KR20140001784A - Ｌｅｄ의 제조 방법 - Google Patents

Ｌｅｄ의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140001784A
KR20140001784A KR1020130074530A KR20130074530A KR20140001784A KR 20140001784 A KR20140001784 A KR 20140001784A KR 1020130074530 A KR1020130074530 A KR 1020130074530A KR 20130074530 A KR20130074530 A KR 20130074530A KR 20140001784 A KR20140001784 A KR 20140001784A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led wafer
led
adhesive sheet
double
heat
Prior art date
Application number
KR1020130074530A
Other languages
English (en)
Inventor
도모카즈 다카하시
신야 아키즈키
도시마사 스기무라
다케시 마츠무라
다이스케 우엔다
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20140001784A publication Critical patent/KR20140001784A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER

Abstract

본 발명의 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법은 발광 소자 및 기판을 포함하는 LED 웨이퍼의 상기 기판을 백-그라인딩하는 단계를 포함하고,
상기 백-그라인딩 단계는 양면 점착 시트를 통해 상기 LED 웨이퍼를 테이블에 고정한 다음, 상기 기판을 연마하는 단계를 포함한다.

Description

ＬＥＤ의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING AN LED}
이 출원은 35 U.S.C. 섹션 119하에서, 여기에서 참조로 인용된, 2012년 6월 28일자 출원의 일본 특허 출원 제 2012-145449호에 대한 우선권을 주장한다.
본 발명은 LED의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, LED의 제조에 있어서는 기판 위에 발광 소자를 적층해서 LED 웨이퍼를 형성한 후, 상기 기판의 발광 소자와는 반대 측의 표면을 연마(백-그라인딩: back-grinding)해서 기판을 얇게 만든다(예를 들면, 일본 특허 공개 제2005-150675호 및 동 제2002-319708호의 공보). 보통, 이러한 연마는 발광 소자 측의 기판 표면을 점착성 왁스(pressure-sensitive adhesive wax)를 개재하여 테이블에 고정함으로써 행해지게 된다. 연마 후의 LED 웨이퍼는 예를 들면, 왁스를 가열해서 LED 웨이퍼를 박리하는 단계, LED 웨이퍼에 부착된 왁스를 세정하는 단계, LED 웨이퍼를 작은 소자 조각으로 절단 분리(다이싱: dicing)하는 단계, 및 기판의 발광 소자와는 반대 측의 표면에 반사층을 형성하는 단계를 거친다.
상기 백-그라인딩 단계는 상기 LED 웨이퍼를 매우 얇게 연마하는 단계이다. 따라서, 연마 중에, LED 웨이퍼에는 균열 등의 손상이 쉽게 발생한다는 문제가 있다. 또한, 왁스를 도포하고 세정하는 데 노동력이 필요하고, 왁스를 청소하는 데는 용제가 사용되기 때문에 환경 부담이 크다는 등의 문제가 있다. 더구나, 세정액에 의해 LED에 악영향이 끼쳐지는 문제도 있다.
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 것은 LED 웨이퍼의 손상을 방지해서 고수율의 LED를 제조할 수 있고, 간단하면서도 환경 부담이 적은 LED의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법은 발광 소자 및 기판을 포함하는 LED 웨이퍼의 기판을 백-그라인딩하는 단계를 포함하고,
상기 백-그라인딩 단계는 상기 LED 웨이퍼를 양면 점착 시트를 통해 테이블에 고정한 다음, 상기 기판을 연마하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 상기 양면 점착 시트가 적어도 한 면에는 열 박리 점착제 층을 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 상기 양면 점착 시트는 베이스 부재와 상기 베이스 부재의 한 면에 형성된 열 박리 점착제 층을 포함하고，상기 열 박리 점착제 층이 상기 LED 웨이퍼에 접착된 상태에서 상기 LED 웨이퍼는 상기 테이블에 고정된다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 상기 양면 점착 시트는 베이스 부재와 상기 베이스 부재의 한 면에 형성된 열 박리 점착제 층을 포함하고，상기 열 박리 점착제 층이 상기 테이블에 접착된 상태에서 상기 LED 웨이퍼는 상기 테이블에 고정된다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 상기 양면 점착 시트는 베이스 부재와 상기 베이스 부재의 양면에 형성된 열 박리 점착제 층을 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 있어서, 상기 양면 점착 시트와 상기 LED 웨이퍼 사이에 다른 점착 시트가 더 배치된 상태에서, 상기 LED 웨이퍼는 테이블에 고정된다.
