KR100947891B1 - 금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물입자의 표면 개질방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입체장애를 부여할 수 있는 고리형 알킬기를 함유하는 알킬실란폴리올 단독 또는 알킬알콕시실란과의 혼합물로 이루어진 표면개질제와, 금속산화물 입자의 친수성 표면에 상기한 표면개질제를 화학적 결합을 통해 코팅하여 소수성 또는 양쪽성(소수 및 친수) 그리고 반응성으로 개질하는 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 특정 화학구조의 알킬실란폴리올을 선택 사용함으로써 금속산화물과 개질제간의 화학적 결합을 유도하기 위한 고온 축합반응 중에서의 표면개질제 자체의 축합으로 인한 응집을 억제함은 물론이고 규소-수산기(Si-OH) 결합을 안정화시켜, 고른 입자 분포를 갖는 표면개질된 금속산화물 입자를 제공할 수 있다.
금속산화물 입자, 표면개질제, 소수성 개질, 알킬실란폴리올
Description
본 발명은 금속산화물 입자의 표면개질제 및 이를 이용한 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입체장애를 부여할 수 있는 고리형 알킬기를 함유하는 알킬실란폴리올 단독 또는 알킬알콕시실란과의 혼합물로 이루어진 표면개질제와, 금속산화물 입자의 친수성 표면에 상기한 표면개질제를 화학적 결합을 통해 코팅하여 또는 양쪽성(소수 및 친수) 그리고 반응성으로 개질하는 금속산화물 입자의 표면 개질방법에 관한 것이다.
보통 '재료'는 크게 유기, 무기 그리고 금속 등의 세 가지로 크게 구분된다. 요즘은 각각의 재료들이 가지는 기본적인 물성 외에 단점을 보완하고 장점을 극대화하고 상승효과를 부여하기 위해, 유·무기 복합재료처럼 하이브리드화하고 있다. 그러나 하이브리드화 하는데 있어서 중요시되는 것 중의 하나는 서로 다른 재료의 표면 극성을 조절하는 기술이다. 실제 서로 다른 성분을 섞어서 물성 향상을 기대하려면 효과적인 분산이 필수적이기 때문이다. 현재, 이를 위해 기질의 표면을 화학적 또는 전기화학적으로 처리하거나 표면코팅 및 커플링제 처리한 후 하이브리드화하는 기술 개발이 활발히 진행되고 있다.
이 중에서 무기물들은 타 재료에 비해 넓은 온도 범위에서 내열성, 내한성, 전기 절연성, 광학적 특성, 기계적 특성 등을 가지는 동시에, 가격 또한 경쟁력이 있기 때문에 관심이 더욱더 증대되고 있고 응용분야도 매우 넓다. 특히 내부 표면적이 큰 다공성 특성을 갖기 때문에, 흡착제나 분리용 컬럼 충진제 또는 촉매의 담지체로 널리 사용되고 있다.
이 밖에도 산화티타늄(TiO2)이나 산화아연(ZnO) 등의 무기물 등은 자외선 차폐능력을 가지고 있어 화장품이나 전자소재에 응용되기도 한다. 그러나 화장료 배합시에 유성화장료 또는 땀, 물에 의해 잘 지워지지 않는 소수성 화장료에 배합할 경우 분산이 효과적으로 되지 못하여 분체의 특성이 충분히 발휘되지 못하는 단점을 가지고 있다.
또한 많이 응용되고 있는 분야중의 하나가 타이어 조성물인데, 최근 자동차에 대한 환경오염과 관련되어 타이어의 회전저항을 감소시켜 자동차의 연비능력을 높이고 물이나 눈에서의 제동력을 증가시키기 위한 방법으로 타이어 제조시에 첨가물로 넣어 주는 실리카의 표면개질에 대한 중요성이 커지고 있다. 그러나 무기물 입자인 실리카는 표면에 히드록시기로 구성되어 있어 자체의 응집력 때문에 비 극성인 고무복합재료에 잘 분산이 되지 않으므로, 지금까지는 타이어 트레드 고무 조성시에 실리콘 결합제 및 실리카 분산제 등을 따로 넣어주는 방법이 주로 사용되어 왔다. 하지만 실란결합제 뿐 아니라 실리카 분산제를 따로 첨가해야 하고, 표면처리 후 용매인 알콜과 물을 제거하는 문제가 있고, 또한 가수분해 조건에서 실란결합제 자체의 가수분해 및 축합반응 등으로 응집되는 단점이 있었다.
반도체를 보호하는 EMC(Epoxy Molding Compounds)는 200 ℃ 이상이 되면 크랙되는 문제점을 해결하기 위해 실리카를 첨가하여 물성을 개선하는 데, 역시 문제점은 EMC 제조시에 첨가하는 실리카를 효과적으로 분산시키는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 무기산화물은 다양한 응용 분야에 널리 이용되고 있지만, 그 표면은 수산화기(-OH)로 이루어져 있어 친수성을 띠기 때문에 소수성을 요하는 타 재료에 대해서 골고루 분산되지 않는 문제점이 있어 혼용하여 사용하는 데 어려움이 있다. 따라서 무기물 입자의 표면을 소수성으로 개질하여 고르게 분산시킨 후 화학결합을 유도하는 효과적이면서도 용이한 방법 등이 필요하다.
