DE10022649B4 - Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metalloxiden - Google Patents

Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metalloxiden Download PDF

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Abstract

Polierflüssigkeit, insbesondere für das Abtragen und/oder Strukturieren von Metalloxiden, insbesondere Iridiumoxid, durch chemisch-mechanisches Polieren, enthaltend
a) Wasser,
b) abrasive Partikel, und
c) zumindest ein Additiv aus der Gruppe umfassend Cholinhydroxid und Tetraalky-Phosphoniumsalze,
wobei die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 9,5 aufweist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Polierflüssigkeit, die beispielsweise für das Planarisieren und/oder Strukturieren von Metalloxidschichten auf einem Substrat durch einen chemisch-mechanischen Polierprozessschritt geeignet ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Planarisieren und/oder Strukturieren von Metalloxiden insbesondere Iridiumoxid.
  • Um die in einem Speicherkondensator einer Speicherzelle gespeicherte Ladung reproduzierbar auslesen zu können, sollte die Kapazität des Speicherkondensators mindestens einen Wert von etwa 30 fF besitzen. Gleichzeitig muß für die Entwicklung von DRAM Speicherzellen die laterale Ausdehnung des Kondensators ständig verkleinert werden, um weitere Erhöhungen der Speicherdichten erzielen zu können. Diese an sich gegenläufigen Anforderungen an den Kondensator der Speicherzelle führen zu einer immer komplexeren Strukturierung des Kondensators („Trench-Kondensatoren", „Stack-Kondensatoren", „Kronen-Kondensatoren"). Dementsprechend wird die Herstellung des Kondensators aufwendiger und damit immer teurer.
  • Ein anderer Weg, ausreichende Kapazitäten der Speicherkondensatoren zu gewährleisten, liegt in der Verwendung von Materialien mit sehr hoher Dielektrizitätskonstante zwischen den Kondensatorelektroden. In letzter Zeit werden daher anstatt des herkömmlichen Siliziumoxids/Siliziumnitrids neue Materialien, insbesondere hoch-ε Paraelektrika und Ferroelektrika, als Dielektrikum verwendet, die eine deutlich höhere relative Dielektrizitätskonstante (> 20) haben als das herkömmliche Siliziumoxid/Siliziumnitrid (< 8). Damit kann bei gleicher Kapazität die Kondensatorfläche und damit die benötigte Komplexität der Strukturierung des Kondensators deutlich vermindert werden. Wesentliche Vertreter dieser Materialien sind Bariumstrontiumtitanat (BST, (Ba,Sr)TiO3), Bleizirkonattitanat (PZT, Pb(Zr,Ti)O3) bzw. Lanthan-dotiertes Bleizirkonattitanat oder Strontiumwismuttantalat (SBT, SrBi2Ta2O9) zum Einsatz.
  • Neben herkömmlichen DRAM-Speicherbausteinen werden in Zukunft auch ferroelektrische Speicheranordnungen, sogenannte FRAM's, eine wichtige Rolle spielen. Ferroelektrische Speicheranordnungen besitzen gegenüber herkömmlichen Speicheranordnungen, wie beispielsweise DRAMs und SRAMs, den Vorteil, dass die gespeicherte Information auch bei einer Unterbrechung der Spannungs- bzw. Stromversorgung nicht verloren geht sondern gespeichert bleibt. Diese Nichtflüchtigkeit ferroelektrischer Speicheranordnungen beruht auf der Tatsache, dass bei ferroelektrischen Materialien die durch ein äußeres elektrisches Feld eingeprägte Polarisation auch nach Abschalten des äußeren elektrischen Feldes im wesentlichen beibehalten wird. Auch für ferroelektrische Speicheranordnungen kommen die bereits genannten neuen Materialien wie Bleizirkonattitanat (PZT, Pb(Zr,Ti)O3) bzw. Lanthan-dotiertes Bleizirkonattitanat oder Strontium-Bismut-Tantalat (SBT, SrBi2Ta2O9) zum Einsatz.
  • Leider bedingt die Verwendung der neuen Paraelektrika bzw. Ferroelektrika die Verwendung neuer Elektroden- und Barrierematerialien. Die neuen Paraelektrika bzw. Ferroelektrika werden üblicherweise auf bereits vorhandenen Elektroden (untere Elektrode) abgeschieden. Die Prozessierung erfolgt unter hohen Temperaturen, bei denen die Materialien, aus denen normalerweise die Kondensatorelektroden bestehen, so z.B. dotiertes Polysilizium, leicht oxidiert werden und ihre elektrisch leitenden Eigenschaften verlieren, was zum Ausfall der Speicherzelle führen würde.
