KR20140056065A - 단층형 전자 사진 감광체, 및 전자 사진 감광체를 구비한 화상 형성 장치 - Google Patents

단층형 전자 사진 감광체, 및 전자 사진 감광체를 구비한 화상 형성 장치 Download PDF

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Abstract

단층형 전자 사진 감광체는, 도전성 기체 상에, 적어도 전하 발생 재료, 전자 수송 재료, 정공 수송 재료, 및 결착 수지를 동일층 내에 포함하는 감광층을 구비하고, 상기 전하 발생 재료가 프탈로시아닌 안료와, 적어도 페릴렌계 안료 및 아조계 안료를 포함하는 N형 안료를 포함하고, 상기 N형 안료의 총량이 상기 프탈로시아닌 안료 1질량부에 대하여 0.3질량부 이상 3질량부 이하 함유된다.

Description

단층형 전자 사진 감광체, 및 전자 사진 감광체를 구비한 화상 형성 장치{SINGLE LAYERED ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS WITH ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR}
본 발명은, 단층형 전자 사진 감광체, 및 단층형 전자 사진 감광체를 구비하는 화상 형성 장치에 관한 것이다.
전자 사진 방식의 화상 형성 장치에 구비되는 전자 사진 감광체로는, 셀렌 등의 무기 재료로 이루어지는 감광층을 구비하는 무기 감광체와, 주로, 결착 수지, 전하 발생 재료, 전하 수송 재료 등의 유기 재료로 이루어지는 감광층을 구비하는 유기 감광체가 있다. 그리고, 이들 감광체 중에서는, 무기 감광체와 비교하여 제조가 용이하고, 감광층의 재료를 폭넓은 재료로부터 선택할 수 있고, 설계의 자유도가 높으므로 유기 감광체가 폭넓게 사용되고 있다.
이러한 유기 감광체로는, 전하 발생 재료 및 전하 수송 재료를 동일층에 포함하는 감광층을 구비하는 단층형 유기 감광체를 들 수 있다. 단층형 유기 감광체는, 도전성 기체 상에 전하 발생 재료를 함유하는 전하 발생층과 전하 수송 재료를 함유하는 전하 수송층을 적층한 적층형 유기 감광체와 비교하여, 구조가 간단하고 제조가 용이함과 더불어, 피막 결함의 발생을 억제할 수 있다는 이점 때문에, 자주 이용된다.
한편, 최근, 복사기, 프린터는 머신 본체의 소형화, 인쇄의 고속화가 진행되고 있어, 고속 인쇄가 가능한 복사기, 프린터로 사용되는 감광체에는 고속 프로세스에 대응할 수 있도록, 한층 더 고감도화가 필요 불가결로 되어 있다.
현재, 단층 감광체의 전하 발생 재료에는 무금속 프탈로시아닌이 이용되고 있는데, 고감도화를 도모하기 위해서는 한계가 있다. 이에 대하여, 옥소티타닐프탈로시아닌은 양자 효율이 무금속 프탈로시아닌에 비해 높아, 전자 사진 감광체의 고감도화에 매우 유용한 전하 발생 재료이다.
그러나, 옥소티타닐프탈로시아닌을 고속의 프로세스에서 이용하면, 반복 사용후의 전자 사진 감광체의 전위 특성이 열화하여, 얻어지는 화상이 흐려지거나, 흑색 줄무늬 및 농도 불균형 등이 발생해 버린다. 이는, 옥시티타늄프탈로시아닌이 가지는 고감도 특성에 의해, 전하의 발생량이 비교적 많기 때문에 고응답성 등의 이점을 가지지만, 고속 프로세스에 이용한 경우에는, 감광층 중에 전하가 잔류하여, 노광부와 비노광부의 전위차가 작아지는 메모리 현상이 나타나 버리기 때문이라고 생각된다.
메모리 현상의 발생을 막기 위해서, 예를 들면, 옥소티타닐프탈로시아닌과 다른 프탈로시아닌을 조합시키는 경우나, X선 회절 스펙트럼에 있어서 브랙각(2θ±0.2°) 27.2°에 최대 피크를 가지는 옥소티타닐프탈로시아닌과, 전하 이동제를 감광층에 함유시키는 경우가 있다.
그러나, 상기의 방법에서는, 어느것이나 단층형 전자 사진 감광체를 이용하는 고속 프로세스에 있어서, 메모리 현상을 방지하기 위해서는 충분하지 않았다. 또한 최근에는, 한층 더 화상 형성 장치의 소형화, 고속화, 초기비용 다운을 위해, 제전 수단을 가지지 않는 화상 형성 장치가 요구되고 있는데, 상기의 방법에서는, 이러한 화상 형성 장치에 있어서 노광 메모리가 현저하게 나타난다는 문제는 해결할 수 없다.
본 개시는, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 고속 프로세스에 이용해도 노광 메모리가 억제되어, 양호한 화상을 얻을 수 있는 단층형 전자 사진 감광체 및 이를 이용한 화상 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일국면에 관련된 단층형 전자 사진 감광체는, 도전성 기판 상에, 적어도 전하 발생 재료, 전자 수송 재료, 정공 수송 재료, 및 결착 수지를 동일층 내에 포함하는 감광층을 구비하고, 상기 전하 발생 재료가 프탈로시아닌 안료와, 적어도 페릴렌계 안료 및 아조계 안료를 포함하는 2종류 이상의 N형 안료를 포함하고, 상기 N형 안료의 총량이 상기 프탈로시아닌 안료 1질량부에 대하여 0.3∼3질량부이다.
본 개시의 다른 국면에 관련된 상기 일국면에 관련된 화상 형성 장치는, 상 담지체와, 상기 상 담지체의 표면을 대전하기 위한 대전부와, 대전된 상기 상 담지체의 표면을 노광하여 상기 상 담지체의 표면에 정전 잠상을 형성하기 위한 노광부와, 상기 정전 잠상을 토너상으로서 현상하기 위한 현상부와, 상기 토너상을 상기 상 담지체로부터 피전사체에 전사하기 위한 전사부를 구비하고, 상기 상 담지체가 상기 단층형 전자 사진 감광체이며, 상기 대전부가 상기 상 담지체를 양극성으로 대전시킨다.
본 개시에 의하면, 메모리가 발생하지 않는 감광층을 가지는 정대전 단층 감광체를 제공할 수 있고, 이러한 감광체를 이용한 화상 형성 장치는 화상 불량이 없는 장기간에 안정된 화상을 제공할 수 있다.
도 1은 본 개시의 단층형 전자 사진 감광체의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 개시의 제1의 실시 형태에 관련된 단층형 전자 사진 감광체를 구비한 화상 형성 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명하는데, 본 발명은, 이들에 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 개시의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하는데, 본 개시는, 이하의 실시 형태에 전혀 한정되는 것이 아니고, 본 개시의 원하는 범위 내에 있어서, 적절히 변경을 가하여 실시할 수 있다. 또한, 설명이 중복되는 부분에 대해서는, 적절히 설명을 생략하는 경우가 있는데, 개시의 요지를 한정하는 것은 아니다.
