KR20140001783A - Ｌｅｄ의 제조 방법 - Google Patents

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KR20140001783A
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light emitting
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도모카즈 다카하시
신야 아키즈키
도시마사 스기무라
다케시 마츠무라
다이스케 우엔다
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법은
발광 소자 및 기판을 포함하는 LED 웨이퍼의 기판을 백-그라인딩하는 단계; 및
상기 백-그라인딩 단계 전에, 또는 상기 백-그라인딩 단계에 있어서 기판의 연마 후에, 상기 LED 웨이퍼에 보호 시트를 접착하는 단계를 포함한다.

Description

ＬＥＤ의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING AN LED}
이 출원은 35 U.S.C. 섹션 119하에서, 여기에서 참조로 인용된, 2012년 6월 28일자 출원의 일본 특허 출원 제 2012-145448호에 대한 우선권을 주장한다.
본 발명은 LED의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, LED의 제조에 있어서는, 기판 위에 발광 소자를 적층해서 LED 웨이퍼를 형성한 후, 상기 기판의 발광 소자와는 반대 측의 표면을 연마(백-그라인딩: back-grinding)해서 기판을 얇게 만든다(예를 들면, 일본 특허 공개 제2005-150675호 및 동 제2002-319708호의 공보). 보통, 이러한 연마는, 발광 소자측의 기판 표면을 점착성 왁스(pressure-sensitive adhesive wax)를 개재하여 테이블에 고정함으로써 행해지게 된다. 연마 후의 LED 웨이퍼는, 예를 들면, 왁스를 가열해서 LED 웨이퍼를 박리하는 단계, LED 웨이퍼에 접착된 왁스를 세정하는 단계, LED 웨이퍼를 작은 소자 조각으로 절단 분리(다이싱: dicing)하는 단계, 및 기판의 발광 소자와는 반대 측의 표면에 반사층을 형성하는 단계를 거친다. 백-그라인딩 단계 후의 LED 웨이퍼는, 매우 얇기 때문에, 이들의 후속 단계에 있어서, 균열 등의 손상이 발생하기 쉽다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 것은 LED 웨이퍼의 손상을 방지해서 고수율의 LED를 제조할 수 있는 LED의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법은, 발광 소자 및 기판을 포함하는 LED 웨이퍼의 기판을 백-그라인딩하는 단계; 및 상기 백-그라인딩 단계 이전과 상기 백-그라인딩 단계에 있어서의 기판 연마 이후 중 어느 한 시점에서 LED 웨이퍼에 보호 시트를 접착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 상기 보호 시트를 접착하는 단계는, 상기 백-그라인딩 단계 전에, 상기 LED 웨이퍼의 발광 소자의 외측에 보호 시트를 접착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 상기 백-그라인딩 단계에 있어서의 기판의 연마는, 점착성 왁스를 개재하여 상기 보호 시트를 테이블에 접착하여, LED 웨이퍼를 상기 테이블에 고정함으로써 행해지게 되고, 이 방법은 또한 상기 기판의 연마 후, 상기 테이블로부터 박리된 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼에 부착된 상기 점착성 왁스를 LED 웨이퍼로부터 제거하기 위해, 상기 보호 시트를 제거하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 상기 보호 시트를 접착하는 단계는, 상기 백-그라인딩 단계에 있어서 기판을 연마한 후에, 상기 보호 시트를 LED 웨이퍼의 기판의 외측에 접착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 이 방법은 백-그라인딩 단계 후에, 반사층 형성 단계를 더 포함한다.
본 발명에 따르면, LED 웨이퍼에 보호 시트를 접착함으로써, LED 웨이퍼의 손상을 방지해서 고수율로 LED를 제조할 수 있다.
도 1의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 한 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 각 단계를 설명하는 개략도이다.
도 ２는 본 발명의 한 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 사용되는 LED 웨이퍼의 개략 단면도다.
도 3의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 각 단계를 설명하는 개략도이다.
도 4의 (A) 내지 (F)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계 후의 각 단계를 설명하는 개략도이다.
도 5의 (A) 내지 (F)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계 후의 각 단계를 설명하는 개략도이다.
도 6의 (A) 내지 (F)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계 후의 각 단계를 설명하는 개략도이다.
