JP7084176B2 - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP7084176B2
JP7084176B2 JP2018061561A JP2018061561A JP7084176B2 JP 7084176 B2 JP7084176 B2 JP 7084176B2 JP 2018061561 A JP2018061561 A JP 2018061561A JP 2018061561 A JP2018061561 A JP 2018061561A JP 7084176 B2 JP7084176 B2 JP 7084176B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
alumina
polished
polishing composition
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018061561A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019172784A (ja
Inventor
宏樹 今
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2018061561A priority Critical patent/JP7084176B2/ja
Application filed by Fujimi Inc filed Critical Fujimi Inc
Priority to KR1020207023406A priority patent/KR20200128390A/ko
Priority to CN202211428731.7A priority patent/CN115678438A/zh
Priority to CN201980019008.3A priority patent/CN111868201B/zh
Priority to EP19775427.8A priority patent/EP3778823A4/en
Priority to US17/040,281 priority patent/US20210017423A1/en
Priority to PCT/JP2019/010632 priority patent/WO2019188359A1/ja
Priority to TW108109278A priority patent/TW201942320A/zh
Publication of JP2019172784A publication Critical patent/JP2019172784A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7084176B2 publication Critical patent/JP7084176B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F7/00Compounds of aluminium
    • C01F7/02Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、研磨用組成物に関する。
光学デバイス用基板材料やパワーデバイス用基板材料として、酸化アルミニウム(たとえばサファイア)、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ガリウム、炭化ケイ素などの硬脆材料が知られている。これら硬脆材料から形成される基板または膜は、一般に、酸化や錯化、エッチングといった化学的作用に対して安定であるため、研磨による加工が容易ではない。そのため、硬質材料を用いた研削や切削による加工が一般的であるが、研磨速度が低くなってしまうという問題がある。
かような問題に対して、特許文献1は、ビッカース硬度が1,500Hv以上の硬脆材料を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、少なくとも酸化アルミニウム砥粒及び水を含有し、かつ、8.5以上のpHを有し、前記酸化アルミニウム砥粒が20m/g以下の比表面積を有することを特徴とする研磨用組成物を開示している。特許文献1では、このような構成を有する研磨用組成物を用いることにより、硬脆材料を含む研磨対象物を高い研磨速度で研磨できるとしている。
また、特許文献2および特許文献3は、磁気ディスク基板を研磨対象物として、α化率の異なるα-アルミナを混合して用いた研磨液組成物を開示している。これら技術によれば、高い研磨速度が得られ、研磨対象物表面の欠陥が低減されるとしている。
国際公開第2012/115020号 特開2015-120816号公報 特開2011-121151号公報
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、研磨速度は高くなるものの、研磨対象物表面の面質の向上という点で改良の余地があった。また、特許文献2や特許文献3に記載の技術は、硬脆材料を含む研磨対象物に適しておらず、研磨速度や研磨対象物表面の面質の向上という点で改良の余地があった。
そこで本発明は、研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができ、かつ該研磨対象物表面の面質をより向上させることができる手段を提供することを目的とする。
上記課題を解決すべく、本発明者は鋭意研究を積み重ねた。その結果、結晶性アルミナとしてα化率が80%以上のα-アルミナAおよびα化率が80%未満のα-アルミナBのみを含み、かつ前記α-アルミナAの平均粒子径が前記α-アルミナBの平均粒子径よりも小さいアルミナ砥粒を含む研磨用組成物により、上記課題が解決されうることを見出した。そして、上記知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、アルミナ砥粒と、分散媒と、を含み、前記アルミナ砥粒は、結晶性アルミナとしてα化率が80%以上のα-アルミナAおよびα化率が80%未満のα-アルミナBのみを含み、前記α-アルミナAの平均粒子径が前記α-アルミナBの平均粒子径よりも小さい、研磨用組成物である。