무기물 입자의 표면 소수화는 무기물의 종류에 따라 그 방법은 다양화될 수 있으며, 현재까지 알려진 무기물의 표면 개질방법을 간단히 살펴보면 다음과 같다.
기상법은 주로 저비점의 실란이 주로 사용되고 있으나, 규소??수소(Si??H) 결합을 갖고 있으므로 높은 온도에서는 수소가스 등이 발생되는 위험성이 있다. 이에 따라 규소??수소 결합을 갖지 않는 실란계 화합물로부터 실리카를 직접 제조하는 방법[한국공개특허 제2004-830호]과, 실리카 표면에 아크릴 실란 계열 및 알킬실란과 비교적 낮은 비점의 알킬실란을 200℃ 이상 가열하고 압력을 이용해 분무 해 표면을 개질하는 방법[한국공개특허 제2006-128353호, 제2006-128353호]이 알려져 있다. 이 방법은 규소??수소 결합을 갖는 저비점의 실란을 사용하지 않고 또 200℃ 이하의 상대적으로 낮은 온도에서 처리하기 때문에 위험한 단점을 해결하였다.
습식 방법은 비극성인 고무복합재료에 대해 분산성을 높이기 위한 방법으로 첨가하는 실리카의 표면을 고온에서 탈수시킨 뒤에 소수성을 가지는 폴리머 말단에 알칼리 토금속 등을 도입하여 실리카와 반응시켜 실리카를 소수성으로 표면개질 하는 습식 방법[미국공개특허 제2005-0203238호]이 보고되었다. 위 방법은 실리카의 표면에 단순히 코팅하는 방법이 아니라 공유결합을 유도하는 그라프팅 방법(Grafting Method)으로 추가적인 가공 공정에서 상당한 안정성을 가지는 장점이 있으나, 리튬이나 나트륨 같은 알칼리 토금속을 사용하기 때문에 반응 후 잔량으로 남는 불순물들이 안정성을 가지는 결합을 다시 떨어뜨리는 경향이 있다.
다른 방법으로는 플루오르에스테르기를 가지는 폴리실란 화합물을 화장료의 표면 개질제로 사용하여 그 표면을 처리하는 방법[한국공개특허 제2001-19581호] 이 보고되었으나, 안료에 대한 분산이 효과적이지 못하고 단 분자에 비해 양을 많이 써야 하는 단점이 있다. 또한 아연 및 아연함금의 표면에 C3-C5의 1차 알킬기를 가지는 트리알콕시실란을 이용하여 표면을 코팅하는 방법[한국공개특허 제2004-59977호]이 보고되었다. 하지만 이 방법은 가수분해 단계에서 1차 알킬기가 입체적인 장애를 줄 수가 없기 때문에 자체적으로 축합이 되는 문제가 있다. 이 밖에도 옥타데실클로로실란, 알킬클로로실란, 글라이시독시프로필트리메톡시실란 등을 단분자조립(SAMs)을 통해 무기산화물의 표면을 처리하는 방법[Tilman, N., Ulman, A., Penner, T. L. Langmuir 1989, 5, 101; Tripp, C. P., Hair, M. L. Langmuir 1992, 8, 1961; Daniels, M. W., Francis, L. F. J. Col. Int. Sci. 1998, 205, 191] 등이 보고되어 있다.
이처럼 다양한 방법을 통해 무기물의 표면을 개질하려는 노력들이 진행되었으나, 표면개질제로 사용되는 실란화합물들은 주로 일차(Primary) 알킬기를 함유하는 실란이나 또는 테트라알콕시실란 등으로 한정되어 있기 때문에, 가수분해 되는 조건 등에서 불안정한 실란올기(Si-OH)가 서로 축합되거나, 극성 때문에 분산되기 전에 뭉치는 문제가 있었다.
이에, 본 발명자들은 가수분해되는 조건에서 뭉치거나 축합되는 성질이 억제가 가능한 기능성기로서 고리형 알킬기가 치환된 특정 화학구조의 알킬실란폴리올을 사용하여, 친수성의 금속산화물 표면을 소수성으로 개질하는 방법을 착안함으로써 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명은 고리형 포화 또는 불포화 알킬기가 치환된 특정 화학구조의 알킬실란폴리올을 금속산화물 입자의 표면개질제로 사용하는 용도를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 고리형 포화 또는 불포화 알킬기가 치환된 특정 화학구조의 알킬실란폴리올과 함께 알킬알콕시실란 화합물을 포함시켜 소수성 또는 양쪽성(소수 및 친수) 그리고 반응성 등의 기능성을 부여하게 되는 금속산화물 입자의 표면개질제를 제공하는데 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 고리형 포화 또는 불포화 알킬기가 치환된 특정 화학구조의 알킬실란폴리올 단독, 또는 알킬알콕시실란 화합물과 함께 개질제로 사용하여, 친수성 금속산화물의 입자 표면에 화학적 결합을 통해 상기한 개질제가 코팅되어 소수성 또는 양쪽성(소수 및 친수) 그리고 반응성을 부여하는 방법을 제공하는데 또다른 목적이 있다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올인 것을 특징으로 하는 금속산화물 입자의 표면개질제를 그 특징으로 한다.
