KR20130041955A - 페놀 수지 발포판 - Google Patents

Abstract

탄화수소 및/또는 염소화 지방족 탄화수소를 함유하고, 평균 기포 직경이 5 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하의 범위에 있으며, 횡단면적에서 차지하는 보이드의 면적 비율이 5 ％ 이하인 페놀 수지 발포판으로서, 밀도가 15 ㎏/㎥ 이상 26 ㎏/㎥ 이하이고, 두께 방향에 대하여 수직 방향으로 변위 10 ％ 압축을 실시한 경우에 있어서, 압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률이 96.0 ％ 이상 98.5 ％ 이하이며 회복성 변화율 C 가 0.030 ％/hr 이상 0.060 ％/hr 이하인 페놀 수지 발포판.

Description

페놀 수지 발포판 {PHENOL RESIN FOAMED PLATE}

본 발명은 페놀 수지 발포판에 관한 것이다.

페놀 수지 발포판은, 발포 플라스틱계의 단열재 중에서도 높은 단열 성능, 난연성, 및 내열성을 갖고 있기 때문에, 건축 재료나 일반 산업용 재료로서 널리 사용되고 있다. 이와 같은 페놀 수지 발포판으로서, 예를 들어, 특허문헌 1 및 2 에서 제안되어 있는, 고단열 성능을 갖는 페놀 수지 발포판 (페놀 폼) 을 들 수 있다. 또, 페놀 수지 발포판은, 건축물의 지붕, 벽 및 바닥면 등의 하중이 잘 가해지지 않는 용도로의 응용이 고려되고 있다. 이 용도에서는, 제품의 두께 방향의 고압축 강도가 요구되지 않기 때문에, 비교적 저비용인 저밀도의 제품이 대응 가능하다.

국제 공개 제00/01761호 팜플렛 미국 특허 출원 공개 제2010/0010111호 명세서

그러나, 페놀 수지 발포판은, 건축물의 지붕, 벽 및 바닥면 등에 충전 시공할 때, 고정밀도로 프리컷한 후에 귀틀 사이 등의 충전부에 맞추어, 발포판의 두께 방향과 수직인 방향으로 압축하면서 충전할 필요가 있다. 이 때, 발포판의 압축 회복성 특성이 불량하여 충전부에 간극이 생기면, 단열 성능의 저하를 초래하고 있었다.

그래서, 본 발명의 목적은, 충전 시공시에 압축하여도, 충전부의 단열 성능의 저하를 억제할 수 있는 페놀 수지 발포판을 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은 상기 과제를 달성하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 특정 밀도 범위에 있어서, 페놀 수지 조성물의 발포·경화 조건을 최적화함으로써, 비압축시의 단열 성능 및 기계적 강도를 저해하지 않고 양호한 압축 회복성 특성을 갖는 페놀 수지 발포판이 얻어지는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은 이하의 [1] ～ [6] 을 제공한다.

[1] 탄화수소 및/또는 염소화 지방족 탄화수소를 함유하고, 평균 기포 직경이 5 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하의 범위에 있으며, 횡단면적에서 차지하는 보이드의 면적 비율이 5 ％ 이하인 페놀 수지 발포판으로서, 밀도가 15 ㎏/㎥ 이상 26 ㎏/㎥ 이하이고, 두께 방향에 대하여 수직 방향으로 변위 10 ％ 압축을 실시한 경우에 있어서, 압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률이 96.0 ％ 이상 98.5 ％ 이하이며 회복성 변화율 C 가 0.030 ％/hr 이상 0.060 ％/hr 이하인, 페놀 수지 발포판.

[2] 두께 방향에 대하여 수직 방향으로 변위 10 ％ 압축을 실시한 경우에 있어서, 압축 개방 후 24 시간 경과시의 중심부 독립 기포율이 80 ％ 이상 94 ％ 이하인, [1] 에 기재된 페놀 수지 발포판.

[3] 중심부 독립 기포율이 85 ％ 이상, 열전도율이 0.023 W/mK 이하, 취성이 25 ％ 이하인, [1] 또는 [2] 에 기재된 페놀 수지 발포판.

[4] 탄화수소 및 염소화 지방족 탄화수소가 발포제의 구성 성분인, [1] ～ [3] 중 어느 하나에 기재된 페놀 수지 발포판.

[5] 발포제에서 차지하는 탄화수소 및/또는 염소화 지방족 탄화수소의 함유량이 50 중량％ 이상인, [1] ～ [4] 중 어느 하나에 기재된 페놀 수지 발포판.

[6] 탄화수소가 이소부탄, 노말부탄, 시클로부탄, 노말펜탄, 이소펜탄, 시클로펜탄 및 네오펜탄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고, 염소화 지방족 탄화수소가, 클로로프로판인 [1] ～ [5] 중 어느 하나에 기재된 페놀 수지 발포판.

본 발명에 의하면, 충전 시공시에 압축하여도, 충전부의 단열 성능의 저하를 억제할 수 있는 페놀 수지 발포판을 제공할 수 있다.

이하, 본 발명을 그 바람직한 실시형태에 입각하여 상세히 설명한다.

본 실시형태에 있어서의 페놀 수지 발포판 (이하, 「발포판」이라고 하는 경우가 있다) 은, 경화 반응에 의해 형성된 페놀 수지 중에, 다수의 기포가 분산된 상태로 존재하는 발포판이다. 발포판에 있어서의 두께란, 면 상의 발포성 수지 조성물이 발포할 때의 성장 방향으로서, 발포판의 세 변 중 가장 치수가 작은 변을 가리킨다.

페놀 수지 발포판의 밀도는, 15 ㎏/㎥ 이상 26 ㎏/㎥ 이하이며, 20 ㎏/㎥ 이상 25 ㎏/㎥ 이하인 것이 바람직하고, 18 ㎏/㎥ 이상 24 ㎏/㎥ 이하인 것이 보다 바람직하다. 밀도가 15 ㎏/㎥ 이상이면 압축 강도 등의 기계적 강도를 확보할 수 있어, 발포체의 취급시에 파손이 일어나는 것을 회피할 수 있다. 이 때문에, 후술하는 압축 회복성 특성의 악화를 방지할 수 있다. 한편, 밀도가 26 ㎏/㎥ 를 초과하면, 충전 시공에 필요한 양호한 압축 회복성 특성을 기대할 수 없다. 또, 밀도가 26 ㎏/㎥ 이하이면, 후술하는 수지부의 전열이 잘 증대되지 않기 때문에, 단열 성능을 유지할 수 있다. 또한, 페놀 수지 발포판의 밀도는, 주로 발포제의 비율, 경화시의 오븐의 조건에 따라 원하는 값을 선택할 수 있다.

