헤드를 이용하여 혼합하였다. 혼합 헤드에서 나온 후, 배합물을 5분의 기간에 걸쳐 직경 86.4 cm(34 인치)의 원형 몰드에 주입하여 총 부은 두께를 약 10 cm(4 인치)로 하였다. 주입된 배합물을 15분 동안 겔화시킨 후, 몰드를 경화 오븐에 넣었다. 이어서, 몰드를 경화 오븐에서 하기 순환을 이용하여 경화시켰다: 상온으로부터 30분 동안 104℃의 설정점까지 승온한 후, 104℃에서 15.5시간 동안 유지하고, 이어서 104℃로부터 21℃까지 2시간 동안 강온.
이어서, 경화된 폴리우레탄 케이크를 몰드로부터 제거하고 30 내지 80℃의 온도에서 스카이빙(이동 블레이드를 이용한 절단)하여 약 40개의 분리된 2.0 mm(80 mil) 두께의 시트로 하였다. 스카이빙은 각각의 케이크의 상부로부터 개시하였다. 임의의 불완전한 시트는 폐기하였다.
실시예에 사용된 Adiprene® LF667은 Chemtura로부터 입수 가능한 Adiprene® LF950A과 Adiprene® LF600D의 50/50 중량% 블렌드를 포함하는 PTMEG계 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체임에 유의하라. 또한, Adiprene® LFG963A은 Chemtura로부터 입수 가능한 PPG계 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체임에 유의하라.
비교예 A, B, 및 실시예 1 내지 19의 각각으로부터 얻어진 홈이 없는 연마층 재료를 분석하여 표 4에 보고된 바와 같이 그의 물성을 측정하였다. 보고된 밀도 데이터는 ASTM D1622에 따라 측정된 것이고; 보고된 쇼어 D 경도 데이터는 ASTM D2240에 따라 측정된 것이며; 보고된 쇼어 A 경도 데이터는 ASTM D2240에 따라 측정된 것이고; 보고된 파단신도 데이터는 ASTM D412에 따라 측정된 것임에 유의하라.
표 4에 보고된 절삭 속도는 Applied Materials로부터의 200 mm Mirra® 연마 공구를 사용하여 측정하였다. 이 연마 공구는 공칭 직경 51 cm(20 인치)의 원형 화학기계 연마 패드를 수용하도록 설계된 것이다. 원형 단면을 갖는 연마층을 본원 실시예에서 설명한 것과 같이 제조하였다. 이어서, 이들 연마층을 절삭 홈 가공하여 120 mil(3.05 mm) 피치, 20 mil(0.51 mm) 폭 및 30 mil(0.76 mm) 깊이의 치수를 갖는 복수의 동심형 원형 홈을 포함하는 연마 패턴을 연마 표면에 제공하였다. 이어서, 연마층을 발포체 서브-패드 층(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.로부터 입수 가능한 SP2310)에 적층하였다.
다이아몬드 컨디셔닝 디스크(Kinik Company에 의해 제작된 DiaGrid® AD3CL-150840-3 패드 컨디셔너)를 사용하여 하기 공정 조건으로 홈이 있는 연마층의 연마 표면을 연삭하였다: 연마층의 연마 표면을 다이아몬드 컨디셔닝 디스크로부터 2시간의 기간 동안 플레이튼 속도 100 rpm, 탈이온수 유속 150 ㎤/min 및 컨디셔닝 디스크 하강력 48.3 kPa(7 psi)에서 연속적으로 연삭. 절삭 속도는 시간이 지남에 따른 평균 홈 깊이의 변화를 측정함으로써 측정하였다. 홈 깊이는 Zaber Technologies의 전동 슬라이드상에 장착된 MTI Instruments의 마이크로트랙 II 레이저 삼각 측량 센서를 이용하여 각각의 연마층의 연마 표면을 중심에서 외연부까지 프로파일(profile)하여 측정하였다(㎛/시간 단위). 슬라이드 상의 센서의 스윕(sweep) 속력은 0.732 mm/s였고, 샘플링 속도(스윕 mm당 측정 수)는 6.34 점/mm였다. 표 4에 보고된 절삭 속도는 연마층의 연마 표면을 가로질러 2,000점 초과로서 취한 수집된 두께 측정치를 기준으로 시간이 지남에 따른 홈 깊이의 산술 평균 감소이다.
