KR20130122711A - 이방성 도전 재료 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20130122711A
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conductive material
silica
strength
disulfide
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KR1020127033688A
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레이지 츠카오
도모유키 이시마츠
히로키 오제키
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

낮은 도통 저항 및 높은 접착 강도가 얻어지는 이방성 도전 재료 및 그 제조 방법을 제공한다. 유리 기판 (11) 과 금속 배선재 (12) 를 열 압착시키면, 유리 기판 (11) 과 이방성 도전 재료 (13) 의 계면에 있어서, 유리 기판 (11) 표면의 Si 와 소수 실리카 (14) 에 수식된 디술파이드 실란 말단의 알콕실기 (OR) 가 반응하여, 화학 결합한다. 또한, 금속 배선재 (12) 와 이방성 도전 재료 (13) 의 계면에서는, 압착시의 열에 의해, 디술파이드 실란의 일부의 S-S 결합 (디술파이드 결합) 이 해리되고, 해리된 술파이드 실란이 금속 Me 와 화학 결합한다.

Description

이방성 도전 재료 및 그 제조 방법{ANISOTROPIC CONDUCTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은, 도전성 입자가 분산된 이방성 도전 재료 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은 일본에서 2010년 12월 2일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특원 2010-269422호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것으로, 이 출원을 참조함으로써 본 출원에 원용된다.
종래, 이방성 도전 필름 (ACF : Anisotropic Conductive Film) 을 사용하여 반도체 등의 부품을 기판 상에 장착시키는 공법이 사용되고 있다. ACF 를 유리 기판에 사용하는 경우, 접착제 성분과 유리의 접착력을 향상시키기 위해서 실란 커플링제가 사용되는데, 실란 커플링제는 방치 시간에 따라서 ACF 막 표면으로 블리드 아웃되어, 휘발되어 버린다. 이 때문에, 실리카에 실란 커플링제를 수식시켜 휘발을 억제하는 방법이 사용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 3 참조).
일본 공개특허공보 2005-75983호 일본 공개특허공보 2010-84019호 일본 공개특허공보 2006-196850호
그러나 실리카에 실란 커플링제를 수식시키는 방법에 있어서, 통상적으로 사용되는 실리카는 표면에 수산기가 존재하는 친수성이기 때문에, 분산성이 나빠, 낮은 도통 저항 및 높은 접착 강도가 얻어지지 않는다.
본 발명은 이러한 실정을 감안하여 제안된 것으로, 낮은 도통 저항 및 높은 접착 강도가 얻어지는 이방성 도전 재료 및 그 제조 방법을 제공한다.
본건 발명자들은 예의 검토를 한 결과, 실리카 표면이 유기 수식된 소수성 실리카를 사용하여, 이 소수성 실리카가 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리된 실리카 입자를 이방성 도전 재료에 배합함으로써 낮은 도통 저항 및 높은 접착 강도가 얻어지는 것을 알아내었다.
즉, 본 발명에 관련된 이방성 도전 재료는, 소수성 실리카 표면이 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리된 실리카 입자를 함유하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관련된 이방성 도전 재료의 제조 방법은, 소수성 실리카 표면을 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리하고, 그 표면 처리된 실리카 입자를 배합하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 이방성 도전 재료에 술파이드 실란 수식 소수성 실리카를 함유시킴으로써 높은 접착 강도를 얻을 수 있다. 또한, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카의 분산성을 향상시킬 수 있기 때문에, 낮은 도통 저항을 얻을 수 있다.
도 1 은, 소수성 실리카와 디술파이드계 실란 커플링제의 반응을 나타내는 개략도이다.
도 2 는, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카를 나타내는 개략도이다.
도 3 은, 이방성 도전 재료를 개재하여 유리 기판과 금속 배선재를 열 압착했을 때의 반응을 나타내는 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 하기 순서로 상세히 설명한다.
1. 이방성 도전 재료
2. 이방성 도전 재료의 제조 방법
3. 접속 방법
4. 실시예
<1. 이방성 도전 재료>
본 발명의 구체예로서 나타내는 이방성 도전 재료는, 소수성 실리카 표면이 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리된 실리카 입자 (이하, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카라고 한다) 를 함유하는 것이다.
먼저, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카에 관해서 설명한다. 술파이드 실란 수식 소수성 실리카는, 소수성 실리카 표면을 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리함으로써 얻을 수 있다.
도 1 은, 소수성 실리카와 디술파이드계 실란 커플링제의 반응을 나타내는 개략도이다. 이 반응예에 있어서, 소수성 실리카는 실리카 표면을 디메틸실록산으로 수식한 디메틸실록산 수식 실리카이며, 디술파이드계 실란 커플링제는, 디술파이드 결합 (S-S 결합) 을 갖고, 말단에 에톡시기 (EtO) 를 갖는 디술파이드 실란이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 소수성 실리카 표면의 Si 는 완전히 유기 수식되어 있지 않고, 미수식 수산기 (OH) 가 존재하고 있다. 따라서, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 소수성 실리카의 미수식 수산기 (OH) 와 디술파이드 실란의 알콕실기 (OR) 가 결합할 수 있다. 또한, 디메틸실록산 말단의 Si 와 디술파이드 실란의 알콕실기 (OR) 가 결합할 수 있다. 이와 같이 소수성 실리카가 디술파이드 실란으로 수식됨으로써, 이방성 도전 재료로부터의 디술파이드계 실란 커플링제의 블리드 아웃을 방지할 수 있다.
도 3 은, 이방성 도전 재료를 개재하여 유리 기판과 금속 배선재를 열 압착했을 때의 반응을 나타내는 모식도이다. 유리 기판 (11) 과 금속 배선재 (12) 를 열 압착시키면, 유리 기판 (11) 과 이방성 도전 재료 (13) 의 계면에 있어서, 유리 기판 (11) 표면의 Si 와 소수 실리카 (14) 에 수식된 디술파이드 실란 말단의 알콕실기 (OR) 가 반응하여, 화학 결합한다. 이로써, 이방성 도전 재료 (13) 와 유리 기판 (11) 의 접착성 (접착 강도) 를 향상시킬 수 있다.
또한, 금속 배선재 (12) 와 이방성 도전 재료 (13) 의 계면에서는, 압착시의 열에 의해 디술파이드 실란의 일부의 S-S 결합 (디술파이드 결합) 이 해리되고, 해리된 술파이드 실란이 금속 Me 와 화학 결합한다. 이로써, 이방성 도전 재료 (13) 와 금속 배선재 (12) 의 접착성 (접속 강도) 를 향상시킬 수 있다.
이와 같이 이방성 도전 재료에 술파이드 실란 수식 소수성 실리카를 함유시킴으로써, 이방성 도전 재료 (13) 와 유리 기판 (11) 의 계면 및 이방성 도전 재료 (13) 와 금속 배선재 (12) 의 계면에 있어서 우수한 접착 강도를 얻을 수 있다. 또한, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카는 소수성으로, 재료 중에 있어서의 분산성을 향상시킬 수 있기 때문에, 우수한 도통 저항을 얻을 수 있다.
술파이드 실란 수식 소수성 실리카는, 라디칼 중합성, 카티온 중합성 중 어느 접착제라도 사용할 수 있다. 이 중에서도, 라디칼 중합성 접착제는 일반적으로 경화 수축률이 높고 내부 응력이 커서, 접착 강도가 저하되는 경향이 있기 때문에, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카를 함유함으로써 상기 서술한 효과가 현저히 나타난다.
이하, 라디칼 중합성 접착제에 술파이드 실란 수식 소수성 실리카를 함유시킨 이방성 도전 재료를 예로 들어 설명한다. 본 실시형태에서의 이방성 도전 재료는, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카와, 막형성 수지와, 라디칼 중합성 물질과, 경화제와, 도전성 입자를 함유한다.
술파이드 실란 수식 소수성 실리카는, 전술한 바와 같이 소수성 실리카 표면을 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리한 것이다. 소수성 실리카는 실리카 표면이 유기 수식되어, 소수성을 갖는다. 실리카 표면을 유기 수식하는 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 디메틸실록산 또는 트리메틸실록산이 바람직하게 사용된다. 또, 소수성 실리카의 평균 입경은 10 ∼ 1000 ㎚ 이고, 그 중에서도 10 ∼ 500 ㎚ 인 것이 바람직하며, 10 ∼ 300 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다.
술파이드 실란 수식 소수성 실리카의 함유량은, 이방성 도전 조성물 100 질량부에 대하여 바람직하게는 2 ∼ 15 질량부이다. 이방성 도전 조성물 100 질량부에 대한 함유량이 2 질량부 이상임으로써 접속 강도의 향상 효과를 얻을 수 있고, 15 질량부 이하임으로써 도통 저항의 향상 효과를 얻을 수 있다.
디술파이드계 실란 커플링제로는, 디술파이드 결합 (S-S 결합) 을 갖고, 말단에 임의의 알콕실기 (OR) 를 갖는 디술파이드 실란이 바람직하게 사용된다. 여기서, 「알콕실기」는, 예를 들어, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 메톡시에톡시, 메톡시프로폭시, 에톡시에톡시, 에톡시프로폭시, 메톡시에톡시에톡시기 등, 탄소수 1 ∼ 20 개의 알콕실기가 직사슬상으로 또는 분기상으로 결합한 것 등을 들 수 있다.
디술파이드계 실란 커플링제의 구체예로는, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디술파이드, 비스(2-트리에톡시실릴에틸)디술파이드, 비스(4-트리에톡시실릴부틸)디술파이드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)디술파이드, 비스(2-트리메톡시실릴에틸)디술파이드, 비스(4-트리메톡시실릴부틸)디술파이드, 비스(3-메틸디에톡시실릴프로필)디술파이드, 비스(2-메틸디에톡시실릴프로필)디술파이드, 비스(4-메틸디에톡시실릴프로필)디술파이드, 비스(3-메틸디메톡시실릴프로필)디술파이드, 비스(2-메틸디메톡시실릴부틸)디술파이드, 비스(4-메틸디메톡시실릴부틸)디술파이드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)트리술파이드, 비스(2-트리에톡시실릴에틸)트리술파이드, 비스(4-트리에톡시실릴부틸)트리술파이드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)트리술파이드, 비스(2-트리메톡시실릴에틸)트리술파이드, 비스(4-트리메톡시실릴부틸)트리술파이드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술파이드, 비스(2-트리에톡시실릴에틸)테트라술파이드, 비스(4-트리에톡시실릴부틸)테트라술파이드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)테트라술파이드, 비스(2-트리메톡시실릴에틸)테트라술파이드, 비스(4-트리메톡시실릴부틸)테트라술파이드, 비스(3-메틸디에톡시실릴프로필)테트라술파이드, 비스(2-메틸디에톡시실릴에틸)테트라술파이드, 비스(4-메틸디에톡시실릴부틸)테트라술파이드, 비스(3-메틸디메톡시실릴프로필)테트라술파이드, 비스(2-메틸디메톡시실릴에틸)테트라술파이드, 비스(4-메틸디메톡시실릴부틸)테트라술파이드 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 우수한 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디술파이드가 바람직하게 사용된다. 또, 이들 디술파이드계 실란 커플링제는, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
막형성 수지는 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서 10000 ∼ 80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막형성 수지로는, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 각종 수지를 들 수 있으며, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도 막형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지가 바람직하게 사용된다. 막형성 수지의 함유량은, 이방성 도전 조성물 100 질량부에 대하여 통상 30 ∼ 80 질량부, 바람직하게는 40 ∼ 70 질량부이다.
라디칼 중합성 수지는 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 물질로, 에폭시아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 본 실시형태에서는 에폭시아크릴레이트가 바람직하게 사용된다. 라디칼 중합성 수지의 함유량은, 이방성 도전 조성물 100 질량부에 대하여 통상 10 ∼ 60 질량부, 바람직하게는 20 ∼ 50 질량부이다.
라디칼 중합 개시제는 공지된 것을 사용할 수 있으며, 그 중에서도 유기 과산화물을 바람직하게 사용할 수 있다. 유기 과산화물로는, 퍼옥시케탈류, 디아실퍼옥사이드류, 퍼옥시디카보네이트류, 퍼옥시에스테르류, 디알킬퍼옥사이드류, 하이드로퍼옥사이드류, 실릴퍼옥사이드류 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 본 실시형태에서는 퍼옥시케탈류가 바람직하게 사용된다. 라디칼 중합 개시제의 함유량은, 이방성 도전 조성물 100 질량부에 대하여 통상 0.1 ∼ 30 질량부, 바람직하게는 1 ∼ 20 질량부이다.
이들을 용해시키는 유기 용제로는, 톨루엔, 아세트산에틸, 또는 이들의 혼합 용제, 그밖에 각종 유기 용제를 사용할 수 있다.