본 발명에 따르면, 백-그라인딩 단계에 있어서, LED 웨이퍼를 양면 점착 시트를 통해 테이블에 고정한 후에, LED 웨이퍼를 연마한다. 이런 방식으로, LED 웨이퍼의 손상을 방지해서 고수율로 LED를 제조할 수 있다. 또한，본 발명에 따르면, LED 웨이퍼의 고정에는 왁스가 필요하지 않으므로, 왁스의 도포 및 세정을 필요로 하지 않는다. 따라서, 간단하게 LED를 제조할 수 있다. 또한，용제 등의 세정액의 사용을 피할 수 있으므로, 환경 부담이 적고 간단하게 LED를 제조할 수 있다. 또한, 세정액에 의한 LED에 대한 악영향을 방지할 수 있다.
도 1의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 한 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계를 설명하는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 사용된 LED 웨이퍼의 개략 단면도다.
도 3의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계를 설명하는 개략도이다.
도 4의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계를 설명하는 개략도이다.
도 5의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계를 설명하는 개략도이다.
도 6의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계를 설명하는 개략도이다.
도 7의 (A) 내지 (E)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계 후의 각 단계를 설명하는 개략도이다.
도 8의 (A) 내지 (E)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계 후의 각 단계를 설명하는 개략도이다.
A. 백- 그라인딩 단계
본 발명의 LED의 제조 방법은 발광 소자 및 기판을 포함하는 LED 웨이퍼의 기판을 연마하는 백-그라인딩 단계를 포함한다.
도 1의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 한 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 백-그라인딩 단계를 설명하는 개략도이다. 또한，도 ２는 LED 웨이퍼(100)의 개략 단면도이다. LED 웨이퍼(100)는 기판(110)과 발광 소자(120)를 포함한다. 상기 기판(110)은 임의의 적절한 재료에 의해 구성된다. 상기 기판(110)을 구성하는 재료로서는 예를 들면, 사파이어, SiC, GaAs, GaN 및 GaP이 있다. 채택된 LED 웨이퍼(100)가 이들 재료와 같이 단단하고 부서지기 쉬운 재료로 구성되는 경우, 본 발명의 효과, 즉 LED 웨이퍼(100)의 파손 방지 효과가 현저하게 얻어진다. 발광 소자(120)는 버퍼층(1), ｎ-형 반도체층(2), 발광층(3), ｐ-형 반도체층(4), 투명 전극(5) 및 전극(6 및 7)을 갖는다. 발광층(3)은 예를 들면, 질화 갈륨계 화합물(예를 들면, GaN, AlGaN 및 InGaN), 인화 갈륨계 화합물(예를 들면, GaP 및 GaAsP), 비소화 갈륨계 화합물(예를 들면, GaAs, AlGaAs 및 AlGaInP) 및 산화 아연(ZnO)계 화합물을 포함한다. 도시하지는 않았지만, 발광 소자(120)는 임의의 적절한 그 밖의 부재를 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다.