Claims (10)
- 다관능성 이소시아네이트; 및
5 중량% 이상의, 분자당 1개 이상의 질소 원자를 함유하고 분자당 평균 3개 이상의 히드록실기를 갖는 아민 개시된 폴리올 경화제;
25 내지 95 중량%의, 수평균 분자량 MN이 2,500 내지 100,000이고 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제; 및
0 내지 70 중량%의 2관능성 경화제
를 포함하는 경화제 패키지
를 포함하는 원료 성분들의 반응 생성물을 포함하며 0.6 g/㎤ 초과의 밀도, 5 내지 40의 쇼어(Shore) D 경도, 100 내지 450%의 파단신도, 및 25 내지 150 ㎛/hr의 절삭 속도를 나타내며 기판 연마용으로 구성된 연마 표면을 갖는 연마층을 포함하는, 자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 연마하기 위한 화학기계 연마 패드. - 제1항에 있어서, 경화제 패키지 중의 반응성 수소기 대 다관능성 이소시아네이트 중의 미반응 이소시아네이트기의 화학량론적 비율은 0.85 내지 1.15인 화학기계 연마 패드.
- 제2항에 있어서, 다관능성 이소시아네이트는 지방족 다관능성 이소시아네이트, 방향족 다관능성 이소시아네이트, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 화학기계 연마 패드.
- 제3항에 있어서, 2관능성 경화제는 디올 경화제 및 디아민 경화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 화학기계 연마 패드.
- 제3항에 있어서, 다관능성 이소시아네이트는 2 내지 12 중량%의 미반응 NCO 기를 갖는 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체인 화학기계 연마 패드.
- 제5항에 있어서, 경화제 패키지는
5 내지 20 중량%의, 분자당 2개의 질소 원자를 함유하고 분자당 평균 4개의 히드록실기를 가지며 수평균 분자량 MN이 200 내지 400인 아민 개시된 폴리올 경화제;
50 내지 75 중량%의, 수평균 분자량 MN이 10,000 내지 12,000이고 분자당 평균 6개의 히드록실기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제;
10 내지 30 중량%의, 4,4'-메틸렌-비스-(2-클로로아닐린)(MBOCA), 4,4'-메틸렌-비스-(3-클로로-2,6-디에틸아닐린)(MCDEA), 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택되는 2관능성 경화제
를 포함하고, 경화제 패키지 중의 반응성 수소기 대 다관능성 이소시아네이트 중의 미반응 이소시아네이트기의 화학량론적 비율은 0.95 내지 1.05이며;
연마층은 0.75 내지 1.0 g/㎤의 밀도, 5 내지 20의 쇼어 D 경도, 150 내지 300%의 파단신도, 및 30 내지 60 ㎛/hr의 절삭 속도를 나타내는 화학기계 연마 패드. - 제6항에 있어서, 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체가 5 내지 7 중량%의 미반응 NCO 기를 갖고; 이소시아네이트-말단 우레탄 예비중합체는 400 내지 2,500의 수평균 분자량 MN을 나타내는 화학기계 연마 패드.
- 제7항에 있어서, 연마 표면은 나선형 홈 패턴이 형성된 것인 화학기계 연마 패드.
