DE10022649A1 - Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metalloxiden - Google Patents

Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metalloxiden

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Abstract

Die Erfindung beschreibt eine Polierflüssigkeit für einen chemisch-mechanischen Polier-Prozessschritt, die zumindest ein Additiv aus der Gruppe der Phasen-Transferkatalysatoren enthält, mit dem die Abtragrate für Metalloxidschichten, insbesondere Iridiumoxid, erhöht werden kann. Durch das Additiv kann weiterhin das Abtragsratenverhältnis von Iridiumoxid zu Siliziumoxid, also die Selektivität, erhöht werden, was die Strukturierung von Iridiumoxidschichten mit Hilfe einer Oxidmaske und einem CMP-Prozess ermöglicht.

Description

Die Erfindung betrifft eine Polierflüssigkeit, die beispiels­ weise für das Planarisieren und/oder Strukturieren von Me­ talloxidschichten auf einem Substrat durch einen chemisch-me­ chanischen Polierprozessschritt geeignet ist. Weiterhin be­ trifft die Erfindung ein Verfahren zum Planarisieren und/oder Strukturieren von Metalloxiden insbesondere Iridiumoxid.
Um die in einem Speicherkondensator einer Speicherzelle ge­ speicherte Ladung reproduzierbar auslesen zu können, sollte die Kapazität des Speicherkondensators mindestens einen Wert von etwa 30 fF besitzen. Gleichzeitig muß für die Entwicklung von DRAM Speicherzellen die laterale Ausdehnung des Kondensa­ tors ständig verkleinert werden, um weitere Erhöhungen der Speicherdichten erzielen zu können. Diese an sich gegenläufi­ gen Anforderungen an den Kondensator der Speicherzelle führen zu einer immer komplexeren Strukturierung des Kondensators ("Trench-Kondensatoren", "Stack-Kondensatoren", "Kronen-Kon­ densatoren"). Dementsprechend wird die Herstellung des Kon­ densators aufwendiger und damit immer teurer.
Ein anderer Weg, ausreichende Kapazitäten der Speicherkonden­ satoren zu gewährleisten, liegt in der Verwendung von Materi­ alien mit sehr hoher Dielektrizitätskonstante zwischen den Kondensatorelektroden. In letzter Zeit werden daher anstatt des herkömmlichen Siliziumoxids/ Siliziumnitrids neue Materi­ alien, insbesondere hoch-ε Paraelektrika und Ferroelektrika, als Dielektrikum verwendet, die eine deutlich höhere relative Dielektrizitätskonstante (< 20) haben als das herkömmliche Siliziumoxid/Siliziumnitrid (< 8). Damit kann bei gleicher Kapazität die Kondensatorfläche und damit die benötigte Kom­ plexität der Strukturierung des Kondensators deutlich vermin­ dert werden. Wesentliche Vertreter dieser Materialien sind Bariumstrontiumtitanat (BST, (Ba, Sr)TiO3), Bleizirkonattita­ nat (PZT, Pb(Zr,Ti)03) bzw. Lanthan-dotiertes Bleizirkonat­ titanat oder Strontiumwismuttantalat (SBT, SrBi2Ta209) zum Einsatz.
Neben herkömmlichen DRAM-Speicherbausteinen werden in Zukunft auch ferroelektrische Speicheranordnungen, sogenannte FRAM's, eine wichtige Rolle spielen. Ferroelektrische Speicheranord­ nungen besitzen gegenüber herkömmlichen Speicheranordnungen, wie beispielsweise DRAMs und SRAMs, den Vorteil, dass die ge­ speicherte Information auch bei einer Unterbrechung der Span­ nungs- bzw. Stromversorgung nicht verloren geht sondern ge­ speichert bleibt. Diese Nichtflüchtigkeit ferroelektrischer Speicheranordnungen beruht auf der Tatsache, dass bei ferro­ elektrischen Materialien die durch ein äußeres elektrisches Feld eingeprägte Polarisation auch nach Abschalten des äuße­ ren elektrischen Feldes im wesentlichen beibehalten wird. Auch für ferroelektrische Speicheranordnungen kommen die be­ reits genannten neuen Materialien wie Bleizirkonattitanat (PZT, Pb(Zr,Ti)O3) bzw. Lanthan-dotiertes Bleizirkonattitanat oder Strontium-Bismut-Tantalat (SBT, SrBi2Ta209) zum Einsatz.