또한, 이방성 도전 조성물에 분산시키는 도전성 입자는, 예를 들어, 니켈, 금, 구리 등의 금속 입자, 수지 입자에 금도금 등을 실시한 것 등을 사용할 수 있다. 또한, 도전성 입자의 평균 입경은 접속 신뢰성의 관점에서, 바람직하게는 1 ∼ 20 ㎛, 보다 바람직하게는 2 ∼ 10 ㎛ 이다. 또한, 이방성 도전 조성물 중의 도전성 입자의 평균 입자 밀도는 접속 신뢰성 및 절연 신뢰성의 관점에서, 바람직하게는 1000 ∼ 50000 개/㎟, 보다 바람직하게는 5000 ∼ 30000 개/㎟ 이다.
<2. 이방성 도전 재료의 제조 방법>
다음으로, 상기 서술한 이방성 도전 재료의 제조 방법에 관해서 설명한다. 본 실시형태에서의 이방성 도전 재료의 제조 방법은, 소수성 실리카 표면을 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리하고, 그 표면 처리된 실리카 입자를 배합하는 것이다.
먼저, 메틸에틸케톤 등의 용매에 디술파이드계 실란 커플링제를 용해시켜 처리액을 조제한다. 이어서, 이 처리액에 소수성 실리카를 첨가하여 정치 (靜置) 한 후, 여과하여, 실리카 입자를 회수하고, 진공 건조를 실시하여 술파이드 실란 수식 소수성 실리카를 얻는다.
그리고, 막형성 수지, 라디칼 중합성 물질, 라디칼 중합 개시제 및 술파이드 실란 수식 소수성 실리카를 배합하여 접착제 조성물을 얻고, 접착제 조성물 중에 도전성 입자를 분산시켜, 이방성 도전 재료를 얻는다.
시트상의 이방성 도전 필름을 제작하는 경우, 실리콘 등의 박리제가 도포된 PET (Poly Ethylene Terephthalate) 등의 박리 기재 상에 상기 서술한 이방성 도전 재료를 도포하고, 박리 기재 상의 이방성 도전 재료를 열 오븐, 가열 건조 장치 등을 이용하여 건조시켜, 소정 두께의 층을 형성한다.
또한, 도전성 입자를 함유한 도전성 입자 함유층과 절연성 접착층을 적층시킨 2 층 구조의 이방성 도전 재료의 경우, 박리 기재 상에 도전성 입자 함유층의 수지 조성물을 도포하고, 건조시켜 도전성 입자 함유층을 형성하고, 동일한 방법으로 절연성 수지층을 형성하여, 도전성 입자 함유층과 절연성 수지층을 첩합 (貼合) 함으로써 제조할 수 있다. 이 경우, 절연성 접착층에 당해 술파이드 실란 수식 소수성 실리카가 함유되어 있어도 된다.
<3. 접속 방법>
다음으로, 상기 서술한 이방성 도전 재료를 사용한 전자 부품의 접속 방법에 관해서 설명한다. 본 실시형태에 있어서의 전자 부품의 접속 방법은, 제 1 전자 부품의 단자 상에 상기 서술한 이방성 도전 재료를 첩부하고, 이방성 도전 필름 상에 제 2 전자 부품을 임시 배치시키고, 제 2 전자 부품 위로부터 가열 가압 장치에 의해 가압하여, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자를 접속시키는 것이다.
이것에 의해, 이방성 도전 재료에 분산된 도전성 입자를 통해서 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가 접속된 접속체가 얻어진다.
본 실시형태에서의 이방성 도전 재료는, 소수성 실리카 표면이 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리된 실리카 입자가 배합되어 있기 때문에, 우수한 접속 저항 및 접착 강도를 갖는 접속체를 얻을 수 있다.
여기서 제 1 전자 부품으로는, 유리 기판에 IZO (Indium Zinc Oxide) 막이 코팅된 IZO 코팅 유리, 유리 기판에 SiNx (실리콘질화) 막이 코팅된 SiNx 코팅 유리 등을 들 수 있다. 또한, 제 2 전자 부품으로는, COF (Chip On Film), IC (Integrated Circuit) 등을 들 수 있다. 본 실시형태에서는, 이방성 도전 재료에 술파이드 실란 수식 소수성 실리카가 배합되어 있기 때문에, 표면이 평탄한 SiNx 코팅 유리에 있어서도 우수한 접착 강도를 얻을 수 있다.
실시예
<4. 실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 관해서 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 여기서는, 실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 7 의 이방성 도전 필름을 제작하였다. 그리고, 이방성 도전 필름을 사용하여 실장체를 제작하고, 실장체의 도통 저항 및 접착 강도를 평가하였다. 또, 이방성 도전 필름의 보존 안정성 시험, 실장체의 제작, 도통 저항의 측정 및 접착 강도의 측정은, 다음과 같이 실시하였다.
[보존 안정성 시험]
실시예 3, 비교예 1 및 비교예 7 의 이방성 도전 필름을 40 ℃/60 ％ 의 환경 오븐에 48 hr 투입하였다.
[실장체의 제작]
실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 7 의 이방성 도전 필름을 사용하여, COF (Chip On Film 용 기재, 50 ㎛ P, Cu 8 ㎛ t-Sn 도금, 38 ㎛ t-S'perflex 기재) 와, 유리 기판에 IZO (Indium Zinc Oxide) 막이 코팅된 두께 0.7 ㎜ 의 IZO 코팅 유리를 접합하여, 실장체를 완성시켰다. 또한, COF 와, 유리 기판에 SiNx (실리콘질화) 막이 코팅된 두께 0.7 ㎜ 의 SiNx 코팅 유리를 접합하여, 실장체를 완성시켰다.
[도통 저항의 측정]
각 실장체에 관해서, 프레셔 쿠커 시험 (PCT) 을 실시하여 접속 저항치를 평가하였다. 초기 및 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 접속 저항치는, 디지털 멀티미터 (디지털 멀티미터 7555, 요코가와 전기사 제조) 를 사용하여 측정하였다. 측정은 4 단자법을 이용하여, 전류 1 mA 를 흘려 실시하였다.
[접착 강도의 측정]
각 실장체에 관해서, 프레셔 쿠커 시험 (PCT) 을 실시하여 접착 강도를 평가하였다. 초기 및 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 접착 강도는, 인장 시험기 (RTC1201, AMD 사 제조) 를 사용하여 측정하였다. 측정은, 90 ℃ 의 온도에 있어서 50 ㎜/sec 의 속도로 COF 를 들어올려 실시하였다.
[실시예 1]
(술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A 의 제작)
메틸에틸케톤 100 중량부에 비스(3-(에톡시실릴)프로필)디술파이드 (상품명 : KBE846, 신에츠 화학 공업사 제조) 를 5 질량부 용해시켜 처리액을 조제하였다. 이어서, 이 처리액 105 중량부에, 소수성 실리카로서 평균 입경 14 ㎚ 의 디메틸실록산 수식 실리카 입자를 10 질량부 첨가하여 70 ℃ - 2 시간 정치시킨 후, 여과하여 실리카 입자를 회수하고, 진공 건조를 실시하여 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A 를 얻었다.
(이방성 도전 필름의 제작)
막형성 수지로서 페녹시 수지 (상품명 : PKHC, 토모에 공업사 제조) 를 42 질량부, 라디칼 중합성 물질로서 에폭시아크릴레이트 (상품명 : EB600, 다이셀 사이텍 (주) 제조) 를 40 질량부, 라디칼 중합 개시제로서 퍼옥시케탈 (상품명 : 퍼헥사 C, 닛폰 유지 (주) 제조) 을 3 질량부, 및 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A 를 15 질량부 배합하여 접착제 조성물을 얻었다. 이 접착제 조성물 중에 도전성 입자 (상품명 : AUL704, 세키스이 화학 공업 (주) 제조) 를 입자 밀도가 5000 개/㎟ 가 되도록 분산시켜, 이방성 도전 재료를 얻었다. 그리고, 이방성 도전 재료를 PET 필름에 도포·건조시킴으로써, 두께 20 ㎛ 의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 4.5 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 7.2 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 8.7 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 6.7 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.8 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 8.4 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 2]
(이방성 도전 필름의 제작)
페녹시 수지 (상품명 : PKHC, 토모에 공업사 제조) 를 46 질량부 및 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A 를 11 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 3.8 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 5.6 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 8.8 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 6.9 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.7 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 6.2 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 3]
(이방성 도전 필름의 제작)
페녹시 수지 (상품명 : PKHC, 토모에 공업사 제조) 를 49 질량부 및 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A 를 8 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 3.0 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 4.7 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 8.5 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 6.5 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.3 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.6 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 1 에 나타낸다.
또한, 40 ℃/60 ％ 의 환경 오븐에 48 hr 투입한 이방성 도전 필름을 사용하여 접합한 실장체에 관해서, 도통 저항 및 접착 강도를 측정하였다. COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 3.2 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 5.1 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 8.3 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 6.2 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.4 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.8 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 3 에 나타낸다.
[실시예 4]
(이방성 도전 필름의 제작)
페녹시 수지 (상품명 : PKHC, 토모에 공업사 제조) 를 52 질량부 및 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A 를 5 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 2.6 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 4.2 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.8 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.7 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 8.8 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.0 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 5]
(이방성 도전 필름의 제작)
페녹시 수지 (상품명 : PKHC, 토모에 공업사 제조) 를 55 질량부 및 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A 를 2 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 2.5 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 4.3 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.1 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.1 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 5.5 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 4.0 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 6]
(술파이드 실란 수식 소수성 실리카 B 의 제작)
메틸에틸케톤 100 중량부에 비스(3-(에톡시실릴)프로필)디술파이드 (상품명 : KBE846, 신에츠 화학 공업사 제조) 를 2.5 질량부 및 비술파이드계 실란 커플링제 (상품명 : KBM-503, 신에츠 화학 공업사 제조) 를 2.5 질량부 용해시켜 처리액을 조제하였다. 이어서 이 처리액 105 중량부에, 소수성 실리카로서 평균 입경 14 ㎚ 의 디메틸실록산 수식 실리카 입자를 10 질량부 첨가하여, 70 ℃ - 2 시간 정치시킨 후, 여과하여 실리카 입자를 회수하고, 진공 건조를 실시하여 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 B 를 얻었다.
(이방성 도전 필름의 제작)
막형성 수지로서 페녹시 수지 (상품명 : PKHC, 토모에 공업사 제조) 를 49 질량부, 라디칼 중합성 물질로서 에폭시아크릴레이트 (상품명 : EB600, 다이셀 사이텍 (주) 제조) 를 40 질량부, 라디칼 중합 개시제로서 퍼옥시케탈 (상품명 : 퍼헥사 C, 닛폰 유지 (주) 제조) 을 3 질량부, 및 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 B 를 8 질량부 배합하여 접착제 조성물을 얻었다. 이 접착제 조성물 중에 도전성 입자 (상품명 : AUL704, 세키스이 화학 공업 (주) 제조) 를 입자 밀도가 5000 개/㎟ 가 되도록 분산시켜, 이방성 도전 재료를 얻었다. 그리고, 이방성 도전 재료를 PET 필름에 도포·건조시킴으로써, 두께 20 ㎛ 의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 3.1 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 4.7 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.7 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.8 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 6.9 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.2 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 1 에 나타낸다.
[비교예 1]
(술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 의 제작)
메틸에틸케톤 100 중량부에 비스(3-(에톡시실릴)프로필)디술파이드 (상품명 : KBE846, 신에츠 화학 공업사 제조) 를 5 질량부 용해시켜 처리액을 조제하였다. 이어서, 이 처리액 105 중량부에, 친수성 실리카로서 평균 입경 14 ㎚ 의 실리카 입자를 10 질량부 첨가하여, 70 ℃ - 2 시간 정치시킨 후, 여과하여 실리카 입자를 회수하고, 진공 건조를 실시하여 술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 를 얻었다.
(이방성 도전 필름의 제작)
막형성 수지로서 페녹시 수지 (상품명 : PKHC, 토모에 공업사 제조) 를 49 질량부, 라디칼 중합성 물질로서 에폭시아크릴레이트 (상품명 : EB600, 다이셀 사이텍 (주) 제조) 를 40 질량부, 라디칼 중합 개시제로서 퍼옥시케탈 (상품명 : 퍼헥사 C, 닛폰 유지 (주) 제조) 을 3 질량부, 및 술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 를 8 질량부 배합하여 접착제 조성물을 얻었다. 이 접착제 조성물 중에 도전성 입자 (상품명 : AUL704, 세키스이 화학 공업 (주) 제조) 를 입자 밀도가 5000 개/㎟ 가 되도록 분산시켜, 이방성 도전 재료를 얻었다. 그리고, 이방성 도전 재료를 PET 필름에 도포·건조시킴으로써, 두께 20 ㎛ 의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 6.3 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 9.3 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 8.2 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 6.4 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 6.2 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 4.5 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 2 에 나타낸다.
또한, 40 ℃/60 ％ 의 환경 오븐에 48 hr 투입한 이방성 도전 필름을 사용하여 접합한 실장체에 관해서, 도통 저항 및 접착 강도를 측정하였다. COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 6.7 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 9.6 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 8.0 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 6.2 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 6.0 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 4.3 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 3 에 나타낸다.
[비교예 2]
(비술파이드 실란 수식 소수성 실리카 D 의 제작)
메틸에틸케톤 100 중량부에 디술파이드 결합을 갖지 않지만 황을 함유하는 실란 커플링제 (상품명 : A-189, 모멘티브·퍼포먼스·마테리알즈사 제조) 를 5 질량부 용해시켜 처리액을 조제하였다. 이어서, 이 처리액 105 중량부에, 소수성 실리카로서 평균 입경 14 ㎚ 의 디메틸실록산 수식 실리카 입자를 10 질량부 첨가하여, 70 ℃ - 2 시간 정치시킨 후, 여과하여 실리카 입자를 회수하고, 진공 건조를 실시하여 비술파이드 실란 수식 소수성 실리카 D 를 얻었다.
(이방성 도전 필름의 제작)
술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 대신에 비술파이드 실란 수식 소수성 실리카 D 를 사용한 것 외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 3.1 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 5.0 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.2 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.1 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 5.8 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 3.8 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 2 에 나타낸다.
[비교예 3]
(술파이드 실란 수식 친수성 실리카 E 의 제작)
메틸에틸케톤 100 중량부에 디술파이드 결합을 갖지 않지만 황을 함유하는 실란 커플링제 (상품명 : A-189, 모멘티브·퍼포먼스·마테리알즈사 제조) 를 5 질량부 용해시켜 처리액을 조제하였다. 이어서, 이 처리액 105 중량부에, 친수성 실리카로서 평균 입경 14 ㎚ 의 실리카 입자를 10 질량부 첨가하여, 70 ℃ - 2 시간 정치시킨 후, 여과하여 실리카 입자를 회수하고, 진공 건조를 실시하여 술파이드 실란 수식 친수성 실리카 E 를 얻었다.
(이방성 도전 필름의 제작)
술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 대신에 술파이드 실란 수식 친수성 실리카 E 를 사용한 것 외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 8.3 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 11.3 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.1 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.0 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 4.8 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 3.4 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 2 에 나타낸다.
[비교예 4]
(비술파이드 실란 수식 친수성 실리카 F 의 제작)
메틸에틸케톤 100 중량부에 비술파이드계 실란 커플링제 (상품명 : KBM-503, 신에츠 화학 공업사 제조) 를 5 질량부 용해시켜 처리액을 조제하였다. 이어서 이 처리액 105 중량부에, 친수성 실리카로서 평균 입경 14 ㎚ 의 실리카 입자를 10 질량부 첨가하여, 70 ℃ - 2 시간 정치시킨 후, 여과하여 실리카 입자를 회수하고, 진공 건조를 실시하여 비술파이드 실란 수식 친수성 실리카 F 를 얻었다.
(이방성 도전 필름의 제작)
술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 대신에 비술파이드 실란 수식 친수성 실리카 F 를 사용한 것 외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 7.2 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 10.7 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 5.6 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 4.0 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 4.7 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 3.2 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 2 에 나타낸다.
[비교예 5]
(친수성 실리카 G)
평균 입경 14 ㎚ 의 친수성 실리카 G 를 사용하였다.
(이방성 도전 필름의 제작)
술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 대신에 친수성 실리카 G 를 사용한 것 외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다. 또, 실란 커플링제는 배합하지 않았다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 8.6 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 12.3 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 4.5 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 3.0 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 1.5 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 0.8 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 2 에 나타낸다.
[비교예 6]
(소수성 실리카 H)
평균 입경 14 ㎚ 의 디메틸실록산 수식 소수성 실리카 H 를 사용하였다.
(이방성 도전 필름의 제작)
술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 대신에 소수성 실리카 H 를 사용한 것 외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다. 또, 실란 커플링제는 배합하지 않았다.
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 3.2 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 5.1 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 4.7 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 3.1 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 2.5 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 1.5 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 2 에 나타낸다.
[비교예 7]
(이방성 도전 필름의 제작)
술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C 를 배합하지 않고, 비스(3-(에톡시실릴)프로필)디술파이드 (상품명 : KBE846, 신에츠 화학 공업사 제조) 를 8 질량부 배합한 것 외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(평가 결과)
COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 2.6 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 4.3 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 7.1 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 5.4 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 5.5 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 3.9 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 2 에 나타낸다.
또한, 40 ℃/60 ％ 의 환경 오븐에 48 hr 투입한 이방성 도전 필름을 사용하여 접합한 실장체에 관해서, 도통 저항 및 접착 강도를 측정하였다. COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 도통 저항을 측정한 결과, 초기 저항은 2.7 Ω, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 저항은 4.5 Ω 이었다.
또한, COF 와 IZO 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 6.5 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 4.7 N/㎝ 였다. 또한, COF 와 SiNx 코팅 유리가 접합된 실장체의 접착 강도를 측정한 결과, 초기 강도는 2.2 N/㎝, 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 강도는 0.8 N/㎝ 였다. 이들 결과를 표 3 에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
종합 평가로서, IZO 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 도통 저항이 5.0 Ω 미만 및 IZO 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 접착 강도가 6.0 N/㎝ 이상, 그리고 SiNx 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 접착 강도가 5.0 N/㎝ 이상을 ◎ 로 하였다.
또한, IZO 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 도통 저항이 6.0 Ω 미만 및 IZO 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 접착 강도가 5.5 N/㎝ 이상, 그리고 SiNx 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 접착 강도가 5.0 N/㎝ 이상을 ○ 로 하였다. 또한, IZO 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 도통 저항이 8.0 Ω 미만 및 IZO 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 접착 강도가 5.0 N/㎝ 이상, 그리고 SiNx 코팅 유리에 대한 85 ℃/85 ％/500 hr 투입 후의 접착 강도가 4.0 N/㎝ 이상을 △ 로 하였다. 그 이외의 것을 × 로 하였다.
Figure pct00003
표 1 ∼ 3 에서 알 수 있듯이, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A, B 를 배합한 이방성 도전 재료는, 술파이드 실란 수식 친수성 실리카 C, 비술파이드 실란 수식 소수성 실리카 D, 술파이드 실란 수식 친수성 실리카 E, 비술파이드 실란 수식 친수성 실리카 F, 친수성 실리카 G 및 소수성 실리카 H 를 배합한 이방성 도전 재료와 비교하여, 낮은 도통 저항 및 높은 접착 강도가 얻어졌다. 또한, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A, B 를 배합한 이방성 도전 재료는, 실리카를 배합하지 않고서 디술파이드계 실란 커플링제를 배합한 비교예 7 과 비교하여, 블리드 아웃이 억제되고, 우수한 보존 안정성을 나타내었다.
또, 실시예 1 ∼ 5 에서 알 수 있듯이, 술파이드 실란 수식 소수성 실리카 A 의 함유량이 이방성 도전 재료 전체의 100 질량부에 대하여 2 ∼ 15 질량부임으로써, 낮은 도통 저항 및 높은 접착 강도가 얻어졌다.
11 … 유리 기판
12 … 금속 배선재
13 … 이방성 도전 재료
14 … 소수성 실리카

Claims (8)

  1. 소수성 실리카 표면이 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리된 실리카 입자를 함유하는, 이방성 도전 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리카 입자의 함유량은, 이방성 도전 재료 100 질량부에 대하여 2 ∼ 15 질량부인, 이방성 도전 재료.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 디술파이드계 실란 커플링제는 술파이드 실란을 함유하는, 이방성 도전 재료.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소수성 실리카는, 실리카 표면을 디메틸실록산으로 수식한 디메틸실록산 수식 실리카인, 이방성 도전 재료.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    막형성 수지와, 라디칼 중합성 물질과, 경화제와, 도전성 입자를 추가로 함유하는, 이방성 도전 재료.
  6. 소수성 실리카 표면을 디술파이드계 실란 커플링제로 표면 처리하고, 그 표면 처리된 실리카 입자를 배합하는, 이방성 도전 재료의 제조 방법.
  7. 제 1 전자 부품의 단자 상에 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 재료를 첩부하고,
    상기 이방성 도전 필름 상에 제 2 전자 부품을 임시 배치시키고,
    상기 제 2 전자 부품 위로부터 가열 가압 장치에 의해 가압하여,
    상기 제 1 전자 부품의 단자와 상기 제 2 전자 부품의 단자를 접속시키는, 접속 방법.
  8. 제 7 항에 기재된 접속 방법에 의해 제조되는, 접합체.
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