페놀 수지 발포판은, 그 내부에 비교적 큰 (통상적으로, 직경 1 ㎜ 이상) 구상 (球狀) 또는 부정형의 공극 (이하, 보이드라고 부른다) 을 갖는다. 통상적으로 보이드는, 기포의 합일이나 발포제의 불균일한 기화, 혹은 발포 과정에서 공기 등을 말려들게 하는 것 등에 의해 형성된다. 또, 발포액의 경화가 진행되고 나서 성형을 실시하여도, 보이드의 생성으로 이어지는 경우도 있다. 이것은, 압축 강도의 저하 원인이 됨과 함께, 외관상으로도 바람직하지 않다.

본 명세서에서는 보이드를 다음과 같이 정의한다. 즉, 페놀 수지 발포판의 표리면에 평행한 횡단면을 잘라내고, 그 단면에 존재하는 공극부를 후술하는 방법으로 측정하여, 각 공극에 대하여 그 면적이 2 ㎟ 이상인 것을 보이드로 한다.

페놀 수지 발포판은, 이러한 보이드가 매우 적으며, 그 보이드의 총 합계 면적은 상기 횡단면의 전체 면적의 5 ％ 이하이다. 이와 같은 페놀 수지 발포판은, 안정적으로 저열전도화를 실현할 수 있고, 또한 압축 강도의 편차가 작다는 매우 우수한 효과를 갖는다. 또, 기포가 균일하기 때문에, 외관상으로도 매우 우수하다. 물성 및 외관을 충분히 만족시킬 수 있는 보이드 양은 5 ％ 이하이며, 바람직하게는 3 ％ 이하, 보다 바람직하게는 2 ％ 이하, 더욱 바람직하게는 1 ％ 이하, 특히 바람직하게는 1 ％ 이하, 그 중에서도 바람직하게는 0.5 ％ 이하라고 할 수 있다.

페놀 수지 발포판의 평균 기포 직경은 5 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이며, 바람직하게는 40 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이다. 평균 기포 직경이 5 ㎛ 이상이면, 발포체 밀도가 높아지는 것을 억제할 수 있다. 이 결과, 발포체에 있어서의 수지부의 전열 비율을 저감시킬 수 있기 때문에, 페놀 수지 발포판의 단열 성능을 확보할 수 있다. 또, 반대로 평균 기포 직경이 200 ㎛ 를 초과하면, 복사에 의한 열전도율이 증가하게 되어, 발포체의 단열 성능을 저하시킬 우려가 있다.

본 실시형태의 페놀 수지 발포판의 특징은, 귀틀 사이 (충전부) 등에 대한 충전 시공을 상정하여, 페놀 수지 발포판을 두께 방향에 대하여 수직 방향으로 변위 10 ％ 압축을 실시한 경우에 있어서, 압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률 및 회복성 변화율 C 를 최적화한 것이다. 페놀 수지 발포판은, 고밀도 (27 ㎏/㎥ 이상) 이면 압축 개방 후 1 분간 경과시의 회복률은 높아도, 회복성 변화율 C 는 작은 경향이 있는 것을 알 수 있었다. 여기서, 단순히 첨가하는 발포제의 양을 늘려 페놀 수지 발포판의 밀도를 낮추면 (26 ㎏/㎥ 이하) 회복성 변화율 C 를 높일 수는 있었다고 해도, 경화와 발포의 밸런스가 무너져 압축 개방 후 1 분간 경과시의 회복률이 저하되어 버린다. 이 때문에, 종래의 페놀 수지 발포판에서는, 고밀도인 것이어도 저밀도인 것이어도, 페놀 수지 발포판을 두께 방향에 대하여 수직 방향으로 변위 10 ％ 압축을 실시한 경우에 있어서, 충전 시공시에 요구되는 압축 개방 후 1 분간 경과시의 회복률 및 회복성 변화율 C 를 동시에 만족하는 것은 얻어지지 않는 것으로 생각된다. 그래서, 본 실시형태에서는, 페놀 수지 발포판의 제조 공정에 있어서의 발포와 경화의 진행 정도를 적절한 상태로 제어함으로써, 충전 시공시에 요구되는 압축 개방 후 1 분간 경과시의 회복률 및 회복성 변화율 C 를 양립시키는 저밀도의 페놀 수지 발포판을 제조하기에 이르렀다.

압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률은, 96.0 ％ 이상 98.5 ％ 이하이며, 96.1 ％ 이상 98.0 ％ 이하가 보다 바람직하고, 96.5 ％ 이상 98.0 ％ 이하인 것이 더욱 바람직하며, 97.0 ％ 이상 98.0 ％ 이하인 것이 더욱더 바람직하다. 당해 회복률이 96.0 ％ 이상이면, 충전 시공시에 발포판과 귀틀 사이에 간극이 생기거나 또는 발포판이 충전부로부터 떨어지는 것을 회피할 수 있다. 한편, 당해 회복률이 98.5 ％ 이하이면, 회복의 속도가 실제의 충전 시공에 적절한 것이 된다. 압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률은, 주로 시공의 용이성에 관한 지표가 된다.

회복성 변화율 C 는, 압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률과 24 시간 경과시의 회복률부터 구한 값이다. 구체적으로는, 가로축을 시간, 세로축을 회복률로 하여, 압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률과 24 시간 경과시의 회복률을 플롯한 점끼리를 연결한 직선의 기울기를 산출함으로써 구해진다. 회복성 변화율 C 는 0.030 ％/hr (시) 이상 0.060 ％/hr 이하이며, 0.032 ％/hr 이상 0.055 ％/hr 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.032 ％/hr 이상 0.046 ％/hr 이하인 것이 더욱 바람직하며, 0.038 ％/hr 이상 0.046 ％/hr 이하인 것이 더욱더 바람직하고, 0.034 ％/hr 이상 0.042 ％/hr 이하인 것이 가장 바람직하다. 당해 변화율이 0.030 ％/hr 이상이면, 충전 시공시에 발포판과 귀틀 사이에 간극이 생기거나 또는 발포판이 충전부로부터 떨어지는 것을 회피할 수 있다. 한편, 당해 변화율의 상한을 0.060 ％/hr 로 함으로써, 회복의 속도가 실제의 충전 시공에 적절한 것이 된다. 회복성 변화율 C 는, 주로 기밀성 확보의 용이성에 관한 지표가 된다.