  • Wegen ihrer guten Oxidationsbeständigkeit und/oder der Ausbildung elektrisch leitfähiger Oxide gelten 4d und 5d Übergangsmetalle, insbesondere Edelmetalle wie Ru, Rh, Pd, Os, Pt und insbesondere Ir bzw. IrO2, als aussichtsreiche Kandida ten, das dotierte Silizium/Polysilizium als Elektroden- und Barrierenmaterial ersetzen könnten.
  • Leider gehören die oben genannten, in integrierten Schaltungen neu eingesetzten Elektroden- und Barrierenmaterialien zu einer Klasse von Materialien, die sich nur schwer strukturieren lassen. Durch ihre chemische Inertheit sind sie nur schwer ätzbar, so dass der Ätzabtrag, auch bei der Verwendung „reaktiver" Gase, überwiegend oder fast ausschließlich auf dem physikalischen Anteil der Ätzung beruht. Beispielsweise wurde bisher Iridiumoxid in der Regel durch Trockenätzverfahren strukturiert. Ein wesentlicher Nachteil dieser Verfahren ist die durch den hohen physikalischen Anteil der Ätzung bedingte, fehlende Selektivität des Verfahrens. Dies hat zur Folge, dass durch die Erosion der Masken, die unvermeidlich geneigte Flanken haben, nur eine geringe Maßhaltigkeit der Strukturen gewährleistet werden kann. Darüber hinaus kommt es zu unerwünschten Redepositionen auf dem Substrat, auf der Maske oder in der genutzten Anlage.
  • Darüber hinaus erweisen sich diese Materialien auch bei der Verwendung von sogenannten CMP-Verfahren (chemical mechanical polishing) als äußerst widerstandsfähig. CMP-Standardverfahren zur Planarisierung und Strukturierung von Metalloberflächen existieren beispielsweise für Wolfram und Kupfer, sowie für die als Barriereschicht verwendeten Materialien wie Ti, TiN, Ta und TaN. Weiterhin Stand der Technik sind die CMP Prozesse zur Planarisierung von Polysilizium, Siliziumoxid und Siliziumnitrid. Die in diesen Verfahren verwendeten Polierflüssigkeiten sind jedoch nicht für das Abtragen von Edelmetallen geeignet. Das Problem eines CMP-Verfahrens für Edelmetalle und deren Oxide wie Pt, Ir oder IrO2 besteht wiederum in deren chemischen Inertheit und schweren Oxidierbarkeit.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Polierflüssigkeit bereitzustellen, die für die Planari sierung bzw. Strukturierung von Metalloxiden, insbesondere Iridiumoxid, eingesetzt werden kann und die eine hinreichend hohe Abtragsrate gewährleistet.
  • Diese Aufgabe wird von der Polierflüssigkeit gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst. Weiterhin wird ein Verfahren zur Planarisisierung und/oder Strukturieren einer Iridiumoxidschicht nach dem Patentanspruch 7 bereitgestellt. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen, Ausgestaltungen und Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen, der Beschreibung und den beiliegenden Zeichnungen.
  • Erfindungsgemäß wird eine Polierflüssigkeit, insbesondere für das Abtragen und/oder Strukturieren von Metalloxiden, insbesondere Iridiumoxid, durch chemisch-mechanisches Polieren, bereitgestellt, welche
    • a) Wasser,
    • b) abrasive Partikel, und
    • c) zumindest ein Additiv aus der Gruppe umfassend Cholinhydroxid und Tetraalky-Phosphoniumsalze enthält, und wobei die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 9,5 aufweist.
  • Es ist möglich, dass die Polierflüssigkeit zumindest ein Additiv aus der Gruppe der Phasen-Transferkatalysatoren, also eine Chemikalie, die eine chemische Reaktion zwischen Substanzen, die in verschiedenen Phasen zueinander stehen und allein nicht oder nur schwach reagieren können, in Gang setzt, enthält. Besonders geeignet als Additive sind erfindungsgemäß, N-(2-Hydroxyethyl)-trimethylammoniumhydroxid (Cholinhydroxid) oder Tetraalkyl-Phosphoniumsalz. Bevorzugt beträgt dabei der Anteil des Additivs an der Polierflüssigkeit zwischen 0,02 und 0,5 mol/l (Mol pro Liter).
  • Das Additiv erhöht beispielsweise die Polierrate an einer IrO2-Schicht (Aktivierung) und verringert sie an einer Silizumoxidschicht (Passivierung). Dies kann durch eine Adsorption der Additivmoleküle an der Oberfläche bewirkt werden. Ferner besteht die Möglichkeit der Adsorption der Additivmoleküle auf den Abrasivteilchen, so dass diese ihre Poliereigenschaften ändern können. Es besteht dabei ein direkter Zusammenhang zwischen der Konzentration des Additivs und den Abtragsraten von Siliziumoxid und Iridiumoxid, so dass durch Variation des Additivs in der Polierflüssigkeit nach Sorte und Konzentration die Polierrate auf dem Iridiumoxid und die Selektivität abgestimmt werden kann. Bei der Strukturierung einer IrO2-Schicht kann daher mit einer Siliziumoxidmaske gearbeitet werden, ohne dass diese bei dem CMP-Schritt signifikant abgetragen wird und wegen der Kantenschrägen ihre Maßgenauigkeit verliert. Die erfindungsgemäße Polierflüssigkeit besitzt darüber hinaus den Vorteil, dass die abrasiven Partikel in der Flüssigkeit suspendiert sind, ohne dass Stabilisatoren eingesetzt werden müssen.
  • Bevorzugt sind die Partikel in der Polierflüssigkeit Nanopartikel, also Partikel mit einem mittleren Durchmesser kleiner als etwa 1 μm. Bevorzugt bestehen die Partikel aus Aluminiumoxid, Siliziumoxid, CeO oder TiO2. Weiterhin ist es bevorzugt, wenn der Anteil der abrasiven Partikel an Polierflüssigkeit zwischen 1 und 30 Gewichtsprozent beträgt.
  • Es wird auch ein Verfahren zur Planarisisierung und/oder Strukturieren einer Iridiumoxidschicht, bereitgestellt, das die folgenden Schritte aufweist:
    • a) ein Substrat wird bereitgestellt,
    • b) eine Metalloxidschicht wird aufgebracht,
    • c) eine Polierflüssigkeit aus der Gruppe der Phasen-Transferkatalysatoren wird bereitgestellt,
    • d) die Metalloxidschicht wird durch den chemisch-mechanischen Polierschritt mit Hilfe der Polierflüssigkeit planarisiert und/oder strukturiert.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den Vorteil, dass Elektroden und Barriereschichten für hochintegrierte DRAM's auch aus Metalloxiden, wie Iridiumoxid, mittels CMP-Schritten und ohne Trockenätzschritt strukturiert werden können. Durch die Konzentration des Phasen-Transferkatalysators in der Polierflüssigkeit kann man ferner die Selektivität von Iridiumoxid und Siliziumoxid so hoch einstellen, dass das Abtragen durch den chemisch-mechanischen Poliervorgang nahezu beendet ist, sobald die Maskenoberfläche aus Siliziumoxid erreicht worden ist. Beendet man zu diesem Zeitpunkt den CMP-Prozess, erhält man die zu strukturierende Iridiumoxidschicht so, wie sie von der Maskenoberfläche vorgegeben ist. Geometrieverzerrungen durch chemisch oder mechanisch angegriffene Siliziumoxidmasken werden dadurch weitgehend ausgeschlossen.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren näher dargestellt. Es zeigen:
  • 1-7 ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Strukturierung einer Iridiumoxidschicht.
  • 1-7 zeigen die Prozeßschritte einer Ausführung des Verfahrens zur Strukturierung einer Iridiumoxidschicht mit Hilfe des CMP-Prozesses für die Herstellung einer Barriereschicht für DRAM/FeRAM Speicherkondensatoren.
  • Zunächst wird ein Siliziumsubstrat 1 mit bereits fertiggestellten Feldeffekttransistoren 4 bereitgestellt, die jeweils zwei Diffusionszonen 2 und ein Gate 3 aufweisen (1). Während die Diffusionszonen zusammen mit dem Transistorkanal an der Oberfläche des Substrats angeordnet sind, ist das Gate 3 über ein Gateoxid von dem Kanal getrennt. Über das Gate 3 läßt sich die Leitfähigkeit des Transistorkanals zwischen den beiden Diffisionszonen steuern. Die Transistoren bilden zusammen mit den noch herzustellenden Speicherkondensatoren jeweils einer binären Speicherzelle. Die Transistoren 4 werden nach den dem Stand der Technik bekannten Verfahren hergestellt, die hier nicht näher erläutert werden.
  • Auf das Siliziumsubstrat 1 mit den Transistoren 4 wird eine isolierende Schicht 5, beispielweise eine SiO2-Schicht aufgebracht. In Abhängigkeit des für die Herstellung der Transistoren 4 verwendeten Verfahrens können auch mehrere isolierende Schichten aufgebracht werden. Die sich daraus ergebende Struktur ist in 1 gezeigt.
  • Anschließend werden durch eine Phototechnik die Kontaktlöcher 6 erzeugt. Diese Kontaktlöcher stellen eine Verbindung zwischen den Transistoren 4 und den noch zu erzeugenden Speicherkondensatoren her. Die Kontaktlöcher 6 werden beispielsweise durch eine anisotrope Ätzung mit fluorhaltigen Gasen erzeugt. Die sich daraus ergebende Struktur ist in 2 gezeigt.
  • Nachfolgend wird ein leitfähiges Material 7, beispielsweise insitu dotiertes Polysilizium, auf die Struktur aufgebracht. Dies kann beispielsweise durch ein CVD-Verfahren geschehen. Durch das Aufbringen des leitfähigen Materials 7 werden die Kontaktlöcher 6 vollständig ausgefüllt und es entsteht eine zusammenhängende leitfähige Schicht auf der isolierenden Schicht 5 (3). Anschließend folgt ein CMP-Schritt (Chemical Mechanical Polishing), der die zusammenhängende Schicht auf der Oberfläche der isolierenden Schicht entfernt und eine ebene Oberfläche erzeugt. Zurück bleibt nur noch das Polysilizium in den Kontaktlöchern (4).
  • Im weiteren werden auf photolithographischem Weg Vertiefungen in die isolierende Schicht 5, überlappend mit den Kontaktlöchern, geätzt (5). Dementsprechend ist Schritt a) des erfindungsgemäßen Verfahrens abgeschlossen, ein Substrat wurde bereitgestellt. Außerdem wirkt die isolierende Schicht 5 mit den Vertiefungen wie eine Maske zur Strukturierung der noch zu erzeugenden Iridiumoxid-Barriere.
  • Um diese Vertiefungen im Siliziumoxid 5 mit IrO2 als Barrierematerial aufzufüllen, wird eine IrO2-Schicht 8 zunächst ganzflächig auf dem Substrat abgeschieden. Die Erzeugung der IrO2-Schicht 8 kann beispielsweise durch ein Sputtern von Iridium in einer Sauerstoffatmosphäre erfolgen. Es folgt nun der CMP-Schritt mit einer erfindungsgemäßen Polierflüssigkeit, mit dem die IrO2-Schicht 8 bis zur isolierenden Schicht 5, die als Maske dient, abgetragen wird (7). Auf diese Weise werden die Barrieren oberhalb der Polysiliumplugs erzeugt. Nach der Erzeugung der Barriere werden die untere Elektrode, die dielektrische/ferroelktrische Schicht und die obere Elektrode erzeugt (nicht gezeigt). Dementsprechend ist eine Speicherzelle mit einem Auswahltransistor und einem Speicherkondensator fertiggestellt. Nachfolgend können in bekannter Weise die Metallisierung und die Passivierung des Bauteils erzeugt werden.
  • Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Polierflüssigkeiten beschrieben.
  • Ausführungsbeispiel 1:
  • Es wurden wässrige Suspensionen von SiO2 Nanopartikeln in einer ammoniakalischen Lösung vorbereitet. Der Anteil der SiO2 Nanopartikel betrug dabei zwischen 20 und 30 Gewichtsprozent der Suspension. Der pH-Wert der Suspension lag zwischen 9,5 und 10. Derartige Suspensionen sind beispielsweise unter der Bezeichnung Klebosol 30N50 kommerziell erhältlich. Nachfolgend wurde der Suspension Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) in einer Konzentration von 0,05 bis 0,5 mol/l hinzugeben.
  • Figure 00090001
  • Durch die Zugabe von TMAH stieg der pH-Wert der Suspension auf Werte zwischen 10 und 13. Darüber hinaus wurden der Suspension keine Stabilisatoren oder Oxidizer zugegeben.
  • Tabelle 1 zeigt eine Meßreihe, aus der sich die Abtragsraten der Polierflüssigkeit auf einer Siliziumoxidschicht und einer Iridiumoxidschicht in Abhängigkeit der Konzentration von Tetramethylammoniumhydroxid ergibt. Bei steigender Konzentration von Tetramethylammoniumhydroxid steigt die Abtragrate des Iridiumoxids an während die Abtragrate des TEOS-Siliziumoxids fällt. Mit steigender Konzentration von Tetramethylammoniumhydroxid kann man also sowohl eine erhöhte Abtragsrate von Iridiumoxid als auch eine erhöhte Selektivität des Abtrags erreichen, wodurch eine formgenaue Strukturierung einer Iridiumoxidschicht durch eine Siliziumoxidmaske möglich wird. Bei einer Konzentration von 161 mmol/ltr erhält man schließlich eine Selektivität von 142:16. Tabelle 1
    Additiv PH-Wert Konzentration (mmol/ltr) Abtragsrate SiO2 (TEOS) (nm/min) Abtragsrate IrO2 (nm/min)
    TMAH 10.0 0 380 5
    TMAH 11.0 41,2 287 65
    TMAH 12.0 67 46 123
    TMAH 12.7 161 16 142
  • Ausführungsbeispiel 2:
  • Es wurde eine wässrige Suspension von SiO2 Nanopartikel in einer ammoniakalischer Lösung vorbereitet. Der Anteil der SiO2 Nanopartikel betrug dabei zwischen 20 und 30 Gewichtsprozent der Suspension. Der pH-Wert der Suspension lag zwischen 9,5 und 10. Nachfolgend wurde der Suspension N-(2-Hydroxyethyl)-trimethylammoniumhydroxid (Cholinhydroxid) in einer Konzentration von 66 mmol/l hinzugeben.
  • Figure 00100001
  • Durch die Zugabe von N-(2-Hydroxyethyl)-trimethylammoniumhydroxid stieg der pH-Wert der Suspension auf einen Wert von 11,5. Darüber hinaus wurden der Suspension keine Stabilisatoren oder Oxidizer zugegeben.
  • Tabelle 2 zeigt eine Messung, aus der sich die Abtragsraten der so hergestellten Polierflüssigkeit auf einer Siliziumoxidschicht und einer Iridiumoxidschicht ergibt. Tabelle 2
    Additiv PH-Wert Konzentration (mmol/ltr) Abtragsrate SiO2 (TEOS) (nm/min) Abtragsrate IrO2 (nm/min)
    Cholin 10.0 0 380 5
    Cholin 11.5 66 12 63
  • Vergleichsbeispiel:
  • Es wurde wiederum eine wässrige Suspension von SiO2 Nanopartikel in einer ammoniakalischer Lösung vorbereitet. Der Anteil der SiO2 Nanopartikel betrug dabei zwischen 20 und 30 Gewichtsprozent der Suspension. Der pH-Wert der Suspension lag zwischen 9,5 und 10. Nachfolgend wurde der Suspension Kaliumhydroxid (KOH) in einer Konzentration von 80 mmol/l hinzugeben. Durch die Zugabe von KOH stieg der ph-Wert der Suspension auf einen Wert von 11,3. Darüber hinaus wurden der Suspension keine Stabilisatoren oder Oxidizer zugegeben.
  • Tabelle 3 zeigt eine Messung, aus der sich die Abtragsraten der so hergestellten Polierflüssigkeit auf einer Siliziumoxidschicht und einer Iridiumoxidschicht ergibt. Tabelle 3
    Additiv PH-Wert Konzentration (mmol/ltr) Abtragsrate SiO2 (TEOS) (nm/min) Abtragsrate IrO2 (nm/min)
    KOH 10.0 0 380 5
    KOH 11.3 80 461 ≈ 0
  • Aus Tabelle 3 erkennt man, dass die Erhöhung des pH-Werts allein, bedingt durch die Zugabe von KOH, die Abtragsrate von Iridiumoxid nicht erhöht. Im Gegenteil durch die Zugabe von KOH sinkt die Abtragsrate von Iridiumoxid unter die Meßgrenze. Dagegen wird die Abtragsrate von Siliziumoxid erhöht. Die Erhöhung des pH-Werts ohne die erfindungsgemäße Zugabe des Additivs hat somit nicht den gewünschten Erfolg.
  • Ausführungsbeispiel 3:
  • Es wurden wässrige Suspensionen von Al2O3 Nanopartikel vorbereitet. Der Anteil der Al2O3 Nanopartikel betrug dabei zwischen 1 und 5 Gewichtsprozent der Suspension. Derartige Al2O3 Nanopartikel sind beispielsweise als Aluminiumoxid Pulver Typ CR 30 von der Firma Baikowsky kommerziell erhältlich. Nachfolgend wurde der Suspension Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) in einer Konzentration von 0,05 bis 0,5 mol/l hinzugeben. Durch die Zugabe von TMAH stieg der pH-Wert der Suspension auf Werte zwischen 10 und 13. Darüber hinaus wurden der Suspension keine Stabilisatoren oder Oxidizer zugegeben.
  • Tabelle 4 zeigt eine Messung mit TMAH als Additiv. Wiederum erhöht TMAH die Abtragrate von Iridiumoxid und senkt sie für Siliziumoxid. Bei einer Konzentration von 140 mmol/ltr erreicht man eine Selektivität von größer als 180:5. Tabelle 4
    Additiv PH-Wert Konzentration (mmol/ltr) Abtragsrate SiO2 (TEOS) nm/min Abtragsrate Iridiumdioxid (nm/min)
    TMAH 7,2 0 10
    TMAH 13 140 5 > 180
    • 1
    Siliziumsubstrat
    2
    Diffusionsgebiet
    3
    Gateelektrode
    4
    Auswahltransistor
    5
    SiO2-Schicht
    6
    Kontaktloch
    7
    Polysiliziumschicht
    8
    Barriere

Claims (16)

  1. Polierflüssigkeit, insbesondere für das Abtragen und/oder Strukturieren von Metalloxiden, insbesondere Iridiumoxid, durch chemisch-mechanisches Polieren, enthaltend a) Wasser, b) abrasive Partikel, und c) zumindest ein Additiv aus der Gruppe umfassend Cholinhydroxid und Tetraalky-Phosphoniumsalze, wobei die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 9,5 aufweist.
  2. Polierflüssigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Partikel kleiner als etwa 1 μm ist.
  3. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel aus Aluminiumoxid, Siliziumoxid, CeO oder TiO2 bestehen.
  4. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der abrasiven Partikel an Polierflüssigkeit zwischen 1 und 30 Gewichtsprozent beträgt.
  5. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Additivs c) an Polierflüssigkeit zwischen 0,02 und 0,5 mol/l beträgt.
  6. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 10 aufweist.
  7. Verfahren zur Planarisisierung und/oder Strukturierung einer Iridiumoxidschicht, mit den folgenden Schritten: a) ein Substrat wird bereitgestellt, b) eine Metalloxidschicht wird aufgebracht, c) eine Polierflüssigkeit umfassend c1) Wasser, c2) abrasive Partikel, und c3) zumindest ein Additiv aus der Gruppe der Phasen-Transferkatalysatoren wird bereitgestellt, wobei die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 9,5 aufweist, d) die Metalloxidschicht wird durch den chemisch-mechanischen Polierschritt mit Hilfe der Polierflüssigkeit planarisiert und/oder strukturiert.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der Iridiumoxidschicht eine Maske, bevorzugt aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, auf das Substrat aufgebracht wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Partikel kleiner als etwa 1 μm ist.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel aus Aluminiumoxid, Siliziumoxid, CeO oder TiO2 bestehen.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der abrasiven Partikel an Polierflüssigkeit zwischen 1 und 30 Gewichtsprozent beträgt.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Phasen-Transferkatalysators an Polierflüssigkeit zwischen 0,02 und 0,5 mol/l beträgt.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit Tetramethylammoniumhydroxid enthält.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit Cholinhydroxid enthält.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit zumindest ein Tetraalkyl-Phosphoniumsalz als Phasen-Transferkatalysator enthält.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 10 aufweist.
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