본 발명의 LED의 제조 방법은 발광 소자 및 기판을 포함하는 LED 웨이퍼에 보호 시트를 접착하는 단계를 포함한다. 본 발명에 있어서, 보호 시트는 백-그라인딩 단계 전에 LED 웨이퍼에 접착될 수 있거나(제1 실시 형태), 또는 보호 시트는 백-그라인딩 단계에 있어서 기판을 연마한 후에 LED 웨이퍼에 접착될 수 있다(제2 실시 형태). 본 발명에 있어서는, LED 웨이퍼를 보호 시트로 보호함으로써, 백-그라인딩 단계, 백-그라인딩 단계 이후의 단계들, 및 이들 단계들 간의 취급 시에 LED 웨이퍼의 손상(예를 들면, 균열)을 방지할 수 있다.
A. 제1 실시 형태
도 1의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 한 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 각 단계를 설명하는 개략도이다. 또한，도 ２는 LED 웨이퍼(10)의 개략 단면도이다. LED 웨이퍼(10)는 발광 소자(11)와 기판(12)을 포함한다. 발광 소자(11)는 버퍼층(1), ｎ-형 반도체층(2), 발광층(3), ｐ-형 반도체층(4), 투명 전극(5) 및 전극(6 및 7)을 포함한다. 발광층(3)은 예를 들면, 질화 갈륨계 화합물(예를 들면, ＧａＮ, ＡｌＧａＮ 및 ＩｎＧａＮ), 인화 갈륨계 화합물(예를 들면, ＧａＰ 및 ＧａＡｓＰ), 비소화 갈륨계 화합물(예를 들면, ＧａＡｓ, ＡｌＧａＡｓ 및 ＡｌＧａＩｎＰ) 및 산화 아연 (ＺｎＯ)계 화합물을 포함한다. 도시하지는 않았지만, 발광 소자(11)는 소정의 다른 적절한 부재를 포함할 수 있다. 기판(12)은 소정의 적절한 재료에 의해 만들어질 수 있다. 상기 기판(12)을 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 사파이어, ＳｉＣ, ＧａＡｓ, ＧａＮ 및 ＧａＰ를 들 수 있다． 채택된 LED 웨이퍼(10)가 이들 재료와 같이 단단하고 깨지기 쉬운 재료로 구성되는 경우, 본 발명의 효과가 현저하게 얻어진다.
이 실시 형태에 있어서는, 우선, 도 1의 (A)에 나타낸 바와 같이, 백-그라인딩 단계 전에, LED 웨이퍼(10)의 발광 소자(11)의 외측에 보호 시트(20)를 접착한다. 그 후, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼는 백-그라인딩 단계를 거친다(도 1의 (B) 내지 (D)).
보호 시트(20)로서는, 소정의 적절한 시트가 이용될 수 있다. 대표적 보호 시트는 베이스 부재와 점착층을 포함한다. 상기 베이스 부재를 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔 및 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀; 및 폴리염화비닐, 폴리염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄, 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴레이트 에스테르 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 불소계 수지를 들 수 있다． 상기 베이스 부재의 형태로서는, 예를 들면, 필름, 직포 및 부직포를 들 수 있다． 또한，상기 베이스 부재는 종이 또는 금속박일 수 있다． 상기 점착층을 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 고무계 수지, 아크릴 수지, 실리콘계 수지 및 폴리이미드계 수지를 들 수 있다.
백-그라인딩 단계에 있어서는, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 테이블(100) 위에 고정한다. 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼는, 예를 들면, 도 １의 (B)에 나타낸 바와 같이, 점착성 왁스(30)를 개재하여 보호 시트(20)를 테이블(100)에 접착함으로써 고정된다. 점착성 왁스(30)로서는, LED 웨이퍼(10)를 양호하게 고정할 수 있는 한, 소정의 적절한 왁스가 이용될 수 있다. 점착성 왁스(30)의 예는 파라핀계 왁스를 포함한다． 도 １의 (A) 내지 (D)에 나타낸 실시 형태에 있어서, LED 웨이퍼(10)와 점착성 왁스(30)가 서로 접촉하지 않으므로, LED 웨이퍼(10)의 오염을 방지할 수 있다.