상기 서술한 특징을 구비하는 페놀 수지 발포판을 프리컷 후, 충전부에 두께 방향과 수직인 방향으로 압축하면서 충전시킨 경우, 충전부에 간극이 생기지 않도록 페놀 수지판을 회복시킬 수 있다.

발포판의 두께 방향에 대하여 수직 방향으로 변위 10 ％ 압축을 실시하여 개방한 후 24 시간 경과시의 중심부 독립 기포율은, 80 ％ 이상 94 ％ 이하인 것이 바람직하다. 중심부 독립 기포율이 80 ％ 미만이면, 충분한 단열 성능이 발현되지 않기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 중심부 독립 기포율이란, 발포판의 두께 방향의 중심부를 포함하도록, 두께 방향과 수직인 방향을 따라 도려내어진 발포판의 일부 (직경 35 ㎜ ～ 36 ㎜, 높이 30 ㎜ ～ 40 ㎜ 의 원통 시료가 바람직하다) 에 대하여 측정된 독립 기포율을 말한다.

페놀 수지 발포판의 비압축시의 중심부 독립 기포율은, 바람직하게는 85 ％ 이상이며, 보다 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 당해 독립 기포율이 85 ％ 미만이면 페놀 수지 발포판 중의 발포제가 공기와 치환하여 단열 성능이 저하되는 경향이 발생한다는 염려가 있다.

페놀 수지 발포판의 열전도율은 0.023 W/m·K 이하인 것이 바람직하고, 0.019 W/m·K 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 페놀 수지 발포판의 취성은, 25 ％ 이하인 것이 바람직하다.

페놀 수지 발포판은, 적어도 페놀 수지, 발포제, 및 경화제로 이루어지는 페놀 수지 조성물로 제조된다.

페놀 수지로는, 알칼리 금속 수산화물 또는 알칼리 토금속 수산화물에 의해 합성한 레졸형 페놀 수지 외에, 산 촉매에 의해 합성한 노볼락형 페놀 수지, 암모니아에 의해 합성한 암모니아 레졸형 페놀 수지, 또는 나프텐산납 등에 의해 합성한 벤질에테르형 페놀 수지 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 레졸형 페놀 수지가 바람직하다. 레졸형 페놀 수지는, 페놀과 포르말린을 원료로 하여 알칼리 촉매에 의해 40 ～ 100 ℃ 의 온도 범위에서 가열하여 중합시킨다. 또, 필요에 따라 레졸 수지 중합시에 우레아 등의 첨가제를 첨가해도 된다. 우레아를 첨가하는 경우에는 미리 알칼리 촉매로 메틸올화한 우레아를 레졸 수지에 혼합하는 것이 보다 바람직하다. 합성 후의 레졸 수지는, 통상적으로 과잉된 물을 포함하고 있기 때문에, 발포시에 발포에 적합한 수분량까지 조정된다. 또, 페놀 수지에, 지방족 탄화수소 또는 고비점의 지환식 탄화수소 또는 그것들의 혼합물이나, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 등의 점도 조정용의 희석제, 그 외 필요에 따라 머티리얼 리사이클 분체나 첨가제를 첨가할 수도 있다.

페놀 수지의 페놀류 대 알데히드류의 출발 몰비는 1 : 1 내지 1 : 4.5 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 : 1.5 내지 1 : 2.5 의 범위 내이다. 본 실시형태에 있어서 페놀 수지 합성시에 바람직하게 사용되는 페놀류로는, 페놀 자체, 및 다른 페놀류이며, 다른 페놀류의 예로는, 레조르시놀, 카테콜, o-, m- 및 p-크레졸, 자일레놀류, 에틸페놀류, p-tert 부틸페놀 등을 들 수 있다. 2 핵 페놀류도 또한 사용할 수 있다.

알데히드류로는, 포름알데히드 자체, 및 기타 알데히드류를 사용하는 것이 바람직하다. 다른 알데히드류의 예로는, 글리옥살, 아세트알데히드, 클로랄, 푸르푸랄, 벤즈알데히드 등을 사용할 수 있다. 첨가제로서 우레아, 디시안디아미드나 멜라민 등을 첨가해도 된다. 본 명세서에 있어서, 이들 첨가제를 첨가하는 경우, 페놀 수지란 첨가제를 첨가한 후의 것을 가리킨다.

페놀 수지의 40 ℃ 에 있어서의 점도는, 5,000 mPa·s 이상 100,000 mPa·s 이하이다. 바람직하게는 7,000 mPa·s 이상 50,000 mPa·s 이하이며, 더욱 바람직하게는, 10,000 mPa·s 이상 40,000 mPa·s 이하이다. 또, 수분량은 1.5 중량％ 이상 30 중량％ 이하가 바람직하다.

페놀 수지, 발포제, 및 경화제에 추가하여, 계면 활성제를 첨가할 수 있다. 계면 활성제 및 발포제는, 페놀 수지에 미리 첨가해 두어도 되고, 경화제와 동시에 첨가해도 된다.

계면 활성제로는, 일반적으로 페놀 수지 발포판의 제조에 사용되는 것을 사용할 수 있는데, 그 중에서도 비이온계의 계면 활성제가 효과적이며, 예를 들어, 에틸렌옥사이드와 프로필렌옥사이드의 공중합체인 알킬렌옥사이드나, 알킬렌옥사이드와 피마자유의 축합물, 알킬렌옥사이드와 노닐페놀, 도데실페놀과 같은 알킬페놀의 축합 생성물, 알킬에테르 부분의 탄소수가 14 ～ 22 인 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 나아가서는 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르 등의 지방산 에스테르류, 폴리디메틸실록산 등의 실리콘계 화합물, 폴리알코올류 등이 바람직하다. 이들 계면 활성제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또, 그 사용량에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 페놀 수지 100 중량부에 대하여 0.3 ～ 10 중량부의 범위에서 바람직하게 사용된다.