本発明によれば、研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができ、かつ該研磨対象物表面の面質をより向上させることができる手段が提供される。
本発明は、研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、アルミナ砥粒と、分散媒と、を含み、前記アルミナ砥粒は、結晶性アルミナとしてα化率が80%以上のα-アルミナAおよびα化率が80%未満のα-アルミナBのみを含み、前記α-アルミナAの平均粒子径が前記α-アルミナBの平均粒子径よりも小さい、研磨用組成物である。かような構成を有する本発明の研磨用組成物を用いることにより、研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができ、かつ該研磨対象物表面の面質をより向上させることができる。
本発明の研磨用組成物により、なぜ上記効果が得られるのか、詳細は不明であるが、以下のように推測される。
α化率が適度に低いα-アルミナは、硬度が低い非晶質アルミナのような成分も含んでいるため、研磨対象物への引っかかり等が起こりやすくなり、研磨速度を向上させる効果をもたらすが、打痕やスクラッチなどが発生しやすく、研磨対象物表面の面質を低下させてしまう傾向がある。一方、粒子径が同程度でα化率が高いα-アルミナは、研磨対象物への引っかかり等が起こりにくく、α化率の低いα-アルミナに比べ打痕やスクラッチが少なくなり研磨対象物表面の面質を良好にするが、研磨速度向上の効果は得られにくいという傾向がある。
これに対し、本発明の研磨用組成物は、小径のα化率が80%以上であるα-アルミナAと、α-アルミナAよりも大径であるα化率が80%未満であるα-アルミナBとを併用する。このような併用により、α-アルミナBによる研磨の際に、小径で硬度が高いα-アルミナAが存在することとなり、α-アルミナAが、α-アルミナBと研磨対象物との接触における緩衝材のような役割を果たすと考えられる。よって、α化率が低いα-アルミナBの研磨対象物への引っかかりを低減し、研磨速度を高く維持しながら、打痕やスクラッチなどを低減し、研磨対象物表面の面質を向上させる効果が得られると考えられる。また、仮にスクラッチなどが発生しても、硬度の高いα-アルミナAが研磨対象物表面をさらに研磨することで、スクラッチをさらに低減させると考えられる。
なお、上記メカニズムは推測によるものであり、本発明は上記メカニズムに何ら制限されるものではない。
[研磨対象物]
研磨対象物の例としては、金属、半導体、ガラス、セラミックス等が挙げられ、特に制限されない。
本発明の好ましい一実施形態によれば、研磨対象物は硬脆材料を含む。硬脆材料の例としては、たとえば、ガラス、セラミックス、石材、各種半導体材料が挙げられる。より具体的には、ダイヤモンド、サファイア(酸化アルミニウム)、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化ジルコニウム、炭化タングステン、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化ガリウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。
本発明の他の好ましい一実施形態によれば、研磨対象物はビッカース硬度が1500Hv以上である硬脆材料を含む。このようなビッカース硬度が1500Hv以上である硬脆材料の例としては、たとえば、サファイア、炭化ケイ素、窒化ガリウム等が挙げられる。
上記硬脆材料は、単独でもまたは2種以上組み合わせても用いてもよい。
これらの中でも、研磨対象物は、サファイア、炭化ケイ素、および窒化ガリウムからなる群より選択される少なくとも1種の硬脆材料を含むことが好ましく、炭化ケイ素および窒化ガリウムからなる群より選択される少なくとも1種の硬脆材料を含むことがより好ましく、炭化ケイ素を含むことがさらに好ましい。炭化ケイ素は、電力損失が少なく耐熱性等に優れる半導体基板材料として期待されており、その表面性状を改善することの実用上の利点は特に大きい。
次に、本発明の研磨用組成物の構成について、詳細に説明する。
[アルミナ砥粒]
本発明の研磨用組成物は、アルミナ砥粒を含む。
該アルミナ砥粒は、結晶性アルミナとしてα化率が80%以上のα-アルミナAおよびα化率が80%未満のα-アルミナBのみを含む。結晶性アルミナ粒子としては、α-アルミナ以外に、γ-アルミナ、δ-アルミナ、θ-アルミナ、η-アルミナ、κ-アルミナ、χ-アルミナ等の中間アルミナと呼ばれるアルミナ粒子が知られている。しかしながら、本発明に係るアルミナ砥粒は、結晶性アルミナとして、α化率が80%以上であるα-アルミナAおよびα化率が80%未満であるα-アルミナBのみを含み、中間アルミナは含まない。本発明で用いられるアルミナ砥粒が、中間アルミナを含まないことは、アルミナ砥粒をX線回折測定して得られる回折ピーク中に、中間アルミナ由来のピークが検出されないことによって確認することができる。
なお、本発明の効果を損なわない限りにおいて、該アルミナ砥粒は非晶質アルミナを含んでもよい。
α-アルミナAのα化率は80%以上であり、研磨速度および面質の向上の観点から、好ましくは82%以上、より好ましくは85%以上である。α-アルミナAのα化率の上限値は、100%以下であることが好ましく、95%以下であることがより好ましい。なお、α化率が上記の範囲内であれば、α-アルミナAは複数種使用してもよい。
また、α-アルミナBのα化率は80%未満であり、研磨速度および面質の向上の観点から、好ましくは79%以下、より好ましくは78%以下である。また、α-アルミナBのα化率の下限値は、60%以上であることが好ましく、70%以上であることがより好ましい。なお、α化率が上記の範囲内であれば、α-アルミナBは複数種使用してもよい。
本明細書において、該α化率は、X線回折スペクトルにおけるα-アルミナ特有の回折線ピーク(2θ=57.5°)の積分強度から求めた値を採用する。より具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。