상기 화학식 1에서, R은 C3-8의 고리형 포화 또는 불포화 알킬기이고, 상기 고리형 알킬기는 수소원자, 및 C1-6 알킬 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고; R1는 OH 또는 SiR(OH)2 기이다.
또한, 본 발명은 금속산화물 분말과 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올을 물 및 탄소수 1 내지 6의 알코올 중에서 선택된 용매에 분산시키는 과정; 상기 분산액으로부터 용매를 증발시켜 알킬실란폴리올이 코팅된 금속산화물 입자를 얻는 과정; 및 상기 코팅된 금속산화물 입자를 100 ℃ 내지 130 ℃에서 열처리하여 입자 표면에 알킬실란폴리올이 화학적으로 결합된 금속산화물 입자를 얻는 과정을 포함하여 이루어지는 금속산화물 입자의 표면 개질방법을 그 특징으로 한다.
본 발명은 금속산화물의 표면개질제로서 종래에 사용되었던 알콕시실란 대신에 특정 구조의 유기실란폴리올을 선택 사용한데 기술적 특징이 있다. 즉, 본 발명이 금속산화물의 표면개질제로 선택 사용하는 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은, 입체장애를 부여할 수 있는 고리형 2차 알킬기가 치환되어 있어 알킬실란폴리올의 자체내 화학결합을 방해하여 응집현상을 억제하고, 또한 규소-수산기(Si-OH) 결합의 안정화를 도모하여 입자 친수성 표면과 수소결합에 의한 표면 박막이 형성되고, 고온 축합과정에서 이들 수소결합이 축합반응하여 Si-O-M 공유결합을 형성하는 특징을 갖고 있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은 물 또는 알콜과 같은 극성 용매에 대한 용해성이 우수하므로, 고른 분산을 위한 별도의 첨가제가 사용되지 않고 단순한 가열방식으로도 금속산화물과의 축합반응에 의한 공유결합 형성으로 고른 코팅층을 형성할 수 있는 특징을 갖고 있다. 특히, 용매로서 물을 사용하게 되면 매우 환경 친화적인 표면처리방법이 될 수 있 다. 또한, 기상법이 아닌 낮은 비점을 갖는 용매내에서의 축합반응이 가능한 장점도 갖고 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올에 있어, 바람직하기로는 상기 R이 시클로펜틸, 시클로헥사닐, 시클로펜텐-1-일, 시클로펜텐-2-일, 시클로펜텐-3-일, 시클로헥센-1-일, 시클로헥센-2-일, 시클로헥센-3-일, 3-메틸-시클로헥센-3-일, 4-메틸-시클로헥센-3-일, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일인 알킬실란폴리올인 경우이다. 본 발명에서 사용되는 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올을 보다 구체적으로 예시하면, 시클로펜틸실란트리올, 시클로헥사닐실란트리올, 시클로펜텐-1-일실란트리올, 시클로펜텐-2-일실란트리올, 시클로펜텐-3-일실란트리올, 시클로헥센-1-일실란트리올, 시클로헥센-2-일실란트리올, 시클로헥센-3-일실란트리올, 3-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 4-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 1,2-디시클로헥실-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(4-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3,4-디메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란 등이 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은 금속산화물의 중량 대비 0.01 내지 20 중량% 범위, 바람직하기로는 0.1 내지 10 중량% 범위로 사용한다.
또한, 본 발명은 금속산화물 입자의 표면개질제로서 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올 이외에도, 추가로 하기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란을 함께 사용하여 금속산화물 입자 표면에 소수성뿐 아니라 반응성도 부여하는 것도 그 특징으로 한다.
상기 화학식 2에서, R2는 C1-6의 알킬기이고; R3은 3-(글리시독시)프로필, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸, 3,3,3-트리플르오르프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-아미노프로필, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필, 3-아크릴록시프로필, 2-시아노에틸, 3-시아노프로필, 3-이소시아네이토프로필, 3-메르캅토프로필, 3-(메타아크릴옥시)프로필, CF3(CF2)nCH2CH2 (이때, n은 0 내지 10의 정수), 2-(3-헥센닐)에틸, 또는 말단 알켄닐기이다.