본 발명의 LED의 제조 방법에 있어서는, 우선, 도 1의 (A)에 나타낸 바와 같이, 양면 점착 시트(200)를 통해 상기 LED 웨이퍼(100)를 테이블(300)에 고정한다. 이때, LED 웨이퍼(100)는 기판(110)이 외측(상측)을 향하도록 고정된다. 이어서，도 1의 (B)에 나타낸 바와 같이, LED 웨이퍼(100)의 기판(110)을 연마한다. 이렇게 연마함으로써, 기판(110)을 원하는 두께까지 얇게 할 수 있다． 연마 후의 기판(110)의 두께는 10μm 내지 500μm이며, 더 바람직하게는 50μm 내지 300μm이며, 가장 바람직하게는 80μm 내지 150μm이다. 또한，채택된 LED 웨이퍼(100)의 직경은 바람직하게는 2 인치 이상, 더 바람직하게는 3 인치 이상, 가장 바람직하게는 4 인치 이상이다. LED 웨이퍼(100)의 직경의 상한치는 특별히 제한되지는 않지만, 실용적으로, 예를 들면, 12 인치 정도이다. 본 발명의 LED의 제조 방법에 있어서는, 양면 점착 시트(200)는 LED 웨이퍼(100)를 보호하는 기능도 가지므로, 연마 시에 LED 웨이퍼(100)가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한，이와 같이 LED 웨이퍼(100)의 파손을 방지할 수가 있으므로, 종래보다 대형(예를 들면, 4인치 이상)의 LED 웨이퍼를 취급할 수 있어, 고수율로 LED를 제조할 수 있다. 이어서，도 1의 (C) 또는 (D)에 나타낸 바와 같이, LED 웨이퍼(100)를 테이블(300)로부터 박리한다. 이때, 양면 점착 시트(200)를 테이블(300)에 남겨서 LED 웨이퍼(100)만을 테이블(300)로부터 박리할 수 있거나(도 1의 (C)), 또는 양면 점착 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 테이블(300)로부터 박리할 수 있다(도 1의 (D)). 바람직하게는 도 1의 (D)에 나타낸 바와 같이, 양면 점착 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 테이블(300)로부터 박리한다. 이렇게 하면, 테이블(300)로부터 LED 웨이퍼(100)가 박리될 때에 LED 웨이퍼(100)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
상기 양면 점착 시트(200)로서는, 본 발명의 효과가 얻어질 수 있는 한, 임의의 적절한 양면 점착 시트가 이용될 수 있다. 한 실시 형태에 있어서는, 도 1의 (A) 내지 (D)에 나타낸 바와 같이, 채택된 양면 점착 시트(200)는 베이스 부재(220)와 상기 베이스 부재(220)의 양면에 형성된 점착제 층(210)을 포함한다. 상기 베이스 부재를 구성하는 재료로서는 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔 및 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀; 및 폴리염화비닐, 폴리염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄, 에틸렌 아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리스틸렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 불소계 수지를 들 수 있다. 상기 베이스 부재의 형태로서는 예를 들면, 필름, 직포 및 부직포를 들 수 있다. 또한，상기 베이스 부재는 종이 또는 금속박일 수 있다. 상기 점착제 층을 구성하는 재료로서는 예를 들면, 고무계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 폴리이미드계 수지를 들 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에 있어서는, 상기 양면 점착 시트로서, 적어도 한 면에 열 박리 점착제 층을 갖는 양면 점착 시트가 이용된다. 본 명세서에 있어서, 열 박리 점착제 층을 갖는 양면 점착 시트를 "열 박리성 양면 점착 시트"라고도 한다. 열 박리성 양면 점착 시트는 가열에 의해, 열 박리 점착제 층의 표면의 접착력이 저하 또는 소실될 때 박리될 수 있다． 열 박리성 양면 점착 시트를 이용하면, 연마 시에는 LED 웨이퍼가 충분히 고정되고, 연마 후에 LED 웨이퍼를 용이하게 박리할 수 있다. 그 결과, LED 웨이퍼의 손상을 현저하게 방지할 수 있다. 또한，자동화된 단계를 용이하게 설계할 수 있다. 도 3의 (A) 내지 (C), 도 4의 (A) 내지 (C), 및 도 5의 (A) 내지 (C)에 나타낸 바와 같이, 상기 열 박리성 양면 점착 시트(200' 및 200") 각각은 베이스 부재(220)와 열 박리 점착제 층(211)을 포함한다. 열 박리 점착제 층(211)은 예를 들면, 접착제 또는 점착제, 및 발포제를 포함한다. 열 박리성 양면 점착 시트(200')는 가열에 의해, 발포제가 발포 또는 팽창될 때 박리된다. 접착제(점착제)로서는 임의의 적절한 접착제(점착제)가 이용될 수 있고, 예를 들면, 아크릴계 접착제(점착제), 고무계 접착제(점착제), 및 스틸렌-공액 디엔 블록 공중합체계 접착제(점착제) 등이 있다. 발포제로서는 임의의 적절한 발포제가 이용될 수 있다. 발포제로서는 예를 들면, 탄산 암모늄, 탄산 수소 암모늄, 탄산 수소 나트륨, 아질산 암모늄, 수소화 붕소 나트륨 및 아지드 등의 무기계 발포제; 및 염화 불화 알칸, 아조계 화합물, 히드라진계 화합물, 세미카르바지드계 화합물, 트리아졸계 화합물 및 N-니트로소계 화합물 등의 유기계 발포제가 있다. 이러한 열 박리성 양면 점착 시트의 상세한 내용은 일본 특개평 5-043851호 공보, 일본 특개평 2-305878호 공보 및 특개소 63-33487호 공보에 기재되고 있고, 이들의 기재 내용은 본 명세서에 참고로서 원용된다.
