TWI829662B - 研磨用組成物及研磨方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種研磨用組成物,其能有效果地提高研磨速率。依照本發明,提供一種將研磨對象物予以研磨用之研磨用組成物。此研磨用組成物包含水、研磨粒、氧化劑與研磨促進劑。作為研磨促進劑,包含選自由鹼金屬鹽及鹼土類金屬鹽所成之群組的至少1種金屬鹽。
Description
本發明關於研磨用組成物。詳細而言,關於在研磨對象物之研磨中所用的研磨用組成物。
本申請案係以2018年1月11日申請的日本發明專利申請案2018-2847號及2018年9月21日申請的日本發明專利申請案2018-176787號為基礎,主張優先權,該申請案的全部內容係在本說明書中作為參照而併入。
鑽石、藍寶石(氧化鋁)、碳化矽、碳化硼、碳化鎢、氮化矽、氮化鈦等的材料之研磨對象材料的表面,通常係藉由對於研磨壓盤供給鑽石研磨粒,進行研磨(lapping)而被加工。然而,於使用鑽石研磨粒的研磨中,由於刮痕的發生、殘存等,容易發生缺陷或變形。因此,檢討在使用鑽石研磨粒的研磨後,或代替該研磨,使用研磨墊,於該研磨墊與研磨對象物之間供給研磨漿料,進行研磨(拋光)。作為揭示此種的習知技術之文獻,可舉出專利文獻1~6。
專利文獻1:國際公開第2013/051555號
專利文獻2:日本發明專利申請案公開第2012-253259號公報
專利文獻3:美國專利第4705594號說明書
專利文獻4:日本發明專利第2917066號公報
專利文獻5:日本發明專利申請案公開第2000-248265號公報
專利文獻6:日本發明專利第5449248號公報
專利文獻1中提案在碳化矽單結晶基板之研磨所使用的研磨用組成物中添加酸,降低pH。同公報中記載藉由如此的構成,使充分的研磨速度成為可能。然而,降低pH的研磨用組成物係有對於研磨裝置及周邊構件造成損傷之可能性。要求不依賴pH,而能實現高的研磨速率之研磨用組成物。
本發明係鑒於上述的情況而完成者。其主要目的在於提供一種在研磨對象物之研磨中能有效果地提高研磨速率之研磨用組成物。關聯的其他目的係在於提供一種使用上述研磨用組成物來將研磨對象物予以研磨之方法。
依照本發明,提供一種在研磨對象物之研磨中所用的研磨用組成物。此研磨用組成物包含水、研磨粒、氧化劑與研磨促進劑。作為前述研磨促進劑,包含選自由鹼金屬鹽及鹼土類金屬鹽所成之群組的至少1種金屬鹽。作為如此的研磨促進劑,藉由使用包含鹼金屬鹽及/或鹼土類金屬鹽的研磨用組成物,可實現高的研磨速率。
於此處所揭示的研磨用組成物之較佳一態樣中,前述研磨用組成物中之前述金屬鹽的濃度C1[莫耳/升]與前述氧化劑的濃度C2[莫耳/升]係滿足以下之關係:0.0035≦C1;0.001≦C1/C2≦1。藉由以成為特定的濃度比之方式組合上述研磨促進劑與氧化劑,可更適宜地發揮研磨速率提升效果。
於此處所揭示的研磨用組成物之較佳一態樣中,前述氧化劑包含複合金屬氧化物。前述複合金屬氧化物具有1價或2價的金屬元素(惟過渡金屬元素除外)與週期表的第4週期過渡金屬元素。藉由含有包含如此的複合金屬氧化物之氧化劑,可大幅提高研磨用組成物的研磨速率。
於此處所揭示的研磨用組成物之較佳一態樣中,前述研磨粒為氧化鋁粒子。於使用氧化鋁粒子作為研磨粒的研磨中,可更適宜地發揮因使用上述金屬鹽及氧化劑所致的研磨速率提升效果。
於此處所揭示的研磨用組成物之較佳一態樣中,前述氧化劑為過錳酸鉀。於使用過錳酸鉀作為氧化劑的研磨中,可更適宜地發揮因使用上述金屬鹽及氧化劑所致的研磨速率提升效果。又,作為氧化劑之其他例,可舉出過碘酸鈉。使用此過碘酸鈉時,亦可適宜地發揮研磨速率提升效果。
於此處所揭示的研磨用組成物之較佳一態樣中,前述研磨對象物之構成材料具有1500Hv以上的維氏硬度。於研磨對象材料為高硬度材料的研磨用組成物中,可更適宜地發揮本發明之應用效果。
於此處所揭示的研磨用組成物之較佳一態樣中,前述研磨對象物之構成材料為碳化矽。於研磨對象材料為碳化矽的研磨用組成物中,可更適宜地發揮本發明之應用效果。又,作為其他較佳的研磨對象材料,可舉出氮化鎵。此處所揭示的研磨用組成物之效果係在研磨對象材料為氮化鎵之情況亦能適宜地發揮。
又,依照本發明,提供一種研磨對象物之研磨方法。此研磨方法包含對於研磨對象物,供給此處所揭示的任一研磨用組成物,研磨該研磨對象物。藉由如此的研磨方法,可有效率地提供經研磨的研磨對象物(研磨物)。
[實施發明的形態]
以下,說明本發明之合適的實施形態。還有,於本說明書中,特別言及的事項以外之事物,本發明之實施所必要的事物,係本業者以該領域中的習知技術為基礎,可作為設計事項掌握者。本發明係可根據本說明書中揭示的內容與該領域中的技術常識而實施。
<研磨對象物>
此處所揭示的研磨用組成物係可適用於由在構成元素中不含氧的材料所成的研磨對象物之研磨。茲認為因氧化劑而研磨對象物變質,因去除經變質的層而進行研磨,故研磨對象物較佳為未氧化的材料。研磨對象物之構成材料例如可為矽、鍺、鑽石等之單元素半導體或單元素絕緣體;氮化矽、氮化鉭、碳化鈦等之陶瓷材料;碲化鎘、硒化鋅、硫化鎘、碲化鎘汞、碲化鋅鎘等之IIB-VIB族(12-16族)化合物半導體基板材料;氮化鎵、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化鋁鎵、砷化鎵銦、砷化氮銦鎵、磷化鋁鎵銦等之IIIB-VB族(13-15族)化合物半導體基板材料;碳化矽、矽化鍺等之IVB-IVB族(14-14族)化合物半導體基板材料等。於此等之中,亦可為由複數的材料所構成的研磨對象物。其中,較宜使用於具有500Hv以上的維氏硬度之材料的研磨。研磨對象材料的維氏硬度較佳為700Hv以上(例如1000Hv以上,典型上為1500Hv以上)。維氏硬度之上限係沒有特別的限定,但可大約7000Hv以下,例如5000Hv以下,典型上為3000Hv以下。還有,於本說明書中,維氏硬度係可根據JIS R 1610:2003測定。對應於上述JIS規格的國際規格為ISO 14705:2000。
作為具有1500Hv以上的維氏硬度之材料,可舉出鑽石、碳化矽、氮化矽、氮化鈦、氮化鎵等。此處所揭示的研磨用組成物係可對於機械且化學安定的上述材料之單結晶表面,較佳地適用。其中,研磨對象物表面較佳為由鑽石、碳化矽及氮化鎵之任一者所構成,更佳為由碳化矽所構成。碳化矽係被期待作為電力損失少、耐熱性等優異之半導體基板材料。改善其表面性質形狀之實用上的優點係特別大。此處所揭示的研磨用組成物係對於碳化矽的單結晶表面,亦特宜適用。
<研磨用組成物>
(金屬鹽A)
此處所揭示的研磨用組成物係特徵為含有選自由鹼金屬鹽及鹼土類金屬鹽所成之群組的至少1種金屬鹽A作為研磨促進劑。於拋光中,氧化劑係使研磨對象材料表面變質,該經變質的層係藉由與研磨粒及研磨墊等之磨擦而被去除。於特佳的一態樣中,上述研磨對象材料表面係如碳化矽或氮化鎵等之不含氧的高硬度材料表面。茲認為該金屬鹽A係顯示能促進該變質與去除之觸媒的作用,有助於研磨速率之升高。此處所謂之經變質的層,例如是包含氧化膜的層,所謂之觸媒的作用,例如是使氧化膜溶解之作用。惟,不受上述理由所僅限定地解釋。又,此處所揭示的研磨用組成物係能減低刮痕或潛在傷痕等之缺陷,亦能發揮改善研磨對象物的面質之效果。金屬鹽A典型上較佳為包含鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)中的任1種或2種以上。於此等之中,較佳為Na、K、Ca、Sr中的任一者。於若干的態樣中,金屬鹽A為鹼金屬鹽。鹼金屬鹽係不易發生以該金屬的離子作為起點的研磨粒之凝聚。因此,於包含研磨粒的研磨用組成物中,可得到更良好的研磨特性。又,於若干的態樣中,金屬鹽A為鹼土類金屬鹽。鹼土類金屬鹽由於該金屬的離子不易擴散,故可減低研磨對象物的金屬污染。因此,可得到更良好的研磨物。
上述金屬鹽A中的鹽之種類係沒有特別的限定,可為無機酸鹽,也可為有機酸鹽。例如,作為無機鹽,可舉出鹽酸、氫溴酸、氫氟酸等之氫鹵酸、硝酸、硫酸、碳酸、矽酸、硼酸、磷酸等之鹽。又,作為有機鹽,可舉出甲酸、乙酸、丙酸、苯甲酸、甘胺酸、丁酸、檸檬酸、酒石酸、三氟乙酸等之羧酸;甲磺酸、三氟甲烷磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸等之有機磺酸;甲基膦酸、苯膦酸、甲苯膦酸等之有機膦酸;乙基磷酸等之有機磷酸等之鹽。其中,較佳為鹽酸、硝酸、硫酸、矽酸、硼酸、磷酸之鹽,更佳為鹽酸、硝酸之鹽。
作為金屬鹽A之具體例,可舉出由氯化鋰、氯化鈉、氯化鉀、氯化鎂、氯化鈣、氯化鍶、氯化鋇等之氯化物;溴化鈉、溴化鉀、溴化鎂等之溴化物;氟化鋰、氟化鈉、氟化鉀、氟化鎂、氟化鈣、氟化鍶、氟化鋇等之氟化物;硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鎂、硝酸鈣、硝酸鍶、硝酸鋇等之硝酸鹽;硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸鎂、硫酸鈣、硫酸鍶、硫酸鋇等之硫酸鹽;碳酸鉀、碳酸氫鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸鍶、碳酸鋇等之碳酸鹽;硼酸鈉等之硼酸鹽;醋酸鉀、醋酸鈉、醋酸鈣、醋酸鍶等之醋酸鹽之任一者所實質上構成的金屬鹽A。上述金屬鹽A係可單獨1種使用,也可組合2種以上使用。
金屬鹽A係可溶解於研磨用組成物中,也可以固體直接分散。即,金屬鹽A係可為水溶性,也可為非水溶性。又,於研磨用組成物中,亦可金屬鹽A的一部分溶解,剩餘者以固體直接分散。於較佳的一態樣中,金屬鹽A為水溶性之鹽。使用水溶性的金屬鹽A,由於研磨用組成物實質上不含固體物,可高效率地形成刮痕等的缺陷少之良好表面。另外,於較佳的一態樣中,金屬鹽A係該金屬鹽A溶解於水中的水溶液顯示中性範圍之鹽,典型上可為藉由強酸與強鹼之中和而生成的正鹽。由於使用水溶液顯示中性範圍的金屬鹽A,可高效率地形成刮痕等的缺陷經進一步減低之高品質表面。此處所言的中性範圍,例如就是pH(5%水溶液,25℃)為4以上9以下,更佳為pH4以上8以下。作為水溶液顯示中性的金屬鹽A,例如可舉出氯化鈉、氯化鉀、氯化鈣、氯化鍶等之氯化物,及硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鈣、硝酸鍶等之硝酸鹽。其中,氯化鈣、氯化鍶、氯化鉀、氯化鈉及硝酸鈣由於可高效率地形成良好的表面而較宜。於若干的態樣中,金屬鹽A為鹼金屬之氯化物或硝酸鹽。又,於若干的態樣中,金屬鹽A為鹼土類金屬之氯化物或硝酸鹽。
研磨用組成物中之金屬鹽A的濃度(含量)C1係沒有特別的限制,通常10莫耳/升以下為適當。藉由減小金屬鹽A的濃度C1,能以更高的水準實現研磨對象材料表面之研磨速率提升效果及缺陷減低效果。於特佳的一態樣中,上述研磨對象材料為高硬度材料。從研磨效率等之觀點來看,上述濃度C1宜設為10莫耳/升以下,較佳設為8莫耳/升以下,更佳設為6莫耳/升以下,例如3莫耳/升以下,或1.5莫耳/升以下。於若干的態樣中,金屬鹽A的濃度C1可為1莫耳/升以下,也可為0.5莫耳/升以下,亦可為0.1莫耳/升以下,亦可為0.05莫耳/以下,亦可為0.02莫耳/以下,亦可為0.016莫耳/以下。上述濃度C1之下限只要高於0(零),則沒有特別的限制,但從容易發揮本發明的效果之觀點來看,通常宜設為0.0001莫耳/升以上,較佳為0.0005莫耳/升以上,更佳為0.001莫耳/升以上,尤佳為0.003莫耳/升以上。上述濃度C1例如亦可為0.0035莫耳/升以上,也可為0.005莫耳/升以上,典型上可為0.01莫耳/升以上,例如可為0.03莫耳/升以上。此處所揭示的技術例如可以研磨用組成物中之金屬鹽A的濃度C1為0.003莫耳/升~1.5莫耳/升之態樣或0.0035莫耳/升~1莫耳/升之態樣,較佳地實施。
(氧化劑)
此處所揭示的研磨用組成物係除了上述金屬鹽A之外,還包含氧化劑。氧化劑係在拋光中,於與研磨對象物表面之間發生氧化反應,能有效地導致該表面之低硬度化、脆弱化。藉由組合該氧化劑與金屬鹽A而使用,可更有效果地提高研磨速率。又,組合使用氧化劑與金屬鹽A者亦能有利用於缺陷減低。氧化劑只要是具有充分的氧化還原電位而能發揮將研磨對象物表面予以氧化之作用的物質,則沒有特別的限定。例如,氧化劑可為在與實施研磨的pH即研磨組成物相同之pH中,具有比研磨對象材料的氧化還原電位較高的氧化還原電位之物質。另一方面,例如,金屬鹽A可為在與實施研磨的pH即研磨組成物相同之pH中,具有比研磨對象材料的氧化還原電位較低的氧化還原電位之物質。再者,研磨對象材料的氧化還原電位係可採用:使該材料的粉末分散於水中而成為漿料,將該漿料調整至與研磨用組成物相同的pH後,使用市售的氧化還原電位計,測定該漿料的氧化還原電位(相對於在液溫25℃的標準氫電極而言氧化還原電位)之值。
作為氧化劑之具體例,可舉出過氧化氫等之過氧化物;硝酸、其鹽的硝酸鐵、硝酸銀、硝酸鋁、其錯合物的硝酸鈰銨等之硝酸化合物;過氧一硫酸、過氧二硫酸等之過硫酸、其鹽的過硫酸銨、過硫酸鉀等之過硫酸化合物;氯酸或其鹽、過氯酸、其鹽的過氯酸鉀等之氯化合物;溴酸、其鹽的溴酸鉀等之溴化合物;碘酸、其鹽的碘酸銨、過碘酸、其鹽的過碘酸鈉、過碘酸鉀等之碘化合物;鐵酸、其鹽的鐵酸鉀等之鐵酸類;過錳酸、其鹽的過錳酸鈉、過錳酸鉀等之過錳酸類;鉻酸、其鹽的鉻酸鉀、二鉻酸鉀等之鉻酸類;釩酸、其鹽的釩酸銨、釩酸鈉、釩酸鉀等之釩酸類;過釕酸或其鹽等之釕酸類;鉬酸、其鹽的鉬酸銨、鉬酸二鈉等之鉬酸類;過錸酸或其鹽等之錸酸類;鎢酸、其鹽的鎢酸二鈉等之鎢酸類。此等係可單獨1種使用,也可適宜組合2種以上使用。
於較佳的一態樣中,研磨用組成物包含複合金屬氧化物作為氧化劑。作為上述複合金屬氧化物,可舉出硝酸金屬鹽、鐵酸類、過錳酸類、鉻酸類、釩酸類、釕酸類、鉬酸類、錸酸類、鎢酸類。其中,較佳為鐵酸類、過錳酸類、鉻酸類,更佳為過錳酸類。
於更佳的一態樣中,作為上述複合金屬氧化物,可使用具有1價或2價的金屬元素(惟,過渡金屬元素除外)與週期表的第4週期過渡金屬元素之複合金屬氧化物。作為上述1價或2價的金屬元素之合適例,可舉出Na、K、Mg、Ca。其中,較佳為Na、K。作為週期表的第4週期過渡金屬元素之合適例,可舉出Fe、Mn、Cr、V、Ti。其中,較佳為Fe、Mn、Cr,更佳為Mn。上述複合金屬氧化物係於碳化矽等的高硬度材料表面中,能有效地導致該表面的低硬度化、脆弱化。因此,藉由組合該複合金屬氧化物與金屬鹽A而使用,可更適宜地發揮研磨速率提升效果或缺陷減低效果。
當此處所揭示的研磨用組成物包含上述複合金屬氧化物作為氧化劑時,可進一步包含複合金屬氧化物以外的氧化劑,也可不含。此處所揭示的技術係可以實質上不含上述複合金屬氧化物以外的氧化劑作為氧化劑之態樣而較佳地實施。上述複合金屬氧化物以外的氧化劑例如為過氧化氫。
研磨用組成物中之氧化劑的濃度(含量)C2通常宜設為0.001莫耳/升以上。從高度且有效率地兼顧研磨速率與缺陷減低之觀點來看,上述濃度C2較佳為0.005莫耳/升以上,更佳為0.01莫耳/升以上,例如0.05莫耳/升以上。又,從平滑性升高之觀點來看,上述氧化劑的濃度C2通常宜設為10莫耳/升以下,較佳設為5莫耳/升以下,更佳設為3莫耳/升以下,例如1莫耳/升以下,或0.5莫耳/升以下。此處所揭示的技術例如可以研磨用組成物中之氧化劑的濃度C2為0.07莫耳/升~0.3莫耳/升之態樣,較佳地實施。
雖然沒有特別的限定,但從更良好地發揮因併用氧化劑與金屬鹽A所致的效果之觀點來看,研磨用組成物中之金屬鹽A的濃度C1[莫耳/升]與氧化劑的濃度C2[莫耳/升]之比(C1/C2),於容易發揮本發明的效果之觀點中,較佳為0.001以上,更佳為0.005以上,尤佳為0.01以上,特佳為0.02以上。於若干的態樣中,C1/C2例如可為0.08以上,典型上可為0.12以上。C1/C2之上限沒有特別的限定,但較佳為大概100以下。上述C1/C2典型上為70以下,較佳為30以下,更佳為10以下,尤佳為1以下,特佳為0.2以下。於若干的態樣中,C1/C2例如可為0.18以下,典型上可為0.15以下。若為如此的金屬鹽A與氧化劑的濃度之比(C1/C2),則可更適宜地發揮研磨速率提升效果。再者,當研磨用組成物包含複數的金屬鹽A時,上述金屬鹽A的濃度係指彼等之合計濃度。又,當研磨用組成物包含複數的氧化劑時,上述氧化劑的濃度係指彼等之合計濃度。
(研磨粒)
此處所揭示的研磨用組成物含有研磨粒。研磨粒之材質或性質形狀係沒有特別的限制。例如,研磨粒可為無機粒子、有機粒子及有機無機複合粒子之任一者。例如,可舉出由二氧化矽粒子、氧化鋁粒子、氧化鈰粒子、氧化鉻粒子、二氧化鈦粒子、氧化鋯粒子、氧化鎂粒子、二氧化錳粒子、氧化鋅粒子、氧化鐵粒子等之氧化物粒子;氮化矽粒子、氮化硼粒子等之氮化物粒子;碳化矽粒子、碳化硼粒子等之碳化物粒子;鑽石粒子;碳酸鈣或碳酸鋇等之碳酸鹽等之任一者所實質地構成之研磨粒。研磨粒係可單獨1種使用,也可組合2種以上使用。其中,二氧化矽粒子、氧化鋁粒子、氧化鈰粒子、氧化鉻粒子、氧化鋯粒子、二氧化錳粒子、氧化鐵粒子等之氧化物粒子由於可形成良好的表面而較宜。其中,更佳為氧化鋁粒子、氧化鋯粒子、氧化鉻粒子、氧化鐵粒子,特佳為氧化鋁粒子。於此處所揭示的技術中,在使用氧化鋁粒子作為研磨粒的研磨中,可更適宜地發揮因使用金屬鹽A及氧化劑所造成的研磨速率提升效果。
再者,於本說明書中,關於研磨粒之組成,所謂的「實質上由X所成」或「實質上由X所構成」,就是指該研磨粒中所佔有的X之比例(X之純度)係以重量基準表示為90%以上。又,上述研磨粒中所佔有的X之比例較佳為95%以上,更佳為97%以上,尤佳為98%以上,例如99%以上。
使用氧化鋁粒子作為研磨粒時,可從眾所周知的各種氧化鋁粒子之中適宜選擇而使用。於如此眾所周知的氧化鋁粒子之例中,包含a-氧化鋁及中間氧化鋁。此處所謂的中間氧化鋁,就是a-氧化鋁以外的氧化鋁粒子之總稱,具體而言可例示g-氧化鋁、d-氧化鋁、q-氧化鋁、h-氧化鋁、k-氧化鋁、c-氧化鋁等。又,根據製法的分類,亦可使用被稱為發煙(fumed)氧化鋁的氧化鋁。上述被稱為發煙氧化鋁的氧化鋁典型上為在高溫燒成氧化鋁鹽之際所生產的氧化鋁微粒子。再者,被稱為膠體氧化鋁或氧化鋁溶膠的氧化鋁係亦包含於上述眾所周知的氧化鋁粒子之例中。上述被稱為膠體氧化鋁或氧化鋁溶膠之氧化鋁,例如為水鋁石等之氧化鋁水合物。從加工性之觀點來看,較佳為包含a-氧化鋁。
使用氧化鋁粒子作為研磨粒時,氧化鋁粒子佔研磨用組成物中所含的研磨粒全體之比例一般而言高者較有利。例如,氧化鋁粒子佔研磨用組成物中所含的研磨粒全體之比例較佳為70重量%以上,更佳為90重量%以上,尤佳為95重量%以上。於更佳的一態樣中,上述氧化鋁粒子之比例例如為95~100重量%。
再者,此處所揭示的研磨用組成物較佳為實質上不含鑽石粒子作為研磨粒。鑽石粒子係由於其高硬度,而可能成為缺陷減低效果之限制主要因素。又,鑽石粒子由於一般為高價,在成本效益之點上不能說是有利的材料,從實用面來看,希望對於鑽石粒子等之高價格材料的依賴度低。
研磨粒之平均二次粒徑通常為20nm以上,從研磨效率等之觀點來看,較佳為100nm以上,更佳為200nm以上,例如400nm以上。研磨粒的平均二次粒徑之上限,從充分確保每單位重量的個數之觀點來看,宜大約5000nm以下。從更高度地兼顧研磨效率與面質之觀點來看,上述平均二次粒徑較佳為3000nm以下,更佳為2000nm以下,例如800nm以下。
研磨粒之平均二次粒徑係可對於未達500nm的粒子,例如藉由使用日機裝公司製的型式「UPA-UT151」之動態光散射法,作為體積平均粒徑(體積基準的算術平均直徑;Mv)測定。又,對於500nm以上的粒子,可藉由使用BECKMAN COULTER公司製的型式「Multisizer 3」之細孔電阻法等,作為體積平均粒徑測定。
研磨用組成物中的研磨粒濃度,從研磨效率之觀點來看,通常設為1重量%以上者適當。從研磨速率提升之觀點來看,研磨粒濃度較佳為3重量%以上,更佳為5重量%以上。又,從高度且有效率地兼顧研磨效率與面質之觀點,得到良好的分散性之觀點來看,研磨用組成物中的研磨粒濃度通常設為50重量%以下者適當,較佳為20重量%以下,更佳為10重量%以下,尤佳為8重量%以下。
(其他成分)
此處所揭示的研磨用組成物係在不損害本發明的效果之範圍內,可視需要進一步含有螯合劑、增黏劑、分散劑、表面保護劑、潤濕劑、pH調整劑、界面活性劑、有機酸、無機酸、防銹劑、防腐劑、防黴劑等之研磨用組成物中可用之眾所周知的添加劑。上述研磨用組成物典型上為高硬度材料研磨用組成物,例如碳化矽基板研磨用組成物。上述添加劑之含量係可按照其添加目的而適宜設定,由於不是本發明之特徵者,詳細的說明係省略。
作為有機酸之例,可舉出甲酸、醋酸、丙酸等之脂肪族羧酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸等之芳香族羧酸、檸檬酸、草酸、酒石酸、蘋果酸、馬來酸、富馬酸、琥珀酸、有機磺酸、有機膦酸等。作為無機酸之例,可舉出硫酸、硝酸、鹽酸、碳酸等。使用酸時,其使用量通常宜設為0.1重量%以下,較佳設為0.01重量%以下,更佳設為0.001重量%以下。或者,此處所揭示的研磨用組成物可為實質上不含酸之組成。於此處所揭示的技術中,藉由組合金屬鹽A與氧化劑,於不含酸的中性範圍之研磨用組成物中,可一邊改善面質,一邊提高研磨速率。
(溶劑)
研磨用組成物中所用的溶劑,只要能使金屬鹽A及氧化劑分散即可,並沒有特別的限制。作為溶劑,可較宜使用離子交換水(去離子水)、純水、超純水、蒸餾水等。此處所揭示的研磨用組成物視需要亦可進一步含有能與水均勻混合的有機溶劑。上述有機溶劑為低級醇、低級酮等。通常,研磨用組成物中所包含的溶劑之90體積%以上較佳為水,95體積%以上,典型上99~100體積%更佳為水。
研磨用組成物之pH通常2~12左右為適當。若研磨用組成物的pH為上述範圍內,則容易達成實用的研磨速率。從更良好地發揮此處所揭示之技術的適用效果之觀點來看,研磨用組成物之pH較佳為3以上,更佳為4以上,尤佳為5.5以上。pH之上限係沒有特別的限定,較佳為12以下,更佳為10以下,尤佳為9.5以下。上述pH較佳為3~11,更佳為4~10,尤佳為5~9.5。雖然解釋上沒有特別的限定,但若pH為5~9.5之範圍內,則認為金屬鹽A中的陽離子與陰離子之兩者有助於研磨速率提升或缺陷減低。因此,依照此處所揭示之技術,於pH為5~9.5的研磨用組成物中,可實現比以往較高的研磨速率。又,對於研磨裝置的傷害少,可容易操作。研磨用組成物之pH例如為9以下,典型上可為7.5以下。於若干的態樣中,上述pH例如未達7,典型上可為6.5以下。
<研磨用組成物之調製>
此處所揭示的研磨用組成物之製造方法係沒有特別的限定。例如,可使用翼式攪拌機、超音波分散機、均質機等周知的混合裝置,混合研磨用組成物中所含有的各成分。混合此等成分之態樣係沒有特別的限定。例如,可一次混合全部成分,也可依適宜設定的順序進行混合。
此處所揭示的研磨用組成物可為一劑型,也可為以二劑型為首的多劑型。例如,可混合包含該研磨用組成物之構成成分,典型上溶劑以外之成分中一部分的成分之A液,與包含剩餘的成分之B液,以使用於研磨對象物之研磨的方式構成。
<濃縮液>
此處所揭示的研磨用組成物亦可在供給至研磨對象物之前為經濃縮之形態,即研磨液的濃縮液之形態。如此經濃縮的形態之研磨用組成物,從製造、流通、保存等時的便利性或成本減低等之觀點來看為有利。濃縮倍率例如以體積換算可為2倍~5倍左右。
如此地濃縮液之形態的研磨用組成物,係可在所欲的時機進行稀釋而調製研磨液,以供給至研磨對象物之態樣使用該研磨液。上述稀釋典型上係可藉由在上述濃縮液中添加前述的溶劑,混合而進行。又,當上述溶劑為混合溶劑時,可僅添加該溶劑之構成成分中一部分的成分而稀釋,也可添加以與上述溶劑不同的量比含有彼等的構成成分之混合溶劑而稀釋。另外,如後述地於多劑型的研磨用組成物中,可在將彼等中一部分的劑稀釋後,混合其他劑而調製研磨液,也可在混合複數的劑後,稀釋其混合物而調製研磨液。
<研磨方法>
此處所揭示的研磨用組成物例如係藉由包含以下的操作之態樣,使用於研磨對象物之研磨。
即,準備包含此處所揭示的任一研磨用組成物之研磨液。為了準備上述研磨液,可包含對於研磨用組成物,施加濃度調整、pH調整等之操作,調製研磨液。濃度調整例如為稀釋。或者,亦可將上述研磨用組成物直接使用作為研磨液。又,於多劑型的研磨用組成物時,為了準備上述研磨液,可包含混合彼等之劑者、於該混合之前稀釋1個或複數的劑者、於該混合之後稀釋其混合物者等。
接著,將該研磨液供給至研磨對象物表面,藉由常見方法進行研磨。例如,於一般的研磨裝置上設置研磨對象物,通過該研磨裝置的研磨墊,將上述研磨液供給至該研磨對象物之表面(研磨對象面)。典型上,一邊連續地供給上述研磨液,一邊將研磨墊推壓至研磨對象物的表面,使兩者相對地移動。上述移動例如為旋轉移動。經過該拋光步驟,完成研磨對象物之研磨。
依照此說明書,提供將研磨對象材料予以研磨之研磨方法及使用該研磨方法的研磨物之製造方法。上述研磨方法係特徵為包含使用此處所揭示的研磨用組成物,將研磨對象物予以研磨之步驟。較佳的一態樣之研磨方法包含進行預備拋光之步驟(預備拋光步驟)與進行完工拋光之步驟(完工拋光步驟)。此處所言的預備拋光步驟,就是對於研磨對象物,進行預備拋光之步驟。於典型的一態樣中,預備拋光步驟係配置在完工拋光步驟剛剛之前的拋光步驟。預備拋光步驟係可為1段的拋光步驟,也可為2段以上的複數段之拋光步驟。又,此處所言的完工拋光步驟,就是對於已進行預備拋光的研磨對象物,進行完工拋光之步驟,指於使用拋光用組成物進行的拋光步驟之中最後即在最下游側配置的研磨步驟。如此地於包含預備拋光步驟與完工拋光步驟之研磨方法中,此處所揭示的研磨用組成物係可在預備拋光步驟中使用,亦可在完工拋光步驟中使用,也可在預備拋光步驟及完工拋光步驟之兩者中使用。
於較佳的一態樣中,使用上述研磨用組成物之拋光步驟係可為預備拋光步驟。此處所揭示之研磨用組成物,由於可實現高的研磨速率,故適合作為研磨對象材料表面之預備拋光步驟中所用的研磨用組成物(預備拋光用組成物)。當預備拋光步驟包含2段以上的複數段之拋光步驟時,亦可彼等之中2段以上的拋光步驟使用此處所揭示之任一研磨用組成物而實施。此處所揭示的研磨用組成物可較宜適用於前段即上游側之預備拋光。例如,於經過後述的研磨步驟之最初的預備拋光步驟,典型上為1次研磨步驟中,亦可較佳地使用。
於其他較佳的一態樣中,使用上述研磨用組成物之拋光步驟可為完工拋光步驟。此處所揭示的研磨用組成物係可較宜使用作為研磨對象材料表面之完工拋光步驟中使用的研磨用組成物(完工拋光用組成物)。
預備拋光及完工拋光亦可適用於單面研磨裝置的研磨、兩面研磨裝置的研磨之任一者。於單面研磨裝置中,於陶瓷板上以蠟貼附研磨對象物,或使用被稱為載體的保持具來保持研磨對象物,藉由一邊供給拋光用組成物一邊將研磨墊推壓至研磨對象物的單面,使兩者相對地移動,而將研磨對象物的單面予以研磨。上述移動例如為旋轉移動。於兩面研磨裝置中,使用被稱為載體的保持具來保持研磨對象物,一邊從上方來供給拋光用組成物,一邊將研磨墊推壓至研磨對象物的對向面,藉由使彼等在相對方向中旋轉,而將研磨對象物之兩面予以同時地研磨。
此處所揭示的各拋光步驟中使用的研磨墊係沒有特別的限定。例如,可使用不織布型、麂皮型、硬質發泡聚胺甲酸酯型、含有研磨粒者、不含研磨粒者等之任一者。
經由此處揭示之方法所研磨的研磨物,係典型上在拋光後被洗淨。此洗淨係可使用適當洗淨液進行。所使用的洗淨液係沒有特別的限定,可適宜選擇眾所周知慣用者而使用。
還有,此處所揭示的研磨方法係除了上述預備拋光步驟及完工拋光步驟之外,還可包含任意的其他步驟。作為如此的步驟,可舉出在預備拋光步驟之前進行的研磨步驟。上述研磨步驟例如係藉由將研磨壓盤,例如將鑄鐵壓盤之表面推壓至研磨對象物,而進行研磨對象物的研磨之步驟。因此,於研磨步驟中不使用研磨墊。研磨步驟典型上係將研磨粒供給至研磨壓盤與研磨對象物之間而進行。上述研磨粒典型上為鑽石研磨粒,又,此處所揭示之研磨方法係可在預備拋光步驟之前,或在預備拋光步驟與完工拋光步驟之間,包含追加的步驟。追加的步驟例如為洗淨步驟或拋光步驟。
<研磨物之製造方法>
於此處所揭示之技術中,可包括提供:包含使用上述研磨用組成物的拋光步驟之研磨物之製造方法及藉由該方法所製造之研磨物。上述製造方法例如為碳化矽基板之製造方法。即,依照此處所揭示之技術,提供研磨物之製造方法及藉由該方法所製造之研磨物,該製造方法包含對於由研磨對象材料所構成的研磨對象物,供給此處所揭示的任一研磨用組成物,研磨該研磨對象物。上述製造方法係可藉由適宜地應用此處所揭示的任一研磨方法之內容而實施。依照上述製造方法,可有效率地提供研磨物,例如碳化矽基板。
實施例
以下,說明與本發明有關的幾個實施例,但不意圖將本發明限定於實施例所示者。還有,於以下的說明中,「%」只要沒有特別預先指明,則以重量基準。
<試驗例>
<研磨用組成物之調製>
(實施例1)
混合作為研磨促進劑的金屬鹽A、作為氧化劑的過錳酸鉀(KMnO4
)、氧化鋁研磨粒與脫離子水,調製實施例1之研磨用組成物。氧化鋁研磨粒之含量為6%。又,以藉由BET法所測定的比表面積為基礎之氧化鋁研磨粒的平均一次粒徑為0.5μm。再者,上述比表面積係使用MICROMERITICS公司製的表面積測定裝置,商品名「Flow Sorb II 2300」,進行測定。
(比較例1)
除了不用金屬鹽A以外,以與實施例1相同的程序,調製研磨用組成物。
對於各例之研磨組成物,表1中彙總顯示金屬鹽A的種類及濃度C1、氧化劑的濃度C2、濃度比C1/C2、pH。
<研磨速率之評價>
將所準備的研磨用組成物直接使用作為研磨液,對於使用含有氧化鋁研磨粒的研磨液預先實施預備拋光後的SiC晶圓之表面,於下述之條件下實施拋光。作為SiC晶圓,使用主面(0001)對於C軸的傾斜角為4°之SiC晶圓,研磨Si面側。然後,依照以下的計算式(1)、(2),算出研磨速率。表1之相應欄中顯示結果。
(1)研磨切削量[cm]=研磨前後的研磨對象物之重量差[g]/SiC的密度[g/cm3
](=3.21g/cm3
)/研磨對象面積[cm2
] (=19.62cm2
)
(2)研磨速率[nm/h]=研磨切削量[cm]´107
/研磨時間(=1小時)
[拋光條件]
研磨裝置:日本ENGIS公司製的單面研磨裝置,型式
「EJ-380IN-CH」
研磨墊:Nitta-Haas公司製「SUBA800XY」
研磨壓力:29.4kPa
壓盤旋轉數:80轉/分鐘
研磨時間:1小時
頭旋轉數:40轉/分鐘
研磨液的供給速率:20ml/分鐘(溢流)
研磨液的溫度:25℃
研磨對象物:SiC晶圓(傳導型:n型,結晶型4H-SiC)
2吋×3片
如表1所示,組合使用金屬鹽A與氧化劑的實施例1之研磨用組成物,係研磨速率比單獨使用氧化劑的比較例1較升高。由此結果可確認,藉由組合使用金屬鹽A與氧化劑,可提高研磨用組成物之研磨速率。
<試驗例2>
於本例中,為了確認氧化鋁研磨粒之含量造成研磨速率之影響,而進行以下之試驗。
(實施例2~5)
除了如表2所示地變更氧化鋁研磨粒之含量以外,以與實施例1相同之程序調製研磨用組成物。
(比較例2)
除了不用氧化鋁研磨粒以外,以與實施例1相同之程序調製研磨用組成物。
對於各例之研磨用組成物,以與試驗例1相同之程序測定研磨速率。表2之相應欄中顯示結果。
如表2所示,含有氧化鋁研磨粒的實施例1~5之研磨用組成物,係研磨速率比不含氧化鋁研磨粒之比較例2較大幅升高。從研磨效率之觀點來看,氧化鋁研磨粒之含量較佳為1%以上25%以下。
<試驗例3>
於本例中,為了確認金屬鹽A的濃度C1及氧化劑的濃度C2造成研磨速率之影響,而進行以下之試驗。
(實施例6~11及實施例17)
除了如表3所示地變更金屬鹽A的濃度C1及氧化劑的濃度C2以外,以與實施例1相同之程序調製研磨用組成物。
對於各例之研磨用組成物,以與試驗例1相同之程序測定研磨速率。表3之相應欄中顯示結果。
如表3所示,隨著金屬鹽A的濃度C1及氧化劑的濃度C2增大,顯示研磨速率增大的傾向。從研磨效率之觀點來看,金屬鹽A的濃度C1較佳為0.0035莫耳/升以上。又,金屬鹽A的濃度C1與氧化劑的濃度C2之濃度比C1/C2較佳為0.001以上。
<試驗例4>
於本例中,為了確認金屬鹽A的種類造成研磨速率之影響,而進行以下之試驗。
(實施例12~16)
除了如表4所示地變更金屬鹽A的種類及濃度C1以外,以與實施例1相同之程序調製研磨用組成物。
對於各例之研磨用組成物,以與試驗例1相同之程序測定。表4之相應欄中顯示結果。
如表4所示,組合使用金屬鹽A與氧化劑的實施例12~16之研磨用組成物,係不論金屬鹽A的種類為何,研磨速率都比單獨使用氧化劑的比較例1較升高。
<試驗例5>
於本例中,使用實施例1及比較例1之研磨用組成物,研磨各種不同的SiC晶圓之面。具體而言,對於使用含有氧化鋁研磨粒的研磨液預先實施預備拋光後的SiC晶圓之表面,於下述之條件下實施拋光。作為SiC晶圓,使用主面(0001)對於C軸的傾斜角為4°之SiC晶圓,研磨Si面側。又,使用主面(0001)對於C軸為0°之SiC晶圓,分別研磨Si面側及C面側。然後,依照前述計算式(1)、(2),算出研磨速率。表5之相應欄中顯示結果。
[拋光條件]
研磨裝置:不二越機械工業股份有限公司,型式
「PDP-500」
研磨墊:Nitta-Haas公司製「SUBA800XY」
研磨壓力:29.4kPa
壓盤回轉數:100轉/分鐘
研磨時間:1小時
頭旋轉數:100轉/分鐘
研磨液的供給速率:20ml/分鐘(溢流)
研磨液的溫度:25℃
研磨對象物:SiC晶圓(傳導型:n型,結晶型4H-SiC) 2吋×1片
如表5所示,組合使用金屬鹽A與氧化劑的實施例1之研磨用組成物,係不論SiC晶圓之面及面方位為何,研磨速率都比單獨使用氧化劑的比較例1較升高。其中,使用主面(0001)對於C軸為0°之SiC晶圓時,得到1.3倍以上之極高的研磨速率提升效果。
<試驗例6>
於本例中,為了確認金屬鹽A造成研磨後的晶圓表面之影響,而進行以下之試驗。
(實施例18)
除了如表6所示地變更金屬鹽A的濃度C1及氧化劑的濃度C2以外,以與實施例1相同之程序調製研磨用組成物。
(比較例3)
除了不用金屬鹽A以外,以與實施例18相同之程序調製研磨用組成物。
使用實施例18及比較例3之研磨用組成物,研磨SiC晶圓。具體而言,對於使用含有氧化鋁研磨粒的研磨液預先實施預備拋光後的SiC晶圓之表面,於與試驗例5相同之條件下實施拋光,於下述條件下實施研磨後的表面之評價。作為SiC晶圓,使用東麗・道康寧股份有限公司製上等級4吋的SiC晶圓(傳導型:n型,結晶型4H-SiC),研磨Si面側。表6之相應欄中顯示結果。
[研磨後的表面之評價條件]
評價裝置:LASERTEC股份有限公司製,SiC晶圓缺陷檢査/檢視裝置
SICA6X評價值:全部的缺陷之合計數(總缺陷數)
如表6所示,實施例18之研磨用組成物係總缺陷數比單獨使用氧化劑的比較例3較減少。由此結果可確認,藉由組合使用金屬鹽A與氧化劑,可一邊改善面質,一邊大幅提高研磨速率。
<試驗例7>
於本例中,為了確認不論氧化劑的種類為何,金屬鹽A是否都有提高研磨速率之效果,而進行以下之試驗。
(實施例19~21)
除了如表7所示地變更金屬鹽A的濃度C1及氧化劑的種類以外,以與實施例1相同之程序調製研磨用組成物。
(比較例4)
除了不用金屬鹽A以外,以與實施例19相同之程序調製研磨用組成物。
對於各例之研磨用組成物,於與試驗例5相同之條件下實施拋光後,以與試驗例1相同之程序測定研磨速率,求出以比較例4之測定結果作為100的相對值(研磨速率比)。
如表7所示,實施例19~21之研磨用組成物係研磨速率比單獨使用氧化劑的比較例4較升高。由此結果可確認,於SiC晶圓之研磨中,即使在氧化劑使用過碘酸鈉(NaIO4
)時,也能發揮組合金屬鹽A與氧化劑所致的研磨速率提升效果。
<試驗例8>
於本例中,使用實施例10及比較例1之研磨用組成物,研磨各種不同的化合物半導體晶圓。具體而言,對於使用含有氧化鋁研磨粒的研磨液預先實施預備拋光後的各半導體晶圓之表面,於與試驗例5相同之條件下實施拋光。於本例中,作為研磨對象面,分別研磨藍寶石(Al2
O3
)之a面側、氮化鎵(GaN)之N面側、碳化矽(SiC)之Si面側。然後,依照前述計算式(1)、(2),算出研磨速率。再者,於藍寶石的研磨速率之算出中,將前述計算式(1)中的「SiC的密度[g/cm3
](=3.21g/cm3
)」當作「藍寶石的密度[g/cm3
] (=3.97g/cm3
)」。又,於氮化鎵的研磨速率之算出中,將「SiC的密度[g/cm3
](=3.21g/cm3
)」當作「氮化鎵的密度[g/cm3
](=6.15g/cm3
)」。表8之相應欄中顯示結果。
如表8所示,組合使用金屬鹽A與氧化劑的實施例10之研磨組成物,係在SiC晶圓、GaN晶圓及Al2
O3
晶圓各自之研磨中,研磨速率比單獨使用氧化劑的比較例1較升高。尤其在由構成元素中不含氧的材料所成之SiC晶圓及GaN晶圓中,得到1900nm/h以上的研磨速率。茲認為此係因為在由構成元素中不含氧的材料之研磨中,因氧化劑而研磨對象物變質,藉由去除經變質的層而進行研磨。即,茲認為相對於在已經氧化的Al2
O3
晶圓之研磨中,金屬鹽A係僅在除過程中發揮功能,在SiC晶圓及GaN晶圓之研磨中,金屬鹽A係在晶圓的氧化過程及去除過程兩者中發揮功能,故得到更高的研磨速率。
<試驗例9>
於本例中,為了確認金屬鹽A的濃度C1造成GaN晶圓的研磨速率之影響,而進行以下之試驗。
(實施例22、23)
除了如表9所示地變更金屬鹽A的濃度C1以外,以與實施例1相同之程序調製研磨用組成物。
關於實施例1、10、22、23及比較例1之研磨用組成物,於與試驗例5相同之條件下實施拋光,以與試驗例1相同之程序測定研磨速率。再者,於本試驗例中,作為研磨對象的化合物半導體晶圓,使用與上述試驗例8相同之GaN晶圓,研磨此GaN晶圓的N面側。表9之相應欄中顯示結果。
如表9所示,實施例1、22、23之研磨組成物係與上述的實施例10之研磨用組成物同樣地,於GaN晶圓之研磨中,研磨速率比單獨使用氧化劑的比較例1較升高。又,於實施例1、10、22、23之中,尤其實施例1、23中,得到更高的研磨速率。從研磨效率之觀點來看,較佳為將金屬鹽A的濃度C1設為0.0035莫耳/升以上。另外,金屬鹽A的濃度C1與氧化劑的濃度C2之濃度比C1/C2較佳設為0.001以上。