상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란은 표면개질제로 포함되어서는 금속산화물 입자의 표면에 대하여 소수성, 친수성, 양쪽성, 반응성 등 기능성을 부여할 수 있다. 상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란을 구체적으로 예시하면 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3,3,3-트리플르오르프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플르오르프로필트리메톡 시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)테트라설피드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)디설피드, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리에톡시실란, 3-(메타아크릴옥시)프로필트리에톡시실란, 3-(메타아크릴옥시)프로필트리메톡시실란, 2-시아노에틸트리에톡시실란, 2-시아노에틸트리메톡시실란, 3-시아노프로필트리에톡시실란, 3-시아노프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, CF3(CF2)nCH2CH2-Si(OCH2CH3)3 (이때, n은 0 내지 10의 정수, 바람직하기로는 0 내지 4의 정수), CF3(CF2)nCH2CH2-Si(OCH3)3 (이때, n은 0 내지 10의 정수, 바람직하기로는 0 내지 4의 정수), 2-(3-헥센닐)에틸트리에톡시실란, 2-(3-헥센닐)에틸트리메톡시실란, 또는 말단 알켄닐기에톡시실란 등이 포함될 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란은 금속산화물의 중량 대비 20 중량% 미만의 범위로 사용하며, 바람직하기로는 0.1 내지 10 중량% 범위로 사용하는 것이다.
또한, 본 발명의 표면개질제는 추가로 아세트산 수용액을 촉매로서 함유할 수도 있다. 상기 아세트산 수용액은 1 중량% 농도의 것을 기준으로 할 때, 금속산화물 분말 중량에 대비하여 1 내지 5 중량% 범위로 첨가하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명은 상기한 바와 같은 표면개질제를 사용하여 금속산화물 입자를 표면 개질하는 방법을 권리범위로서 포함한다.
본 발명에 따른 표면 개질방법은 다음과 같은 과정을 포함하여 이루어진다. :
ⅰ) 금속산화물 분말과 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올을 물 및 탄소수 1 내지 6의 알코올 중에서 선택된 용매에 고루 분산시키는 과정; ⅱ) 상기 분산액으로 부터 용매를 증발시켜 알킬실란폴리올이 코팅된 금속산화물 입자를 얻는 과정; 및 ⅲ) 상기 코팅된 금속산화물 입자를 100 ℃ 내지 130 ℃ 온도에서 건조 및 축합 반응시켜 입자 표면에 알킬실란폴리올이 화학적으로 결합된 금속산화물 입자를 얻는 과정을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 표면 개질방법에서는 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올과 함께 추가로 상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란을 용매에 포함시켜 금속산화물 입자 표면에 다양한 기능성을 부여할 수도 있다.
본 발명에 따른 표면개질제가 적용되는 금속산화물은 분말상으로서, 평균 입자 크기가 5 nm 내지 100 ㎛ 범위인 분말입자이다. 이들 금속산화물은 당 분야에서 충진제로 흔히 사용되는 무기물로서, 예를 들면 건식 또는 습식 실리카, 마이카, 탈크 등과 산화티타늄, 산화지르코늄, 주석산화물, 철산화물, 아연산화물 등이 포함될 수 있다. 이러한 본 발명의 표면개질제는 실리콘 웨이퍼와 같은 기질 의 화학적 표면개질 방법으로도 적용 가능하다.
본 발명에 다른 표면 개질방법을 각 단계별로 보다 상세히 설명하면 아래와 같다.
ⅰ)과정은 금속산화물 분말과 표면개질제가 고루 분산시키는 과정이다. 금속산화물 분말은 건조기 등을 사용하여 건조 및 탈수(dehydration)시켜 사용하였다. 표면개질제로서는 상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올 단독 또는 상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란을 함께 사용하였다. 상기한 금속산화물 분말과 표면개질제의 고른 분산을 위하여, 본 발명에서는 물 및 탄소수 1 내지 6의 알코올 중에서 선택된 용매를 선택 사용하였는데, 본 발명이 표면 개질제로 선택 사용하는 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 실란 화합물은 물과 알콜 용매에 대한 용해성이 우수하므로 고른 분산이 가능한 효과를 얻을 수 있었다.
또한, 필요하다면 아세트산 수용액을 촉매로서 첨가할 수도 있다. 상기 아세트산 수용액은 1 중량% 농도의 것을 기준으로 할 때, 금속산화물 분말 중량에 대비하여 1 내지 5 중량% 범위로 첨가하는 것이 바람직하다.
ⅱ)과정은 상기에서 얻은 알킬실란폴리올이 코팅된 금속산화물 입자를 얻는 과정이다. 즉, 상기에서 얻어진 분산액을 회전증발 건조기 등을 사용하여 용매를 제거하여 알킬실란폴리올이 코팅된 금속산화물 입자를 얻는다. 이때 금속산화물 입자 표면의 수산기와 유기실란폴리올이 수소결합하거나 또는 극성에 따라 표면에 흡착되게 된다.