양면 점착 시트로서 열 박리성 양면 점착 시트를 이용할 경우, 열 박리성 양면 점착 시트는 도 ３의 (A) 내지 (C) 및 도 4의 (A) 내지 (C)에 나타낸 바와 같이, 베이스 부재(220)의 한 면에 열 박리 점착제 층(211)을 포함할 수 있거나, 또는 도 ５의 (A) 내지 (C)에 나타낸 바와 같이, 베이스 부재(220)의 양면에 열 박리 점착제 층(211)을 포함할 수 있다.
도 3의 (A) 내지 (C)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, 열 박리성 양면 점착 시트(200')는 베이스 부재(220)의 한 면에 열 박리 점착제 층(211)을 포함하고，상기 열 박리 점착제 층(211)이 LED 웨이퍼(100)(실질적으로는, 발광 소자(120))에 접착된 상태에서 LED 웨이퍼(100)를 테이블(300)에 고정한다. 열 박리성 양면 점착 시트(200')의 열 박리 점착제 층(211)과는 반대 측의 표면(즉, 테이블(300) 측의 표면) 위에는 점착제 층(210)이 제공될 수 있고, 상기 점착제 층(210) 측을 테이블(300)에 접착한다(도 ３의 (A)). 도 3의 (A) 내지 (C)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, 기판(110)을 연마하고(도 ３의 (B)), 그 후, 가열하여, 열 박리 점착제 층의 표면을 기점으로 해서, LED 웨이퍼(100)를 열 박리성 양면 점착 시트(200')로부터 박리한다(도 ３의 (C)). 이 실시 형태에 따르면, 연마 시에 LED 웨이퍼(100)의 파손을 방지할 수가 있다. 또한, 1회의 조작(가열)으로, LED 웨이퍼(100)를 박리할 수 있다.
도 ４의 (A) 내지 (C)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, 열 박리성 양면 점착 시트(200')는 베이스 부재(220)의 한 면에 열 박리 점착제 층(211)을 포함하고，상기 열 박리 점착제 층(211)이 테이블(300)에 접착된 상태에서 LED 웨이퍼(100)를 테이블(300)에 고정한다. 열 박리성 양면 점착 시트(200')의 열 박리 점착제 층(211)과는 반대 측의 표면(즉, LED 웨이퍼(100) 측의 표면)에는 점착제 층(210)이 제공될 수 있고, 상기 점착제 층(210) 측을 LED 웨이퍼(100)에 접착한다(도 ４의 (A)). 도 ４의 (A) 내지 (C)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, 기판(110)을 연마하고(도 ４의 (B)), 그 후, 가열하여, 열 박리 점착제 층의 표면을 기점으로 해서, LED 웨이퍼(100)와 열 박리성 양면 점착 시트(200')를 포함한 적층체를 테이블(300)로부터 박리한다(도 ４의 (C)). 이 실시 형태에 있어서, 그 후, 열 박리성 양면 점착 시트(200')를 LED 웨이퍼(100)로부터 박리한다. 열 박리성 양면 점착 시트(200')는 백-그라인딩 단계의 직후에 박리할 수 있거나, 또는 소정의 후속 단계(예를 들면, 반사층 형성 단계)를 행한 후에 박리할 수 있다. 이 실시 형태에 따르면, 연마 시에 및 그 후의 핸들링 시에 LED 웨이퍼(100)의 파손을 방지할 수가 있고, 또한, 열 박리성 양면 점착 시트(200')의 박리 후에 LED 웨이퍼(100)에의 접착제 잔류를 방지할 수 있다.