Leider bedingt die Verwendung der neuen Paraelektrika bzw. Ferroelektrika die Verwendung neuer Elektroden- und Barriere­ materialien. Die neuen Paraelektrika bzw. Ferroelektrika wer­ den üblicherweise auf bereits vorhandenen Elektroden (untere Elektrode) abgeschieden. Die Prozessierung erfolgt unter ho­ hen Temperaturen, bei denen die Materialien, aus denen norma­ lerweise die Kondensatorelektroden bestehen, so z. B. do­ tiertes Polysilizium, leicht oxidiert werden und ihre elekt­ risch leitenden Eigenschaften verlieren, was zum Ausfall der Speicherzelle führen würde.
Wegen ihrer guten Oxidationsbeständigkeit und/oder der Aus­ bildung elektrisch leitfähiger Oxide gelten 4d und 5d Über­ gangsmetalle, insbesondere Edelmetalle wie Ru, Rh, Pd, Os, Pt und insbesondere Ir bzw. IrO2, als aussichtsreiche Kandida­ ten, das dotierte Silizium/Polysilizium als Elektroden- und Barrierenmaterial ersetzen könnten.
Leider gehören die oben genannten, in integrierten Schaltun­ gen neu eingesetzten Elektroden- und Barrierenmaterialien zu einer Klasse von Materialien, die sich nur schwer strukturie­ ren lassen. Durch ihre chemische Inertheit sind sie nur schwer ätzbar, so dass der Ätzabtrag, auch bei der Verwendung "reaktiver" Gase, überwiegend oder fast ausschließlich auf dem physikalischen Anteil der Ätzung beruht. Beispielsweise wurde bisher Iridiumoxid in der Regel durch Trockenätzverfah­ ren strukturiert. Ein wesentlicher Nachteil dieser Verfahren ist die durch den hohen physikalischen Anteil der Ätzung be­ dingte, fehlende Selektivität des Verfahrens. Dies hat zur Folge, dass durch die Erosion der Masken, die unvermeidlich geneigte Flanken haben, nur eine geringe Maßhaltigkeit der Strukturen gewährleistet werden kann. Darüber hinaus kommt es zu unerwünschten Redepositionen auf dem Substrat, auf der Maske oder in der genutzten Anlage.
Darüber hinaus erweisen sich diese Materialien auch bei der Verwendung von sogenannten CMP-Verfahren (chemical mechanical polishing) als äußerst widerstandsfähig. CMP-Standardverfah­ ren zur Planarisierung und Strukturierung von Metalloberflä­ chen existieren beispielsweise für Wolfram und Kupfer, sowie für die als Barriereschicht verwendeten Materialien wie Ti, TiN, Ta und TaN. Weiterhin Stand der Technik sind die CMP Prozesse zur Planarisierung von Polysilizium, Siliziumoxid und Siliziumnitrid. Die in diesen Verfahren verwendeten Po­ lierflüssigkeiten sind jedoch nicht für das Abtragen von Edelmetallen geeignet. Das Problem eines CMP-Verfahrens für Edelmetalle und deren Oxide wie Pt, Ir oder IrO2 besteht wie­ derum in deren chemischen Inertheit und schweren Oxidierbar­ keit.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Polierflüssigkeit bereitzustellen, die für die Planari­ sierung bzw. Strukturierung von Metalloxiden, insbesondere Iridiumoxid, eingesetzt werden kann und die eine hinreichend hohe Abtragsrate gewährleistet.
Diese Aufgabe wird von der Polierflüssigkeit gemäß dem Pa­ tentanspruch 1 gelöst. Weiterhin wird ein Verfahren zur Pla­ narisisierung und/oder Strukturieren einer Metalloxidschicht nach dem Patentanspruch 11 bereitgestellt. Weitere vorteil­ hafte Ausführungsformen, Ausgestaltungen und Aspekte der vor­ liegenden Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentan­ sprüchen, der Beschreibung und den beiliegenden Zeichnungen.
Erfindungsgemäß wird eine Polierflüssigkeit, insbesondere für das Abtragen und/oder Strukturieren von Metalloxiden, insbe­ sondere Iridiumoxid, durch chemisch-mechanisches Polieren, bereitgestellt, welche
  • a) Wasser,
  • b) abrasive Partikel, und
  • c) zumindest ein Additiv aus der Gruppe der Phasen-Trans­ ferkatalysatoren enthält, und
wobei die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 9,5 aufweist.
Erfindungsgemäß enthält die Polierflüssigkeit zumindest ein Additiv aus der Gruppe der Phasen-Transferkatalysatoren, also eine Chemikalie, die eine chemische Reaktion zwischen Sub­ stanzen, die in verschiedenen Phasen zueinander stehen und allein nicht oder nur schwach reagieren können, in Gang setzt. Besonders geeignet als Additive sind quartäre Ammo­ nium-, Phosphonium- und andere Onium-Verbindungen mit großvo­ lumigen organischen Resten (z. B. Alkylreste). Als Vertreter der quartären Ammoniumverbindungen sind insbesondere Tetra­ methylammoniumhydroxid (TMAH) oder N-(2-Hydroxyethyl)-tri­ methylammoniumhydroxid (Cholinhydroxid) geeignet. Weiterhin ist es bevorzugt, ein Tetraalkyl-Phosphoniumsalz als Additiv einzusetzen. Bevorzugt beträgt dabei der Anteil des Additivs an der Polierflüssigkeit zwischen 0,02 und 0,5 mol/l (Mol pro Liter).
Das Additiv erhöht beispielsweise die Polierrate an einer IrO2-Schicht (Aktivierung) und verringert sie an einer Sili­ zumoxidschicht (Passivierung). Dies kann durch eine Adsorp­ tion der Additivmoleküle an der Oberfläche bewirkt werden. Ferner besteht die Möglichkeit der Adsorption der Additivmo­ leküle auf den Abrasivteilchen, so dass diese ihre Polierei­ genschaften ändern können. Es besteht dabei ein direkter Zu­ sammenhang zwischen der Konzentration des Additivs und den Abtragsraten von Siliziumoxid und Iridiumoxid, so dass durch Variation des Additivs in der Polierflüssigkeit nach Sorte und Konzentration die Polierrate auf dem Iridiumoxid und die Selektivität abgestimmt werden kann. Bei der Strukturierung einer IrO2-Schicht kann daher mit einer Siliziumoxidmaske ge­ arbeitet werden, ohne dass diese bei dem CMP-Schritt signifi­ kant abgetragen wird und wegen der Kantenschrägen ihre Maßge­ nauigkeit verliert. Die erfindungsgemäße Polierflüssigkeit besitzt darüber hinaus den Vorteil, dass die abrasiven Parti­ kel in der Flüssigkeit suspendiert sind, ohne dass Stabilisa­ toren eingesetzt werden müssen.
Bevorzugt sind die Partikel in der Polierflüssigkeit Nanopar­ tikel, also Partikel mit einem mittleren Durchmesser kleiner als etwa 1 µm. Bevorzugt bestehen die Partikel aus Aluminium­ oxid, Siliziumoxid, CeO oder TiO2. Weiterhin ist es bevor­ zugt, wenn der Anteil der abrasiven Partikel an Polierflüs­ sigkeit zwischen 1 und 30 Gewichtsprozent beträgt.
Erfindungsgemäß wird auch ein Verfahren zur Planarisisierung und/oder Strukturieren einer Metalloxidschicht, insbesondere einer Iridiumoxidschicht, bereitgestellt, das die folgenden Schritte aufweist:
  • a) ein Substrat wird bereitgestellt,
  • b) eine Metalloxidschicht wird aufgebracht,
  • c) eine erfindungsgemäße Polierflüssigkeit wird bereitge­ stellt,
  • d) die Metalloxidschicht wird durch den chemisch-mechani­ schen Polierschritt mit Hilfe der Polierflüssigkeit planarisiert und/oder strukturiert.
Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den Vorteil, dass Elektroden und Barriereschichten für hochintegrierte DRAM's auch aus Metalloxiden, wie Iridiumoxid, mittels CMP-Schritten und ohne Trockenätzschritt strukturiert werden können. Durch die Konzentration des Phasen-Transferkatalysators in der Po­ lierflüssigkeit kann man ferner die Selektivität von Iridium­ oxid und Siliziumoxid so hoch einstellen, dass das Abtragen durch den chemisch-mechanischen Poliervorgang nahezu beendet ist, sobald die Maskenoberfläche aus Siliziumoxid erreicht worden ist. Beendet man zu diesem Zeitpunkt den CMP-Prozess, erhält man die zu strukturierende Iridiumoxidschicht so, wie sie von der Maskenoberfläche vorgegeben ist. Geometrieverzer­ rungen durch chemisch oder mechanisch angegriffene Silizium­ oxidmasken werden dadurch weitgehend ausgeschlossen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren näher dar­ gestellt. Es zeigen:
Fig. 1-7 ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Strukturierung einer Iridiumoxidschicht.
Fig. 1-7 zeigen die Prozeßschritte einer Ausführung des Verfahrens zur Strukturierung einer Iridiumoxidschicht mit Hilfe des CMP-Prozesses für die Herstellung einer Barriere­ schicht für DRAM/FeRAM Speicherkondensatoren.
Zunächst wird ein Siliziumsubstrat 1 mit bereits fertigge­ stellten Feldeffekttransistoren 4 bereitgestellt, die jeweils zwei Diffusionszonen 2 und ein Gate 3 aufweisen (Fig. 1). Wäh­ rend die Diffusionszonen zusammen mit dem Transistorkanal an der Oberfläche des Substrats angeordnet sind, ist das Gate 3 über ein Gateoxid von dem Kanal getrennt. Über das Gate 3 läßt sich die Leitfähigkeit des Transistorkanals zwischen den beiden Diffisionszonen steuern. Die Transistoren bilden zu­ sammen mit den noch herzustellenden Speicherkondensatoren je­ weils einer binären Speicherzelle. Die Transistoren 4 werden nach den dem Stand der Technik bekannten Verfahren herge­ stellt, die hier nicht näher erläutert werden.
Auf das Siliziumsubstrat 1 mit den Transistoren 4 wird eine isolierende Schicht 5, beispielweise eine SiO2-Schicht aufge­ bracht. In Abhängigkeit des für die Herstellung der Transis­ toren 4 verwendeten Verfahrens können auch mehrere isolie­ rende Schichten aufgebracht werden. Die sich daraus erge­ bende Struktur ist in Fig. 1 gezeigt.
Anschließend werden durch eine Phototechnik die Kontaktlöcher 6 erzeugt. Diese Kontaktlöcher stellen eine Verbindung zwi­ schen den Transistoren 4 und den noch zu erzeugenden Spei­ cherkondensatoren her. Die Kontaktlöcher 6 werden beispiels­ weise durch eine anisotrope Ätzung mit fluorhaltigen Gasen erzeugt. Die sich daraus ergebende Struktur ist in Fig. 2 ge­ zeigt.
Nachfolgend wird ein leitfähiges Material 7, beispielsweise insitu dotiertes Polysilizium, auf die Struktur aufgebracht. Dies kann beispielsweise durch ein CVD-Verfahren geschehen. Durch das Aufbringen des leitfähigen Materials 7 werden die Kontaktlöcher 6 vollständig ausgefüllt und es entsteht eine zusammenhängende leitfähige Schicht auf der isolierenden Schicht 5 (Fig. 3). Anschließend folgt ein CMP-Schritt (Che­ mical Mechanical Polishing), der die zusammenhängende Schicht auf der Oberfläche der isolierenden Schicht entfernt und eine ebene Oberfläche erzeugt. Zurück bleibt nur noch das Polysi­ lizium in den Kontaktlöchern (Fig. 4).
Im weiteren werden auf photolithographischem Weg Vertiefungen in die isolierende Schicht 5, überlappend mit den Kontaktlö­ chern, geätzt (Fig. 5). Dementsprechend ist Schritt a) des erfindungsgemäßen Verfahrens abgeschlossen, ein Substrat wurde bereitgestellt. Außerdem wirkt die isolierende Schicht 5 mit den Vertiefungen wie eine Maske zur Strukturierung der noch zu erzeugenden Iridiumoxid-Barriere.