발포제의 구성 성분으로는, 탄화수소 (염소화 지방족 탄화수소 이외) 및 염소화 지방족 탄화수소인 것이 바람직하다. 또, 발포제에서 차지하는 탄화수소 및/또는 염소화 지방족 탄화수소의 함유량이 50 중량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 페놀 수지에 대한 발포제의 양은, 발포제의 종류, 페놀 수지와의 상용성이나, 발포·경화 과정에서의 손실에 따라 편차가 있지만, 4.5 ～ 11.5 중량부인 것이 바람직하고, 6.5 ～ 11.5 중량부인 것이 보다 바람직하다. 페놀 수지에 대한 발포제의 양이 4.5 중량부 이상이면 밀도가 26 ㎏/㎥ 이하인 페놀 수지 발포판을 제조하는 것이 가능하다. 페놀 수지에 대한 발포제의 양이 11.5 중량부 이하이면, 밀도가 15 ㎏/㎥ 이상인 페놀 수지 발포판을 제조하는 것이 가능하다.

탄화수소로는, 탄소수가 3 ～ 7 인 고리형 또는 사슬형의 알칸, 알켄, 알킨이 바람직하고, 구체적으로는, 노말부탄, 이소부탄, 시클로부탄, 노말펜탄, 이소펜탄, 시클로펜탄, 네오펜탄, 노말헥산, 이소헥산, 2,2-디메틸부탄, 2,3-디메틸부탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 노말펜탄, 이소펜탄, 시클로펜탄, 네오펜탄의 펜탄류 및 노말부탄, 이소부탄, 시클로부탄의 부탄류가 바람직하게 사용된다.

염소화 지방족 탄화수소로는, 탄소수가 2 ～ 5 인 직사슬형 또는 분기상의 것이 사용된다. 결합되어 있는 염소 원자의 수는 한정되는 것은 아니지만, 1 ～ 4 가 바람직하게 사용되며, 예를 들어 디클로로에탄, 프로필클로라이드, 이소프로필클로라이드, 부틸클로라이드, 이소부틸클로라이드, 펜틸클로라이드, 이소펜틸클로라이드 등을 들 수 있다. 이들 중, 클로로프로판인 프로필클로라이드, 이소프로필클로라이드가 보다 바람직하게 사용된다. 이들 염소화 지방족 탄화수소는 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.

경화제로는, 페놀 수지를 경화시킬 수 있는 산성의 경화제이면 된다. 단, 물을 포함하는 산을 사용하면 발포체의 벽 (기포나 보이드 이외의 부분) 의 파괴 등이 일어날 우려가 있기 때문에, 무수 산 경화제가 바람직하다. 무수 산 경화제로는, 무수 인산이나 무수 아릴술폰산이 바람직하다. 무수 아릴술폰산으로는, 톨루엔술폰산이나 자일렌술폰산, 페놀술폰산, 치환 페놀술폰산, 자일레놀술폰산, 치환 자일레놀술폰산, 도데실벤젠술폰산, 벤젠술폰산, 나프탈렌술폰산 등을 들 수 있으며, 이것들을 1 종류로 사용하여도 되고, 2 종류 이상 조합하여도 된다. 또, 경화 보조제로서 레조르시놀, 크레졸, 살리게닌 (o-메틸올페놀), p-메틸올페놀 등을 첨가해도 된다. 또, 이들 경화제를 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 등의 용매로 희석시켜도 된다.

산 경화제도 그 종류에 따라 사용량은 상이하여, 무수 인산을 사용한 경우, 바람직하게는 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 이상 30 중량부 이하, 보다 바람직하게는 8 중량부 이상 25 중량부 이하로 사용된다. 파라톨루엔술폰산 1 수화물 60 중량％ 와 디에틸렌글리콜 40 중량％ 의 혼합물을 사용하는 경우, 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 3 중량부 이상 30 중량부 이하, 보다 바람직하게는 5 중량부 이상 20 중량부 이하로 사용된다.

다음으로, 상기 서술한 페놀 수지 발포판의 제조 방법에 대하여 설명한다.

페놀 수지 발포판의 제조 방법은, 적어도 페놀 수지, 발포제, 및 경화제로 이루어지는 페놀 수지 조성물을 혼합기로 혼합하는 혼합 공정과, 혼합된 페놀 수지 조성물을 표면재 상에 토출하는 토출 공정과, 표면재 상에 토출된 페놀 수지 조성물로 페놀 수지 발포판을 제조하는 발포판 제조 공정을 구비한다.

혼합 공정에서는, 적어도 페놀 수지, 발포제, 및 경화제를 상기 서술한 바와 같은 적절한 조건에서 혼합기를 사용하여 혼합한다. 혼합기로는, 일본 공개특허공보 평10-225993호에 개시된 것 등을 사용할 수 있다. 또한, 페놀 수지 100 중량부에 대한 발포제의 첨가 부수가 4.5 중량부 이상인 것이 바람직하다. 또, 토출 공정에서는, 혼합 공정에서 혼합된 페놀 수지 조성물을 표면재 상에 토출한다.

발포판 제조 공정에서는, 표면재 상에 토출된 페놀 수지 조성물을 발포 및 경화시키면서 상하 방향으로부터 고르게 하도록 예비 성형하고, 그 후, 발포 및 경화를 진행하면서 판상으로 성형해 간다.

예비 성형이나 성형하는 방법으로는, 슬랫형 더블 컨베이어를 이용하는 방법이나, 금속 롤 혹은 강판을 이용하는 방법, 나아가서는 이것들을 복수 조합하여 이용하는 방법 등, 제조 목적에 따른 여러 가지의 방법을 들 수 있다. 이 중, 예를 들어, 슬랫형 더블 컨베이어를 이용하여 성형하는 경우에는, 상하측 표면재로 피복된 페놀 수지 조성물을 슬랫형 더블 컨베이어 중에 연속적으로 안내시킨 후, 가열하면서 상하 방향으로부터 압력을 가하여 소정의 두께로 조정하면서, 발포 및 경화시켜 판상으로 성형할 수 있다. 여기서 사용하는 표면재로는, 가요성 면재가 바람직하고, 특히 발포판으로서의 취급 용이성, 및 경제성의 점에서는 합성 섬유 부직포, 혹은 종이류가 가장 바람직하다.

가열 온조 (溫調) 는, 후술하는 바와 같이, 제 1 온조 구간과 제 1 온조 구간에 이어지는 제 2 온조 구간을 거쳐 실시할 수 있다. 또, 가열 온조는, 제 1 온조 구간 및 제 2 온조 구간을 포함하여, 체류 시간 0.5 분 이상의 온조 구간을 적어도 세 군데 이상 거쳐 실시되는 것이 바람직하다. 페놀 수지 발포판의 밀도는, 주로 페놀 수지에 대한 발포제의 양, 경화시의 오븐의 조건에 의해 원하는 값을 선택할 수 있는 바, 본 발명의 페놀 수지 발포판을 제조하는 데에 있어서는, 페놀 수지에 대한 발포제의 양에 따라 경화시의 오븐의 조건을 조정할 수 있다.

제 1 온조 구간은, 온도가 5 ℃ 이상 65 ℃ 미만에서 조정된다. 온도의 조정 방법은, 열풍 등을 이용해도 되고, 외기온을 이용해도 된다. 또 상자형의 밀폐 공간이어도 되고, 대기 개방 상태로 해도 상관없다. 또, 원하는 온조 제어가 이루어지고 있으면, 밀폐 공간이어도 일부가 대기에 노출되어 있어도 상관없다. 또한, 그 구간에서의 성형 방법은, 무단 (無端) 스틸 벨트형 더블 컨베이어 또는 슬랫형 더블 컨베이어, 혹은 롤 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 제 1 온조 구간의 체류 시간은, 온조 구간으로서의 의미를 고려하면, 0.5 분 이상 1 시간 이내로 하는 것이 바람직하고, 2 분 이상 30 분 이내로 하는 것이 보다 바람직하다. 체류 시간이 0.5 분 이상이면 발포를 충분히 촉진시킬 수 있다. 체류 시간은 주로 발포 속도에 맞추어 조정할 수 있다. 단, 체류 시간이 지나치게 길면, 발포에 대하여 경화가 불충분해지기 때문에, 일단 부풀어 오른 페놀 수지 조성물이 그 후 줄어들어 버릴 우려가 있다. 따라서, 체류 시간이 1 시간 이내이면 후술하는 제 2 온조 구간에 들어가기 직전의 페놀 수지 조성물의 두께 (T1) 가 소정의 두께보다 작아지는 리스크를 저감시킬 수 있어, 경화와 발포의 밸런스를 유지하면서, 원하는 밀도의 페놀 폼 수지 발포판을 얻을 수 있다.

제 2 온조 구간은, 온도 65 ℃ 이상 100 ℃ 이하의 사이에서 조정된다. 온도의 조정 방법은, 상자형의 밀폐 공간에서 주로 열풍을 이용하는 것이 바람직하다. 또, 그 구간에 있어서, 무단 스틸 벨트형 더블 컨베이어 또는 슬랫형 더블 컨베이어, 혹은 롤 등을 이용하여 예비 성형해도 상관없다. 또, 제 2 온조 구간의 체류 시간은, 발포 및 경화 반응을 실시시키는 주공정인 점에서, 5 분 이상 3 시간 이내로 하는 것이 바람직하다. 체류 시간이 5 분 이상이면 발포와 경화를 충분히 촉진시킬 수 있다. 또, 페놀 수지 조성물의 발포 및 경화가 어느 정도 종료되면, 얻어지는 페놀 수지 발포판의 특성은 거의 변화되지 않는다. 이 때문에, 체류 시간이 3 시간 이내이면 페놀 수지 발포판의 생산 효율을 높일 수 있다.

제 2 온조 구간에 들어가기 직전의 페놀 수지 조성물의 두께를 T1 로 하고, 제 2 온조 구간 후의 페놀 수지 조성물의 두께를 T 로 하면, T 에 대한 T1 의 비T1/T 가 0.2 이상 0.7 이하인 것이 바람직하고, 0.2 이상 0.6 이하인 것이 보다 바람직하다. T1/T 를 0.2 이상으로 함으로써, 제 2 온조 구간에서의 발포와 경화의 균형을 맞출 수 있어, 원하는 두께의 제품으로 했을 때에 물성의 저하를 방지할 수 있다. 또, T1/T 를 0.7 이하로 함으로써, 수지 조성물 온도가 지나치게 높아지지 않아, 경화에 대하여 발포가 지나치게 진행되지 않기 때문에, 제품의 독립 기포율이 상승하여 제품의 단열 성능이 향상된다. T1/T 의 조정은, 주로 페놀 수지에 대한 발포제의 양 및 제 1 온조 구간의 온도에 의해 T1 을 변화시킴으로써 실시한다. 즉, 발포제의 양을 많게 하거나, 제 1 온조 구간의 온도를 높게 설정함으로써 제 1 온조 구간시에 있어서 발포를 촉진시킬 수 있어, T1 을 보다 크게 할 수 있다. 반대로, 발포제의 양을 적게 하거나, 제 1 온조 구간의 온도를 낮게 설정함으로써 제 1 온조 구간시에 있어서 발포를 억제할 수 있어, T1 을 보다 작게 할 수 있다. 또, T1/T 의 조정은, 사용하는 페놀 수지의 반응성이나 촉매의 양에 의해 T1 을 변화시키는 것에 의해서도 실시할 수 있다. 여기서, 페놀 수지에 대한 발포제의 양이 증가함에 따라 T1/T 는 커지는 경향이 있지만, T1/T 를 0.7 이하로 하기 때문에, 제 1 온조 구간의 온도를 낮게 설정할 수 있다. 또, 발포 속도가 지나치게 빠른 경우에는, 제 1 온조 구간의 온도를 낮게 설정할 수 있다. 또한, T 는, 주로 페놀 수지에 대한 발포제의 양, 제 1 온조 구간의 온도, 제 2 온조 구간의 온도를 변화시킴으로써 제어할 수 있다.

가열 온조에서는, 제 1 온조 구간의 온도를 5 ℃ 이상 65 ℃ 미만, 제 2 온조 구간의 온도를 65 ℃ 이상 100 ℃ 이하로 하는 것이 중요하다. 이로써, 제 2 온조 구간으로 유도하는 단계에서, 페놀 수지 조성물의 발포와 경화의 진행 정도를 적절한 상태로 제어할 수 있어, 페놀 수지 발포판의 밀도가 15 ～ 26 ㎏/㎥ 인 경우의 압축 회복성 특성이 양호해진다. 제 1 온조 구간과 제 2 온조 구간의 온도차는 10 ℃ 이상이 바람직하다.

바람직한 페놀 수지 발포판의 제조 방법으로는, 페놀 수지, 발포제 및 경화제를 함유하고, 페놀 수지 100 중량부에 대한 발포제의 양이 4.5 ～ 11.5 중량부인 페놀 수지 조성물을 표면재 상에 토출하여, 표면재 상의 페놀 수지 조성물을 가열 온조하는 페놀 수지 발포판의 제조 방법으로서, 가열 온조는, 제 1 온조 구간과 제 2 온조 구간을 갖고 있는데, 제 1 온조 구간의 온도가 5 ℃ 이상 65 ℃ 미만이고, 제 2 온조 구간의 온도가 65 ℃ 이상 100 ℃ 이하이며, 제 2 온조 구간에 들어가기 직전의 페놀 수지 조성물의 두께를 T1 로 하고, 제 2 온조 구간 후의 페놀 수지 조성물의 두께를 T 로 했을 때의 T1/T 가 0.2 ～ 0.7 이 되도록, 발포제의 양, 제 1 온조 구간의 온도 및 제 2 온조 구간의 온도 중 적어도 1 개를 변화시키는 제조 방법을 들 수 있다. 이로써, 페놀 수지 조성물의 발포와 경화의 진행 정도를 최적인 상태로 제어할 수 있어, 페놀 수지 발포판의 밀도가 15 ～ 26 ㎏/㎥ 인 경우에 있어서, 충전 시공시에 요구되는 압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률 및 회복성 변화율 C 를 양립시키는 것이 된다.

제 1 온조 구간 및 제 2 온조 구간의 온조 구간을 거쳐 가열 온조한 후에, 제 3 온조 구간을 적용하는 것이 보다 바람직하다. 제 3 온조 구간의 온도는, 90 ℃ 이상 120 ℃ 이하인 것이 바람직하다. 90 ℃ 미만이면, 발포판 중의 수분이 잘 방산되지 않게 되고, 120 ℃ 이상이면, 제품의 독립 기포율이 저하되어 제품의 단열 성능이 저하된다. 제 3 온조 구간을 형성함으로써, 최종 성형한 후에, 페놀 수지 조성물 중의 수분을 방산시킬 수 있다.

실시예

이하에, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.

<페놀 수지의 합성>

반응기에 52 중량％ 포름알데히드 3500 ㎏ 과 99 중량％ 페놀 2510 ㎏ 을 주입하여, 프로펠라 회전식의 교반기에 의해 교반하고, 온조기에 의해 반응기 내부 액 온도를 40 ℃ 로 조정하였다. 이어서 50 중량％ 수산화나트륨 수용액을 첨가하면서 승온시켜, 반응시켰다. 오스트발트 점도가 60 센티 스토크스 (＝ 60 × 10^-6 ㎡/s, 25 ℃ 에 있어서의 측정치) 에 도달한 단계에서 반응액을 냉각시키고, 우레아를 570 ㎏ (포름알데히드 주입량의 15 몰％ 에 상당) 첨가하였다. 그 후, 반응액을 30 ℃ 까지 냉각시키고, 파라톨루엔술폰산 1 수화물 50 중량％ 수용액으로 pH 를 6.4 로 중화하였다.

이 반응액을, 60 ℃ 에서 탈수 처리하여 점도 및 수분량을 측정한 결과, 40 ℃ 에 있어서의 점도는 5,800 mPa·s, 수분량은 5 중량％ 였다. 이것을 페놀 수지 A-U 로 한다.

<수분율>

페놀 수지 중의 수분율은 칼피셔 수분계 MKA-510 (쿄토 전자 공업 (주) 제조) 을 사용하여 측정하였다.

<페놀 수지의 점도>

회전 점도계 (토키 산업 (주) 제조, R-100 형, 로터부는 3°× R-14) 를 사용하여, 40 ℃ 에서 3 분간 안정시킨 후의 측정치로 하였다.

(실시예 1)

페놀 수지 A-U : 100 중량부에 대하여, 계면 활성제로서 에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드의 블록 공중합체 (BASF 제조, 플루로닉 F-127) 를 2.0 중량부의 비율로 혼합하였다.

페놀 수지 폼 (아사히 화성 건재 (주) 제조, 네오마 폼) 단재 (端材) 를, 전동 볼 밀 (건식, 직경 900 ㎜ × 1,500 ㎜) 에 의해 면재 (面材) 박리 및 조 (粗) 분쇄하고 나서, 체 (체 눈금 간격 : 1.2 ㎜) 에 의해 면재를 제거한 후, 진동 볼 밀 (건식, 내경 150 ㎜, 1 통 15.5 ℓ × 2 통) 을 사용하여 압밀화 미분쇄를 실시하고, 체 (체 눈금 간격 : 0.5 ㎜) 에 의해 대입경의 폼 분말을 제거한 후, 부피 밀도 183 ㎏/㎥ 의 페놀 수지 폼 분말을 제조하였다. 이 페놀 수지 폼 분말을 레이저 회절 광 산란 방식 입경 분포 측정 장치로 측정한 결과, 평균 입경은 26.4 ㎛ 였다.

이 분말을, 페놀 수지 A-U : 100 중량부에 대하여 5 중량부 첨가하여, 2 축 압출기 ((주) 테크노벨 제조) 에 의해 혼련하였다. 페놀 수지 폼 함유 페놀 수지의 유량 (표 1 에서는, 「레진 유량」으로 기재한다) 을 40.7 ㎏/hr 로 하고, 페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물 7.7 중량부, 산 경화제로서 자일렌술폰산 80 중량％ 와 디에틸렌글리콜 20 중량％ 의 혼합물 13 중량부로 이루어지는 조성물을, 25 ℃ 로 온조한 믹싱 헤드에 공급하고, 멀티 포트 분배관을 통과시켜, 이동하는 하측 표면재 상에 공급하였다. 사용하는 혼합기 (믹서) 는, 일본 공개특허공보 평10-225993호에 개시된 것을 사용하였다. 즉, 혼합기의 상부 측면에, 페놀 수지에 계면 활성제를 첨가한 수지 조성물, 및, 발포제의 도입구가 있고, 회전자가 교반하는 교반부의 중앙 부근의 측면에 경화제의 도입구를 구비하고 있다. 교반부 이후는 폼을 토출하기 위한 노즐에 연결되어 있다. 즉, 촉매 도입구까지를 혼합부 (전단), 촉매 도입구 ～ 교반 종료부를 혼합부 (후단), 교반 종료부 ～ 노즐을 분배부로 하여, 이것들에 의해 구성되어 있다. 분배부는 선단에 복수의 노즐을 가져, 혼합된 발포성 페놀 수지 조성물이 균일하게 분배되도록 설계되어 있다.

하측 표면재 상에 공급된 발포성 페놀 수지 조성물은, 상측 표면재로 피복됨과 동시에, 상하측 표면재 사이에 끼우도록 하여, 40 ℃ 의 오븐 (제 1 온조 구간 ; 체류 시간 4 분) 으로 유도하여 복수의 롤을 이용하여 고르게 하도록 예비 성형된 후, 83 ℃ 의 슬랫형 더블 컨베이어를 갖는 오븐 (제 2 온조 구간) 으로 보내고, 15 분의 체류 시간으로 경화시킨 후, 110 ℃ 의 오븐에서 2 시간 큐어하여 페놀 수지 발포판을 얻었다. 슬랫형 더블 컨베이어에 의해 상하 방향으로부터 표면재를 개재하여 적당히 압력을 가함으로써 판상으로 성형하였다. 이하의 실시예, 비교예는, 실시예 1 과 성형 속도가 동일하다는 조건 하에서, 얻어지는 페놀 수지 발포판의 두께를 일정하게 하면서, 밀도가 변화되는 조건으로 하였다.

표면재로는, 폴리에스테르제 부직포 (아사히 화성 섬유 (주) 제조 「스판본드 E05030」, 칭량 30 g/㎡, 두께 0.15 ㎜) 를 사용하였다.

실시예 및 비교예에 의해 얻어진 발포체의 특성은 이하의 방법에 의해 구해진다.

<발포판의 밀도>

가로 세로 20 ㎝ 의 페놀 수지 발포판을 시료로 하고, 이 시료에 면재, 사이딩재 등이 부착되어 있는 경우에는 이것을 제거하여, 중량과 외관 용적을 측정하여 구한 값이며, JIS K 7222 에 따라 측정하였다.

<보이드>

페놀 수지 발포판 샘플의 두께 방향의 거의 중앙을 표리면에 평행하게 절삭하여 100 ㎜ × 150 ㎜ 의 범위를 200 ％ 확대 컬러 카피 (각각의 길이가 2 배, 즉 면적은 4 배가 된다) 를 취하고, 투명 모눈종이에 의해 1 ㎜ × 1 ㎜ 매스가 8 매스 이상의 보이드 면적을 적산하여 면적 분율을 계산하였다. 즉, 확대 카피를 취하고 있으므로, 이 8 매스가 실제의 폼 단면에서는 2 ㎟ 의 면적에 상당한다.

<독립 기포율>

페놀 수지 발포판으로부터, 직경 35 ㎜ ～ 36 ㎜ 의 원통 시료를 코르크 볼러로 도려내어, 높이 30 ㎜ ～ 40 ㎜ 로 일정하게 자른 후, 공기 비교식 비중계 (토쿄 사이언스사 제조, 1,000 형) 의 표준 사용 방법에 의해 시료 용적을 측정한다. 그 시료 용적으로부터, 시료 중량과 수지의 밀도로부터 계산한 벽 (기포나 보이드 이외의 부분) 의 용적을 뺀 값을, 시료의 외부 치수로부터 계산한 외관의 용적으로 나눈 값이며, ASTM-D-2856 에 따라 측정하였다. 여기서 페놀 수지의 밀도는 1.3 ㎏/ℓ 로 하였다. 또한, 압축 개방 후 24 시간 경과시의 중심부 독립 기포율은, 페놀 수지 발포판의 압축 방향 (두께 방향) 에서의 중심을 포함하도록 압축 방향과 수직인 방향을 따라 상기 형상의 원통 시료를 도려내어 실시하였다.

<평균 기포 직경>

페놀 수지 발포판의 두께 방향의 거의 중앙을 표리면에 평행하게 절삭한 시험편의 단면의 50 배 확대 사진 상에 보이드를 피하여 9 ㎝ 의 길이의 직선을 4 개 긋고, 각 직선이 횡단한 기포의 수 (JIS K 6402) 에 준하여 측정한 셀수를 각 직선으로 구하여, 그들의 평균치로 1800 ㎛ 를 나눈 값이다.

<열전도율>

샘플 가로 세로 200 ㎜, 저온판 5 ℃, 고온판 35 ℃ 에서 JIS A 1412 의 평판 열류계법에 따라 측정하였다.

<취성 평가>

시험편은, 하나의 면에 성형 스킨 또는 면재를 포함하도록 한 변 25 ± 1.5 ㎜ 의 입방체 12 개를 잘라내어 시료로 하였다. 단, 페놀 수지 발포판의 두께가 25 ㎜ 에 못 미치는 경우의 시험편의 두께는 페놀 수지 발포판의 두께로 하였다. 실온 건조시킨 한 변 19 ± 0.8 ㎜ 의 떡갈나무제의 입방체 24 개와 시험편 12 개를 먼지가 상자 밖으로 나오지 않도록 밀폐시킬 수 있는 내부 치수 191 × 197 × 197 ㎜ 의 떡갈나무제의 나무 상자에 넣고, 매분 60 ± 2 회전 속도로 600 ± 3 회전시킨다. 회전 종료 후, 상자의 내용물을 꺼내어 치수 9.5 ㎜ 의 망에 옮기고, 채로 걸러 소편을 제거하여, 남은 시험편의 중량을 측정하고, 시험 전의 시험편 중량으로부터 감소율을 계산한 값이 취성이며, JIS A 9511 에 따라 측정하였다.

<압축 회복률>

페놀 수지 발포판 (원판) 으로부터 두께 방향에 대하여 수직인 수직 길이 방향으로 100 ± 1 ㎜, 두께 방향으로 44 ± 1 ㎜, 동일하게 두께 방향에 대하여 수직인 수직 폭 방향으로 44 ± 1 ㎜ 가 되도록 잘라 시험 샘플을 얻었다. 또한, 발포판의 두께 방향의 치수에 관해서는, 두께가 45 ㎜ 를 초과하는 샘플의 경우에는, 두께 방향이 44 ± 1 ㎜ 가 되도록 샘플의 두께 방향 중심부가 측정 시료의 중심이 되도록 자르고, 44 ㎜ 미만의 경우에는, 그대로의 두께로 하여 측정에 제공하였다. 본 실시형태에 있어서는, 두께 방향과 수직인 2 개의 변 중, 보다 긴 변이 연장되는 방향을 수직 길이 방향으로 하였지만, 수직 길이 방향 및 수직 폭 방향은 시험 샘플의 변의 치수에 의해 결정되지 않으며, 어느 방향을 수직 길이 방향 또는 수직 폭 방향으로 해도 상관없다. 이어서, 만능 시험기 (SHIMAZU AUTOGRAPH AG-X) 에 의해, 시험 속도 16 ㎜/min 조건에서 두께 방향과 수직 방향으로 변위 10 ㎜ 까지 압축하였다. 압축 후 곧바로 개방하여, 압축 개방 후 1 분 경과시의 압축 방향 샘플 치수를 디지털 노기스 (MITUTOYO ABSOLUTE DIGIMATIC) 로 측정하였다. 나아가 압축 개방 24 시간 경과 후의 압축 방향 샘플 치수를 디지털 노기스 (MITUTOYO ABSOLUTE DIGIMATIC) 로 측정하였다. 또한, 압축 회복률의 측정은, 22.5 ± 2.5 의 온도 조건 (압축시 및 압축 개방 후) 에서 실시하였다.

<회복성 변화율 C>

변위 10 ％ 압축 개방 1 분 경과시의 회복률과 압축 개방 후 24 시간 경과시의 회복률의 경과 시간에 대한 회복률의 차로부터 구하였다 (단위는 ％/hr).

(실시예 2)

페놀 수지 폼 함유 페놀 수지의 유량을 30.0 ㎏/hr 로 하고, 페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물을 11.0 중량부로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(실시예 3)

페놀 수지 폼 함유 페놀 수지의 유량을 50.0 ㎏/hr 로 하고, 페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물을 5.7 중량부로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(실시예 4)

페놀 수지 폼 함유 페놀 수지의 유량을 46.9 ㎏/hr 로 하고, 페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물을 7.6 중량부로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(실시예 5)

페놀 수지 폼 함유 페놀 수지의 유량을 43.6 ㎏/hr 로 하고, 페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물을 7.8 중량부로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(실시예 6)

페놀 수지 폼 함유 페놀 수지의 유량을 50.0 ㎏/hr 로 하고, 페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물을 4.6 중량부로 하고, 제 1 온조 구간을 62 ℃ 로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(실시예 7)

페놀 수지 폼 함유 페놀 수지의 유량을 50.0 ㎏/hr 로 하고, 페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물을 6.5 중량부, 산 경화제로서 자일렌술폰산 80 중량％ 와 디에틸렌글리콜 20 중량％ 의 혼합물 9 중량부로 하는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(비교예 1)

페놀 수지 폼 함유 페놀 수지의 유량을 78.5 ㎏/hr 로 하고, 페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물을 3.0 중량부, 산 경화제로서 자일렌술폰산 80 중량％ 와 디에틸렌글리콜 20 중량％ 의 혼합물 8.2 중량부로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(비교예 2)

제 1 온조 구간을 70 ℃ 로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(비교예 3)

제 2 온조 구간을 110 ℃ 로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(비교예 4)

페놀 수지 폼 분말 함유 페놀 수지 100 중량부에 대하여, 발포제로서 이소펜탄 50 중량％ 와 이소부탄 50 중량％ 의 혼합물을 6.1 중량부로 하고, 제 1 온조 구간을 70 ℃ 로 하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

(비교예 5)

제 1 온조 구간을 60 ℃ 로 하는 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 하여, 페놀 수지 발포판을 얻었다.

실시예 및 비교예에 사용한 페놀 수지 발포판의 제조 조건을 표 1 에, 실시예 1 ～ 7 및 비교예 1 ～ 5 에서 얻어진 발포판의 평가 결과를 표 2 에 정리하였다.

Claims (6)

1. 탄화수소 및/또는 염소화 지방족 탄화수소를 함유하고, 평균 기포 직경이 5 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하의 범위에 있으며, 횡단면적에서 차지하는 보이드의 면적 비율이 5 ％ 이하인 페놀 수지 발포판으로서,
   밀도가 15 ㎏/㎥ 이상 26 ㎏/㎥ 이하이고,
   두께 방향에 대하여 수직 방향으로 변위 10 ％ 압축을 실시한 경우에 있어서, 압축 개방 후 1 분 경과시의 회복률이 96.0 ％ 이상 98.5 ％ 이하이며 회복성 변화율 C 가 0.030 ％/hr 이상 0.060 ％/hr 이하인 페놀 수지 발포판.
2. 제 1 항에 있어서,
   두께 방향에 대하여 수직 방향으로 변위 10 ％ 압축을 실시한 경우에 있어서, 압축 개방 후 24 시간 경과시의 중심부 독립 기포율이 80 ％ 이상 94 ％ 이하인 페놀 수지 발포판.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   중심부 독립 기포율이 85 ％ 이상, 열전도율이 0.023 W/mK 이하, 취성이 25 ％ 이하인 페놀 수지 발포판.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 탄화수소 및 염소화 지방족 탄화수소가 발포제의 구성 성분인 페놀 수지 발포판.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 발포제에서 차지하는 탄화수소 및/또는 염소화 지방족 탄화수소의 함유량이 50 중량％ 이상인 페놀 수지 발포판.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 탄화수소가 이소부탄, 노말부탄, 시클로부탄, 노말펜탄, 이소펜탄, 시클로펜탄 및 네오펜탄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고, 상기 염소화 지방족 탄화수소가 클로로프로판인 페놀 수지 발포판.