本発明において、α-アルミナAの平均粒子径は、α-アルミナBの平均粒子径よりも小さい。α-アルミナAの平均粒子径がα-アルミナBの平均粒子径と等しいか大きい場合、研磨速度向上の傾向は見られるが、α-アルミナAに由来する打痕やスクラッチが増加する傾向となる。好ましい一実施形態において、α-アルミナAの平均粒子径は、α-アルミナBの平均粒子径の0.9倍より小さいことが好ましく、0.8倍より小さいことがより好ましく、0.75倍以下であることがさらに好ましい。
本発明の他の好ましい一実施形態において、α-アルミナAの平均粒子径は、0.4μm未満であることが好ましく、0.35μm以下であることがより好ましく、0.32μm以下であることがさらに好ましい。また、α-アルミナAの平均粒子径の下限値は、0.1μm以上であることが好ましく、0.2μm以上であることがより好ましい。
本発明の好ましい実施形態において、α-アルミナBの平均粒子径は、0.4μm以上であることが好ましく、0.41μm以上であることがより好ましく、0.43μm以上であることがさらに好ましい。また、α-アルミナBの平均粒子径の上限値は、5μm以下であることが好ましく、2.5μm以下であることがより好ましい。
本明細書において、α-アルミナAおよびα-アルミナBの平均粒子径は、レーザー回析散乱法により測定される体積基準のメジアン径(D50)を採用するものとする。より具体的には、株式会社堀場製作所製のレーザー回析/散乱式粒度分布測定装置(商品名「LA-950」)を用いて測定することができる。
本発明の好ましい一実施形態において、α-アルミナAおよびα-アルミナBの少なくとも一方の結晶子サイズが、42nm超であることが好ましく、45nm以上であることがより好ましい。本発明の他の好ましい一実施形態において、α-アルミナAの結晶子サイズは40nm以下であることが好ましく、38nm以下であることがより好ましく、35nm以下であることがさらに好ましい。本発明の他の好ましい一実施形態において、α-アルミナBの結晶子サイズは45nm以上であることが好ましく、50nm以上であることがより好ましく、60nm以上であることがさらに好ましい。
なお、α-アルミナの結晶子とは、α-アルミナの二次粒子を構成する単結晶のことをいう。結晶子サイズは、X線回折スペクトルから得られたデータを基にシェラーの式により算出することができ、より具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨用組成物におけるアルミナ砥粒の含有量(すなわちα-アルミナAとα-アルミナBとの合計含有量)は、特に制限されないが、加工時間短縮の観点から、0.1質量%以上であることが好ましく、0.5質量%以上であることがより好ましく、1質量%以上であることがさらに好ましく、3質量%以上であることが特に好ましい。研磨の安定性およびコスト低減等の観点から、上記アルミナ砥粒の含有量は、20質量%以下が適当であり、好ましくは15質量%以下、より好ましくは12質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。ここに開示される技術は、たとえば研磨用組成物におけるアルミナ砥粒の含有量が0.1質量%以上20質量%以下(好ましくは3質量%以上10質量%以下)である態様で好ましく実施され得る。
α-アルミナAとα-アルミナBとの含有質量比(α-アルミナA/α-アルミナB)は、特に制限されないが、5/95以上95/5以下であることが好ましい。本発明の好ましい一実施形態において、より高い研磨速度を得るという観点から、α-アルミナAとα-アルミナBとの含有質量比(α-アルミナA/α-アルミナB)は、7/93以上30/70以下であることがより好ましく、10/90以上20/80以下であることがさらに好ましい。本発明の他の好ましい一実施形態において、研磨対象物の面質をより優れたものとするという観点から、α-アルミナAとα-アルミナBとの含有質量比(α-アルミナA/α-アルミナB)は、70/30以上93/7以下であることがより好ましく、80/20以上90/10以下であることがさらに好ましい。
α-アルミナAおよびα-アルミナBは、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。α-アルミナAおよびα-アルミナBの製造方法(合成方法)は、特に制限されず、一般的なα-アルミナの製造方法を適宜参照して製造することができる。α-アルミナAおよびα-アルミナBのα化率は、たとえば製造時の焼成温度、焼成時間等で制御することができる。一般的に、焼成温度が高いほど、また焼成時間が長いほど、α化率は高くなる。さらに、α-アルミナAおよびα-アルミナBの平均粒子径は、たとえば原粉を粉砕する際の条件等により制御することができる。
<アルミナ砥粒以外の砥粒>
本発明の研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記アルミナ砥粒以外の材料からなる砥粒(以下、非アルミナ砥粒ともいう)を含有してもよい。かような非アルミナ砥粒の例として、シリカ粒子(酸化ケイ素粒子)、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化鉄粒子等の酸化物粒子;窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子;炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子;ダイヤモンド粒子;炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩等のいずれかから実質的に構成される砥粒が挙げられる。
本発明の好ましい実施形態において、上記非アルミナ砥粒の含有割合は、研磨用組成物に含まれる砥粒の全質量のうち、20質量%以下であることが好ましく、10質量%以下がより好ましく、5質量%以下であることがさらに好ましく、0質量%、すなわち非アルミナ砥粒を含まないことが特に好ましい。
本発明の好ましい実施形態において、アルミナ砥粒の含有割合は、研磨用組成物に含まれる砥粒の全質量のうち80質量%以上であることが好ましく、90質量%以上であることがより好ましく、95質量%以上であることがさらに好ましく、100質量%であることが特に好ましい。