도 ５의 (A) 내지 (C)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, 열 박리성 양면 점착 시트(200")는 베이스 부재(220)의 양면에 열 박리 점착제 층(211)을 갖는다(도 ５의 (A)). 도 ５의 (A) 내지 (C)에 나타내는 실시 형태에 있어서는, 기판(110)을 연마하고(도 ５의 (B)), 그 후, 가열하여, 열 박리 점착제 층의 표면을 기점으로 해서, LED 웨이퍼(100) 및 열 박리성 양면 점착 시트(200")를 각각 박리한다(도 ５의 (C)). 이 실시 형태에 따르면, 연마 시에 LED 웨이퍼(100)의 파손을 방지할 수가 있다. 또한, 1회의 조작(가열)으로, LED 웨이퍼(100)를 박리할 수 있다. 또한, LED 웨이퍼(100)의 박리와 동시에, 열 박리성 양면 점착 시트(200")를 테이블(300)로부터 박리할 수 있다. 이 실시 형태에 따르면, 복수의 LED 웨이퍼가 순차적으로 백-그라인딩 단계를 거칠 때, LED 웨이퍼는 연속적으로 및 효율적으로 가공될 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따르면, 도 6의 (A)에 나타낸 바와 같이, 열 박리성 양면 점착 시트(200')와 LED 웨이퍼(100) 사이에 다른 점착 시트(400)를 더 배치한 상태에서 LED 웨이퍼(100)를 테이블(300)에 고정한다. 더 상세하게는, 다른 점착 시트(400)는 열 박리성 양면 점착 시트(200')의 열 박리 점착제 층(211)과 LED 웨이퍼(100)의 발광 소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 이 실시 형태에 있어서는, 기판(110)을 연마하고(도 ６의 (B)), 그 후, 가열하여, 열 박리 점착제 층 표면을 기점으로 해서, LED 웨이퍼(100)와 다른 점착 시트(400)를 포함한 적층체를 열 박리성 양면 점착 시트(200')로부터 박리한다(도 ６의 (C)). 이 실시 형태에 있어서는, 그 후, 다른 점착 시트(400)를 LED 웨이퍼(100)로부터 박리한다. 다른 점착 시트(400)는 백-그라인딩 단계의 직후에 박리될 수 있거나, 또는 소정의 후속 단계(예를 들면, 반사층 형성 단계)를 행한 후에 박리될 수 있다. 이 실시 형태에 따르면, 연마 시에 및 그 후의 취급 시에 LED 웨이퍼(100)의 파손을 방지할 수가 있고, 또한, LED 웨이퍼(100)에의 접착제 잔류를 방지할 수 있다.
상기 다른 점착 시트(400)로서, 임의의 적절한 점착 시트가 이용될 수 있다. 다른 점착 시트(400)는 예를 들면, 베이스 부재(420)와 상기 베이스 부재(420)의 한 면에 형성된 점착제 층(410)을 포함한다. 베이스 부재(420) 및 점착제 층(410)을 구성하는 재료로서는 상기에서 설명한 양면 점착 시트(200)와 유사한 재료가 이용될 수 있다.
도 ６의 (A) 내지 (C)를 참조하여, 베이스 부재(220)의 한 면에 열 박리 점착제 층(211)을 포함하는 열 박리성 양면 점착 시트(200')가 이용되는 실시 형태를 설명하였음을 주지해야 한다. 그러나, 베이스 부재(220)의 양면에 열 박리 점착제 층(211)을 포함하는 열 박리성 양면 점착 시트(200")가 이용될 수 있음은 물론이다.
상기와 같이, 본 발명의 LED의 제조 방법에 있어서, LED 웨이퍼의 고정에는 종래에 필요로 했었던 왁스를 필요로 하지 않는다. 따라서，본 발명에 따르면, 왁스의 도포 및 세정을 필요로 하지 않고, 간편하게 LED를 제조할 수 있다. 또한，용제 등의 세정액의 사용을 피할 수 있어, 환경 부담이 적게 그리고 간편하게 LED를 제조할 수 있다. 또한, 세정액에 의한 LED에 대한 악영향을 방지할 수 있다.
B. 그 밖의 단계(백- 그라인딩 단계 후의 단계)
상기한 바와 같이, 기판(110)이 연마된 백-그라인딩 단계 후의 LED 웨이퍼(100)는 예를 들면, LED 웨이퍼(100)를 작은 소자 조각으로 절단 분리하는 단계(다이싱 단계), 및 기판의 발광 소자와는 반대 측의 표면에 반사층을 형성하는 단계(반사층 형성 단계)를 포함하는 후속 단계를 거친다.
도 7의 (A) 내지 (E)는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 LED의 제조 방법에 있어서의 각 단계를 설명하는 개략도이다.
이 실시 형태에 있어서는, 도 7의 (A) 및 (B)에 나타낸 바와 같이, 백-그라인딩 단계 후의 LED 웨이퍼(100)는 반사층 형성 단계를 거친다. 구체적으로는, LED 웨이퍼(100)의 기판(110) 측을 위로 되게 한 채로 LED 웨이퍼(100)를 테이블(300)에 배치한다(도 7의 (A)). 그 후, 기판(110)의 외측에 반사층(500)을 형성한다(도 ７의 (B)). 반사층(500)을 형성함으로써, 발광 소자(120)로부터의 광 추출량을 증가시킬 수 있다. 반사층(500)을 구성하는 재료로서는, 발광 소자(120)로부터의 광을 양호하게 반사할 수 있는 한, 임의의 적절한 재료가 이용될 수 있다. 반사층(500)을 구성하는 재료로서는 예를 들면, 알루미늄, 은, 금, 팔라듐, 백금, 로듐 및 루테늄 등의 금속을 들 수 있다. 금속으로 구성되는 반사층(500)은 예를 들면, 증착법(예를 들면, 유기 금속 화학 기상 증착법(MOCVD법))에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게는, LED 웨이퍼(100)의 기판(110)의 외측에, 예를 들면 SiO2, TiO2, ZrO2 및/또는 MgF2로 구성되는 바탕층을 형성한 다음, 증착법에 의해 금속으로 구성되는 반사층(500)을 형성한다.
반사층(500)을 형성한 후, 도 ７의 (C) 내지 (E)에 나타낸 바와 같이, 반사층(500)이 위에 형성되어 있는 LED 웨이퍼(100)는 다이싱 단계를 거친다. 구체적으로는, LED 웨이퍼(100)는 다이싱 테이프(600) 위에 유지된다(도 ７의 (C)). 그 후, LED 웨이퍼(100)(실질적으로는 기판(110))는 두께 방향으로 하프 커트된다(도 ７의 (D)). 그 후, 다이싱 테이프(600)는 팽창되어, 상기 커트부를 기점으로 해서, 반사층(500)이 위에 형성되어 있는 LED 웨이퍼(100)가 분할되어, 작은 소자 조각으로 분리된 LED(700)을 얻는다(도 ７의 (E)).
도 ７의 (D) 및 (E)를 참조하여, LED 웨이퍼(100)를 하프 커트해서 상기 커트부를 기점으로 해서, LED 웨이퍼(100)를 분할하는 실시 형태(스크라이브(scribe) 다이싱)를 설명하였다. LED 웨이퍼를 절단하는 방법으로서는 이 스크라이브 다이싱 외에, 다른 임의의 적절한 방법이 채용될 수 있다. 다른 방법으로서는 예를 들면, LED 웨이퍼의 두께 방향 전부를 커트해서 팽창을 통해 작은 소자 조각으로 분리하는 방법, 및 LED 웨이퍼의 두께 방향의 중심부만을 레이저 커트해서 상기 커트부를 기점으로 해서 분할하는 방법(스텔스 다이싱)을 들 수 있다.
도 ７의 (A) 내지 (E)를 참조하여, 분할을 위한 커트부를 형성하기 전에, 반사층 형성 단계를 행하는 실시 형태를 설명하였다. 반사층 형성 단계는 상기와 같이 커트부를 형성하기 전에 행해질 수 있거나, 또는 도 ８의 (A) 내지 (E)에 나타낸 바와 같이 커트부를 형성한 후에 행해질 수도 있다. 도 ８의 (A) 내지 (E)에 도시된 본 발명의 실시 형태에 있어서는, 백-그라인딩 단계 후의 LED 웨이퍼(100)를 다이싱 테이프(600) 위에 유지하고(도 8의 (A)), 그 후, LED 웨이퍼(100)를 하프 커트한다(도 ８의 (B)). 이어서，상기와 같이 커트부가 형성되어 있는 LED 웨이퍼(100)는 반사층 형성 단계를 거친다. 즉, LED 웨이퍼(100)는 발광 소자(120) 측을 아래로 되게 한 채로, 테이블(300) 위에 배치되고, LED 웨이퍼(100)의 기판(110) 측에 반사층(500)을 형성한다(도 ８의 (C)). 이어서，커트부를 형성한 측을 위로 되게 한 채로, 반사층(500)이 위에 형성되어 있는 LED 웨이퍼(100)를 다시 다이싱 테이프(600) 위에 유지한다(도 ８의 (D)). 따라서, 상기 커트부를 기점으로 해서 LED 웨이퍼(100)를 분할하여, 작은 소자 조각으로 분리된 LED(700)을 얻는다(도 ８의 (E)).
백-그라인딩 단계 후의 LED 웨이퍼가 양면 점착 시트를 포함하고 있을 경우(예를 들면, 도 1의 (D) 내지 도 ４의 (C)), 후속 단계에 있어서, 상기 양면 점착 시트는 임의의 적절한 타이밍에서 박리된다. 예를 들면, 양면 점착 시트가 접착된 LED 웨이퍼를 다이싱 테이프 위에 유지한 후에, 양면 점착 시트를 박리할 수 있다. 그 다음, 도 8의 (A) 내지 (E)에 도시된 조작이 행해질 수 있다.

Claims (6)

  1. 발광 소자 및 기판을 포함하는 LED 웨이퍼의 기판을 백-그라인딩하는 단계를 포함하고,
    상기 백-그라인딩 단계는, 양면 점착 시트를 개재하여 상기 LED 웨이퍼를 테이블에 고정한 후 기판을 연마하는 것을 포함하는 LED의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 양면 점착 시트가 적어도 한 면에 열 박리 점착제 층을 포함하는 LED의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 양면 점착 시트가 베이스 부재와 상기 베이스 부재의 한 면에 형성된 열 박리 점착제 층을 포함하고,
    상기 열 박리 점착제 층이 상기 LED 웨이퍼에 접착된 상태에서 상기 LED 웨이퍼를 상기 테이블에 고정하는 LED의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 양면 점착 시트가 베이스 부재와 상기 베이스 부재의 한 면에 형성된 열 박리 점착제 층을 포함하고,
    상기 열 박리 점착제 층이 상기 테이블에 접착된 상태에서 상기 LED 웨이퍼를 상기 테이블에 고정하는 LED의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 양면 점착 시트가 베이스 부재와 상기 베이스 부재의 양면에 형성된 열 박리 점착제 층을 포함하는 LED의 제조 방법.
  6. 제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 양면 점착 시트와 상기 LED 웨이퍼 사이에 다른 점착 시트가 더 배치된 상태에서 상기 LED 웨이퍼를 상기 테이블에 고정하는 LED의 제조 방법.