이하, 본 개시의 정대전 단층 감광체와, 본 개시의 정대전 단층 감광체를 상 담지체로서 이용하는 화상 형성 장치에 대하여 설명한다.
[제1의 실시 형태]
본 발명의 제1의 실시 형태는, 도전성 기판 상에, 적어도 전하 발생 재료, 전자 수송 재료, 정공 수송 재료, 및 결착 수지를 동일층 내에 포함하는 감광층을 구비하는 단층형 전자 사진 감광체이다. 제1의 실시 형태에 관련된 전자 사진 감광체에서는, 전하 발생 재료가 프탈로시아닌 안료와, 적어도 페릴렌계 안료 및 아조계 안료를 포함하는 N형 안료를 포함한다. 전하 발생 재료 중의 N형 안료의 총량은, 프탈로시아닌 안료 1질량부에 대하여 0.3∼3질량부이다.
이하, 제1의 실시 형태에 관련된 단층형 전자 사진 감광체에 대하여, 더욱 상세하게 설명한다. 도 1(a)에 도시하는 바와 같이, 제1의 실시 형태에 관련된 단층형 전자 사진 감광체(20)는, 감광층 지지체(11)와, 감광층 지지체(11) 상에 특정한 용제를 함유하는 감광층 도포액을 이용하여 형성된, 전하 발생 재료, 전하 수송 재료, 및 결착 수지를 함유하는 단층의 감광층(21)이 구비된 것이다. 여기에서, 단층형 전자 사진 감광체(20)는, 감광층 지지체(11)와 감광층(21)을 구비하고 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들면, 감광층 지지체(11) 상에 감광층(21)을 직접 구비하고 있어도 되고, 도 1(b)에 도시하는 바와 같이 단층형 전자 사진 감광체(20’)는, 감광층 지지체(11)와 감광층(21)의 사이에 중간층(14)을 구비하고 있어도 된다. 또한, 감광층(21)이 최외층이 되어 노출되어 있어도 되고, 감광층(21) 상에 도시하지 않는 보호층을 구비하고 있어도 된다.
감광층의 두께는, 감광층으로서 충분히 작용할 수 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로, 감광층의 두께는, 예를 들면, 5∼50㎛인 것이 바람직하고, 10∼35㎛인 것이 바람직하다.
(전하 발생 재료)
전하 발생 재료(CGM)는, 프탈로시아닌 안료와, 적어도 페릴렌계 안료 및 아조계 안료를 포함하는 N형 안료를 포함한다. 프탈로시아닌 안료는, 전자 사진 감광체용의 전하 발생 재료로서 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 프탈로시아닌 안료의 구체적 예로는, 하기 식 (1)로 표시되는 X형 무금속 프탈로시아닌(x-H2Pc)이나, Y형 옥소티타닐프탈로시아닌을 들 수 있다.
<화학식 1>
Figure pat00001
이들 프탈로시아닌 안료 중에서도, Y형 옥소티타닐프탈로시아닌(Y-TiOPc)이나, (A)CuKα 특성 X선 회절 스펙트럼에 있어서, 브랙각 2θ±0.2°=27.2°에 주로 피크를 가지고, 또한, (B) 시차 주사 열량 분석에 있어서, 흡착수의 기화에 수반되는 피크 이외에 270∼400℃의 범위내에, 1개의 피크를 가지는 옥소티타닐프탈로시아닌이 감도가 높기 때문에, 바람직하다.
전하 발생 재료로서 사용되는 안료는, N형 안료와 P형 안료로 크게 나뉜다. N형 안료는 주로 전하 캐리어가 전자인 안료이며, P형 안료는 주로 전하 캐리어가 정공인 안료이다. 본 발명에서는, 전하 발생 재료로서, P형 안료인 프탈로시아닌 안료와, N형 안료인 페릴렌계 안료 및 아조계 안료를 병용한다.
전하 발생 재료는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 프탈로시아닌 안료, 페릴렌계 안료, 및 아조계 안료의 다른 종류의 전하 발생 재료를 포함하고 있어도 된다. 프탈로시아닌 안료, 페릴렌계 안료, 및 아조계 안료의 다른 종류의 전하 발생 재료로는, 디티오케토피롤로피롤 안료, 무금속 나프탈로시아닌 안료, 금속 나프탈로시아닌 안료, 스쿠아라인 안료, 인디고 안료, 아줄레늄 안료, 시아닌 안료, 셀렌, 셀렌-텔루륨, 셀렌-비소, 황화 카드뮴, 비정질 실리콘 등의 무기 광 도전 재료의 분말, 피릴륨염, 안트란트론계 안료, 트리페닐메탄계 안료, 스렌계 안료, 톨루이딘계 안료, 피라졸린계 안료, 및 퀴나크리돈계 안료 등을 들 수 있다.
페릴렌계 안료로는, 전자 사진 감광체용의 전하 발생 재료로서 사용되는 것이며, 하기 식 (I)로 표시되는 골격을 포함하는 화합물로 이루어지는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 하기 식 (I) 중의 방향환은, 1이상의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다. 할로겐 원자로는, 염소, 브로민, 옥소, 및 불소를 들 수 있다.
<화학식 2>
Figure pat00002
(식 (I)중, X 및 Y는, 각각 독립으로 2가의 유기기이다.)
페릴렌계 안료의 구조는, 상기의 조건을 만족하는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 그 구조 중에 프탈로시아닌 골격을 포함하지 않는 페릴렌계 안료가 바람직하다. 하기 식 (II) 또는 (III)로 표시되는 페릴렌계 안료가 적합하게 이용된다.
<화학식 3>
Figure pat00003
(식 중, R1 및 R2은, 각각 독립으로, 수소 원자, 또는 1가의 유기기이다.)
<화학식 4>
Figure pat00004
(식 중, R3∼R6은, 각각 독립으로, 수소 원자, 또는 1가의 유기기이다. R3과 R4과, 또는 R5과 R6는, 각각 결합하여 환을 형성해도 된다.)
식 (II) 중, R1 및 R2의 적합한 예로는, 수소 원자, 지방족 탄화 수소기, 아랄킬기, 아릴기, 및 복소환기를 들 수 있다. 복소환기가 포함되어 있어도 되는 헤테로 원자로는, 질소 원자, 산소 원자, 유황 원자를 들 수 있다.
R1 및 R2가 지방족 탄화 수소기인 경우, 지방족 탄화 수소기는, 직쇄상, 분기쇄상, 환상, 또는 이들을 조합시킨 구조 중 어느 하나여도 된다. 또한, 지방족 탄화 수소기는, 포화거나 불포화여도 되고, 포화인 것이 바람직하다.
지방족 탄화 수소기가 직쇄상, 또는 분기쇄상인 경우, 지방족 탄화 수소기의 탄소수는, 1∼20이 바람직하고, 1∼10이 보다 바람직하고, 1∼6이 특히 바람직하고, 1∼4가 가장 바람직하다. 직쇄상, 또는 분기쇄상의 지방족 탄화 수소기의 적합한 예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, 및 n-데실기를 들 수 있다.
지방족 탄화 수소기가 환상인 경우, 그 탄소수는, 3∼10이 바람직하고, 5∼8이 보다 바람직하다. 환상의 지방족 탄화 수소기의 적합한 예로는, 시클로헥실기, 및 시클로펜틸기를 들 수 있다.