상기한 바와 같이 LED 웨이퍼(10)를 고정한 후, 도 1의 (C)에 나타낸 바와 같이, LED 웨이퍼(10)의 발광 소자(11)와는 반대 측의 표면(즉, 기판(12))을 연마한다. 이렇게 연마함으로써, 기판(12)을 원하는 두께까지 얇게 할 수 있다. 연마 후의 기판(12)의 두께는 바람직하게는, 10 μm 내지 500 μm이며, 더 바람직하게는 50 μm 내지 300 μm이며, 가장 바람직하게는 80 μm 내지 150 μm이다. 또한，채택된 LED 웨이퍼(10)의 직경은 바람직하게는 2 인치 이상, 더 바람직하게는 3 인치 이상, 가장 바람직하게는 4 인치 이상이다. LED 웨이퍼(10)의 직경의 상한치는 특별히 제한되지 않지만, 실용적으로는 예를 들면 12 인치 정도이다. 도 1의 (A) 내지 (D)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, LED 웨이퍼(10)가 보호 시트(20)에 의해 보호되므로, 연마 시에 LED 웨이퍼(10)가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한，이와 같이 LED 웨이퍼(10)의 파손을 방지할 수가 있으므로, 종래보다 대형(예를 들면, 4 인치 이상)의 LED 웨이퍼를 취급할 수 있어, 고수율의 LED를 제조할 수 있다.
상기한 바와 같이 기판(12)을 연마한 후, 도 1의 (D)에 나타낸 바와 같이, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 테이블(100)로부터 박리한다. 예를 들면, 점착성 왁스(30)가 유동성을 나타낼 때까지 가열이 행해지므로, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼가 테이블(100)로부터 박리된다. 도 1의 (A) 내지 (D)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, LED 웨이퍼(10)가 보호 시트(20)에 의해 보호되므로, LED 웨이퍼(10)가 테이블(100)로부터의 박리될 때 LED 웨이퍼(10)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
도 1의 (A) 내지 (D)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, 백-그라인딩 단계 후에 종래 필요했던 점착성 왁스(30)의 세정 단계를 행하지 않아도 된다. 이는 보호 시트(20)를 LED 웨이퍼(10)로부터 박리함으로써, 보호 시트(20)와 함께 점착성 왁스(30)도 제거할 수가 있기 때문이다. 점착성 왁스(30)의 세정 단계를 생략할 수 있으므로, 용제 등의 세정액의 사용을 피할 수 있다. 따라서, 환경 부담이 적게 LED를 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 세정액에 의한 LED에 관한 악영향을 방지할 수 있다.
B. 제2 실시 형태
도 3의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 각 단계를 설명하는 개략도이다. 이 실시 형태에 있어서는, 백-그라인딩 단계에 있어서 기판을 연마한 후, 보호 시트를 LED 웨이퍼에 접착한다. 이 실시 형태에 있어서는, 도 3의 (A)에 나타낸 바와 같이, 점착성 왁스(30)를 개재하여 LED 웨이퍼(10)의 발광 소자(11)를 테이블(100)에 접착하여, LED 웨이퍼(10)를 테이블(100) 위에 고정한다. 이어서，도 3의 (B)에 나타낸 바와 같이, LED 웨이퍼(10)의 발광 소자(11)와는 반대 측의 표면(즉, 기판(12))을 연마하여, 기판(12)을 얇게 만든다. 이어서，도 3의 (C)에 나타낸 바와 같이, LED 웨이퍼(10)의 발광 소자(11)와는 반대 측의 표면(즉, 기판(12)의 외측)에 보호 시트(20)를 접착한다. 이어서，도 3의 (D)에 나타낸 바와 같이, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 테이블(100)로부터 박리한다. 또한，도시하지는 않았지만, 이 실시 형태에 있어서는, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 테이블(100)로부터 박리한 후에 점착성 왁스(30)를 세정한다. 점착성 왁스(30)의 세정은 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 점착성 왁스를 용해할 수 있는 유기 용매 내에 침지해서 행할 수 있다.
