KR20140015366A - 연마용 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 적어도 산화알루미늄 지립 및 물을 함유하고, 8.5 이상의 pH를 갖는 연마용 조성물이 제공된다. 산화알루미늄 지립은 20 m2/g 이하의 비표면적을 갖는다. 산화알루미늄 지립은 0.1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 평균 이차 입경을 갖는 것이 바람직하다. 연마용 조성물은 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취 재료, 예를 들면 사파이어, 탄화규소 또는 질화갈륨을 연마하는 용도로 사용된다.
Description
본 발명은 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취(hard and brittle) 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 경취 재료의 연마 방법, 및 경취 재료 기판의 제조 방법에도 관한 것이다.
경취 재료란, 취성 재료 중에서도 경도가 높은 것을 말하며, 일반적으로는 유리, 세라믹, 석재 및 반도체 결정 재료 등이 포함된다. 그 중에서도 특히 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 재료, 예를 들면 다이아몬드, 산화알루미늄(사파이어), 탄화규소, 탄화붕소, 탄화지르코늄, 탄화텅스텐, 질화규소, 질화티탄, 질화갈륨은 일반적으로 화학적으로 매우 안정적이고 반응성이 낮으며, 경도도 매우 높기 때문에 연마에 의한 가공이 용이하지 않다. 이 때문에, 통상 이들 재료는 다이아몬드를 이용한 랩핑을 실시한 후, 랩핑으로 인해 발생한 흠집을 콜로이달 실리카를 이용한 연마에 의해서 제거함으로써 마무리된다. 그러나 이 경우, 고평활한 표면을 얻기까지는 장시간의 연마가 필요하다.
또한, 비교적 고농도의 콜로이달 실리카를 포함한 연마용 조성물을 이용하여 사파이어 기판을 연마하는 것(예를 들면 특허문헌 1 참조)이나, 콜로이달 실리카를 포함한 특정한 pH를 갖는 연마용 조성물을 이용하여 탄화규소 기판을 연마하는 것(예를 들면 특허문헌 2 참조)도 알려져 있다. 그러나 이 경우도, 충분한 연마 속도(제거 속도)가 얻어지지 않는다는 문제가 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취 재료를 포함하는 연마 대상물을 높은 연마 속도로 연마할 수 있는 연마용 조성물을 제공하는 데에 있다. 또한, 본 발명의 별도의 목적은, 그의 연마용 조성물을 이용한 경취 재료의 연마 방법 및 경취 재료 기판의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명자들은 예의 검토의 결과, 특정한 비표면적을 갖는 산화알루미늄 지립을 함유한 특정한 pH를 갖는 연마용 조성물을 이용함으로써, 상기한 목적이 달성되는 것을 발견하였다. 상기한 목적을 달성하기 위해 몇개의 지립의 종류 중에서 산화알루미늄 지립을 선정함과 동시에 산화알루미늄 지립의 비표면적 및 연마용 조성물의 pH를 각각 소정의 범위 내로 설정하는 것은 당업자라고 해도 용이하게 착상할 수 있는 것은 아니다.
본 발명의 한 양태에서는, 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물로서, 적어도 산화알루미늄 지립 및 물을 함유하고, 8.5 이상의 pH를 갖는 연마용 조성물을 제공한다. 산화알루미늄 지립의 비표면적은 20 m2/g 이하이다.
산화알루미늄 지립의 평균 이차 입경은 0.1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 연마 대상물은 사파이어, 질화갈륨 또는 탄화규소를 포함하는 기판 또는 막인 것이 바람직하다. 연마 대상물이 되는 기판의 예로는, 각종 반도체 디바이스, 자기 기록 디바이스, 광학 디바이스, 파워 디바이스 등의 제조에 이용되는 단결정 기판 또는 다결정 기판을 들 수 있다. 연마 대상물이 되는 막은 에피택셜 성장 등의 공지된 성막 방법에 의해 기판 위에 설치된 것일 수도 있다.
본 발명의 별도의 양태에서는, 상기 연마용 조성물을 이용하여 경취 재료를 연마하는 연마 방법과, 그의 연마 방법을 이용하여 기판을 연마하는 공정을 포함하는 경취 재료의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취 재료를 포함하는 연마 대상물을 높은 연마 속도로 연마할 수 있는 연마용 조성물이 제공된다. 또한, 그의 연마용 조성물을 이용한 경취 재료의 연마 방법 및 경취 재료 기판의 제조 방법도 제공된다.
이하, 본 발명의 한 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 적어도 산화알루미늄 지립 및 물을 함유한다. 이 연마용 조성물은, 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취 재료를 포함하는 연마 대상물을 연마하는 용도, 보다 구체적으로는 사파이어, 탄화규소 또는 질화갈륨을 포함하는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용된다. 또한, 빅커스 경도는 국제 표준화 기구가 정하는 ISO 14705에 대응하는 일본 공업 규격 JIS R1610에 규정된 방법으로 측정하는 것이 가능하며, 빅커스 압자를 이용하여 시험면에 오목부를 만들었을 때의 시험력과, 오목부의 대각선 길이로부터 구한 오목부의 표면적으로부터 산출된다.
연마용 조성물 중에 포함되는 산화알루미늄 지립은, 예를 들면 α-알루미나, δ-알루미나, θ-알루미나 또는 κ-알루미나를 포함하는 것일 수도 있지만, 그것으로 한정되는 것은 아니다. 다만, 경취 재료를 보다 고속도로 연마하기 위해서는, 산화알루미늄 지립은 α-알루미나를 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 산화알루미늄 지립 중 알루미나의 α화율은 20% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40% 이상이다. 산화알루미늄 지립 중 알루미나의 α화율은, X선 회절 측정에 의한 (113)면 회절선의 적분 강도비로부터 구해진다.
산화알루미늄 지립은 규소, 티탄, 철, 구리, 크롬, 나트륨, 칼륨, 칼슘, 마그네슘 등의 불순물 원소를 포함할 수도 있다. 다만, 산화알루미늄 지립의 순도는 가능한 한 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는 바람직하게는 99 질량% 이상, 보다 바람직하게는 99.5 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 99.8 질량% 이상이다. 산화알루미늄 지립의 순도가 99 질량% 이상의 범위로 높아짐에 따라, 연마용 조성물을 이용하여 연마 후의 연마 대상물 표면의 불순물 오염이 적어진다. 이러한 점이 산화알루미늄 지립의 순도가 99 질량% 이상, 더욱 말하자면 99.5 질량% 이상, 특히 말하자면 99.8 질량% 이상이면, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물 표면의 불순물 오염을 실용상 특히 바람직한 수준까지 감소시키는 것이 용이해진다. 또한, 산화알루미늄 지립 중 불순물 원소의 함유량은, 예를 들면 가부시끼가이샤 시마즈 세이사꾸쇼 제조의 ICPE-9000 등의 ICP 발광 분광 분석 장치에 의한 측정값으로부터 산출이 가능하다.
산화알루미늄 지립의 평균 이차 입경은 0.1 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3 ㎛ 이상이다. 지립의 평균 이차 입경이 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 연마 속도가 향상된다.
산화알루미늄 지립의 평균 이차 입경은 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다. 지립의 평균 이차 입경이 작아짐에 따라, 연마용 조성물을 이용한 연마에 의해서 저결함이고 조도가 작은 표면을 얻는 것이 용이하다. 또한, 산화알루미늄 지립의 평균 이차 입경은, 예를 들면 가부시끼가이샤 호리바 세이사꾸쇼 제조의 LA-950 등의 레이저 회절/산란식 입경 분포 측정 장치를 이용하여 측정되는 부피 평균 입경과 동등하다.
산화알루미늄 지립의 비표면적은 20 m2/g 이하일 필요가 있다. 비표면적이 20 m2/g을 초과하는 산화알루미늄 지립을 사용한 경우에는, 충분히 높은 연마 속도로 연마 대상물을 연마할 수 있는 연마용 조성물이 얻어지지 않는다.
산화알루미늄 지립의 비표면적은 5 m2/g 이상인 것이 바람직하다. 지립의 비표면적이 커짐에 따라, 연마용 조성물을 이용한 연마에 의해서 저결함이고 조도가 작은 표면을 얻는 것이 용이하다. 또한, 산화알루미늄 지립의 비표면적은, 예를 들면 마이크로 메리틱스사 제조의 플로우 솔브(Flow Sorb)II 2300을 이용하여, 질소 흡착법(BET법)에 의해 구하는 것이 가능하다.
연마용 조성물 중 산화알루미늄 지립의 함유량은 0.01 질량% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 질량% 이상이다. 지립의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 연마 속도가 향상된다.
연마용 조성물 중 산화알루미늄 지립의 함유량은 50 질량% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 질량% 이하이다. 지립의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 제조 비용이 감소할 뿐 아니라, 연마용 조성물을 이용한 연마에 의해 스크래치가 적은 표면을 얻는 것이 용이하다.
산화알루미늄 지립의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 산화알루미늄 지립은, 바이어법에 의해 보크사이트로부터 정제한 알루미나일 수도 있고, 그의 알루미나를 용융 분쇄한 것일 수도 있다. 또는, 알루미늄 화합물을 원료로 하여 수열 합성된 수산화알루미늄을 열 처리하여 얻어지는 산화알루미늄이나, 기상법에 의해 알루미늄 화합물로부터 합성된 산화알루미늄일 수도 있다. 알루미늄 화합물로부터 합성된 산화알루미늄은, 통상의 산화알루미늄보다도 고순도인 것이 특징이다.
연마용 조성물의 pH는 8.5 이상일 필요가 있고, 바람직하게는 9.5 이상이다. 연마용 조성물의 pH가 8.5를 하회하는 경우에는, 연마용 조성물을 이용하여 충분히 높은 연마 속도로 연마 대상물을 연마할 수 없다.
연마 조성물의 pH의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 12 이하인 것이 바람직하다. pH가 12 이하인 연마용 조성물은 안전성이 높고, 사용시 작업성이 향상된다.
연마용 조성물의 pH는 다양한 산, 염기, 또는 이들의 염을 이용하여 조정이 가능하다. 구체적으로는 카르복실산, 유기 포스폰산, 유기 술폰산 등의 유기산이나, 인산, 아인산, 황산, 질산, 염산, 붕산, 탄산 등의 무기산, 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메탄올아민, 모노에탄올아민 등의 유기 염기, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아 등의 무기 염기, 또는 이들의 염이 바람직하게 이용된다.
반도체 기판이나 광학 디바이스용 기판, 파워 디바이스용 기판 등의 특히 높은 면 정밀도가 요구되는 기판의 경우에는, 연마용 조성물을 이용하여 연마한 후에 정밀 연마를 행하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 따르면 이하의 이점이 얻어진다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 적어도 산화알루미늄 지립 및 물을 함유하고, 8.5 이상의 pH를 갖는다. 산화알루미늄 지립의 비표면적은 20 m2/g 이하이다. 이 연마용 조성물에 따르면, 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취 재료를 포함하는 연마 대상물을 높은 연마 속도로 연마할 수 있다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 변경될 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 산화알루미늄 지립 이외의 지립, 예를 들면 이산화규소, 산화지르코늄, 산화세륨, 산화티타늄, 탄화규소, 수산화알루미늄을 포함하는 지립을 더 함유할 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 산화제나 착화제, 에칭제 등의 연마 속도를 높이는 작용을 갖는 첨가제를 필요에 따라 더 함유할 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 방부제, 방미제, 방청제와 같은 공지된 첨가제를 필요에 따라 더 함유할 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 지립의 분산성을 향상시키는 분산제나 지립의 응집체의 재분산을 용이하게 하는 분산 보조제와 같은 첨가제를 필요에 따라 더 함유할 수도 있다.
·경취 재료를 포함하는 연마 대상물의 연마에 사용한 연마용 조성물은, 회수하여 재이용(순환 사용)할 수도 있다. 보다 구체적으로는, 연마 장치로부터 배출되는 사용 종료된 연마용 조성물을 탱크 내에 일단 회수하고, 탱크 내로부터 다시 연마 장치 내에 공급하도록 할 수도 있다. 이 경우, 사용 종료된 연마용 조성물을 폐액으로서 처리할 필요를 줄이기 위해, 환경 부하의 감소 및 비용의 감소가 가능하다.
연마용 조성물을 순환 사용할 때에는, 연마에 사용됨으로써 소비되거나 손실된 연마용 조성물 중 산화알루미늄 지립 등의 성분 중 적어도 어느 하나의 감소분의 보충을 행하도록 할 수도 있다. 보충하는 성분은 개별적으로 사용 종료된 연마용 조성물에 첨가할 수도 있고, 또는 둘 이상의 성분을 임의의 농도로 포함한 혼합물의 형태로 사용 종료된 연마용 조성물에 첨가할 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 제조될 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 일제형일 수도 있고, 사용시에 혼합되는 복수의 제를 포함하는 이제형을 비롯한 다제형일 수도 있다. 이제형의 연마용 조성물의 경우, 제1제와 제2제를 각각 별도의 경로로부터 연마 장치에 공급하여, 연마 장치 위에서 양자가 혼합하도록 할 수도 있다.
다음으로, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
(실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5)
산화알루미늄졸, 산화규소졸 또는 산화지르코늄졸을 물로 희석하고, 추가로 필요에 따라 pH 조정제를 가함으로써, 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 연마용 조성물을 제조하였다. 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 연마용 조성물 중 지립의 함유량은 모두 20 질량%이다. pH 조정제로는 염산 및 수산화칼륨을 적절히 사용하였다. 그리고, 각 예의 연마용 조성물을 이용하여 표 1에 나타내는 조건으로 사파이어 기판의 표면(C면(<0001>)을 연마하였다. 사용한 사파이어 기판은 모두 직경 52 mm(약 2인치)인 동종의 것이다.
각 연마용 조성물 중 지립의 상세 및 각 연마용 조성물의 pH는 표 2에 나타내는 바와 같다. 또한, 각 연마용 조성물을 이용한 연마의 전후에 사파이어 기판의 중량을 측정하고, 연마 전후의 중량의 차로부터 계산하여 구한 연마 속도를 표 2의 "연마 속도" 란에 나타내었다.
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 5의 연마용 조성물을 이용하여 사파이어 기판을 연마한 경우, 비교예 1 내지 5의 연마용 조성물의 경우에 비하여 높은 연마 속도가 얻어졌다.
(실시예 6 내지 8 및 비교예 6)
산화알루미늄졸을 물로 희석하고, 추가로 필요에 따라 pH 조정제를 가함으로써, 실시예 6 내지 8 및 비교예 6의 연마용 조성물을 제조하였다. 실시예 6 내지 8 및 비교예 6의 연마용 조성물 중 지립의 함유량은 모두 20 질량%이다. pH 조정제로는 염산 및 수산화칼륨을 적절히 사용하였다. 그리고, 각 예의 연마용 조성물을 이용하여 표 3에 나타내는 조건으로 질화갈륨 기판의 표면(Ga면)을 연마하였다. 사용한 질화갈륨 기판은 4변이 10 mm인 동종의 것이다.
각 연마용 조성물 중 지립의 상세 및 각 연마용 조성물의 pH는 표 4에 나타내는 바와 같다. 또한, 각 연마용 조성물을 이용한 연마의 전후에 질화갈륨 기판의 중량을 측정하고, 연마 전후의 중량의 차로부터 계산하여 구한 연마 속도를 표 4의 "연마 속도" 란에 나타내었다.
표 4에 나타낸 바와 같이, 실시예 6 내지 8의 연마용 조성물을 이용하여 질화갈륨 기판을 연마한 경우에는, 비교예 6의 연마용 조성물의 경우에 비하여 높은 연마 속도가 얻어졌다.
[산업상의 이용가능성]
본 발명에 따르면, 사파이어, 질화규소, 탄화규소 등의 경취 재료를 연마할 때에, 표면결함이 적고, 우수한 표면 정밀도를 갖는 기판이나 막 등을 고효율로 얻을 수 있다.
Claims (5)
- 빅커스 경도가 1,500 Hv 이상인 경취 재료를 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물로서, 연마용 조성물은 적어도 산화알루미늄 지립 및 물을 함유하며, 8.5 이상의 pH를 갖고, 상기 산화알루미늄 지립이 20 m2/g 이하의 비표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 산화알루미늄 지립이 0.1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 평균 이차 입경을 갖는 연마용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 경취 재료가 사파이어, 탄화규소 또는 질화갈륨인 연마용 조성물.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 이용하여 경취 재료를 연마하는 연마 방법.
- 제4항에 기재된 연마 방법을 이용하여 기판을 연마하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경취 재료 기판의 제조 방법.
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Families Citing this family (22)
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---|---|---|---|---|
TWI566884B (zh) * | 2012-03-05 | 2017-01-21 | 福吉米股份有限公司 | 硏磨用組成物、及使用該硏磨用組成物之化合物半導體基板之製造方法 |
US9259818B2 (en) * | 2012-11-06 | 2016-02-16 | Sinmat, Inc. | Smooth diamond surfaces and CMP method for forming |
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JP6016301B2 (ja) | 2013-02-13 | 2016-10-26 | 昭和電工株式会社 | 単結晶SiC基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶SiC基板の表面加工用研削プレート |
JP6411759B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-10-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、その使用方法、及び基板の製造方法 |
JP6734018B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2020-08-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨材、研磨用組成物、及び研磨方法 |
CN104835731A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-08-12 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种大尺寸4H、6H-SiC单晶片的快速抛光方法 |
WO2016204248A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 住友化学株式会社 | 研磨砥粒、研磨スラリーおよび硬脆材の研磨方法、ならびに硬脆材の製造方法 |
JP6622991B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2019-12-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US10544332B2 (en) * | 2015-08-19 | 2020-01-28 | Ferro Corporation | Slurry composition and method of use |
CN105273638B (zh) * | 2015-10-14 | 2017-08-29 | 盐城工学院 | 氧化镓晶片抗解理悬浮研磨液及其制备方法 |
US9944829B2 (en) * | 2015-12-03 | 2018-04-17 | Treliant Fang | Halite salts as silicon carbide etchants for enhancing CMP material removal rate for SiC wafer |
JP6788988B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-11-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN106010297B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-07-31 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铝抛光液的制备方法 |
CN108239484B (zh) * | 2016-12-23 | 2020-09-25 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种蓝宝石抛光用氧化铝抛光液及其制备方法 |
JP2017101248A (ja) * | 2017-01-13 | 2017-06-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法 |
JP7084176B2 (ja) | 2018-03-28 | 2022-06-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN109233644B (zh) * | 2018-09-19 | 2021-03-12 | 广州亦盛环保科技有限公司 | 一种精抛光液及其制备方法 |
KR20210091339A (ko) * | 2018-12-10 | 2021-07-21 | 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 루테늄 cmp를 위한 산화제 무함유 슬러리 |
CN109913134B (zh) * | 2019-04-21 | 2021-01-12 | 东莞市硕丰研磨科技有限公司 | 一种清香型蓝宝石粗抛光液及其制备方法 |
CN110003797B (zh) * | 2019-04-21 | 2020-11-10 | 昆明软讯科技有限公司 | 一种蓝宝石粗抛光液及其制备方法 |
CN110922896A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-03-27 | 宁波日晟新材料有限公司 | 一种高效环保碳化硅抛光液及其制备方法和应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000239652A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 硬脆材料用精密研磨組成物及びそれを用いた硬脆材料の精密研磨方法 |
JP2005117027A (ja) | 2003-09-16 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SiC基板の製造方法 |
JP2008044078A (ja) | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板の研磨方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5228886A (en) | 1990-10-09 | 1993-07-20 | Buehler, Ltd. | Mechanochemical polishing abrasive |
CA2039998A1 (en) * | 1990-10-09 | 1992-04-10 | Donald C. Zipperian | Mechanochemical polishing abrasive |
JP2656400B2 (ja) | 1991-06-27 | 1997-09-24 | 日本シリカ工業株式会社 | 硬脆材料用の表面精密研磨剤 |
KR19980019046A (ko) * | 1996-08-29 | 1998-06-05 | 고사이 아키오 | 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same) |
US5989301A (en) * | 1998-02-18 | 1999-11-23 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Optical polishing formulation |
US6432828B2 (en) * | 1998-03-18 | 2002-08-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US6595834B2 (en) * | 1999-06-25 | 2003-07-22 | Corning Incorporated | Method of making <200nm light transmitting optical fluoride crystals for transmitting less than 200nm light |
KR100504359B1 (ko) * | 2000-02-04 | 2005-07-28 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Lsi 디바이스 연마용 조성물 및 lsi 디바이스의제조 방법 |
DE10022649B4 (de) * | 2000-04-28 | 2008-06-19 | Qimonda Ag | Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metalloxiden |
JP3594184B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2004-11-24 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
TWI268286B (en) | 2000-04-28 | 2006-12-11 | Kao Corp | Roll-off reducing agent |
DE10149130A1 (de) | 2001-10-05 | 2003-04-10 | Degussa | Flammenhydrolytisch hergestelltes, mit zweiwertigen Metalloxiden dotiertes Aluminiumoxid und wässerige Dispersion hiervon |
EP1445796B1 (en) | 2001-10-26 | 2008-02-20 | Asahi Glass Company Ltd. | Polishing compound, method for production thereof and polishing method |
KR20030070823A (ko) * | 2002-02-26 | 2003-09-02 | 도레이 가부시끼가이샤 | 자기기록매체용 폴리에스테르 필름, 자기기록테이프 및디지탈 기록장치 |
US6586605B1 (en) * | 2003-01-08 | 2003-07-01 | Arco Chemical Technology, L.P. | Purification of alkylene carbonate |
DE10317066A1 (de) | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Metalloxid- und Metalloidoxid-Dispersionen |
DE10320854A1 (de) * | 2003-05-09 | 2004-12-09 | Degussa Ag | Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren |
PL1660606T3 (pl) * | 2003-07-11 | 2014-02-28 | Grace W R & Co | Cząstki materiału ściernego do chemicznego mechanicznego polerowania |
US7901474B2 (en) | 2004-12-22 | 2011-03-08 | Showa Denko K.K. | Polishing composition and polishing method |
JP4792802B2 (ja) | 2005-04-26 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の表面処理方法 |
KR20070012209A (ko) | 2005-07-21 | 2007-01-25 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 연마 방법 |
GB2433515B (en) * | 2005-12-22 | 2011-05-04 | Kao Corp | Polishing composition for hard disk substrate |
US20080283502A1 (en) * | 2006-05-26 | 2008-11-20 | Kevin Moeggenborg | Compositions, methods and systems for polishing aluminum oxide and aluminum oxynitride substrates |
JP4523935B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2010-08-11 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 |
TW201139061A (en) * | 2007-01-23 | 2011-11-16 | Saint Gobain Abrasives Inc | Coated abrasive products containing aggregates |
JP5156238B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2013-03-06 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
US9120960B2 (en) * | 2007-10-05 | 2015-09-01 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Composite slurries of nano silicon carbide and alumina |
JP5658443B2 (ja) | 2009-05-15 | 2015-01-28 | 山口精研工業株式会社 | 炭化ケイ素基板用研磨剤組成物 |
WO2011136387A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 株式会社バイコウスキージャパン | サファイア研磨用スラリー、及びサファイアの研磨方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000239652A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 硬脆材料用精密研磨組成物及びそれを用いた硬脆材料の精密研磨方法 |
JP2005117027A (ja) | 2003-09-16 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SiC基板の製造方法 |
JP2008044078A (ja) | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板の研磨方法 |
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