R1 및 R2가 아랄킬기인 경우, 아랄킬기의 탄소수는 7∼12가 바람직하다. 아랄킬기의 적합한 예로는, 벤질기, 페네틸기, α-나프틸메틸기, 및 β-나프틸메틸기를 들 수 있다.
R1 및 R2가 아릴기인 경우, 아릴기는, 적어도 1개의 벤젠환을 포함하는, 단환식 또는 축합환식의 탄화 수소기이며, 아릴기의 결합손은 벤젠환에 결합하고 있다. 아릴기가, 축합환식의 탄화수소기인 경우, 축합환을 구성하는 환의 수는 3이하가 바람직하다. 아릴기에 있어서, 결합손을 가지는 벤젠환과 축합하는 환은, 방향족환이거나, 지방족환이어도 된다. 아릴기에 있어서, 결합손을 가지는 벤젠환과 축합하는 환은, 4∼8원환이 바람직하고, 5원환 또는 6원환이 보다 바람직하다.
아릴기의 적합한 예로는, 페닐기, 나프틸기, 안트라닐기, 페난트릴기, 인데닐기, 1, 2, 3, 4-테트라하이드로나프틸기, 및 플루오레닐기, 아세나프틸레닐기를 들 수 있다.
R1 및 R2가 복소환기인 경우, 복소환은, 단환이거나 축합환이어도 된다. 또한, 복소환기는, 지방족기거나 방향족기여도 된다. 복소환기가, 축합환인 경우, 축합환을 구성하는 환의 수는 3이하가 바람직하다. 복소환기에 있어서, 축합환을 구성하는 환은, 4∼8원환이 바람직하고, 5원환 또는 6원환이 보다 바람직하다.
복소환기에 포함되는 복소환의 적합한 예로는, 피롤리딘, 테트라하이드로푸란, 피페리딘, 피페라진, 몰포린, 티오몰포린, 티오펜, 푸란, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 이소티아졸, 이소옥사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아졸, 테트라졸, 인돌, 1H-인다졸, 푸린, 4H-퀴놀리딘, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 프탈라딘, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 벤조푸란, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 벤즈이미다졸, 벤즈이미다졸론, 및 프탈이미드를 들 수 있다.
R1 및 R2이, 아랄킬기, 아릴기, 또는 복소환기인 경우, 이들 기에 포함되는 환식기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 페닐기, 할로겐 원자, 수산기, 시아노기 및 니트로기를 들 수 있다.
식(III) 중, R3∼R6의 적합한 예로는, 수소 원자, 지방족 탄화 수소기, 아랄킬기, 아릴기, 및 복소환기를 들 수 있다. 복소환기가 포함하고 있어도 되는 헤테로 원자로는, 질소 원자, 산소 원자, 유황 원자를 들 수 있다.
R3∼R6이, 지방족 탄화 수소기, 아랄킬기, 아릴기, 또는 복소환기인 경우, R1 및 R2에 대하여 설명한 기와 동일한 기가 바람직하다. R3∼R6이, 아랄킬기, 아릴기, 또는 복소환기인 경우, 이들 기에 포함되는 환식기는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 페닐기, 할로겐 원자, 수산기, 시아노기, 및 니트로기를 들 수 있다.
R3과 R4, 또는 R5과 R6는, 각각 결합하여 환을 형성해도 된다. R3과 R4, 또는 R5과 R6이 결합하여 형성되는 환은, 방향족환이거나 지방족환이어도 되고, 탄화 수소환이거나, 복소환이어도 된다. R3과 R4, 또는 R5과 R6이 결합하여 형성되는 환의 적합한 예로는, 벤젠환, 나프탈렌환, 피리딘환, 및 테트라하이드로나프탈렌환을 들 수 있다.
페릴렌계 안료의 적합한 구체적 예로는, 이하에 나타내는 것을 들 수 있다.
<화학식 5>
Figure pat00005
아조계 안료로는, 전자 사진 감광체용의 전하 발생 재료로서 사용되는 것이며, 그 구조 중에 아조기(-N=N-)를 포함하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 아조계 안료는, 모노아조 안료, 및 비스아조 안료나, 트리스아조 안료나 테트라키스아조 안료와 같은 폴리아조 안료의 어떠한 것이나 사용할 수 있다. 또한, 아조계 안료는, 아조기를 가지는 화합물의 호변 이성체여도 된다.
아조계 안료의 구조는, 상기의 조건을 만족하는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 그 구조 중에 프탈로시아닌 골격을 포함하지 않는 아조계 안료가 바람직하다.
아조계 안료의 적합한 예로는, PY83, PY93, PY128, PO13, PY95, PY94, PY166, PR144, PO2, PR32, PR30, PY14, PY17, PO34, PY77을 들 수 있다.
프탈로시아닌 안료와 함께 사용되는 N형 안료는, 페릴렌계 안료 및 아조계 안료와는 상이한 다른 종류의 N형 안료를 포함하고 있어도 된다. 페릴렌계 안료 및 아조계 안료와는 상이한 다른 종류의 N형 안료의 예로는, 다환 퀴논계 안료, 스쿠아릴륨계 안료, 피란트론계 안료와 같은 공지의 유기 안료를 들 수 있다.
(정공 수송 재료)
정공 수송 재료(HTM)로는, 단층형 전자 사진 감광체의 감광층에 포함되는 정공 수송 재료로서 이용할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 정공 수송 재료의 구체적 예로는, 벤지딘 유도체, 2, 5-디(4-메틸아미노페닐)-1, 3, 4-옥사디아졸 등의 옥사디아졸계 화합물, 9-(4-디에틸아미노스티릴)안트라센 등의 스티릴계 화합물, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸계 화합물, 유기 폴리실란 화합물, 1-페닐-3-(p-디메틸아미노페닐)피라졸린 등의 피라졸린계 화합물, 하이드라존계 화합물, 트리페닐아민계 화합물, 인돌계 화합물, 옥사졸계 화합물, 이소옥사졸계 화합물, 티아졸계 화합물, 트리아졸계 화합물 등의 질소 함유 환식 화합물, 축합 다환식 화합물 등을 들 수 있다. 이들 정공 수송 재료 중에서는, 분자 중에 1 또는 복수의 트리페닐아민 골격을 가지는 트리페닐아민계 화합물이 보다 바람직하다. 이들 정공 수송 재료는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
(전자 수송 재료)