[分散媒]
本発明の研磨用組成物に用いられる分散媒は、アルミナ砥粒を分散させることができるものであればよく、特に制限されない。分散媒としては、水を好ましく用いることができる。他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換水(脱イオン水)、純水、超純水、蒸留水等を用いることがより好ましい。該分散媒は、必要に応じて、水と均一に混合し得る低級アルコール、低級ケトン等の有機溶媒をさらに含有してもよい。通常は、研磨用組成物に含まれる分散媒の90体積%以上が水であることが好ましく、95体積%以上(典型的には99体積%以上)が水であることがより好ましい。
[pH]
本発明の好ましい一実施形態によれば、研磨用組成物のpHの下限は、1以上であることが好ましく、3以上であることがより好ましく、5以上であることがさらに好ましく、7以上であることが特に好ましい。
また、本発明の好ましい一実施形態によれば、研磨用組成物のpHの上限は、12以下であることが好ましく、11以下であることがより好ましく、10以下であることがさらに好ましい。
本発明の他の好ましい一実施形態によれば、研磨用組成物のpHは7以上であることが好ましく、8以上であることがより好ましく、8.5以上であることがさらに好ましく、また12以下であることが好ましく、11以下であることがより好ましく、10以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、本発明の効果がよりよく発揮されうる。
所望のpHに調整するために、pH調整剤を用いてもよい。pH調整剤としては、公知の酸、塩基、またはそれらの塩を使用することができる。pH調整剤は単独でもまたは2種以上混合しても用いることができる。また、pH調整剤の添加量も、特に制限されず、研磨用組成物が所望のpHとなるように適宜調整すればよい。
なお、該pHは、実施例に記載の方法により測定した値を採用する。
[酸化剤]
本発明の研磨用組成物は、酸化剤を含むことが好ましい。酸化剤は、ポリシングによる効果を増進する成分であり、典型的には水溶性のものが用いられる。酸化剤は、特に限定的に解釈されるものではないが、ポリシングにおいて研磨対象物表面を酸化変質させる作用を示し、研磨対象物表面の脆弱化をもたらすことで、砥粒による研磨に寄与していると考えられる。
酸化剤の例としては、過酸化水素等の過酸化物;硝酸、その塩である硝酸鉄、硝酸銀、硝酸アルミニム、その錯体である硝酸セリウムアンモニウム等の硝酸化合物;ペルオキソ一硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸等の過硫酸、その塩である過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸化合物;塩素酸やその塩、過塩素酸、その塩である過塩素酸カリウム等の塩素化合物;臭素酸、その塩である臭素酸カリウム等の臭素化合物;ヨウ素酸、その塩であるヨウ素酸アンモニウム、過ヨウ素酸、その塩である過ヨウ素酸ナトリウム、過ヨウ素酸カリウム等のヨウ素化合物;鉄酸、その塩である鉄酸カリウム等の鉄酸類;過マンガン酸、その塩である過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸類;クロム酸、その塩であるクロム酸カリウム、ニクロム酸カリウム等のクロム酸類;バナジン酸、その塩であるバナジン酸アンモニウム、バナジン酸ナトリウム、バナジン酸カリウム等のバナジン酸類;過ルテニウム酸またはその塩等のルテニウム酸類;モリブデン酸、その塩であるモリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸二ナトリウム等のモリブデン酸類;過レニウムまたはその塩等のレニウム酸類;タングステン酸、その塩であるタングステン酸二ナトリウム等のタングステン酸類;が挙げられる。
これら酸化剤は、単独でもまたは2種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。なかでも、研磨効率等の観点から、過マンガン酸またはその塩、過酸化物、バナジン酸またはその塩、過ヨウ素酸またはその塩が好ましく、過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウムがより好ましい。
好ましい一実施形態においては、研磨用組成物は、酸化剤として複合金属酸化物を含む。上記複合金属酸化物としては、硝酸金属塩、鉄酸類、過マンガン酸類、クロム酸類、バナジン酸類、ルテニウム酸類、モリブデン酸類、レニウム酸類、タングステン酸類が挙げられる。なかでも、鉄酸類、過マンガン酸類、クロム酸類がより好ましく、過マンガン酸類がさらに好ましい。
さらに好ましい一実施形態においては、上記複合金属酸化物として、1価または2価の金属元素(ただし、遷移金属元素を除く)と、周期表の第4周期遷移金属元素と、を有する複合金属酸化物CMOが用いられる。上記1価または2価の金属元素(ただし、遷移金属元素を除く。)の好適例としては、Na、K、Mg、Caが挙げられる。なかでも、Na、Kがより好ましい。周期表の第4周期遷移金属元素の好適例としては、Fe、Mn、Cr、V、Tiが挙げられる。なかでも、Fe、Mn、Crがより好ましく、Mnがさらに好ましい。
本発明の研磨用組成物が、酸化剤として複合金属酸化物(好ましくは複合金属酸化物CMO)を含む場合、複合金属酸化物以外の酸化剤をさらに含んでもよいし、含まなくてもよい。ここに開示される技術は、酸化剤として複合金属酸化物(好ましくは複合金属酸化物CMO)以外の酸化剤(例えば過酸化水素)を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。
研磨用組成物における酸化剤の含有量(濃度)は、0.1質量%以上が好ましい。研磨速度と面質とを高度にかつ効率的に両立するという観点から、酸化剤の含有量は0.3質量%以上がより好ましく、0.5質量%以上がさらに好ましく、0.8質量%以上特に好ましい。また、平滑性向上の観点から、上記酸化剤の含有量は、10質量%以下が好ましく、8質量%以下がより好ましく、6質量%以下がさらに好ましく、5質量%以下がよりさらに好ましく、3質量%以下が特に好ましい。
[他の成分]
本発明の研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、キレート剤、増粘剤、分散剤、表面保護剤、濡れ剤、界面活性剤、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、防錆剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物(典型的には高硬度材料研磨用組成物、たとえば炭化ケイ素基板ポリシング用組成物)に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。上記添加剤の含有量は、その添加目的に応じて適宜設定すればよい。
[研磨用組成物の製造方法]
研磨用組成物の製造方法は特に制限されないが、α化率が80%以上であるα-アルミナAとα化率が80%未満であるα-アルミナBとを、および必要に応じて含まれる他の成分を分散媒中で混合することを含むことが好ましい。すなわち、本発明は、α化率が80%以上であるα-アルミナAとα化率が80%未満であるα-アルミナBとを、分散媒中で混合することを含み、前記α-アルミナAの平均粒子径が前記α-アルミナBの平均粒子径よりも小さい、研磨用組成物の製造方法を提供する。
α-アルミナA、α-アルミナB、および必要に応じて含まれる他の成分の混合方法は特に制限されるものではなく、たとえば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の公知の混合装置を用いて混合するとよい。これらの成分を混合する態様は特に限定されず、たとえば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。
各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、10℃以上40℃以下が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。混合時間も特に制限されない。
本発明の研磨用組成物は、一液型であってもよいし、二液型を始めとする多液型であってもよい。たとえば、研磨用組成物の構成成分(典型的には、分散媒以外の成分)のうち一部の成分を含むA液と、残りの成分を含むB液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。
<濃縮液>
上記研磨用組成物は、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態(すなわち、研磨液の濃縮液の形態)であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、たとえば、体積換算で2倍~5倍程度とすることができる。
このような濃縮液の形態にある研磨用組成物は、所望のタイミングで希釈して研磨液を調製し、その研磨液を研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、典型的には、上記濃縮液に前述の分散媒を加えて混合することにより行うことができる。また、上記分散媒が混合物である場合、該分散媒の構成成分のうち一部の成分のみを加えて希釈してもよく、それらの構成成分を上記分散媒とは異なる量比で含む混合分散媒を加えて希釈してもよい。また、後述するように多剤型の研磨用組成物においては、それらのうち一部の剤を希釈した後に他の剤と混合して研磨液を調製してもよく、複数の剤を混合した後にその混合物を希釈して研磨液を調製してもよい。
上記濃縮液における砥粒の含有量は、40質量%以下が好ましい。研磨用組成物の安定性(たとえば、砥粒の分散安定性)や濾過性等の観点から、30質量%以下がより好ましく、20質量%以下がさらに好ましく、15質量%以下が特に好ましい。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、濃縮液における砥粒の含有量は、0.2質量%以上が好ましく、1質量%以上がより好ましく、5質量%以上がさらに好ましく、10質量%以上が特に好ましい。
[研磨方法]
本発明の研磨用組成物は、たとえば以下の操作を含む態様で、研磨対象物の研磨に使用することができる。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液(スラリー)を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に、濃度調整(たとえば希釈)、pH調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、上記研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。また、多液型の研磨用組成物の場合、上記研磨液を用意することには、それらの剤を混合すること、該混合の前に1または複数の剤を希釈すること、該混合の後にその混合物を希釈すること、等が含まれ得る。
次いで、その研磨液を研磨対象物表面に供給し、常法により研磨する。たとえば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて該研磨対象物の表面(研磨対象面)に上記研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動(例えば回転移動)させる。かかるポリシング工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。