도 3의 (A) 내지 (D)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, LED 웨이퍼(10)가 보호 시트(20)에 의해 보호되므로, LED 웨이퍼(10)가 테이블(100)로부터 박리된 이후 취급 시에 LED 웨이퍼(10)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
C. 그 밖의 단계(백- 그라인딩 단계 후 의 단계)
상기한 바와 같이, 기판(12)이 연마된 백-그라인딩 단계 후의 LED 웨이퍼(10)는 예를 들면, LED 웨이퍼(10)를 작은 소자 조각으로 절단 분리하는 단계(다이싱 단계), 및 기판의 발광 소자와는 반대 측의 표면에 반사층을 형성하는 단계(반사층 형성 단계)를 포함하는 후속 단계를 거친다. 본 발명의 제조 방법에 따르면, LED 웨이퍼(10)를 보호 시트(20)로 보호함으로써 각 단계 및 각 단계 간의 취급 시에 있어서의 파손을 방지할 수가 있다. 따라서, 종래보다 대형(예를 들면, 4인치 이상)의 LED 웨이퍼를 취급할 수 있어서, 고수율로 LED를 제조할 수 있다.
도 4의 (A) 내지 (F)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 각 단계를 설명하는 개략도이다. 도 4의 (A) 내지 (F)는 상기 제1 실시 형태(도 1의 (A) 내지 (D)에 나타내는 실시 형태)를 통해 얻어진 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼의 백-그라인딩 단계 이후의 단계를 나타낸다.
이 실시 형태에 있어서는, 도 4의 (A) 및 (B)에 나타낸 바와 같이, 백-그라인딩 단계 이후의 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼는 반사층 형성 단계를 거치게 된다. 구체적으로는, 보호 시트(20) 측을 아래로 하여, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 테이블(200) 위에 배치한다(도 4의 (A)). 그 후, LED 웨이퍼의 보호 시트와는 반대 측(즉, 기판(12) 측)에 반사층(40)을 형성한다(도 4의 (B)). 반사층(40)을 형성함으로써, 발광 소자(11)로부터의 광 추출량이 증가할 수 있다. 반사층(40)을 구성하는 재료는, 발광 소자(11)로부터의 광을 양호하게 반사할 수 있는 한, 소정의 적절한 재료가 이용될 수 있다. 반사층(40)을 구성하는 재료의 예는 알루미늄, 은, 금, 팔라듐, 백금, 로듐 및 루테늄 등의 금속을 포함한다. 금속으로 구성되는 반사층(40)은 예를 들면, 증착법(예를 들면, 유기 금속 화학 기상 성장법(ＭＯＣＶＤ법))에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게는, LED 웨이퍼(10)의 발광 소자(11)와는 반대 측의 표면에, 예를 들면 ＳｉＯ2, ＴｉＯ2, ＺｒＯ2 및／또는 ＭｇＦ2로 구성되는 바탕층을 형성한 다음, 증착법에 의해 금속으로 구성되는 반사층(40)을 형성하는 것이 좋다. 예를 들면, LED 웨이퍼(10)의 발광 소자(11)의 외측에 보호 시트(20)를 포함하는 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼(제1 실시 형태에서 형성된 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼)는 반사층 형성 단계를 거치고, 따라서 금속이 발광 소자(11)에 증착하는 것을 방지할 수 있다.
반사층(40)을 형성한 후, 도 4의 (C) 내지 (F)에 나타낸 바와 같이, 반사층(40)이 위에 형성되어 있는, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼는 다이싱 단계를 거친다. 구체적으로는, 반사층(40)이 위에 형성되어 있는, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼는 보호 시트(20)가 위에 오도록 한 채로, 다이싱 테이프(300) 위에 유지된다(도 4의 (C)). 그 후, 보호 시트(20)를 박리한다(도 4의 (D)). 이어서， 노출된 발광 소자(11) 측으로부터 LED 웨이퍼(10)(실질적으로는, 기판(12))를 두께 방향으로 하프 커트한다(도 4의 (E)). 그 후, 다이싱 테이프(300)는 팽창되어서, 반사층(40)이 위에 형성되어 있는 LED 웨이퍼(10)를 상기 커트부를 기점으로 해서 분할하여, 작은 소자 조각으로 분리된 LED(50)를 얻는다(도 4의 (F)).
