JP5156238B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5156238B2 JP5156238B2 JP2007029427A JP2007029427A JP5156238B2 JP 5156238 B2 JP5156238 B2 JP 5156238B2 JP 2007029427 A JP2007029427 A JP 2007029427A JP 2007029427 A JP2007029427 A JP 2007029427A JP 5156238 B2 JP5156238 B2 JP 5156238B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- additional semiconductor
- semiconductor region
- drift
- drift region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
本発明は、電子と正孔の集中を抑制し、半導体装置が破壊されるのを抑制する技術を提供することを目的としている。
上記形態の半導体装置では、第2導電型の第1付加半導体領域がゲート電極に対向しているので、第1付加半導体領域内にもチャネルが形成される。このため、エミッタ領域からボディ領域を経由してドリフト領域に供給されたキャリアは、第1付加半導体領域を横断して移動することができる。エミッタ領域から供給されたキャリアは、ボディ領域と第1付加半導体領域の間のドリフト領域内を移動する第1経路と、第1半付加半導体領域を横断した後にドリフト領域内を移動する第2経路に少なくとも分断される。したがって、エミッタ領域から供給されたキャリアは、複数の経路に分流して移動するので、キャリアの集中が抑制され、半導体装置の破壊が抑制される。
さらに、本明細書で開示される技術では、第1付加半導体領域の不純物濃度が、ボディ領域の不純物濃度よりも薄い。第1付加半導体領域の不純物濃度がボディ領域の不純物濃度よりも薄いと、第1付加半導体領域内に反転層が形成され易くなり、エミッタ領域から供給されたキャリアは、第1付加半導体領域を横断してからドリフト領域に達する第2経路を利用するようになる。したがって、上記の濃度関係が存在していると、エミッタ領域から供給されたキャリアの経路は、第1経路と第2経路の間でより良好に分流するようになる。
上記形態の半導体装置によると、エミッタ領域から供給されたキャリアは、さらに複数の経路に分流して移動するので、キャリアの集中がさらに抑制され、半導体装置の破壊がさらに抑制される。
ボディ領域と第1付加半導体領域の間の距離が短いと、エミッタ領域から供給されたキャリアにとって、ボディ領域と第1付加半導体領域の間の第1経路の抵抗が高くなる。このため、エミッタ領域から供給されたキャリアは、第1付加半導体領域を横断してドリフト領域に達する第2経路を利用するようになる。したがって、上記の距離関係が存在していると、エミッタ領域から供給されたキャリアの経路は、第1経路と第2経路の間でより良好に分流するようになる。
(第1形態) 本明細書で開示される技術は、IGBTに用いられるのが好ましい。
(第2形態) プレーナー型のゲート電極の場合は、プレーナーゲート電極の底面に沿って、ドリフト領域、第2付加半導体領域、ドリフト領域、第1付加半導体領域、ドリフト領域、ボディ領域、エミッタ領域が順に並んでいる。
(第3形態) トレンチ型のゲート電極の場合は、トレンチゲート電極の側面に沿って、ドリフト領域、第2付加半導体領域、ドリフト領域、第1付加半導体領域、ドリフト領域、ボディ領域、エミッタ領域が順に並んでいる。
(第1実施例)
図1(a)に、バイポーラで動作する縦型のIGBT10の要部断面図を模式的に示す。図1(b)に、IGBT10の要部平面図を模式的に示す。なお、図1(b)の要部平面図は、半導体基板の表面に形成されている電極等を取り除いた状態を図示している。図1に示す構造は、IGBT10の基本構造であり、実際は図1に示す基本構造が左右方向に繰返し形成されている。
IGBT10は、裏面から順にp+型のコレクタ領域22と、n+型のバッファ領域24と、n-型のドリフト領域26を備えている。コレクタ領域22は、図示しないコレクタ電極に電気的に接続されている。コレクタ領域22は、必要に応じて分散して形成してもよい。バッファ領域24も、必要に応じて分散して形成してもよく、あるいは完全に除去してもよい。
図1(b)に示すように、第1付加半導体領域36と第2付加半導体領域38は、ストライプ状に配置されている。第1付加半導体領域36と第2付加半導体領域38は、対向するボディ領域32を結ぶ方向(紙面左右方向)に直交する方向(紙面上下方向)に伸びている。また、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38は、ボディ領域32と接している。即ち、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38は、ボディ領域32に電気的に接続されており、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38の電位はボディ領域32の電位に固定されている。
コレクタ電極に正の電圧が印加され、エミッタ電極が接地され、ゲート電極44に正の電圧が印加されると、ゲート電極44に対向するボディ領域32に反転層が形成される。電子は、この反転層を経由してエミッタ領域34からドリフト領域26に供給される。IGBT10では、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38がゲート電極44に対向しているので、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38内にもチャネルが形成される。このため、エミッタ領域34から供給された電子は、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38を横断して移動することができる。図1(a)に示すように、エミッタ領域34から供給された電子は、ボディ領域32と第1付加半導体領域36の間のドリフト領域26内を移動する第1経路と、第1付加半導体領域36を横断した後に第1付加半導体領域36と第2付加半導体領域38の間のドリフト領域26内を移動する第2経路と、第2付加半導体領域38を横断した後にドリフト領域26内を移動する第3経路に分断される。したがって、エミッタ領域34から供給された電子は、複数の経路に分流して移動するので、電子の集中が抑制される。さらに、裏面のコレクタ領域22から供給された正孔も、電子の集中が抑制されているので、電子に引き寄せられることによる集中が抑制される。この結果、電子と正孔の集中を抑制することができ、IGBT10が破壊されるのを抑制することができる。