本発明の一実施形態によれば、硬脆材料を含む研磨対象物を研磨する研磨方法および該研磨方法を用いた研磨済研磨対象物の製造方法が提供される。上記研磨方法は、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する工程を含むことによって特徴づけられる。好ましい一実施形態に係る研磨方法は、予備ポリシングを行う工程(予備ポリシング工程)と、仕上げポリシングを行う工程(仕上げポリシング工程)と、を含む。ここでいう予備ポリシング工程とは、研磨対象物に対して、予備ポリシングを行う工程である。典型的な一態様では、予備ポリシング工程は、仕上げポリシング工程の直前に配置されるポリシング工程である。予備ポリシング工程は、1段のポリシング工程であってもよく、2段以上の複数段のポリシング工程であってもよい。また、ここでいう仕上げポリシング工程は、予備ポリシングが行われた研磨対象物に対して仕上げポリシングを行う工程であって、砥粒を含むポリシング用スラリーを用いて行われるポリシング工程のうち最後に(すなわち、最も下流側に)配置される研磨工程のことをいう。このように予備ポリシング工程と仕上げポリシング工程とを含む研磨方法において、ここに開示される研磨用組成物は、予備ポリシング工程で用いられてもよく、仕上げポリシング工程で用いられてもよく、予備ポリシング工程および仕上げポリシング工程の両方で用いられてもよい。
好ましい一実施形態において、上記研磨用組成物を用いるポリシング工程は、予備ポリシング工程であり得る。ここに開示される研磨用組成物は、高い研磨速度を実現し得ることから、研磨対象物表面の予備ポリシング工程に用いられる研磨用組成物(予備ポリシング用組成物)として好適である。予備ポリシング工程が2段以上の複数段のポリシング工程を含む場合、それらのうち2段以上のポリシング工程を、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を用いて実施することも可能である。ここに開示される研磨用組成物は、前段(上流側)の予備ポリシングに好ましく適用することができる。たとえば、後述するラッピング工程を経た最初の予備ポリシング工程(典型的には1次研磨工程)においても好ましく使用され得る。
他の好ましい一実施形態において、上記研磨用組成物を用いるポリシング工程は、仕上げポリシング工程である。ここに開示される研磨用組成物は、研磨後の表面においてスクラッチ数を効果的に低減し得ることから、研磨対象物表面の仕上げポリシング工程に用いられる研磨用組成物(仕上げポリシング用組成物)として特に好ましく使用され得る。
予備ポリシング工程および仕上げポリシング工程は、片面研磨装置による研磨、両面研磨装置による研磨のいずれにも適用可能である。片面研磨装置では、セラミックプレートにワックスで研磨対象物を貼りつけ、キャリアと呼ばれる保持具を用いて研磨対象物を保持し、ポリシング用組成物を供給しながら研磨対象物の片面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動(例えば回転移動)させることにより研磨対象物の片面を研磨する。両面研磨装置では、キャリアと呼ばれる保持具を用いて研磨対象物を保持し、上方よりポリシング用組成物を供給しながら、研磨対象物の対向面に研磨パッドを押しつけ、それらを相対方向に回転させることにより研磨対象物の両面を同時に研磨する。
各ポリシング工程で使用される研磨パッドは、特に限定されない。たとえば、不織布タイプ、スウェードタイプ、硬質発泡ポリウレタンタイプ、砥粒を含むもの、砥粒を含まないもの等のいずれを用いてもよい。
上記研磨方法により研磨された研磨済研磨対象物は、典型的にはポリシング後に洗浄される。この洗浄は、適当な洗浄液を用いて行うことができる。使用する洗浄液は特に限定されず、公知、慣用のものを適宜選択して用いることができる。
なお、研磨方法は、上記予備ポリシング工程および仕上げポリシング工程に加えて任意の他の工程を含み得る。そのような工程としては、予備ポリシング工程の前に行われるラッピング工程が挙げられる。上記ラッピング工程は、研磨定盤(たとえば鋳鉄定盤)の表面を研磨対象物に押し当てることにより研磨対象物の研磨を行う工程である。したがって、ラッピング工程では研磨パッドは使用しない。ラッピング工程は、典型的には、研磨定盤と研磨対象物との間に砥粒(典型的にはダイヤモンド砥粒)を供給して行われる。また、ここに開示される研磨方法は、予備ポリシング工程の前や、予備ポリシング工程と仕上げポリシング工程との間に追加の工程(洗浄工程やポリシング工程)を含んでもよい。
本発明には、上記研磨用組成物を用いたポリシング工程を含む研磨済研磨対象物の製造方法(たとえば炭化ケイ素基板の製造方法)および該方法により製造された研磨済研磨対象物の提供が含まれ得る。すなわち、本発明によると、硬脆材料を含む研磨対象物に、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を供給して該研磨対象物を研磨することを含む、研磨済研磨対象物の製造方法および該方法により製造された研磨済研磨対象物が提供される。上記製造方法は、ここに開示されるいずれかの研磨方法の内容を好ましく適用することにより実施され得る。上記製造方法によると、面質が向上した研磨後表面を有する研磨済研磨対象物(たとえば炭化ケイ素基板)が効率的に提供され得る。
本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。
アルミナ砥粒の体積平均粒子径(D50)は、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置(株式会社堀場製作所製、LA-950)により測定した。
アルミナ砥粒のα化率および結晶子サイズは、下記の測定条件でX線回折測定を行い求めた;
装置:株式会社リガク製、粉末X線回折装置Ultima IV
X線発生電圧:40kV
放射線:Cu-Kα1線
電流:10mA
スキャン速度:10°/分
測定ステップ:0.01°
α化率は、α-アルミナ特有の回折線ピーク(2θ=57.5°)の積分強度を基に算出した。また、結晶子サイズは、粉末X線回折パターン総合解析ソフトJADE(MDI社製、シェラーの式による自動計算)を用いて算出した。
アルミナ粒子として、下記表1に示す3種類を準備した。
Figure 0007084176000001
なお、上記3種のアルミナ粒子について、α-アルミナ以外の結晶性アルミナ由来のピークは確認されなかった。
(実施例1)
砥粒としてアルミナA1およびアルミナB1を準備し、アルミナA1:アルミナB1=1:9(質量比)となるように、かつ砥粒全体の含有量として6質量%となるように水中で混合した。次いで、過マンガン酸カリウムを2質量%の含有量となるように加えて、室温(25℃)で30分間攪拌し、分散液を調製した。分散液のpHをpHメーター(株式会社堀場製作所製)により確認しながら、該分散液にアルカリとして0.01質量%の含有量となるように水酸化カリウム水溶液(濃度48質量%)を加え、pH9.0に調整し、研磨用組成物を調製した。