도 ４의 (E) 내지 (F)를 참조하여, LED 웨이퍼(10)를 하프 커트해서 상기 커트부를 기점으로 해서 LED 웨이퍼를 분할하는 실시 형태(스크라이브 다이싱: scribe dicing)를 설명했다. 도 ４의 (E)에 있어서는, LED 웨이퍼(10)를 발광 소자(11) 측으로부터 하프 커트한다. 그러나, 기판(12)(반사층(40)) 측이 위로 되도록 다이싱 테이프(300)를 바꿔 접착하고, LED 웨이퍼(10)를 기판(12) 측(반사층(40) 측)으로부터 하프 커트할 수 있다. 또한，LED 웨이퍼를 절단하는 방법으로서는, 상기 스크라이브(scribe) 다이싱 이외에도, 소정의 적절한 방법이 채용될 수 있다. 다른 방법의 예로서는, 예를 들면, LED 웨이퍼(10)를 전체 두께 방향으로 커트해서 팽창을 통해 작은 소자 조각으로 분리하는 방법, 및 LED 웨이퍼(10)의 중심부만을 두께 방향으로 레이저 커트해서 상기 커트부를 기점으로 해서 LED 웨이퍼(10)를 분할하는 방법(스텔스 다이싱: stealth dicing)이 있다.
도 4의 (A) 내지 (F)를 참조하여, 백-그라인딩 단계 후에 보호 시트(20)를 박리하지 않고, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼가 후속 단계(도 4의 (A) 내지 (F)에 있어서는, 반사층 형성 단계)를 거치는 실시 형태를 설명했으나, 보호 시트(20)가 박리된 후에, LED 웨이퍼는 후속 단계를 거칠 수 있다. 바람직하게는, 도 4의 (A) 내지 (F)에 나타낸 바와 같이, 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼가 후속 단계를 거치게 된다. 이는 후속 단계에서도, 얇은 LED 웨이퍼가 보호되고, LED 웨이퍼의 파손을 방지할 수가 있기 때문이다.
도 4의 (A) 내지 (F)를 참조하여, 분할을 위한 커트부를 형성하기 전에, 반사층 형성 단계를 행하는 실시 형태를 설명하였다. 반사층 형성 단계는 상기와 같이 커트부를 형성하기 전에 행해질 수 있거나, 또는 도 ５의 (A) 내지 (F) 및 도 ６의 (A) 내지 (F)에 나타낸 바와 같이 커트부를 형성한 후에 행해질 수도 있다. 도 ５의 (A) 내지 (F)에 도시된 본 발명의 실시 형태에 있어서는, 백-그라인딩 단계 후의 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 보호 시트(20)가 위로 되도록 하여, 다이싱 테이프(300) 위에 유지하고(도 5의 (A)), 그 후, 보호 시트(20)를 박리한다(도 ５의 (B)). 이어서, 노출된 발광 소자(11) 측으로부터 LED 웨이퍼(10)를 하프 커트한다(도 ５의 (C)). 이어서，상기와 같이 커트부가 형성되어 있는 LED 웨이퍼(10)는 반사층 형성 단계를 거친다. 즉, LED 웨이퍼(10)는 발광 소자(11) 측을 아래로 한 상태에서 테이블(200) 위에 배치되고, LED 웨이퍼(10)의 기판(12) 측에 반사층(40)을 형성한다(도 ５의 (D)). 이어서，커트부가 형성되어 있는 측(발광 소자(11) 측)을 위로 한 상태로, 반사층(40)이 위에 형성되어 있는 LED 웨이퍼(10)를 다시 다이싱 테이프(300) 위에 유지한다(도 ５의 (E)). 그 다음, 다이싱 테이프(300)를 팽창시킨다. 따라서, 상기 커트부를 기점으로 해서 LED 웨이퍼(10)를 분할하여, 작은 소자 조각으로 분리된 LED(50)를 얻는다(도 ５의 (F)).
도 ６의 (A) 내지 (F)에 나타내는 본 발명의 실시 형태에 있어서는, 보호 시트(20)가 아래로 되게 한 상태로, 백-그라인딩 단계 후의 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 다이싱 테이프(300) 위에 유지한다(도 6의 (A)). 이어서, 기판(12) 측으로부터 LED 웨이퍼(10)를 하프 커트한다(도 ６의 (B)). 이어서，상기와 같이 커트부가 형성되어 있는 LED 웨이퍼(10)는 반사층 형성 단계를 거친다. 즉, LED 웨이퍼(10)는 발광 소자(11) 측(보호 시트(20) 측)을 아래로 한 상태로, 테이블(200) 위에 배치되고, LED 웨이퍼(10)의 기판(12) 측에 반사층(40)을 형성한다(도 ６의 (C)). LED 웨이퍼(10)는 보호 시트(20)의 외측에 다이싱 테이프(300)를 붙인 상태에서 테이블(200) 위에 배치될 수 있거나, 또는 다이싱 테이프(300)를 박리한 후에 테이블(200) 위에 배치될 수 있다(도시된 예에서는, 다이싱 테이프(300)를 박리한 후에 LED 웨이퍼(10)가 배치된다). 이어서，보호 시트(20)가 위로 되게 한 상태로, 반사층(40)이 위에 형성되어 있는 LED 웨이퍼(10)를 다시 다이싱 테이프(300) 위에 유지한 다음(도 ６의 (D)), 보호 시트(20)를 박리한다(도 ６의(E)). 그 다음, 다이싱 테이프(300)를 팽창시킨다. 따라서, 상기 커트부를 기점으로 해서 LED 웨이퍼(10)를 분할하여, 작은 소자 조각으로 분리된 LED(50)를 얻는다(도 ６의 (F)).
상기 제2 실시 형태(도 ３의 (A) 내지 (D)에 나타내는 실시 형태)를 통해 얻어진 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼에 대하여는, 다이싱 단계에서, 보호 시트측을 위로 해서 다이싱 테이프가 접착될 수 있고, 그 후, 보호 시트를 박리하여, 커트부를 형성하고 LED 웨이퍼를 분할할 수 있다. 또한，상기 제2 실시 형태를 통해 얻어진 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼는, 보호 시트를 박리한 후, 다이싱 단계를 거칠 수 있다. 이때, 다이싱 테이프는 LED 웨이퍼의 발광 소자측과 기판측 중 소정의 곳에 접착될 수 있다.
상기 제2 실시 형태를 통해 얻어진 보호 시트가 접착된 LED 웨이퍼는 보호 시트를 박리한 후, 반사층 형성 단계를 거칠 수 있다. 반사층 형성 단계는 제1 실시 형태를 통해 얻어진 LED 웨이퍼에 대하여 행해진 것과 마찬가지로, 커트부를 형성하기 전에도, 커트부를 형성한 후에도 행해질 수 있다.

Claims (5)

  1. 발광 소자 및 기판을 포함하는 LED 웨이퍼의 기판을 백-그라인딩하는 단계; 및
    상기 백-그라인딩 단계 전에, 또는 상기 백-그라인딩 단계에 있어서 기판의 연마 후에, 상기 LED 웨이퍼에 보호 시트를 접착하는 단계
    를 포함하는 LED의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호 시트 접착 단계는, 상기 백-그라인딩 단계 전에, 상기 보호 시트를 상기 LED 웨이퍼의 상기 발광 소자의 외측에 접착하는 것을 포함하는 LED의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 백-그라인딩 단계에 있어서의 상기 기판의 연마는, 점착성 왁스를 개재하여 상기 보호 시트를 테이블에 접착함으로써 상기 LED 웨이퍼를 상기 테이블에 고정함으로써 행해지고,
    상기 기판의 연마 후, 상기 테이블로부터 박리된 보호 시트가 접착된 상기 LED 웨이퍼에 부착된 상기 점착성 왁스를 상기 LED 웨이퍼로부터 제거하기 위해 상기 보호 시트를 제거하는 단계를 더 포함하는 LED의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보호 시트 접착 단계가, 상기 백-그라인딩 단계에 있어서 상기 기판을 연마한 후에, 상기 LED 웨이퍼의 기판의 외측에 상기 보호 시트를 접착하는 것을 포함하는 LED의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 백-그라인딩 단계 후에, 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 LED의 제조 방법.
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