- 다관능성 이소시아네이트를 제공하고;
(i) 5 중량% 이상의, 분자당 1개 이상의 질소 원자를 함유하고 분자당 평균 3개 이상의 히드록실기를 갖는 아민 개시된 폴리올 경화제를 제공하고,
(ii) 25 내지 95 중량%의, 수평균 분자량 MN이 2,500 내지 100,000이고 분자당 평균 3 내지 10개의 히드록실기를 갖는 고분자량 폴리올 경화제를 제공하고,
(iii) 0 내지 70 중량%의 2관능성 경화제를 제공하는 것을 포함하여,
경화제 패키지를 제공하고;
다관능성 이소시아네이트와 경화제 패키지를 혼합하여 배합물을 형성하고;
배합물을 반응시켜 연마층을 형성하는 것을 포함하는 제1항의 화학기계 연마 패드의 제조 방법. - 자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 하나 이상으로부터 선택된 기판을 제공하고;
제1항의 화학기계 연마 패드를 제공하고;
연마층의 연마 표면과 기판 사이에 동적 접촉을 생성시켜 기판의 표면을 연마하고;
연마 표면을 연삭 컨디셔너로 컨디셔닝하는 것을 포함하는 기판 연마 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/666,514 | 2012-11-01 | ||
US13/666,514 US9144880B2 (en) | 2012-11-01 | 2012-11-01 | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140056116A true KR20140056116A (ko) | 2014-05-09 |
KR102117902B1 KR102117902B1 (ko) | 2020-06-02 |
Family
ID=50483296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130131973A KR102117902B1 (ko) | 2012-11-01 | 2013-11-01 | 연질 및 컨디셔닝 가능한 화학기계 연마 패드 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9144880B2 (ko) |
JP (1) | JP6177665B2 (ko) |
KR (1) | KR102117902B1 (ko) |
CN (1) | CN103802018B (ko) |
DE (1) | DE102013018258A1 (ko) |
FR (1) | FR2997331B1 (ko) |
TW (1) | TWI597355B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160000856A (ko) * | 2014-06-25 | 2016-01-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 컨디셔닝 내성을 갖는 화학적 기계적 연마 층 배합물 |
KR20200037314A (ko) * | 2017-08-31 | 2020-04-08 | 후베이 딩후이 마이크로일렉트로닉스 머티리얼즈 코., 엘티디 | 폴리우레탄 연마층, 연마층을 포함하는 연마 패드, 연마층의 제조 방법 및 재료 평탄화 방법 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9238295B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad |
US8980749B1 (en) * | 2013-10-24 | 2015-03-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing silicon wafers |
US9216489B2 (en) * | 2014-03-28 | 2015-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
US20150306731A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
US9333620B2 (en) * | 2014-04-29 | 2016-05-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window |
US20150375361A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
US9586304B2 (en) * | 2014-12-19 | 2017-03-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Controlled-expansion CMP PAD casting method |
US10092998B2 (en) * | 2015-06-26 | 2018-10-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of making composite polishing layer for chemical mechanical polishing pad |
US9776300B2 (en) * | 2015-06-26 | 2017-10-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. | Chemical mechanical polishing pad and method of making same |
KR102640690B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2024-02-23 | 씨엠씨 머티리얼즈 엘엘씨 | 높은 탄성률 비를 갖는 폴리우레탄 화학 기계적 연마 패드 |
US9484212B1 (en) | 2015-10-30 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
US10208154B2 (en) * | 2016-11-30 | 2019-02-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Formulations for chemical mechanical polishing pads and CMP pads made therewith |
US20180281149A1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
CN107553313B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-12-31 | 湖北鼎龙控股股份有限公司 | 一种抛光垫、聚氨酯抛光层及其制备方法 |
US10464187B2 (en) * | 2017-12-01 | 2019-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High removal rate chemical mechanical polishing pads from amine initiated polyol containing curatives |
CN109015342B (zh) * | 2018-03-06 | 2020-08-25 | 湖北鼎汇微电子材料有限公司 | 一种化学机械抛光垫及其平坦化基材的方法 |
TWI735101B (zh) * | 2018-12-26 | 2021-08-01 | 南韓商Skc索密思股份有限公司 | 用於研磨墊之組成物、研磨墊及用於製備其之方法 |
US20210069860A1 (en) * | 2019-09-11 | 2021-03-11 | Applied Materials, Inc. | Compositions and Methods of Additive Manufacturing of Polishing Pads |
EP3967452A1 (en) * | 2020-09-07 | 2022-03-16 | SKC Solmics Co., Ltd. | Polishing pad and method of fabricating semiconductor device using the same |
CN113146488B (zh) * | 2021-05-18 | 2022-06-17 | 广东伟艺抛磨材料有限公司 | 一种水磨环保抛光轮及其制造方法 |
KR102561824B1 (ko) * | 2021-06-02 | 2023-07-31 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
CN115431175B (zh) * | 2022-09-16 | 2024-03-22 | 湖北鼎汇微电子材料有限公司 | 一种自修整抛光垫及其制备方法和应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090110818A (ko) * | 2007-01-15 | 2009-10-22 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
KR101141880B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2012-05-03 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 폴리우레탄 연마 패드 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5245790A (en) * | 1992-02-14 | 1993-09-21 | Lsi Logic Corporation | Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers |
MY114512A (en) * | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US6117000A (en) * | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
JP3925041B2 (ja) | 2000-05-31 | 2007-06-06 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
JP3826702B2 (ja) | 2000-10-24 | 2006-09-27 | Jsr株式会社 | 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド |
KR100877385B1 (ko) | 2001-11-13 | 2009-01-07 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
JP4039214B2 (ja) | 2002-11-05 | 2008-01-30 | Jsr株式会社 | 研磨パッド |
JP2005029617A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Bridgestone Corp | 難燃性微細セル軟質ポリウレタンフォーム |
US7704125B2 (en) | 2003-03-24 | 2010-04-27 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
US20040224622A1 (en) | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Jsr Corporation | Polishing pad and production method thereof |
US6943202B2 (en) * | 2003-07-29 | 2005-09-13 | Crompton Corporation | Radiation-curable polyurethane |
US7074115B2 (en) | 2003-10-09 | 2006-07-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad |
JP4475404B2 (ja) | 2004-10-14 | 2010-06-09 | Jsr株式会社 | 研磨パッド |
US7927452B2 (en) | 2005-07-15 | 2011-04-19 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Layered sheets and processes for producing the same |
WO2008029538A1 (fr) | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Tampon à polir |
JP4261586B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2009-04-30 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッドの製造方法 |
US7569268B2 (en) * | 2007-01-29 | 2009-08-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
TWI444248B (zh) * | 2007-08-15 | 2014-07-11 | 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 | 化學機械研磨方法 |
US20090062414A1 (en) | 2007-08-28 | 2009-03-05 | David Picheng Huang | System and method for producing damping polyurethane CMP pads |
US8052507B2 (en) | 2007-11-20 | 2011-11-08 | Praxair Technology, Inc. | Damping polyurethane CMP pads with microfillers |
JP4593643B2 (ja) | 2008-03-12 | 2010-12-08 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
CN102015812B (zh) | 2008-04-25 | 2013-03-20 | 东洋高分子股份有限公司 | 聚氨酯发泡体和抛光垫 |
US20100035529A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Mary Jo Kulp | Chemical mechanical polishing pad |
US8118644B2 (en) * | 2008-10-16 | 2012-02-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad having integral identification feature |
JP5393434B2 (ja) | 2008-12-26 | 2014-01-22 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
JP5276502B2 (ja) * | 2009-04-03 | 2013-08-28 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
US8697239B2 (en) * | 2009-07-24 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-functional polishing pad |
US8551201B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-10-08 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Polyurethane composition for CMP pads and method of manufacturing same |
US9156124B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
-
2012
- 2012-11-01 US US13/666,514 patent/US9144880B2/en active Active
-
2013
- 2013-10-30 DE DE102013018258.1A patent/DE102013018258A1/de active Pending
- 2013-10-31 FR FR1360736A patent/FR2997331B1/fr active Active
- 2013-10-31 JP JP2013226447A patent/JP6177665B2/ja active Active
- 2013-10-31 TW TW102139493A patent/TWI597355B/zh active
- 2013-11-01 CN CN201310757251.XA patent/CN103802018B/zh active Active
- 2013-11-01 KR KR1020130131973A patent/KR102117902B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101141880B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2012-05-03 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 폴리우레탄 연마 패드 |
KR20090110818A (ko) * | 2007-01-15 | 2009-10-22 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160000856A (ko) * | 2014-06-25 | 2016-01-05 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 컨디셔닝 내성을 갖는 화학적 기계적 연마 층 배합물 |
KR20200037314A (ko) * | 2017-08-31 | 2020-04-08 | 후베이 딩후이 마이크로일렉트로닉스 머티리얼즈 코., 엘티디 | 폴리우레탄 연마층, 연마층을 포함하는 연마 패드, 연마층의 제조 방법 및 재료 평탄화 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102013018258A1 (de) | 2014-05-08 |
JP6177665B2 (ja) | 2017-08-09 |
KR102117902B1 (ko) | 2020-06-02 |
TW201433628A (zh) | 2014-09-01 |
FR2997331A1 (fr) | 2014-05-02 |
CN103802018A (zh) | 2014-05-21 |
JP2014097567A (ja) | 2014-05-29 |
US20140120809A1 (en) | 2014-05-01 |
US9144880B2 (en) | 2015-09-29 |
CN103802018B (zh) | 2016-09-21 |
TWI597355B (zh) | 2017-09-01 |
FR2997331B1 (fr) | 2016-12-23 |
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102117902B1 (ko) | 연질 및 컨디셔닝 가능한 화학기계 연마 패드 | |
KR102359116B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 화학적 기계적 연마 방법 | |
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