(実施例2~5)
アルミナA1およびアルミナB1の質量比を、下記表2に記載の質量比となるように使用したこと以外は、実施例1と同様にして、研磨用組成物を調製した。
(比較例1~4)
アルミナA1およびアルミナB1の代わりに、下記表2に記載のアルミナ粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、研磨用組成物を調製した。
(研磨速度および面質の評価)
〔研磨速度〕
実施例1~5、および比較例1~4の各研磨用組成物を用いて、下記の研磨条件で炭化ケイ素基板を研磨した。
<炭化ケイ素基板の研磨条件>
炭化ケイ素(SiC)基板:2インチN型、4H-SiC、4°off
研磨装置:EJ-3801N(日本エンギス株式会社製)
研磨パッド:不織布パッド SUBA800(ニッタ・ハース株式会社製)
研磨荷重:300g/cm
定盤回転数:80rpm
研磨時間:30min
各実施例および比較例の研磨用組成物を用いて研磨した後、SiC基板の質量を測定し、研磨前後の質量の差を研磨時間で除することにより研磨速度を算出した。なお、表2の研磨速度は、比較例1の研磨用組成物を用いた場合の研磨速度を100%としたときの比率を示している。
〔面質(Ra、凹欠陥数、およびスクラッチ数)の評価〕
表面粗さRaは、研磨後の研磨対象物の表面について、原子間力顕微鏡(AFM、パークシステムズ社製、NX-HDM)を用いて、1枚あたり中心を含む4点を測定視野10μm□(10μm平方)で測定し、3枚の基板の平均値を求めた。なお、表面粗さRaは、粗さ曲線の高さ方向の振幅の平均を表すパラメーターであって、一定視野内での研磨対象物表面の高さの算術平均を示す。
凹欠陥(点状の凹み)数およびスクラッチ数は、上記の測定で得られたAFM像について、1枚ずつ付属ソフトで確認し、1つの例あたり12枚の画像の総計により求め、凹欠陥およびスクラッチの深さも確認した。
各評価結果を下記表2に示す。
Figure 0007084176000002
上記表2から明らかなように、実施例の研磨用組成物を用いた場合、研磨対象物を高い研磨速度で研磨でき、また、凹欠陥数が少なく、スクラッチが発生しても極めて浅いものであり、研磨対象物表面の表面粗さも小さく、うねりが少ない平滑な、高い面質を有する表面が得られることが分かった。特に、実施例1および2の研磨用組成物を用いた場合、より高い研磨速度が得られることが分かった。また、実施例4および5の研磨用組成物を用いた場合、研磨対象物表面の面質がより向上することが分かった。
比較例1~4の研磨用組成物を用いた場合、特に凹欠陥数が多くなり、研磨対象物表面の面質が低下することが分かった。

Claims (6)

  1. 研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、
    アルミナ砥粒と、分散媒と、を含み、
    前記アルミナ砥粒は、結晶性アルミナとしてα化率が80%以上のα-アルミナAおよびα化率が80%未満のα-アルミナBのみを含み、前記α-アルミナAの平均粒子径が前記α-アルミナBの平均粒子径よりも小さい、研磨用組成物。
  2. 前記α-アルミナAと前記α-アルミナBとの含有質量比が、5/95以上95/5以下である、請求項1に記載の研磨用組成物。
  3. 酸化剤をさらに含む、請求項1または2に記載の研磨用組成物。
  4. pHが7以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
  5. 前記研磨対象物は硬脆材料を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
  6. 前記硬脆材料は炭化ケイ素を含む、請求項5に記載の研磨用組成物。
JP2018061561A 2018-03-28 2018-03-28 研磨用組成物 Active JP7084176B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018061561A JP7084176B2 (ja) 2018-03-28 2018-03-28 研磨用組成物
CN202211428731.7A CN115678438A (zh) 2018-03-28 2019-03-14 研磨用组合物
CN201980019008.3A CN111868201B (zh) 2018-03-28 2019-03-14 研磨用组合物
EP19775427.8A EP3778823A4 (en) 2018-03-28 2019-03-14 POLISHING COMPOSITION
KR1020207023406A KR20200128390A (ko) 2018-03-28 2019-03-14 연마용 조성물
US17/040,281 US20210017423A1 (en) 2018-03-28 2019-03-14 Polishing composition
PCT/JP2019/010632 WO2019188359A1 (ja) 2018-03-28 2019-03-14 研磨用組成物
TW108109278A TW201942320A (zh) 2018-03-28 2019-03-19 研磨用組合物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018061561A JP7084176B2 (ja) 2018-03-28 2018-03-28 研磨用組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019172784A JP2019172784A (ja) 2019-10-10
JP7084176B2 true JP7084176B2 (ja) 2022-06-14

Family

ID=68059896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018061561A Active JP7084176B2 (ja) 2018-03-28 2018-03-28 研磨用組成物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210017423A1 (ja)