KR1020130074530A 2012-06-28 2013-06-27 Ｌｅｄ의 제조 방법 KR20140001784A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-145449 2012-06-28
JP2012145449A JP2014011242A (ja) 2012-06-28 2012-06-28 Ｌｅｄの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140001784A true KR20140001784A (ko) 2014-01-07

Family

ID=48577617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130074530A KR20140001784A (ko) 2012-06-28 2013-06-27 Ｌｅｄ의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140000793A1 (ko)
EP (1) EP2680323A1 (ko)
JP (1) JP2014011242A (ko)
KR (1) KR20140001784A (ko)
CN (1) CN103531674A (ko)
TW (1) TW201407833A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9425418B2 (en) 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
JP6483246B2 (ja) * 2014-10-17 2019-03-13 インテル・コーポレーション 微小持ち上げ・接合組立法
JP6354694B2 (ja) * 2015-07-28 2018-07-11 豊田合成株式会社 半導体素子の製造方法
US11183415B2 (en) 2016-06-22 2021-11-23 Nissan Chemical Corporation Adhesive containing polydimethyl siloxane
CN106098864A (zh) * 2016-06-28 2016-11-09 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led用砷化镓衬底减薄工艺中的贴片方法
KR20180075733A (ko) 2016-12-26 2018-07-05 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2613389B2 (ja) 1987-04-17 1997-05-28 日東電工株式会社 発泡型粘着シート
JP2698881B2 (ja) 1989-05-19 1998-01-19 日東電工株式会社 膨脹型粘着部材
JP2970963B2 (ja) 1991-08-14 1999-11-02 日東電工株式会社 剥離性感圧接着剤及びその粘着部材
JP3784202B2 (ja) * 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法
JP2002083785A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Nec Kansai Ltd 半導体素子の製造方法
JP2002319708A (ja) 2001-04-23 2002-10-31 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄチップおよびｌｅｄ装置
US20040248382A1 (en) * 2001-08-03 2004-12-09 Munehiro Hatai Pressure sensitive adhesive double coated tape and method for producing ic chip using it
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2004300231A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nitto Denko Corp 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2005150675A (ja) 2003-11-18 2005-06-09 Itswell Co Ltd 半導体発光ダイオードとその製造方法
JP4381860B2 (ja) * 2004-03-24 2009-12-09 日東電工株式会社 補強半導体ウエハに固定された補強板の分離方法およびその装置
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
US7691225B2 (en) * 2007-01-15 2010-04-06 Nitto Denko Corporation Thermal-release double-coated pressure-sensitive adhesive tape or sheet and method of processing adherend
JP5307612B2 (ja) * 2009-04-20 2013-10-02 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201407833A (zh) 2014-02-16
US20140000793A1 (en) 2014-01-02
CN103531674A (zh) 2014-01-22
JP2014011242A (ja) 2014-01-20
EP2680323A1 (en) 2014-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140001784A (ko) Ｌｅｄ의 제조 방법
US8541287B2 (en) Laser processing method for wafer
TW201631791A (zh) 發光二極體及其製造方法
US20120100695A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2008140872A (ja) Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子、およびその製造方法
TW201501222A (zh) 半導體晶片之製造方法
US20140004636A1 (en) Method of manufacturing an led
US9165817B2 (en) Method of grinding substrate and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same
KR20140001782A (ko) Ｌｅｄ의 제조 방법
TWI377614B (en) Method for forming adhesive dies singulated from a wafer
US11177153B2 (en) Method of debonding work-carrier pair with thin devices
JP6354694B2 (ja) 半導体素子の製造方法
KR20140001781A (ko) Ｌｅｄ의 제조 방법
US9349645B2 (en) Apparatus, device and method for wafer dicing
JP2005236112A (ja) 半導体装置の製造方法
JP7189106B2 (ja) 保持板および基板の研磨方法
CN107706292A (zh) 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
US20190019730A1 (en) Effective compound substrate for non-destructive epitaxial lift-off
CN108538719A (zh) 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
JP2005285878A (ja) 半導体装置
CN108538992A (zh) 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
CN107464860A (zh) 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
JP2013110219A (ja) サファイア基板の製造方法およびサファイア基板
JP2010140956A (ja) 半導体ウエハの保持方法、ダイシング方法、およびスペーサ

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid