JP2014011241A - Ledの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】LEDウエハの損傷を防いで歩留まりよくLEDを製造することができる、LEDの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のLEDの製造方法は、発光素子および基板を備えるLEDウエハの基板を研磨するバックグラインド工程を含み、該バックグラインド工程の前、または該バックグラインド工程において基板を研磨した後に、該LEDウエハに保護シートを貼着することを含む。好ましい実施形態においては、本発明のLEDの製造方法は、上記バックグラインド工程の前に、上記保護シートを、上記LEDウエハの発光素子の外側に貼着することを含む。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のLEDの製造方法は、発光素子および基板を備えるLEDウエハの基板を研磨するバックグラインド工程を含み、該バックグラインド工程の前、または該バックグラインド工程において基板を研磨した後に、該LEDウエハに保護シートを貼着することを含む。好ましい実施形態においては、本発明のLEDの製造方法は、上記バックグラインド工程の前に、上記保護シートを、上記LEDウエハの発光素子の外側に貼着することを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、LEDの製造方法に関する。
従来、LEDの製造においては、基板上に、発光素子を積層してLEDウエハを形成した後、該基板の発光素子とは反対側の面を研磨(バックグラインド)し、基板を薄肉化している(例えば、特許文献1、2)。通常、この研磨は、発光素子側の面を粘着性のワックスを介してテーブルに固定して行われる。研磨後のLEDウエハは、例えば、ワックスを加熱してLEDウエハを剥離する工程、LEDウエハに付着したワックスを洗浄する工程、LEDウエハを素子小片に切断分離(ダイシング)する工程、基板の発光素子とは反対側の面に反射層を形成する工程に供される。バックグラインド工程後のLEDウエハは、非常に薄いため、これらの後工程において、割れ等の損傷が生じやすいという問題がある。
本発明は上記従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、LEDウエハの損傷を防いで歩留まりよくLEDを製造することができるLEDの製造方法を提供することにある。
本発明のLEDの製造方法は、発光素子および基板を備えるLEDウエハの該基板を研磨するバックグラインド工程を含み、該バックグラインド工程の前、または該バックグラインド工程において基板を研磨した後に、該LEDウエハに保護シートを貼着することを含む。
好ましい実施形態においては、本発明のLEDの製造方法は、上記バックグラインド工程の前に、上記保護シートを、上記LEDウエハの発光素子の外側に貼着することを含む。
好ましい実施形態においては、本発明のLEDの製造方法は、上記バックグラインド工程における基板の研磨が、粘着性ワックスを介して上記保護シートをテーブルに貼着することにより、上記LEDウエハを該テーブルに固定して行われ、該基板の研磨後、該テーブルから剥離した保護シート付きLEDウエハに付着した該粘着性ワックスを、該保護シートを取り外すことにより、該LEDウエハから除去することを含む。
好ましい実施形態においては、上記バックグラインド工程において基板を研磨した後に、上記保護シートを、上記LEDウエハの基板の外側に貼着することを含む。
好ましい実施形態においては、バックグラインド工程後に、反射層形成工程をさらに含む。
好ましい実施形態においては、本発明のLEDの製造方法は、上記バックグラインド工程の前に、上記保護シートを、上記LEDウエハの発光素子の外側に貼着することを含む。
好ましい実施形態においては、本発明のLEDの製造方法は、上記バックグラインド工程における基板の研磨が、粘着性ワックスを介して上記保護シートをテーブルに貼着することにより、上記LEDウエハを該テーブルに固定して行われ、該基板の研磨後、該テーブルから剥離した保護シート付きLEDウエハに付着した該粘着性ワックスを、該保護シートを取り外すことにより、該LEDウエハから除去することを含む。
好ましい実施形態においては、上記バックグラインド工程において基板を研磨した後に、上記保護シートを、上記LEDウエハの基板の外側に貼着することを含む。
好ましい実施形態においては、バックグラインド工程後に、反射層形成工程をさらに含む。
本発明によれば、LEDウエハに保護シートを貼着することにより、LEDウエハの損傷を防いで歩留まりよくLEDを製造することができる。
本発明のLEDの製造方法は、発光素子および基板を備えるLEDウエハに保護シートを貼着することを含む。本発明においては、保護シートを、バックグラインド工程前にLEDウエハに貼着してもよく(第1の実施形態)、バックグラインド工程において基板を研磨した後、LEDウエハに貼着してもよい(第2の実施形態)。本発明においては、LEDウエハを保護シートで保護することにより、バックグラインド工程、バックグラインド工程後の工程および工程間のハンドリング時においてLEDウエハの破損(例えば、割れ)を防止することができる。
A.第1の実施形態
図1(a)から(d)は、本発明の1つの実施形態によるLEDの製造方法における各工程を説明する概略図である。また、図2は、LEDウエハ10の概略断面図である。LEDウエハ10は、発光素子11と基板12とを備える。発光素子11は、緩衝層1、n型半導体層2、発光層3、p型半導体層4、透明電極5および電極6、7を有する。発光層3は、例えば、窒化ガリウム系化合物(GaN、AlGaN、InGaN)、リン化ガリウム系化合物(GaP、GaAsP)、ヒ素化ガリウム系化合物(GaAs、AlGaAs、AlGaInP)、酸化亜鉛(ZnO)系化合物等を含む。なお、図示しないが、発光素子11は任意の適切なその他の部材を有し得る。上記基板12は、任意の適切な材料により構成される。上記基板12を構成する材料としては、例えば、サファイア、SiC、GaAs、GaN、GaP等が挙げられる。これらの材料のように硬くて脆い材料で構成されるLEDウエハ10を用いる場合、本発明の効果が顕著に得られる。
図1(a)から(d)は、本発明の1つの実施形態によるLEDの製造方法における各工程を説明する概略図である。また、図2は、LEDウエハ10の概略断面図である。LEDウエハ10は、発光素子11と基板12とを備える。発光素子11は、緩衝層1、n型半導体層2、発光層3、p型半導体層4、透明電極5および電極6、7を有する。発光層3は、例えば、窒化ガリウム系化合物(GaN、AlGaN、InGaN)、リン化ガリウム系化合物(GaP、GaAsP)、ヒ素化ガリウム系化合物(GaAs、AlGaAs、AlGaInP)、酸化亜鉛(ZnO)系化合物等を含む。なお、図示しないが、発光素子11は任意の適切なその他の部材を有し得る。上記基板12は、任意の適切な材料により構成される。上記基板12を構成する材料としては、例えば、サファイア、SiC、GaAs、GaN、GaP等が挙げられる。これらの材料のように硬くて脆い材料で構成されるLEDウエハ10を用いる場合、本発明の効果が顕著に得られる。
この実施形態においては、まず、図1(a)に示すように、バックグラインド工程の前に、LEDウエハ10の発光素子11の外側に保護シート20を貼着する。その後、保護シート付きLEDウエハをバックグラインド工程に供する(図1(b)〜(d))。
保護シート20としては、任意の適切なシートが用いられ得る。代表的には、保護シートは基体と粘着剤層とを備える。上記基体を構成する材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、フッ素系樹脂等が挙げられる。上記基体の形態としては、例えば、フィルム、織布、不織布等が挙げられる。また、上記基体は紙または金属箔であってもよい。上記粘着剤層を構成する材料としては、ゴム系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。
バックグラインド工程においては、テーブル100上に保護シート付きLEDウエハを固定する。保護シート付きLEDウエハは、例えば、図1(b)に示すように、粘着性ワックス30を介して保護シート20とテーブル100とを貼着することにより固定される。粘着性ワックス30としては、LEDウエハ10を良好に固定し得る限りにおいて、任意の適切なワックスが用いられ得る。粘着性ワックス30としては、例えば、パラフィン系ワックス等が挙げられる。図1に示す実施形態においては、LEDウエハ10と粘着性ワックス30とが接触しないので、LEDウエハ10の汚染を防止することができる。
上記のように固定した後、図1(c)に示すように、LEDウエハ10の発光素子11とは反対側の面(すなわち、基板12)を研磨する。このように研磨することにより、基板12を所望の厚さにまで薄肉化することができる。研磨後の基板12の厚みは、好ましくは10μm〜500μmであり、より好ましくは50μm〜300μmであり、最も好ましくは80μm〜150μmある。また、用いられるLEDウエハ10の径は、好ましくは2インチ以上、より好ましくは3インチ以上、最も好ましくは4インチ以上である。LEDウエハ10の径の上限は特に制限されないが、実用的には例えば12インチ程度である。図1に示す実施形態においては、LEDウエハ10が保護シート20により保護されているので、研磨時にLEDウエハ10が破損することを防止し得る。また、このようにLEDウエハ10の破損を防止することができるので、従来よりも大型(例えば、4インチ以上)のLEDウエハを扱うことができ、歩留まりよくLEDを製造することができる。
上記のように基板12を研磨した後、図1(d)に示すように、保護シート付きLEDウエハをテーブル100から剥離する。例えば、粘着性ワックス30が流動性を示すまで加熱して、保護シート付きLEDウエハをテーブル100から剥離する。図1に示す実施形態においては、LEDウエハ10が保護シート20により保護されているので、テーブル100からの剥離時にLEDウエハ10が破損することを防止し得る。
図1に示す実施形態においては、バックグラインド工程後に従来必要とされていた粘着性ワックス10の洗浄工程を行わなくてもよい。保護シート20をLEDウエハ10から剥離すれば、保護シート20と共に、粘着性ワックス30も除去することができるからである。粘着性ワックス10の洗浄工程を省略できることにより、溶剤等の洗浄液の使用を回避できるので、環境負荷が少なく簡便にLEDを製造することができる。さらに、洗浄液によるLEDに対する悪影響を防止することができる。
B.第2の実施形態
図3(a)から(d)は、本発明の別の実施形態によるLEDの製造方法における各工程を説明する概略図である。この実施形態においては、バックグラインド工程において基板を研磨した後、保護シートをLEDウエハに貼着する。この実施形態においては、図3(a)に示すように、粘着性ワックス30を介してLEDウエハ10の発光素子11とテーブル100とを貼着し、LEDウエハ10をテーブル100上に固定する。次いで、図3(b)に示すように、LEDウエハ10の発光素子11とは反対側の面(すなわち、基板12)を研磨し、基板12を薄肉化する。次いで、図3(c)に示すように、LEDウエハ10の発光素子11とは反対側の面(すなわち、基板12の外側)に保護シート20を貼着する。次いで、図3(d)に示すように、保護シート付きLEDウエハをテーブル100から剥離する。なお、図示しないが、この実施形態においては、保護シート付きLEDウエハをテーブル100から剥離した後に粘着性ワックス30を洗浄する。粘着性30ワックスの洗浄は、保護シート付きLEDウエハを、粘着性ワックスを溶解し得る有機溶媒に浸漬して行うことができる。
図3(a)から(d)は、本発明の別の実施形態によるLEDの製造方法における各工程を説明する概略図である。この実施形態においては、バックグラインド工程において基板を研磨した後、保護シートをLEDウエハに貼着する。この実施形態においては、図3(a)に示すように、粘着性ワックス30を介してLEDウエハ10の発光素子11とテーブル100とを貼着し、LEDウエハ10をテーブル100上に固定する。次いで、図3(b)に示すように、LEDウエハ10の発光素子11とは反対側の面(すなわち、基板12)を研磨し、基板12を薄肉化する。次いで、図3(c)に示すように、LEDウエハ10の発光素子11とは反対側の面(すなわち、基板12の外側)に保護シート20を貼着する。次いで、図3(d)に示すように、保護シート付きLEDウエハをテーブル100から剥離する。なお、図示しないが、この実施形態においては、保護シート付きLEDウエハをテーブル100から剥離した後に粘着性ワックス30を洗浄する。粘着性30ワックスの洗浄は、保護シート付きLEDウエハを、粘着性ワックスを溶解し得る有機溶媒に浸漬して行うことができる。
図3に示す実施形態においては、LEDウエハ10が保護シート20により保護されているので、テーブル100からの剥離時およびその後のハンドリング時にLEDウエハ10が破損することを防止し得る。
C.その他の工程(バックグラインド工程後の工程)
上記のようにして基板12が研磨されたバックグラインド工程後のLEDウエハ10は、例えば、LEDウエハ10を素子小片に切断分離する工程(ダイシング工程)、基板の発光素子とは反対側の面に反射層を形成させる工程(反射層形成工程)等の後工程に供される。本発明の製造方法によれば、LEDウエハ10を保護シート20で保護することにより各工程および各工程間のハンドリング時における破損を防止することができるので、従来よりも大型(例えば、4インチ以上)のLEDウエハを扱うことができ、歩留まりよくLEDを製造することができる。
上記のようにして基板12が研磨されたバックグラインド工程後のLEDウエハ10は、例えば、LEDウエハ10を素子小片に切断分離する工程(ダイシング工程)、基板の発光素子とは反対側の面に反射層を形成させる工程(反射層形成工程)等の後工程に供される。本発明の製造方法によれば、LEDウエハ10を保護シート20で保護することにより各工程および各工程間のハンドリング時における破損を防止することができるので、従来よりも大型(例えば、4インチ以上)のLEDウエハを扱うことができ、歩留まりよくLEDを製造することができる。
図4(a)から(f)は、本発明の1つの実施形態によるLEDの製造方法における各工程を説明する概略図である。図4においては、上記第1の実施形態(図1に示す実施形態)で得られた保護シート付きLEDウエハのバックグラインド工程より後の工程を示す。
この実施形態においては、図4(a)から(b)に示すように、バックグラインド工程後の保護シート付きLEDウエハを、反射層形成工程に供する。具体的には、保護シート20側を下にして、保護シート付きLEDウエハをテーブル200に載置し(図4(a))、その後、LEDウエハの保護シートとは反対側(すなわち、基板12側)に反射層40を形成する(図4(b))。反射層40を形成することにより、発光素子11からの光取り出し量を増加させることができる。反射層40を構成する材料は、発光素子11からの光を良好に反射し得る限りにおいて、任意の適切な材料が用いられ得る。反射層40を構成する材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム等の金属が挙げられる。金属から構成される反射層40は、例えば、蒸着法(例えば、有機金属気相成長法(MOCVD法))により形成させることができる。好ましくは、LEDウエハ10の発光素子11とは反対側の面に、例えばSiO2、TiO2、ZrO2および/またはMgF2から構成される下地層を形成した後、蒸着法により金属から構成される反射層40を形成させる。例えば、LEDウエハ10の発光素子11の外側に保護シート20を備える保護シート付きLEDウエハ(第1の実施形態による保護シート付きLEDウエハ)を反射層形成工程に供することにより、金属が発光素子11に蒸着することを防止し得る。
反射層40を形成した後、図4(c)から(f)に示すように、反射層40を形成した保護シート付きLEDウエハをダイシング工程に供する。具体的には、保護シート20が上になるようにして、反射層40を形成した保護シート付きLEDウエハをダイシングテープ300上に保持し(図4(c))、その後、保護シート20を剥離する(図4(d))。次いで、露出した発光素子11側からLEDウエハ10(実質的には基板12)を厚み方向にハーフカットし(図4(e))、その後、ダイシングテープ300をエキスパンドし、該カット部をきっかけとして反射層40を形成したLEDウエハ10を割断し、素子小片に分離されたLED50を得る(図4(f))。
図4(e)から(f)においては、LEDウエハ10をハーフカットして該カット部をきっかけとしてLEDウエハを割断する実施形態(スクライブダイシング)を説明した。図4(e)においては、発光素子11側からハーフカットしているが、基板12(反射層40)が上になるようにダイシングテープ300を貼り替えて、基板12側(反射層40側)からハーフカットしてもよい。また、LEDウエハを切断する方法としては、上記スクライブダイシングの他、任意の適切な方法が採用され得る。他の方法としては、例えば、LEDウエハ10の厚み方向全部をカットしてエキスパンドにより素子小片に分離する方法、LEDウエハ10の厚み方向の中心部のみをレーザーカットして該カット部をきっかけとして割断する方法(ステルスダイシング)等が挙げられる。
図4においては、バックグラインド工程の後、保護シート20を剥離せずに、保護シート付きLEDウエハを後工程(図4においては、反射層形成工程)に供する実施形態を説明したが、保護シート20を剥離した後、LEDウエハを後工程に供してもよい。好ましくは、図4に示すように、保護シート付きLEDウエハを後工程に供する。後工程においても、薄肉化したLEDウエハが保護されて、該LEDウエハの破損を防止することができるからである。
図4においては、割断のためのカット部を形成する前に、反射層形成工程を行う実施形態を説明した。反射層形成工程は、このようにカット部を形成する前に行ってもよく、図5および図6に示すようにカット部を形成した後に行ってもよい。図5の実施形態においては、保護シート20が上になるようにして、バックグラインド工程後の保護シート付きLEDウエハをダイシングテープ300上に保持し(図5(a))、その後、保護シート20を剥離し(図5(b))、次いで、露出した発光素子11側からLEDウエハ10をハーフカットする(図5(c))。次いで、このようにしてカット部が形成されたLEDウエハ10を反射層形成工程に供する。すなわち、LEDウエハ10の発光素子11側を下にして、テーブル200に載置してLEDウエハ10の基板12側に反射層40を形成する(図5(d))。次いで、カット部を形成した側(発光素子11側)を上にして、反射層40を形成したLEDウエハ10を再度ダイシングテープ300上に保持し(図5(e))、ダイシングテープ300をエキスパンドし、該カット部をきっかけとしてLEDウエハ10を割断し、素子小片に分離されたLED50を得る(図5(f))。
図6に示す実施形態においては、保護シート20が下になるようにして、バックグラインド工程後の保護シート付きLEDウエハをダイシングテープ300上に保持し(図6(a))、その後、基板12側からLEDウエハ10をハーフカットする(図6(b))。次いで、このようにしてカット部が形成されたLEDウエハ10を反射層形成工程に供する。すなわち、LEDウエハ10の発光素子11側(保護シート20側)を下にして、テーブル200に載置してLEDウエハ10の基板12側に反射層40を形成する(図6(c))。LEDウエハ10は、保護シート20の外側にダイシングテープ300を付けたままテーブル200に載置してもよく、ダイシングテープ300を剥離した後にテーブル200に載置してもよい(図示例では、ダイシングテープ300を剥離した後に載置している)。次いで、保護シート20が上になるようにして、反射層40を形成したLEDウエハ10を再度ダイシングテープ300上に保持し(図6(d))、保護シート20を剥離する(図6(e))。その後、ダイシングテープ300をエキスパンドし、上記カット部をきっかけとしてLEDウエハ10を割断し、素子小片に分離されたLED50を得る(図6(f))。
上記第2の実施形態(図3に示す実施形態)で得られた保護シート付きLEDウエハに対しては、ダイシング工程において、保護シート側を上にしてダイシングテープに貼着し、その後、保護シートを剥離して、カット部の形成およびLEDウエハの割断がなされ得る。また、上記第2の実施形態で得られた保護シート付きLEDウエハは、保護シートを剥離した後、ダイシング工程に供され得る。このとき、ダイシングテープは、LEDウエハの発光素子側に貼着してもよく、基板側に貼着してもよい。
上記第2の実施形態で得られた保護シート付きLEDウエハは、保護シートを剥離した後、反射層形成工程に供され得る。反射層形成工程は、第1の実施形態で得られたLEDウエハに対して行うのと同様に、カット部を形成する前に行ってもよく、カット部を形成した後に行ってもよい。
10 LEDウエハ
11 発光素子
12 基板
20 保護シート
30 粘着性ワックス
40 反射層
50 LED
11 発光素子
12 基板
20 保護シート
30 粘着性ワックス
40 反射層
50 LED
Claims (5)
- 発光素子および基板を備えるLEDウエハの該基板を研磨するバックグラインド工程を含み、
該バックグラインド工程の前、または該バックグラインド工程において基板を研磨した後に、該LEDウエハに保護シートを貼着することを含む、LEDの製造方法。 - 前記バックグラインド工程の前に、前記保護シートを、前記LEDウエハの発光素子の外側に貼着することを含む、請求項1に記載のLEDの製造方法。
- 前記バックグラインド工程における基板の研磨が、粘着性ワックスを介して前記保護シートをテーブルに貼着することにより、前記LEDウエハを該テーブルに固定して行われ、
該基板の研磨後、該テーブルから剥離した保護シート付きLEDウエハに付着した該粘着性ワックスを、該保護シートを取り外すことにより、該LEDウエハから除去することを含む、
請求項2に記載のLEDの製造方法。 - 前記バックグラインド工程において基板を研磨した後に、前記保護シートを、前記LEDウエハの基板の外側に貼着することを含む、請求項1に記載のLEDの製造方法。
- バックグラインド工程後に、反射層形成工程をさらに含む、請求項1から4のいずれかに記載のLEDの製造方法。
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JP2007201179A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハマウント装置及びウェーハマウント方法 |
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