(1)IGBT10では、ボディ領域32と第1付加半導体領域36の間の距離D1が、第1付加半導体領域36と第2付加半導体領域38の間の距離D2よりも短く形成されている。ボディ領域32と第1付加半導体領域36の間の距離D1の具体的な数値は、IGBT10の形態によって様々な値である。距離D1は、ドリフト領域26の不純物濃度、第1付加半導体領域36の不純物濃度及び横方向の幅等によって決定される。少なくとも距離D1が距離D2よりも短いと、ボディ領域32と第1付加半導体領域36の間の第1経路の電子に対する抵抗が、第1付加半導体領域36と第2付加半導体領域38の間の第2経路の電子に対する抵抗よりも高くなる。このため、エミッタ領域34から供給された電子は、第1付加半導体領域36を横断して第2経路を利用するようになる。したがって、上記の距離関係が存在していると、電子の経路は、第1経路と第2経路の間で良好に分流するようになる。なお、この技術は、下記の他の変形例及び実施例においても有用である。
(2)IGBT10では、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38の不純物濃度が、ボディ領域32の不純物濃度よりも薄く形成されている。第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38の不純物濃度がボディ領域32の不純物濃度よりも薄いと、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38内に反転層が形成され易くなる。このため、エミッタ領域34から供給された電子は、第1付加半導体領域36を横断して第2経路、さらには第2付加半導体領域38を横断して第3経路を利用するようになる。したがって、上記の濃度関係が存在していると、電子の経路は、第1経路と第2経路と第3経路の間で良好に分流するようになる。なお、この技術は、下記の他の変形例及び実施例においても有用である。
(3)また、図2に、IGBT10の変形例の要部平面図を示す。図2に示すように、この変形例では、付加半導体領域30が、ボディ領域32から電気的に絶縁され、フローティング状態である。即ち、第1付加半導体領域36及び第2付加半導体領域38がフローティング状態である。この場合も同様に、上記した作用効果を得ることができる。
(4)また、図3に、IGBT10の他の変形例の要部平面図を示す。図3に示すように、この変形例は、エミッタ領域134、ボディ領域132、第1経路用のドリフト領域126、第1付加半導体領域136、第2経路用のドリフト領域126、第2付加半導体領域138、第3経路用のドリフト領域126が同心円状に配置されている例である。この場合も同様に、上記した作用効果を得ることができる。
図4に、バイポーラで動作する縦型のIGBT11の要部断面図を模式的に示す。
IGBT11は、裏面から順にp+型のコレクタ領域222と、n+型のバッファ領域224と、n-型のドリフト領域226を備えている。コレクタ領域222は、図示しないコレクタ電極に電気的に接続されている。コレクタ領域222は、必要に応じて分散して形成してもよい。バッファ領域224は、必要に応じて分散して形成してもよく、あるいは完全に除去してもよい。
コレクタ電極に正の電圧が印加され、エミッタ電極が接地され、ゲート電極244に正の電圧が印加されると、ゲート電極244に対向するボディ領域232に反転層が形成される。電子は、この反転層を経由してエミッタ領域234からドリフト領域226に供給される。IGBT11では、第1付加半導体領域236及び第2付加半導体領域238がゲート電極244に対向しているので、第1付加半導体領域236及び第2付加半導体領域238内にもチャネルが形成される。このため、エミッタ領域234から供給された電子は、第1付加半導体領域236及び第2付加半導体領域238を横断して移動することができる。図4に示すように、エミッタ領域234から供給された電子は、ボディ領域232と第1付加半導体領域236の間のドリフト領域226内を移動する第1経路と、第1付加半導体領域236を横断した後に第1付加半導体領域236と第2付加半導体領域238の間のドリフト領域226内を移動する第2経路と、第2付加半導体領域238を横断した後にドリフト領域226内を移動する第3経路に分断される。したがって、エミッタ領域234から供給された電子は、複数の経路に分流して移動するので、電子の集中が抑制される。さらに、裏面のコレクタ領域222から供給された正孔も、電子の集中が抑制されているので、電子に引き寄せられることによる集中が抑制される。この結果、電子と正孔の集中を抑制することができ、IGBT11が破壊されるのを抑制することができる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
24、224:バッファ領域
26、126、226:ドリフト領域
30、130、230:付加半導体領域
32、132、232:ボディ領域
34、134、234:エミッタ領域
36、136、236:第1付加半導体領域
38、138、238:第2付加半導体領域
42、242:ゲート絶縁膜
44、244:ゲート電極
Claims (4)
- バイポーラで動作する半導体装置であって、
第1導電型の不純物を含むドリフト領域と、
ドリフト領域に接するとともに第2導電型の不純物を含むボディ領域と、
ボディ領域によってドリフト領域から隔てられているとともに第1導電型の不純物を含むエミッタ領域と、
ドリフト領域とボディ領域とエミッタ領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極と、
第1付加半導体領域を備えており、
第1付加半導体領域は、第2導電型の不純物を含んでおり、ゲート絶縁膜に接するとともにドリフト領域によってボディ領域から隔てられているドリフト領域内に配置されており、
ゲート絶縁膜に沿って、ドリフト領域、第1付加半導体領域、ドリフト領域、ボディ領域、エミッタ領域が順に並んでおり、
第1付加半導体領域の不純物濃度が、ボディ領域の不純物濃度よりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 第2付加半導体領域をさらに備えており、
第2付加半導体領域は、第2導電型の不純物を含んでおり、ゲート絶縁膜に接するとともにドリフト領域によって第1付加半導体領域から隔てられているドリフト領域内に配置されており、