ⅲ)과정은 상기에서 얻은 코팅된 금속산화물 입자를 열처리하여, 입자 표면 에 코팅된 알킬실란폴리올이 화학적으로 공유결합 등을 통해서 금속산화물 입자에 박막 코팅되도록 하는 과정이다. 상기 열처리는 100 ℃ 내지 130 ℃ 온도에서 이루어진다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명은 다음의 실시예에 의거하여 더욱 상세히 설명하겠는 바, 본 발명이 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1. 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 실리카(SiO2) 표면처리
250 mL 둥근바닥플라스크에 습식 실리카(150 m2/g aerosilㄾ150, degussa ; 15nm, 140-80 m2/g, Aldrich, 99.5 %; 175 m2/g, ZEOSILㄾ175 GR 또는 115 m2/g ZEOSILㄾ115 GR, Rodia 중에서 선택된 습식 실리카 10 g과 물 50 mL를 넣고 교반시켜 분산시켰다. 여기에 시클로펜테닐실란트리올 1.0 g을 물에 녹여서 10분 동안 적가하고 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 물을 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 6시간 동안 건조시켰다. 처리 전과 처리 후 입자의 상태를 확인하기 위해 전자현미경을 통해 분석하였으며, 그 결과는 첨부도면 도 1에 나타내었다.
또한 표면 처리된 실리카를 적외선 분광 스펙트럼을 통해 분석하였으며, 이 때 사용된 적외선 분광기로는 DRIFT(Diffuse Reflectance FT-IR)을 사용하고, 검출기로는 MCT(Mercury-Cadmium-Telluride)를 사용하였다. 적외선 분광 스펙트럼 분석 결과는 첨부도면 도 2에 나타내었다. 도 2에 의하면, 2929 cm-1(asym, C-H stretching), 2857 cm-1(sym, C-H stretching), 1457 cm-1(C-H bend)에서 특성적인 흡수 피크가 관측되었다. 참고적으로, 1150-1050 cm-1 사이에 나타나는 음성적(negative)인 넓은(broad) 밴드는 Sis-O-Si 때문이라는 연구결과가 보고된바 있다.[Hair, M. L., Tripp, C. P. Langmuir, 1991, 7, 923]
표면 처리 전과 표면 처리 후의 실리카 입자를 물에 넣고 흔든 다음 1시간 동안 방치한 후에 비교하였다. 도 3의 사진에 의하면, 표면처리 하지 않은 실리카는 수 분 이내에 다 가라앉은 것을 확인할 수 있었고, 표면처리한 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 떠 있는 것을 확인할 수 있다.
실시예 2. 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 1에서 사용된 습식실리카(실시예 1에서 사용한 실리카) 10 g(120 ℃, 8 시간 건조)에 메탄올 50 mL를 넣고 교반시켜 분산시킨 후, 0 ℃의 메탄올에 분산시킨 시클로펜테닐실란트리올 1.0 g 을 0 ℃로 유지된 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 6시간 동안 건조시켰다.
실시예 3. 시클로펜테닐실란트리올과 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설피드를 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g(120 ℃, 8 시간 건조)과 메탄올 50 mL를 넣고 분산시킨 후, 시클로펜테닐실란트리올 0.5 g과 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설피드 (Degussa Gemany, Si69) 0.5 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 120 ℃로 6시간 동안 건조시켰다. 상기 분산액에 1 중량% 농도의 아세트산 수용액 1 mL를 적가하여 촉매로 사용 시에 보다 효과적인 금속산화물의 표면개질이 일어났다.
실시예 4. 시클로펜테닐실란트리올과 3-메르캅토프로필트리에톡시실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g(120 ℃, 8 시간 건조)과 메탄올 50 mL를 넣고 분산시킨 후, 시클로펜테닐실란트리올 0.5 g과 3-메르캅토프로필트리에톡시실란 (Gelest, Inc.) 0.5 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 120 ℃로 6시간 동안 건조시켰다.
실시예 5. 시클로펜테닐실란트리올과 3-(글리시독시)프로필트리에톡시실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g, 메탄올 50.0 mL, 시클로펜테닐실란트리올 0.50 g과 3-(글리시독시)프로필트리에톡시실란 0.50 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다. 상기 분산액에 1 중량% 농도의 아세트산 수용액 1 mL를 적가하여 촉매로 사용 시에 보다 효과적인 금속산화물의 표면개질이 일어났다.
실시예 6. 시클로펜테닐실란트리올과 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g, 메탄올 50.0 mL, 시클로펜테닐실란트리올 0.50 g과 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란 0.50 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다. 상기 분산액에 1 중량% 농도의 아세트산 수용액 1 mL를 적가하여 촉매로 사용 시에 보다 효과적인 금속산화물의 표면개질이 일어났다.
실시예 7. 시클로펜테닐실란트리올과 3-(메타아크릴옥시)프로필트리에톡시실 란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g, 메탄올 50.0 mL, 시클로펜테닐실란트리올 0.50 g과 3-(메타아크릴옥시)프로필트리에톡시실란 0.50 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다.