전자 수송 재료(ETM)로는, 단층형 전자 사진 감광체의 감광층에 포함되는 전자 수송 재료로서 이용할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들면, 나프토퀴논 유도체, 디페노퀴논 유도체, 안트라퀴논 유도체, 아조퀴논 유도체, 니트로안트라퀴논 유도체, 디니트로안트라퀴논 유도체 등의 퀴논 유도체, 말로노나이트릴 유도체, 티오피란 유도체, 트리니트로티옥산톤 유도체, 3, 4, 5, 7-테트라니트로-9-플루오레논 유도체, 디니트로안트라센 유도체, 디니트로아크리딘 유도체, 테트라시아노에틸렌, 2, 4, 8-트리니트로티옥산톤, 디니트로벤젠, 디니트로안트라센, 디니트로아크리딘, 무수 호박산, 말레산, 디브로모무수말레산 등을 들 수 있다. 전자 수송 재료는 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
(결착 수지)
결착 수지로는, 단층형 전자 사진 감광체의 감광층에 포함되는 결착 수지로서 이용할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 결착 수지로서 적합하게 사용되는 수지의 구체적 예로는, 폴리카보네이트 수지, 스티렌계 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체, 스티렌-말레산 공중합체, 스티렌-아크릴산 공중합체, 아크릴 공중합체, 폴리에틸렌 수지, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 염소화 폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리프로필렌 수지, 아이오노머, 염화 비닐-아세트산 비닐 공중합체, 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 디알릴푸탈레이트 수지, 케톤 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리에테르 수지, 폴리에스테르 수지 등의 열가소성 수지; 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 그 외 가교성의 열 경화성 수지 등의 열 경화성 수지; 에폭시아크릴레이트 수지, 우레탄-아크릴레이트 공중합 수지 등의 광 경화성 수지를 들 수 있다. 이 수지는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
이들 수지 중에서는, 가공성, 기계적 특성, 광학적 특성, 내마모성의 밸런스가 뛰어난 감광층을 얻을 수 있으므로, 비스페놀 Z형 폴리카보네이트 수지, 비스페놀 ZC형 폴리카보네이트 수지, 비스페놀 C형 폴리카보네이트 수지, 및 비스페놀 A형 폴리카보네이트 수지 등의 폴리카보네이트 수지가 보다 적합하게 이용된다.
(첨가제)
단층형 전자 사진 감광체의 감광층은, 전자 사진 특성에 악영향을 주지 않는 범위에서, 전하 발생 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 및 결착 수지 외에, 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 감광층에 배합할 수 있는 첨가제로는, 예를 들면, 산화 방지제, 래디컬 포착제, 1중항 ?차, 자외선 흡수제 등의 열화 방지제, 연화제, 가소제, 다환 방향족 화합물, 표면 개질제, 증량제, 증점제, 분산 안정제, 왁스, 오일, 억셉터, 도너, 계면 활성제, 및 레벨링제 등을 들 수 있다.
(단층형 전자 사진 감광체의 제조 방법)
단층형 전자 사진 감광체의 제조 방법은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 단층형 전자 사진 감광체의 제조 방법의 적합한 예로는, 감광층용의 도포액을 감광층 지지체 상에 도포하여 감광층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 다환 방향족 화합물, 전하 발생 재료, 전하 수송 재료, 결착 수지, 및 필요에 따라 각종 첨가제 등을 용제에 용해 또는 분산시킨 도포액을 감광층 지지체 상에 도포하고, 건조함으로써, 단층형 전자 사진 감광체를 제조할 수 있다. 도포 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 스핀 코우터, 애플리케이터, 스프레이 코우터, 바 코우터, 딥 코우터, 닥터 블레이드 등을 이용하는 방법을 들 수 있다. 이 도포 방법 중에서는, 연속 생산이 가능하여 경제성이 뛰어나기 때문에, 딥 코우터를 이용하는 침지법이 바람직하다. 또한, 감광층 지지체 상에 형성된 도막의 건조 방법으로는, 예를 들면, 80∼150℃에서 15∼120분간의 조건으로 열풍 건조하는 방법 등을 들 수 있다.
제1의 실시 형태에 관련된 전단층형 전자 사진 감광체에 있어서, 감광층 중의 전하 발생 재료(CGM), 정공 수송 재료(HTM), 전자 수송 재료(ETM), 및 결착 수지의 각 함유량은, 적절히 선정되어 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들면, 전하 발생 재료의 함유량은, 결착 수지 100질량부에 대하여, 0.3∼30질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 보다 바람직하다. 전자 수송 재료의 함유량은, 결착 수지 100질량부에 대하여, 20∼90질량부인 것이 바람직하고, 40∼60질량부인 것이 보다 바람직하다. 정공 수송 재료의 함유량은, 결착 수지 100질량부에 대하여, 30∼120질량부인 것이 바람직하고, 50∼100질량부인 것이 보다 바람직하다. 또한, 정공 수송 재료와 전자 수송 재료의 총량, 즉, 전하 수송 재료의 함유량은, 결착 수지 100질량부에 대하여, 60∼150질량부인 것이 바람직하고, 80∼120질량부인 것이 보다 바람직하다.
또한, 프탈로시아닌 안료와 N형 안료의 함유비는, 특별히 한정되지 않고 넓은 범위에서 설정가능하다. N형 안료가 프탈로시아닌 안료의 분산성을 높여서 메모리 발생을 억제하는 관점에서, 프탈로시아닌 안료 1질량부에 대한 N형 안료의 총량은 0.03질량부 이상 10질량부 이하로 사용되는 것이 바람직하고, 또한, 0.3∼3질량부 이하로 사용하는 것이 보다 바람직하다. N형 안료에 포함되는, 페릴렌계 안료 및 아조계 안료의 함유량의 합계는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. N형 안료의 질량에 대한, 페릴렌계 안료 및 아조계 안료의 함유량의 합계의 비율은, 80질량% 이상이 바람직하고, 90질량% 이상이 보다 바람직하고, 95질량% 이상이 특히 바람직하고, 100질량%인 것이 가장 바람직하다.
감광층용의 도포액에 함유되는 용제로는, 감광층을 구성하는 각 성분을 용해 또는 분산시킬 수 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올 등의 알코올류; n-헥산, 옥탄, 시클로헥산 등의 지방족계 탄화수소; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소; 디클로로메탄, 디클로로에탄, 사염화탄소, 클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소; 디메틸에테르, 디에틸에테르, 테트라하이드로푸란, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 아세트산에틸, 아세트산메틸 등의 에스테르류; 디메틸포름알데히드, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 등의 비프로톤성 극성 유기 용매를 들 수 있다. 이들 용제는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
[제2의 실시 형태]
본 발명의 제2의 실시 형태에 관련된 화상 형성 장치는, 상 담지체와, 상 담지체의 표면을 대전하기 위한 대전부와, 대전된 상 담지체의 표면을 노광하여 상 담지체의 표면에 정전 잠상을 형성하기 위한 노광부와, 정전 잠상을 토너상으로서 현상하기 위한 현상부와, 토너상을 상 담지체로부터 피전사체에 전사하기 위한 전사부를 구비한다. 여기에서, 상 담지체는, 제1의 실시 형태에 관련된 단층형 전자 사진 감광체이며, 대전부는 상 담지체를 양극성으로 대전시킨다. 제2의 실시 형태에 관련된 화상 형성 장치는, 상기의 구성을 구비하므로, 특히 제전 수단을 가지지 않는 경우라도, 노광 메모리를 억제하여, 양호한 화상을 얻을 수 있다.
제2의 실시 형태에 관련된 화상 형성 장치로는, 모노크로 화상 형성 장치, 컬러 화상 형성 장치의 어느 것에도 적용가능하지만, 여기에서는 복수색의 토너를 이용하는 텐덤 방식의 컬러 화상 형성 장치가 바람직하다. 보다 구체적으로는, 이하에 설명하는 것과 같은, 복수색의 토너를 이용하는 텐덤 방식의 컬러 화상 형성 장치를 들 수 있다. 여기서는, 텐덤 방식의 컬러 화상 형성 장치에 대하여 설명한다.
제1의 실시 형태에 관련된 단층형 전자 사진 감광체를 구비한 화상 형성 장치는, 각 표면 상에 각각 상이한 각 색의 토너에 의한 토너상을 형성시키기 위해서, 소정 방향으로 나란히 설치된, 복수의 상 담지체와, 각 상 담지체에 대향하여 배치되어, 표면에 토너를 담지하여 반송하고, 반송된 토너를, 각 상 담지체의 표면에 각각 공급하는, 현상 롤러를 구비한 복수의 현상부를 구비하고, 각 상 담지체로서, 각각 단층형 전자 사진 감광체를 이용한다.
도 2는, 제1의 실시 형태에 관련된 단층형 전자 사진 감광체를 구비한 화상 형성 장치의 구성을 나타내는 개략도이다. 여기서는, 화상 형성 장치로는, 칼라 프린터(1)를 예로 들어 설명한다.
이 컬러 프린터(1)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상자형의 기기 본체(1a)를 가지고 있다. 이 기기 본체(1a) 내에는, 용지(P)를 급지하는 급지부(2)와, 이 급지부(2)로부터 급지된 용지(P)를 반송하면서 당해 용지(P)에 화상 데이터 등에 의거하는 토너상을 전사하는 화상 형성부(3)와, 이 화상 형성부(3)에서 용지(P) 상에 전사된 미정착 토너상을 용지(P)에 정착하는 정착 처리를 실시하는 정착부(4)가 설치되어 있다. 또한, 기기 본체(1a)의 상면에는, 정착부(4)에서 정착 처리가 실시된 용지(P)가 배지되는 배지부(5)가 설치되어 있다.
급지부(2)는, 급지 카셋(121), 픽업 롤러(122), 급지 롤러(123, 124, 125), 및 레지스트 롤러(126)를 구비하고 있다. 급지 카셋(121)은, 기기 본체(1a)로부터 삽탈 가능하게 설치되고, 각 사이즈의 용지(P)를 저류한다. 픽업 롤러(122)는, 급지 카셋(121)의 도 2에 도시하는 좌측 상방 위치에 설치되고, 급지 카셋(121)에 저류되어 있는 용지(P)를 1매씩 취출한다. 급지 롤러(123, 124, 125)는, 픽업 롤러(122)에 의해 취출된 용지(P)를 용지 반송로에 송출한다. 레지스트 롤러(126)는, 급지 롤러(123, 124, 125)에 의해 용지 반송로에 송출된 용지(P)를 일시 대기시킨 후, 소정의 타이밍에서 화상 형성부(3)에 공급한다.
또한, 급지부(2)는, 기기 본체(1a)의 도 2에 도시하는 좌측면에 부착되는 도시하지 않은 급지 트레이와 픽업 롤러(127)를 더 구비하고 있다. 이 픽업 롤러(127)는, 급지 트레이에 재치된 용지(P)를 취출한다. 픽업 롤러(127)에 의해 취출된 용지(P)는, 급지 롤러(123, 125)에 의해 용지 반송로에 송출되고, 레지스트 롤러(126)에 의해, 소정 타이밍에서 화상 형성부(3)에 공급된다.
화상 형성부(3)는, 화상 형성 유닛(7)과, 이 화상 형성 유닛(7)에 의해 그 표면(접촉면)에 컴퓨터 등으로부터 전송된 화상 데이터에 의거하는 토너상이 1차 전사되는 중간 전사 벨트(31)와, 이 중간 전사 벨트(31) 상의 토너상을 급지 카셋(121)으로부터 이송된 용지(P)에 2차 전사시키기 위한 2차 전사 롤러(32)를 구비하고 있다.
화상 형성 유닛(7)은, 상류측(도 2에서는 우측)으로부터 하류측을 향해서 순차적으로 설치된 블랙용 유닛(7K)과, 옐로용 유닛(7Y)과, 시안용 유닛(7C)과, 마젠타용 유닛(7M)을 구비하고 있다. 각 유닛(7K, 7Y, 7C 및 7M)은, 각각의 중앙 위치에 상 담지체로서의 단층형 전자 사진 감광체(37)(이하, 감광체(37))가 부호(시계 방향) 방향으로 회전가능하게 배치되어 있다. 그리고, 각 감광체(37)의 주위에는, 대전부(39), 노광부(38), 현상부(71), 도시하지 않은 클리닝부 및 제전부로서의 제전기 등이, 회전 방향 상류측으로부터 순서대로 각각 배치되어 있다. 본 발명에 있어서는, 제전기에 의한 제전 공정을 가지지 않는 것도 양호하게 화상을 형성할 수 있으므로, 공간 절약화를 도모하는 것이 가능하다. 또한, 감광체(37)로는, 단층형 전자 사진 감광체를 이용하는 것이 바람직하다.
대전부(39)는, 화살표 방향으로 회전되어 있는 전자 사진 감광체(37)의 둘레면을, 양극성으로 균일하게 대전시킨다. 대전부(39)는, 전자 사진 감광체(37)의 둘레면을 균일하게 대전시킬 수 있으면 특별히 제한되지 않고, 비접촉 방식이거나 접촉 방식이어도 된다. 대전부의 구체적 예로는, 코로나 대전 장치, 대전 롤러, 대전 브러쉬 등을 들 수 있고, 대전 롤러, 대전 브러쉬 등의 접촉 방식의 대전 장치가 보다 바람직하다. 접촉 방식의 대전부(39)를 사용함으로써, 대전부(39)로부터 발생하는 오존이나 질소 산화물 등의 활성 가스의 배출을 억제하고, 활성 가스에 의한 전자 사진 감광체의 감광층의 열화를 방지함과 더불어, 오피스 환경 등을 배려한 설계를 할 수 있다.
접촉 방식의 대전 롤러를 구비한 대전부(39)는, 대전 롤러가 감광체(37)와 접촉한 채, 감광체(37)의 둘레면(표면)을 대전시킨다. 이러한 대전 롤러로는, 예를 들면, 감광체(37)와 접촉한 채, 감광체(37)의 회전에 종속하여 회전하는 것 등을 들 수 있다. 또한, 대전 롤러로는, 예를 들면, 적어도 표면부가 수지로 구성된 롤러 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 회전가능하게 축 지지된 심발봉과, 심발봉 상에 형성된 수지층과, 심발봉에 전압을 인가하는 전압 인가부를 구비한 것 등을 들 수 있다. 이러한 대전 롤러를 구비한 대전부(39)는, 전압 인가부에 의해, 심발봉에 전압을 인가함으로써, 수지층을 통하여 접촉하는 감광체(37)의 표면을 대전시킬 수 있다.
전압 인가부에 의해 대전 롤러에 인가되는 전압은 직류 전압만인 것이 바람직하다. 대전 롤러에 의해 전자 사진 감광체에 인가하는 직류 전압은, 1000∼2000V가 바람직하고, 1200∼1800V가 보다 바람직하고, 1400∼1600V가 특히 바람직하다. 교류 전압이나 직류 전압에 교류 전압을 중첩한 중첩 전압을 대전 롤러에 인가하는 경우보다, 대전 롤러에 직류 전압만을 인가하는 경우의 쪽이, 감광층의 마모량이 적어지는 경향이 있다.
또한, 대전 롤러의 수지층을 구성하는 수지는, 감광체(37)의 둘레면을 양호하게 대전시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 수지층에 이용하는 수지의 구체적 예로는, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 실리콘 변성 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수지층에는, 무기 충전재를 함유시켜도 된다.
노광부(38)는, 소위 레이저 주사 유닛이며, 대전부(39)에 의해 균일하게 대전된 감광체(37)의 둘레면에, 상위 장치인 퍼스널 컴퓨터(PC)로부터 입력된 화상 데이터에 의거하는 레이저광을 조사하여, 감광체(37) 상에 정전 잠상을 형성한다. 현상부(71)는, 정전 잠상이 형성된 감광체(37)의 둘레면에 토너를 공급함으로써, 화상 데이터에 의거하는 토너상을 형성시킨다. 그리고, 이 토너상이 중간 전사 벨트(31)에 1차 전사된다. 클리닝부는, 중간 전사 벨트(31)에 대한 토너상의 1차 전사가 종료한 후, 감광체(37)의 둘레면에 잔류하고 있는 토너를 청소한다. 클리닝부에 의해 청정화 처리된 감광체(37)의 둘레면은, 새로운 대전 처리를 위해서 대전부(39)를 향하여, 새로운 대전 처리가 행해진다.
중간 전사 벨트(31)는, 무단상의 벨트상 회전체이며, 표면(접촉면)측이 각 감광체(37)의 둘레면에 각각 맞닿도록 구동 롤러(33), 종동 롤러(34), 백업 롤러(35), 및 1차 전사 롤러(36) 등의 복수의 롤러에 걸쳐져 있다. 또한, 중간 전사 벨트(31)는, 각 감광체(37)와 대향 배치된 1차 전사 롤러(36)에 의해 감광체(37)에 가압된 상태에서, 복수의 롤러에 의해 무단 회전하도록 구성되어 있다. 구동 롤러(33)는, 스테핑 모터 등의 구동원에 의해 회전 구동하여, 중간 전사 벨트(31)를 무단 회전시키기 위한 구동력을 부여한다. 종동 롤러(34), 백업 롤러(35), 및 1차 전사 롤러(36)는, 회전가능하게 설치되고, 구동 롤러(33)에 의한 중간 전사 벨트(31)의 무단 회전에 따라 종동 회전한다. 이들 롤러(34, 35, 36)는, 구동 롤러(33)의 주동 회전에 따라서 중간 전사 벨트(31)를 통하여 종동 회전함과 더불어, 중간 전사 벨트(31)를 지지한다.
1차 전사 롤러(36)는, 1차 전사 바이어스(토너의 대전 극성과는 역극성)를 중간 전사 벨트(31)에 인가한다. 그렇게 함으로써, 각 감광체(37) 상에 형성된 토너상은, 각 감광체(37)와 1차 전사 롤러(36)의 사이에서, 구동 롤러(33)의 구동에 의해 화살표(반시계 방향) 방향으로 주회하는 중간 전사 벨트(31)에 겹쳐칠한 상태에서 순차적으로 전사(1차 전사)된다.
2차 전사 롤러(32)는, 토너상과 역극성의 2차 전사 바이어스를 용지(P)에 인가한다. 그에 따라, 중간 전사 벨트(31) 상에 1차 전사된 토너상은, 2차 전사 롤러(32)와 백업 롤러(35)의 사이에서 용지(P)에 전사되고, 이에 따라, 용지(P)에 컬러 전사 화상(미정착 토너상)이 전사된다.
정착부(4)는, 화상 형성부(3)에서 용지(P)에 전사된 전사 화상에 정착 처리를 실시하는 것이며, 통전 발열체에 의해 가열되는 가열 롤러(41)와, 이 가열 롤러(41)에 대향 배치되어, 둘레면이 가열 롤러(41)의 둘레면에 맞닿는 가압 롤러(42)를 구비하고 있다.
그리고, 화상 형성부(3)에서 2차 전사 롤러(32)에 의해 용지(P)에 전사된 전사 화상은, 당해 용지(P)가 가열 롤러(41)와 가압 롤러(42)의 사이를 통과할 때의 가열에 의한 정착 처리로 용지(P)에 정착된다. 그리고, 정착 처리가 실시된 용지(P)는, 배지부(5)에 배지되도록 되어 있다. 또한, 본 실시 형태의 컬러 프린터(1)에서는, 정착부(4)와 배지부(5)의 사이의 적소에 반송 롤러(6)가 설치되어 있다.
배지부(5)는, 컬러 프린터(1)의 기기 본체(1a)의 꼭대기부가 오목하게 들어감으로써 형성되고, 이 오목하게 들어간 오목부의 저부에 배지된 용지(P)를 받는 배지 트레이(51)가 형성되어 있다.
컬러 프린터(1)는, 이상과 같은 화상 형성 동작에 의해, 용지(P) 상에 화상 형성을 행한다. 그리고, 상기와 같은 텐덤 방식의 화상 형성 장치에서는, 상 담지체로서, 제1의 실시 형태에 관련된 단층형 전자 사진 감광체가 구비되어 있으므로, 노광 메모리를 억제하여, 양호한 화상을 형성할 수 있다.
<실시예>
이하에, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
〔감광체 작성〕
표 1, 2에 표시하는 전하 발생 재료 3질량부, 페릴렌계 안료 1질량부 및 아조계 안료 1질량부를, 테트라하이드로푸란 100중량에 추가하여 볼 밀로 1시간전 분산한 후, 마찬가지로 표 1에 표시하는 정공 수송 재료 60질량부 및 전자 수송 재료 50질량부와, 레벨링제(신코 실리콘사 제 KF96) 0.01부, 점도 평균 분자량 30,000의 비스페놀 Z형 폴리카보네이트 수지 100질량부, 및 테트라하이드로푸란 800질량부를 볼 밀에 추가하여, 6시간, 혼합, 분산 처리하여, 감광층용의 도포액을 조제했다. 단, 실시예 35, 실시예 36, 비교예 12 및 비교예 13의 페릴렌계 안료 및 아조계 안료에 대해서는, 각각 상기의 양으로 바꾸어 표에 표시하는 질량부에 추가했다.
얻어진 도포액을 도전성 기판 상에 딥 코트법에 의해 도포하여, 100℃에서 40분간 처리하여 도막에서 테트라하이드로푸란을 제거하여, 막 두께 25㎛의 감광층을 구비하는 단층 전자 사진 감광체를 얻었다.
또한, 표 1, 2에 표시되는 각 재료의 기호와 화학 구조는 이하와 같다.
<전하 발생 재료(CGM)>
CG1: x형 무금속 프탈로시아닌
CG2: (A) CuKα 특성 X선 회절 스펙트럼에 있어서, 브랙각 2θ±0.2°=27.2°에 최대의 피크를 가짐과 더불어, 26.2°에 피크를 가지지 않고, (B) 시차 탐사 열량 분석에 있어서, 흡착수의 기화에 수반되는 피크 이외에 50∼270℃의 범위 내에 1개의 피크를 가지는 하기 화학식 기재의 옥소티타닐프탈로시아닌
CG3: (A) CuKα특성 X선 회절 스펙트럼에 있어서, 브랙각 2θ±0.2°=27.2°에 최대의 피크를 가짐과 더불어, 26.2°에 피크를 가지지 않고, (C) 시사 주사 열량 분석에 있어서, 흡착수의 기화에 수반되는 피크 이외는, 50∼400℃의 범위 내에 피크를 가지지 않는 하기 화학식 기재의 옥소티타닐프탈로시아닌
CG4: (A) CuKα특성 X선 회절 스펙트럼에 있어서, 브랙각 2θ±0.2°=27.2°에 최대의 피크를 가짐과 더불어, 26.2°에 피크를 가지지 않고, (D) 시차 주사 열량 분석에 있어서, 흡착수의 기화에 수반되는 피크 이외는 270℃부터 400℃에 1개 피크를 가지는 하기 화학식 기재의 옥소티타닐프탈로시아닌
CG5: CuKα 특성 X선 회절 스펙트럼에 있어서, 브랙각 ±0.2°에 적어도 7.6°, 28.6°에 주요 회절 피크를 가지는 하기 화학식 기재의 옥소티타닐프탈로시아닌
그 외, 정공 수송 재료(HTM), 전자 수송 재료(ETM), 페릴렌계 안료 및 아조계 안료는 각각 하기한 것을 이용했다.
<아조계 안료>
아조 1:
<화학식 6>
Figure pat00006
아조 2:
<화학식 7>
Figure pat00007
아조 3:
<화학식 8>
Figure pat00008
아조 4:
<화학식 9>
Figure pat00009
아조 5:
<화학식 10>
Figure pat00010
아조 6:
<화학식 11>
Figure pat00011
아조 7:
<화학식 12>
Figure pat00012
아조 8:
<화학식 13>
Figure pat00013
<페릴렌계 안료>
페릴렌 1:
<화학식 14>
Figure pat00014
페릴렌 2:
<화학식 15>
Figure pat00015
페릴렌 3:
<화학식 16>
Figure pat00016
페릴렌 4:
<화학식 17>
Figure pat00017
페릴렌 5:
<화학식 18>
Figure pat00018
페릴렌 6:
<화학식 19>
Figure pat00019
페릴렌 7:
<화학식 20>
Figure pat00020
페릴렌 8:
<화학식 21>
Figure pat00021
<정공 수송 재료(HTM)>
HT1:
<화학식 22>
Figure pat00022
HT2:
<화학식 23>
Figure pat00023
HT3:
<화학식 24>
Figure pat00024
HT4:
<화학식 25>
Figure pat00025
HT5:
<화학식 26>
Figure pat00026
HT6:
<화학식 27>
Figure pat00027
HT7:
<화학식 28>
Figure pat00028
HT8:
<화학식 29>
Figure pat00029
<전자 수송 재료(ETM)>
ET1:
<화학식 30>
Figure pat00030
ET2:
<화학식 31>
Figure pat00031
ET3:
<화학식 32>
Figure pat00032
ET4:
<화학식 33>
Figure pat00033
ET5:
<화학식 34>
Figure pat00034
ET6:
<화학식 35>
Figure pat00035
ET7:
<화학식 36>
Figure pat00036
ET8:
<화학식 37>
Figure pat00037
ET9:
<화학식 38>
Figure pat00038
<비교예 안료>
P1:
<화학식 39>
Figure pat00039
P2:
<화학식 40>
Figure pat00040
〔메모리 확인 방법〕
<메모리 전위 측정>
백지 3매, 솔리드 3매, 백지 3매를 연속 인쇄하여, 미노광시(백지 화상)의 대전 공정 후의 표면 전위(V01) 및 노광시(솔리드 화상)의 다음 대전 공정(백지 화상)의 표면 전위(V02)를 측정하고, 그 차이를 노광 메모리 전위(V01-V02)로 했다.
노광 메모리 전위차는 35V 미만을 양호로 하고, 35V 이상의 경우는 문제있다고 판단했다.
<화상 평가>
얻어진 전자 사진 감광체를, 제전 램프를 제거한 프린터(FS-5300DN, 교세라도큐먼트 솔루션즈 주식회사 제)에 장착하고, 소정의 메모리 화상 평가용 원고(일본의 특허공개 공보: 특개 2006-91488의 도 3 참조)를, A4지, 1만매의 조건으로, 연속 인쇄를 행하여, 하기 기준에 따라, 화상 평가를 실시했다.
○: 그레이부에 노광 메모리의 발생이 육안으로 전혀, 혹은 거의 관찰되지 않는다.
×: 그레이부에 노광 메모리의 현저한 발생이 육안으로 관찰된다.
<노광 메모리 평가>
얻어진 전자 사진 감광체를, 제전 램프를 제거한 프린터(FS-5300DN, 교세라 도큐먼트 솔루션즈 주식회사 제)에 탑재한 후, 표면 전위가 800V가 되도록 대전시켜, 솔리드부의 초기 감도가 150V로 되는 광량으로 노광량을 조정한 후, 상기와 동일한 메모리 화상 평가용 원고를, A4지, 1만매의 조건으로, 연속 인쇄를 행하여, 하기 기준에 준하여, 화상 평가를 실시했다.
○: 그레이부에 노광 메모리의 발생이 육안으로 전혀, 혹은 거의 관찰되지 않는다.
×: 그레이부에 노광 메모리의 현저한 발생이 육안으로 관찰된다.
<표 1>
Figure pat00041
<표 2>
Figure pat00042
페릴렌계 및 아조계의 N형 안료를 2종 병용한 실시예에서는, 어느것이나, 노광 메모리 전위가 작고, 노광 메모리가 적은 양호한 화상을 얻을 수 있었다. 이에 대하여, N형 안료를 사용하지 않는 비교예 1 및 6이나 8이나 9, N형 안료를 페릴렌계 혹은 아조계의 1종만 사용한 비교예 2-5, 7, 10, 11에서는, 노광 메모리 전위가 커, 화상에 메모리 현상이 인식되었다. 또한, 비교예 12, 13에 도시하는 바와 같이, N형 안료를 2종 병용한 경우에도, 함유량이 소정 범위를 벗어나는 경우는, 노광 메모리 전위가 커 화상에 메모리 현상이 보여졌다.

Claims (8)

  1. 도전성 기체 상에, 적어도 전하 발생 재료, 전자 수송 재료, 정공 수송 재료, 및 결착 수지를 동일층 내에 포함하는 감광층을 구비하는 단층형 전자 사진 감광체에 있어서, 상기 전하 발생 재료가 프탈로시아닌 안료와, 적어도 페릴렌계 안료 및 아조계 안료를 포함하는 N형 안료를 포함하고, 상기 N형 안료의 총량이 상기 프탈로시아닌 안료 1질량부에 대하여 0.3∼3질량부인 것을 특징으로 하는 단층형 전자 사진 감광체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 아조계 안료가 하기 [화학식 6]∼[화학식 13]에서 선택되는, 단층형 전자 사진 감광체.
    [화학식 6]
    Figure pat00043

    [화학식 7]
    Figure pat00044

    [화학식 8]
    Figure pat00045

    [화학식 9]
    Figure pat00046

    [화학식 10]
    Figure pat00047

    [화학식 11]
    Figure pat00048

    [화학식 12]
    Figure pat00049

    [화학식 13]
    Figure pat00050
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 페릴렌계 안료가 하기 [화학식 14]∼[화학식 21]에서 선택되는, 단층형 전자 사진 감광체.
    [화학식 14]
    Figure pat00051

    [화학식 15]
    Figure pat00052

    [화학식 16]
    Figure pat00053

    [화학식 17]
    Figure pat00054

    [화학식 18]
    Figure pat00055

    [화학식 19]
    Figure pat00056

    [화학식 20]
    Figure pat00057

    [화학식 21]
    Figure pat00058
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 페릴렌계 안료가 상기 [화학식 6]∼[화학식 13]에서 선택되는, 단층형 전자 사진 감광체.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 정공 수송 재료가 하기 [화학식 22]∼[화학식 29]에서 선택되는, 단층형 전자 사진 감광체.
    [화학식 22]
    Figure pat00059

    [화학식 23]
    Figure pat00060

    [화학식 24]
    Figure pat00061

    [화학식 25]
    Figure pat00062

    [화학식 26]
    Figure pat00063

    [화학식 27]
    Figure pat00064

    [화학식 28]
    Figure pat00065

    [화학식 29]
    Figure pat00066
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 전자 수송 재료가 하기 [화학식 30]∼[화학식 38]에서 선택되는, 단층형 전자 사진 감광체.
    [화학식 30]
    Figure pat00067

    [화학식 31]
    Figure pat00068

    [화학식 32]
    Figure pat00069

    [화학식 33]
    Figure pat00070

    [화학식 34]
    Figure pat00071

    [화학식 35]
    Figure pat00072

    [화학식 36]
    Figure pat00073

    [화학식 37]
    Figure pat00074

    [화학식 38]
    Figure pat00075
  7. 상 담지체와,
    상기 상 담지체의 표면을 대전하기 위한 대전부와,
    대전된 상기 상 담지체의 표면을 노광하여 상기 상 담지체의 표면에 정전 잠상을 형성하기 위한 노광부와,
    상기 정전 잠상을 토너상으로서 현상하기 위한 현상부와,
    상기 토너상을 상기 상 담지체로부터 피전사체에 전사하기 위한 전사부를 구비하고, 상기 상 담지체가 청구항 1에 기재된 단층형 전자 사진 감광체이며, 상기 대전부가 상기 상 담지체를 양극성으로 대전시키는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 화상 형성 장치가, 제전(除電) 수단을 가지지 않는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
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