JP7084176B2 - 研磨用組成物 - Google Patents
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Description
研磨対象物の例としては、金属、半導体、ガラス、セラミックス等が挙げられ、特に制限されない。
本発明の研磨用組成物は、アルミナ砥粒を含む。
本発明の研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記アルミナ砥粒以外の材料からなる砥粒(以下、非アルミナ砥粒ともいう)を含有してもよい。かような非アルミナ砥粒の例として、シリカ粒子(酸化ケイ素粒子)、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化鉄粒子等の酸化物粒子;窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子;炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子;ダイヤモンド粒子;炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩等のいずれかから実質的に構成される砥粒が挙げられる。
本発明の研磨用組成物に用いられる分散媒は、アルミナ砥粒を分散させることができるものであればよく、特に制限されない。分散媒としては、水を好ましく用いることができる。他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換水(脱イオン水)、純水、超純水、蒸留水等を用いることがより好ましい。該分散媒は、必要に応じて、水と均一に混合し得る低級アルコール、低級ケトン等の有機溶媒をさらに含有してもよい。通常は、研磨用組成物に含まれる分散媒の90体積%以上が水であることが好ましく、95体積%以上(典型的には99体積%以上)が水であることがより好ましい。
本発明の好ましい一実施形態によれば、研磨用組成物のpHの下限は、1以上であることが好ましく、3以上であることがより好ましく、5以上であることがさらに好ましく、7以上であることが特に好ましい。
本発明の研磨用組成物は、酸化剤を含むことが好ましい。酸化剤は、ポリシングによる効果を増進する成分であり、典型的には水溶性のものが用いられる。酸化剤は、特に限定的に解釈されるものではないが、ポリシングにおいて研磨対象物表面を酸化変質させる作用を示し、研磨対象物表面の脆弱化をもたらすことで、砥粒による研磨に寄与していると考えられる。
本発明の研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、キレート剤、増粘剤、分散剤、表面保護剤、濡れ剤、界面活性剤、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、防錆剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物(典型的には高硬度材料研磨用組成物、たとえば炭化ケイ素基板ポリシング用組成物)に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。上記添加剤の含有量は、その添加目的に応じて適宜設定すればよい。
研磨用組成物の製造方法は特に制限されないが、α化率が80%以上であるα-アルミナAとα化率が80%未満であるα-アルミナBとを、および必要に応じて含まれる他の成分を分散媒中で混合することを含むことが好ましい。すなわち、本発明は、α化率が80%以上であるα-アルミナAとα化率が80%未満であるα-アルミナBとを、分散媒中で混合することを含み、前記α-アルミナAの平均粒子径が前記α-アルミナBの平均粒子径よりも小さい、研磨用組成物の製造方法を提供する。
上記研磨用組成物は、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態(すなわち、研磨液の濃縮液の形態)であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、たとえば、体積換算で2倍~5倍程度とすることができる。
本発明の研磨用組成物は、たとえば以下の操作を含む態様で、研磨対象物の研磨に使用することができる。
装置:株式会社リガク製、粉末X線回折装置Ultima IV
X線発生電圧:40kV
放射線:Cu-Kα1線
電流:10mA
スキャン速度:10°/分
測定ステップ:0.01°
α化率は、α-アルミナ特有の回折線ピーク(2θ=57.5°)の積分強度を基に算出した。また、結晶子サイズは、粉末X線回折パターン総合解析ソフトJADE(MDI社製、シェラーの式による自動計算)を用いて算出した。
砥粒としてアルミナA1およびアルミナB1を準備し、アルミナA1:アルミナB1=1:9(質量比)となるように、かつ砥粒全体の含有量として6質量%となるように水中で混合した。次いで、過マンガン酸カリウムを2質量%の含有量となるように加えて、室温(25℃)で30分間攪拌し、分散液を調製した。分散液のpHをpHメーター(株式会社堀場製作所製)により確認しながら、該分散液にアルカリとして0.01質量%の含有量となるように水酸化カリウム水溶液(濃度48質量%)を加え、pH9.0に調整し、研磨用組成物を調製した。
アルミナA1およびアルミナB1の質量比を、下記表2に記載の質量比となるように使用したこと以外は、実施例1と同様にして、研磨用組成物を調製した。
アルミナA1およびアルミナB1の代わりに、下記表2に記載のアルミナ粒子を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、研磨用組成物を調製した。
〔研磨速度〕
実施例1~5、および比較例1~4の各研磨用組成物を用いて、下記の研磨条件で炭化ケイ素基板を研磨した。
炭化ケイ素(SiC)基板:2インチN型、4H-SiC、4°off
研磨装置:EJ-3801N(日本エンギス株式会社製)
研磨パッド:不織布パッド SUBA800(ニッタ・ハース株式会社製)
研磨荷重:300g/cm2
定盤回転数:80rpm
研磨時間:30min
各実施例および比較例の研磨用組成物を用いて研磨した後、SiC基板の質量を測定し、研磨前後の質量の差を研磨時間で除することにより研磨速度を算出した。なお、表2の研磨速度は、比較例1の研磨用組成物を用いた場合の研磨速度を100%としたときの比率を示している。
表面粗さRaは、研磨後の研磨対象物の表面について、原子間力顕微鏡(AFM、パークシステムズ社製、NX-HDM)を用いて、1枚あたり中心を含む4点を測定視野10μm□(10μm平方)で測定し、3枚の基板の平均値を求めた。なお、表面粗さRaは、粗さ曲線の高さ方向の振幅の平均を表すパラメーターであって、一定視野内での研磨対象物表面の高さの算術平均を示す。
Claims (6)
- 研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、
アルミナ砥粒と、分散媒と、を含み、
前記アルミナ砥粒は、結晶性アルミナとしてα化率が80%以上のα-アルミナAおよびα化率が80%未満のα-アルミナBのみを含み、前記α-アルミナAの平均粒子径が前記α-アルミナBの平均粒子径よりも小さい、研磨用組成物。 - 前記α-アルミナAと前記α-アルミナBとの含有質量比が、5/95以上95/5以下である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 酸化剤をさらに含む、請求項1または2に記載の研磨用組成物。
- pHが7以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記研磨対象物は硬脆材料を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記硬脆材料は炭化ケイ素を含む、請求項5に記載の研磨用組成物。
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