실시예 8. 시클로펜테닐실란트리올과 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g, 메탄올 50.0 mL, 시클로펜테닐실란트리올 0.50 g과 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란 0.50 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다.
실시예 9. 시클로펜테닐실란트리올과 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g, 메탄올 50.0 mL, 시클로펜테닐실란트리올 0.50 g과 3-시아노프로필 트리에톡시실란 0.50 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다.
실시예 10. 시클로펜테닐실란트리올과 3-아미노프로필트리에톡시실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g, 메탄올 50.0 mL, 시클로펜테닐실란트리올 0.50 g과 3-아미노프로필트리에톡시실란 0.50 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다.
실시예 11. 시클로펜테닐실란트리올과 CF3(CF2)nCH2CH2-Si(OCH2CH3)3 (이때, n = 0)을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g, 메탄올 50.0 mL, 시클로펜테닐실란트리올 0.50 g과 [CF3(CF2)nCH2CH2-Si(OCH2CH3)3 (n = 0)] 0.50 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다. 상기 분산액에 1 중량% 농도의 아세트산 수용액 1 mL를 적가하여 촉매로 사용 시에 보다 효과적인 금속산화물의 표면개질이 일어났다.
실시예 12. 시클로펜테닐실란트리올과 2-(3-헥센닐)에틸트리에톡시실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g, 메탄올 50.0 mL, 시클로펜테닐실란트리올 0.50 g과 2-(3-헥센닐)에틸트리에톡시실란 0.50 g을 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다. 상기 분산액에 1 중량% 농도의 아세트산 수용액 1 mL를 적가하여 촉매로 사용 시에 보다 효과적인 금속산화물의 표면개질이 일어났다.
실시예 13. 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 산화티타늄(TiO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 산화티타늄(알드리치, 99.8 %) 10 g과 시클로펜테닐실란트리올 1.0 g을 사용하여 처리하였다. 처리 전과 처리 후 입자를 전자현미경을 통해 확인하였으며, 그 결과는 첨부도면 도 4에 나타내었다.
실시예 14. 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 산화지르코늄(ZnO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 산화지르코늄(시그마-알드리치, 1 ㎛, 99%) 10 g과 시클로헥실실란트리올 1.0 g을 사용하여 처리하였다. 처리 전과 처리 후 입자를 전자현미경을 통해 확인하였으며, 그 결과는 첨부도면 도 5에 나타내었다.
실시예 15. 시클로펜틸실란트리올을 사용한 지르코니아(ZrO2)의 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 산화지르코늄(시그마-알드리치, 1㎛, 99%) 10 g과 시클로펜틸실란트리올 1.0 g을 사용하여 처리하여, 표면 개질된 지르코니아를 제조하였다.
실시예 16. 시클로펜틸실란트리올을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 시클로펜테닐실란트리올 대신에 시클로펜타닐실란트리올을 사용하여 실시예 1과 같은 습식 실리카를 동일한 규모와 방법으로 습식 실리카 처리를 수행하였다. 이 실험에서 얻어진 결과는 상기 실시예 1과 유사하였다.
실시예 17. 시클로펜틸실란트리올을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
본 출원인에 의한 한국특허출원 제2007-106843호의 방법에 의해 시클로펜틸트리메톡시실란을 가수분해하여 제조된 시클로펜틸실란트리올 (1.0 g) 수용액에 실 리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g을 넣고 교반하면서 물과 메탄올(가수분해 생성물)을 회전증발기로 날려 보내고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다. 처리한 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 18. 시클로헥사닐실란트리올을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
시클로헥사닐실란트리올을 메탄올에 분산시킨 용액을 만들어 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 습식 실리카(실시예 1과 동일한 실리카)를 처리하였다. 상기 방법으로 처리된 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 19. 3-메틸-3-시클로헥세닐실란트리올을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
3-메틸-3-시클로헥세닐실란트리올을 메탄올에 분산시킨 용액을 만들어 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 습식 실리카(실시예 1과 동일한 실리카)를 처리하였다. 상기 방법으로 처리된 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 20. 4-메틸-3-시클로헥세닐실란트리올을 사용한 실리카(SiO2)의 표면 처리
4-메틸-3-시클로헥세닐실란트리올을 메탄올에 분산시킨 용액을 만들어 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 습식 실리카(실시예 1과 동일한 실리카)를 처리하였다. 상기 방법으로 처리된 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 21. 3,4-디메틸-3-시클로헥세닐실란트리올을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
3,4-디메틸-3-시클로헥세닐실란트리올을 메탄올에 분산시킨 용액을 만들어 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 습식 실리카(실시예 1과 동일한 실리카)를 처리하였다. 상기 방법으로 처리된 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 22. 1,2-디시클로헥실-1,1,2,2-테트라히드록시디실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
1,2-디시클로헥실-1,1,2,2-테트라히드록시디실란을 메탄올에 분산시킨 용액을 만들어 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 습식 실리카(실시예 1과 동일한 실리카)를 처리하였다. 상기 방법으로 처리된 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 23. 1,2-비스(시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란을 사용한 실리카(SiO2)의 표면처리
1,2-비스(시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란을 메탄올에 분산시킨 용액을 만들어 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 습식 실리카(실시예 1과 동일한 실리카)를 처리하였다. 상기 방법으로 처리된 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 24. 시클로펜틸실란트리올과 1,2-디시클로펜틸-1,1,2,2-테트라히드록시디실란 혼합물을 사용한 실리카(SiO2) 표면처리
시클로펜틸트리메톡시실란을 가수분해하여 시클로펜틸실란트리올과 1,2-디시클로펜틸-1,1,2,2-테트라히드록시디실란의 4:1(몰 비) 혼합물 (1.0 g)을 얻고, 여기에 실리카(실시예 1과 동일한 실리카) 10 g을 넣고 교반하면서 물과 메탄올(가수분해 생성물)을 회전증발기로 날려 보냈다. 그리고 진공 오븐에서 130 ℃로 하루 동안 건조시켰다. 상기 방법으로 처리된 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 25. 시클로펜테닐실란트리올 수용액을 사용한 실리카(SiO2) 표면처리
상기 실시예 2와 동일한 방법으로 건조시킨 습식 실리카(11 nm, 255 m2/g, Aldrich) 10 g를 메탄올 50 mL에 넣고 교반시켜 분산시킨 후, 0 ℃의 메탄올에 분산시킨 시클로펜테닐실란트리올 3.0 g 을 0 ℃로 유지된 플라스크에 적가하고 10분 동안 교반하였다. 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 6시간 동안 건조시켰다. 처리한 실리카는 소수성으로 개질되어 물에 100% 떠 있는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 26. (2-시클로펜테닐)트리메톡시실란의 가수분해물을 사용한 실리카(SiO2) 표면처리
상압, 상온에서 50 mL 유리 플라스크에 1 중량% 농도의 초산 수용액 0.65 mL를 넣고 교반하면서 (2-시클로펜테닐)트리메톡시실란 0.65 mL를 첨가하였다. 25 ℃에서 1시간 가수분해 반응 후 용액이 완전히 맑아짐(모두 실란트리올로 전환됨)을 확인한 후, 습식실리카(실시예 1에서 사용한 실리카) 10 g과 메탄올 50 mL를 넣고 교반시켜 분산시킨 후, 회전증발기를 이용하여 용매를 최대한 제거하고 진공 오븐에서 130 ℃로 6시간 동안 건조시켰다. 이 경과는 실시예 2와 유사한 결과를 얻었다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 입체장애를 부여하는 특정 관능기가 치환된 유기실란폴리올을 개질제로 사용하여 나노 크기의 기능성 금속산화물 입자 표면에 대 한 개질이 가능케 하며, 이 표면 개질된 기능성 금속산화물 입자는 다양한 유기물 복합체의 기능부여, 성능 향상 등의 용도로 널리 사용될 수 있다.
도 1은 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 습식 실리카(SiO2)의 표면처리 전후의 SEM 사진이다.
도 2는 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 습식 실리카(SiO2)의 표면처리 전후의 산광반사율 적외선 분광 스펙트럼(DRIFTS)이다.
도 3은 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 습식 실리카(SiO2)의 표면처리 전후의 소수성을 확인한 실험결과에 대한 사진이다.
도 4는 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 산화티타늄(TiO2)의 표면처리 전후의 SEM 사진이다.
도 5는 시클로펜테닐실란트리올을 사용한 산화지르코늄(ZnO2)의 표면처리 전후의 SEM 사진이다.
Claims (14)
- 하기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올인 것임을 특징으로 하는 금속산화물 입자의 표면개질제 :[화학식 1]RR1Si(OH)2상기 화학식 1에서,R은 시클로펜틸, 시클로헥사닐, 시클로펜텐-1-일, 시클로펜텐-2-일, 시클로펜텐-3-일, 시클로헥센-1-일, 시클로헥센-2-일, 시클로헥센-3-일, 3-메틸-시클로헥센-3-일, 4-메틸-시클로헥센-3-일, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일 중에서 선택되고, 상기 고리형 알킬기는 수소원자, 및 C1-6 알킬 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고; R1는 OH 또는 SiR(OH)2 기이다.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은 시클로펜틸실란트리올, 시클로헥사닐실란트리올, 시클로펜텐-1-일실란트리올, 시클로펜텐-2-일실란트리올, 시클로펜텐-3-일실란트리올, 시클로헥센-1-일실란트리올, 시클로헥센-2-일실란트리올, 시클로헥센-3-일실란트리올, 3-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 4-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 1,2-디시클로헥실-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(4-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3,4-디메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 표면개질제.