以上,詳細說明本發明之具體例,惟此等只不過是例示,而不限定申請專利範圍。於申請專利範圍記載之技術中,包含將以上例示的具體例予以各式各樣地變形、變更者。
Claims (9)
- 一種研磨用組成物,其係研磨對象物之研磨中所用的研磨用組成物,包含水、研磨粒、氧化劑與研磨促進劑,作為前述研磨促進劑,包含選自由鹼金屬鹽及鹼土類金屬鹽所成之群的至少1種金屬鹽,前述金屬鹽為藉由強酸與強鹼之中和而生成的正鹽,前述研磨用組成物中之前述金屬鹽的濃度C1[莫耳/升]與前述氧化劑的濃度C2[莫耳/升]係滿足以下之關係:0.0035≦C1;0.001≦C1/C2≦1。
- 如請求項1之研磨用組成物,其中前述氧化劑包含複合金屬氧化物,前述複合金屬氧化物具有1價或2價的金屬元素(惟過渡金屬元素除外)與週期表的第4週期過渡金屬元素。
- 如請求項1或2之研磨用組成物,其中前述研磨粒為氧化鋁粒子。
- 如請求項1或2之研磨用組成物,其中前述氧化劑為過錳酸鉀。
- 如請求項1或2之研磨用組成物,其中前述氧化劑為過碘酸鈉。
- 如請求項1或2之研磨用組成物,其中前述研磨對象物之構成材料具有1500Hv以上的維氏硬度。
- 如請求項1或2之研磨用組成物,其中前述研磨對象物之構成材料為碳化矽。
- 如請求項1或2之研磨用組成物,其中前述研磨對象物之構成材料為氮化鎵。
- 一種研磨方法,其包含將如請求項1~8中任一項之研磨用組成物供給至研磨對象物,研磨該研磨對象物。
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---|---|---|---|---|
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US20240117219A1 (en) * | 2021-02-04 | 2024-04-11 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
CN112920717A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-08 | 中山荣拓智能装备有限公司 | 一种碳化硅单晶抛光液及其使用方法 |
EP4314179A1 (en) * | 2021-03-29 | 2024-02-07 | Entegris, Inc. | Suspension for chemical mechanical planarization (cmp) and method employing the same |
CN118055994A (zh) * | 2021-09-30 | 2024-05-17 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
CN118043427A (zh) * | 2021-09-30 | 2024-05-14 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
WO2023106358A1 (en) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | Fujimi Incorporated | Polishing compositions for silicon carbide surfaces and methods of use thereof |
CN114559302B (zh) * | 2022-03-01 | 2023-04-11 | 广东工业大学 | 一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法 |
CN114753007B (zh) * | 2022-06-15 | 2022-11-18 | 苏州焜原光电有限公司 | 一种用于分子束外延InAs衬底的表面处理方法 |
CN115975511A (zh) * | 2023-02-02 | 2023-04-18 | 张家港安储科技有限公司 | 一种碳化硅衬底研磨用抛光液、抛光液套剂及研磨方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1187427C (zh) * | 2001-04-27 | 2005-02-02 | 花王株式会社 | 研磨液组合物 |
US20150218709A1 (en) * | 2012-09-06 | 2015-08-06 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
TW201621024A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-06-16 | Fujimi Inc | 組成物 |
JP2017179221A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4705594A (en) | 1986-11-20 | 1987-11-10 | Rem Chemicals, Inc. | Composition and method for metal surface refinement |
JP2917066B2 (ja) | 1991-03-01 | 1999-07-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
JP2000248265A (ja) | 1999-03-02 | 2000-09-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | 研磨用組成物及びそれを用いてなる金属材料の研磨方法 |
US6332831B1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-12-25 | Fujimi America Inc. | Polishing composition and method for producing a memory hard disk |
JP3997152B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2007-10-24 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
US7485241B2 (en) * | 2003-09-11 | 2009-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same |
CN101128555B (zh) * | 2005-01-07 | 2013-04-03 | 太尔公司 | 用于化学机械平坦化的经设计的非聚合有机颗粒 |
US7998866B2 (en) * | 2006-09-05 | 2011-08-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers |
CN101649162A (zh) | 2008-08-15 | 2010-02-17 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于化学机械研磨的抛光液 |
EP2587526A1 (en) | 2010-06-23 | 2013-05-01 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for polishing silicon carbide substrate and method for polishing silicon carbide substrate |
DE112012001891B4 (de) | 2011-04-26 | 2016-09-15 | Asahi Glass Company, Limited | Verfahren zum Polieren eines nicht-Oxid-Einkristallsubstrats |
JP5913839B2 (ja) | 2011-06-06 | 2016-04-27 | 株式会社ディスコ | 研磨方法 |
CN103857765B (zh) | 2011-10-07 | 2015-11-25 | 旭硝子株式会社 | 碳化硅单晶基板及研磨液 |
JP2014044982A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
US9259818B2 (en) * | 2012-11-06 | 2016-02-16 | Sinmat, Inc. | Smooth diamond surfaces and CMP method for forming |
CN104109480A (zh) * | 2013-04-18 | 2014-10-22 | 天津西美半导体材料有限公司 | 双面抛光机用蓝宝石衬底抛光液 |
EP3103851B1 (en) * | 2014-02-06 | 2022-05-18 | Asahi Kasei Kogyo Co., Ltd. | Polishing abrasive particle, production method therefor, polishing method, polishing device, and slurry |
JP6393228B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-09-19 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨物の製造方法 |
CN109392311B (zh) * | 2016-06-08 | 2023-08-15 | 三井金属矿业株式会社 | 研磨液和研磨物的制造方法 |
JP2018002847A (ja) | 2016-06-30 | 2018-01-11 | 大日本印刷株式会社 | 飛散防止フィルムおよび積層体 |
CN106398544A (zh) * | 2016-07-27 | 2017-02-15 | 清华大学 | 一种适用于氮化镓材料的cmp抛光组合物 |
EP3604475A4 (en) | 2017-03-23 | 2020-12-23 | Fujimi Incorporated | POLISHING COMPOSITION |
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-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1187427C (zh) * | 2001-04-27 | 2005-02-02 | 花王株式会社 | 研磨液组合物 |
US20150218709A1 (en) * | 2012-09-06 | 2015-08-06 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
TW201621024A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-06-16 | Fujimi Inc | 組成物 |
JP2017179221A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
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KR20200108022A (ko) | 2020-09-16 |
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US11339311B2 (en) | 2022-05-24 |
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CN111587279A (zh) | 2020-08-25 |
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WO2019138846A1 (ja) | 2019-07-18 |
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