Um diese Vertiefungen im Siliziumoxid 5 mit IrO2 als Barrie­ rematerial aufzufüllen, wird eine IrO2-Schicht 8 zunächst ganzflächig auf dem Substrat abgeschieden. Die Erzeugung der IrO2-Schicht 8 kann beispielsweise durch ein Sputtern von Iridium in einer Sauerstoffatmosphäre erfolgen. Es folgt nun der CMP-Schritt mit einer erfindungsgemäßen Polierflüssig­ keit, mit dem die IrO2-Schicht 8 bis zur isolierenden Schicht 5, die als Maske dient, abgetragen wird (Fig. 7). Auf diese Weise werden die Barrieren oberhalb der Polysiliumplugs er­ zeugt. Nach der Erzeugung der Barriere werden die untere Elektrode, die dielektrische/ferroelktrische Schicht und die obere Elektrode erzeugt (nicht gezeigt). Dementsprechend ist eine Speicherzelle mit einem Auswahltransistor und einem Speicherkondensator fertiggestellt. Nachfolgend können in be­ kannter Weise die Metallisierung und die Passivierung des Bauteils erzeugt werden.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der erfindungsgemä­ ßen Polierflüssigkeiten beschrieben.
Ausführungsbeispiel 1
Es wurden wässrige Suspensionen von SiO2 Nanopartikeln in ei­ ner ammoniakalischen Lösung vorbereitet. Der Anteil der SiO2 Nanopartikel betrug dabei zwischen 20 und 30 Gewichtsprozent der Suspension. Der pH-Wert der Suspension lag zwischen 9,5 und 10. Derartige Suspensionen sind beispielsweise unter der Bezeichnung Klebosol 30N50 kommerziell erhältlich. Nachfol­ gend wurde der Suspension Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) in einer Konzentration von 0,05 bis 0,5 mol/l hinzugeben.
Durch die Zugabe von TMAH stieg der pH-Wert der Suspension auf Werte zwischen 10 und 13. Darüber hinaus wurden der Sus­ pension keine Stabilisatoren oder Oxidizer zugegeben.
Tabelle 1 zeigt eine Meßreihe, aus der sich die Abtragsraten der Polierflüssigkeit auf einer Siliziumoxidschicht und einer Iridiumoxidschicht in Abhängigkeit der Konzentration von Tetramethylammoniumhydroxid ergibt. Bei steigender Konzentra­ tion von Tetramethylammoniumhydroxid steigt die Abtragrate des Iridiumoxids an während die Abtragrate des TEOS-Silizium­ oxids fällt. Mit steigender Konzentration von Tetramethylam­ moniumhydroxid kann man also sowohl eine erhöhte Abtragsrate von Iridiumoxid als auch eine erhöhte Selektivität des Ab­ trags erreichen, wodurch eine formgenaue Strukturierung einer Iridiumoxidschicht durch eine Siliziumoxidmaske möglich wird. Bei einer Konzentration von 161 mmol/ltr erhält man schließ­ lich eine Selektivität von 142 : 16.
Tabelle 1
Ausführungsbeispiel 2
Es wurde eine wässrige Suspension von SiO2 Nanopartikel in einer ammoniakalischer Lösung vorbereitet. Der Anteil der SiO2 Nanopartikel betrug dabei zwischen 20 und 30 Gewichts­ prozent der Suspension. Der pH-Wert der Suspension lag zwi­ schen 9,5 und 10. Nachfolgend wurde der Suspension N-(2- Hydroxyethyl)-trimethylammoniumhydroxid (Cholinhydroxid) in einer Konzentration von 66 mmol/l hinzugeben.
Durch die Zugabe von N-(2-Hydroxyethyl)-trimethylammonium­ hydroxid stieg der pH-Wert der Suspension auf einen Wert von 11,5. Darüber hinaus wurden der Suspension keine Stabilisato­ ren oder Oxidizer zugegeben.
Tabelle 2 zeigt eine Messung, aus der sich die Abtragsraten der so hergestellten Polierflüssigkeit auf einer Silizium­ oxidschicht und einer Iridiumoxidschicht ergibt.
Tabelle 2
Vergleichsbeispiel
Es wurde wiederum eine wässrige Suspension von SiO2 Nanopar­ tikel in einer ammoniakalischer Lösung vorbereitet. Der An­ teil der SiO2 Nanopartikel betrug dabei zwischen 20 und 30 Gewichtsprozent der Suspension. Der pH-Wert der Suspension lag zwischen 9,5 und 10. Nachfolgend wurde der Suspension Ka­ liumhrydroxid (KOH) in einer Konzentration von 80 mmol/l hin­ zugeben. Durch die Zugabe von KOH stieg der ph-Wert der Sus­ pension auf einen Wert von 11,3. Darüber hinaus wurden der Suspension keine Stabilisatoren oder Oxidizer zugegeben.
Tabelle 3 zeigt eine Messung, aus der sich die Abtragsraten der so hergestellten Polierflüssigkeit auf einer Silizium­ oxidschicht und einer Iridiumoxidschicht ergibt.
Tabelle 3
Aus Tabelle 3 erkennt man, dass die Erhöhung des pH-Werts al­ lein, bedingt durch die Zugabe von KOH, die Abtragsrate von Iridiumoxid nicht erhöht. Im Gegenteil durch die Zugabe von KOH sinkt die Abtragsrate von Iridiumoxid unter die Meßgrenze. Dagegen wird die Abtragsrate von Siliziumoxid er­ höht. Die Erhöhung des pH-Werts ohne die erfindungsgemäße Zu­ gabe des Additivs hat somit nicht den gewünschten Erfolg.
Ausführungsbeispiel 3:
Es wurden wässrige Suspensionen von Al2O3 Nanopartikel vorbe­ reitet. Der Anteil der Al2O3 Nanopartikel betrug dabei zwi­ schen 1 und 5 Gewichtsprozent der Suspension. Derartige Al2O3 Nanopartikel sind beispielsweise als Aluminiumoxid Pulver Typ CR 30 von der Firma Baikowsky kommerziell erhältlich. Nach­ folgend wurde der Suspension Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) in einer Konzentration von 0,05 bis 0,5 mol/l hinzuge­ ben. Durch die Zugabe von TMAH stieg der pH-Wert der Suspen­ sion auf Werte zwischen 10 und 13. Darüber hinaus wurden der Suspension keine Stabilisatoren oder Oxidizer zugegeben.
Tabelle 4 zeigt eine Messung mit TMAH als Additiv. Wiederum erhöht TMAH die Abtragrate von Iridiumoxid und senkt sie für Siliziumoxid. Bei einer Konzentration von 140 mmol/ltr er­ reicht man eine Selektivität von größer als 180 : 5.
Tabelle 4
Bezugszeichenliste
1
Siliziumsubstrat
2
Diffusionsgebiet
3
Gateelektrode
4
Auswahltransistor
5
SiO2
-Schicht
6
Kontaktloch
7
Polysiliziumschicht
8
Barriere

Claims (12)

1. Polierflüssigkeit, insbesondere für das Abtragen und/oder Strukturieren von Metalloxiden, insbesondere Iridiumoxid, durch chemisch-mechanisches Polieren, enthaltend
  • a) Wasser,
  • b) abrasive Partikel, und
  • c) zumindest ein Additiv aus der Gruppe der Phasen-Trans­ ferkatalysatoren,
wobei die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 9,5 aufweist.
2. Polierflüssigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Partikel kleiner als etwa 1 µm ist.
3. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel aus Aluminiumoxid, Siliziumoxid, CeO oder TiO2 bestehen.
4. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil der abrasiven Partikel an Polierflüssigkeit zwischen 1 und 30 Gewichtsprozent beträgt.
5. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Phasen-Transferkatalysators an Polierflüs­ sigkeit zwischen 0,02 und 0,5 mol/l beträgt.
6. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit zumindest eine quartäre Ammoniumver­ bindung als Phasen-Transferkatalysator enthält.
7. Polierflüssigkeit nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit Tetramethylammoniumhydroxid enthält.
8. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit Cholinhydroxid enthält.
9. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit zumindest ein Tetraalkyl-Phosphoni­ umsalz als Phasen-Transferkatalysator enthält.
10. Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Polierflüssigkeit einen pH-Wert von mindestens 10 auf­ weist.
11. Verfahren zur Planarisisierung und/oder Strukturierung einer Metalloxidschicht, insbesondere einer Iridiumoxid­ schicht, mit den folgenden Schritten:
  • a) ein Substrat wird bereitgestellt,
  • b) eine Metalloxidschicht wird aufgebracht,
  • c) eine Polierflüssigkeit nach einem der Ansprüche 1 bis 10 wird bereitgestellt,
  • d) die Metalloxidschicht wird durch den chemisch-mechani­ schen Polierschritt mit Hilfe der Polierflüssigkeit planarisiert und/oder strukturiert.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der Metalloxidschicht eine Maske, be­ vorzugt aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid, auf das Substrat aufgebracht wird.
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