EP (1) EP3778823A4 (ja)
JP (1) JP7084176B2 (ja)
KR (1) KR20200128390A (ja)
CN (2) CN111868201B (ja)
TW (1) TW201942320A (ja)
WO (1) WO2019188359A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114672252B (zh) * 2022-04-11 2023-11-28 宁波日晟新材料有限公司 一种无味氮化铝抛光液及其制备方法和应用
CN115820131B (zh) * 2023-02-14 2023-05-09 山东奥福环保科技股份有限公司 一种用于对超薄壁模具研磨抛光的泥料及研磨抛光方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009163808A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Kao Corp ハードディスク基板用研磨液組成物
JP2011121151A (ja) 2009-12-11 2011-06-23 Kao Corp ハードディスク基板用研磨液組成物
WO2011136387A1 (ja) 2010-04-28 2011-11-03 株式会社バイコウスキージャパン サファイア研磨用スラリー、及びサファイアの研磨方法
JP2015120816A (ja) 2013-12-24 2015-07-02 花王株式会社 研磨液組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3212297C2 (de) * 1982-03-29 1984-12-13 Schweizerische Aluminium Ag, Chippis Verfahren zur Herstellung grobkristalliner Tonerde
JP2007186379A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Sumitomo Chemical Co Ltd αアルミナ粒子の製造方法
JP5214233B2 (ja) * 2007-12-26 2013-06-19 花王株式会社 研磨液組成物
US9368830B2 (en) 2010-11-04 2016-06-14 Samsung Sdi Co., Ltd. Battery
TWI605112B (zh) 2011-02-21 2017-11-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP6622991B2 (ja) * 2015-06-30 2019-12-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
CN106281221B (zh) * 2016-04-26 2017-11-03 福吉米株式会社 研磨材料、研磨用组合物及研磨方法
JP2018061561A (ja) 2016-10-11 2018-04-19 株式会社サンセイアールアンドディ 遊技機

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009163808A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Kao Corp ハードディスク基板用研磨液組成物
JP2011121151A (ja) 2009-12-11 2011-06-23 Kao Corp ハードディスク基板用研磨液組成物
WO2011136387A1 (ja) 2010-04-28 2011-11-03 株式会社バイコウスキージャパン サファイア研磨用スラリー、及びサファイアの研磨方法
JP2015120816A (ja) 2013-12-24 2015-07-02 花王株式会社 研磨液組成物

Also Published As

Publication number Publication date
CN111868201A (zh) 2020-10-30
EP3778823A1 (en) 2021-02-17
WO2019188359A1 (ja) 2019-10-03
KR20200128390A (ko) 2020-11-12
CN111868201B (zh) 2022-11-18
TW201942320A (zh) 2019-11-01
EP3778823A4 (en) 2021-04-28
US20210017423A1 (en) 2021-01-21
CN115678438A (zh) 2023-02-03
JP2019172784A (ja) 2019-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3800229B1 (en) Polishing composition
TWI829662B (zh) 研磨用組成物及研磨方法
JP6788988B2 (ja) 研磨用組成物
TW201842146A (zh) 研磨用組成物
JP7084176B2 (ja) 研磨用組成物
JP6622991B2 (ja) 研磨用組成物
WO2021200148A1 (ja) 研磨用組成物
CN107109191B (zh) 研磨用组合物
WO2023054386A1 (ja) 研磨用組成物
JP6694745B2 (ja) 研磨用組成物
WO2023054385A1 (ja) 研磨用組成物
WO2021241505A1 (ja) 研磨方法およびポリシング用組成物セット
WO2022168858A1 (ja) 研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220602

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7084176

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150