- 청구항 1에 있어서,하기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란을 추가로 포함하는 것임을 특징으로 하는 표면개질제 :[화학식 2]R3Si(OR2)3상기 화학식 2에서, R2는 C1-6의 알킬기이고; R3은 3-(글리시독시)프로필, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸, 3,3,3-트리플르오르프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-아미노프로필, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필, 3-아크릴록시프로필, 3-메타아크릴록시프로필, 2-시아노에틸, 3-시아노프로필, 3-이소시아네이토프로필, 3-메르캅토프로필, 3-(메타아크릴옥시)프로필, CF3(CF2)nCH2CH2 (이때, n은 0 내지 10의 정수), 2-(3-헥센닐)에틸, 또는 말단 알켄닐기이다.
- 청구항 4에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란은 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3,3,3-트리플르오르프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플르오르프로필트리메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)테트라설피드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디설피드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)디설피드, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프 로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리에톡시실란, 3-(메타아크릴옥시)프로필트리에톡시실란, 3-(메타아크릴옥시)프로필트리메톡시실란, 2-시아노에틸트리에톡시실란, 2-시아노에틸트리메톡시실란, 3-시아노프로필트리에톡시실란, 3-시아노프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, CF3(CF2)nCH2CH2-Si(OCH2CH3)3, CF3(CF2)nCH2CH2-Si(OCH3)3, 2-(3-헥센닐)에틸트리에톡시실란, 2-(3-헥센닐)에틸트리메톡시실란, 또는 말단 알켄닐기에톡시실란 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 표면개질제.
- 청구항 1, 및 청구항 3 내지 5항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서,아세트산 수용액이 추가로 첨가되는 것을 특징으로 하는 표면개질제.
- 금속산화물 분말과 하기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올을 물 및 탄소수 1 내지 6의 알코올 중에서 선택된 용매에 분산시키는 과정,상기 분산액으로부터 용매를 증발시켜 알킬실란폴리올이 코팅된 금속산화물 입자를 얻는 과정, 및상기 코팅된 금속산화물 입자를 100 ℃ 내지 130 ℃에서 열처리하여 입자 표면에 알킬실란폴리올이 화학적으로 결합된 금속산화물 입자를 얻는 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속산화물 입자의 표면 개질방법 :[화학식 1]RR1Si(OH)2상기 화학식 1에서,시클로펜틸, 시클로헥사닐, 시클로펜텐-1-일, 시클로펜텐-2-일, 시클로펜텐-3-일, 시클로헥센-1-일, 시클로헥센-2-일, 시클로헥센-3-일, 3-메틸-시클로헥센-3-일, 4-메틸-시클로헥센-3-일, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일 중에서 선택되고, 상기 고리형 알킬기는 수소원자, 및 C1-6 알킬 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고; R1는 OH 또는 SiR(OH)2 기이다.
- 청구항 7에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은 시클로펜틸실란트리올, 시클로헥사닐실란트리올, 시클로펜텐-1-일실란트리올, 시클로펜텐-2-일실란트리올, 시클로펜텐-3-일실란트리올, 시클로헥센-1-일실란트리올, 시클로헥센-2-일실란트리올, 시클로헥센-3-일실란트리올, 3-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 4-메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 3,4-디메틸-시클로헥센-3-일실란트리올, 1,2-디시클로헥실-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록 시디실란, 1,2-비스(3-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(4-메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란, 1,2-비스(3,4-디메틸-시클로헥센-3-일)-1,1,2,2-테트라히드록시디실란 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 청구항 7에 있어서,상기 용매에 하기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란을 추가로 분산시키는 것을 특징으로 하는 방법 :[화학식 2]R3Si(OR2)3상기 화학식 2에서, R2는 C1-6의 알킬기이고; R3은 3-(글리시독시)프로필, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸, 알릴, 3,3,3-트리플르오르프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필테트라티오]프로필, 3-[3-(트리에톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-[3-(트리메톡시실릴)프로필디티오]프로필, 3-아미노프로필, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필, 3-아크릴록시프로필, 3-메타아크릴록시프로필, 2-시아노에틸, 3-시아노프로필, 3-이소시아네이토프로필, 3-메르캅토프로필, 3-(메타아크릴옥시)프로필, CF3(CF2)nCH2CH2, 2-(3-헥센닐)에틸, 또는 말단 알켄닐기이다.
- 청구항 7에 있어서,상기 금속산화물 분말은 실리카, 마이카, 탈크, 산화티타늄, 산화지르코늄, 주석산화물, 철산화물, 및 아연산화물 중에서 선택된 금속산화물이며, 입경이 5 nm 내지 100 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
- 청구항 7, 또는 8항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 알킬실란폴리올은 상기 금속산화물 분말에 대하여 0.1 내지 30 중량% 범위로 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 알킬알콕시실란은 상기 금속산화물 분말에 대하여 0.1 내지 10 중량% 범위로 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 청구항 7 내지 10항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서,아세트산 수용액이 추가로 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 청구항 13에 있어서,상기 아세트산 수용액은 1 중량% 농도의 것을 기준으로 할 때, 금속산화물 분말 중량에 대비하여 1 내지 5 중량% 범위로 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
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