ゲート絶縁膜に沿って、ドリフト領域、第2付加半導体領域、ドリフト領域、第1付加半導体領域、ドリフト領域、ボディ領域、エミッタ領域が順に並んでいることを特徴とする請求項1の半導体装置。 - ボディ領域と第1付加半導体領域の間の距離が、第1付加半導体領域と第2付加半導体領域の間の距離よりも短いことを特徴とする請求項2の半導体装置。
- 前記付加半導体領域が、ボディ領域に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかの半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007029427A JP5156238B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007029427A JP5156238B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008198652A JP2008198652A (ja) | 2008-08-28 |
JP5156238B2 true JP5156238B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=39757357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007029427A Active JP5156238B2 (ja) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5156238B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2591152C2 (ru) * | 2011-02-21 | 2016-07-10 | Фудзими Инкорпорейтед | Полирующая композиция |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6771433B2 (ja) * | 2017-07-03 | 2020-10-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02202063A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Nippon Soken Inc | 半導体装置 |
JP4031209B2 (ja) * | 2000-03-14 | 2008-01-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2004103980A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2007
- 2007-02-08 JP JP2007029427A patent/JP5156238B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2591152C2 (ru) * | 2011-02-21 | 2016-07-10 | Фудзими Инкорпорейтед | Полирующая композиция |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008198652A (ja) | 2008-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6197773B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4623956B2 (ja) | Igbt | |
US7423316B2 (en) | Semiconductor devices | |
JP4066946B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6281548B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6003961B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN106463542B (zh) | 半导体装置 | |
JP6142813B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007266133A (ja) | 半導体装置 | |
JP6192686B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7067041B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4731848B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008141056A (ja) | 半導体装置 | |
WO2014125584A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008258262A (ja) | Igbt | |
JP5156238B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6299658B2 (ja) | 絶縁ゲート型スイッチング素子 | |
US8853775B2 (en) | Insulated gate bipolar transistor having control electrode disposed in trench | |
JP7147510B2 (ja) | スイッチング素子 | |
JP2019160877A (ja) | 半導体装置 | |
JP6950714B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2024095578A1 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
WO2022190444A1 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2008283091A (ja) | Igbt | |
JP6269588B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121210 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5156238 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |